JPH0973078A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JPH0973078A
JPH0973078A JP22884995A JP22884995A JPH0973078A JP H0973078 A JPH0973078 A JP H0973078A JP 22884995 A JP22884995 A JP 22884995A JP 22884995 A JP22884995 A JP 22884995A JP H0973078 A JPH0973078 A JP H0973078A
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JP
Japan
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liquid crystal
color filter
substrate
display device
crystal display
Prior art date
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Pending
Application number
JP22884995A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kazuhiro Murakami
上 和 博 村
Daisuke Miyazaki
崎 大 輔 宮
Teruyuki Midorikawa
川 輝 行 緑
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Toshiba Development and Engineering Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Electronic Engineering Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Toshiba Electronic Engineering Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH0973078A publication Critical patent/JPH0973078A/en
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  • Optical Filters (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent liquid crystal driving voltage from getting higher as far as possible and to realize high-definition picture display. SOLUTION: This device is provided with a switching element 7 formed on a 1st transparent substrate 2, a color filter 9 formed on the 1st transparent substrate so as to cover the switching element 7, an array substrate having a picture element electrode 14 formed on the color filter 9, a counter substrate having a counter electrode formed on a 2nd transparent substrate so as to be opposed to the electrode 14, and a liquid crystal layer sealed in a gap between the array substrate and the counter substrate; and the switching element 7 and the electrode 14 are electrically connected by a metallic film 11 deposited by using an optical CVD method in a through-hole 10 formed on the color filter 9.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置に関す
る。
[0001] The present invention relates to a liquid crystal display device.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に液晶表示装置においてカラー画像
表示を実現するためには、液晶表示素子の複数の画素に
対応するように配置される複数の着色部を有するカラー
フィルタが用いられる。例えばR(赤)、G(緑)、B
(青)の各色相に着色された着色セルが交互に配列され
るように形成されたカラーフィルタが用いられる。
2. Description of the Related Art Generally, in order to realize a color image display in a liquid crystal display device, a color filter having a plurality of colored portions arranged so as to correspond to a plurality of pixels of a liquid crystal display element is used. For example, R (red), G (green), B
A color filter formed so that colored cells colored in each hue of (blue) are arranged alternately is used.

【0003】従来カラーフィルタは、スイッチング素子
が形成されている薄膜トランジスタ素子(Thin Film Tra
nsistor:以下TFTという)が形成された基板(以下、
TFT基板ともいう)側でなく、この基板に対向配置さ
れる対向基板側に形成されていた。即ち、TFT基板と
は別の透明基板上にカラーフィルタを配置し、カラーフ
ィルタを透過する光の量をTFTからなるスイッチング
素子にて変化させることで、表示画像のカラー化を実現
していた。
A conventional color filter is a thin film transistor (thin film transistor) in which a switching element is formed.
nsistor: Substrate (hereinafter referred to as TFT) (hereinafter,
It was formed not on the TFT substrate side, but on the counter substrate side facing this substrate. That is, a color filter is arranged on a transparent substrate different from the TFT substrate, and the amount of light passing through the color filter is changed by a switching element including a TFT, thereby realizing a color display image.

【0004】しかし、特にアクティブマトリックス型液
晶表示装置においてカラーフィルタを対向基板側に配置
する場合、TFT基板上の各画素電極との位置合わせが
容易ではなく、またカラーフィルタと液晶層との間の距
離が比較的大きいので斜方向から入射した光が迷光とな
って表示品位が低下するという問題があった。そして、
画面の多画素化に伴って微細化が進むことにより、ます
ます上述のようなカラーフィルタの位置合わせの問題や
表示品位の低下の問題が深刻なものとなっている。
However, particularly in the active matrix type liquid crystal display device, when the color filter is arranged on the counter substrate side, it is not easy to align the pixel filter with each pixel electrode on the TFT substrate, and the color filter and the liquid crystal layer are arranged. Since the distance is relatively large, there is a problem that the light incident from the oblique direction becomes stray light and the display quality is degraded. And
As the screen becomes more and more pixels, the miniaturization progresses, and thus the above-mentioned problems of alignment of color filters and deterioration of display quality become more serious.

【0005】そこで、画素電極の直上あるいは直下にカ
ラーフィルタを配設する技術が既に知られている。特に
TFTなどのアクティブマトリックス型液晶表示装置に
おいては、同一の色相に対応する画素電極に接続された
スイッチング素子ごとに導通状態にして電圧を印加し、
あるいは同一の色相に対応する被電着電極を設けてその
被電着電極の直上に着色層を電着してカラーフィルタを
形成する技術が開発されている。(特開昭60−238
34号公報参照)。
Therefore, a technique has already been known in which a color filter is arranged immediately above or below the pixel electrode. Particularly in an active matrix type liquid crystal display device such as a TFT, each switching element connected to pixel electrodes corresponding to the same hue is turned on and a voltage is applied,
Alternatively, a technique has been developed in which an electrodeposited electrode corresponding to the same hue is provided and a colored layer is electrodeposited directly on the electrodeposited electrode to form a color filter. (JP-A-60-238
34).

【0006】この技術によれば、画素電極または被電着
電極の直上に自己整合的にカラーフィルタを配設するこ
とができるため、カラーフィルタを対向基板側に配置す
る場合のようなTFT基板上の各画素電極との位置合わ
せの問題や、迷光により表示品位が低下するという問題
が解消される。
According to this technique, since the color filter can be arranged directly above the pixel electrode or the electrodeposited electrode in a self-aligned manner, the color filter can be arranged on the TFT substrate as in the case where the color filter is arranged on the counter substrate side. The problem of alignment with each pixel electrode and the problem of deterioration of display quality due to stray light are solved.

【0007】ところがカラーフィルタをスイッチング素
子に接続されている画素電極上に設けた場合、カラーフ
ィルタのキャパシタンスにより液晶に印加される電圧が
分割され、液晶騒動に高電圧が必要になるという問題が
発生する。
However, when the color filter is provided on the pixel electrode connected to the switching element, the voltage applied to the liquid crystal is divided by the capacitance of the color filter, which causes a problem that a high voltage is required to disturb the liquid crystal. To do.

【0008】また、カラーフィルタの上に画素電極を配
置した場合、TFT素子との電気的接続をどのようにと
るかが問題となる。即ち、カラーフィルタの各画素の端
部にITO等からなる配線を設け、TFT素子と画素電
極を接続する構造の場合、信頼性が高くかつ高い良品率
で製造するためには接続部にかなりのマージンが必要と
なり、開口率の低下という問題が発生する。一方、TF
T素子近傍のカラーフィルタにスルーホール(接続穴)
を設けTFT素子と画素電極を接続する構造の場合、特
にウェットエッチング(エッチング液を用いた湿式エッ
チング)や感光性材料のパターニング、即ち湿式手法
(ウェットプロセス)によりスルーホールを信頼性が高
くかつ高い良品率で製造するためには、例えば1〜2μ
m程度の厚さからなるカラーフィルタに設けるスルーホ
ールの径は、かなりのマージン、具体的には10〜30
μm程度のマージンが必要となり、開口率が低下すると
いう問題が発生する。
Further, when the pixel electrode is arranged on the color filter, how to make an electrical connection with the TFT element becomes a problem. That is, in the case of a structure in which a wiring made of ITO or the like is provided at the end of each pixel of the color filter and the TFT element and the pixel electrode are connected to each other, in order to manufacture with high reliability and high non-defective rate, the connecting part is considerably A margin is required, which causes a problem of lowering the aperture ratio. On the other hand, TF
Through hole (connection hole) in the color filter near the T element
In the case of a structure in which the TFT element and the pixel electrode are connected with each other, the through hole is highly reliable and high especially by wet etching (wet etching using an etching solution) or patterning of a photosensitive material, that is, a wet method (wet process). To manufacture with a good product rate, for example, 1-2 μ
The diameter of the through-hole provided in the color filter having a thickness of about m has a considerable margin, specifically 10 to 30.
A margin of about μm is required, which causes a problem that the aperture ratio is reduced.

【0009】本発明は上記事情を考慮してなされたもの
であって、液晶駆動電圧が高くなることを可及的に防止
するとともに、高品位な画像表示を実現することのでき
る液晶表示装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in consideration of the above circumstances, and provides a liquid crystal display device capable of preventing an increase in liquid crystal driving voltage as much as possible and realizing high quality image display. The purpose is to provide.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明による液晶表示装
置の第1の態様は、第1透明基板上に形成されたスイッ
チング素子、このスイッチング素子を覆うように前記第
1透明基板上に形成されたカラーフィルタ、およびこの
カラーフィルタ上に形成された画素電極を有するアレイ
基板と、前記画素電極に対向するように第2透明基板上
に形成された対向電極を有する対向基板と、前記アレイ
基板と、前記対向基板との間隙に封入された液晶層と、
を備え、前記スイッチング素子と前記画素電極は前記カ
ラーフィルタに形成されたスルーホール内に、光CVD
法を用いて堆積される金属膜によって電気的に接続され
ることを特徴とする。
According to a first aspect of a liquid crystal display device of the present invention, a switching element is formed on a first transparent substrate, and the switching element is formed on the first transparent substrate so as to cover the switching element. An array substrate having a color filter, a pixel electrode formed on the color filter, a counter substrate having a counter electrode formed on a second transparent substrate so as to face the pixel electrode, and the array substrate. A liquid crystal layer sealed in a gap between the counter substrate and
The switching element and the pixel electrode are formed in the through hole formed in the color filter by photo CVD.
It is characterized by being electrically connected by a metal film deposited by using the method.

【0011】また本発明による液晶表示装置の第2の態
様は、第1透明基板上に形成されたスイッチング素子、
このスイッチング素子を覆うように前記第1透明基板上
に形成されたカラーフィルタ、およびこのカラーフィル
タ上に形成された画素電極を有するアレイ基板と、前記
画素電極に対向するように第2透明基板上に形成された
対向電極を有する対向基板と、前記アレイ基板と、前記
対向基板との間隙に封入された液晶層と、を備え、前記
スイッチング素子と前記画素電極は前記カラーフィルタ
に形成された複数のスルーホールを覆うように前記画素
電極と同時に形成される金属膜によって電気的に接続さ
れることを特徴とする。
A second aspect of the liquid crystal display device according to the present invention is a switching element formed on a first transparent substrate,
An array substrate having a color filter formed on the first transparent substrate so as to cover the switching element, and a pixel electrode formed on the color filter, and a second transparent substrate so as to face the pixel electrode. A counter substrate having a counter electrode formed on a substrate, the array substrate, and a liquid crystal layer sealed in a gap between the counter substrate and the plurality of switching elements and the pixel electrodes formed on the color filter. Is electrically connected by a metal film formed at the same time as the pixel electrode so as to cover the through hole.

【0012】また本発明による液晶表示装置の第3の態
様は、第1または第2の態様の液晶表示装置において、
前記スルーホールはエキシマレーザを用いて形成される
ことを特徴とする。
A third aspect of the liquid crystal display device according to the present invention is the liquid crystal display device according to the first or second aspect,
The through holes are formed by using an excimer laser.

【0013】また本発明による液晶表示装置の第4の態
様は、第1または第2の態様の液晶表示装置において、
前記スルーホールはドライエッチング法によって形成さ
れることを特徴とする。
A fourth aspect of the liquid crystal display device according to the present invention is the liquid crystal display device according to the first or second aspect,
The through hole is formed by a dry etching method.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】本発明による液晶表示装置の第1
の実施の形態を図1乃至図3を参照して説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.
The embodiment will be described with reference to FIGS.

【0015】この第1の実施の形態の液晶表示装置の平
面図を図3に示し、第1の実施の形態の液晶表示装置の
TFT基板(アレイ基板ともいう)の断面図を図1に示
す。この断面図は、図3に示す切断線X1−X1で切断
した場合の断面図である。また、図3に示す切断線X2
−X2で切断した場合の断面図を図2に示す。
FIG. 3 is a plan view of the liquid crystal display device according to the first embodiment, and FIG. 1 is a sectional view of a TFT substrate (also referred to as an array substrate) of the liquid crystal display device according to the first embodiment. . This sectional view is a sectional view taken along the line X1-X1 shown in FIG. The cutting line X2 shown in FIG.
A cross-sectional view taken along the line X2-is shown in FIG.

【0016】第1の実施の形態の液晶表示装置はアレイ
基板1と、対向基板20と、これらの基板間の間隙に封
入された液晶層30とを備えている(図2参照)。アレ
イ基板1は次のようにして作製される。
The liquid crystal display device of the first embodiment comprises an array substrate 1, a counter substrate 20, and a liquid crystal layer 30 sealed in a gap between these substrates (see FIG. 2). The array substrate 1 is manufactured as follows.

【0017】まず公知の技術を用いてガラス基板2上に
クロムからなる金属膜を形成した後、パターニングする
ことによって走査線3およびゲート3aを形成する(図
1参照)。続いてこの走査線3およびゲート3aを覆う
ようにガラス基板2の全面に例えば窒化シリコンからな
る透明な絶縁膜4を形成する。次に公知の技術を用いて
アモルファスシリコンからなる半導体層5を形成した
後、全面にアルミニウムの層を堆積しパターニングする
ことによってソース電極6a、ドレイン電極6b、およ
び信号線8を形成する。なお、ゲート3a、絶縁膜4、
半導体層5、およびソース・ドレイン電極6a,6bか
らスイッチング素子となるTFT素子7が構成される。
First, a metal film made of chromium is formed on the glass substrate 2 using a known technique, and then patterned to form the scanning lines 3 and the gates 3a (see FIG. 1). Then, a transparent insulating film 4 made of, for example, silicon nitride is formed on the entire surface of the glass substrate 2 so as to cover the scanning lines 3 and the gates 3a. Next, a semiconductor layer 5 made of amorphous silicon is formed using a known technique, and then an aluminum layer is deposited on the entire surface and patterned to form a source electrode 6a, a drain electrode 6b, and a signal line 8. The gate 3a, the insulating film 4,
The semiconductor layer 5 and the source / drain electrodes 6a and 6b constitute a TFT element 7 which serves as a switching element.

【0018】続いて公知の技術を用いて赤(R)、緑
(G)、青(B)の3色の着色セルを配列してなるカラ
ーフィルタ9を形成する(図1参照)。なおこのカラー
フィルタ9は走査線3、TFT素子7、および信号線8
を隙間なく覆うように形成する。
Then, using a known technique, a color filter 9 is formed by arranging three colored cells of red (R), green (G) and blue (B) (see FIG. 1). The color filter 9 includes the scanning line 3, the TFT element 7, and the signal line 8.
Are formed so as to cover without gaps.

【0019】次にTFT素子7とのコンタクトを取るた
めのスルーホール10をフォトリソグラフィ技術により
形成する。このスルーホール10の形成はまずカラーフ
ィルタ9が形成された基板の全面にスピンコータを用い
てフォトレジストを塗布する。そしてこのフォトレジス
トをパターニングすることによってフォトレジストのマ
スク(図示せず)を形成し、ドライエッチング(例えば
RIE(Reactive IonEtching)または光励起エッチン
グ)を用いることによってカラーフィルタ9内に例えば
直径が3μmのスルーホール10を形成する。
Next, a through hole 10 for making contact with the TFT element 7 is formed by a photolithography technique. To form the through hole 10, first, a photoresist is applied to the entire surface of the substrate on which the color filter 9 is formed by using a spin coater. Then, a photoresist mask (not shown) is formed by patterning this photoresist, and dry etching (for example, RIE (Reactive Ion Etching) or photoexcitation etching) is used to form a through hole having a diameter of 3 μm in the color filter 9. The hole 10 is formed.

【0020】次にフォトレジストのマスクを除去した
後、光CVD(Chemical Vapoun Deposition)法を用いて
スルーホール10内に金属膜11を堆積する。具体的に
はカラーフィルタ8のスルーホール10上に原料ガス
(例えば、Al、Cd、Sn、Znなどのメチル化金
属、カルボニル金属等)を流し、紫外光を照射すること
によって原料ガスを光分解させ、この光分解の生成物
(金属)をスルーホール10内に堆積して薄膜を形成す
る。この光CVD法は50〜200℃という比較的低温
で処理できるため、カラーフィルタ8には悪影響を与え
ない。なお、上記光CVD法においては照射光に紫外光
を用いたが、レーザ光(例えばエキシマレーザ)を用い
ることも可能である。
Next, after removing the photoresist mask, a metal film 11 is deposited in the through hole 10 by using a photo-CVD (Chemical Vapoun Deposition) method. Specifically, a raw material gas (for example, a methylated metal such as Al, Cd, Sn, and Zn, a carbonyl metal, or the like) is flown over the through hole 10 of the color filter 8 and is irradiated with ultraviolet light to photolyze the raw material gas. Then, the photodecomposition product (metal) is deposited in the through hole 10 to form a thin film. Since this photo CVD method can be performed at a relatively low temperature of 50 to 200 ° C., it does not adversely affect the color filter 8. Although ultraviolet light is used as the irradiation light in the above photo-CVD method, it is also possible to use laser light (for example, excimer laser).

【0021】この場合に、スルーホール10の形成にも
レーザ光を用いれば、スルーホール10の形成および金
属膜11の形成をレーザ光を用いて連続的に行うことが
できる。また、レーザを用いた場合は、波長程度の大き
さにビームを絞ることができるため、直径が1μm前後
の大きさのスルーホール10に金属膜を形成できる。ま
た、ビームあるいは基板を移動すると、マスク無しに微
細な描画が可能であり、このため、フォトレジストのマ
スクが不要となり、工程を簡略化することができる。
In this case, if the laser beam is also used for forming the through hole 10, the through hole 10 and the metal film 11 can be continuously formed by using the laser beam. Further, when a laser is used, the beam can be narrowed down to a size of about the wavelength, so that a metal film can be formed in the through hole 10 having a diameter of about 1 μm. In addition, when the beam or the substrate is moved, fine drawing can be performed without a mask. Therefore, a mask for a photoresist is not needed and the process can be simplified.

【0022】上述のようにスルーホール10に金属膜1
1を形成した後、ITO(Indium Tin Oxide)からなる膜
を全面にスパッタにより形成した後、フォトリソグラフ
ィ技術を用いてパターニングし、画素電極14を形成す
る。この画素電極14はスルーホール10内の金属膜1
1を介してTFT素子7と電気的に接続されている。そ
の後、基板2のTFT素子形成側の面の全面に配向膜1
5を形成し、この配向膜5が形成された面とは反対側の
面に偏光板16を形成することによってアレイ基板1が
完成する。
As described above, the metal film 1 is formed in the through hole 10.
After forming No. 1, a film made of ITO (Indium Tin Oxide) is formed on the entire surface by sputtering and then patterned by using a photolithography technique to form the pixel electrode 14. The pixel electrode 14 is the metal film 1 in the through hole 10.
It is electrically connected to the TFT element 7 via 1. After that, the alignment film 1 is formed on the entire surface of the substrate 2 on the TFT element formation side.
5 is formed, and the polarizing plate 16 is formed on the surface opposite to the surface on which the alignment film 5 is formed, whereby the array substrate 1 is completed.

【0023】一方、対向基板20は次のようにして形成
される。まずガラス基板22上にアレイ基板1の画素電
極14と対向するようにITO膜をスパッタ法により成
膜することによって対向電極24を形成する。そしてこ
の対向電極の全面を覆うようにポリイミドを塗布後、配
向処理することによって配向膜26を形成する。
On the other hand, the counter substrate 20 is formed as follows. First, the counter electrode 24 is formed by forming an ITO film on the glass substrate 22 so as to face the pixel electrodes 14 of the array substrate 1 by a sputtering method. Then, polyimide is applied so as to cover the entire surface of the counter electrode, and then an alignment treatment is performed to form an alignment film 26.

【0024】アレイ基板1と対向基板20を張り合わせ
た後、アレイ基板1の配向膜5が形成された面とは反対
側の面に偏光板16を貼設するとともに対向基板20の
対向電極24が配設された面とは反対側の面、即ちガラ
ス基板22の表示側の面上に偏光板28を貼設する。な
お、アレイ基板1の偏光板16が貼設された面の外側に
はバックライトとしての光源が設けられる。また、アレ
イ基板1と対向基板20の間の間隔に封入される液晶3
0としては一般TN(ツイストネマティック型のものが
用いられる。
After the array substrate 1 and the counter substrate 20 are bonded together, a polarizing plate 16 is attached to the surface of the array substrate 1 opposite to the surface on which the alignment film 5 is formed, and the counter electrode 24 of the counter substrate 20 is formed. The polarizing plate 28 is attached to the surface opposite to the arranged surface, that is, the surface on the display side of the glass substrate 22. A light source as a backlight is provided outside the surface of the array substrate 1 on which the polarizing plate 16 is attached. Further, the liquid crystal 3 sealed in the space between the array substrate 1 and the counter substrate 20.
As 0, a general TN (twisted nematic type) is used.

【0025】以上説明したように本実施形態の液晶表示
装置によれば、画素電極14とTFT素子7とを接続す
るためのスルーホール10は、ドライエッチング又はレ
ーザによってカラーフィルタ9内に形成される。これに
より、スルーホールを形成するためのマージンは小さく
て済み、開口率を低下させることなく、高い良品率で製
造することができる。
As described above, according to the liquid crystal display device of this embodiment, the through hole 10 for connecting the pixel electrode 14 and the TFT element 7 is formed in the color filter 9 by dry etching or laser. . As a result, the margin for forming the through hole can be small, and it is possible to manufacture with a high yield rate without lowering the aperture ratio.

【0026】また、本実施の形態の液晶表示装置によれ
ば、画素電極14はカラーフィルタ9の上に形成されて
いるため、液晶駆動電圧が高くなることを可及的に防止
できる。また、上記スルーホール10内の金属膜11は
光CVD法によって形成されるため、低温での形成が可
能となり、カラーフィルタに悪影響を与えることがな
い。このため高品位な画像表示を提供することができ
る。
Further, according to the liquid crystal display device of the present embodiment, since the pixel electrode 14 is formed on the color filter 9, it is possible to prevent the liquid crystal drive voltage from increasing as much as possible. Moreover, since the metal film 11 in the through hole 10 is formed by the photo-CVD method, it can be formed at a low temperature and does not adversely affect the color filter. Therefore, high-quality image display can be provided.

【0027】次に本発明による液晶表示装置の第2の実
施の形態の構成断面図を図4に示す。この第2の実施の
形態の液晶表示装置は図1に示す第1の実施の形態の液
晶表示装置において、カラーフィルタ9内に設けられる
スルーホール10を、1箇所の接続部に複数個(図4上
では2個)設けるとともに、このスルーホール10内に
堆積される金属膜13はITOからなっていて画素電極
14の形成と同時にスパッタ法によって形成したもので
ある。
Next, FIG. 4 shows a structural cross-sectional view of a second embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention. The liquid crystal display device according to the second embodiment is different from the liquid crystal display device according to the first embodiment shown in FIG. 1 in that a plurality of through holes 10 provided in the color filter 9 are provided at one connection portion (see FIG. The metal film 13 deposited on the through hole 10 is made of ITO and is formed by the sputtering method at the same time when the pixel electrode 14 is formed.

【0028】なお、スルーホール12の形成には第1の
実施の形態の場合と同様にドライエッチングまたはレー
ザが用いられる。スルーホール12の形成にエキシマレ
ーザを用いた場合は、エキシマレーザは有機物のみを分
解するため、カラーフィルタ9のみが加工され、TFT
素子7にはダメージを与えることがない。
The through holes 12 are formed by dry etching or laser as in the case of the first embodiment. When an excimer laser is used to form the through holes 12, the excimer laser decomposes only organic substances, so that only the color filter 9 is processed and the TFT
The element 7 is not damaged.

【0029】この第2の実施の形態の液晶表示装置にお
いては、TFT素子7と画素電極9との一箇所の接続部
に対し、複数個(図4上では2個)のスルーホール12
で接続されているため、小サイズのスルーホールでも1
個のスルーホールが接続されていれば良いので、接続不
良が減少し高い良品率で製造することができる。また、
小サイズのスルーホールであるため、開口率を高くする
ことが可能となり、高精細化にも対応することができ
る。
In the liquid crystal display device of the second embodiment, a plurality of (two in FIG. 4) through-holes 12 are provided for the connection portion of the TFT element 7 and the pixel electrode 9 at one location.
Since it is connected with, even a small size through hole is 1
Since it suffices that the individual through holes be connected, defective connections can be reduced, and high yield can be achieved. Also,
Since it is a small-sized through hole, it is possible to increase the aperture ratio and it is possible to cope with high definition.

【0030】なお、この実施の形態の液晶表示装置も第
1の実施の形態の液晶表示装置と同様の効果を奏するこ
とは言うまでもない。
Needless to say, the liquid crystal display device of this embodiment also has the same effects as the liquid crystal display device of the first embodiment.

【0031】また、本実施の形態の液晶表示装置におい
ては、スルーホール12の個数は、開口率との兼ね合い
からスペースの許す範囲内であれば、多ければ多いほど
良く、接続不良もより減少する。
Further, in the liquid crystal display device of the present embodiment, the larger the number of through-holes 12 is, the better as long as it is within the range allowed by the space in consideration of the aperture ratio, and the connection failure is further reduced. .

【0032】[0032]

【発明の効果】以上述べたように本発明の液晶表示装置
によれば、液晶駆動電圧が高くなることを可及的に防止
できるとともに、高品位な画像表示を実現することがで
きる。
As described above, according to the liquid crystal display device of the present invention, it is possible to prevent the liquid crystal drive voltage from increasing and it is possible to realize high-quality image display.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明による液晶表示装置の第1の実施の形態
にかかるアレイ基板の構成を示す断面図。
FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of an array substrate according to a first embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図2】本発明による液晶表示装置の第1の実施の形態
の構成を示す断面図。
FIG. 2 is a sectional view showing a configuration of a first embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【図3】本発明による液晶表示装置の第1の実施の形態
の平面図。
FIG. 3 is a plan view of the first embodiment of the liquid crystal display device according to the present invention.

【図4】本発明による液晶表示装置の第2の実施の形態
にかかるアレイ基板の構成を示す断面図。
FIG. 4 is a sectional view showing a configuration of an array substrate according to a second embodiment of a liquid crystal display device according to the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 アレイ基板 2 ガラス基板 3 走査線 3a ゲート電極 4 透明な絶縁膜 5 半導体層 6a ソース電極 6b ドレイン電極 7 TFT素子 8 信号線 9 カラーフィルタ 10 スルーホール 11 金属膜 12 スルーホール 13 金属膜 14 画素電極 15 配向膜 16 偏光板 20 対向基板 22 ガラス基板 24 対向電極 26 配向膜 28 偏光板 30 液晶 1 array substrate 2 glass substrate 3 scanning line 3a gate electrode 4 transparent insulating film 5 semiconductor layer 6a source electrode 6b drain electrode 7 TFT element 8 signal line 9 color filter 10 through hole 11 metal film 12 through hole 13 metal film 14 pixel electrode 15 Alignment Film 16 Polarizing Plate 20 Counter Substrate 22 Glass Substrate 24 Counter Electrode 26 Alignment Film 28 Polarizing Plate 30 Liquid Crystal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 緑 川 輝 行 神奈川県川崎市川崎区日進町7番地1 東 芝電子エンジニアリング株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Teruyuki Midorikawa 1-7 Nisshin-cho, Kawasaki-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Toshiba Electronics Engineering Co., Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】第1透明基板上に形成されたスイッチング
素子、このスイッチング素子を覆うように前記第1透明
基板上に形成されたカラーフィルタ、およびこのカラー
フィルタ上に形成された画素電極を有するアレイ基板
と、 前記画素電極に対向するように第2透明基板上に形成さ
れた対向電極を有する対向基板と、 前記アレイ基板と、前記対向基板との間隙に封入された
液晶層と、 を備え、前記スイッチング素子と前記画素電極は前記カ
ラーフィルタに形成されたスルーホール内に、光CVD
法を用いて堆積される金属膜によって電気的に接続され
ることを特徴とする液晶表示装置。
1. A switching element formed on a first transparent substrate, a color filter formed on the first transparent substrate so as to cover the switching element, and a pixel electrode formed on the color filter. An array substrate, an opposed substrate having an opposed electrode formed on a second transparent substrate so as to face the pixel electrode, and a liquid crystal layer sealed in a gap between the array substrate and the opposed substrate. The switching element and the pixel electrode are formed by photo CVD in a through hole formed in the color filter.
A liquid crystal display device characterized by being electrically connected by a metal film deposited by using a method.
【請求項2】第1透明基板上に形成されたスイッチング
素子、このスイッチング素子を覆うように前記第1透明
基板上に形成されたカラーフィルタ、およびこのカラー
フィルタ上に形成された画素電極を有するアレイ基板
と、 前記画素電極に対向するように第2透明基板上に形成さ
れた対向電極を有する対向基板と、 前記アレイ基板と、前記対向基板との間隙に封入された
液晶層と、 を備え、前記スイッチング素子と前記画素電極は前記カ
ラーフィルタに形成された複数のスルーホールを覆うよ
うに前記画素電極と同時に形成される金属膜によって電
気的に接続されることを特徴とする液晶表示装置。
2. A switching element formed on a first transparent substrate, a color filter formed on the first transparent substrate so as to cover the switching element, and a pixel electrode formed on the color filter. An array substrate, an opposed substrate having an opposed electrode formed on a second transparent substrate so as to face the pixel electrode, and a liquid crystal layer sealed in a gap between the array substrate and the opposed substrate. The liquid crystal display device is characterized in that the switching element and the pixel electrode are electrically connected by a metal film formed at the same time as the pixel electrode so as to cover a plurality of through holes formed in the color filter.
【請求項3】前記スルーホールはエキシマレーザを用い
て形成されることを特徴とする請求項1または2記載の
液晶表示装置。
3. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the through hole is formed by using an excimer laser.
【請求項4】前記スルーホールはドライエッチング法に
よって形成されることを特徴とする請求項1または2記
載の液晶表示装置。
4. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the through hole is formed by a dry etching method.
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