JP2789318B2 - Pulse expansion circuit - Google Patents

Pulse expansion circuit

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JP2789318B2
JP2789318B2 JP7247071A JP24707195A JP2789318B2 JP 2789318 B2 JP2789318 B2 JP 2789318B2 JP 7247071 A JP7247071 A JP 7247071A JP 24707195 A JP24707195 A JP 24707195A JP 2789318 B2 JP2789318 B2 JP 2789318B2
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体メモリ回路に
おいて、遅延回路を用いてパルス幅を伸長させるパルス
伸長回路に係り、特に短いパルス幅をもつ信号が入力さ
れたとき、効果的に伸長させて半導体メモリ回路の誤動
作を防止するパルス伸長回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a pulse extending circuit for extending a pulse width by using a delay circuit in a semiconductor memory circuit, and particularly to a pulse extending circuit for effectively extending a signal having a short pulse width. The present invention relates to a pulse expansion circuit for preventing a malfunction of a semiconductor memory circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】通常、パルス伸長回路は遅延回路を用い
てパルス幅を伸長させるので、遅延回路の機能が重要で
ある。パルス伸長回路に用いられる一般的な形態の遅延
回路は、図1(a)に示すように、入力パルス信号PI
をゲートに入力し、電源VCCにソースが連結されたP
MOSトランジスタP101と、入力パルス信号PIを
ゲートに入力し、ドレインがPMOSトランジスタP1
01のドレインに連結され、接地VSSにソースが連結
されたNMOSトランジスタN101と、PMOSトラ
ンジスタP101のドレインに一端が連結され、他端が
パルス信号出力端PO1−1に連結された抵抗R101
と、抵抗R101の他端と接地VSSに連結されたキャ
パシタC101とから構成される。
2. Description of the Related Art Normally, a pulse stretching circuit uses a delay circuit to extend a pulse width, so that the function of the delay circuit is important. As shown in FIG. 1A, a general form of delay circuit used in a pulse expansion circuit is an input pulse signal PI.
Is input to the gate, and the source connected to the power supply VCC
The MOS transistor P101 and the input pulse signal PI are input to the gate, and the drain is the PMOS transistor P1.
And a resistor R101 having one end connected to the drain of the PMOS transistor P101 and the other end connected to the pulse signal output terminal PO1-1.
And a capacitor C101 connected to the other end of the resistor R101 and the ground VSS.

【0003】他の一般的な形態の遅延回路は、図1
(b)に示すように、入力パルス信号PIをゲートに入
力し、電源VCCにソースが連結され、ドレインがパル
ス信号出力端PO1−2に連結されたPMOSトランジ
スタP102と、入力パルス信号PIをゲートに入力
し、ドレインがPMOSトランジスタP102のドレイ
ンに連結され、接地VSSにソースが連結されたNMO
SトランジスタN102と、及びPMOSトランジスタ
P102のドレインと接地VSSに連結されたキャパシ
タC102とから構成される。
[0003] Another common form of delay circuit is shown in FIG.
As shown in (b), the input pulse signal PI is inputted to the gate, the source is connected to the power supply VCC, and the drain is connected to the pulse signal output terminal PO1-2. , The drain of which is connected to the drain of the PMOS transistor P102, and the source of which is connected to the ground VSS.
It comprises an S transistor N102 and a capacitor C102 connected to the drain of the PMOS transistor P102 and the ground VSS.

【0004】図1(a)、(b)のように構成される一
般的な形態の遅延回路は、図2(a)に示すように入力
パルス信号PIがインバーター、即ちPMOSトランジ
スタP101、P102とNMOSトランジスタN10
1、N102の出力端の抵抗R101とキャパシタC1
01、C102による時定数により遅延してパルス出力
端PO1−1、PO1−2に現れる。ここで、図1
(a)のパルス出力信号PO1−1は図1(b)のパル
ス出力信号PO1−2に比べて抵抗R101成分による
遅延が現れる。この図1(a)、(b)の一般的な遅延
回路は、入力される入力パルス信号に対する応答が遅れ
たり、遅延時間が十分とれない。
In a general delay circuit configured as shown in FIGS. 1A and 1B, as shown in FIG. 2A, an input pulse signal PI is supplied to an inverter, that is, PMOS transistors P101 and P102. NMOS transistor N10
1, a resistor R101 at the output terminal of N102 and a capacitor C1.
01 and appear at the pulse output terminals PO1-1 and PO1-2 with a delay due to the time constant of C102. Here, FIG.
The pulse output signal PO1-1 of FIG. 1A has a delay due to the resistance R101 component as compared with the pulse output signal PO1-2 of FIG. In the general delay circuits shown in FIGS. 1A and 1B, the response to the input pulse signal is delayed or the delay time is not sufficient.

【0005】米国特許出願された従来の遅延回路(米国
特許第5,319,607号)は、図1(c)に示すよ
うに、入力パルス信号PIをゲートに入力し、電源VC
Cにソースが連結されたPMOSトランジスタP103
と、PMOSトランジスタP103のドレインに一端が
連結され、他端がパルス信号出力端PO3に連結された
抵抗R102と、入力パルス信号PIをゲートに入力
し、抵抗R102の他端にドレインが連結され、接地V
SSにソースが連結されたNMOSトランジスタN10
3と、抵抗R102の他端と接地VSSに連結されたキ
ャパシタC103と、抵抗R102の他端から出力され
るパルス出力信号PO2をゲートに入力し、電源VCC
にソースが連結され、最終パルス信号出力端にドレイン
が連結されたPMOSトランジスタP104と、PMO
SトランジスタP104のドレインと接地VSSに連結
されたキャパシタC104と、PMOSトランジスタP
104のドレインに一端が連結された抵抗R103と、
及び抵抗R102の他端から出力されるパルス出力信号
PO2をゲートに入力し、抵抗R103の他端にドレイ
ンが連結され、接地VSSにソースが連結されたNMO
SトランジスタN104とから構成される。
[0005] A conventional delay circuit (US Pat. No. 5,319,607) filed by the US patent applies an input pulse signal PI to a gate as shown in FIG.
PMOS transistor P103 whose source is connected to C
And a resistor R102 having one end connected to the drain of the PMOS transistor P103 and the other end connected to the pulse signal output terminal PO3, and an input pulse signal PI input to the gate, and the drain connected to the other end of the resistor R102. Ground V
NMOS transistor N10 whose source is connected to SS
3, a capacitor C103 connected to the other end of the resistor R102 and the ground VSS, and a pulse output signal PO2 output from the other end of the resistor R102 to the gate.
A PMOS transistor P104 having a source connected to the source and a drain connected to the final pulse signal output terminal;
A capacitor C104 connected to the drain of the S transistor P104 and the ground VSS;
A resistor R103 having one end connected to the drain of 104;
And the pulse output signal PO2 output from the other end of the resistor R102 is input to the gate, the drain is connected to the other end of the resistor R103, and the source is connected to the ground VSS.
And an S transistor N104.

【0006】図1(c)のように構成されるこの遅延回
路は、図2(b)に示すように入力パルス信号PIがロ
ーレベルからハイレベルに遷移すると、遅延成分がキャ
パシタC103になり、入力パルス信号PIがハイレベ
ルからローレベルに遷移すると、遅延成分が抵抗R10
2とキャパシタC103とになって、遅延時間に差が生
ずる。すなわち、パルス出力信号PO2はハイレベルか
らローレベルへの遷移よりローレベルからハイレベルへ
の遷移において遅延時間が短くなる。即ち、図1(c)
の遅延回路は、入力パルス信号に対する応答は図1
(a)に比べて速いが、出力端のキャパシタにより入力
パルス信号の遅延は(b)より長くできる。
In this delay circuit configured as shown in FIG. 1C, when the input pulse signal PI changes from the low level to the high level as shown in FIG. 2B, the delay component becomes the capacitor C103, When the input pulse signal PI transitions from the high level to the low level, the delay component
2 and the capacitor C103, causing a difference in delay time. That is, the delay time of the pulse output signal PO2 in the transition from the low level to the high level is shorter than that in the transition from the high level to the low level. That is, FIG.
The response of the delay circuit of FIG.
Although faster than (a), the delay of the input pulse signal can be made longer than (b) by the capacitor at the output end.

【0007】米国特許出願された従来の遅延回路(米国
特許第4,947,374号)は、図1(d)に示すよ
うに入力パルス信号PIをゲートに入力し、電源VCC
にソースが連結されたPMOSトランジスタP105
と、入力パルス信号PIをゲートに入力し、PMOSト
ランジスタP105のドレインにソースが連結されたP
MOSトランジスタP106と、入力パルス信号PIを
ゲートに入力し、PMOSトランジスタP106のドレ
インにソースが連結されたPMOSトランジスタP10
7と、入力パルス信号PIをゲートに入力し、PMOS
トランジスタP107のドレインにソースが連結され、
パルス信号出力端PO3にドレインが連結されたPMO
SトランジスタP108と、入力パルス信号PIをゲー
トに入力し、ドレインがPMOSトランジスタP108
のドレインに連結され、接地VSSにソースが連結され
たNMOSトランジスタN105と、PMOSトランジ
スタP108のドレインと接地VSSに連結されたキャ
パシタC105と、パルス出力信号PO3をゲートに入
力し、電源VCCにソースが連結され、ドレインへ最終
パルス出力信号を出力するPMOSトランジスタP10
9と、及びパルス出力信号PO3をゲートに入力し、P
MOSトランジスタP109のドレインにドレインが連
結され、接地VSSにソースが連結されたNMOSトラ
ンジスタN106とから構成される。
A conventional delay circuit (US Pat. No. 4,947,374) filed by the US patent applies an input pulse signal PI to a gate as shown in FIG.
PMOS transistor P105 whose source is connected to
And the input pulse signal PI is input to the gate, and the source of the PMOS transistor P105 is connected to the drain of the PMOS transistor P105.
A MOS transistor P106 and a PMOS transistor P10 having an input pulse signal PI input to its gate and a source connected to the drain of the PMOS transistor P106
7 and the input pulse signal PI are input to the gate, and the PMOS
The source is connected to the drain of the transistor P107,
PMO with drain connected to pulse signal output PO3
The S transistor P108 and the input pulse signal PI are input to the gate, and the drain is the PMOS transistor P108
The NMOS transistor N105 connected to the drain of the PMOS transistor P108, the source of which is connected to the ground VSS, the capacitor C105 connected to the drain of the PMOS transistor P108 and the ground VSS, and the pulse output signal PO3 are input to the gate, and the source is connected to the power supply VCC PMOS transistor P10 connected to output the final pulse output signal to the drain
9 and the pulse output signal PO3 are input to the gate,
An NMOS transistor N106 has a drain connected to the drain of the MOS transistor P109 and a source connected to the ground VSS.

【0008】図1(d)のように構成される従来の遅延
回路は、抵抗の代わりに多数のPMOSトランジスタP
106、P107、P108を使用している。この回路
の遅延状態を図2(c)に示す。即ち、入力パルス信号
PIがローレベルからハイレベルに遷移すると、遅延成
分がキャパシタC105になり、入力パルス信号PIが
ハイレベルからローレベルに遷移すると、遅延成分が多
数のPMOSトランジスタP106、P107、P10
8とキャパシタC105になって、遅延時間に差が生ず
る。従って、パルス出力信号PO3は、ハイレベルから
ローレベルに遷移する遅延時間がローレベルからハイレ
ベルに遷移する遅延時間より長くなる。つまり、図1
(d)の遅延回路は、入力パルス信号に対する応答は図
1(a)に比べて速いが、出力端のキャパシタにより入
力パルス信号の遅延は(b)より長くなるので、図2
(c)のような特性となる。
A conventional delay circuit configured as shown in FIG. 1D has a large number of PMOS transistors P instead of resistors.
106, P107 and P108 are used. FIG. 2C shows the delay state of this circuit. That is, when the input pulse signal PI changes from the low level to the high level, the delay component becomes the capacitor C105, and when the input pulse signal PI changes from the high level to the low level, the delay component has a large number of PMOS transistors P106, P107, P10.
8 and the capacitor C105, causing a difference in delay time. Accordingly, the pulse output signal PO3 has a longer delay time from the high level to the low level than the delay time from the low level to the high level. That is, FIG.
In the delay circuit of FIG. 2D, the response to the input pulse signal is faster than that of FIG. 1A, but the delay of the input pulse signal is longer than that of FIG.
The characteristics are as shown in FIG.

【0009】米国特許出願された従来の遅延回路(米国
特許第4,931,998号)は、図1(e)に示すよ
うに、入力パルス信号PIをゲートに入力し、電源VC
Cにソースが連結されたPMOSトランジスタP110
と、PMOSトランジスタP110のドレインに一端が
連結され、他端がパルス信号出力端P104に連結され
た抵抗R104と、入力パルス信号PIをゲートに入力
し、抵抗R104の他端にドレインが連結され、接地V
SSにソースが連結されたNMOSトランジスタN10
6と、パルス出力信号PO4をゲートに入力し、電源V
CCにソースが連結されて最終パルス出力信号をドレイ
ンに出力するPMOSトランジスタP111と、PMO
SトランジスタP111のドレインに一端が連結された
抵抗R105と、及びパルス出力信号PO4をゲートに
入力し、抵抗R105の他端にドレインが連結され、接
地VSSにソースが連結されたNMOSトランジスタN
107とから構成される。
A conventional delay circuit (US Pat. No. 4,931,998) filed in the United States patent application, as shown in FIG. 1E, inputs an input pulse signal PI to a gate and supplies a power supply VC.
PMOS transistor P110 whose source is connected to C
And a resistor R104 having one end connected to the drain of the PMOS transistor P110 and the other end connected to the pulse signal output terminal P104, and an input pulse signal PI input to the gate, and the drain connected to the other end of the resistor R104; Ground V
NMOS transistor N10 whose source is connected to SS
6 and the pulse output signal PO4 are input to the gate, and the power supply V
A PMOS transistor P111 having a source connected to CC and outputting a final pulse output signal to a drain;
A resistor R105 having one end connected to the drain of the S transistor P111 and a pulse output signal PO4 are input to the gate, and an NMOS transistor N having a drain connected to the other end of the resistor R105 and a source connected to the ground VSS.
107.

【0010】図1(e)のように構成される従来の遅延
回路は、キャパシタを除去した形態であるので、図2
(d)のようにローレベルからハイレベルに遷移するの
は、ほとんど遅延がなく、ハイレベルからローレベルに
遷移するのは抵抗成分による遅延にのみ依存するので遅
延されるが、図1(c)の遅延回路に比べて遅延効果が
少ない。即ち、図1(e)の遅延回路は、入力パルス信
号に対する応答は速いが、遅延成分が抵抗だけなので遅
延時間は短くなる。
The conventional delay circuit configured as shown in FIG. 1E has a form in which a capacitor is removed.
The transition from the low level to the high level as in (d) has almost no delay, and the transition from the high level to the low level is delayed because it depends only on the delay due to the resistance component. The delay effect is less than that of the delay circuit of (1). That is, the delay circuit of FIG. 1E has a fast response to an input pulse signal, but has a short delay time because the delay component is only a resistor.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】従って、従来の遅延回
路は、入力パルス信号を遅延させるために抵抗とキャパ
シタを用いるので、出力端の抵抗とキャパシタの影響で
遅延を大きくすればするだけ入力されるパルス信号に対
する応答は遅くなるか、或いは応答が速くなると遅延時
間は少なくなるという短所があった。
Therefore, the conventional delay circuit uses a resistor and a capacitor to delay the input pulse signal. Therefore, as the delay is increased by the influence of the resistor and the capacitor at the output terminal, the input is increased as much as possible. There is a disadvantage in that the response to a given pulse signal is slow or the response time is fast, the delay time is reduced.

【0012】かかる短所を改善するための本発明は、入
力パルス信号にすばやく応答し、十分な遅延時間をとる
ことができるパルス伸長回路を提供することにその目的
がある。
It is an object of the present invention to improve such disadvantages to provide a pulse decompression circuit which can quickly respond to an input pulse signal and can take a sufficient delay time.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のパルス伸長回路は入力パルス信号を一定の
幅だけ伸長させるパルス伸長部と、及び前記パルス伸長
部から出力される信号を伸長させる遅延部とから構成さ
れることを特徴とする。
In order to achieve the above object, a pulse expansion circuit according to the present invention comprises a pulse expansion section for expanding an input pulse signal by a predetermined width, and a signal output from the pulse expansion section. And a delay section for extending.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して本発明
の実施の形態を詳細に説明する。図3は本発明が適用さ
れる半導体メモリ回路の全体構成図である。本発明が適
用される半導体メモリ回路は、図3に示すように、入力
アドレスAIを受けてTTLレベルからCMOSレベル
に変換させるアドレス入力バッファ1と、アドレス入力
バッファ1から出力される信号を受けてデコードする行
アドレスデコーダ2及び列アドレスデコーダ3と、行ア
ドレスデコーダ2及び列アドレスデコーダ3から出力さ
れる信号を受けてメインセルアレー4の一つのセルを選
択するワード線ドライバ5及び列セレクタ6と、アドレ
ス入力バッファ1の変化を感知して内部的なクロックと
して用いるパルスを発生させるATD(Address
Transition Detection)回路1
0と、多数個のATD回路10から発生したパルスを合
算するATD合算部11と、ATD合算部11から出力
される信号を伸長させるATD合算伸長回路12と、A
TD合算伸長回路12から出力される信号に基づいて列
セレクタ6から出力される信号を増幅するセンス増幅部
7と、ATD合算伸長回路12から出力される信号に基
づいてセンス増幅部7から出力される信号の出力を制御
するデータ出力部8と、及びデータ出力部8から出力さ
れるデータを最終的に伝達するデータ出力バッファ9と
から構成される。ここで、本発明によるパルス伸長回路
はATD合算伸長回路12に該当し、ATD合算伸長回
路12から発生された信号はワード線ドライバ5と、セ
ンス増幅部7と、データ出力部8とをパルス期間にのみ
作動させることにより、長期間での消費電力を減少させ
る役割を果たす。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the accompanying drawings. FIG. 3 is an overall configuration diagram of a semiconductor memory circuit to which the present invention is applied. As shown in FIG. 3, a semiconductor memory circuit to which the present invention is applied receives an address AI and converts the TTL level to a CMOS level upon receiving an input address AI, and receives a signal output from the address input buffer 1. A row address decoder 2 and a column address decoder 3 for decoding; a word line driver 5 and a column selector 6 for receiving a signal output from the row address decoder 2 and the column address decoder 3 and selecting one cell of the main cell array 4; ATD (Address) which detects a change in the address input buffer 1 and generates a pulse used as an internal clock.
(Transition Detection) circuit 1
0, an ATD summing unit 11 for summing up the pulses generated from the many ATD circuits 10, an ATD summing / expanding circuit 12 for expanding the signal output from the ATD summing unit 11, and A
The sense amplifier 7 amplifies the signal output from the column selector 6 based on the signal output from the TD summing / expansion circuit 12, and outputs from the sense amplifier 7 based on the signal output from the ATD summing / expansion circuit 12. And a data output buffer 9 for finally transmitting data output from the data output unit 8. Here, the pulse expansion circuit according to the present invention corresponds to the ATD summing / expansion circuit 12, and the signal generated from the ATD summing / expansion circuit 12 transmits the word line driver 5, the sense amplifier 7, and the data output unit 8 for a pulse period. By acting only on the power supply, it plays a role of reducing long-term power consumption.

【0015】図4は本発明によるパルス伸長回路の構成
図である。本発明によるパルス伸長回路は図4に示すよ
うにパルス伸長部100と遅延部200から構成され
る。
FIG. 4 is a block diagram of a pulse decompression circuit according to the present invention. The pulse expansion circuit according to the present invention includes a pulse expansion unit 100 and a delay unit 200 as shown in FIG.

【0016】パルス伸長部100は入力パルス信号を一
定の幅だけ伸長させるもので、入力パルス信号を一定の
幅だけ伸長させる一つ又は二つ以上からなる多数個のパ
ルス伸長器110、120と、パルス伸長器110、1
20から出力される信号を安定化させるインバーター部
130とから構成される。
The pulse extender 100 extends the input pulse signal by a predetermined width. The pulse expander 100 includes one or more pulse expanders 110 and 120 each configured to extend the input pulse signal by a predetermined width. Pulse expander 110, 1
And an inverter unit 130 for stabilizing the signal output from the inverter 20.

【0017】ここで、パルス伸長器110、120は、
入力パルス信号が正信号の場合には、一定の幅だけ伸長
させる正パルス伸長パルス伸長インバーター111で構
成され、そして入力信号が負信号の場合には、一定の幅
だけ伸長させる負パルス伸長インバーター112で構成
されるか、もしくは入力パルス信号を一定の幅だけ伸長
させる正パルス伸長インバーター111と正パルス伸長
インバーター111から出力される信号を一定の幅だけ
伸長させる負パルス伸長インバーター112で構成され
る。この際、入力パルス信号を負パルス伸長インバータ
ー112で先ず伸長させた後、正パルス伸長インバータ
ー111で後から伸長させるように、正パルス伸長イン
バーター111と負パルス伸長インバーター112の位
置を変更させることもできる。
Here, the pulse extenders 110 and 120 are
When the input pulse signal is a positive signal, it is constituted by a positive pulse expansion pulse expansion inverter 111 which expands by a certain width, and when the input signal is a negative signal, it is formed by a negative pulse expansion inverter 112 which expands by a certain width. Or a positive pulse expansion inverter 111 for expanding the input pulse signal by a certain width and a negative pulse expansion inverter 112 for expanding the signal output from the positive pulse expansion inverter 111 by a certain width. At this time, the positions of the positive pulse expansion inverter 111 and the negative pulse expansion inverter 112 may be changed so that the input pulse signal is first expanded by the negative pulse expansion inverter 112 and then expanded by the positive pulse expansion inverter 111. it can.

【0018】ここで、正パルス伸長インバーター111
は、入力パルス信号又は負パルス伸長インバーター11
2の反転出力信号をゲートに入力し、電源VCCにソー
スが連結されたPMOSトランジスタP1と、PMOS
トランジスタP1のドレインに直列連結された抵抗R
1、R2と、抵抗R1、R2と接地VSSに連結された
キャパシタC1と、入力パルス信号又は負パルス伸長イ
ンバーター112の反転出力信号をゲートに入力し、抵
抗R2にソースが連結されたPMOSトランジスタP2
と、及び入力パルス信号又は負パルス伸長インバーター
112の出力信号をゲートに入力し、PMOSトランジ
スタP2のドレインにドレインが連結され、接地VSS
にソースが連結されたNMOSトランジスタN1とから
構成される。
Here, the positive pulse extension inverter 111
Is an input pulse signal or a negative pulse extension inverter 11
And a PMOS transistor P1 having a source connected to the power supply VCC,
A resistor R connected in series with the drain of the transistor P1
1 and R2, a capacitor C1 connected to the resistors R1 and R2 and the ground VSS, and an input pulse signal or an inverted output signal of the negative pulse extension inverter 112 input to the gate, and a PMOS transistor P2 having a source connected to the resistor R2
And the input pulse signal or the output signal of the negative pulse extension inverter 112 are input to the gate, the drain is connected to the drain of the PMOS transistor P2, and the ground VSS
And an NMOS transistor N1 connected to the source.

【0019】負パルス伸長インバーター112は、入力
パルス信号又は正パルス伸長インバーター111の反転
出力信号をゲートに入力し、電源VCCにソースが連結
されたPMOSトランジスタP3と、入力パルス信号又
は正パルス伸長インバーター111の出力信号をゲート
に入力し、PMOSトランジスタP3のドレインにドレ
インが連結されたNMOSトランジスタN2と、NMO
SトランジスタN2のソースに直列連結された抵抗R
3、R4と、抵抗R3、R4と接地VSSに連結された
キャパシタC2と、及び入力パルス信号又は正パルス伸
長インバーター111の出力信号をゲートに入力し、抵
抗P4にドレインが連結され、接地VSSにソースが連
結されたNMOSトランジスタN3とから構成される。
The negative pulse expansion inverter 112 inputs an input pulse signal or an inverted output signal of the positive pulse expansion inverter 111 to a gate, and a PMOS transistor P3 whose source is connected to a power supply VCC, an input pulse signal or a positive pulse expansion inverter. An NMOS transistor N2 having a drain connected to the drain of the PMOS transistor P3 and an NMOS transistor N2.
A resistor R connected in series to the source of the S transistor N2
3, R4, a capacitor C2 connected to the resistors R3, R4 and the ground VSS, and an input pulse signal or an output signal of the positive pulse extension inverter 111 to the gate, a drain connected to the resistor P4, and a connection to the ground VSS. A source connected NMOS transistor N3.

【0020】インバーター部130はパルス伸長器11
0、120の最後の段から出力される信号を反転させて
遅延部200へ出力するインバーター131と、インバ
ーター131から出力される信号をさらに反転させて遅
延部200へ出力するインバーター132とから構成さ
れる。
The inverter unit 130 includes the pulse expander 11
The inverter 131 inverts the signal output from the last stage of 0 and 120 and outputs the inverted signal to the delay unit 200, and the inverter 132 further inverts the signal output from the inverter 131 and outputs the inverted signal to the delay unit 200. You.

【0021】遅延部200はパルス伸長部100から出
力される信号を伸長させるものであって、パルス伸長部
100のインバーター131から出力される信号を遅延
させる遅延回路210と、遅延回路210から出力され
る信号とパルス伸長部100のインバーター132から
出力される信号を否定論理和するNORゲート220
と、NORゲート220から出力される信号を遅延させ
る遅延回路230と、遅延回路230から出力される信
号とパルス伸長部100のインバーター132から出力
される信号を否定論理和するNORゲート240と、及
びNORゲート240から出力される信号を反転させて
最終出力するインバーター250とから構成される。
The delay section 200 extends the signal output from the pulse expansion section 100. The delay section 210 delays the signal output from the inverter 131 of the pulse expansion section 100, and the delay circuit 210 outputs the signal. NOR gate 220 that performs a NOR operation on a signal output from the inverter 132 of the pulse extending unit 100 and a signal output from the inverter 132
A delay circuit 230 that delays a signal output from the NOR gate 220, a NOR gate 240 that performs a NOR operation on a signal output from the delay circuit 230 and a signal output from the inverter 132 of the pulse expansion unit 100, and An inverter 250 that inverts the signal output from the NOR gate 240 and finally outputs the inverted signal.

【0022】このように構成される本発明によるパルス
伸長回路の動作を図5、図6、及び図7を参照して詳し
く説明する。図5(a)(b)は正パルス伸長インバー
ター111と負パルス伸長インバーター112をそれぞ
れ示し、図6(a)(b)(c)(d)は図5の正パル
ス伸長インバーター111と負パルス伸長インバーター
112の動作を示す信号波形図である。
The operation of the pulse stretching circuit according to the present invention will be described in detail with reference to FIGS. 5, 6, and 7. FIG. FIGS. 5A and 5B show a positive pulse expansion inverter 111 and a negative pulse expansion inverter 112, respectively. FIGS. 6A, 6B, 6C and 5D show the positive pulse expansion inverter 111 and the negative pulse expansion inverter of FIG. FIG. 4 is a signal waveform diagram illustrating an operation of a stretching inverter 112.

【0023】図5(a)の正パルス伸長インバーター1
11は、正信号である入力パルス信号PI11をNMO
SトランジスタN1に応じて速くイネーブルさせ、PM
OSトランジスタP1、P2と抵抗R1、R2とキャパ
シタC1に応じてゆっくりディスエーブルさせる。
The positive pulse extension inverter 1 shown in FIG.
Reference numeral 11 denotes an NMO input pulse signal PI11 which is a positive signal.
It is enabled quickly according to the S transistor N1, and PM
The OS transistors P1 and P2, the resistors R1 and R2, and the capacitor C1 are slowly disabled.

【0024】即ち、図6(a)に示すように、正信号で
ある入力パルス信号PI11がローレベルからハイレベ
ルに遷移するとき、出力されるパルス出力信号PO11
が速くローレベルに遷移し、入力パルス信号PI11が
ハイレベルからローレベルに遷移するとき、出力される
パルス出力信号PO11がゆっくりハイレベルに遷移す
るようにして、入力パルス信号を伸長させて出力する。
尚、図6(c)に示すように入力パルス信号PI11が
短いパルス信号の場合にも、入力パルス信号PI11が
ローレベルからハイレベルに遷移するとき、出力される
パルス出力信号PO11が速くローレベルに遷移し、入
力パルス信号PI11がハイレベルからローレベルに遷
移するとき、出力されるパルス出力信号PO11がゆっ
くりハイレベルに遷移するようにして、伸長されたパル
ス出力信号PO11を出力させる。
That is, as shown in FIG. 6A, when the input pulse signal PI11, which is a positive signal, transitions from a low level to a high level, a pulse output signal PO11 is output.
Quickly transitions to a low level, and when the input pulse signal PI11 transitions from a high level to a low level, the output pulse output signal PO11 slowly transitions to a high level to extend and output the input pulse signal. .
As shown in FIG. 6C, even when the input pulse signal PI11 is a short pulse signal, when the input pulse signal PI11 transitions from a low level to a high level, the output pulse output signal PO11 quickly changes to a low level. When the input pulse signal PI11 transitions from the high level to the low level, the output pulse output signal PO11 slowly transitions to the high level to output the expanded pulse output signal PO11.

【0025】尚、図5(b)の負パルス伸長インバータ
ー112は、入力パルス信号PI11の逆位相に負信号
である入力パルス信号PI12をPMOSトランジスタ
P3に応じて速くイネーブルさせ、NMOSトランジス
タN2、N3と抵抗R3、R4とキャパシタC2に応じ
てゆっくりディスエーブルさせる。
The negative pulse expansion inverter 112 shown in FIG. 5B enables the input pulse signal PI12, which is a negative signal, in the opposite phase to the input pulse signal PI11, in accordance with the PMOS transistor P3, and quickly enables the NMOS transistors N2 and N3. And the resistors R3 and R4 and the capacitor C2 are slowly disabled.

【0026】即ち、図6(b)に示すように、負信号で
ある入力パルス信号PI12がハイレベルからローレベ
ルに遷移するとき、出力されるパルス出力信号PO12
が速くハイレベルに遷移し、入力パルス信号PI12が
ローレベルからハイレベルに遷移するとき、出力される
パルス出力信号PO12がゆっくりローレベルに遷移す
るようにして、入力パルス信号を伸長させて出力する。
尚、図6(d)に示すように入力パルス信号PI12が
短いパルス信号の場合にも、入力パルス信号PI12が
ハイレベルからローレベルに遷移するとき、出力される
パルス出力信号PO12が速くハイレベルに遷移し、入
力パルス信号PI12がローレベルからハイレベルに遷
移するとき、出力されるパルス出力信号PO12がゆっ
くりローレベルに遷移するようにして、伸長されたパル
ス出力信号PO12を出力させる。
That is, as shown in FIG. 6B, when the input pulse signal PI12, which is a negative signal, transitions from the high level to the low level, the output pulse output signal PO12 is output.
Quickly transitions to the high level, and when the input pulse signal PI12 transitions from the low level to the high level, the output pulse output signal PO12 slowly transitions to the low level, and the input pulse signal is expanded and output. .
As shown in FIG. 6D, even when the input pulse signal PI12 is a short pulse signal, when the input pulse signal PI12 transitions from the high level to the low level, the output pulse output signal PO12 is quickly turned to the high level. When the input pulse signal PI12 changes from the low level to the high level, the output pulse output signal PO12 changes slowly to the low level, and the expanded pulse output signal PO12 is output.

【0027】従って、パルス伸長回路のパルス伸長器1
10、120を図5(a)の正パルス伸長インバーター
111のみで構成する場合には、正入力パルス信号PI
11を伸長させて出力し、図5(b)の負パルス伸長イ
ンバーター112のみで構成する場合には、負入力パル
ス信号PI12を伸長させて出力する。
Accordingly, the pulse extender 1 of the pulse extender circuit
In the case where 10 and 120 are constituted only by the positive pulse expansion inverter 111 of FIG.
11 is extended and output, and when it is constituted only by the negative pulse extending inverter 112 in FIG. 5B, the negative input pulse signal PI12 is extended and outputted.

【0028】図4に示すように、パルス伸長器110、
120が正パルス伸長インバーター111と負パルス伸
長インバーター112で構成される場合には、入力パル
ス信号が正パルス信号でも負パルス信号でも構わず、入
力されるパルス信号を伸長させて遅延効果を倍加させ
る。尚、パルス伸長器110、120を直列に多数個連
結することにより、入力される入力パルス信号をより長
く伸長させることができる。
As shown in FIG. 4, a pulse expander 110,
In the case where 120 includes the positive pulse expansion inverter 111 and the negative pulse expansion inverter 112, the input pulse signal may be a positive pulse signal or a negative pulse signal, and the input pulse signal is expanded to double the delay effect. . By connecting a large number of pulse expanders 110 and 120 in series, it is possible to extend an input pulse signal to be input for a longer time.

【0029】図4のようにパルス伸長器110、120
を正パルス伸長インバーター111と負パルス伸長イン
バーター112で構成する場合の動作を図6を参照して
詳しく説明する。入力パルス信号PIは正パルス伸長イ
ンバーター111により図6(a)のように負パルス信
号として伸長され、その負パルス信号は再び負パルス伸
長インバーター112により図6(b)のように正パル
ス信号に戻されながら伸長される。尚、これをさらにパ
ルス伸長器120に加えさせて処理することにより、遅
延効果を倍加させることができる。
As shown in FIG. 4, the pulse expanders 110 and 120
In the case where is composed of a positive pulse expansion inverter 111 and a negative pulse expansion inverter 112, will be described in detail with reference to FIG. The input pulse signal PI is expanded as a negative pulse signal by the positive pulse expansion inverter 111 as shown in FIG. 6A, and the negative pulse signal is converted into a positive pulse signal again by the negative pulse expansion inverter 112 as shown in FIG. It is extended while being returned. Incidentally, the delay effect can be doubled by further adding this to the pulse expander 120 for processing.

【0030】パルス伸長器110、120から出力され
る信号は、インバーター部130のインバーター13
1、132で安定化して一定のパルス幅をもつ信号P2
として出力される。インバーター部130のインバータ
ー131から出力されるパルス出力信号は、一般的な遅
延回路210で遅延した後、NORゲート220でイン
バーター132から出力されるパルス出力信号P2と否
定論理和され、再びNORゲート220から出力される
信号は遅延回路230で遅延した後、NORゲート24
0でインバーター132から出力されるパルス出力信号
P2と否定論理和されることにより、所望のパルス幅だ
け伸長される。NORゲート240から出力される信号
は、さらにインバーター250で反転されて所望のパル
ス幅だけ伸長されたパルス出力信号P3として最終出力
される。
The signals output from the pulse expanders 110 and 120 are supplied to the inverter 13 of the inverter section 130.
Signal P2 stabilized at 1, 132 and having a constant pulse width
Is output as The pulse output signal output from the inverter 131 of the inverter unit 130 is delayed by the general delay circuit 210, and then NOR-ORed with the pulse output signal P2 output from the inverter 132 by the NOR gate 220. Is output from the NOR gate 24 after being delayed by the delay circuit 230.
By performing a NOR operation on the pulse output signal P2 output from the inverter 132 at 0, the pulse output signal P2 is extended by a desired pulse width. The signal output from NOR gate 240 is further inverted by inverter 250 and finally output as pulse output signal P3 expanded by a desired pulse width.

【0031】従って、図7(a)に示すように本発明に
よるパルス伸長器110、120を用いる場合、イネー
ブル時には出力端の抵抗とキャパシタが負荷として作用
しないので、図1の従来の遅延回路を使用するのに比べ
て速くイネーブルされ、ディスエーブル時には抵抗とキ
ャパシタが共に負荷として作用して遅くディスエーブル
されるので、入力信号に対して長いパルス幅をもつ信号
を発生させることができる。尚、図7(b)に示すよう
に、本発明によるパルス伸長器110、120を用いる
場合、短いパルス信号が入力されても一般的なパルス幅
をもつ信号を出力させることができる。
Therefore, when the pulse expanders 110 and 120 according to the present invention are used as shown in FIG. 7A, the resistor and the capacitor at the output end do not act as a load when enabled, so that the conventional delay circuit of FIG. Since it is enabled faster than used, and when disabled, the resistor and the capacitor both act as loads and are disabled later, so that a signal having a longer pulse width with respect to the input signal can be generated. As shown in FIG. 7B, when the pulse expanders 110 and 120 according to the present invention are used, a signal having a general pulse width can be output even when a short pulse signal is input.

【0032】[0032]

【発明の効果】本発明によるパルス伸長回路は、従来の
遅延回路を用いるパルス伸長回路に比べて入力信号に対
して速く応答し、しかも遅延効果を増大させる効果があ
る。そして、従来の回路はこの信号を伸長させる回路が
ATDブロックに使用されたが、本発明は自動パワーダ
ウンブロック(Auto Power Down Bl
ock)に適用される。
The pulse stretching circuit according to the present invention responds to an input signal faster than a pulse stretching circuit using a conventional delay circuit, and has the effect of increasing the delay effect. In the conventional circuit, a circuit for expanding this signal is used for the ATD block. However, in the present invention, an automatic power down block (Auto Power Down Bl) is used.
ock).

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 (a)(b)(c)(d)(e)は従来の遅
延回路の構成図である。
1 (a), (b), (c), (d), and (e) are configuration diagrams of a conventional delay circuit.

【図2】 (a)(b)(c)(d)は図1(a)
(b)(c)(d)(e)の各部の信号波形図である。
2 (a), (b), (c) and (d) show FIG. 1 (a).
It is a signal waveform diagram of each part of (b), (c), (d), and (e).

【図3】 本発明が適用される半導体メモリ回路の全体
構成図である。
FIG. 3 is an overall configuration diagram of a semiconductor memory circuit to which the present invention is applied;

【図4】 本発明によるパルス伸長回路の構成図であ
る。
FIG. 4 is a configuration diagram of a pulse expansion circuit according to the present invention.

【図5】 (a)は図4の正パルス伸長インバーターの
構成図、(b)は図4の負パルス伸長インバーターの構
成図である。
5A is a configuration diagram of a positive pulse extension inverter of FIG. 4, and FIG. 5B is a configuration diagram of a negative pulse extension inverter of FIG.

【図6】 (a)(b)(c)(d)は図5(a)
(b)の各部の信号波形図である。
6 (a), (b), (c), and (d) show FIG. 5 (a).
It is a signal waveform diagram of each part of (b).

【図7】 (a)(b)は図1及び図5を図4に適用し
た結果の信号波形図である。
FIGS. 7A and 7B are signal waveform diagrams obtained by applying FIGS. 1 and 5 to FIG. 4;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…アドレス入力バッファ、2…行アドレスデコーダ、
3…列アドレスデコーダ、4…メインセルアレー、5…
ワード線ドライバ、6…列セレクタ、7…センス増幅
部、8…データ出力部、9…データ出力バッファ、10
…ATD回路、11…ATD合算部、12…ATD合算
伸長回路、100…パルス伸長部、110,120…パ
ルス伸長器、111,121…正パルス伸長インバータ
ー、112,122…負パルス伸長インバーター、13
0…インバーター部、131,132,250…インバ
ーター、200…遅延部、210,230…遅延回路、
220,240…NORゲート、P1〜P3…PMOS
トランジスタ、N1〜N3…NMOSトランジスタ、R
1〜R4…抵抗、C1,C2…キャパシタ。
1 ... address input buffer, 2 ... row address decoder,
3 ... column address decoder, 4 ... main cell array, 5 ...
Word line driver, 6 column selector, 7 sense amplifier, 8 data output, 9 data output buffer, 10
.. ATD circuit, 11 ATD summing unit, 12 ATD summing and expanding circuit, 100 pulse expanding unit, 110, 120 pulse expander, 111, 121 positive pulse expanding inverter, 112, 122 negative pulse expanding inverter, 13
0: inverter unit, 131, 132, 250: inverter, 200: delay unit, 210, 230: delay circuit,
220, 240: NOR gate, P1 to P3: PMOS
Transistors, N1 to N3 ... NMOS transistors, R
1 to R4: resistance, C1, C2: capacitor.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平5−110396(JP,A) 特開 平7−95024(JP,A) 特開 平3−220914(JP,A) 特公 平6−3869(JP,B2) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) H03K 5/00────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (56) References JP-A-5-110396 (JP, A) JP-A-7-95024 (JP, A) JP-A-3-220914 (JP, A) 3869 (JP, B2) (58) Fields investigated (Int. Cl. 6 , DB name) H03K 5/00

Claims (3)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 入力パルス信号を一定の幅だけ伸長させ
るパルス伸長部(100)と 記パルス伸長部(100)から出力される信号を伸長
させる遅延部(200)と を備え、 前記パルス伸長部(100)は、 入力パルス信号を一定の幅だけ伸長させる多数個のパル
ス伸長器(110,120)と、 前記パルス伸長器(110,120)から出力される信
号を安定化させるインバーター部(130)と、 を含み、 前記パルス伸長器(110,120)は、 入力パルス信号を一定の幅だけ反転させて伸長させる正
パルス伸長インバーター(111)と、 前記正パルス伸長インバーター(111)から出力され
る反転させられた信号を一定の幅だけ反転させて伸長さ
せる負パルス伸長インバーター(112)と、から構成
され、 前記負パルス伸長インバーター(112)は、 電源(VCC)と接地(VSS)の間で直列に接続され
たPMOSトランジスタ(P3)、第1のNMOSトラ
ンジスタ(N2)、第1及び第2の抵抗(R3及びR
4)、並びに第2のNMOSトランジスタ(N3)と、 第1及び第2の抵抗(R3及びR4)の接続点と接地
(VSS)の間に接続されたキャパシタ(C2)と、 全部のトランジスタのゲートに接続された入力端子(P
I12)と、 PMOSトランジスタ(P3)と第1のNMOSトラン
ジスタ(N2)の接続点に接続された出力端子(PO1
2)と、 を有する、 ことを特徴とするパルス伸長回路。
Comprising 1. A pulse stretcher unit to extend the input pulse signal by a predetermined width (100), a delay unit for expanding the signal output from the pre-Symbol pulse stretcher unit (100) and (200), the said The pulse extending unit (100) includes a plurality of pulses for extending the input pulse signal by a certain width.
And a signal output from the pulse expander (110, 120).
Includes, an inverter unit that stabilizes (130) to issue, the pulse stretcher (110, 120) is a positive of extending by inverting the input pulse signal by a predetermined width
A pulse extension inverter (111) and an output from the positive pulse extension inverter (111).
The inverted signal is expanded by inverting it by a certain width.
A negative pulse expansion inverter (112)
And the negative pulse extension inverter (112) is connected in series between a power supply (VCC) and a ground (VSS).
PMOS transistor (P3), first NMOS transistor
Transistor (N2), first and second resistors (R3 and R3).
4) and a connection point between the second NMOS transistor (N3) and the first and second resistors (R3 and R4) and ground.
(Vss), and an input terminal (P ) connected to the gates of all transistors.
I12), a PMOS transistor (P3) and a first NMOS transistor
The output terminal (PO1) connected to the connection point of the transistor (N2)
Has a 2), a pulse stretcher circuit, characterized in that.
【請求項2】 入力パルス信号を一定の幅だけ伸長させ
るパルス伸長部(100)と 記パルス伸長部(100)から出力される信号を伸長
させる遅延部(200)と を備え、 前記パルス伸長部(100)は、 入力パルス信号を一定の幅だけ伸長させる多数個のパル
ス伸長器(110,120)と、 前記パルス伸長器(110,120)から出力される信
号を安定化させるインバーター部(130)と、 を含み、 前記パルス伸長器(110,120)は、 入力パルス信号を一定の幅だけ反転させて伸長させる負
パルス伸長インバーター(112)と、 前記負パルス伸長インバーター(112)から出力され
る反転された信号を一定の幅だけ反転させて伸長させる
正パルス伸長インバーター(111)と、 から構成され、 前記負パルス伸長インバーター(112)は、 電源(VCC)と接地(VSS)の間で直列に接続され
たPMOSトランジスタ(P3)、第1のNMOSトラ
ンジスタ(N2)、第1及び第2の抵抗(R3及びR
4)、並びに第2のNMOSトランジスタ(N3)と、 第1及び第2の抵抗(R3及びR4)の接続点と接地
(VSS)の間に接続されたキャパシタ(C2)と、 全部のトランジスタのゲートに接続された入力端子(P
I12)と、 PMOSトランジスタ(P3)と第1のNMOSトラン
ジスタ(N2)の接続点に接続された出力端子(PO1
2)と、 を有する、 ことを特徴とするパルス伸長回路。
Provided wherein pulse extension portion extending the input pulse signal by a predetermined width (100), a delay unit for expanding the signal output from the pre-Symbol pulse stretcher unit (100) and (200), the said The pulse extending unit (100) includes a plurality of pulses for extending the input pulse signal by a certain width.
And a signal output from the pulse expander (110, 120).
Includes, an inverter unit that stabilizes (130) to issue, the pulse stretcher (110, 120) is negatively be extended by inverting the input pulse signal by a predetermined width
A pulse extension inverter (112), and an output from the negative pulse extension inverter (112).
The inverted signal is extended by inverting it by a certain width.
Positive pulse stretching inverter (111), it is composed of the negative pulse stretching inverter (112) is connected in series between the power supply (VCC) and ground (VSS)
PMOS transistor (P3), first NMOS transistor
Transistor (N2), first and second resistors (R3 and R3).
4) and a connection point between the second NMOS transistor (N3) and the first and second resistors (R3 and R4) and ground.
(Vss), and an input terminal (P ) connected to the gates of all transistors.
I12), a PMOS transistor (P3) and a first NMOS transistor
The output terminal (PO1) connected to the connection point of the transistor (N2)
Has a 2), a pulse stretcher circuit, characterized in that.
【請求項3】 前記遅延部(200)は、 前記パルス伸長部(100)から出力される第1信号を
遅延させる第1遅延回路(210)と、 前記第1遅延回路(210)から出力される信号と
記パルス伸長部(100)から出力され且つ前記第1信
号を反転させた信号である第2信号とを否定論理和する
第1NORゲート(220)と、 前記第1NORゲート(220)から出力される信号を
遅延させる第2遅延回路(230)と、 前記第2遅延回路(230)から出力される信号と前記
第2信号とを否定論理和する第2NORゲート(24
0)と 記第2NORゲート(240)から出力される信号を
反転させて出力するインバーター(250)と を含む ことを特徴とする請求項1又は2記載のパルス伸
長回路。
3. The delay unit (200) includes a first delay circuit (210) that delays a first signal output from the pulse expansion unit (100), and an output from the first delay circuit (210). that signal and is output from the pulse expander portion (100) and said first signal
A first NOR gate (220) that performs a NOR operation on a second signal that is a signal obtained by inverting a signal, a second delay circuit (230) that delays a signal output from the first NOR gate (220), A signal output from the second delay circuit (230) and the signal
A second NOR gate (24
0), before Symbol pulse stretcher circuit according to claim 1 or 2, wherein an inverter (250) for inverting a signal outputted from the 2NOR gate (240), characterized in that it comprises a.
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US7920798B2 (en) * 2007-06-18 2011-04-05 Micrel, Inc. PON burst mode receiver with fast decision threshold setting
JP2013021388A (en) * 2011-07-07 2013-01-31 Seiko Npc Corp Cmos inverter

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH03220914A (en) * 1990-01-26 1991-09-30 Sanyo Electric Co Ltd Delay circuit
JPH05110396A (en) * 1991-10-16 1993-04-30 Olympus Optical Co Ltd Signal delay circuit
JPH063869A (en) * 1992-06-23 1994-01-14 Fuji Photo Film Co Ltd Liquid developer for elctrostatic image
JPH0795024A (en) * 1993-06-11 1995-04-07 Mitsubishi Electric Corp Delaying circuit, output circuit with delaying circuit, and noise canceller circuit with delaying circuit

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