JPH0983261A - 同調増幅回路 - Google Patents
同調増幅回路Info
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- JPH0983261A JPH0983261A JP23968695A JP23968695A JPH0983261A JP H0983261 A JPH0983261 A JP H0983261A JP 23968695 A JP23968695 A JP 23968695A JP 23968695 A JP23968695 A JP 23968695A JP H0983261 A JPH0983261 A JP H0983261A
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Abstract
調増幅回路に関し、消費電力を増大させることなく、安
定な周波数選択特性と利得を得ることのできる同調増幅
回路の提供を目的とする。 【解決手段】 直流電流を通過させる直流電流通過手段
Zdcと、交流の信号成分を通過させる信号通過手段Zsi
g と、制御端子に入力信号INが供給され、第1の端子
が第1の電源線Vssに接続された第1のトランジスタQ
1と、第1の端子から出力信号OUTが取り出され、第
2の端子が第2の電源線Vccに接続され、制御端子が前
記第1のトランジスタQ1の第2の端子に前記信号通過
手段Zsigを介して接続された第2のトランジスタQ2
とを具備し、該第2のトランジスタQ2の第1の端子は
前記直流電流通過手段Zdcを介して前記第1のトランジ
スタQ1の第2の端子に接続されているように構成す
る。
Description
し、特に、移動体通信機器等に使用される高周波用の同
調増幅回路に関する。近年、携帯電話等のバッテリ駆動
による移動体通信機器が広く普及して来ており、これら
携帯電話等に使用される同調増幅回路に対しても、より
一層の低消費電力化が要望されている。
回路図である、図11はバッファ付同調増幅回路の基本
構成を示す回路図である。図10および図11におい
て、参照符号Q,Q1,Q2はNPN型バイポーラトラ
ンジスタ,Rは抵抗,L,L0はインダクタンス,そし
て,C,C0は容量を示している。
だけを良好に送受信し、目的周波数外の信号からの妨害
を受けないように、送受信機を設計する必要がある。そ
のため、送受信機の増幅回路には図10に示すような共
振周波数fo =1/(LC)1/2,および, 共振の鋭さQo =
R/(C/L)1/2を有する同調増幅回路が用いられている。
状態では上記発振周波数fo,および, 共振鋭さQo を有
しているものの、負荷を接続した場合には、負荷側のイ
ンピーダンスの影響を受けて共振特性が変動することに
なる。そのため、通常は、図11に示されるように、同
調増幅回路の出力にトランジスタQ2により構成される
ようなバッファ回路(エミッタフォロア回路)を接続
し、負荷による共振特性の変動を抑制するようになって
いる。
来、同調増幅回路は、負荷側のインピーダンスの影響を
受けないようにするため、バッファ回路を接続するよう
になっている。しかしながら、このバッファ回路(エミ
ッタフォロア回路)は、該バッファ回路を構成するトラ
ンジスタQ2に対しても適当なバイアスを加えなければ
ならず、回路の消費電力が増加する。
な周波数選択特性を得ようとする多段化のために消費電
力の増大が免れず、特に、携帯電話等のバッテリ駆動に
よる移動体通信機器においては、バッテリ寿命の低下を
来たすため大きな問題となっている。本発明は、上述し
た従来の同調増幅回路が有する課題に鑑み、消費電力を
増大させることなく、安定な周波数選択特性と利得を得
ることのできる同調増幅回路の提供を目的とする。
流を通過させる直流電流通過手段と、交流の信号成分を
通過させる信号通過手段と、制御端子に入力信号が供給
され、第1の端子が第1の電源線に接続された第1のト
ランジスタと、第1の端子から出力が取り出され、第2
の端子が第2の電源線に接続され、制御端子が前記第1
のトランジスタの第2の端子に前記信号通過手段を介し
て接続された第2のトランジスタとを具備し、該第2の
トランジスタの第1の端子は前記直流電流通過手段を介
して前記第1のトランジスタの第2の端子に接続されて
いることを特徴とする同調増幅回路が提供される。
の原理構成を示す回路図であり、図2は図1に示す同調
増幅回路の等価回路を示す図である。図1において、参
照符号Q1およびQ2はNPN型バイポーラトランジス
タであり、また、ZdcおよびZsig はインピーダンスを
示している。
ランジスタQ2はエミッタフォロアバッファ回路を構成
している。インピーダンス(直流電流通過手段)Zdc
は、トランジスタQ1,Q2に対して直流的なバイアス
電流を加えるためのものであり、また、インピーダンス
(信号通過手段)Zsig は交流成分(信号成分)だけを
通過させて直流的なインピーダンスは無限大となるよう
に構成されている。
のベースには入力信号INが供給され、該トランジスタ
Q1のエミッタは低電位電源線Vssに接続されている。
トランジスタQ2のコレクタは高電位電源線Vccに接続
され、該トランジスタQ2のベースはインピーダンスZ
sig を介してトランジスタQ1のコレクタに接続されて
いる。また、トランジスタQ2のエミッタはインピーダ
ンスZdcを介してトランジスタQ1のコレクタに接続さ
れると共に、該トランジスタQ2のエミッタから出力信
号OUTが取り出されるようになっている。
タQ1のバイアス電流は、インピーダンスZdcを介し
て、バッファ回路を構成するトランジスタQ2にも流れ
ることになり、また、増幅回路用のトランジスタQ1に
より増幅された信号は、インピーダンスZsig を介し
て、バッファ回路用のトランジスタQ2のベースに供給
され、該トランジスタQ2によるエミッタフォロア出力
が出力信号OUTとして取り出されるようになってい
る。
参照して、図1の同調増幅回路の周波数特性を説明す
る。図2において、参照符号Ro1はトランジスタQ1が
有する内部抵抗(等価抵抗)、Ro2はトランジスタQ2
が有する内部抵抗、Co1はトランジスタQ1が有する内
部容量、Co2はトランジスタQ2が有する内部容量を示
し、また、RL は負荷抵抗を示している。なお、参照符
号gmV1 およびgmV21は各トランジスタQ1およびQ2
における等価的な電流源を示している。
示す回路は、共振回路を構成しており、この共振回路の
回路定数を適当に選ぶことにより周波数選択特性を決定
することができる。すなわち、トランジスタQ1および
Q2が有する抵抗成分(Ro1, Ro2)並びに容量成分
(Co1, Co2)を利用して、共振回路(同調増幅回路)
を構成し、その周波数選択特性をインピーダンスZdcお
よびZsig により規定することができる。
ば、消費電力を増大させることなく、安定な周波数選択
特性と利得を得ることができる。
回路の実施例を説明する。図3は本発明の同調増幅回路
の第1実施例を示す回路図である。図3に示す第1実施
例では、インピーダンス(直流電流通過手段)Zdcを抵
抗R2およびインダクタンスLで構成し、また、インピ
ーダンス(信号通過手段)Zsig を容量Cで構成するよ
うになっている。
された抵抗(抵抗手段)R2およびインダクタンス(イ
ンダクタンス手段)Lで構成することにより、増幅回路
を構成するトランジスタQ1およびバッファ回路を構成
するトランジスタQ2の両方に対して、直流的なバイア
ス電流を流すようになっている。さらに、インピーダン
スZsig を容量(容量手段)Cで構成することで該イン
ピーダンスZsig は交流成分(信号成分)だけを通過さ
せて直流的なインピーダンスは無限大となっており、こ
れにより、増幅回路用のトランジスタQ1により増幅さ
れた信号(交流信号:トランジスタQ1のコレクタの信
号)は、インピーダンスZsig (容量C)を介して、バ
ッファ回路用のトランジスタQ2のベースに供給される
ことになる。そして、トランジスタQ2によるエミッタ
フォロア出力(トランジスタQ2のエミッタの信号)が
同調増幅回路の出力信号OUTとして取り出されること
になる。
の第1実施例においては、トランジスタQ2ベース・コ
レクタ間に接続された抵抗R1が設けられており、該抵
抗R2によってトランジスタQ2によるエミッタフォロ
アバッファ回路の動作を安定させるようになっている。
図4は本発明の同調増幅回路の第2実施例を示す回路
図、図5は本発明の同調増幅回路の第3実施例を示す回
路図、図6は本発明の同調増幅回路の第4実施例を示す
回路図、図7は本発明の同調増幅回路の第5実施例を示
す回路図、そして、図8は本発明の同調増幅回路の第6
実施例を示す回路図である。
実施例に対して、バッファ回路用のトランジスタQ2の
ベース・エミッタ間に接続した容量C2をさらに設ける
ようにしたもので、この容量C2によって、トランジス
タQ2によるエミッタフォロアバッファ回路の動作をよ
り一層安定させるようになっている。図5に示す第3実
施例は、図3に示す第1実施例との比較から明らかなよ
うに、前述した本発明の第1実施例における増幅回路用
およびバッファ回路用のNPN型バイポーラトランジス
タQ1およびQ2の両方を、電界効果トランジスタ(F
ET)Q10およびQ20により構成したものである。
実施例との比較から明らかなように、前述した本発明の
第2実施例における増幅回路用およびバッファ回路用の
NPN型バイポーラトランジスタQ1およびQ2の両方
を、電界効果トランジスタQ10およびQ20により構成し
たものである。すなわち、図5の第3実施例に対して、
バッファ回路用のトランジスタQ20のベース・エミッタ
間に接続した容量C2をさらに設け、トランジスタQ20
によるエミッタフォロアバッファ回路の動作をより一層
安定させるようにしたものである。
実施例における増幅回路用のNPN型バイポーラトラン
ジスタQ1だけを電界効果トランジスタQ10により構成
したものであり、また、図8に示す第6実施例は、図3
に示す第1実施例におけるバッファ回路用のNPN型バ
イポーラトランジスタQ2だけを電界効果トランジスタ
Q20により構成したものである。
ンジスタQ1および/またはQ2を電界効果トランジス
タQ10および/またはQ20に変更した場合の実質的な動
作は同様なので、その説明は省略する。図9は本発明の
同調増幅回路の各実施例の変形を説明するための図であ
る。すなわち、図9に示す変形例は、図3におけるイン
ピーダンスZsig の容量Cを、端子T1およびT2を介
して、可変容量CVによる外付けの素子として構成し、
且つ、図3におけるインピーダンスZdcのインダクタン
スLを、端子T2およびT3を介して、可変インダクタ
ンスLVによる外付けの素子として構成したものであ
る。このような変形は、図3に示す第1実施例だけでな
く、図4〜図8の各実施例に対しても適用することがで
きる。
増幅回路の第1実施例〜第6実施例において、インピー
ダンスZsig の容量(C)を外付けの可変容量CVとし
て構成し、また、インピーダンスZdcのインダクタンス
(L)を外付けの可変インダクタンスLVとして構成す
ることができ、これら外付けの可変容量CVおよび可変
インダクタンスLVを制御することにより、同調増幅回
路の特性(周波数選択特性)を可変して使用することが
できる。なお、上記のインピーダンスZsig の容量
(C)およびインピーダンスZdcのインダクタンス
(L)は、両方を外付けの可変容量(CV)および外付
けの可変インダクタンス(LV)とせず、その一方だけ
を外付けの可変素子として構成してもよいのはもちろん
である。
施例によれば、バイアス電流を増幅回路用トランジスタ
およびバッファ回路用トランジスタで共用することによ
り消費電力を低減することができる。
幅回路によれば、消費電力を増大させることなく、安定
な周波数選択特性と利得を得ることができる。
路図である。
ある。
図である。
図である。
図である。
図である。
図である。
図である。
するための図である。
る。
路図である。
Claims (6)
- 【請求項1】 直流電流を通過させる直流電流通過手段
(Zdc)と、 交流の信号成分を通過させる信号通過手段(Zsig)と、 制御端子に入力信号(IN)が供給され、第1の端子が
第1の電源線(Vss)に接続された第1のトランジスタ
(Q1)と、 第1の端子から出力信号(OUT)が取り出され、第2
の端子が第2の電源線(Vcc)に接続され、制御端子が
前記第1のトランジスタ(Q1)の第2の端子に前記信
号通過手段(Zsig)を介して接続された第2のトランジ
スタ(Q2)とを具備し、該第2のトランジスタ(Q
2)の第1の端子は前記直流電流通過手段(Zdc)を介
して前記第1のトランジスタ(Q1)の第2の端子に接
続されていることを特徴とする同調増幅回路。 - 【請求項2】 前記直流電流通過手段(Zdc)は、抵抗
手段(R2)およびインダクタンス手段(L)を備えて
構成され、前記信号通過手段(Zsig)は、容量手段
(C)を備えて構成されていることを特徴とする請求項
1の同調増幅回路。 - 【請求項3】 前記同調増幅回路は、さらに、前記第2
のトランジスタ(Q2)の制御端子および第2の端子間
に接続された抵抗手段(R1)を備えていることを特徴
とする請求項1の同調増幅回路。 - 【請求項4】 前記同調増幅回路は、さらに、前記第2
のトランジスタ(Q2)の制御端子および第1の端子間
に接続された容量手段(C2)を備えていることを特徴
とする請求項1の同調増幅回路。 - 【請求項5】 前記第1の電源線(Vss)は低電位の電
圧を供給する電源線であり、前記第2の電源線(Vcc)
は高電位の電圧を供給する電源線であり、前記第1およ
び第2のトランジスタ(Q1,Q2)は、NPN型バイ
ポーラトランジスタであることを特徴とする請求項1の
同調増幅回路。 - 【請求項6】 請求項1〜請求項5のいずれかの同調増
幅回路を備えたことを特徴とする半導体集積回路装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23968695A JP3778596B2 (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 同調増幅回路 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23968695A JP3778596B2 (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 同調増幅回路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0983261A true JPH0983261A (ja) | 1997-03-28 |
JP3778596B2 JP3778596B2 (ja) | 2006-05-24 |
Family
ID=17048409
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23968695A Expired - Lifetime JP3778596B2 (ja) | 1995-09-19 | 1995-09-19 | 同調増幅回路 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3778596B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013026811A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子回路 |
-
1995
- 1995-09-19 JP JP23968695A patent/JP3778596B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2013026811A (ja) * | 2011-07-21 | 2013-02-04 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 電子回路 |
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A521 | Written amendment |
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