JPH0978264A - Chromium etching solution - Google Patents
Chromium etching solutionInfo
- Publication number
- JPH0978264A JPH0978264A JP23081295A JP23081295A JPH0978264A JP H0978264 A JPH0978264 A JP H0978264A JP 23081295 A JP23081295 A JP 23081295A JP 23081295 A JP23081295 A JP 23081295A JP H0978264 A JPH0978264 A JP H0978264A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- cerium
- concentration
- perchloric acid
- etching solution
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Landscapes
- Weting (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はＣｒエッチング液に係
り、たとえば液晶表示パネルの製造に用いられるＣｒエ
ッチング液の組成の改良に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a Cr etching liquid, and more particularly to improving the composition of a Cr etching liquid used for manufacturing a liquid crystal display panel.
【０００２】[0002]
【従来の技術】たとえば、液晶表示パネルは、液晶を介
して互いに対向配置される透明基板を備え、該透明基板
の表面にマトリッスク状に形成された各画素における光
透過を独立に制御できるように構成されている。2. Description of the Related Art For example, a liquid crystal display panel is provided with transparent substrates which are arranged to face each other with a liquid crystal interposed therebetween, and light transmission in each pixel formed in a matrix on the surface of the transparent substrate can be independently controlled. It is configured.
【０００３】このため、各透明基板のうちの一方の透明
基板における液晶側の面には、信号線およびこの信号線
に接続された電極等が微細にかつ複雑に加工されたもの
となっている。Therefore, a signal line and electrodes connected to the signal line are finely and complicatedly processed on the liquid crystal side surface of one of the transparent substrates. .
【０００４】そして、このような信号線あるいは電極と
してＣｒ（クロム）層を用いたもの（あるいはこのＣｒ
層にＡｌ層を積層させたもの）が知られ、他の金属層と
同様に、いわゆるフォトリソグラフィ技術を用いた選択
エッチング方法によって構成されるようになっている。And, such a signal line or electrode using a Cr (chromium) layer (or this Cr
A layer in which an Al layer is laminated) is known, and like other metal layers, it is configured by a selective etching method using a so-called photolithography technique.
【０００５】すなわち、このＣｒ層（あるいはこのＣｒ
層にＡｌ層を積層させたもの）を透明基板の主表面の全
域に蒸着等で形成し、さらに、その上面に塗布されたフ
ォトレジスト膜をフォトリソグラフィ技術により所定の
パターンで穴開けを行う。そして、残存されたフォトレ
ジスト膜をマスクとして、そのフォトレジスト膜から露
呈されたＣｒ層を（Ａｌ層が積層されている場合には、
このＡｌ層を選択エッチングした後に）適当なエッチン
グ液を用いて選択エッチングを行うようになっている。That is, this Cr layer (or this Cr layer
A layer on which an Al layer is laminated) is formed on the entire main surface of the transparent substrate by vapor deposition or the like, and a photoresist film coated on the upper surface of the transparent substrate is perforated in a predetermined pattern by a photolithography technique. Then, using the remaining photoresist film as a mask, the Cr layer exposed from the photoresist film (when the Al layer is laminated,
After the selective etching of the Al layer), the selective etching is performed using an appropriate etching solution.
【０００６】そして、このＣｒをエッチングするための
エッチング液としては、従来、硝酸第二セリウムアンモ
ニウム（Ｃｅ（ＮＯ3）4・２ＮＨ4ＮＯ3）、過塩素酸、
および水からなり、該硝酸第二セリウムアンモニウムの
濃度は約１３．７ｗｔ％、過塩素酸の濃度は約３．３ｗ
ｔ％の組成を有するものが用いられていた。As an etching solution for etching this Cr, conventionally, dicerium ammonium nitrate (Ce (NO 3 ) 4 .2NH 4 NO 3 ), perchloric acid,
And cerium ammonium nitrate having a concentration of about 13.7 wt% and a perchloric acid concentration of about 3.3 w.
Those having a composition of t% were used.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな組成を有するＣｒエッチング液を用いてエッチング
を行っている際に、該エッチング液内にセリウムの不溶
性化合物が発生（沈殿）するようになり、この不溶性化
合物によってＣｒ層の微細加工エッチングを妨げるとい
う問題が指摘されるに至った。However, when etching is performed using a Cr etching solution having such a composition, an insoluble compound of cerium is generated (precipitated) in the etching solution, It has been pointed out that this insoluble compound interferes with the microfabrication etching of the Cr layer.
【０００８】また、通常、大量の各被エッチング材を順
次エッチングしていく際に、各エッチング後に回収され
るエッチング液はフィルタを通して再利用されるように
なっていることから、前記不溶性化合物によって該フィ
ルタの頻繁な交換、あるいはエッチング液自体の交換を
余儀なくされている問題が指摘されるに至った。In addition, when a large amount of each material to be etched is sequentially etched, the etching solution recovered after each etching is usually reused through a filter. It has been pointed out that there is a problem that the filter must be replaced frequently or the etching solution itself must be replaced.
【０００９】本発明はこのような事情に基づいてなされ
たものであり、その目的は、不溶性化合物の発生を抑制
でき、これによりロングライフ化と製造コストの低減が
図れるＣｒエッチング液を提供することにある。The present invention has been made under these circumstances, and an object thereof is to provide a Cr etching solution which can suppress the generation of an insoluble compound, thereby extending the life and reducing the manufacturing cost. It is in.
【００１０】[0010]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.
【００１１】すなわち、硝酸第二セリウムアンモニウム
あるいは硝酸第二セリウム、過塩素酸、および水からな
るＣｒエッチング液において、硝酸第二セリウムアンモ
ニウムあるいは硝酸第二セリウムの濃度が１ｗｔ％以上
１５ｗｔ％以下であり、過塩素酸の濃度が５ｗｔ％以上
２５ｗｔ％以下の組成を有することを特徴とするもので
ある。That is, in a Cr etching solution containing ceric ammonium nitrate or ceric nitrate, perchloric acid, and water, the concentration of ceric ammonium nitrate or ceric nitrate is 1 wt% or more and 15 wt% or less. The composition of the present invention is characterized in that the concentration of perchloric acid is 5 wt% or more and 25 wt% or less.
【００１２】[0012]
【作用】このように構成したＣｒエッチング液は、比較
的長い時間を経てもセリウムの不溶性化合物が全く発生
（沈殿）しないことが確認された。It has been confirmed that the Cr etching liquid thus constructed does not generate (precipitate) any insoluble compound of cerium even after a relatively long time.
【００１３】従来の組成からなるＣｒエッチング液に発
生する不溶性化合物は、該Ｃｒエッチング液中の酸（過
塩素酸、硝酸、硫酸）の濃度が高くなるに従って抑制さ
れることが判明し、これにより、Ｃｒエッチング液中に
過塩素酸を適当量添加することによって、前記不溶性化
合物を沈殿させないようにしたものである。It has been found that the insoluble compound generated in the Cr etching solution having the conventional composition is suppressed as the concentration of the acid (perchloric acid, nitric acid, sulfuric acid) in the Cr etching solution becomes higher, and , Cr etching solution is added with an appropriate amount of perchloric acid to prevent precipitation of the insoluble compound.
【００１４】この場合の過塩素酸の適当量としては、硝
酸第二セリウムアンモニウム等の濃度に直接には関係し
ないが、過塩素酸の濃度が５ｗｔ％で硝酸第二セリウム
アンモニウム等の濃度が１５％以上、あるいは硝酸第二
セリウムアンモニウム等の濃度が１％で過塩素酸の濃度
が２５ｗｔ％以上になった場合にアンモニウム塩が析出
してきて使用できないことが確認された。また、硝酸第
二セリウムアンモニウム等の濃度が１％未満であるとエ
ッチングレートの過剰な低下をきたし使用できず、さら
に、過塩素酸の濃度が５ｗｔ％未満であると極めて短い
時間でセリウムの水酸化物塩（不溶性）が発生してしま
うことが確認された。The appropriate amount of perchloric acid in this case is not directly related to the concentration of ceric ammonium nitrate, but the concentration of perchloric acid is 5 wt% and the concentration of ceric ammonium nitrate is 15%. % Or more, or when the concentration of ceric ammonium nitrate or the like was 1% and the concentration of perchloric acid was 25 wt% or more, it was confirmed that the ammonium salt was deposited and could not be used. Further, if the concentration of ceric ammonium nitrate is less than 1%, the etching rate is excessively decreased, and it cannot be used. Further, if the concentration of perchloric acid is less than 5 wt%, the water content of cerium is extremely short. It was confirmed that an oxide salt (insoluble) was generated.
【００１５】[0015]
【実施例】まず、本発明によるＣｒエッチング液の実施
例の説明に先だって、そのＣｒエッチング液が使用され
るＣｒエッチング装置であって、液晶表示パネルの製造
に用いられるＣｒエッチング装置の一実施例の概略を図
３を用いて説明をする。First, prior to the description of an embodiment of a Cr etching solution according to the present invention, an example of a Cr etching apparatus using the Cr etching solution, which is used for manufacturing a liquid crystal display panel, will be described. Will be described with reference to FIG.
【００１６】同図において、被エッチング材２０が搬送
される搬送路１があり、この搬送路１の搬送方向に沿っ
て、順次、Ｃｒエッチング漕２、第１水洗漕３、第２水
洗漕４、第３水洗漕５が並設されている。In FIG. 1, there is a transport path 1 through which the material 20 to be etched is transported, and along the transport direction of this transport path 1, a Cr etching tank 2, a first water washing tank 3, and a second water washing tank 4 are sequentially installed. The third flush tank 5 is installed in parallel.
【００１７】ここで、被エッチング材２０としては、こ
の実施例では、たとえば液晶を介して互いに対向配置さ
れる透明基板のうちの一方の透明基板であって、その透
明基板の主表面に形成されたＣｒ層の表面に選択エッチ
ングのためのマスクが形成されているものを対象として
いる。なお、この被エッチング材２０の具体的な構成は
図４を用いて後述する。In this embodiment, the material to be etched 20 is, for example, one of the transparent substrates arranged to face each other with a liquid crystal in between, and is formed on the main surface of the transparent substrate. It is intended that the surface of the Cr layer is provided with a mask for selective etching. The specific structure of the material to be etched 20 will be described later with reference to FIG.
【００１８】エッチング槽２には、その上部にＣｒエッ
チング液を噴霧する複数のノズル６を備え、このノズル
６からのＣｒエッチング液は前記搬送路１上の被エッチ
ング材２０に噴霧されるようになっている。The etching tank 2 is provided with a plurality of nozzles 6 for spraying a Cr etching liquid on the upper portion thereof, and the Cr etching liquid from the nozzles 6 is sprayed on the material 20 to be etched on the transport path 1. Has become.
【００１９】ノズル６から噴霧されるＣｒエッチング液
は、エッチングタンク７からポンプ８、フィルタ９を介
して組み上げられるようになっており、さらに、Ｃｒエ
ッチング槽２においてエッチングに用いられたＣｒエッ
チング液は前記エッチングタンク７に循環されるように
なっている。The Cr etching liquid sprayed from the nozzle 6 is assembled from the etching tank 7 through the pump 8 and the filter 9. Further, the Cr etching liquid used for etching in the Cr etching tank 2 is It is circulated in the etching tank 7.
【００２０】すなわち、エッチングに用いられたＣｒエ
ッチング液は、再利用されるようになっており、エッチ
ングタンク７それ自体にもポンプ１０、フィルタ１１を
介してＣｒエッチング液を循環させるようになってい
る。That is, the Cr etching solution used for etching is reused, and the Cr etching solution is circulated in the etching tank 7 itself through the pump 10 and the filter 11. There is.
【００２１】第１水洗漕３には、その上部に洗浄水を噴
霧する複数のノズル１２を備え、このノズル１２からの
洗浄水は前記搬送路１上の被エッチング材２０に噴霧さ
れるようになっている。The first water washing tank 3 is provided with a plurality of nozzles 12 for spraying the cleaning water on the upper portion thereof, and the cleaning water from the nozzles 12 is sprayed on the material 20 to be etched on the transport path 1. Has become.
【００２２】ノズル１２から噴霧される洗浄水は、洗浄
水タンク１３からポンプ１４、フィルタ１５を介して組
み上げられるようになっており、さらに、隣接する第２
水洗漕４において洗浄に用いられた洗浄水は前記洗浄水
タンク１３に循環されるようになっている。The cleaning water sprayed from the nozzle 12 is assembled from the cleaning water tank 13 via the pump 14 and the filter 15, and further the adjacent second water.
The washing water used for washing in the washing tank 4 is circulated to the washing water tank 13.
【００２３】すなわち、洗浄に用いられた洗浄水は、再
利用されるようになっており、洗浄水タンク１３それ自
体にもポンプ１６、フィルタ１７を介してＣｒエッチン
グ液を循環させるようになっている。That is, the cleaning water used for cleaning is reused, and the Cr etching solution is circulated in the cleaning water tank 13 itself through the pump 16 and the filter 17. There is.
【００２４】そして、第２水洗漕４および第３水洗漕５
においても同様の構成となっている。The second water washing tank 4 and the third water washing tank 5
Also has the same configuration.
【００２５】ここで、搬送方向における最終段の洗浄水
タンク１３には、純粋な洗浄水が供給されており、これ
により、各洗浄水タンク１３は搬送方向と逆の方向に配
置されるに従って、その純粋性が低下されるようになっ
ている。これは、第１水洗漕４、第２水洗漕４、および
第３水洗漕５と順を追って水洗していく際に、その洗浄
水が純粋になって洗浄の効果を上げることにある。な
お、純粋な洗浄水の供給にともなって過剰となる洗浄水
は第１水洗漕３から排水するようになっている。Here, pure cleaning water is supplied to the final-stage cleaning water tank 13 in the carrying direction, whereby each cleaning water tank 13 is arranged in the direction opposite to the carrying direction. Its purity is being reduced. This is because the washing water becomes pure and the washing effect is enhanced when the washing is performed sequentially with the first water washing tank 4, the second water washing tank 4, and the third water washing tank 5. It should be noted that excess cleaning water accompanying the supply of pure cleaning water is drained from the first water washing tank 3.
【００２６】図４は、前記被エッチング材２０の断面図
を示している。液晶表示パネルの一構成部材である透明
基板２１の主表面の全域にはＣｒ層２２が形成され、そ
のＣｒ層２２の表面にはＡｌ層２３がその上面に形成さ
れたフォトレジスト膜２４をマスクとして選択エッチン
グされた状態で形成されている。このフォトレジスト膜
２４はフォトリソグラフィ技術によって穴開けされたも
のとなっている。そして、フォトレジスト膜２４はこの
図に示したＣｒエッチング装置によってＣｒ層２２を選
択エッチングする際のマスクとしてそのまま用いるよう
になっており、これにより、Ｃｒ層２２とこのＣｒ層２
２に積層されたＡｌ層２３とで同一のパターンからなる
導電層を形成しようとするものとなっている。FIG. 4 shows a sectional view of the material 20 to be etched. A Cr layer 22 is formed on the entire main surface of a transparent substrate 21 which is a component of a liquid crystal display panel, and an Al layer 23 is formed on the surface of the Cr layer 22 with a photoresist film 24 as a mask. Is formed in a state of being selectively etched. The photoresist film 24 is perforated by the photolithography technique. Then, the photoresist film 24 is used as it is as a mask when the Cr layer 22 is selectively etched by the Cr etching apparatus shown in this figure, whereby the Cr layer 22 and this Cr layer 2 are used.
It is intended to form a conductive layer having the same pattern as the Al layer 23 laminated on the second layer.
【００２７】このような積層体からなる導電層を形成す
る理由は、Ａｌ層２３によって低抵抗化を図るととも
に、いわゆるアクティブ・マトリッスク方式と称される
液晶表示パネルには各画素毎に薄膜トランジスタ（ＴＦ
Ｔ）が形成され、この膜膜トランジスタの電極として前
記導電層の一部を用いた場合にＡｌ層の半導体層への悪
影響をＣｒ層によって防止するためである。The reason for forming the conductive layer made of such a laminated body is to reduce the resistance by the Al layer 23, and in the liquid crystal display panel of the so-called active matrix system, a thin film transistor (TF) is provided for each pixel.
This is because the Cr layer prevents the adverse effect of the Al layer on the semiconductor layer when T) is formed and a part of the conductive layer is used as an electrode of the film transistor.
【００２８】そして、上述したＣｒエッチング装置に使
用されるＣｒエッチング液、すなわちエッチングタンク
７内のエッチング液として、硝酸第二セリウムアンモニ
ウムあるいは硝酸第二セリウム、過塩素酸、および水か
らなるＣｒエッチング液であって、硝酸第二セリウムア
ンモニウムあるいは硝酸第二セリウムの濃度が１ｗｔ％
以上１５ｗｔ％以下であり、過塩素酸の濃度が５ｗｔ％
以上２５ｗｔ％以下の組成を有するものが用いられてい
る。Then, as a Cr etching solution used in the above-mentioned Cr etching apparatus, that is, as an etching solution in the etching tank 7, there is used a Cr etching solution containing ammonium cerium nitrate or cerium nitrate, perchloric acid, and water. And the concentration of ceric ammonium nitrate or ceric nitrate is 1 wt%
15 wt% or less and the concentration of perchloric acid is 5 wt%
A material having a composition of 25 wt% or less is used.
【００２９】このような層性からなるＣｒエッチング液
は、比較的長い時間を経てもセリウムの不溶性化合物が
全く発生（沈殿）しないことが確認されている。It has been confirmed that the Cr etching liquid having such a layered structure does not generate (precipitate) any insoluble compound of cerium even after a relatively long time.
【００３０】従来の組成からなるＣｒエッチング液に発
生する不溶性化合物は、該Ｃｒエッチング液中の酸（過
塩素酸、硝酸、硫酸）の濃度が高くなるに従って抑制さ
れることが判明し、これにより、Ｃｒエッチング液中に
過塩素酸を適当量添加することによって、前記不溶性化
合物を沈殿させないようにしたものである。It has been found that the insoluble compound generated in the Cr etching liquid having the conventional composition is suppressed as the concentration of the acid (perchloric acid, nitric acid, sulfuric acid) in the Cr etching liquid increases, and , Cr etching solution is added with an appropriate amount of perchloric acid to prevent precipitation of the insoluble compound.
【００３１】すなわち、不溶性化合物（Ｃｅ（Ｏ
Ｈ）4）が生成する化学式は次式（１）のようにして示
される。That is, the insoluble compound (Ce (O
The chemical formula generated by H) 4 ) is represented by the following formula (1).
【００３２】 Ｃｅ4+＋４Ｈ2Ｏ ⇒ Ｃｅ（ＯＨ）4＋４Ｈ+ ………（１） この式（１）から、仮に酸性度が増大した場合におい
て、右側の項のＨ+が増え、左側の項から右側の項への
反応が抑制される傾向のある式であることが判明する。Ce 4+ + 4H 2 O ⇒ Ce (OH) 4 + 4H + (1) From this formula (1), if the acidity is increased, H + in the right side term is increased and the left side is increased. It turns out that the equation tends to suppress the reaction from the term to the term on the right side.
【００３３】この場合の過塩素酸の適当量としては、上
式（１）から明らかなように硝酸第二セリウムアンモニ
ウム等の濃度に直接関係はしないが、過塩素酸の濃度が
５ｗｔ％で硝酸第二セリウムアンモニウム等の濃度が１
５％以上、あるいは硝酸第二セリウムアンモニウム等の
濃度が１％で過塩素酸の濃度が２５ｗｔ％以上になった
場合にアンモニウム塩が析出してきて使用できないこと
が確認された。また、硝酸第二セリウムアンモニウム等
の濃度が１％未満であるとエッチングレートの過剰な低
下をきたし使用できず、さらに、過塩素酸の濃度が５ｗ
ｔ％未満であると極めて短い時間でセリウムの水酸化物
塩（不溶性）が発生してしまうことが確認された。The appropriate amount of perchloric acid in this case is not directly related to the concentration of ceric ammonium nitrate etc. as is clear from the above formula (1), but the perchloric acid concentration is 5 wt% and nitric acid is The concentration of dicerium ammonium is 1
It was confirmed that when the concentration of cerium ammonium nitrate or the like was 5% or more and the concentration of perchloric acid was 25% by weight or more and the concentration of cerium ammonium nitrate was 25% or more, the ammonium salt was deposited and could not be used. If the concentration of cerium ammonium nitrate is less than 1%, the etching rate will be excessively decreased and the product cannot be used. Further, the concentration of perchloric acid is 5 w.
It was confirmed that when it is less than t%, a hydroxide salt of cerium (insoluble) is generated in an extremely short time.
【００３４】そこで、以下、硝酸第二セリウムアンモニ
ウムと過塩素酸との組成の割合に対する不溶性の沈殿発
生時間の関係における実験データを図１に示す。なお、
各Ｃｒエッチング液の温度は、通常２０℃〜５０℃であ
るが、８０℃で加速試験を行った結果を図３に示す。Therefore, below, FIG. 1 shows experimental data in the relation of the insoluble precipitation generation time with respect to the composition ratio of ceric ammonium nitrate and perchloric acid. In addition,
The temperature of each Cr etching solution is usually 20 ° C. to 50 ° C., and the results of the accelerated test at 80 ° C. are shown in FIG.
【００３５】同図に示すグラフにおいて、その横軸には
硝酸第二セリウムアンモニウムの濃度（ｗｔ％）を示し
ており、濃度をそれぞれ異ならしめた過塩素酸（図で
は、１５、１３、９、５ｗｔ％）に対する沈殿発生時間
（ｓ）を縦軸に示している。In the graph shown in the figure, the horizontal axis shows the concentration (wt%) of dicerium ammonium nitrate, and the perchloric acid (15, 13, 9, The vertical axis shows the precipitation generation time (s) for 5 wt%).
【００３６】このグラフから明らかなように、過塩素酸
の濃度が高くなるに従って、沈殿発生時間が長くなるこ
とが判明する。As is clear from this graph, it is clear that the precipitation generation time becomes longer as the concentration of perchloric acid becomes higher.
【００３７】そして、これらの実験データから、（１）
ないし（６）に示す組成の割合からなるそれぞれのＣｒ
エッチング液が特に有効であることが判明した。From these experimental data, (1)
To Cr, each of which has the composition ratio shown in (6)
The etchant has been found to be particularly effective.
【００３８】 （１）硝酸第二セリウムアンモニウム：５ｗｔ％ 過塩素酸：１５ｗｔ％ （２）硝酸第二セリウムアンモニウム：７．５ｗｔ％ 過塩素酸：１５ｗｔ％ （３）硝酸第二セリウムアンモニウム：１０ｗｔ％ 過塩素酸：１５ｗｔ％ （４）硝酸第二セリウムアンモニウム：１５ｗｔ％ 過塩素酸：１５ｗｔ％ （５）硝酸第二セリウムアンモニウム：１０ｗｔ％ 過塩素酸：１２ｗｔ％ （６）硝酸第二セリウムアンモニウム：１５ｗｔ％ 過塩素酸：１２ｗｔ％ そして、このように構成されるＣｒエッチング液に対す
るＣｒエッチングへの影響を調べた結果を図２に示す。(1) Ammonium dicerium nitrate: 5 wt% Perchloric acid: 15 wt% (2) Ammonium dicerium nitrate: 7.5 wt% Perchloric acid: 15 wt% (3) Ammonium dicerium nitrate: 10 wt% Perchloric acid: 15 wt% (4) Di-cerium ammonium nitrate: 15 wt% Perchloric acid: 15 wt% (5) Ammonium dicerium nitrate: 10 wt% Perchloric acid: 12 wt% (6) Di-cerium ammonium nitrate: 15 wt % Perchloric acid: 12 wt% Then, the results of examining the influence of the Cr etching liquid having such a structure on the Cr etching are shown in FIG.
【００３９】図２に示すグラフにおいて、その横軸には
過塩素酸の濃度（ｗｔ％）を示しており、濃度をそれぞ
れ異ならしめた硝酸第二セリウムアンモニウム（図で
は、１５、１０、７．５、５ｗｔ％）に対するＣｒエッ
チング速度（Å／ｓ）を縦軸に示している。In the graph shown in FIG. 2, the horizontal axis shows the concentration (wt%) of perchloric acid, and the dicerium ammonium nitrate (15, 10, 7 ,. The Cr etching rate (Å / s) with respect to (5, 5 wt%) is shown on the vertical axis.
【００４０】このグラフから明らかなように、Ｃｒエッ
チング速度は全く変化しておらず、たとえ過塩素酸の濃
度が高くなっても該Ｃｒエッチング速度に悪影響を及ぼ
さないことが判明する。As is clear from this graph, the Cr etching rate does not change at all, and it is clear that even if the concentration of perchloric acid increases, the Cr etching rate is not adversely affected.
【００４１】以上説明したＣｒエッチング液によれば、
比較的長い時間を経てもセリウムの不溶性化合物が全く
発生（沈殿）しないものを得ることができることから、
被エッチング材２０におけるＣｒ層２２の微細かつ複雑
なパターンの選択エッチングにおいて、前記不溶性化合
物の悪影響を防止できるようになる。According to the Cr etching solution described above,
Since an insoluble compound of cerium can be obtained (precipitation) at all even after a relatively long time,
In the selective etching of the Cr layer 22 in the material to be etched 20 having a fine and complicated pattern, the adverse effect of the insoluble compound can be prevented.
【００４２】また、図３に示したＣｒエッチング装置に
おいて、Ｃｒエッチング液の再利用に用いるフィルタ
９、１１の頻繁な交換を減少させる効果を奏するように
なる。Further, in the Cr etching apparatus shown in FIG. 3, the effect of reducing frequent replacement of the filters 9 and 11 used for reusing the Cr etching liquid can be obtained.
【００４３】なお、上述した実施例では、Ｃｒエッチン
グ液として硝酸第二セリウムアンモニウムを主成分とす
るものであるが、これに限定されることはなく、たとえ
ば硝酸第二セリウムであってもよいことはいうまでもな
い。In the above-mentioned embodiment, the cerium ammonium nitrate is used as the main component as the Cr etching liquid, but the present invention is not limited to this and may be cerium nitrate, for example. Needless to say.
【００４４】また、上述した実施例では、過塩素酸によ
ってＣｒエッチング液の酸度を向上させたものである
が、結果として０．６ｍｏｌ／ｌ以上の酸濃度にするこ
とによって同様の効果が得られることから、過塩素酸に
限定されなくてもよいことはいうまでもない。Further, in the above-mentioned embodiment, the acidity of the Cr etching solution is improved by perchloric acid, but as a result, the same effect can be obtained by setting the acid concentration to 0.6 mol / l or more. Therefore, it goes without saying that it is not limited to perchloric acid.
【００４５】また、上述した実施例では、Ｃｒ層２２と
Ａｌ層２３との順次積層体からなる導電層のうち、Ｃｒ
層２２を選択エッチングする場合について説明したもの
であるが、該導電層としてＣｒ層のみであってもよいこ
とはいうまでもない。In the above-described embodiment, among the conductive layers formed by sequentially stacking the Cr layer 22 and the Al layer 23, Cr
Although the case of selectively etching the layer 22 has been described, it goes without saying that only the Cr layer may be used as the conductive layer.
【００４６】また、上述した実施例では、被エッチング
材３０として、液晶を介して互いに対向配置される透明
基板のうちの一方の透明基板であって、その透明基板の
主表面に形成されたＣｒ層の表面に選択エッチングのた
めのマスクが形成されているものを対象としたものであ
る。しかし、必ずしもこのような部材に限定されること
はないことはいうまでもない。電子部品の製造過程にお
ける部材であってＣｒ層を微細に加工しなければならな
いＣｒエッチング液にも適用できるからである。Further, in the above-described embodiment, the material to be etched 30 is one of the transparent substrates arranged to face each other with the liquid crystal interposed therebetween, and Cr formed on the main surface of the transparent substrate. It is intended for those in which a mask for selective etching is formed on the surface of the layer. However, it goes without saying that the members are not necessarily limited to such members. This is because it can be applied to a Cr etching liquid which is a member in the manufacturing process of electronic parts and which requires fine processing of the Cr layer.
【００４７】[0047]
【発明の効果】以上説明したことから明らかなように、
本発明によるＣｒエッチング液によれば、不溶性化合物
の発生を抑制でき、これによりロングライフ化と製造コ
ストの低減が図れるようになる。As is apparent from the above description,
According to the Cr etching solution of the present invention, generation of an insoluble compound can be suppressed, which makes it possible to prolong the life and reduce the manufacturing cost.
【図１】本発明によるＣｒエッチング液の効果を示す実
験データである。FIG. 1 is experimental data showing the effect of a Cr etching solution according to the present invention.
【図２】本発明によるＣｒエッチング液の効果を示す実
験データである。FIG. 2 is experimental data showing the effect of the Cr etching solution according to the present invention.
【図３】本発明によるＣｒエッチング液が用いられるＣ
ｒエッチング装置の一実施例を示す構成図である。FIG. 3 is a C in which a Cr etching solution according to the present invention is used.
It is a block diagram which shows one Example of the r etching apparatus.
【図４】本発明によるＣｒエッチング液によってエッチ
ングされる被エッチング材の一実施例を示す断面図であ
る。FIG. 4 is a cross-sectional view showing an example of a material to be etched that is etched by a Cr etching solution according to the present invention.
２……Ｃｒエッチング漕、７……エッチングタンク、
９、１１……フィルタ、２０……被エッチング液。2 ... Cr etching tank, 7 ... Etching tank,
9, 11 ... Filter, 20 ... Etching liquid.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/336 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Agency reference number FI Technical display location H01L 21/336
Claims (3)
硝酸第二セリウム、過塩素酸、および水からなるＣｒエ
ッチング液において、 硝酸第二セリウムアンモニウムあるいは硝酸第二セリウ
ムの濃度が１ｗｔ％以上１５ｗｔ％以下であり、過塩素
酸の濃度が５ｗｔ％以上２５ｗｔ％以下の組成を有する
ことを特徴とするＣｒエッチング液。1. A Cr etching solution comprising cerium ammonium nitrate or cerium nitrate, perchloric acid, and water, wherein the concentration of cerium ammonium nitrate or cerium nitrate is 1 wt% or more and 15 wt% or less. A Cr etching solution having a composition in which the concentration of perchloric acid is 5 wt% or more and 25 wt% or less.
なるＣｒエッチング液において、その酸濃度が０．６ｍ
ｏｌ／ｌ以上となっていることを特徴とするＣｒエッチ
ング液。2. A Cr etching solution containing a strong acid salt of cerium, an acid and water, the acid concentration of which is 0.6 m.
Cr etching liquid characterized by being more than ol / l.
基板であって、その液晶側の面に少なくともＣｒ層から
なる導電層を選択エッチング法で形成する場合に用いる
Ｃｒエッチング液として、請求項１および２記載のうち
いずれか記載のＣｒエッチング液を用いることを特徴と
する液晶表示パネルの製造方法。3. A Cr etching liquid used for forming a conductive layer of at least a Cr layer on a surface of a liquid crystal side of transparent substrates facing each other with a liquid crystal interposed therebetween by a selective etching method. A method for manufacturing a liquid crystal display panel, which comprises using the Cr etching liquid according to any one of 1 and 2.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23081295A JP3405496B2 (en) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | Liquid crystal display panel manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23081295A JP3405496B2 (en) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | Liquid crystal display panel manufacturing method |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0978264A true JPH0978264A (en) | 1997-03-25 |
| JP3405496B2 JP3405496B2 (en) | 2003-05-12 |
Family
ID=16913665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23081295A Expired - Lifetime JP3405496B2 (en) | 1995-09-08 | 1995-09-08 | Liquid crystal display panel manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3405496B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100669451B1 (en) * | 2000-02-15 | 2007-01-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | Black matrix etchant and method for forming black matrix |
| KR100670063B1 (en) * | 2000-07-06 | 2007-01-16 | 삼성전자주식회사 | Chromium etching composition |
-
1995
- 1995-09-08 JP JP23081295A patent/JP3405496B2/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100669451B1 (en) * | 2000-02-15 | 2007-01-15 | 삼성에스디아이 주식회사 | Black matrix etchant and method for forming black matrix |
| KR100670063B1 (en) * | 2000-07-06 | 2007-01-16 | 삼성전자주식회사 | Chromium etching composition |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3405496B2 (en) | 2003-05-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5217751A (en) | Stabilized spray displacement plating process | |
| CA2083196C (en) | Process for extending the life of a displacement plating bath | |
| US5211831A (en) | Process for extending the life of a displacement plating bath | |
| JP3405496B2 (en) | Liquid crystal display panel manufacturing method | |
| US6806206B2 (en) | Etching method and etching liquid | |
| CN1971351A (en) | Etching composition for ito | |
| KR101436167B1 (en) | Manufacturing method of array substrate for liquid crystal display | |
| US4588471A (en) | Process for etching composite chrome layers | |
| CN1319245A (en) | Method for assembling metal printed conductors as electrodes on channel plate for ultrawide plat screens | |
| KR20170061096A (en) | Method and apparatus for separating silver from etching waste solution | |
| JP3460704B2 (en) | Method of using and recycling etchant and etching apparatus | |
| KR20090088552A (en) | Manufacturing method of array substrate for liquid crystal display | |
| KR101284390B1 (en) | Method for fabricating array substrate for a liquidcrystal display device | |
| JPH11117080A (en) | Etching of metal oxide thin film | |
| JP2002030469A (en) | Etching solution and etching method | |
| JP2000144454A (en) | Equipment and method for wet etching | |
| KR20150088000A (en) | Method of ehching metal layer | |
| KR20070062259A (en) | Etchant compound for etching electrode of liquid crystal display device | |
| JPS6050183A (en) | Dissolution of metals with epsilon-caprolactam | |
| KR101507159B1 (en) | Manufacturing method of array substrate for liquid crystal display | |
| JPH06146019A (en) | Etching liquid | |
| JPH0416012B2 (en) | ||
| JPH0978263A (en) | Chromium etching device | |
| JP2875553B2 (en) | Method for Preventing Oxidation-Reduction Reaction Occurrence and Processing Apparatus Used Therefor | |
| KR20170006480A (en) | Etching solution composition for multi layers and manufacturing method of an array substrate for liquid crystal display using the same |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090307 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090307 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100307 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100307 Year of fee payment: 7 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100307 Year of fee payment: 7 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 8 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 8 |
|
| R371 | Transfer withdrawn |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 8 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
| S631 | Written request for registration of reclamation of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313631 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 8 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110307 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 9 |
|
| S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313115 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313121 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 9 |
|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120307 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130307 Year of fee payment: 10 |