JPH0981966A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPH0981966A JPH0981966A JP7235132A JP23513295A JPH0981966A JP H0981966 A JPH0981966 A JP H0981966A JP 7235132 A JP7235132 A JP 7235132A JP 23513295 A JP23513295 A JP 23513295A JP H0981966 A JPH0981966 A JP H0981966A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- recording
- groove
- wavelength
- substrate
- laser light
- Prior art date
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- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的短波長のレーザー光を用いて、微小記
録部形成による高密度化するのに適した光記録媒体を提
供する。 【解決手段】 透明基板上に、少なくとも、有機色素を
含有する記録層、金属反射層がこの順に積層されてお
り、透明基板側から波長６００〜７００ｎｍのレーザー
光を入射することにより局所的に光学的な変化を生じせ
しめて記録ビットを形成させることができ、かつ、同波
長のレーザー光によって記録再生が可能な光記録媒体で
あって、基板上のトラッキングサーボ用の案内溝に記録
を行い、かつ、案内溝が、溝の深さが１４０〜２００ｎ
ｍ、溝幅が、０.４０λ／ＮＡμｍ以下（λは記録レー
ザー光の波長、ＮＡはレーザー光集束用レンズの開口
数）であるＵ字型溝である光記録媒体。
録部形成による高密度化するのに適した光記録媒体を提
供する。 【解決手段】 透明基板上に、少なくとも、有機色素を
含有する記録層、金属反射層がこの順に積層されてお
り、透明基板側から波長６００〜７００ｎｍのレーザー
光を入射することにより局所的に光学的な変化を生じせ
しめて記録ビットを形成させることができ、かつ、同波
長のレーザー光によって記録再生が可能な光記録媒体で
あって、基板上のトラッキングサーボ用の案内溝に記録
を行い、かつ、案内溝が、溝の深さが１４０〜２００ｎ
ｍ、溝幅が、０.４０λ／ＮＡμｍ以下（λは記録レー
ザー光の波長、ＮＡはレーザー光集束用レンズの開口
数）であるＵ字型溝である光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光記録媒体に関し、
詳しくはレーザー光により記録できる光記録媒体に関す
る。
詳しくはレーザー光により記録できる光記録媒体に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、高密度記録のため、レーザー光の
発振波長の短波長化が注目され、７８０ｎｍ、８３０ｎ
ｍよりも短波長のレーザー光で記録再生可能な光記録媒
体が求められている。かかる状況においては、さまざま
な記録媒体があるが、その中で、有機色素系光記録媒体
には、ＣＤ互換性のあるタイプの光ディスク（ＣＤー
Ｒ）が７８０ｎｍにおいてすでに実用化されている。一
方、短波長用途の有機色素系媒体としては、数々の提案
があり、例えば、特開平４ー７４６９０号公報、特開平
４ー２３８０３６号公報、特開平５ー３８８７８号公報
等がある。しかしこれらは、７８０ｎｍでのＣＤーＲの
知見をそのまま短波長に適用したものである。従って、
短波長化のメリットである、微小記録部形成による高密
度化を実現するための、短波長特有の要請を満たす要件
が明らかにされていない。７８０ｎｍでの記録では、色
素の熱分解による、吸収と膜厚の減少とともに、基板の
軟化による変形の両方が起こり、横に膨れた凹凸部が形
成されることは周知のことである。横に広がるほど、凹
凸の度合いが大きいほど、大きな記録変調度が得られ
る。
発振波長の短波長化が注目され、７８０ｎｍ、８３０ｎ
ｍよりも短波長のレーザー光で記録再生可能な光記録媒
体が求められている。かかる状況においては、さまざま
な記録媒体があるが、その中で、有機色素系光記録媒体
には、ＣＤ互換性のあるタイプの光ディスク（ＣＤー
Ｒ）が７８０ｎｍにおいてすでに実用化されている。一
方、短波長用途の有機色素系媒体としては、数々の提案
があり、例えば、特開平４ー７４６９０号公報、特開平
４ー２３８０３６号公報、特開平５ー３８８７８号公報
等がある。しかしこれらは、７８０ｎｍでのＣＤーＲの
知見をそのまま短波長に適用したものである。従って、
短波長化のメリットである、微小記録部形成による高密
度化を実現するための、短波長特有の要請を満たす要件
が明らかにされていない。７８０ｎｍでの記録では、色
素の熱分解による、吸収と膜厚の減少とともに、基板の
軟化による変形の両方が起こり、横に膨れた凹凸部が形
成されることは周知のことである。横に広がるほど、凹
凸の度合いが大きいほど、大きな記録変調度が得られ
る。
【０００３】また、溝形状については、特開平４ー１０
９４４１号公報、特開平５ー２７７１号公報、特開平５
ー１９８０１３号公報等に、７８０ｎｍ近傍の波長につ
いての知見が示されているが、これらは、高密度記録用
途にレーザー光を十分集束した特別な系については十分
な説明がなされていない。
９４４１号公報、特開平５ー２７７１号公報、特開平５
ー１９８０１３号公報等に、７８０ｎｍ近傍の波長につ
いての知見が示されているが、これらは、高密度記録用
途にレーザー光を十分集束した特別な系については十分
な説明がなされていない。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来技術では、記録時
に色素の分解と基板の変形の両方により記録変調度を得
ているが、記録部の変形が大きく、高密度化のためにト
ラックピッチを従来の１.６μｍから１μｍ以下にした
場合にはクロストークが問題となる。また、従来の溝設
計では、高密度化用にレーザー光集束用レンズの開口数
（ＮＡ）が大きなレーザーヘッドを使用する際に、ビー
ム径よりも大きな記録ビットを形成するため、記録部と
未記録部の反射率コントラストを有効に得ることが困難
である。
に色素の分解と基板の変形の両方により記録変調度を得
ているが、記録部の変形が大きく、高密度化のためにト
ラックピッチを従来の１.６μｍから１μｍ以下にした
場合にはクロストークが問題となる。また、従来の溝設
計では、高密度化用にレーザー光集束用レンズの開口数
（ＮＡ）が大きなレーザーヘッドを使用する際に、ビー
ム径よりも大きな記録ビットを形成するため、記録部と
未記録部の反射率コントラストを有効に得ることが困難
である。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明者は、波長６００
〜７００ｎｍでの高密度記録を実現するための良好な微
小記録部を形成し、かつ、十分な記録変調度を有する案
内溝の形状を鋭意検討した結果、本発明に到達した。本
発明の要旨は、透明基板上に、少なくとも、有機色素を
含有する記録層、金属反射層がこの順に積層されてお
り、透明基板側から波長６００〜７００ｎｍのレーザー
光を入射することにより局所的に光学的な変化を生じせ
しめて記録ビットを形成させることができ、かつ、同波
長のレーザー光によって記録再生が可能な光記録媒体で
あって、基板上のトラッキングサーボ用の案内溝に記録
を行い、かつ、案内溝が、溝の深さが１４０〜２００ｎ
ｍ、溝幅が、０.４０λ／ＮＡμｍ以下（λは記録レー
ザー光の波長、ＮＡはレーザー光集束用レンズの開口
数）であるＵ字型溝であることを特徴とする光記録媒体
に存する。
〜７００ｎｍでの高密度記録を実現するための良好な微
小記録部を形成し、かつ、十分な記録変調度を有する案
内溝の形状を鋭意検討した結果、本発明に到達した。本
発明の要旨は、透明基板上に、少なくとも、有機色素を
含有する記録層、金属反射層がこの順に積層されてお
り、透明基板側から波長６００〜７００ｎｍのレーザー
光を入射することにより局所的に光学的な変化を生じせ
しめて記録ビットを形成させることができ、かつ、同波
長のレーザー光によって記録再生が可能な光記録媒体で
あって、基板上のトラッキングサーボ用の案内溝に記録
を行い、かつ、案内溝が、溝の深さが１４０〜２００ｎ
ｍ、溝幅が、０.４０λ／ＮＡμｍ以下（λは記録レー
ザー光の波長、ＮＡはレーザー光集束用レンズの開口
数）であるＵ字型溝であることを特徴とする光記録媒体
に存する。
【０００６】
【発明の実施の形態】本発明において、透明基板はポリ
カーボネート、ポリメチルメタクリレート、非晶質ポリ
オレフィン、ガラス等公知のものが用いられる。その基
板は、サーボ用の案内溝を有している。この溝は、従
来、サーボ用のものであるが、本発明の光記録媒体にお
いては、さらに、記録ビット形成が溝の壁により拘束を
受け、ビットの半径方向への広がりを抑制し、高密度化
に有利なスマートな記録部を形成せしめる、いわゆる形
状効果を有する、という点において、特に重要である。
この溝は、本発明においては、深さが１４０〜２００ｎ
ｍであり、溝幅は、０.４０λ／ＮＡμｍ以下（λ：波
長、ＮＡ：レーザー光集束用レンズの開口数）であり、
Ｕ字型溝である。溝深さが１４０ｎｍより浅い場合に
は、十分なトラッキング誤差信号を得るために色素膜厚
を薄くする必要があり、そのために記録感度が悪くなる
恐れがある。また、２００ｎｍよりも深い場合には、溝
部からの反射率が十分得られない恐れがある。
カーボネート、ポリメチルメタクリレート、非晶質ポリ
オレフィン、ガラス等公知のものが用いられる。その基
板は、サーボ用の案内溝を有している。この溝は、従
来、サーボ用のものであるが、本発明の光記録媒体にお
いては、さらに、記録ビット形成が溝の壁により拘束を
受け、ビットの半径方向への広がりを抑制し、高密度化
に有利なスマートな記録部を形成せしめる、いわゆる形
状効果を有する、という点において、特に重要である。
この溝は、本発明においては、深さが１４０〜２００ｎ
ｍであり、溝幅は、０.４０λ／ＮＡμｍ以下（λ：波
長、ＮＡ：レーザー光集束用レンズの開口数）であり、
Ｕ字型溝である。溝深さが１４０ｎｍより浅い場合に
は、十分なトラッキング誤差信号を得るために色素膜厚
を薄くする必要があり、そのために記録感度が悪くなる
恐れがある。また、２００ｎｍよりも深い場合には、溝
部からの反射率が十分得られない恐れがある。
【０００７】溝幅が０.４０λ／ＮＡよりも広い場合に
は、レーザービーム径（ＦＷＨＭ：光ビームスポットの
半値全幅＝０.５２λ／ＮＡ）にたいして大きい傾向に
あるので、記録部と未記録部の形状変化、光学的変化が
小さくなり、十分大きな記録変調度を得ることが困難と
なる。また、通常、０.３０μｍよりも狭い溝は、加工
上困難である上に、プッシュプル信号が十分得られず、
また、溝部の塗布色素液の十分な被覆が困難となる恐れ
があるので好ましくない。本発明において、記録により
わずかに溝幅が広がり、それと色素の分解による記録層
の屈折率と消衰係数の変化の両方により光学的変化が生
じ、記録部と未記録部の反射率コントラストが生じる。
従って、レーザービームが絞られている条件では、コン
トラストを有効に利用でき、かつ加工が容易な範囲が、
通常は溝幅０.３０μｍ〜０.４０λ／ＮＡμｍというこ
とである。また、この範囲において、良好なラジアルコ
ントラスト、すなわち、高グルーブ反射率が得られる。
このように、形状変化は溝幅のわずかな広がりであるか
ら、トラックピッチが１μｍ以下の狭い条件下において
も、クロストークが十分に小さい。また、Ｕ字溝の方
が、Ｖ字溝よりも溝の壁による形状効果があるために、
微小記録部を形成するためには好ましい。
は、レーザービーム径（ＦＷＨＭ：光ビームスポットの
半値全幅＝０.５２λ／ＮＡ）にたいして大きい傾向に
あるので、記録部と未記録部の形状変化、光学的変化が
小さくなり、十分大きな記録変調度を得ることが困難と
なる。また、通常、０.３０μｍよりも狭い溝は、加工
上困難である上に、プッシュプル信号が十分得られず、
また、溝部の塗布色素液の十分な被覆が困難となる恐れ
があるので好ましくない。本発明において、記録により
わずかに溝幅が広がり、それと色素の分解による記録層
の屈折率と消衰係数の変化の両方により光学的変化が生
じ、記録部と未記録部の反射率コントラストが生じる。
従って、レーザービームが絞られている条件では、コン
トラストを有効に利用でき、かつ加工が容易な範囲が、
通常は溝幅０.３０μｍ〜０.４０λ／ＮＡμｍというこ
とである。また、この範囲において、良好なラジアルコ
ントラスト、すなわち、高グルーブ反射率が得られる。
このように、形状変化は溝幅のわずかな広がりであるか
ら、トラックピッチが１μｍ以下の狭い条件下において
も、クロストークが十分に小さい。また、Ｕ字溝の方
が、Ｖ字溝よりも溝の壁による形状効果があるために、
微小記録部を形成するためには好ましい。
【０００８】溝幅、溝深さの測定は、レーザー光を基板
の溝の付いていない側から照射し、透過光について基板
の溝により回折した０次光強度Ｉ0、１次光強度Ｉ1、２次
光強度Ｉ2、および、回折光の角度を測定することにより
行う。Ｐをトラックピッチ、ｗを溝幅、ｄを溝深さ、λ
をレーザー光波長、θを０次光と１次光の間の角度とし
た場合、溝が矩形のときには、
の溝の付いていない側から照射し、透過光について基板
の溝により回折した０次光強度Ｉ0、１次光強度Ｉ1、２次
光強度Ｉ2、および、回折光の角度を測定することにより
行う。Ｐをトラックピッチ、ｗを溝幅、ｄを溝深さ、λ
をレーザー光波長、θを０次光と１次光の間の角度とし
た場合、溝が矩形のときには、
【０００９】
【数１】Ｉ2/Ｉ1=ｃｏｓ2(πε） ε＝ｗ／Ｐ δ＝２（ｎー１）πｄ／λ （ｎ：基板の屈折率＝
１.５８） Ｐ＝λ／ｓｉｎθ
１.５８） Ｐ＝λ／ｓｉｎθ
【００１０】の関係が成り立つため、溝幅、溝深さが計
算される。実際には、溝形状は完全な矩形ではなく、若
干、角がとれたＵ字型となるが、本発明では、溝形状と
して、上記の測定法により測定される溝の幅、および深
さの値を用いることができる。また、溝の壁の傾斜角が
６０゜以上の場合にはほぼ一義的に溝幅、溝深さを決定
できる。また、それ以外の場合でも、ＳＴＭや断面形状
ＳＥＭ等の手段を併用しることにより、上記の方法で一
義的に溝幅、溝深さを決定できる。したがって、本発明
における溝形状は、完全な矩形からずれた場合であって
も適用される。トラックピッチは、高容量化の用途に
は、好ましくは０.７０〜１.０μｍ、特に好ましくは、
０.７０〜０.８０μｍである。
算される。実際には、溝形状は完全な矩形ではなく、若
干、角がとれたＵ字型となるが、本発明では、溝形状と
して、上記の測定法により測定される溝の幅、および深
さの値を用いることができる。また、溝の壁の傾斜角が
６０゜以上の場合にはほぼ一義的に溝幅、溝深さを決定
できる。また、それ以外の場合でも、ＳＴＭや断面形状
ＳＥＭ等の手段を併用しることにより、上記の方法で一
義的に溝幅、溝深さを決定できる。したがって、本発明
における溝形状は、完全な矩形からずれた場合であって
も適用される。トラックピッチは、高容量化の用途に
は、好ましくは０.７０〜１.０μｍ、特に好ましくは、
０.７０〜０.８０μｍである。
【００１１】記録層は、たとえば、有機色素をエタノー
ル、３ーヒドロキシー３ーメチルー２ーブタノン、ジア
セトンアルコール、フッ素系アルコール等の溶媒に溶か
した溶液をスピンコートして得られる。膜厚は、溝部で
７０ｎｍから２００ｎｍ程度が好ましい。７０ｎｍ未満
では薄すぎて良好な記録感度が得られないことがある。
また、２００ｎｍよりも厚い場合には反射率が低い上
に、溝深さによっては、トラッキングがかからなくなる
恐れがある。また、記録部の半径方向の広がりも大きく
なり、溝から大幅にはみだす恐れがある。記録層を構成
する有機色素の熱的特性は記録特性に大きく影響し、短
波長高容量用途として十分な特性を得るためには、分解
時の減量が総重量の２５％以上で、その減量速度が大き
いものほど良い。なお、分解による減量開始温度は、２
５０℃〜３４０℃が好ましい。有機色素としては６００
〜７００ｎｍの波長での光記録媒体に使用できるもので
あればいずれでもよく、例えば、含金属アゾ系色素や、
ジベンゾフラノン系、含金属インドアニリン系色素等が
あり、この有機色素を２種以上混ぜて使用してもよい。
また、有機色素層より成る記録層の記録再生波長±５ｎ
ｍの範囲での屈折率ｎが２〜３、消衰係数ｋが０.０３
〜０.１５であることが好ましい。この範囲をはずれる
と、記録時の十分な変調度、および、反射率が得られに
くい。
ル、３ーヒドロキシー３ーメチルー２ーブタノン、ジア
セトンアルコール、フッ素系アルコール等の溶媒に溶か
した溶液をスピンコートして得られる。膜厚は、溝部で
７０ｎｍから２００ｎｍ程度が好ましい。７０ｎｍ未満
では薄すぎて良好な記録感度が得られないことがある。
また、２００ｎｍよりも厚い場合には反射率が低い上
に、溝深さによっては、トラッキングがかからなくなる
恐れがある。また、記録部の半径方向の広がりも大きく
なり、溝から大幅にはみだす恐れがある。記録層を構成
する有機色素の熱的特性は記録特性に大きく影響し、短
波長高容量用途として十分な特性を得るためには、分解
時の減量が総重量の２５％以上で、その減量速度が大き
いものほど良い。なお、分解による減量開始温度は、２
５０℃〜３４０℃が好ましい。有機色素としては６００
〜７００ｎｍの波長での光記録媒体に使用できるもので
あればいずれでもよく、例えば、含金属アゾ系色素や、
ジベンゾフラノン系、含金属インドアニリン系色素等が
あり、この有機色素を２種以上混ぜて使用してもよい。
また、有機色素層より成る記録層の記録再生波長±５ｎ
ｍの範囲での屈折率ｎが２〜３、消衰係数ｋが０.０３
〜０.１５であることが好ましい。この範囲をはずれる
と、記録時の十分な変調度、および、反射率が得られに
くい。
【００１２】金属反射層は、記録層を透過したレーザー
光を効率良く反射する金属膜であり、６００ｎｍ〜７０
０ｎｍで反射率が低下しないという理由で、記録再生波
長±５ｎｍの範囲での屈折率ｎが０.１〜０.２、消衰係
数ｋが３〜５であるものが好ましく、例えば金、銀、ア
ルミニウム等を主とする金属反射膜が例示できる。特に
銀を主成分とする金属反射膜が好ましい。膜厚は、６０
ｎｍ以上で、記録感度を悪化させすぎない程度の膜厚が
好ましい。
光を効率良く反射する金属膜であり、６００ｎｍ〜７０
０ｎｍで反射率が低下しないという理由で、記録再生波
長±５ｎｍの範囲での屈折率ｎが０.１〜０.２、消衰係
数ｋが３〜５であるものが好ましく、例えば金、銀、ア
ルミニウム等を主とする金属反射膜が例示できる。特に
銀を主成分とする金属反射膜が好ましい。膜厚は、６０
ｎｍ以上で、記録感度を悪化させすぎない程度の膜厚が
好ましい。
【００１３】反射層の上に、ある程度の弾性率を有する
樹脂層、例えばＵＶ硬化樹脂を積層したり、ホットメル
トやＵＶ硬化タイプの接着層を設けて２枚のディスクの
はりあわせを行ったりすることもできる。
樹脂層、例えばＵＶ硬化樹脂を積層したり、ホットメル
トやＵＶ硬化タイプの接着層を設けて２枚のディスクの
はりあわせを行ったりすることもできる。
【００１４】
実施例１ 溝深さ２００ｎｍ、溝幅が０．４４μｍ、すなわち０．
３９λ/ＮＡ（λ＝０．６８μｍ、ＮＡ＝０．６）のＵ
字案内溝を有するポリカーボネート基板（トラックピッ
チ１.６μｍ）上に、下記構造式１
３９λ/ＮＡ（λ＝０．６８μｍ、ＮＡ＝０．６）のＵ
字案内溝を有するポリカーボネート基板（トラックピッ
チ１.６μｍ）上に、下記構造式１
【００１５】
【化１】
【００１６】で示される含金属アゾ色素０.０１５ｇを
オクタフルオロプロパノール３ｇに溶解し、回転数８０
０ｒｐｍでスピンコートし、記録層とした。記録層は膜
厚１２０ｎｍで、６８０ｎｍでの屈折率ｎ、消衰係数ｋ
はそれぞれ、２.４、０.３５であった。この色素の分解
時の減量は、総重量の２５.２％であった。この記録層
の上に金を６０ｎｍの厚さだけスパッタした。（金の６
８０ｎｍでの屈折率ｎ、消衰係数ｋはそれぞれ、０.１
３と３.８９であった。）このディスクを、λ＝０.６８
μｍ，ＮＡ＝０.６の半導体レーザー評価機で、線速度
３ｍ/ｓで溝上に、１ＭＨｚ、２.４ＭＨｚ、３ＭＨｚ
３０％のデューティー比の記録周波数で、それぞれ１０
トラックずつ、記録パワー１０ｍＷの記録を行い、それ
ぞれの条件のまん中のトラック、つまり、５トラック目
の信号特性を調べた。結果は表−１の実施例１の欄に示
すごとく、高記録変調度、高Ｃ/Ｎ、低クロストーク、
高グルーブ反射率を示し、良好な結果を示した。なお、
クロストークの指標として、ここでは、［隣接ランド部
での再生信号強度（Ｃ／Ｎ（ｄＢ））／グルーブ部記録
再生信号強度（Ｃ／Ｎ（ｄＢ））］（％）で示し、この
値が小さいほどクロストークが小さく良好であることを
意味する。また、Ｒｇ/Ｒｌ（％）は、溝部反射率とラ
ンド部反射率の比であり、この値がある程度大きい方が
好ましい。
オクタフルオロプロパノール３ｇに溶解し、回転数８０
０ｒｐｍでスピンコートし、記録層とした。記録層は膜
厚１２０ｎｍで、６８０ｎｍでの屈折率ｎ、消衰係数ｋ
はそれぞれ、２.４、０.３５であった。この色素の分解
時の減量は、総重量の２５.２％であった。この記録層
の上に金を６０ｎｍの厚さだけスパッタした。（金の６
８０ｎｍでの屈折率ｎ、消衰係数ｋはそれぞれ、０.１
３と３.８９であった。）このディスクを、λ＝０.６８
μｍ，ＮＡ＝０.６の半導体レーザー評価機で、線速度
３ｍ/ｓで溝上に、１ＭＨｚ、２.４ＭＨｚ、３ＭＨｚ
３０％のデューティー比の記録周波数で、それぞれ１０
トラックずつ、記録パワー１０ｍＷの記録を行い、それ
ぞれの条件のまん中のトラック、つまり、５トラック目
の信号特性を調べた。結果は表−１の実施例１の欄に示
すごとく、高記録変調度、高Ｃ/Ｎ、低クロストーク、
高グルーブ反射率を示し、良好な結果を示した。なお、
クロストークの指標として、ここでは、［隣接ランド部
での再生信号強度（Ｃ／Ｎ（ｄＢ））／グルーブ部記録
再生信号強度（Ｃ／Ｎ（ｄＢ））］（％）で示し、この
値が小さいほどクロストークが小さく良好であることを
意味する。また、Ｒｇ/Ｒｌ（％）は、溝部反射率とラ
ンド部反射率の比であり、この値がある程度大きい方が
好ましい。
【００１７】実施例２〜３、比較例１〜３ 実施例１において、基板を表−１に記載のように変えた
以外は全く同様にした。結果を表−１に示す。
以外は全く同様にした。結果を表−１に示す。
【００１８】
【表１】
【００１９】実施例４ 実施例１において、基板を、トラックピッチ１μｍ、溝
深さ１８０ｎｍ、溝幅０．３７μｍ、すなわち０．３３
（λ／ＮＡ）のＵ字案内溝を有するポリカーボネート基
板に変えた他は同様にして光記録媒体を作成した。この
光記録媒体に、λ＝０.６８μｍ，ＮＡ＝０.６の半導体
レーザー評価機で、線速度３ｍ/ｓで溝上に、３ＭＨｚ
３０％のデューティー比の記録周波数で、それぞれ１
０トラックずつ、記録パワー１０ｍＷの記録を行い、そ
れぞれの条件のまん中のトラック、つまり、５トラック
目の信号特性を調べた。その結果、記録変調度は４０％
であり、Ｃ／Ｎは４５ｄＢであり、クロストークは（グ
ルーブ部記録信号強度−隣接グルーブでの再生信号強
度）で２５ｄＢであり、Ｒｇ／Ｒｌ＝４５％であった。
深さ１８０ｎｍ、溝幅０．３７μｍ、すなわち０．３３
（λ／ＮＡ）のＵ字案内溝を有するポリカーボネート基
板に変えた他は同様にして光記録媒体を作成した。この
光記録媒体に、λ＝０.６８μｍ，ＮＡ＝０.６の半導体
レーザー評価機で、線速度３ｍ/ｓで溝上に、３ＭＨｚ
３０％のデューティー比の記録周波数で、それぞれ１
０トラックずつ、記録パワー１０ｍＷの記録を行い、そ
れぞれの条件のまん中のトラック、つまり、５トラック
目の信号特性を調べた。その結果、記録変調度は４０％
であり、Ｃ／Ｎは４５ｄＢであり、クロストークは（グ
ルーブ部記録信号強度−隣接グルーブでの再生信号強
度）で２５ｄＢであり、Ｒｇ／Ｒｌ＝４５％であった。
【００２０】
【発明の効果】基板の溝形状を最適化することにより、
十分大きな記録変調度と、十分小さなクロストークと、
溝反射率を有する、波長６００ｎｍ〜７００ｎｍの短波
長記録に好適な媒体を提供する。
十分大きな記録変調度と、十分小さなクロストークと、
溝反射率を有する、波長６００ｎｍ〜７００ｎｍの短波
長記録に好適な媒体を提供する。
Claims (2)
- 【請求項１】 透明基板上に、少なくとも、有機色素を
含有する記録層、金属反射層がこの順に積層されてお
り、透明基板側から波長６００〜７００ｎｍのレーザー
光を入射することにより局所的に光学的な変化を生じせ
しめて記録ビットを形成させることができ、かつ、同波
長のレーザー光によって記録再生が可能な光記録媒体で
あって、基板上のトラッキングサーボ用の案内溝に記録
を行い、かつ、案内溝が、溝の深さが１４０〜２００ｎ
ｍ、溝幅が、０.４０λ／ＮＡμｍ以下（λは記録レー
ザー光の波長、ＮＡはレーザー光集束用レンズの開口
数）であるＵ字型溝であることを特徴とする光記録媒
体。 - 【請求項２】 透明基板上のレーザー光サーボ用の案内
溝のピッチが０.７０〜１.０μｍである請求項１に記載
の光記録媒体。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7235132A JPH0981966A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 光記録媒体 |
| US09/033,654 US6214519B1 (en) | 1995-08-22 | 1998-03-03 | Optical recording medium |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7235132A JPH0981966A (ja) | 1995-09-13 | 1995-09-13 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0981966A true JPH0981966A (ja) | 1997-03-28 |
Family
ID=16981534
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7235132A Pending JPH0981966A (ja) | 1995-08-22 | 1995-09-13 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0981966A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0949612A1 (en) * | 1998-04-09 | 1999-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | An optical recording medium |
| US6028836A (en) * | 1997-11-05 | 2000-02-22 | Tdk Corporation | Optical recording medium for use at short wavelengths and its recording method |
| US6232036B1 (en) * | 1996-12-18 | 2001-05-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording disk |
-
1995
- 1995-09-13 JP JP7235132A patent/JPH0981966A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6232036B1 (en) * | 1996-12-18 | 2001-05-15 | Mitsubishi Chemical Corporation | Optical recording disk |
| US6028836A (en) * | 1997-11-05 | 2000-02-22 | Tdk Corporation | Optical recording medium for use at short wavelengths and its recording method |
| EP0949612A1 (en) * | 1998-04-09 | 1999-10-13 | Samsung Electronics Co., Ltd. | An optical recording medium |
| US6277460B1 (en) | 1998-04-09 | 2001-08-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Optical recording medium |
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