JPH0982673A - Substrate treatment system - Google Patents

Substrate treatment system

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JPH0982673A
JPH0982673A JP26213095A JP26213095A JPH0982673A JP H0982673 A JPH0982673 A JP H0982673A JP 26213095 A JP26213095 A JP 26213095A JP 26213095 A JP26213095 A JP 26213095A JP H0982673 A JPH0982673 A JP H0982673A
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pressure mercury
low
mercury lamp
ultraviolet rays
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雅宏 宮城
Koji Kizaki
幸治 木▲崎▼
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To protect a low-pressure mercury lamp against cloudiness by a method wherein an ultraviolet transmission plate is provided between a lamp box where the low-pressure mercury lamp is housed and a substrate treatment section. SOLUTION: A substrate treatment system 1 irradiates a substrate with ultraviolet rays to produce ozone to decompose organic materials attached to the surface of the substrate, wherein the substrate treatment system 1 is equipped with a treatment chamber 5 where a substrate 3 is housed and a lamp box 9 where a low-pressure mercury lamp 7 is housed so as to be enhanced in cleaning effect. A quartz plate 13 is provided between the treatment chamber 5 and the lamp box 9. The treatment chamber 5 is separated from the lamp box 9 with the quartz plate 13. The substrate 3 is irradiated with ultraviolet rays emitted from the low-pressure mercury lamp 7 through the intermediary of the quartz plate 13. Therefore, a quartz plate is required to be formed of material which transmits ultraviolet rays without attenuating them. For instance, synthetic quartz anhydride or the like can be used as the above material. A plate can be formed of material which is other than quartz but capable of transmitting ultraviolet rays without attenuating them.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体製造装置
や液晶表示パネル製造装置などにおいて、半導体ウエハ
や液晶用ガラス基板(以下「基板」と総称する)に対し
紫外線を照射してその処理を行う基板処理装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, a liquid crystal display panel manufacturing apparatus, or the like, which irradiates a semiconductor wafer or a liquid crystal glass substrate (hereinafter collectively referred to as a "substrate") with ultraviolet rays to perform processing. The present invention relates to a substrate processing apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種の基板処理装置としては、基板を
水平姿勢で支持する支持手段の上方位置に紫外線ランプ
を配設し、この紫外線ランプを点灯することにより、基
板支持手段上に搬送された基板の表面に紫外線を照射す
るものが知られている。そして、紫外線ランプとして
は、例えば254nmの波長を最大のピークとし185
nmの波長を次のピークとする紫外線を照射する低圧水
銀ランプが一般的に使用される。
2. Description of the Related Art As a substrate processing apparatus of this type, an ultraviolet lamp is provided above a supporting means for supporting a substrate in a horizontal posture, and the ultraviolet lamp is turned on to convey the substrate onto the substrate supporting means. It is known to irradiate the surface of a substrate with ultraviolet rays. Then, for the ultraviolet lamp, for example, a wavelength of 254 nm is set as the maximum peak and
A low-pressure mercury lamp that emits ultraviolet light having a wavelength of nm as the next peak is generally used.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】このような低圧水銀ラ
ンプを使用した基板処理装置においては、基板を連続し
て処理した場合、低圧水銀ランプの表面が徐々に白濁す
るという現象が発生する。すなわち、低圧水銀ランプか
ら照射される波長185nmの紫外線は空気中の酸素を
分解してオゾンを発生させる。また、波長254nmの
紫外線はオゾンを分解して活性化酸素を発生させる。こ
の活性化酸素が基板上の有機物や大気中の不純物と反応
することにより発生する生成物が低圧水銀ランプの表面
に付着することによりランプの表面を白濁させてしま
う。
In the substrate processing apparatus using such a low pressure mercury lamp, when the substrates are continuously processed, the surface of the low pressure mercury lamp gradually becomes clouded. That is, the ultraviolet rays having a wavelength of 185 nm emitted from the low pressure mercury lamp decompose oxygen in the air to generate ozone. Further, ultraviolet rays having a wavelength of 254 nm decompose ozone to generate activated oxygen. The product generated by the reaction of the activated oxygen with organic substances on the substrate and impurities in the atmosphere adheres to the surface of the low-pressure mercury lamp, thereby causing the surface of the lamp to become cloudy.

【0004】低圧水銀ランプの表面が白濁した場合には
基板に必要な量の紫外線を照射することができなくな
る。このため、度々ランプを装置本体から取り外した上
でその表面を清掃するという煩雑な作業が必要となる。
When the surface of the low-pressure mercury lamp becomes cloudy, it becomes impossible to irradiate the substrate with a necessary amount of ultraviolet rays. Therefore, it is necessary to frequently remove the lamp from the main body of the apparatus and then clean the surface of the lamp, which is a complicated work.

【0005】この発明は、上記課題を解決するためにな
されたものであり、低圧水銀ランプの白濁を防止するこ
とのできる基板処理装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing clouding of a low-pressure mercury lamp.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載の発明
は、紫外線を基板表面に照射して基板を処理する基板処
理装置であって、基板を支持する支持手段を有する基板
処理部と、前記基板処理部と対向して配置されたランプ
ボックスと、前記ランプボックス内に収納され、前記支
持手段に支持された基板に対し紫外線を照射する低圧水
銀ランプと、前記基板処理部と前記ランプボックスとの
間に配設された紫外線透過板とを備えている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for processing a substrate by irradiating the surface of the substrate with ultraviolet rays, the substrate processing section having a supporting means for supporting the substrate, A lamp box arranged to face the substrate processing section, a low-pressure mercury lamp housed in the lamp box and irradiating the substrate supported by the supporting means with ultraviolet rays, the substrate processing section and the lamp box. And an ultraviolet ray transmitting plate disposed between and.

【0007】また、請求項2に記載の発明は、請求項1
に記載の基板処理装置において、低圧水銀ランプと紫外
線透過板との間を開閉可能な紫外線非透過部材より成る
シャッターを設けている。
The invention described in claim 2 is the same as claim 1
In the substrate processing apparatus described in (1), a shutter made of an ultraviolet non-transmissive member that can be opened and closed is provided between the low pressure mercury lamp and the ultraviolet transmissive plate.

【0008】さらに、請求項3に記載の発明は、紫外線
を基板表面に照射して基板を処理する基板処理装置であ
って、基板を支持する支持手段と、前記支持手段に支持
された基板に対し紫外線を照射する低圧水銀ランプと、
前記低圧水銀ランプの表面に気体を吹き付ける気体供給
手段とを備えている。
Further, the invention according to claim 3 is a substrate processing apparatus for processing a substrate by irradiating the surface of the substrate with ultraviolet rays, wherein the supporting means for supporting the substrate and the substrate supported by the supporting means are provided. A low-pressure mercury lamp that irradiates ultraviolet rays,
Gas supply means for spraying gas onto the surface of the low-pressure mercury lamp is provided.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】以下、図面に基づいてこの発明の
実施の形態を説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0010】図1はこの発明に係る基板処理装置1の第
1の実施形態を示す側断面図である。
FIG. 1 is a side sectional view showing a first embodiment of a substrate processing apparatus 1 according to the present invention.

【0011】この基板処理装置1は、液晶用ガラス基板
に対し紫外線を照射してオゾンを発生させ、基板表面の
有機物を分解し、基板表面を親水化させて後段の処理に
おける洗浄効果を高めるために使用されるものであり、
処理を行うべき基板3を収納する処理室5と、8本の低
圧水銀ランプ7を収納するランプボックス9とを備え
る。
This substrate processing apparatus 1 irradiates a glass substrate for liquid crystal with ultraviolet rays to generate ozone, decomposes organic substances on the substrate surface, and hydrophilizes the substrate surface to enhance the cleaning effect in the subsequent processing. Is used for
A processing chamber 5 for housing a substrate 3 to be processed and a lamp box 9 for housing eight low-pressure mercury lamps 7 are provided.

【0012】処理室5の底面部には、複数の支持ピン1
1が突設されており、これらの支持ピン11により基板
3が支持される。これらの支持ピン11は、昇降駆動源
13により基板3を支持して昇降する。なお、処理室5
の底部外周には、処理室5内を排気するための排気口1
0が設けられている。
A plurality of support pins 1 are provided on the bottom of the processing chamber 5.
1 is provided so as to project, and the substrate 3 is supported by these support pins 11. These support pins 11 support the substrate 3 by a lift drive source 13 and move up and down. The processing room 5
An exhaust port 1 for exhausting the inside of the processing chamber 5 is provided on the outer periphery of the bottom of the
0 is provided.

【0013】低圧水銀ランプ7は、ランプ内で蒸発した
水銀分子に電子が衝突することにより線スペクトルを発
生するものであり、185nmおよび254nmをピー
クとする波長の紫外線を照射する。ランプボックス9と
低圧水銀ランプ7との間には反射板16が配設されてお
り、低圧水銀ランプ7からの紫外線は効率よく基板3側
に導かれる。また、ランプボックス9の左側部には清浄
な空気や窒素ガス等の気体の導入口12が設けられてお
り、右側部には、気体の排出口14が設けられている。
The low-pressure mercury lamp 7 generates a line spectrum when electrons collide with mercury molecules evaporated in the lamp, and irradiates ultraviolet rays having wavelengths having peaks at 185 nm and 254 nm. A reflector 16 is arranged between the lamp box 9 and the low-pressure mercury lamp 7, and the ultraviolet rays from the low-pressure mercury lamp 7 are efficiently guided to the substrate 3 side. In addition, an inlet 12 for introducing clean air or a gas such as nitrogen gas is provided on the left side of the lamp box 9, and an outlet 14 for the gas is provided on the right side.

【0014】処理室5とランプボックス9との間には、
石英板13が配設されており、この石英板13によって
処理室5とランプボックス9とが仕切られている。低圧
水銀ランプ7からの紫外線は、石英板13を介して基板
3に照射される。このため、石英板13としては、紫外
線を減衰することなく透過させるものを採用することが
必要となる。このような材質として、例えば無水合成石
英等を利用することができる。但し、紫外線を減衰させ
ない材質であれば、石英以外のものを使用してもよい。
Between the processing chamber 5 and the lamp box 9,
A quartz plate 13 is provided, and the quartz plate 13 partitions the processing chamber 5 and the lamp box 9. Ultraviolet rays from the low-pressure mercury lamp 7 are applied to the substrate 3 via the quartz plate 13. Therefore, it is necessary to employ, as the quartz plate 13, a quartz plate that allows ultraviolet rays to pass through without being attenuated. As such a material, for example, anhydrous synthetic quartz can be used. However, materials other than quartz may be used as long as they do not attenuate ultraviolet rays.

【0015】石英板13の一端部には、シャッター機構
15が配設されている。このシャッター機構15は、図
2に示すように、紫外線を透過させない軟質の金属薄板
により構成されたシャッター19と、このシャッター1
9を巻回する軸17と、シャッター19の先端を牽引す
るワイヤー21と、ワイヤー21を巻き取る軸23と、
案内軸25とを有する。シャッター19を閉じる際に
は、軸23を回転させてワイヤー21を軸23に巻き取
ることにより、ワイヤー21を介してシャッター19を
石英板13上に展張する。また、シャッター19を開く
際には、軸17を回転させてシャッター19を軸17に
巻き取ることにより、シャッター19を石英板13上よ
り待避させる。なお、シャッター機構15としては、こ
のような巻き取り式のものに限らず、例えば蛇腹式のシ
ャッターをレールにより案内する方式など各種の機構を
採用することができる。
A shutter mechanism 15 is arranged at one end of the quartz plate 13. As shown in FIG. 2, the shutter mechanism 15 includes a shutter 19 made of a soft metal thin plate that does not transmit ultraviolet rays, and the shutter 1.
A shaft 17 for winding 9; a wire 21 for pulling the tip of the shutter 19; a shaft 23 for winding the wire 21;
And a guide shaft 25. When closing the shutter 19, the shaft 23 is rotated and the wire 21 is wound around the shaft 23, so that the shutter 19 is spread on the quartz plate 13 via the wire 21. When the shutter 19 is opened, the shaft 17 is rotated to wind the shutter 19 around the shaft 17 so that the shutter 19 is retracted from the quartz plate 13. The shutter mechanism 15 is not limited to such a winding type, but various mechanisms such as a system of guiding a bellows type shutter by a rail can be adopted.

【0016】次に、この基板処理装置1における基板処
理工程について説明する。
Next, the substrate processing process in the substrate processing apparatus 1 will be described.

【0017】最初の基板3を処理するに先立ち、予め低
圧水銀ランプ7を点灯させて低圧水銀ランプ7より照射
される紫外線が安定するのを待つ。通常、低圧水銀ラン
プ7の光量が安定するまでには、10〜30分程度の時
間を要する。
Prior to processing the first substrate 3, the low-pressure mercury lamp 7 is turned on in advance and waits for the ultraviolet rays emitted from the low-pressure mercury lamp 7 to stabilize. Usually, it takes about 10 to 30 minutes for the light quantity of the low-pressure mercury lamp 7 to stabilize.

【0018】また、このとき導入口12より清浄な空気
を導入し、この空気を排出口14より排出することによ
り、ランプボックス9内において清浄な空気を循環させ
る。空気中に不純物が存在した場合には、この不純物が
紫外線により反応して生成される反応物によっても低圧
水銀ランプ7の表面の白濁は発生する。このため、ラン
プボックス9内に清浄な空気を循環させることにより、
上記反応物による低圧水銀ランプ7表面の白濁を防止し
ている。この清浄な空気の循環は、後述する基板3の処
理中においても継続される。なお、低圧水銀ランプ7と
してより波長の短い紫外線を照射するランプを使用する
場合には、この波長の短い紫外線は空気中の酸素分子等
により減衰することから、清浄な空気に換えて清浄な窒
素ガス等を使用すればよい。
Further, at this time, clean air is introduced from the inlet 12 and discharged from the outlet 14, so that the clean air is circulated in the lamp box 9. When impurities are present in the air, white turbidity on the surface of the low-pressure mercury lamp 7 also occurs due to a reaction product generated by the reaction of the impurities with ultraviolet rays. Therefore, by circulating clean air in the lamp box 9,
White turbidity on the surface of the low-pressure mercury lamp 7 due to the above reaction product is prevented. This circulation of clean air is continued even during the processing of the substrate 3 described later. When the low-pressure mercury lamp 7 is a lamp that radiates ultraviolet rays having a shorter wavelength, the ultraviolet rays having a shorter wavelength are attenuated by oxygen molecules in the air, and therefore clean nitrogen is used instead of clean air. Gas or the like may be used.

【0019】低圧水銀ランプ7の光量が安定すれば、図
示しない搬送装置により、最初に処理を行うべき基板3
を処理室5に搬入して、支持ピン11上に載置する。そ
して、昇降駆動源13により支持ピン11を上昇させ、
図において二点鎖線で示すように、そこに支持した基板
3を石英板13に近接させる。これにより、低圧水銀ラ
ンプ7からの紫外線は石英板13を介して基板3に照射
され、基板3の処理が行われる。
When the quantity of light of the low-pressure mercury lamp 7 becomes stable, the substrate 3 to be processed first by a carrier device (not shown).
Are carried into the processing chamber 5 and placed on the support pins 11. Then, the support pin 11 is raised by the lifting drive source 13,
As indicated by the chain double-dashed line in the figure, the substrate 3 supported thereon is brought close to the quartz plate 13. Thereby, the ultraviolet rays from the low-pressure mercury lamp 7 are applied to the substrate 3 through the quartz plate 13, and the substrate 3 is processed.

【0020】このとき、空気中の酸素分子より発生した
活性化酸素が基板3上の有機物と反応することにより生
成物が発生するが、基板3が載置された処理室5と低圧
水銀ランプ7とは石英板13により仕切られているた
め、この生成物は石英板13により遮断され、低圧水銀
ランプ7の表面に付着することはない。
At this time, activated oxygen generated from oxygen molecules in the air reacts with organic substances on the substrate 3 to generate a product, but the processing chamber 5 in which the substrate 3 is mounted and the low-pressure mercury lamp 7 are generated. Since it is partitioned by the quartz plate 13, this product is blocked by the quartz plate 13 and does not adhere to the surface of the low-pressure mercury lamp 7.

【0021】基板3を処理室5に搬入することにより基
板3への紫外線の照射を開始してから基板3の処理に必
要な時間が経過すれば、シャッター機構15の軸23を
回転させてシャッター19を石英板13上に展張するこ
とにより、低圧水銀ランプ7からの紫外線を遮断して、
基板3への過剰な紫外線の照射を防止する。
When the time required for processing the substrate 3 elapses after the substrate 3 is loaded into the processing chamber 5 and the irradiation of the substrate 3 with ultraviolet rays is started, the shaft 23 of the shutter mechanism 15 is rotated to release the shutter. By spreading 19 on the quartz plate 13, ultraviolet rays from the low-pressure mercury lamp 7 are blocked,
The substrate 3 is prevented from being irradiated with excessive ultraviolet rays.

【0022】ここで、低圧水銀ランプ7からの紫外線を
シャッター機構15により遮断する理由は以下の通りで
ある。すなわち、基板3は所定のタクトタイムが経過す
るまで基板処理装置1内に載置され、紫外線の照射を受
け続ける。このタクトタイムは基板3の処理全体のタク
トにより定められるため、基板3の処理に必要とされる
紫外線の照射時間とは必ずしも一致しない。このため、
基板3のレイヤー(膜種)によっては、処理に必要な時
間より長く基板処理装置1内に載置されることから、過
剰な紫外線の照射によりダメージを受ける場合がある。
これを防止するため、基板3に必要量の紫外線が照射さ
れた時点で低圧水銀ランプ7を消灯させることも考えら
れるが、低圧水銀ランプ7は一旦消灯すると再点灯後定
常状態で安定するまで長い時間が必要であることから現
実的でない。このため、この実施の形態に係る基板処理
装置1においては、シャッター機構15を設け、基板3
に必要量の紫外線が照射された時点でシャッター19を
閉じて基板3への紫外線の照射を防止している。
The reason why the shutter mechanism 15 blocks the ultraviolet rays from the low-pressure mercury lamp 7 is as follows. That is, the substrate 3 is placed in the substrate processing apparatus 1 and continues to be irradiated with ultraviolet rays until a predetermined takt time elapses. This takt time is determined by the takt time of the entire processing of the substrate 3, and therefore does not necessarily match the irradiation time of the ultraviolet rays required for the processing of the substrate 3. For this reason,
Depending on the layer (film type) of the substrate 3, the substrate 3 may be placed in the substrate processing apparatus 1 longer than the time required for the processing, and thus may be damaged by the irradiation of excessive ultraviolet rays.
In order to prevent this, it is possible to turn off the low-pressure mercury lamp 7 when the substrate 3 is irradiated with a necessary amount of ultraviolet rays. Not realistic because it requires time. Therefore, in the substrate processing apparatus 1 according to this embodiment, the shutter mechanism 15 is provided and the substrate 3
The shutter 19 is closed when the necessary amount of ultraviolet rays are irradiated to prevent the substrate 3 from being irradiated with ultraviolet rays.

【0023】なお、基板3の上方においてシャッター1
9等を移動させた場合には、移動に伴い発生するパーテ
ィクルが基板3に降下するため、通常この種の装置にお
いてはこのようなシャッター機構15は使用されていな
いが、この実施の形態に係る基板処理装置1において
は、シャッター19等の移動経路と支持ピン11上に載
置された基板3との間が石英板13で仕切られているた
め、パーティクルの基板3上への降下を防止することが
でき、シャッター機構15を有効に使用することができ
る。
The shutter 1 is provided above the substrate 3.
When 9 or the like is moved, particles generated by the movement are dropped onto the substrate 3, so such a shutter mechanism 15 is not usually used in this kind of apparatus, but according to this embodiment. In the substrate processing apparatus 1, since the quartz plate 13 separates the movement path of the shutter 19 or the like from the substrate 3 placed on the support pin 11, particles are prevented from falling onto the substrate 3. Therefore, the shutter mechanism 15 can be effectively used.

【0024】その後、所定のタクトタイムが経過すれ
ば、支持ピン11を下降させるとともに、図示しない搬
送装置により処理室5から基板3を搬出する。基板3の
排出が完了すれば、シャッター機構15の軸17を回転
させて、シャッター19を軸17に巻き取る。
After that, when a predetermined takt time has elapsed, the support pins 11 are lowered and the substrate 3 is unloaded from the processing chamber 5 by a transfer device (not shown). When the discharge of the substrate 3 is completed, the shaft 17 of the shutter mechanism 15 is rotated to wind the shutter 19 around the shaft 17.

【0025】そして、次に処理すべき基板3を処理室5
内に搬入して上記と同様の動作を行うことにより基板3
の処理を継続する。
Then, the substrate 3 to be processed next is processed in the processing chamber 5
The substrate 3 is carried in by carrying in the same operation as above.
Continue processing.

【0026】なお、基板3の処理を継続して行った場
合、空気中の酸素分子より発生した活性化酸素と基板3
上の有機物との反応による生成物が石英板13の下面に
付着するため、一定期間ごとに石英板13の下面を清掃
する必要がある。但し、この清掃は、石英板13を拭き
取る等の簡単な作業であり、低圧水銀ランプ7を清掃す
る際のような煩雑な作業ではない。
When the substrate 3 is continuously treated, activated oxygen generated from oxygen molecules in the air and the substrate 3
Since the product of the reaction with the above organic substance adheres to the lower surface of the quartz plate 13, it is necessary to clean the lower surface of the quartz plate 13 at regular intervals. However, this cleaning is a simple operation such as wiping off the quartz plate 13, and is not a complicated operation like cleaning the low-pressure mercury lamp 7.

【0027】上記の実施形態においては、基板3を処理
室に搬入後、基板3の処理に必要な時間が経過した時点
でシャッター19を閉じるようにしているが、シャッタ
ー19を閉じた状態で基板3を搬入し、その後に基板3
の処理に必要な時間だけシャッター19を開放するよう
にしてもよい。
In the above embodiment, the shutter 19 is closed when the time required for processing the substrate 3 has passed after the substrate 3 was loaded into the processing chamber. However, the substrate is kept closed when the shutter 19 is closed. 3 and then board 3
You may make it open the shutter 19 only for the time required for the process of.

【0028】次に、この発明の第2の実施形態を説明す
る。図3はこの発明の第2の実施形態を示す側断面図で
ある。なお、第1の実施形態と同一の部材については同
一の符号を付して説明を省略する。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 3 is a side sectional view showing a second embodiment of the present invention. The same members as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0029】この実施形態においては、基板3を収納す
る処理室5と8本の低圧水銀ランプ7を収納するランプ
ボックス9とは互いに開口部を介して連通している。そ
して、各低圧水銀ランプ7の周囲には、低圧水銀ランプ
7の表面に対して清浄な空気を噴出する気体噴出管33
が配設されている。
In this embodiment, the processing chamber 5 for accommodating the substrate 3 and the lamp box 9 for accommodating the eight low-pressure mercury lamps 7 communicate with each other through the opening. Then, around each low-pressure mercury lamp 7, a gas jet pipe 33 for jetting clean air to the surface of the low-pressure mercury lamp 7.
Are arranged.

【0030】図4は、この気体噴出管33を示す側面概
要図であり、図5はその正面概要図である。これらの図
に示すように、気体噴出管33は、低圧水銀ランプ7の
外周を囲む螺旋状の中空管より構成されており、その一
端は図示しない空気供給源と接続されている。また、気
体噴出管33における低圧水銀ランプ7の表面と対向す
る部分には、複数の噴出孔35が穿設されている。この
気体噴出管33の一端より清浄な空気を供給することに
より、噴出口35から低圧水銀ランプ7に向けて空気が
噴出し、低圧水銀ランプ7の表面は清浄な空気で覆われ
る。
FIG. 4 is a schematic side view showing the gas ejection pipe 33, and FIG. 5 is a schematic front view thereof. As shown in these drawings, the gas ejection pipe 33 is constituted by a spiral hollow pipe surrounding the outer circumference of the low-pressure mercury lamp 7, and one end thereof is connected to an air supply source (not shown). In addition, a plurality of ejection holes 35 are formed in a portion of the gas ejection tube 33 that faces the surface of the low-pressure mercury lamp 7. By supplying clean air from one end of the gas ejection pipe 33, air is ejected from the ejection port 35 toward the low pressure mercury lamp 7, and the surface of the low pressure mercury lamp 7 is covered with clean air.

【0031】次に、第2の実施形態に係る基板処理装置
1における基板処理工程について説明する。
Next, a substrate processing process in the substrate processing apparatus 1 according to the second embodiment will be described.

【0032】この実施の形態に係る基板処理装置1にお
いて基板3を処理する際には、低圧水銀ランプ7を点灯
させるとともに、気体噴出管33の噴出孔35より低圧
水銀ランプ7の表面に向けて清浄な空気を噴出する。こ
れにより、低圧水銀ランプ7の表面は常に清浄な空気に
覆われることになる。なお、第1の実施形態と同様、低
圧水銀ランプ7としてより波長の短い紫外線を照射する
ランプを使用する場合には、波長の短い紫外線は空気中
の酸素分子等により減衰することから、清浄な空気に換
えて清浄な窒素ガス等を使用すればよい。
When the substrate 3 is processed in the substrate processing apparatus 1 according to this embodiment, the low pressure mercury lamp 7 is turned on, and the gas is ejected from the ejection holes 35 of the gas ejection pipe 33 toward the surface of the low pressure mercury lamp 7. Ejects clean air. As a result, the surface of the low-pressure mercury lamp 7 is always covered with clean air. As in the case of the first embodiment, when the low pressure mercury lamp 7 is a lamp that irradiates ultraviolet rays having a shorter wavelength, the ultraviolet rays having a shorter wavelength are attenuated by oxygen molecules in the air. Instead of air, clean nitrogen gas or the like may be used.

【0033】次に、図示しない搬送装置により、最初に
処理を行うべき基板3を処理室5に搬入して、支持ピン
11上に載置する。そして、昇降駆動源13により支持
ピン11を上昇させ、図において二点鎖線で示すよう
に、そこに支持した基板3を低圧水銀ランプ7に近接さ
せる。これにより、低圧水銀ランプ7からの紫外線は、
基板3に照射され、基板3の処理が行われる。
Next, the substrate 3 to be processed first is carried into the processing chamber 5 by a transfer device (not shown) and placed on the support pins 11. Then, the support pins 11 are raised by the lifting drive source 13, and the substrate 3 supported thereon is brought close to the low-pressure mercury lamp 7 as shown by the chain double-dashed line in the figure. Thereby, the ultraviolet rays from the low-pressure mercury lamp 7
The substrate 3 is irradiated and the substrate 3 is processed.

【0034】このとき、空気中の酸素分子より発生した
活性化酸素が基板の有機物と反応することにより生成物
が発生するが、低圧水銀ランプ7の表面は気体噴出管3
3の噴出孔35より噴出される清浄な空気に覆われてい
るため、この生成物が低圧水銀ランプ7の表面に付着す
ることはない。
At this time, activated oxygen generated from oxygen molecules in the air reacts with organic substances on the substrate to generate a product, but the surface of the low-pressure mercury lamp 7 has a gas ejection tube 3
Since the product is covered with the clean air ejected from the ejection holes 35 of No. 3, the product does not adhere to the surface of the low pressure mercury lamp 7.

【0035】その後、所定のタクトタイムが経過すれ
ば、支持ピン11を下降させるとともに、図示しない搬
送装置により処理室5から基板3を搬出する。そして、
次に処理すべき基板3を処理室5内に搬入して上記と同
様の動作を行うことにより基板3の処理を継続する。
After that, when a predetermined tact time elapses, the support pin 11 is lowered and the substrate 3 is unloaded from the processing chamber 5 by a transfer device (not shown). And
The substrate 3 to be processed next is carried into the processing chamber 5 and the same operation as described above is performed to continue the processing of the substrate 3.

【0036】なお、上記気体噴出管33に換えて、図6
および図7に示すような複数の気体噴出管43を使用し
てもよい。この気体噴出管43は、低圧水銀ランプ7の
表面から一定距離離隔して配置された3本の中空管より
構成されており、各気体噴出管43における低圧水銀ラ
ンプ7の表面と対向する部分には、複数の噴出孔45が
穿設されている。このような構成をとった場合において
も、各気体噴出管43の一端より清浄な空気を供給する
ことにより、噴出口45から低圧水銀ランプ7に向けて
空気が噴出し、低圧水銀ランプ7の表面は清浄な空気で
覆われる。
In addition, instead of the gas jet pipe 33, the gas jet pipe 33 shown in FIG.
Also, a plurality of gas ejection pipes 43 as shown in FIG. 7 may be used. The gas ejection tube 43 is composed of three hollow tubes arranged at a certain distance from the surface of the low-pressure mercury lamp 7, and a portion of each gas ejection tube 43 facing the surface of the low-pressure mercury lamp 7. A plurality of ejection holes 45 are bored in this. Even when such a configuration is adopted, by supplying clean air from one end of each gas ejection pipe 43, air is ejected from the ejection port 45 toward the low-pressure mercury lamp 7 and the surface of the low-pressure mercury lamp 7 is ejected. Is covered with clean air.

【0037】前述した各実施形態においては、基板3に
対し紫外線を照射してオゾンを発生させ、基板表面の有
機物を分解し、基板表面を親水化させて後段の処理にお
ける洗浄効果を高めるために使用される基板処理装置1
にこの発明を適用したものについて説明したが、この発
明は、基板3に対し紫外線を照射するその他の基板処理
装置にも同様に適用することができる。
In each of the above-described embodiments, the substrate 3 is irradiated with ultraviolet rays to generate ozone, the organic substances on the substrate surface are decomposed, and the substrate surface is made hydrophilic to enhance the cleaning effect in the subsequent processing. Substrate processing apparatus 1 used
However, the present invention can be similarly applied to other substrate processing apparatuses that irradiate the substrate 3 with ultraviolet rays.

【0038】[0038]

【発明の効果】請求項1に記載の発明によれば、低圧水
銀ランプを収納するランプボックスと基板の処理部との
間に紫外線透過板を配設しているため、空気中の酸素分
子より発生した活性化酸素と基板上の有機物との反応に
よる生成物が低圧水銀ランプの表面に付着することによ
り生じる低圧水銀ランプ表面の白濁を防止できる。
According to the first aspect of the present invention, since the ultraviolet ray transmitting plate is arranged between the lamp box accommodating the low-pressure mercury lamp and the processing part of the substrate, the oxygen molecules in the air can be removed. It is possible to prevent white turbidity on the surface of the low-pressure mercury lamp, which is caused by the product of the reaction between the generated activated oxygen and the organic matter on the substrate being attached to the surface of the low-pressure mercury lamp.

【0039】また、請求項2に記載の発明によれば、基
板に適量の紫外線が照射された時点でシャッターにより
基板への紫外線の照射を遮断することができるので、基
板への過剰な紫外線の照射を防止することができる。こ
のとき、ランプボックスと基板の処理部との間に紫外線
透過板を配設しているため、シャッターの開閉により発
生するパーティクルの基板への付着を防止することがで
きる。
According to the second aspect of the present invention, the irradiation of ultraviolet rays onto the substrate can be blocked by the shutter when the substrate is irradiated with an appropriate amount of ultraviolet rays. Irradiation can be prevented. At this time, since the ultraviolet ray transmitting plate is arranged between the lamp box and the processing part of the substrate, it is possible to prevent particles generated by opening and closing the shutter from adhering to the substrate.

【0040】さらに、請求項3に記載の発明によれば、
低圧水銀ランプの表面に気体を吹き付ける構成であるた
め、空気中の酸素分子より発生した活性化酸素と基板上
の有機物との反応による生成物が低圧水銀ランプの表面
に付着することにより生じる低圧水銀ランプ表面の白濁
を防止できる。
Further, according to the invention of claim 3,
Since the composition is such that gas is blown onto the surface of the low-pressure mercury lamp, the low-pressure mercury generated when the product of the reaction between activated oxygen generated from oxygen molecules in the air and the organic matter on the substrate adheres to the surface of the low-pressure mercury lamp It is possible to prevent white turbidity on the lamp surface.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明に係る基板処理装置の第1の実施形態
を示す側断面図である。
FIG. 1 is a side sectional view showing a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】シャッター機構15を示す概要図である。FIG. 2 is a schematic view showing a shutter mechanism 15.

【図3】この発明に係る基板処理装置の第2の実施形態
を示す側断面図である。
FIG. 3 is a side sectional view showing a second embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.

【図4】気体噴出管33を示す側面概要図である。FIG. 4 is a schematic side view showing a gas ejection pipe 33.

【図5】気体噴出管33を示す正面概要図である。5 is a schematic front view showing a gas ejection pipe 33. FIG.

【図6】気体噴出管43を示す側面概要図である。FIG. 6 is a schematic side view showing a gas ejection pipe 43.

【図7】気体噴出管43を示す正面概要図である。FIG. 7 is a schematic front view showing a gas ejection pipe 43.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板処理装置 3 基板 5 処理室 7 低圧水銀ランプ 9 ランプボックス 11 支持ピン 13 石英板 15 シャッター機構 33、43 気体噴出管 35、45 噴出孔 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate processing apparatus 3 Substrate 5 Processing chamber 7 Low-pressure mercury lamp 9 Lamp box 11 Support pin 13 Quartz plate 15 Shutter mechanism 33, 43 Gas ejection pipe 35, 45 Ejection hole

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 紫外線を基板表面に照射して基板を処理
する基板処理装置であって、 基板を支持する支持手段を有する基板処理部と、 前記基板処理部と対向して配置されたランプボックス
と、 前記ランプボックス内に収納され、前記支持手段に支持
された基板に対し紫外線を照射する低圧水銀ランプと、 前記基板処理部と前記ランプボックスとの間に配設され
た紫外線透過板と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
1. A substrate processing apparatus for processing a substrate by irradiating a substrate surface with ultraviolet rays, comprising: a substrate processing section having a supporting means for supporting the substrate; and a lamp box arranged to face the substrate processing section. A low-pressure mercury lamp that is housed in the lamp box and irradiates the substrate supported by the supporting means with ultraviolet rays; and an ultraviolet transmitting plate disposed between the substrate processing unit and the lamp box. A substrate processing apparatus comprising:
【請求項2】 低圧水銀ランプと紫外線透過板との間を
開閉可能な紫外線非透過部材より成るシャッターを設け
た請求項1に記載の基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising a shutter made of an ultraviolet non-transmissive member that can be opened and closed between the low-pressure mercury lamp and the ultraviolet transmissive plate.
【請求項3】 紫外線を基板表面に照射して基板を処理
する基板処理装置であって、 基板を支持する支持手段と、 前記支持手段に支持された基板に対し紫外線を照射する
低圧水銀ランプと、 前記低圧水銀ランプの表面に気体を吹き付ける気体供給
手段と、 を備えたことを特徴とする基板処理装置。
3. A substrate processing apparatus for processing a substrate by irradiating the surface of the substrate with ultraviolet rays, comprising: a supporting means for supporting the substrate; and a low-pressure mercury lamp for irradiating the substrate supported by the supporting means with ultraviolet rays. A substrate processing apparatus, comprising: a gas supply unit that sprays a gas onto the surface of the low-pressure mercury lamp.
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