JPH0982927A - ゲートアレイ - Google Patents

ゲートアレイ

Info

Publication number
JPH0982927A
JPH0982927A JP7232242A JP23224295A JPH0982927A JP H0982927 A JPH0982927 A JP H0982927A JP 7232242 A JP7232242 A JP 7232242A JP 23224295 A JP23224295 A JP 23224295A JP H0982927 A JPH0982927 A JP H0982927A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
terminal
test
power supply
circuit
additional
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP7232242A
Other languages
English (en)
Inventor
Yutaka Sada
裕 佐田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Engineering Ltd
Original Assignee
NEC Engineering Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Engineering Ltd filed Critical NEC Engineering Ltd
Priority to JP7232242A priority Critical patent/JPH0982927A/ja
Publication of JPH0982927A publication Critical patent/JPH0982927A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Test And Diagnosis Of Digital Computers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ゲートアレイのピン数を増やすことなしに、
高速動作特性の劣化もなく、被テスト回路の試験を可能
とする。 【解決手段】 追加電源端子1とテスト回路11との間
には入力バッファ7と出力バッファ6とが設けられてい
る。追加グランド端子3とテスト回路11との間にも、
入力バッファ14と出力バッファ15とが設けられてい
る。テスト回路11と被テスト回路10とは互いに信号
線群18を介して接続されている。テストモード設定端
子5は、入力バッファ16を介してPMOSトランジス
タ8のゲートに、さらにインバータ17を介してNMO
Sトランジスタ13のゲートに接続されている。PMO
Sトランジスタ8のソースは追加電源端子1に接続さ
れ、ドレインは電源配線9に接続されている。NMOS
トランジスタ13のソースは追加グランド端子4に接続
され、ドレインはグランド配線12に接続されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は内部に組み込まれた
テスト回路によって被テスト回路を試験することができ
るゲートアレイに関する。
【0002】
【従来の技術】周知のように、ゲートアレイとは、あら
かじめ論理ゲートがアレイ(列)状に配置されたマスク
・ウェハを用意し、このマスク・ウェハに配線を施すこ
とにより、所望の機能のディジタル回路を実現したもの
である。このようなゲートアレイの一種として、被テス
ト回路と、この被テスト回路を試験するためのテスト回
路とを含むものがある。テスト回路は、テスト入力パタ
ーンを被テスト回路に送り、被テスト回路からのテスト
結果パターンをゲートアレイの出力端子から出力させる
ものである。
【0003】図2に従来のゲートアレイを示す。図示の
ゲートアレイは、入出力端子21と、第1の入力バッフ
ァ22と、デマルチプレクサ23と、テスト回路24
と、被テスト回路25と、セレクタ26と、出力バッフ
ァ27と、テストモード設定端子28と、第2の入力バ
ッファ29と、インバータ30とを有する。
【0004】入出力端子11は第1の入力バッファ22
を介してデマルチプレクサ23の入力端子23aに接続
されている。デマルチプレクサ23の第1および第2の
出力端子23bおよび23cは、それぞれ、テスト回路
24の入力端子24aおよび被テスト回路25の入力端
子25aに接続されている。テスト回路24と被テスト
回路25とは互いに信号線群31を介して接続されてい
る。テスト回路24の出力端子24bと被テスト回路2
5の出力端子25bはそれぞれセレクタ26の第1およ
び第2の入力端子26aおよび26bに接続されてい
る。セレクタ26の出力端子26cは出力バッファ27
を介して入出力端子21に接続されている。テストモー
ド設定端子28は第2の入力バッファ29を介してデマ
ルチプレクサ23の選択端子23dに接続されている。
第2の入力バッファ29の出力はインバータ30を介し
てセレクタ26の選択端子26dに接続されている。
【0005】次に、図2に示したゲートアレイの動作に
ついて説明する。テストモード設定端子28からテスト
モードを指示する信号が入力すると、デマルチプレクサ
23はその入力端子23aを第1の出力端子23bに接
続し、セレクタ26はその第1の入力端子26aを出力
端子26cに接続する。その結果、入出力端子21から
供給されたテスト入力信号は、デマルチプレクサ23を
介してテスト回路24に入力する。この入力信号に応答
して、テスト回路24はテスト入力パターンを信号線群
31を介して被テスト回路25へ供給する。テスト入力
パターンに応答して、被テスト回路25は自回路の試験
を行い、テスト結果パターンを信号線群31を介してテ
スト回路24に返す。テスト結果パターンを受けたテス
ト回路24はテスト結果信号をセレクタ26に送る。セ
レクタ26はこの受けとったテスト結果信号を出力バッ
ファ27を介して入出力端子21に送る。
【0006】このような構成により、テスト端子を増や
すことなしに、テストモード時だけ信号端子21をテス
ト端子として使うことができる。
【0007】また、本発明に関連する技術として、特開
昭60−44878号公報(以下、先行技術と呼ぶ)に
は、LSI内部に設けられた浮遊ゲートの状態によりL
SIを通常動作モードもしくはテストモードに切り替え
ることにより、制限のあるLSIの入出力端子を有効に
利用出来るようにした「テスト回路」が開示されてい
る。
【0008】図3にこの先行技術に開示されたテスト回
路を示す。図示のテスト回路は、浮遊ゲートトランジス
タFおよび負荷MOSトランジスタLから構成されるイ
ンバータIと、浮遊ゲートトランジスタFの書き込みを
制御する書き込み制御回路Wと、インバータIの出力が
接続されたテストモード信号出力回路Tとを有する。
尚、図3において、R,B,Pはそれぞれデータメモ
リ、データバス、出力ポートを示す。
【0009】このような構成のテスト回路では、浮遊ゲ
ートトランジスタFの消去状態と書き込み状態をそれぞ
れテストモートと通常動作モードとに対応させることに
より、テストモードを設定する端子を設けることなし
に、集積回路の通常の動作モードとテストモードを切り
替えることができる。すなわち、テストモードでは書き
込み制御回路Wで浮遊ゲートトランジスタFを消去状態
に設定すると、インバータIの出力がテストモード信号
出力回路Tに対しアクティブとして送られる。テストモ
ード信号出力回路Tは、制御信号CをデータメモリRお
よび出力ポートPに送り、データメモリRおよび出力ポ
ートPをテストモードとして動作させる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】図2に示した従来のゲ
ートアレイは、通常動作モード時にも、信号がデマルチ
プレクサ23やセレクタ26を通るので、遅延を生じ、
高速動作がしにくくなる。
【0011】一方、図3に示したテスト回路では、浮遊
ゲートトランジスタFを実現するため、LSI製造プロ
セスが複雑になるという問題がある。これは、通常のL
SI製造プロセスでは、浮遊ゲートトランジスタFを作
ることはできず、追加の製造工程が必要なためである。
また、このテスト回路では、テストモード設定端子を不
要にすることはできるが、テスト端子を減らすことはで
きない。テストを容易化するためにテスト端子を多く必
要とする場合が多く、このテスト回路で減らせるのはテ
ストモード設定端子だけである。
【0012】本発明の課題は、上記の問題を解決し、ゲ
ートアレイのピン数を増やすことなしに、高速動作特性
の劣化もなく、被テスト回路の試験を可能にしたゲート
アレイを提供することにある。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記の課題を解決する本
発明のゲートアレイは、被テスト回路と、該被テスト回
路を試験するためのテスト回路とを含むゲートアレイに
おいて、当該ゲートアレイをテストモードに設定するた
めのテストモード設定端子と、追加端子と、該追加端子
と前記被テスト回路および前記テスト回路に接続された
所定の配線との間に接続され、前記テストモード設定端
子から供給される信号に応答してオン/オフするスイッ
チング手段と、前記追加端子と前記テスト回路の入力端
子との間に設けられた入力バッファと、前記追加端子と
前記テスト回路の出力端子との間に設けられた出力バッ
ファとを具備して構成される。
【0014】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施形態について詳細に説明する。
【0015】ゲートアレイでは、実際の使用時に、予め
用意されている電源端子、グランド端子だけでは、出力
端子の同時変化に対してゲートアレイ内の電源電圧およ
びグランド電圧の変動が大きすぎ、ゲートアレイが誤動
作する場合がある。この誤動作を防止するため、追加電
源端子、追加グランド端子を設けることにより、電源電
圧およびグランド電圧の変動を小さくすることが良く行
われる。
【0016】一方、ゲートアレイの試験用の治具は、標
準化して低コスト化するために、追加電源端子や追加グ
ランド端子は、信号端子として扱われ、試験時には信号
も電源等も印加されない。
【0017】本発明は、試験時に追加電源端子や追加グ
ランド端子などの追加端子をテスト端子として使うこと
により、ゲートアレイのピン数を増やすことなしに、ま
た、高速動作特性の劣化もなく、被テスト回路の試験を
可能とする。
【0018】図1に本発明の一実施形態によるゲートア
レイを示す。図示のゲートアレイは、追加電源端子1
と、電源電圧が供給される電源端子2と、接地されるグ
ランド端子3と、追加グランド端子4と、テストモード
を設定するためのテストモード設定端子5とを持つ。
【0019】ゲートアレイは、第1の出力バッファ6
と、第1の入力バッファ7と、PMOSトランジスタ8
と、電源配線9と、被テスト回路10と、テスト回路1
1と、グランド配線12と、NMOSトランンジスタ1
3と、第2の入力バッファ14と、第2の出力バッファ
15と、第3の入力バッファ16と、インバータ17と
を有する。
【0020】電源端子2は電源配線9を介して被テスト
回路10およびテスト回路11に接続されている。グラ
ンド端子3はグランド配線12を介して被テスト回路1
0およびテスト回路11に接続されている。追加電源端
子1は第1の入力バッファ7を介してテスト回路11の
第1の入力端子11aに接続されている。テスト回路1
1の第1の出力端子11bは第1の出力バッファ6を介
して追加電源端子1に接続されている。追加グランド端
子3は第2の入力バッファ14を介してテスト回路11
の第2の入力端子11cに接続されている。テスト回路
11の第2の出力端子11dは第2の出力バッファ15
を介して追加グランド端子4に接続されている。テスト
回路11と被テスト回路10とは互いに信号線群18を
介して接続されている。
【0021】テストモード設定端子5は、第3の入力バ
ッファ16を介してPMOSトランジスタ8のゲートに
接続されると共に、第3の入力バッファ16およびイン
バータ17を介してNMOSトランジスタ13のゲート
に接続されている。PMOSトランジスタ8のソースは
追加電源端子1に接続され、ドレインは電源配線9に接
続されている。NMOSトランジスタ13のソースは追
加グランド端子4に接続され、ドレインはグランド配線
12に接続されている。
【0022】次に、本実施形態のゲートアレイの動作に
ついて説明する。最初にテストモード時の動作について
説明し、その後で、通常動作モード時の動作について説
明する。
【0023】テストモード時には、テストモード設定端
子5にハイレベルのテストモード設定信号を供給する。
これにより、PMOSトランジスタ8とNMOSトラン
ジスタ13とは両方ともオフ状態となる。その結果、追
加電源端子1および追加グランド端子4は、それぞれ、
ゲートアレイ内の電源配線8およびグランド配線9から
電気的に切断されるので、テスト端子として使うことが
できる。
【0024】このテスト端子にテスト入力信号を印加す
ることにより、被テスト回路10の試験を行うことがで
きる。たとえば、追加電源端子1にテスト入力信号を供
給したとする。このテスト入力信号は第1の入力バッフ
ァ7を介してテスト回路11の第1の入力端子11aに
供給される。このテスト入力信号に応答して、テスト回
路11はテスト入力パターンを信号線群18を介して被
テスト回路10に供給する。テスト入力パターンに応答
して、被テスト回路10は自回路の試験を行い、試験結
果を表すテスト結果パターンを信号線群18を介してテ
スト回路11へ送出する。テスト結果パターンを受けた
テスト回路11は、テスト結果信号を第2の出力端子1
1dから第2の出力バッファ15を介して追加グランド
端子4へ送る。この代わりに、テスト回路11は、テス
ト結果信号を第1の出力端子11bから第1の出力バッ
ファ6を介して追加電源端子1へ送るようにしても良
い。
【0025】逆に、追加グランド端子4にテスト入力信
号を供給したとする。このテスト入力信号は第2の入力
バッファ14を介してテスト回路11の第2の入力端子
11cに供給される。このテスト入力信号に応答して、
テスト回路11はテスト入力パターンを信号線群18を
介して被テスト回路10に供給する。テスト入力パター
ンに応答して、被テスト回路10は自回路の試験を行
い、試験結果を表すテスト結果パターンを信号線群18
を介してテスト回路11へ送出する。テスト結果パター
ンを受けたテスト回路11は、テスト結果信号を第1の
出力端子11bから第1の出力バッファ4を介して追加
電源端子1へ送る。この代わりに、テスト回路11は、
テスト結果信号を第2の出力端子11dから第2の出力
バッファ15を介して追加グランド端子4へ送るように
しても良い。
【0026】次に、通常動作モード時の動作について説
明する。通常動作モード時には、先ず、テストモード設
定端子5にロウレベルの通常動作モード設定信号を供給
する。これにより、PMOSトランジスタ8とNMOS
トランジスタ13とは両方ともオン状態となる。その結
果、追加電源端子1および追加グランド端子4は、それ
ぞれ、ゲートアレイ内の電源配線8およびグランド配線
9と接続されるので、それぞれ、電源端子、グランド端
子として使うことができる。その後、追加電源端子1を
電源に、追加グランド端子4をグランドにそれぞれ接続
する。
【0027】尚、本発明について好ましい実施形態によ
って説明したが、本発明はこの実施形態に限定しないの
は勿論である。たとえば、上記実施形態では、追加電源
端子1と追加グランド端子4の両方をテスト端子として
使用しているが、追加電源端子1および追加グランド端
子4のどちらか一方のみをテスト端子として使用するよ
うにしても良い。この場合において、追加電源端子1の
みをテスト端子として使用する場合、NMOSトランン
ジスタ13、第2の入力バッファ14、第2の出力バッ
ファ15、およびインバータ17を削除することができ
る。逆に、追加グランド端子4のみをテスト端子として
使用する場合、第1の出力バッファ6、第1の入力バッ
ファ7、およびPMOSトランジスタ8を削除するとが
できる。この場合において、さらに、インバータ17を
削除しても良い。また、スイッチング素子もPMOSト
ランジスタ8やNMOSトランンジスタ13に限定され
ず、JFETなどの他のスイッチング素子を使用しても
良い。
【0028】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、試験時に
追加電源端子や追加グランド端子などの追加端子をテス
ト端子として使うことにより、ゲートアレイのピン数を
増やすことなしに、また、高速動作特性の劣化もなく、
被テスト回路の試験を行うことができるという効果を奏
する。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の一実施形態によるゲートアレイの構成
を示すブロック図である。
【図2】従来のゲートアレイの構成を示すブロック図で
ある。
【図3】先行技術(特開昭60−44878号公報)に
開示されたテスト回路の構成を示すブロック図である。
【符号の説明】
1 追加電源端子 2 電源端子 3 グランド端子 4 追加グランド端子 5 テストモード設定端子 6 出力バッファ 7 入力バッファ 8 PMOSトランジスタ 9 電源配線 10 被テスト回路 11 テスト回路 12 グランド配線 13 NMOSトランンジスタ 14 入力バッファ 15 出力バッファ 16 入力バッファ 17 インバータ 18 信号線群
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/82

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 被テスト回路と、該被テスト回路を試験
    するためのテスト回路とを含むゲートアレイにおいて、 当該ゲートアレイをテストモードに設定するためのテス
    トモード設定端子と、追加端子と、該追加端子と前記被
    テスト回路および前記テスト回路に接続された所定の配
    線との間に接続され、前記テストモード設定端子から供
    給される信号に応答してオン/オフするスイッチング手
    段と、前記追加端子と前記テスト回路の入力端子との間
    に設けられた入力バッファと、前記追加端子と前記テス
    ト回路の出力端子との間に設けられた出力バッファとを
    有することを特徴とするゲートアレイ。
  2. 【請求項2】 前記追加端子が追加電源端子であり、前
    記所定の配線が電源端子に接続された電源配線である、
    請求項1記載のゲートアレイ。
  3. 【請求項3】 前記スイッチング素子が、ソースが前記
    追加電源端子に接続され、ドレインが前記電源配線に接
    続され、ゲートが前記テストモード設定端子に接続され
    たPMOSトランジスタである、請求項2記載のゲート
    アレイ。
  4. 【請求項4】 前記追加端子が追加グラント端子であ
    り、前記所定の配線がグランド端子に接続されたグラン
    ド配線である、請求項1記載のゲートアレイ。
  5. 【請求項5】 前記スイッチング素子が、ソースが前記
    追加グランド端子に接続され、ドレインが前記グランド
    配線に接続され、ゲートが前記テストモード設定端子に
    接続されたNMOSトランジスタである、請求項4記載
    のゲートアレイ。
  6. 【請求項6】 被テスト回路と、該被テスト回路を試験
    するためのテスト回路とを含むゲートアレイにおいて、 当該ゲートアレイをテストモードに設定するためのテス
    トモード設定端子(54)と、 追加電源端子(2)と、 該追加電源端子と前記被テスト回路および前記テスト回
    路に接続された電源配線(9)との間に接続され、前記
    テストモード設定端子から供給される信号に応答してオ
    ン/オフする第1のスイッチング手段(8)と、 前記追加電源端子と前記テスト回路の入力端子(11
    a)との間に設けられた入力バッファ(7)と、 追加グランド端子(4)と、 該追加グランド端子と前記被テスト回路および前記テス
    ト回路に接続されたグランド配線(12)との間に接続
    され、前記テストモード設定端子からインバータ(1
    7)を介して供給される信号に応答してオン/オフする
    第2のスイッチング手段(13)と、 前記追加グランド端子と前記テスト回路の出力端子(1
    1d)との間に設けられた出力バッファ(15)とを有
    するゲートアレイ。
  7. 【請求項7】 前記第1のスイッチング素子が、ソース
    が前記追加電源端子に接続され、ドレインが前記電源配
    線に接続され、ゲートが前記テストモード設定端子に接
    続されたPMOSトランジスタであり、 前記第2のスイッチング素子が、ソースが前記追加グラ
    ンド端子に接続され、ドレインが前記グランド配線に接
    続され、ゲートが前記インバータを介して前記テストモ
    ード設定端子に接続されたNMOSトランジスタであ
    る、請求項6記載のゲートアレイ。
  8. 【請求項8】 被テスト回路と、該被テスト回路を試験
    するためのテスト回路とを含むゲートアレイにおいて、 当該ゲートアレイをテストモードに設定するためのテス
    トモード設定端子(54)と、 追加電源端子(2)と、 該追加電源端子と前記被テスト回路および前記テスト回
    路に接続された電源配線(9)との間に接続され、前記
    テストモード設定端子から供給される信号に応答してオ
    ン/オフする第1のスイッチング手段(8)と、 前記追加電源端子と前記テスト回路の出力端子(11
    b)との間に設けられた出力バッファ(6)と、 追加グランド端子(4)と、 該追加グランド端子と前記被テスト回路および前記テス
    ト回路に接続されたグランド配線(12)との間に接続
    され、前記テストモード設定端子からインバータ(1
    7)を介して供給される信号に応答してオン/オフする
    第2のスイッチング手段(13)と、 前記追加グランド端子と前記テスト回路の入力端子(1
    1c)との間に設けられた出力バッファ(14)とを有
    するゲートアレイ。
  9. 【請求項9】 前記第1のスイッチング素子が、ソース
    が前記追加電源端子に接続され、ドレインが前記電源配
    線に接続され、ゲートが前記テストモード設定端子に接
    続されたPMOSトランジスタであり、 前記第2のスイッチング素子が、ソースが前記追加グラ
    ンド端子に接続され、ドレインが前記グランド配線に接
    続され、ゲートが前記インバータを介して前記テストモ
    ード設定端子に接続されたNMOSトランジスタであ
    る、請求項8記載のゲートアレイ。
  10. 【請求項10】 被テスト回路と、該被テスト回路を試
    験するためのテスト回路とを含むゲートアレイにおい
    て、 当該ゲートアレイをテストモードに設定するためのテス
    トモード設定端子(54)と、 追加電源端子(2)と、 該追加電源端子と前記被テスト回路および前記テスト回
    路に接続された電源配線(9)との間に接続され、前記
    テストモード設定端子から供給される信号に応答してオ
    ン/オフする第1のスイッチング手段(8)と、 前記追加電源端子と前記テスト回路の第1の入力端子
    (11a)との間に設けられた第1の入力バッファ
    (7)と、 前記追加電源端子と前記テスト回路の第1の出力端子
    (11b)との間に設けられた第1の出力バッファ
    (6)と、 追加グランド端子(4)と、 該追加グランド端子と前記被テスト回路および前記テス
    ト回路に接続されたグランド配線(12)との間に接続
    され、前記テストモード設定端子からインバータ(1
    7)を介して供給される信号に応答してオン/オフする
    第2のスイッチング手段(13)と、 前記追加グランド端子と前記テスト回路の第2の入力端
    子(11c)との間に設けられた第2の入力バッファ
    (14)と前記追加グランド端子と前記テスト回路の第
    2の出力端子(11d)との間に設けられた第2の出力
    バッファ(15)とを有するゲートアレイ。
  11. 【請求項11】 前記第1のスイッチング素子が、ソー
    スが前記追加電源端子に接続され、ドレインが前記電源
    配線に接続され、ゲートが前記テストモード設定端子に
    接続されたPMOSトランジスタであり、 前記第2のスイッチング素子が、ソースが前記追加グラ
    ンド端子に接続され、ドレインが前記グランド配線に接
    続され、ゲートが前記インバータを介して前記テストモ
    ード設定端子に接続されたNMOSトランジスタであ
    る、請求項10記載のゲートアレイ。
JP7232242A 1995-09-11 1995-09-11 ゲートアレイ Withdrawn JPH0982927A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7232242A JPH0982927A (ja) 1995-09-11 1995-09-11 ゲートアレイ

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7232242A JPH0982927A (ja) 1995-09-11 1995-09-11 ゲートアレイ

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH0982927A true JPH0982927A (ja) 1997-03-28

Family

ID=16936206

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7232242A Withdrawn JPH0982927A (ja) 1995-09-11 1995-09-11 ゲートアレイ

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0982927A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220066696A (ko) * 2020-11-16 2022-05-24 충남대학교산학협력단 신소자 테스트 시스템 및 신소자 테스트 방법

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220066696A (ko) * 2020-11-16 2022-05-24 충남대학교산학협력단 신소자 테스트 시스템 및 신소자 테스트 방법

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0602973B1 (en) Mixed signal integrated circuit architecture and test methodology
EP0639006B1 (en) Multiplexed control pins for in-system programming and boundary scan testing using state machines in a high density programmable logic device
US4914379A (en) Semiconductor integrated circuit and method of testing same
EP0364925A1 (en) Semiconductor integrated circuit having i/o terminals allowing independent connection test
EP0028916A2 (en) A semiconductor memory device
US20030235929A1 (en) Signal sharing circuit with microelectronic die isolation features
JP2000275303A (ja) バウンダリスキャンテスト方法及びバウンダリスキャンテスト装置
JP3661973B2 (ja) 半導体メモリ装置
JPH071493B2 (ja) テスト補助回路
JPS6364088B2 (ja)
US5615216A (en) Semiconductor integrated circuit including test circuit
US5197070A (en) Scan register and testing circuit using the same
US5426432A (en) IC card
JP2827062B2 (ja) 集積回路
JPH0982927A (ja) ゲートアレイ
JPH10288651A (ja) 半導体集積回路
KR100450659B1 (ko) 박막트랜지스터 액정표시소자(tft lcd) 게이트 구동회로 및 이를 구비한 구동 집적회로(ic)
KR0147632B1 (ko) 반도체 메모리장치의 멀티 비트 테스트방법 및 테스트 회로
JPH05113469A (ja) 半導体装置
JP2970594B2 (ja) フリップフロップ回路および集積回路装置
JP2000260947A (ja) 集積回路
JPS6158254A (ja) 半導体集積回路装置
JP3156870B2 (ja) 半導体集積回路装置及びその電気的特性試験方法
US20020067647A1 (en) Semiconductor integrated circuit device
JP2002108842A (ja) モード切替回路

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20021203