JPH0973089A - 液晶素子の製造方法 - Google Patents
液晶素子の製造方法Info
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- JPH0973089A JPH0973089A JP25203695A JP25203695A JPH0973089A JP H0973089 A JPH0973089 A JP H0973089A JP 25203695 A JP25203695 A JP 25203695A JP 25203695 A JP25203695 A JP 25203695A JP H0973089 A JPH0973089 A JP H0973089A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 パネル面内での液晶分子のプレチルト角の均
一化を図り、表示むらの無い良好な配向状態を有する液
晶素子を得る。 【解決手段】 配向処理工程において、後の液晶注入工
程における注入履歴により生じる配向規制力の分布を補
償するように、基板面内に温度分布を持たせて配向膜を
焼成した後、ラビング処理することにより、基板面内に
配向規制力の分布を持たせる。
一化を図り、表示むらの無い良好な配向状態を有する液
晶素子を得る。 【解決手段】 配向処理工程において、後の液晶注入工
程における注入履歴により生じる配向規制力の分布を補
償するように、基板面内に温度分布を持たせて配向膜を
焼成した後、ラビング処理することにより、基板面内に
配向規制力の分布を持たせる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶を用いた表示
素子の製造における配向処理技術に関する。
素子の製造における配向処理技術に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶素子を構成する基板の製造では、一
対のガラス基板上に透明電極を形成した後、上下電極間
のショートを防止するための透明絶縁層を形成し、続い
て液晶分子の配向を規制するための配向膜を形成し、そ
の配向膜にラビング（一般に布等を巻つけたローラーを
用いて基板表面を一方向に擦る）による配向処理が施さ
れる。この配向処理工程では、一般に、配向膜となる材
料を印刷法等により塗布し、これを一定温度下にて焼成
して配向膜を形成した後、ラビング処理が行われる。
対のガラス基板上に透明電極を形成した後、上下電極間
のショートを防止するための透明絶縁層を形成し、続い
て液晶分子の配向を規制するための配向膜を形成し、そ
の配向膜にラビング（一般に布等を巻つけたローラーを
用いて基板表面を一方向に擦る）による配向処理が施さ
れる。この配向処理工程では、一般に、配向膜となる材
料を印刷法等により塗布し、これを一定温度下にて焼成
して配向膜を形成した後、ラビング処理が行われる。
【０００３】そして、上記一対の基板をシール材で張り
合せて液晶セルを作製した後、この液晶セルに液晶を加
熱しながら注入する液晶注入工程が施されていた。
合せて液晶セルを作製した後、この液晶セルに液晶を加
熱しながら注入する液晶注入工程が施されていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】前述したような焼成工
程を経て形成される配向膜は、膜質がパネル面内でほぼ
均一であり、その後のラビング処理時に基板表面の受け
るダメージもほぼ均一である。その結果、配向膜に付与
される配向規制力はパネル面内でほぼ均一となる。
程を経て形成される配向膜は、膜質がパネル面内でほぼ
均一であり、その後のラビング処理時に基板表面の受け
るダメージもほぼ均一である。その結果、配向膜に付与
される配向規制力はパネル面内でほぼ均一となる。
【０００５】しかしながら、上記液晶注入工程では、液
晶を加熱しながら注入するという過程を経るため、液晶
注入口近傍の領域と液晶注入口から離れた領域とで液晶
分子の熱履歴に差が生じる。このため、予め配向膜に均
一な配向規制力を付与しておいても、液晶分子のプレチ
ルト角（液晶分子の基板との界面に対して有する傾斜
角）にパネル面内で差が生じ、結果としてパネルの場所
による表示むらが生じるという問題があった。
晶を加熱しながら注入するという過程を経るため、液晶
注入口近傍の領域と液晶注入口から離れた領域とで液晶
分子の熱履歴に差が生じる。このため、予め配向膜に均
一な配向規制力を付与しておいても、液晶分子のプレチ
ルト角（液晶分子の基板との界面に対して有する傾斜
角）にパネル面内で差が生じ、結果としてパネルの場所
による表示むらが生じるという問題があった。
【０００６】本発明は、上記従来技術の問題点に鑑み、
パネル面内での液晶分子のプレチルト角の均一化を図
り、表示むらの無い良好な配向状態を有する液晶素子を
得るこを目的とするものである。
パネル面内での液晶分子のプレチルト角の均一化を図
り、表示むらの無い良好な配向状態を有する液晶素子を
得るこを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成すべく成
された本発明の構成は以下の通りである。
された本発明の構成は以下の通りである。
【０００８】即ち、本発明は、配向膜を有する透明基板
に配向処理を施す配向処理工程と、該配向処理工程後の
２枚の透明基板間に液晶を注入する液晶注入工程とを有
する液晶素子の製造方法において、前記配向処理工程の
際に、前記液晶注入工程における注入履歴により前記基
板面内に生じる配向規制力の分布を補償するように、前
記基板面内に配向規制力の分布を持たせることを特徴と
する液晶素子の製造方法に関する。
に配向処理を施す配向処理工程と、該配向処理工程後の
２枚の透明基板間に液晶を注入する液晶注入工程とを有
する液晶素子の製造方法において、前記配向処理工程の
際に、前記液晶注入工程における注入履歴により前記基
板面内に生じる配向規制力の分布を補償するように、前
記基板面内に配向規制力の分布を持たせることを特徴と
する液晶素子の製造方法に関する。
【０００９】本発明は、さらにその特徴として、「前記
配向処理工程が、前記配向膜に膜質分布を持たせる工程
と、該配向膜に対しラビング処理する工程とを有する」
こと、「前記配向膜に膜質分布を持たせる工程が、前記
基板面内に温度分布を持たせて該配向膜を焼成する工程
である」こと、をも含むものである。
配向処理工程が、前記配向膜に膜質分布を持たせる工程
と、該配向膜に対しラビング処理する工程とを有する」
こと、「前記配向膜に膜質分布を持たせる工程が、前記
基板面内に温度分布を持たせて該配向膜を焼成する工程
である」こと、をも含むものである。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明者らは、ラビング等によっ
て配向膜に付与される配向規制力と、液晶注入工程によ
って生じる配向規制力について鋭意検討した結果、これ
らの配向規制力は共に同質のものであることを知見し、
本発明に至ったものである。即ち、本発明によれば、液
晶注入工程によって生じる配向規制力の分布を、予め配
向膜に配向規制力の分布を持たせることにより補償し、
配向規制力を基板面内でほぼ均一にできるものである。
て配向膜に付与される配向規制力と、液晶注入工程によ
って生じる配向規制力について鋭意検討した結果、これ
らの配向規制力は共に同質のものであることを知見し、
本発明に至ったものである。即ち、本発明によれば、液
晶注入工程によって生じる配向規制力の分布を、予め配
向膜に配向規制力の分布を持たせることにより補償し、
配向規制力を基板面内でほぼ均一にできるものである。
【００１１】配向膜に付与される配向規制力は配向膜の
膜質にも関係することから、本発明における上記基板面
内に配向規制力の分布を持たせる方法としては、例え
ば、配向膜印刷後の焼成工程において、パネル面内で焼
成温度に分布をつける方法を挙げることができる。
膜質にも関係することから、本発明における上記基板面
内に配向規制力の分布を持たせる方法としては、例え
ば、配向膜印刷後の焼成工程において、パネル面内で焼
成温度に分布をつける方法を挙げることができる。
【００１２】より具体的には、ホットプレートを用いて
上記焼成工程を行う場合には、液晶注入時に注入口側と
なる領域から奥側となる領域に向かって連続的に温度を
上げる方向で適宜温度設定を行い、膜質分布を持った基
板を製造し、これに対して均一なラビング処理を行うこ
とにより、液晶注入工程における注入履歴により前記基
板面内に生じる配向規制力の分布を補償することができ
るものである。
上記焼成工程を行う場合には、液晶注入時に注入口側と
なる領域から奥側となる領域に向かって連続的に温度を
上げる方向で適宜温度設定を行い、膜質分布を持った基
板を製造し、これに対して均一なラビング処理を行うこ
とにより、液晶注入工程における注入履歴により前記基
板面内に生じる配向規制力の分布を補償することができ
るものである。
【００１３】
【実施例】以下、本発明を実施例により詳細に説明す
る。
る。
【００１４】（実施例１）図１は、本実施例の液晶素子
の模式的断面図である。以下、液晶素子の製造方法を説
明する。
の模式的断面図である。以下、液晶素子の製造方法を説
明する。
【００１５】先ず、２枚の透明基板１１，１２の表面に
透明電極１３，１４を形成し、更にその上に無機絶縁膜
１５，１６を形成した。この上に液晶用配向膜となるポ
リイミド膜１７，１８を印刷法により設けた。次に、得
られた２枚の基板上で配向膜を形成させるため、ホット
プレートを用いて焼成を行った。
透明電極１３，１４を形成し、更にその上に無機絶縁膜
１５，１６を形成した。この上に液晶用配向膜となるポ
リイミド膜１７，１８を印刷法により設けた。次に、得
られた２枚の基板上で配向膜を形成させるため、ホット
プレートを用いて焼成を行った。
【００１６】各基板の焼成は、図２に示すように、後の
液晶注入工程における注入口（不図示）から遠い領域か
ら基板奥側部２１ａ，基板中央部２１ｂ，基板注入口側
部２１ｃに分割し、上記基板領域の夫々に対応するホッ
トプレートのＡ面２２ａ，Ｂ面２２ｂ，Ｃ面２２ｃを表
１に示す温度に設定した。
液晶注入工程における注入口（不図示）から遠い領域か
ら基板奥側部２１ａ，基板中央部２１ｂ，基板注入口側
部２１ｃに分割し、上記基板領域の夫々に対応するホッ
トプレートのＡ面２２ａ，Ｂ面２２ｂ，Ｃ面２２ｃを表
１に示す温度に設定した。
【００１７】以上の工程を経て配向膜を設けた基板にラ
ビング処理を施し、液晶セルのギャップを均一に保持す
るためのスペーサ１９を散布し、周囲にシールであるエ
ポキシ系接着剤１０を配し、２枚の基板１１，１２を対
向配置して液晶セルを形成した。この液晶セルに液晶を
加熱しながら注入して、液晶素子を得た。
ビング処理を施し、液晶セルのギャップを均一に保持す
るためのスペーサ１９を散布し、周囲にシールであるエ
ポキシ系接着剤１０を配し、２枚の基板１１，１２を対
向配置して液晶セルを形成した。この液晶セルに液晶を
加熱しながら注入して、液晶素子を得た。
【００１８】以上のようにして得られた液晶素子の各領
域２１ａ，２１ｂ，２１ｃについて、以下の方法により
プレチルト角を測定した。
域２１ａ，２１ｂ，２１ｃについて、以下の方法により
プレチルト角を測定した。
【００１９】（プレチルト角αの測定）プレチルト角α
の測定は、クリスタルローテーション法により求めた。
測定法は、液晶素子をガラス基板面で回転させながら、
回転軸と４５°の角度をなす偏向面を持つヘリウム・ネ
オンレーザ光を回転軸に垂直な方向から照射して、その
反対側で入射偏向面と平行な透過軸を持つ偏向板を通し
てフォトダイオードで透過光強度を測定した。そして、
干渉によってできた透過光強度の双曲線群の中心となる
角と液晶素子に垂直な線とのなす角度をΦｘとし、下式
に代入してプレチルト角αを求めた。
の測定は、クリスタルローテーション法により求めた。
測定法は、液晶素子をガラス基板面で回転させながら、
回転軸と４５°の角度をなす偏向面を持つヘリウム・ネ
オンレーザ光を回転軸に垂直な方向から照射して、その
反対側で入射偏向面と平行な透過軸を持つ偏向板を通し
てフォトダイオードで透過光強度を測定した。そして、
干渉によってできた透過光強度の双曲線群の中心となる
角と液晶素子に垂直な線とのなす角度をΦｘとし、下式
に代入してプレチルト角αを求めた。
【００２０】
【数１】
【００２１】ここで、ｎoは常光屈折率、ｎeは異常光屈
折率である。なお詳細には、Ｊ．Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐ
ｈｙｓ． Ｖｏｌ．１１９（１９８０）ＮＯ．１０，
Ｓｈｏｒｔ Ｎｏｔｅｓ ２０１３に記載されている。
折率である。なお詳細には、Ｊ．Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐ
ｈｙｓ． Ｖｏｌ．１１９（１９８０）ＮＯ．１０，
Ｓｈｏｒｔ Ｎｏｔｅｓ ２０１３に記載されている。
【００２２】以上のようにして求められた液晶素子の基
板奥側部２１ａ，基板中央部２１ｂ及び基板注入口側部
２１ｃにおけるプレチルト角を表１に示した。
板奥側部２１ａ，基板中央部２１ｂ及び基板注入口側部
２１ｃにおけるプレチルト角を表１に示した。
【００２３】また、素子特性としての配向特性及び、ス
イッチング状態（表示むら）を観察した結果を表２に示
す。
イッチング状態（表示むら）を観察した結果を表２に示
す。
【００２４】（実施例２）各基板の配向膜の焼成工程に
おいて、ホットプレートの各面の温度を表１に示したよ
うに、注入口側から奥に向かって連続的に２０℃間隔で
高く設定した以外は、実施例１と全く同様にして液晶素
子を作製し、同様に評価した。その結果を、表１及び表
２に示す。
おいて、ホットプレートの各面の温度を表１に示したよ
うに、注入口側から奥に向かって連続的に２０℃間隔で
高く設定した以外は、実施例１と全く同様にして液晶素
子を作製し、同様に評価した。その結果を、表１及び表
２に示す。
【００２５】本実施例では、基板奥側部に軸ズレ配向が
若干存在していたものの、表示むらは特に問題無いレベ
ルであった。
若干存在していたものの、表示むらは特に問題無いレベ
ルであった。
【００２６】（比較例１）各基板の配向膜の焼成工程に
おいて、ホットプレートの各面の温度を表１に示したよ
うに、実施例１に比べて１０℃高く設定した以外は、実
施例１と全く同様にして液晶素子を作製し、同様に評価
した。その結果を、表１及び表２に示す。
おいて、ホットプレートの各面の温度を表１に示したよ
うに、実施例１に比べて１０℃高く設定した以外は、実
施例１と全く同様にして液晶素子を作製し、同様に評価
した。その結果を、表１及び表２に示す。
【００２７】本比較例では、基板中央部及び特に基板注
入側部において軸ズレ配向が多く存在し、全黒表示を行
っても図３に示すように完全な黒とはならなかった。
入側部において軸ズレ配向が多く存在し、全黒表示を行
っても図３に示すように完全な黒とはならなかった。
【００２８】（比較例２）各基板の配向膜の焼成工程に
おいて、ホットプレートの各面の温度を表１に示したよ
うに、注入口側から奥に向かって連続的に５℃間隔で高
く設定した以外は、実施例１と全く同様にして液晶素子
を作製し、同様に評価した。その結果を、表１及び表２
に示す。
おいて、ホットプレートの各面の温度を表１に示したよ
うに、注入口側から奥に向かって連続的に５℃間隔で高
く設定した以外は、実施例１と全く同様にして液晶素子
を作製し、同様に評価した。その結果を、表１及び表２
に示す。
【００２９】本比較例では、基板中央部にＣ２配向が存
在し、このＣ２配向部では閾値が異なるため、図４に示
すように書き込みをうまく行うことができなかった。
在し、このＣ２配向部では閾値が異なるため、図４に示
すように書き込みをうまく行うことができなかった。
【００３０】（比較例３）各基板の配向膜の焼成工程に
おいて、ホットプレートの各面の温度を従来のように同
一温度（表１参照）にした設定した以外は、実施例１と
全く同様にして液晶素子を作製し、同様に評価した。そ
の結果を、表１及び表２に示す。
おいて、ホットプレートの各面の温度を従来のように同
一温度（表１参照）にした設定した以外は、実施例１と
全く同様にして液晶素子を作製し、同様に評価した。そ
の結果を、表１及び表２に示す。
【００３１】以上述べたように、ホットプレート各面の
設定温度を変化させることにより、プレチルト角は大き
く異なり、配向膜の焼成温度が配向規制力に大きく影響
したことが分かる。また、焼成温度を適宜設定すること
により、液晶注入工程における注入履歴によりパネル面
内に生じる配向規制力の分布を補償できることが分か
る。
設定温度を変化させることにより、プレチルト角は大き
く異なり、配向膜の焼成温度が配向規制力に大きく影響
したことが分かる。また、焼成温度を適宜設定すること
により、液晶注入工程における注入履歴によりパネル面
内に生じる配向規制力の分布を補償できることが分か
る。
【００３２】
【表１】
【００３３】
【表２】
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
配向処理工程の際に、液晶注入工程における注入履歴に
より基板面内に生じる配向規制力の分布を補償するよう
に、基板面内に配向規制力の分布を持たせることによ
り、パネル面内での液晶分子のプレチルト角を均一にで
き、表示むらの無い良好な配向状態を有する液晶素子が
得られる。
配向処理工程の際に、液晶注入工程における注入履歴に
より基板面内に生じる配向規制力の分布を補償するよう
に、基板面内に配向規制力の分布を持たせることによ
り、パネル面内での液晶分子のプレチルト角を均一にで
き、表示むらの無い良好な配向状態を有する液晶素子が
得られる。
【図１】本発明に係る液晶素子の一例を示す模式的断面
図である。
図である。
【図２】本発明の実施例における配向膜焼成時の基板と
ホットプレートとの位置関係を示す図である。
ホットプレートとの位置関係を示す図である。
【図３】比較例１における軸ズレ配向による表示むらを
示す画素の模式図である。
示す画素の模式図である。
【図４】比較例２におけるＣ２配向による表示むらを示
す画素の模式図である。
す画素の模式図である。
１０ シール剤 １１，１２ ガラス基板 １３，１４ 透明電極 １５，１６ 無機絶縁膜 １７，１８ 配向膜 １９ スペーサ ２１ａ 基板奥側部 ２１ｂ 基板中央部 ２１ｃ 基板注入口側部 ２２ａ ホットプレートのＡ面 ２２ｂ ホットプレートのＢ面 ２２ｃ ホットプレートのＣ面 ２３ 支持ピン
Claims (3)
- 【請求項１】 配向膜を有する透明基板に配向処理を施
す配向処理工程と、該配向処理工程後の２枚の透明基板
間に液晶を注入する液晶注入工程とを有する液晶素子の
製造方法において、 前記配向処理工程の際に、前記液晶注入工程における注
入履歴により前記基板面内に生じる配向規制力の分布を
補償するように、前記基板面内に配向規制力の分布を持
たせることを特徴とする液晶素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記配向処理工程が、前記配向膜に膜質
分布を持たせる工程と、該配向膜に対しラビング処理す
る工程とを有することを特徴とする請求項１に記載の液
晶素子の製造方法。 - 【請求項３】 前記配向膜に膜質分布を持たせる工程
が、前記基板面内に温度分布を持たせて該配向膜を焼成
する工程であることを特徴とする請求項２に記載の液晶
素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25203695A JPH0973089A (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | 液晶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25203695A JPH0973089A (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | 液晶素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0973089A true JPH0973089A (ja) | 1997-03-18 |
Family
ID=17231691
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25203695A Withdrawn JPH0973089A (ja) | 1995-09-06 | 1995-09-06 | 液晶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0973089A (ja) |
-
1995
- 1995-09-06 JP JP25203695A patent/JPH0973089A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20021203 |