JPH0969514A - Vacuum processing system and production of semiconductor device - Google Patents
Vacuum processing system and production of semiconductor deviceInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェハの
エッチング処理に好適な真空処理装置およびこの真空処
理装置を用いた半導体装置の製造方法に関し、特に、装
置の腐食にともなう発塵に起因する半導体ウェハなどの
処理対象物の汚染を防止するための改良に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a vacuum processing apparatus suitable for etching a semiconductor wafer and a method of manufacturing a semiconductor device using this vacuum processing apparatus, and more particularly to a semiconductor resulting from dust generated by corrosion of the apparatus. The present invention relates to an improvement for preventing contamination of a processing object such as a wafer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図９は従来の真空処理装置の正面断面図
である。この真空処理装置は、半導体ウェハへエッチン
グ処理を行うための装置である。また、図１０は図９の
真空処理装置に用いられる電極板の正面断面図である。2. Description of the Related Art FIG. 9 is a front sectional view of a conventional vacuum processing apparatus. This vacuum processing apparatus is an apparatus for etching a semiconductor wafer. 10 is a front sectional view of an electrode plate used in the vacuum processing apparatus of FIG.
【０００３】これらの図において、１はガス拡散板とし
ても機能する電極板、１ａはアルミニウムで構成される
電極板母材、１ｂは電極板母材１ａの表面に導電面を除
いて溶射された耐食性を有する保護膜、１ｃはガスが通
過するガス通過孔、１ｄは導電面、２は電極板１を保護
するガラス板、３は電極板１を装着し電極本体として機
能する蓋、３ａは蓋３の電極板１と当接して電気的に接
触する導電面を除いた内側壁面に溶射された耐食性を有
する保護膜、４は蓋３とともに内部に真空室を形成する
下部チャンバー、５は蓋３と下部チャンバー４の間を密
閉するためのＯリングシール、６は電極ステージ、７は
電極ステージ６上に載置された処理対象としてのシリコ
ンウエハ、８は真空室にガスを導入するためのガス導入
口、９は真空室を排気するための真空排気口、１２は電
極ステージに高周波電圧を印加する高周波電源、そし
て、５１は下部チャンバー４と蓋３とで内部に形成され
る真空室である。In these figures, 1 is an electrode plate that also functions as a gas diffusion plate, 1a is an electrode plate base material made of aluminum, and 1b is thermal sprayed on the surface of the electrode plate base material 1a except for the conductive surface. Corrosion-resistant protective film, 1c is a gas passage hole through which gas passes, 1d is a conductive surface, 2 is a glass plate that protects the electrode plate 1, 3 is a lid on which the electrode plate 1 is mounted and functions as an electrode body, and 3a is a lid 3, a protective film having corrosion resistance sprayed on the inner wall surface excluding the conductive surface that comes into contact with and electrically contacts the electrode plate 1, 4 is a lower chamber that forms a vacuum chamber inside with the lid 3, and 5 is the lid 3 An O-ring seal for sealing between the lower chamber 4 and the lower chamber 4, 6 is an electrode stage, 7 is a silicon wafer to be processed placed on the electrode stage 6, and 8 is gas for introducing gas into the vacuum chamber. Inlet, 9 is a vacuum chamber Evacuation port for gas, 12 a high frequency power source for applying a high frequency voltage to the electrode stage And, 51 is a vacuum chamber formed inside the lower chamber 4 and the lid 3.
【０００４】蓋３と下部チャンバー４とは、内部に真空
室５１を形成する容器を構成している。そして、蓋３の
底面すなわち内側壁面の中央部には窪み部３ｂが形成さ
れており、この窪み部３ｂにガス導入口８が開口してい
る。また、電極板１は窪み部３ｂの周縁に沿って設けら
れた環状の台座部３ｃにおいて蓋３と当接している。電
極板１のガス通過孔１ｃは、この窪み部３ｂに開口して
いる。また、電極ステージ６は、ガス通過孔１ｃから噴
出するガスがシリコンウエハ７へと向かうように、ガス
通過孔１ｃに対向する位置に設置されている。The lid 3 and the lower chamber 4 constitute a container in which a vacuum chamber 51 is formed. A recess 3b is formed in the bottom surface of the lid 3, that is, in the center of the inner wall surface, and the gas inlet 8 is opened in the recess 3b. Further, the electrode plate 1 is in contact with the lid 3 at an annular pedestal portion 3c provided along the peripheral edge of the recess 3b. The gas passage hole 1c of the electrode plate 1 is open in the recess 3b. The electrode stage 6 is installed at a position facing the gas passage hole 1c so that the gas ejected from the gas passage hole 1c is directed to the silicon wafer 7.
【０００５】この真空処理装置はつぎのように動作す
る。すなわち、処理対象となるシリコンウエハ７を電極
ステージ６の上に載置した後、真空排気口９に連結する
図示しない真空ポンプを駆動することによって、真空排
気口９を通じて真空室５１を真空引きする。This vacuum processing apparatus operates as follows. That is, after the silicon wafer 7 to be processed is placed on the electrode stage 6, the vacuum chamber 51 is evacuated through the vacuum exhaust port 9 by driving a vacuum pump (not shown) connected to the vacuum exhaust port 9. .
【０００６】真空室５１が所定の真空に達した後、ガス
導入口８に連結する図示しないガス導入装置を動作させ
ることによって、ガス導入口８を通じてエッチングガス
を真空室５１へと導入する。ガス導入口８を通過したエ
ッチングガスは、蓋３の底面中央部の窪み部３ｂへと一
旦導入され、さらに、ガス通過孔１ｃを通過することに
よって真空室５１へと導入される。そして、導入された
エッチングガスはシリコンウエハ７の表面へと向かう。After the vacuum chamber 51 reaches a predetermined vacuum, an etching gas (not shown) connected to the gas inlet 8 is operated to introduce the etching gas into the vacuum chamber 51 through the gas inlet 8. The etching gas that has passed through the gas introduction port 8 is once introduced into the recessed portion 3b at the center of the bottom surface of the lid 3, and further introduced into the vacuum chamber 51 by passing through the gas passage hole 1c. Then, the introduced etching gas goes to the surface of the silicon wafer 7.
【０００７】ガス導入口８からエッチングガスを導入し
つつ、高周波電源１２を駆動することによって、電極ス
テージ６と蓋３との間に高周波を印加する。その結果、
シリコンウエハ７の表面にエッチング処理が進行する。A high frequency is applied between the electrode stage 6 and the lid 3 by driving the high frequency power source 12 while introducing the etching gas from the gas inlet 8. as a result,
The etching process proceeds on the surface of the silicon wafer 7.
【０００８】上述したように、蓋３の内側表面、および
電極板１の表面などのエッチングガスに触れる部分は、
保護膜３ａおよび保護膜１ｂでそれぞれ覆われている。
そうすることによって、腐食性の強い気体であるエッチ
ングガスによる蓋３および電極板１の腐食を抑えてい
る。As described above, the inner surface of the lid 3 and the surface of the electrode plate 1 that come into contact with the etching gas are
They are covered with a protective film 3a and a protective film 1b, respectively.
By doing so, the corrosion of the lid 3 and the electrode plate 1 due to the etching gas that is a highly corrosive gas is suppressed.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】ところで、電極板１は
電極本体として機能する蓋３とは電気的に接続されてい
なければならない。このため、図１０に示すように、電
極板１の表面を覆う保護膜１ｂは、蓋３と当接する面で
ある導電面１ｄには形成されない。同じく、蓋３の表面
を覆う保護膜３ａは、導電面１ｄと接触する台座部３ｃ
の導電面には形成されない。しかしながら、エッチング
ガスはこれらの導電面へも侵入するので、この部分で腐
食が進行するという問題点があった。By the way, the electrode plate 1 must be electrically connected to the lid 3 which functions as an electrode body. Therefore, as shown in FIG. 10, the protective film 1b that covers the surface of the electrode plate 1 is not formed on the conductive surface 1d that is the surface that contacts the lid 3. Similarly, the protective film 3a covering the surface of the lid 3 has a pedestal portion 3c in contact with the conductive surface 1d.
Is not formed on the conductive surface of. However, since the etching gas also penetrates into these conductive surfaces, there is a problem that corrosion progresses in this portion.
【００１０】さらに、エッチングガスが通過するガス通
過孔１ｃの内壁へ保護膜１ｂのもとになる材料を溶射し
て、内壁に保護膜１ｂを均一に形成するのは容易ではな
いために、この部分の耐食性が劣るという問題点があっ
た。Furthermore, since it is not easy to spray the material that forms the protective film 1b onto the inner wall of the gas passage hole 1c through which the etching gas passes to uniformly form the protective film 1b on the inner wall, There was a problem that the corrosion resistance of the part was poor.
【００１１】これらの部分での腐食の進行は、電極板１
および蓋３の寿命を短縮するだけでなく、真空室におけ
る発塵の原因ともなっていた。そして、発塵のためにシ
リコンウエハ７が汚染され、半導体装置の歩留まりが低
下するという問題点があった。同時に、真空室の除染を
行う必要から、真空処理装置の稼動率が低下するという
問題点があった。The progress of corrosion in these parts is due to the fact that the electrode plate 1
In addition to shortening the life of the lid 3, it also causes dust in the vacuum chamber. Then, there is a problem that the silicon wafer 7 is contaminated due to the dust generation and the yield of the semiconductor device is reduced. At the same time, the vacuum chamber needs to be decontaminated, which causes a problem that the operating rate of the vacuum processing apparatus is reduced.
【００１２】この発明は、従来の技術における上記した
問題点を解消するためになされたもので、電極板および
蓋の腐食を抑えて、寿命の短縮を抑えるとともに、発塵
による処理対象物の汚染を抑えることを可能にする真空
処理装置を得ることを目的とする。さらに、半導体ウエ
ハの汚染を抑えて半導体装置を高い歩留まりで製造する
ことを可能にする半導体装置の製造方法を提供すること
を目的とする。The present invention has been made in order to solve the above-mentioned problems in the prior art, and suppresses corrosion of the electrode plate and the lid to suppress shortening of the life and contamination of the object to be treated due to dust generation. It is an object of the present invention to obtain a vacuum processing apparatus that makes it possible to suppress Another object of the present invention is to provide a method of manufacturing a semiconductor device, which can suppress the contamination of the semiconductor wafer and manufacture the semiconductor device with a high yield.
【００１３】[0013]
【課題を解決するための手段】第１の発明の装置は、真
空室を内部に形成する容器の一部をなす電極本体の内側
壁面に、ガス導入口が開口する窪み部とその周縁に沿っ
た台座部とが設けられており、前記窪み部を覆うととも
に前記台座部と電気的に接続されるように当該台座部に
電極板が固定され、当該電極板には前記窪み部に一端が
開口するガス通過孔が設けられており、前記ガス通過孔
の他端に対向する前記真空室内の位置に、処理対象物を
設置する電極ステージがさらに設けられており、前記電
極本体と前記電極ステージとの間に高周波を印加しつつ
前記ガス導入口から処理ガスを前記真空室へ導入するこ
とによって、前記処理対象物に処理を施す真空処理装置
において、相互に当接して電気的に接続される環状の導
電面を除いて、前記電極本体の内側壁面と前記電極板の
表面とが、耐食性材料から成っており、前記環状の導電
面の内側と外側とに隣接して当該導電面を前記真空室か
ら遮蔽するリングシールすなわち環状のシールが配設さ
れていることを特徴とする。According to a first aspect of the present invention, an inner wall surface of an electrode body forming a part of a container in which a vacuum chamber is formed is provided along a hollow portion in which a gas introduction port is opened and its peripheral edge. A pedestal portion is provided, and an electrode plate is fixed to the pedestal portion so as to cover the recess portion and be electrically connected to the pedestal portion, and one end of the electrode plate is opened in the recess portion. A gas passage hole is provided, and an electrode stage for installing an object to be treated is further provided at a position in the vacuum chamber facing the other end of the gas passage hole, and the electrode body and the electrode stage are provided. In the vacuum processing apparatus for processing the object to be processed by introducing the processing gas into the vacuum chamber from the gas inlet while applying a high frequency between them, a ring that is in contact with and electrically connected to each other. Except for the conductive surface of The inner wall surface of the electrode body and the surface of the electrode plate are made of a corrosion-resistant material, and a ring seal, that is, a ring seal that is adjacent to the inside and the outside of the annular conductive surface and shields the conductive surface from the vacuum chamber. A seal is provided.
【００１４】第２の発明の装置は、第１の発明の真空処
理装置において、前記ガス通過孔が複数個であって、当
該複数個のガス通過孔のそれぞれの内壁が、個別に圧入
された耐食性材料の筒状体で形成されており、前記電極
板の表面が、前記導電面と前記ガス通過孔の内壁面とを
除いて、耐食性材料を溶射することによって形成された
保護膜で覆われていることを特徴とする。The apparatus of the second invention is the vacuum processing apparatus of the first invention, wherein a plurality of the gas passage holes are provided and the inner walls of the plurality of gas passage holes are individually press-fitted. It is formed of a tubular body of a corrosion resistant material, and the surface of the electrode plate is covered with a protective film formed by spraying a corrosion resistant material except for the conductive surface and the inner wall surface of the gas passage hole. It is characterized by
【００１５】第３の発明の装置は、第１の発明の真空処
理装置において、前記電極板が、前記導電面を有する環
状部材と、耐食性材料で構成され前記環状部材の開口部
に挿入固定されたガス通過孔ブロックと、を有してお
り、前記ガス通過孔が複数個であって、当該複数個のガ
ス通過孔は、前記ガス通過孔ブロックに形成されている
ことを特徴とする。An apparatus according to a third aspect of the present invention is the vacuum processing apparatus according to the first aspect, wherein the electrode plate is made of an annular member having the conductive surface and made of a corrosion-resistant material, and is inserted and fixed in an opening of the annular member. And a plurality of gas passage holes, and the plurality of gas passage holes are formed in the gas passage hole block.
【００１６】第４の発明の装置は、第３の発明の真空処
理装置において、前記ガス通過孔ブロックは、前記環状
部材の前記開口部に着脱可能に挿入固定されていること
を特徴とする。An apparatus according to a fourth invention is characterized in that, in the vacuum processing apparatus according to the third invention, the gas passage hole block is detachably inserted and fixed to the opening of the annular member.
【００１７】第５の発明の装置は、第１の発明の真空処
理装置において、前記電極板の表面が、前記導電面を除
いて、成型後に焼成されたセラミックで覆われているこ
とを特徴とする。An apparatus according to a fifth aspect of the present invention is the vacuum processing apparatus according to the first aspect, wherein the surface of the electrode plate is covered with a ceramic fired after molding, excluding the conductive surface. To do.
【００１８】第６の発明の装置は、第１の発明の真空処
理装置において、前記電極板の表面が、前記導電面を除
いて、注形された樹脂で覆われていることを特徴とす
る。The apparatus of the sixth invention is the vacuum processing apparatus of the first invention, characterized in that the surface of the electrode plate is covered with a cast resin except for the conductive surface. .
【００１９】第７の発明の装置は、第１の発明の真空処
理装置において、筒状で耐食性の遮蔽体が、前記ガス導
入口の開口部と前記ガス通過孔の開口部とを囲むよう
に、前記窪み部に装着されており、当該筒状の遮蔽体の
一端面は別のリングシールを挟んで前記窪み部の表面に
密着し、他端面はさらに別のリングシールを挟んで前記
電極板の表面に密着していることを特徴とする。The apparatus of the seventh invention is the vacuum processing apparatus of the first invention, wherein a cylindrical, corrosion-resistant shield surrounds the opening of the gas inlet and the opening of the gas passage hole. , The one end surface of the cylindrical shield that is attached to the recessed portion is in close contact with the surface of the recessed portion with another ring seal sandwiched, and the other end surface is further sandwiched with another ring seal the electrode plate. It is characterized by being in close contact with the surface of.
【００２０】第８の発明の装置は、真空室を内部に形成
する容器の一部をなす電極本体の内側壁面に、ガス導入
口が開口する窪み部とその周縁に沿った台座部とが設け
られており、前記窪み部を覆うとともに前記台座部と電
気的に接続されるように当該台座部に電極板が固定さ
れ、当該電極板には前記窪み部に一端が開口するガス通
過孔が設けられており、前記ガス通過孔の他端に対向す
る前記真空室内の位置に処理対象物を設置する電極ステ
ージがさらに設けられており、前記電極本体と前記電極
ステージとの間に高周波を印加しつつ前記ガス導入口か
ら処理ガスを前記真空室へ導入することによって、前記
処理対象物に処理を施す真空処理装置において、相互に
当接して電気的に接続される環状の導電面を除いて、前
記電極本体の内側壁面と前記電極板の表面とが、耐食性
材料から成っており、筒状で耐食性の遮蔽体が、前記ガ
ス導入口の開口部と前記ガス通過孔の開口部とを囲むよ
うに、前記窪み部に装着されており、当該筒状の遮蔽体
の一端面はリングシールを挟んで前記窪み部の表面に密
着し、他端面は別のリングシールを挟んで前記電極板の
表面に密着していることを特徴とする。In the apparatus of the eighth aspect of the present invention, the inner wall surface of the electrode body forming a part of the container having the vacuum chamber formed therein is provided with the recessed portion for opening the gas introduction port and the pedestal portion along the periphery thereof. An electrode plate is fixed to the pedestal portion so as to cover the dent portion and be electrically connected to the pedestal portion, and the electrode plate is provided with a gas passage hole having one end opened to the dent portion. Further, an electrode stage for installing a processing object at a position in the vacuum chamber facing the other end of the gas passage hole is further provided, and a high frequency is applied between the electrode body and the electrode stage. While introducing the processing gas from the gas introduction port into the vacuum chamber, in the vacuum processing apparatus for processing the object to be processed, except for the annular conductive surface which is abutted and electrically connected to each other, Inner wall of the electrode body The surface of the electrode plate and the electrode plate is made of a corrosion-resistant material, and a cylindrical and corrosion-resistant shield surrounds the opening of the gas inlet and the opening of the gas passage hole in the recess. The cylindrical shield has one end face closely attached to the surface of the hollow portion with a ring seal sandwiched therebetween, and the other end face closely attached to the surface of the electrode plate with another ring seal sandwiched therebetween. Is characterized by.
【００２１】第９の発明の製造方法は、第１ないし第８
のいずれかの発明の真空処理装置を準備する工程と、半
導体ウェハを準備する工程と、前記半導体ウェハを前記
電極ステージに設置する工程と、前記真空室内を真空引
きする工程と、前記ガス導入口を通じて前記真空室内へ
処理ガスを供給する工程と、前記処理ガスを供給する工
程と同時に前記電極本体と前記電極ステージの間に高周
波を印加することによって、前記半導体ウェハに処理を
施す工程と、を備えることを特徴とする。The manufacturing method of the ninth invention is the first to eighth embodiments.
A step of preparing the vacuum processing apparatus of any one of the invention, a step of preparing a semiconductor wafer, a step of installing the semiconductor wafer on the electrode stage, a step of evacuating the vacuum chamber, the gas inlet Through the step of supplying a processing gas into the vacuum chamber, and simultaneously applying the processing gas, a step of applying a high frequency between the electrode body and the electrode stage to process the semiconductor wafer. It is characterized by being provided.
【００２２】[0022]
＜実施の形態１＞図２は実施の形態１の真空処理装置の
正面断面図である。この真空処理装置は、半導体ウェハ
へエッチング処理を行うための装置である。また、図３
は、図２の装置の電極板の平面図である。そして、図１
は、図３の電極板のＡ−Ａ切断線に沿った断面図であ
る。なお、図９および図１０に示した従来装置と同一部
分には同一符号を付して、その詳細な説明を略する。<First Embodiment> FIG. 2 is a front sectional view of a vacuum processing apparatus according to a first embodiment. This vacuum processing apparatus is an apparatus for etching a semiconductor wafer. Also, FIG.
FIG. 3 is a plan view of an electrode plate of the device of FIG. And FIG.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along the line AA of the electrode plate of FIG. The same parts as those of the conventional device shown in FIGS. 9 and 10 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.
【００２３】図１〜図３において、１０は電極板、１１
は耐食性の樹脂などで構成されるＯリングシール（リン
グシール）、１４はガスが通過する複数のガス通過孔、
１５はアルミニウムなどの導電性金属で構成される電極
板母材、１６は電極板母材１５の表面に導電面１９を除
いて溶射された耐食性を有する保護膜、１７は電極板母
材１５とは別体品でガス通過孔１４の内壁を形成してい
る複数の筒状体、１８は環状の導電面１９の内側と外側
に環状に形成されＯリング１１を配設するための環状溝
である。1 to 3, 10 is an electrode plate, and 11
Is an O-ring seal (ring seal) made of corrosion-resistant resin or the like, 14 is a plurality of gas passage holes through which gas passes,
Reference numeral 15 is an electrode plate base material made of a conductive metal such as aluminum, 16 is a protective film having corrosion resistance which is sprayed on the surface of the electrode plate base material 15 excluding the conductive surface 19, and 17 is an electrode plate base material 15 and Is a plurality of cylinders which are separate parts and which form the inner wall of the gas passage hole 14, and 18 is an annular groove formed annularly inside and outside the annular conductive surface 19 for arranging the O-ring 11. is there.
【００２４】電極板１０は、導電面１９が蓋（電極本
体）３の台座部３ｃに当接し、ガス通過孔１４が窪み部
３ｂに開口するような位置関係をもって、蓋３へと固定
されている。そして、導電面１９とこれに当接する台座
部３ｃの導電面とには、保護膜１６，３ａは形成されて
いないために、それらは直接に当接することによって、
互いに電気的に接続されている。The electrode plate 10 is fixed to the lid 3 in such a positional relationship that the conductive surface 19 is in contact with the pedestal portion 3c of the lid (electrode body) 3 and the gas passage hole 14 is opened in the recess 3b. There is. Since the protective films 16 and 3a are not formed on the conductive surface 19 and the conductive surface of the pedestal portion 3c that is in contact with the conductive surface 19, by directly contacting them,
They are electrically connected to each other.
【００２５】また、環状の導電面１９の内側と外側にそ
れぞれ隣接して環状溝１８が形成されており、しかもこ
の環状溝１８にはＯリングシール１１が配設されている
ので、保護膜１６，３ａで覆われない導電面１９とこれ
に当接する台座部３ｃの導電面への腐食性のエッチング
ガスの侵入が阻止される。すなわち、電極板１０および
蓋３において、電気的接続を保障するために保護膜で覆
うことのできない環状の領域は、Ｏリングシール１１で
密閉されることによって、真空室５１内のエッチングガ
スから遮蔽されている。このため、この保護膜で覆われ
ない領域においても、腐食性ガスの作用による腐食の進
行が抑えられる。Further, since the annular groove 18 is formed adjacent to the inside and outside of the annular conductive surface 19, and the O-ring seal 11 is disposed in the annular groove 18, the protective film 16 is provided. , 3a are prevented from entering the conductive surface 19 and the conductive surface of the pedestal portion 3c that abuts on the conductive surface 19. That is, in the electrode plate 10 and the lid 3, an annular region that cannot be covered with a protective film to ensure electrical connection is sealed by the O-ring seal 11 to shield it from the etching gas in the vacuum chamber 51. Has been done. Therefore, the progress of corrosion due to the action of the corrosive gas can be suppressed even in the region not covered with the protective film.
【００２６】また、図１に示すように、筒状体１７は、
外方に張出すフランジ状部を一端に有し、ガス通過孔１
４を内部に有しており、例えば耐食性のセラミック材
（一例として、アルミナ「ＡＬ２０３」）などで構成さ
れている。そして、複数の筒状体１７は、電極板母材１
５の中央領域に形成された複数の貫通孔に個別に圧入さ
れさらに接着されることによって、電極板母材１５と一
体化される。この圧入接着の後に、電極板母材１５の表
面に保護膜１６が形成される。図１に示すように、保護
膜１６は、電極板母材１５と保護膜１６との接続部をも
覆うように形成される。Further, as shown in FIG. 1, the cylindrical body 17 is
The gas passage hole 1 has a flange-like portion protruding outward at one end.
4 inside, and is made of, for example, a corrosion-resistant ceramic material (for example, alumina “AL203”). Then, the plurality of tubular bodies 17 are the electrode plate base material 1
By being press-fitted individually into a plurality of through holes formed in the central region of 5 and further adhered, they are integrated with the electrode plate base material 15. After this press-fit adhesion, the protective film 16 is formed on the surface of the electrode plate base material 15. As shown in FIG. 1, the protective film 16 is formed so as to also cover the connection portion between the electrode plate base material 15 and the protective film 16.
【００２７】このように、ガス通過孔１４の内壁が、耐
食性の筒状体１７で形成されているので、ガス通過孔１
４の内壁に保護膜１６を形成する必要がない。このた
め、ガス通過孔１４の内壁においても、良好な耐食性が
保障される。As described above, since the inner wall of the gas passage hole 14 is formed of the corrosion-resistant cylindrical body 17, the gas passage hole 1 is formed.
It is not necessary to form the protective film 16 on the inner wall of No. 4. Therefore, good corrosion resistance is ensured even on the inner wall of the gas passage hole 14.
【００２８】以上のように、この実施の形態の装置で
は、蓋３および電極板１０において、保護膜で保護し得
ない部分への腐食性のエッチングガスの侵入が阻止され
るとともに、エッチングガスに触れる部分では良好な耐
食性が保障される。このため、蓋３および電極板１０の
寿命が高まるとともに、腐食の進行にともなう発塵に起
因するシリコンウエハ７等の処理対象物の汚染が抑えら
れる。As described above, in the device of this embodiment, the corrosive etching gas is prevented from entering the portions of the lid 3 and the electrode plate 10 that cannot be protected by the protective film, and the etching gas is not used. Good corrosion resistance is guaranteed at the touched part. Therefore, the lifespan of the lid 3 and the electrode plate 10 is extended, and the contamination of the object to be treated such as the silicon wafer 7 caused by the dust generation due to the progress of corrosion is suppressed.
【００２９】したがって、従来装置を用いた方法と同様
の手順で、この実施の形態の装置を用いてシリコンウエ
ハ７などの半導体ウェハの処理を行うことによって、高
い歩留まりで半導体装置を製造することが可能である。
また、装置の除染に要する時間を短縮できるので、多数
の半導体ウェハの処理を能率よく行い得る。Therefore, by processing the semiconductor wafer such as the silicon wafer 7 using the apparatus of this embodiment in the same procedure as the method using the conventional apparatus, the semiconductor device can be manufactured with a high yield. It is possible.
Further, since the time required for decontamination of the apparatus can be shortened, a large number of semiconductor wafers can be processed efficiently.
【００３０】＜実施の形態２＞図４は、実施の形態２の
電極板の縦断面図である。また、図５は、この電極板の
構成部品であるガス通過孔ブロックの斜視分解図であ
る。図４および図５において、２０は電極板、２５はア
ルミニウムなどの導電性金属で構成され、中央に円形の
開口部を有する環状の電極板母材、２６は電極板母材２
５の表面に導電面２９を除いて溶射された耐食性を有す
る保護膜、２８は環状の導電面２９の内側と外側に環状
に形成されＯリング１１を配設するための環状溝であ
る。電極板母材２５と保護膜２６とで環状部材２７が構
成されている。<Second Embodiment> FIG. 4 is a vertical sectional view of an electrode plate according to a second embodiment. Further, FIG. 5 is a perspective exploded view of a gas passage hole block which is a component of the electrode plate. 4 and 5, 20 is an electrode plate, 25 is an annular electrode plate base material made of a conductive metal such as aluminum and having a circular opening in the center, and 26 is an electrode plate base material 2.
A protective film having corrosion resistance, which is sprayed on the surface of 5 except the conductive surface 29, is an annular groove formed in the inside and outside of the annular conductive surface 29 in an annular shape for disposing the O-ring 11. The electrode plate base material 25 and the protective film 26 form an annular member 27.
【００３１】また、２１は環状部材２７の開口部に取り
付けられたガス通過孔ブロックであり、開口部に挿入さ
れるガス通過孔ブロック本体２２と、この本体２２を環
状部材２７に固定するためのリング２３とを有してい
る。ガス通過孔ブロック本体２２は、外方に張出すフラ
ンジ状部を一端に有する円柱状であり、しかも、複数の
ガス通過孔２４がその一端と他端との間を貫通してい
る。Reference numeral 21 denotes a gas passage hole block attached to the opening of the annular member 27. The gas passage hole block main body 22 is inserted into the opening and the main body 22 is fixed to the annular member 27. And a ring 23. The gas passage hole block body 22 is in the shape of a cylinder having a flange portion projecting outward at one end, and a plurality of gas passage holes 24 penetrate between the one end and the other end.
【００３２】環状部材２７の開口部に挿入されたガス通
過孔ブロック本体２２は、その一端がフランジ状部によ
って係止される。さらに、ガス通過孔ブロック本体２２
の外側面とリング２３の内側面とには、互いに螺合可能
なネジが形成されている。ガス通過孔ブロック本体２２
の他端にリング２３をねじ込むことによって、ガス通過
孔ブロック２１が環状部材２７へと着脱自在に固定され
ている。The gas passage hole block body 22 inserted into the opening of the annular member 27 has one end locked by the flange portion. Furthermore, the gas passage hole block body 22
A screw that can be screwed into each other is formed on the outer side surface of the ring 23 and the inner side surface of the ring 23. Gas passage hole block body 22
The gas passage hole block 21 is detachably fixed to the annular member 27 by screwing the ring 23 into the other end of the ring.
【００３３】ガス通過孔ブロック本体２２およびリング
２３は、例えば、筒状体１７と同様の耐食性のセラミッ
ク材（一例として、アルミナ「ＡＬ２０３」）などで構
成される。すなわち、複数のガス通過孔１４ごとに筒状
体１７が個別に挿入されていた電極板１０に対して、こ
の実施の形態の電極板２０では、すべてのガス通過孔２
４が一体のガス通過孔ブロック本体２２で形成されてい
る点が特徴的に異なっている。The gas passage hole block body 22 and the ring 23 are made of, for example, a corrosion-resistant ceramic material similar to that of the tubular body 17 (for example, alumina "AL203"). That is, in contrast to the electrode plate 10 in which the tubular body 17 is individually inserted for each of the plurality of gas passage holes 14, in the electrode plate 20 of this embodiment, all the gas passage holes 2 are included.
4 is formed of a gas passage hole block main body 22 which is integrated with each other.
【００３４】電極板２０は、電極板１０と同様に、導電
面２９が蓋３の台座部３ｃに当接し、ガス通過孔２４が
窪み部３ｂに開口するような位置関係をもって、蓋３へ
と固定される。環状溝２８にはＯリングシール１１が配
設されているので、保護膜２６，３ａで覆われない導電
面２９とこれに当接する台座部３ｃの導電面への腐食性
のエッチングガスの侵入が阻止される点も、実施の形態
１と同様である。Similar to the electrode plate 10, the electrode plate 20 is connected to the lid 3 in such a positional relationship that the conductive surface 29 is in contact with the pedestal portion 3c of the lid 3 and the gas passage hole 24 is opened in the recess 3b. Fixed. Since the O-ring seal 11 is arranged in the annular groove 28, the corrosive etching gas does not enter the conductive surface 29 that is not covered with the protective films 26 and 3a and the conductive surface of the pedestal portion 3c that contacts the conductive surface 29. The point of being blocked is also similar to that of the first embodiment.
【００３５】また、ガス通過孔２４の内壁が、耐食性の
ガス通過孔ブロック本体２２で形成されているので、ガ
ス通過孔２４の内壁に保護膜を形成する必要がない。こ
のため、ガス通過孔２４の内壁においても、良好な耐食
性が保障される。このように、この実施の形態の装置に
おいても、蓋３および電極板２０の保護膜で保護し得な
い部分への腐食性のエッチングガスの侵入が阻止される
とともに、エッチングガスに触れる部分では良好な耐食
性が保障されるので、蓋３および電極板２０の寿命が高
まるとともに、腐食の進行にともなう発塵に起因するシ
リコンウエハ７等の処理対象物の汚染が抑えられる。Further, since the inner wall of the gas passage hole 24 is formed of the corrosion-resistant gas passage hole block body 22, it is not necessary to form a protective film on the inner wall of the gas passage hole 24. Therefore, good corrosion resistance is ensured even on the inner wall of the gas passage hole 24. As described above, also in the device of this embodiment, the corrosive etching gas is prevented from entering the portions of the lid 3 and the electrode plate 20 that cannot be protected by the protective film, and the portions that come into contact with the etching gas are good. Since the corrosion resistance is ensured, the life of the lid 3 and the electrode plate 20 is extended, and the contamination of the processing object such as the silicon wafer 7 due to the dust generation accompanying the progress of corrosion is suppressed.
【００３６】さらに、複数のガス通過孔２４ごとに複数
の耐食性の部材を準備する必要がないのに加えて、圧入
接着を行う必要もないので、装置の組立てが安価かつ容
易に行われるという利点がある。Further, since it is not necessary to prepare a plurality of corrosion-resistant members for each of the plurality of gas passage holes 24 and it is not necessary to perform press-fitting adhesion, the assembly of the apparatus is inexpensive and easy. There is.
【００３７】＜実施の形態３＞図６は、実施の形態３の
電極板の縦断面図である。図６において、３０は電極
板、３５はアルミニウムなどの導電性金属で構成され、
中央部に複数の貫通孔を有する電極板母材、３６は電極
板母材３５の表面に導電面３９を除いて形成された耐食
性を有する保護膜、３８は環状の導電面２９の内側と外
側に環状に形成されＯリング１１を配設するための環状
溝である。<Third Embodiment> FIG. 6 is a vertical sectional view of an electrode plate according to a third embodiment. In FIG. 6, 30 is an electrode plate, 35 is a conductive metal such as aluminum,
An electrode plate base material having a plurality of through holes in the central portion, 36 is a protective film having corrosion resistance formed on the surface of the electrode plate base material 35 excluding the conductive surface 39, and 38 are inside and outside of the annular conductive surface 29. It is an annular groove which is formed in an annular shape in which the O-ring 11 is arranged.
【００３８】保護膜３６は、例えば樹脂を型に流し込む
ことで、電極板母材３５の表面を所定の厚さで覆うよう
にし、その後、硬化させることによって形成される。す
なわち、注形処理によって電極板母材３５と一体的に形
成される。このとき、電極板母材３５の中央部の貫通孔
ごとに、ガス通過孔３４がそれぞれ形成される。そし
て、各ガス通過孔３４の内壁は保護膜３６によって覆わ
れる。また、保護膜３６は、樹脂の代わりに、例えばア
ルミナなどのセラミックの粉末を所定の形状に成型した
後、焼成することによって、電極板母材３５と一体的に
形成してもよい。The protective film 36 is formed by, for example, pouring a resin into a mold so as to cover the surface of the electrode plate base material 35 with a predetermined thickness and then hardening the resin. That is, it is integrally formed with the electrode plate base material 35 by the casting process. At this time, the gas passage hole 34 is formed in each of the through holes in the central portion of the electrode plate base material 35. The inner wall of each gas passage hole 34 is covered with the protective film 36. Further, the protective film 36 may be formed integrally with the electrode plate base material 35 by molding ceramic powder such as alumina into a predetermined shape instead of resin and then firing the powder.
【００３９】電極板３０は、電極板１０，２０と同様
に、導電面３９が蓋３の台座部３ｃに当接し、ガス通過
孔３４が窪み部３ｂに開口するような位置関係をもっ
て、蓋３へと固定される。環状溝３８にはＯリングシー
ル１１が配設されているので、保護膜３６，３ａで覆わ
れない導電面３９とこれに当接する台座部３ｃの導電面
への腐食性のエッチングガスの侵入が阻止される点も、
実施の形態１，２と同様である。Like the electrode plates 10 and 20, the electrode plate 30 has a positional relationship such that the conductive surface 39 is in contact with the pedestal portion 3c of the lid 3 and the gas passage hole 34 is open to the recess 3b. Fixed to. Since the O-ring seal 11 is disposed in the annular groove 38, the corrosive etching gas does not enter the conductive surface 39 that is not covered with the protective films 36 and 3a and the conductive surface of the pedestal portion 3c that is in contact with the conductive surface 39. The points that are blocked
This is similar to the first and second embodiments.
【００４０】また、電極板母材３５の中央部に形成され
る複数の貫通孔は、径を十分に大きくしておき、保護膜
３６の厚さを調節することでガス通過孔３４を所望の径
に形成することができる。すなわち、ガス通過孔３４の
内壁に保護膜３６を形成するのに困難をともなわない。
このため、ガス通過孔３４の内壁においても、良好な耐
食性が保障される。The plurality of through holes formed in the central portion of the electrode plate base material 35 have a sufficiently large diameter and the thickness of the protective film 36 is adjusted so that the gas passage hole 34 can be formed in a desired shape. Can be formed into a diameter. That is, it is not difficult to form the protective film 36 on the inner wall of the gas passage hole 34.
Therefore, good corrosion resistance is ensured even on the inner wall of the gas passage hole 34.
【００４１】このように、この実施の形態の装置におい
ても、蓋３および電極板３０の保護膜で保護し得ない部
分への腐食性のエッチングガスの侵入が阻止されるとと
もに、エッチングガスに触れる部分では良好な耐食性が
保障されるので、蓋３および電極板３０の寿命が高まる
とともに、腐食の進行にともなう発塵に起因するシリコ
ンウエハ７等の処理対象物の汚染が抑えられる。As described above, also in the apparatus of this embodiment, the corrosive etching gas is prevented from entering the portions of the lid 3 and the electrode plate 30 which cannot be protected by the protective film, and the etching gas is exposed. Good corrosion resistance is ensured in the portion, so that the life of the lid 3 and the electrode plate 30 is extended, and the contamination of the processing object such as the silicon wafer 7 due to the dust generation accompanying the progress of corrosion is suppressed.
【００４２】また、溶射によって形成された電極板１０
の保護膜１６に比べて、この実施の形態の保護膜３６で
は、膜厚を容易に大きくすることができるのに加えて、
ガス通過孔３４においても電極板母材３５と一体的に形
成されるので、電極板３０の寿命がさらに向上する。さ
らに、複数のガス通過孔３４ごとに複数の耐食性の部材
を準備する必要がないのに加えて、圧入接着を行う必要
もないので、装置の組立てが安価かつ容易に行われると
いう利点がある。The electrode plate 10 formed by thermal spraying
In comparison with the protective film 16 of No. 3, the protective film 36 of this embodiment can easily increase the film thickness, and
Since the gas passage hole 34 is also formed integrally with the electrode plate base material 35, the life of the electrode plate 30 is further improved. Furthermore, since it is not necessary to prepare a plurality of corrosion-resistant members for each of the plurality of gas passage holes 34 and it is not necessary to perform press-fit adhesion, there is an advantage that the apparatus can be assembled inexpensively and easily.
【００４３】＜実施の形態４＞図７は実施の形態４の真
空処理装置の正面断面図である。この真空処理装置は、
半導体ウェハへエッチング処理を行うための装置であ
る。また、図８は、図７の装置の遮蔽体の平面図であ
る。<Fourth Embodiment> FIG. 7 is a front sectional view of a vacuum processing apparatus according to a fourth embodiment. This vacuum processing device
This is an apparatus for etching a semiconductor wafer. 8 is a plan view of the shield of the device of FIG.
【００４４】この実施の形態では、エッチングガスの導
電面１９への侵入を阻止する円筒状の遮蔽体４０が、蓋
３の窪み部３ｂに設置されている点が、実施の形態１の
真空処理装置とは特徴的に異なっている。円筒状の遮蔽
体４０は、電気絶縁性で耐食性の高い材料、例えばフッ
素樹脂で構成されている。そして、その両端面には環状
溝４８が形成されており、これらの環状溝４８にはＯリ
ングシール４３が配設されている。In this embodiment, the vacuum treatment of the first embodiment is that a cylindrical shield 40 for preventing the etching gas from entering the conductive surface 19 is provided in the recess 3b of the lid 3. Characteristically different from the device. The cylindrical shield 40 is made of a material having electrical insulation and high corrosion resistance, for example, fluororesin. Further, annular grooves 48 are formed on both end surfaces thereof, and O-ring seals 43 are arranged in these annular grooves 48.
【００４５】そして、遮蔽体４０の一端面は窪み部３ｂ
の天井部に当接し、他端面は電極板１０の上面に当接す
る。しかも、遮蔽体４０は、ガス導入口８の開口部およ
びガス通過孔１４を囲むように、言い替えると、遮蔽体
４０の内側空洞部にガス導入口８とガス通過孔１４とが
開口するような位置に設置される。The one end surface of the shield 40 has a recess 3b.
Of the electrode plate 10, and the other end surface of the electrode plate 10 contacts the upper surface of the electrode plate 10. Moreover, the shield 40 surrounds the opening of the gas introduction port 8 and the gas passage hole 14, in other words, the gas introduction port 8 and the gas passage hole 14 are opened in the inner cavity of the shield 40. It is installed in the position.
【００４６】ガス導入口８から窪み部３ｂへと導入され
たばかりのエッチングガス、すなわち環状の導電面１９
の内側に存在するエッチングガスは、導電面１９の外側
に存在するガスに比べて濃度が高く、しかも未反応であ
るために、腐食性が特に高くなっている。しかしなが
ら、窪み部３ｂへ導入された腐食性の高いエッチングガ
スは、遮蔽体４０およびＯリングシール４３に阻止され
て、導電面１９へ直接には侵入し得ない。The etching gas just introduced from the gas inlet 8 into the recess 3b, that is, the annular conductive surface 19
Since the etching gas existing inside the substrate has a higher concentration than the gas existing outside the conductive surface 19 and is unreacted, it is particularly corrosive. However, the highly corrosive etching gas introduced into the recess 3b is blocked by the shield 40 and the O-ring seal 43, and cannot enter the conductive surface 19 directly.
【００４７】Ｏリングシール１１によっても、導電面１
９へのガスの侵入は阻止されるが、遮蔽体４０を設ける
ことによって、二重に遮蔽がなされることとなり、導電
面１９およびこれに当接する台座部３ｃの部分の腐食が
一層効果的に抑制される。その結果、電極板１０および
蓋３の寿命がさらに向上する。また、電極板１０の代わ
りに、従来の電極板１を用いたときにも、遮蔽体４０を
設置することで、導電面１ｄおよびこれに当接する台座
部３ｃの部分の腐食を抑制する効果が得られる。Even with the O-ring seal 11, the conductive surface 1
Although the invasion of the gas into 9 is blocked, by providing the shield 40, the shield is doubly shielded, and the conductive surface 19 and the portion of the pedestal portion 3c that abuts on the conductive surface 19 are more effectively corroded. Suppressed. As a result, the life of the electrode plate 10 and the lid 3 is further improved. Further, when the conventional electrode plate 1 is used instead of the electrode plate 10, the effect of suppressing the corrosion of the conductive surface 1d and the portion of the pedestal portion 3c that abuts on the conductive surface 1d is provided even when the conventional electrode plate 1 is used. can get.
【００４８】[0048]
【発明の効果】第１の発明の装置では、環状の導電面が
内側と外側とに隣接するリングシールすなわち環状のシ
ールによって真空室から遮蔽されているので、導電面へ
の処理ガスの侵入が阻止される。しかも、真空室に露出
する部分すなわち処理ガスに曝される部分の表面は耐食
性材料から成っている。このため、電極本体および電極
板の腐食が抑えられ、これらの寿命が向上する。また、
腐食にともなう発塵が抑えられるので、処理対象物の汚
染も低減される。In the device of the first aspect of the present invention, since the annular conductive surface is shielded from the vacuum chamber by the ring seal adjacent to the inner side and the outer side, that is, the annular seal, invasion of the processing gas into the conductive surface is prevented. Be blocked. Moreover, the surface of the portion exposed to the vacuum chamber, that is, the portion exposed to the processing gas is made of a corrosion resistant material. Therefore, the corrosion of the electrode body and the electrode plate is suppressed, and the life of these is improved. Also,
Since dust generation due to corrosion is suppressed, contamination of the object to be treated is also reduced.
【００４９】第２の発明の装置では、電極板に複数個の
ガス通過孔が設けられているので、処理対象物へ供給さ
れる未反応の処理ガスの濃度の均一性が向上する。そし
て、電極板の表面を形成する耐食性材料が、溶射によっ
て保護膜として形成されたものであるために、電極板の
製造が容易である。また、複数個のガス通過孔のそれぞ
れの内壁には溶射が行われず、その代わりに、これらの
内壁が、個別に圧入された耐食性材料の筒状体で形成さ
れているので、溶射による保護膜の形成が困難なこれら
の内壁においても良好な耐食性が保障される。In the apparatus of the second aspect of the invention, since the electrode plate is provided with a plurality of gas passage holes, the uniformity of the concentration of the unreacted processing gas supplied to the object to be processed is improved. Since the corrosion resistant material forming the surface of the electrode plate is formed as a protective film by thermal spraying, the electrode plate can be easily manufactured. Further, the inner wall of each of the plurality of gas passage holes is not sprayed, but instead, these inner walls are formed by the cylindrical body of the corrosion resistant material that is individually press-fitted, so that the protective film by the spraying is formed. Good corrosion resistance is ensured even on these inner walls where it is difficult to form.
【００５０】第３の発明の装置では、電極板に複数個の
ガス通過孔が設けられているので、処理対象物へ供給さ
れる未反応の処理ガスの濃度の均一性が向上する。そし
て、これらのガス通過孔が、耐食性材料で構成されたガ
ス通過孔ブロックに形成されており、各ガス通過孔ごと
にその内壁を耐食性材料で個別に形成する必要がないの
で、電極板の製造が容易である。In the apparatus of the third invention, since the electrode plate is provided with a plurality of gas passage holes, the uniformity of the concentration of the unreacted processing gas supplied to the object to be processed is improved. Since these gas passage holes are formed in the gas passage hole block made of the corrosion resistant material, and it is not necessary to individually form the inner wall of each gas passage hole with the corrosion resistant material, the electrode plate is manufactured. Is easy.
【００５１】第４の発明の装置では、ガス通過孔ブロッ
クが環状部材の開口部に着脱可能に挿入固定されている
ので、電極板の製造がさらに容易である。In the device of the fourth aspect of the invention, the gas passage hole block is detachably inserted and fixed in the opening of the annular member, so that the electrode plate can be manufactured more easily.
【００５２】第５の発明の装置では、導電面を除いた電
極板の表面が、成型後に焼成されたセラミックで覆われ
ている。すなわち、ガス通過孔をも含めて、通常条件下
の溶射によって形成される保護膜に比べて、厚い耐食性
材料で覆われる。このため、電極板の高い寿命が実現す
る。In the device of the fifth aspect of the invention, the surface of the electrode plate excluding the conductive surface is covered with the ceramic fired after molding. That is, including the gas passage holes, it is covered with a thicker corrosion resistant material than the protective film formed by thermal spraying under normal conditions. Therefore, a long life of the electrode plate is realized.
【００５３】第６の発明の装置では、導電面を除いた電
極板の表面が、注形された樹脂で覆われている。すなわ
ち、ガス通過孔をも含めて、通常条件下の溶射によって
形成される保護膜に比べて、厚い耐食性材料で覆われ
る。このため、電極板の高い寿命が実現する。In the device of the sixth invention, the surface of the electrode plate excluding the conductive surface is covered with the cast resin. That is, including the gas passage holes, it is covered with a thicker corrosion resistant material than the protective film formed by thermal spraying under normal conditions. Therefore, a long life of the electrode plate is realized.
【００５４】第７の発明の装置では、電極本体の内壁の
窪み部に装着された遮蔽体によって、ガス導入口から導
入される処理ガスが電極板および電極本体の導電面へと
内側から直接に侵入することが阻止される。すなわち、
導電面が処理ガスの侵入から二重に遮蔽されている。こ
のため、導電面における腐食がさらに効果的に抑制され
る。In the apparatus of the seventh invention, the processing gas introduced from the gas inlet is directly applied from the inside to the conductive surface of the electrode plate and the electrode body by the shield attached to the recess of the inner wall of the electrode body. Intrusion is prevented. That is,
The conductive surface is doubly shielded from ingress of process gas. Therefore, corrosion on the conductive surface is suppressed more effectively.
【００５５】第８の発明の装置では、電極本体の内壁の
窪み部に装着された遮蔽体によって、ガス導入口から導
入される処理ガスが電極板および電極本体の導電面へと
内側から直接に侵入することが阻止される。しかも、真
空室に露出する部分すなわち処理ガスに曝される部分の
表面は耐食性材料から成っている。このため、電極本体
および電極板の腐食が抑えられ、これらの寿命が向上す
る。また、腐食にともなう発塵が抑えられるので、処理
対象物の汚染も低減される。In the apparatus of the eighth aspect of the invention, the processing gas introduced from the gas inlet is directly applied from the inside to the conductive surface of the electrode plate and the electrode body by the shield attached to the recessed portion of the inner wall of the electrode body. Intrusion is prevented. Moreover, the surface of the portion exposed to the vacuum chamber, that is, the portion exposed to the processing gas is made of a corrosion resistant material. Therefore, the corrosion of the electrode body and the electrode plate is suppressed, and the life of these is improved. Further, since dust generation due to corrosion is suppressed, contamination of the object to be treated is also reduced.
【００５６】第９の発明の製造方法では、第１ないし第
８の発明の装置を用いて半導体ウェハへの処理が行われ
るので、装置の腐食にともなう発塵に起因する半導体ウ
ェハの汚染が抑えられ、半導体装置の歩留まりが向上す
る。In the manufacturing method of the ninth invention, since the semiconductor wafer is processed by using the apparatus of the first to eighth inventions, the contamination of the semiconductor wafer due to the dust generation due to the corrosion of the apparatus is suppressed. Therefore, the yield of semiconductor devices is improved.
【図１】 実施の形態１の電極板の縦断面図である。FIG. 1 is a vertical cross-sectional view of an electrode plate according to a first embodiment.
【図２】 実施の形態１の真空処理装置の正面断面図で
ある。FIG. 2 is a front sectional view of the vacuum processing apparatus according to the first embodiment.
【図３】 実施の形態１の電極板の平面図である。FIG. 3 is a plan view of the electrode plate according to the first embodiment.
【図４】 実施の形態２の電極板の縦断面図である。FIG. 4 is a vertical sectional view of an electrode plate according to a second embodiment.
【図５】 実施の形態２の電極板の斜視分解図である。FIG. 5 is a perspective exploded view of the electrode plate according to the second embodiment.
【図６】 実施の形態３の電極板の縦断面図である。FIG. 6 is a vertical sectional view of an electrode plate according to a third embodiment.
【図７】 実施の形態４の真空処理装置の正面断面図で
ある。FIG. 7 is a front sectional view of a vacuum processing apparatus according to a fourth embodiment.
【図８】 実施の形態４の遮蔽体の平面図である。FIG. 8 is a plan view of a shield according to a fourth embodiment.
【図９】 従来の真空処理装置の正面断面図である。FIG. 9 is a front sectional view of a conventional vacuum processing apparatus.
【図１０】 従来の電極板の縦断面図である。FIG. 10 is a vertical cross-sectional view of a conventional electrode plate.
３ 蓋（電極本体）、３ｂ 窪み部、３ｃ 台座部、６
電極ステージ、７シリコンウエハ（処理対象物）、８
ガス導入口、１０，２０，３０ 電極板、１１，４３
Ｏリングシール（リングシール）、１４，２４，３４
ガス通過孔、１６，２６ 保護膜、１７ 筒状体、１
９，２９，３９ 導電面、２１ ガス通過孔ブロック、
２７ 環状部材、４０ 遮蔽体、５１ 真空室。3 Lid (electrode body), 3b hollow part, 3c pedestal part, 6
Electrode stage, 7 silicon wafer (processing target), 8
Gas inlet port 10, 20, 30 Electrode plate, 11, 43
O-ring seal (ring seal), 14, 24, 34
Gas passage hole, 16, 26 Protective film, 17 Cylindrical body, 1
9, 29, 39 conductive surface, 21 gas passage hole block,
27 annular member, 40 shield, 51 vacuum chamber.
Claims (9)
す電極本体の内側壁面に、ガス導入口が開口する窪み部
とその周縁に沿った台座部とが設けられており、前記窪
み部を覆うとともに前記台座部と電気的に接続されるよ
うに当該台座部に電極板が固定され、当該電極板には前
記窪み部に一端が開口するガス通過孔が設けられてお
り、前記ガス通過孔の他端に対向する前記真空室内の位
置に、処理対象物を設置する電極ステージがさらに設け
られており、前記電極本体と前記電極ステージとの間に
高周波を印加しつつ前記ガス導入口から処理ガスを前記
真空室へ導入することによって、前記処理対象物に処理
を施す真空処理装置において、 相互に当接して電気的に接続される環状の導電面を除い
て、前記電極本体の内側壁面と前記電極板の表面とが、
耐食性材料から成っており、前記環状の導電面の内側と
外側とに隣接して当該導電面を前記真空室から遮蔽する
リングシールが配設されていることを特徴とする真空処
理装置。1. An inner wall surface of an electrode body forming a part of a container in which a vacuum chamber is formed is provided with a recessed portion for opening a gas introduction port and a pedestal portion along the periphery thereof. An electrode plate is fixed to the pedestal so as to be electrically connected to the pedestal while covering the part, and the electrode plate is provided with a gas passage hole whose one end opens in the recess, An electrode stage for installing an object to be processed is further provided at a position in the vacuum chamber facing the other end of the passage hole, and the gas introduction port while applying high frequency between the electrode body and the electrode stage. In the vacuum processing apparatus for processing the object to be processed by introducing the processing gas into the vacuum chamber from the inside of the electrode body, except for the annular conductive surfaces which are in contact with each other and electrically connected to each other. Between the wall surface and the electrode plate Surface and is,
A vacuum processing apparatus, which is made of a corrosion resistant material, and in which a ring seal for shielding the conductive surface from the vacuum chamber is disposed adjacent to the inside and the outside of the annular conductive surface.
て、 前記ガス通過孔が複数個であって、当該複数個のガス通
過孔のそれぞれの内壁が、個別に圧入された耐食性材料
の筒状体で形成されており、 前記電極板の表面が、前記導電面と前記ガス通過孔の内
壁面とを除いて、耐食性材料を溶射することによって形
成された保護膜で覆われていることを特徴とする真空処
理装置。2. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the plurality of gas passage holes are provided, and the inner walls of the plurality of gas passage holes are individually press-fitted into a cylindrical shape. It is formed of a body, the surface of the electrode plate, except for the conductive surface and the inner wall surface of the gas passage hole, is covered with a protective film formed by spraying a corrosion resistant material Vacuum processing equipment.
て、 前記電極板が、前記導電面を有する環状部材と、耐食性
材料で構成され前記環状部材の開口部に挿入固定された
ガス通過孔ブロックと、を有しており、 前記ガス通過孔が複数個であって、当該複数個のガス通
過孔は、前記ガス通過孔ブロックに形成されていること
を特徴とする真空処理装置。3. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the electrode plate is composed of an annular member having the conductive surface, and a gas passage hole block made of a corrosion resistant material and inserted and fixed in an opening of the annular member. And a plurality of gas passage holes, and the plurality of gas passage holes are formed in the gas passage hole block.
て、 前記ガス通過孔ブロックは、前記環状部材の前記開口部
に着脱可能に挿入固定されていることを特徴とする真空
処理装置。4. The vacuum processing apparatus according to claim 3, wherein the gas passage hole block is removably inserted and fixed in the opening of the annular member.
て、 前記電極板の表面が、前記導電面を除いて、成型後に焼
成されたセラミックで覆われていることを特徴とする真
空処理装置。5. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the surface of the electrode plate is covered with a ceramic fired after molding except the conductive surface.
て、 前記電極板の表面が、前記導電面を除いて、注形された
樹脂で覆われていることを特徴とする真空処理装置。6. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein the surface of the electrode plate is covered with a cast resin except for the conductive surface.
て、 筒状で耐食性の遮蔽体が、前記ガス導入口の開口部と前
記ガス通過孔の開口部とを囲むように、前記窪み部に装
着されており、当該筒状の遮蔽体の一端面は別のリング
シールを挟んで前記窪み部の表面に密着し、他端面はさ
らに別のリングシールを挟んで前記電極板の表面に密着
していることを特徴とする真空処理装置。7. The vacuum processing apparatus according to claim 1, wherein a tubular and corrosion-resistant shield is provided in the recess so as to surround the opening of the gas inlet and the opening of the gas passage hole. The cylindrical shield has one end face closely attached to the surface of the recess with another ring seal interposed therebetween, and the other end face closely adheres to the surface of the electrode plate with another ring seal interposed therebetween. The vacuum processing device is characterized in that
す電極本体の内側壁面に、ガス導入口が開口する窪み部
とその周縁に沿った台座部とが設けられており、前記窪
み部を覆うとともに前記台座部と電気的に接続されるよ
うに当該台座部に電極板が固定され、当該電極板には前
記窪み部に一端が開口するガス通過孔が設けられてお
り、前記ガス通過孔の他端に対向する前記真空室内の位
置に、処理対象物を設置する電極ステージがさらに設け
られており、前記電極本体と前記電極ステージとの間に
高周波を印加しつつ前記ガス導入口から処理ガスを前記
真空室へ導入することによって、前記処理対象物に処理
を施す真空処理装置において、 相互に当接して電気的に接続される環状の導電面を除い
て、前記電極本体の内側壁面と前記電極板の表面とが、
耐食性材料から成っており、 筒状で耐食性の遮蔽体が、前記ガス導入口の開口部と前
記ガス通過孔の開口部とを囲むように、前記窪み部に装
着されており、当該筒状の遮蔽体の一端面はリングシー
ルを挟んで前記窪み部の表面に密着し、他端面は別のリ
ングシールを挟んで前記電極板の表面に密着しているこ
とを特徴とする真空処理装置。8. An inner wall surface of an electrode body forming a part of a container in which a vacuum chamber is formed is provided with a recessed portion where a gas introduction port is opened and a pedestal portion along the periphery of the recessed portion. An electrode plate is fixed to the pedestal so as to be electrically connected to the pedestal while covering the part, and the electrode plate is provided with a gas passage hole whose one end opens in the recess, An electrode stage for installing an object to be processed is further provided at a position in the vacuum chamber facing the other end of the passage hole, and the gas introduction port while applying high frequency between the electrode body and the electrode stage. In the vacuum processing apparatus for processing the object to be processed by introducing the processing gas into the vacuum chamber from the inside of the electrode body, except for the annular conductive surfaces which are in contact with each other and electrically connected to each other. Between the wall surface and the electrode plate Surface and is,
A cylindrical and corrosion-resistant shield made of a corrosion-resistant material is attached to the recess so as to surround the opening of the gas inlet and the opening of the gas passage hole, and the cylindrical A vacuum processing apparatus, wherein one end surface of the shield is in close contact with the surface of the recessed portion with a ring seal interposed therebetween, and the other end surface is in contact with the surface of the electrode plate with another ring seal interposed therebetween.
載の真空処理装置を準備する工程と、 半導体ウェハを準備する工程と、 前記半導体ウェハを前記電極ステージに設置する工程
と、 前記真空室内を真空引きする工程と、 前記ガス導入口を通じて前記真空室内へ処理ガスを供給
する工程と、 前記処理ガスを供給する工程と同時に前記電極本体と前
記電極ステージの間に高周波を印加することによって、
前記半導体ウェハに処理を施す工程と、 を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。9. A step of preparing the vacuum processing apparatus according to claim 1, a step of preparing a semiconductor wafer, a step of installing the semiconductor wafer on the electrode stage, and a step of forming the vacuum. By applying a high frequency between the electrode body and the electrode stage simultaneously with the step of evacuating the chamber, the step of supplying the processing gas into the vacuum chamber through the gas inlet, and the step of supplying the processing gas. ,
A method of manufacturing a semiconductor device, comprising: a step of processing the semiconductor wafer.
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Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100741974B1 (en) * | 2005-08-18 | 2007-07-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | Encapsulation equipment and method for encapsulating using the same |
| JP2010132950A (en) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Shimadzu Corp | Method for manufacturing shower electrode of plasma cvd apparatus |
| JP2012018928A (en) * | 1999-12-10 | 2012-01-26 | Tokyo Electron Ltd | Processing unit, corrosion resistant member and method of manufacturing corrosion resistant member |
| US8124240B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-02-28 | Tohoku University | Protective film structure of metal member, metal component employing protective film structure, and equipment for producing semiconductor or flat-plate display employing protective film structure |
| US8206833B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-06-26 | Tohoku University | Metal oxide film, laminate, metal member and process for producing the same |
| US8282807B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-10-09 | National University Corporation Tohoku University | Metal member having a metal oxide film and method of manufacturing the same |
| US8642187B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-02-04 | National University Corporation Tohoku University | Structural member to be used in apparatus for manufacturing semiconductor or flat display, and method for producing the same |
| JP2014120764A (en) * | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Gloval Material Science Co Ltd | Upper electrode of dry etching reaction chamber and manufacturing method therefor |
| JP2020088317A (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | Showerhead and gas processing device |
-
1995
- 1995-09-01 JP JP22515895A patent/JP3378126B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012018928A (en) * | 1999-12-10 | 2012-01-26 | Tokyo Electron Ltd | Processing unit, corrosion resistant member and method of manufacturing corrosion resistant member |
| US8124240B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-02-28 | Tohoku University | Protective film structure of metal member, metal component employing protective film structure, and equipment for producing semiconductor or flat-plate display employing protective film structure |
| US8206833B2 (en) | 2005-06-17 | 2012-06-26 | Tohoku University | Metal oxide film, laminate, metal member and process for producing the same |
| US9476137B2 (en) | 2005-06-17 | 2016-10-25 | Tohoku University | Metal oxide film, laminate, metal member and process for producing the same |
| KR100741974B1 (en) * | 2005-08-18 | 2007-07-23 | 삼성에스디아이 주식회사 | Encapsulation equipment and method for encapsulating using the same |
| US8282807B2 (en) | 2006-12-28 | 2012-10-09 | National University Corporation Tohoku University | Metal member having a metal oxide film and method of manufacturing the same |
| US8642187B2 (en) | 2006-12-28 | 2014-02-04 | National University Corporation Tohoku University | Structural member to be used in apparatus for manufacturing semiconductor or flat display, and method for producing the same |
| JP2010132950A (en) * | 2008-12-03 | 2010-06-17 | Shimadzu Corp | Method for manufacturing shower electrode of plasma cvd apparatus |
| JP2014120764A (en) * | 2012-12-17 | 2014-06-30 | Gloval Material Science Co Ltd | Upper electrode of dry etching reaction chamber and manufacturing method therefor |
| JP2020088317A (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-04 | 東京エレクトロン株式会社 | Showerhead and gas processing device |
| CN111261485A (en) * | 2018-11-30 | 2020-06-09 | 东京毅力科创株式会社 | Shower head and gas processing apparatus |
| CN111261485B (en) * | 2018-11-30 | 2022-12-06 | 东京毅力科创株式会社 | Shower head and gas processing apparatus |
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