JPH0964339A - Manufacture of solid-state image sensing device - Google Patents
Manufacture of solid-state image sensing deviceInfo
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- JPH0964339A JPH0964339A JP7220891A JP22089195A JPH0964339A JP H0964339 A JPH0964339 A JP H0964339A JP 7220891 A JP7220891 A JP 7220891A JP 22089195 A JP22089195 A JP 22089195A JP H0964339 A JPH0964339 A JP H0964339A
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- transfer gate
- photoresist film
- solid
- gate electrodes
- gate electrode
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像装置の製
造方法、特に転送ゲート電極が一層構造である固体撮像
装置の製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a solid-state image pickup device, and more particularly to a method for manufacturing a solid-state image pickup device having a single-layer transfer gate electrode.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、半導体製造技術の基礎となる微細
加工技術の進歩によって、固体撮像装置の製造方法が改
良されてきた。特に最近のリソグラフィ技術を駆使し
て、隣接する転送ゲート電極間の間隙が０．２μｍ以下
に加工することができる。これにより、転送ゲート電極
が一層構造でありながら、電荷の転送効率を高く保持で
きる固体撮像装置が実現可能となった（たとえば、特願
平７−３００３３号を参照）。2. Description of the Related Art In recent years, advances in fine processing technology, which is the basis of semiconductor manufacturing technology, have led to improvements in the method of manufacturing solid-state imaging devices. In particular, it is possible to process the gap between adjacent transfer gate electrodes to 0.2 μm or less by making full use of recent lithography technology. As a result, it has become possible to realize a solid-state imaging device that can maintain charge transfer efficiency at a high level while the transfer gate electrode has a single-layer structure (see, for example, Japanese Patent Application No. 7-30033).
【０００３】図４は、たとえば、特願平７−３００３３
号に示されるような転送ゲート電極が一層構造の固体撮
像装置の製造工程を示す断面図である。図４において、
３はｎ- 型シリコン、４はゲート絶縁膜、５は転送ゲー
ト電極を構成するタングステンシリコン層、５ａ，５
ｂ，５ｃ，５ｄは転送ゲート電極、６はフォトレジスト
膜、７はフォトレジスト膜の開口部分、８は転送ゲート
電極の間隙、９は転送ゲート電極間の酸化シリコン膜を
それぞれ示している。FIG. 4 shows, for example, Japanese Patent Application No. 7-30033.
3 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a solid-state imaging device having a single-layer structure of a transfer gate electrode as shown in FIG. In FIG.
3 is n − type silicon, 4 is a gate insulating film, 5 is a tungsten silicon layer forming a transfer gate electrode, 5a, 5
Reference numerals b, 5c and 5d denote transfer gate electrodes, 6 denotes a photoresist film, 7 denotes an opening portion of the photoresist film, 8 denotes a gap between the transfer gate electrodes, and 9 denotes a silicon oxide film between the transfer gate electrodes.
【０００４】以下、図４（ａ）〜（ｄ）を参照しなが
ら、一層構造の固体撮像装置の製造工程を簡単に説明す
る。図４（ａ）に示すように、たとえば、熱酸化処理に
よりｎ- 型シリコン３の表面に酸化シリコン（Ｓｉ
Ｏ2 ）のゲート絶縁膜４を形成した後、このゲート絶縁
膜４の表面にタングステンシリコン層５を形成する。The manufacturing process of the solid-state image pickup device having a single layer structure will be briefly described below with reference to FIGS. 4 (a) to 4 (d). As shown in FIG. 4 (a), for example, by thermal oxidation treatment n - surface silicon oxide of -type silicon 3 (Si
After forming the gate insulating film 4 of O 2 ), a tungsten silicon layer 5 is formed on the surface of the gate insulating film 4.
【０００５】次に、図４（ｂ）に示すように、タングス
テンシリコン層５の表面にフォトレジスト膜６を形成し
た後、転送ゲート電極の形に応じたマスクを用いて、フ
ォトレジスト膜６を露光、現像処理により、各隣接する
転送ゲート電極間の間隙８となる部分の上に開口７を形
成する。これにより、フォトレジスト膜６に転送ゲート
電極の形に応じたパターンが構成された。この開口７の
幅が狭い程、後で形成された転送ゲート電極間の間隙８
が狭くなり、固体撮像装置の電荷の転送効率改善に好都
合である。一般的に、最近のリソグラフィ技術では、転
送ゲート電極間の間隙８が約０．２μｍまで狭くするこ
とができる。Next, as shown in FIG. 4B, after forming a photoresist film 6 on the surface of the tungsten silicon layer 5, the photoresist film 6 is formed by using a mask corresponding to the shape of the transfer gate electrode. By the exposure and development processing, the opening 7 is formed on the portion which becomes the gap 8 between the adjacent transfer gate electrodes. As a result, a pattern corresponding to the shape of the transfer gate electrode was formed on the photoresist film 6. The narrower the width of the opening 7, the more the gap 8 between the transfer gate electrodes formed later.
Is narrowed, which is convenient for improving the charge transfer efficiency of the solid-state imaging device. Generally, in the recent lithography technology, the gap 8 between the transfer gate electrodes can be narrowed to about 0.2 μm.
【０００６】次に、図４（ｃ）に示すように、上記のフ
ォトレジスト膜６をマスクとしてタングステンシリコン
層５をエッチングし、その後、フォトレジスト膜６を除
去する。なお、このエッチング処理は、異方性の強いＲ
ＩＥにより行うのが好ましい。ＲＩＥによりエッチング
処理は、サイドエッチングが少なく、隣接転送ゲート電
極間の間隙８がより狭く形成できる。上記のエッチング
処理により、タングステンシリコン層５は各転送ゲート
電極５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄに分割され、それぞれ独立
した電極となる。Next, as shown in FIG. 4C, the tungsten silicon layer 5 is etched using the photoresist film 6 as a mask, and then the photoresist film 6 is removed. In addition, this etching treatment is performed with a highly anisotropic R
It is preferable to carry out by IE. The etching process by RIE causes less side etching, and the gap 8 between adjacent transfer gate electrodes can be formed narrower. By the above etching process, the tungsten silicon layer 5 is divided into the transfer gate electrodes 5a, 5b, 5c and 5d, which are independent electrodes.
【０００７】そして、図示していないが、ここで、光セ
ンサ部を形成するためのイオン注入処理が行われる。光
センサ部の形に応じて、イオン注入のためのフォトレジ
スト膜を形成し、このフォトレジスト膜をマスクとして
イオン注入を行い、光センサ部を形成し、その後、フォ
トレジスト膜を除去する。Although not shown, an ion implantation process for forming an optical sensor section is performed here. A photoresist film for ion implantation is formed in accordance with the shape of the optical sensor portion, ion implantation is performed using this photoresist film as a mask to form the optical sensor portion, and then the photoresist film is removed.
【０００８】最後に、図４（ｄ）に示すように、たとえ
ば、熱酸化処理によって、図４（ｃ）に示すエッチング
処理により得られた各転送ゲート電極５ａ，５ｂ，５
ｃ，５ｄの表面および隣接する転送ゲート電極の間隙８
に絶縁用の酸化シリコン膜９が形成される。Finally, as shown in FIG. 4D, the transfer gate electrodes 5a, 5b, 5 obtained by the etching treatment shown in FIG. 4C, for example, by thermal oxidation treatment.
Surfaces of c and 5d and gap 8 between adjacent transfer gate electrodes
A silicon oxide film 9 for insulation is formed on.
【０００９】上述した固体撮像装置の製造工程により、
転送ゲート電極が一層構造の固体撮像装置が構成され
る。By the manufacturing process of the solid-state image pickup device described above,
A solid-state imaging device having a single-layer structure of the transfer gate electrode is configured.
【００１０】[0010]
【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した従
来の固体撮像装置の製造工程においては、各転送ゲート
電極を形成した後、転送ゲート電極形成のために成膜し
たフォトレジスト膜を除去した。その後、光センサ部を
形成するため、イオン注入のフォトレジスト膜を形成す
る工程を行う。このため、固体撮像装置の製造工程が複
雑になるという問題がある。By the way, in the manufacturing process of the above-described conventional solid-state imaging device, after forming each transfer gate electrode, the photoresist film formed for forming the transfer gate electrode is removed. After that, a step of forming a photoresist film for ion implantation is performed in order to form an optical sensor portion. Therefore, there is a problem that the manufacturing process of the solid-state imaging device becomes complicated.
【００１１】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、その目的は製造工程が簡略化でき、製造コス
トの低減が図れる固体撮像装置の製造方法を提供するこ
とにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a method of manufacturing a solid-state image pickup device which can simplify the manufacturing process and reduce the manufacturing cost.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、転送チャネルをなす半導体層の表面に形
成されたゲート絶縁膜の上に転送ゲート電極となる導電
層を形成する工程と、上記導電層の上に、形成すべき各
転送ゲート電極の形に応じたパターンを有するフォトレ
ジスト膜を形成する工程と、上記フォトレジスト膜をマ
スクとして上記導電層をエッチングして電極を形成する
工程と、上記フォトレジスト膜を加熱し変形させ、上記
エッチング工程により形成された各転送ゲート電極間の
間隙を埋める工程と、加熱後のフォトレジスト膜をマス
クとして、光センサ部にイオン注入を行う工程とを有す
る。To achieve the above object, the present invention comprises a step of forming a conductive layer to be a transfer gate electrode on a gate insulating film formed on the surface of a semiconductor layer forming a transfer channel. A step of forming a photoresist film having a pattern corresponding to the shape of each transfer gate electrode to be formed on the conductive layer, and etching the conductive layer using the photoresist film as a mask to form an electrode Steps, steps of heating and deforming the photoresist film to fill the gaps between the transfer gate electrodes formed by the etching step, and ion implantation into the optical sensor portion using the heated photoresist film as a mask And the process.
【００１３】本発明によれば、転送チャネルをなす半導
体層、たとえば、ｎ- 型シリコン層の表面に熱酸化処理
などによりゲート絶縁膜を形成し、その上に転送ゲート
電極を構成する導電層、たとえば、ポリシリコン層、タ
ングステンシリコン層あるいはタングステン層を形成す
る。According to the present invention, a gate insulating film is formed on the surface of a semiconductor layer forming a transfer channel, for example, an n − type silicon layer by thermal oxidation treatment, and a conductive layer forming a transfer gate electrode is formed thereon. For example, a polysilicon layer, a tungsten silicon layer, or a tungsten layer is formed.
【００１４】次いで、リソグラフィ技術を用いて、エッ
チング処理により導電層を各転送ゲート電極に分割す
る。すなわち、導電層の上に、フォトレジスト膜を成膜
し、転送ゲート電極の形に応じて、フォトレジスト膜に
パターンを形成する。そして、フォトレジスト膜をマス
クとして、導電層に対してエッチングし、転送ゲート電
極を形成する。その後、フォトレジスト膜を加熱処理
し、軟化させ、転送ゲート電極間の開口部分を埋めさせ
る。この変形されたフォトレジスト膜を用いて、光セン
サ部を形成するためのイオン注入を行い、光センサ部を
形成する。固体撮像装置が少なくとも上記の工程を含む
製造工程により構成される。Next, the conductive layer is divided into the transfer gate electrodes by etching using the lithography technique. That is, a photoresist film is formed on the conductive layer, and a pattern is formed on the photoresist film according to the shape of the transfer gate electrode. Then, the conductive film is etched using the photoresist film as a mask to form a transfer gate electrode. After that, the photoresist film is heat-treated and softened to fill the opening portion between the transfer gate electrodes. Using this deformed photoresist film, ion implantation for forming an optical sensor unit is performed to form an optical sensor unit. The solid-state imaging device is composed of manufacturing steps including at least the above steps.
【００１５】[0015]
【発明の実施の形態】図１は、本発明の固体撮像装置の
製造方法を用いて、構成された固体撮像装置のユニット
セルの平面図である。図１において、１０は転送ゲート
電極、１２は光センサ部、２０は直流バイアス電極をそ
れぞれ示している。また、転送ゲート電極１０は隣接す
る電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄなどによって構
成される。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a plan view of a unit cell of a solid-state image pickup device constructed by using the method for manufacturing a solid-state image pickup device of the present invention. In FIG. 1, 10 is a transfer gate electrode, 12 is an optical sensor portion, and 20 is a DC bias electrode. The transfer gate electrode 10 is composed of adjacent electrodes 10a, 10b, 10c and 10d.
【００１６】図１に示すように、転送ゲート電極１０の
上に、直流バイアス電極２０が構成され、さらにこの直
流バイアス電極２０が転送ゲート電極１０の各隣接する
電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄの間隙８を覆うよ
うに形成されている。直流バイアス電極２０に転送ゲー
ト電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄの駆動電圧に応
じて、最適な直流バイアス電圧を印加することにより、
固体撮像装置の電荷転送効率の向上を図る。なお、この
直流バイアス電極は本発明とは無関係のため、これ以降
の記述に触れないことにする。As shown in FIG. 1, a direct current bias electrode 20 is formed on the transfer gate electrode 10, and the direct current bias electrode 20 is connected to the adjacent electrodes 10a, 10b, 10c, 10d of the transfer gate electrode 10. It is formed so as to cover the gap 8. By applying an optimum DC bias voltage to the DC bias electrode 20 according to the drive voltage of the transfer gate electrodes 10a, 10b, 10c, 10d,
To improve the charge transfer efficiency of a solid-state imaging device. Since this DC bias electrode is irrelevant to the present invention, the following description will not be touched upon.
【００１７】図２および図３は本発明の固体撮像装置の
製造方法を示す断面図である。図２は図１のａ−ａ線に
沿った断面図であり、図３は図１のｂ−ｂ線に沿った断
面図である。図２および図３において、１はシリコン基
板、２はｐウェル、３はｎ- 型シリコン、４は酸化シリ
コン（ＳｉＯ2 ）により構成されたゲート絶縁膜、５は
転送ゲート電極を構成する導電層、たとえば、タングス
テンシリコン（Ｗ−Ｓｉ）層、６はフォトレジスト膜、
７はフォトレジスト膜の開口部分、８は転送ゲート電極
の間隙、１０は転送ゲート電極、１２ａは光センサ部１
２のｐ+ 領域、１２ｂは光センサ部１２のｎ- 領域をそ
れぞれ示している。また、転送ゲート電極１０は隣接す
る電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄなどによって構
成される。2 and 3 are sectional views showing a method of manufacturing the solid-state image pickup device of the present invention. 2 is a sectional view taken along line aa of FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view taken along line bb of FIG. In FIGS. 2 and 3, 1 is a silicon substrate, 2 is a p well, 3 is n − type silicon, 4 is a gate insulating film made of silicon oxide (SiO 2 ), and 5 is a conductive layer forming a transfer gate electrode. , A tungsten silicon (W-Si) layer, 6 is a photoresist film,
7 is the opening of the photoresist film, 8 is the gap between the transfer gate electrodes, 10 is the transfer gate electrode, and 12a is the optical sensor unit 1.
2 indicates ap + region, and 12b indicates an n - region of the optical sensor unit 12, respectively. The transfer gate electrode 10 is composed of adjacent electrodes 10a, 10b, 10c and 10d.
【００１８】以下、図２および図３を参照しながら、本
発明の固体撮像装置の製造方法に基づくユニットセルの
製造工程を説明する。図２（ａ）に示すように、たとえ
ば、熱酸化処理によりｎ- 型シリコン３の表面に酸化シ
リコンによるゲート絶縁膜４を形成した後、このゲート
絶縁膜４の表面に、たとえば、タングステンシリコン層
５を形成する。The steps of manufacturing a unit cell based on the method for manufacturing a solid-state image pickup device according to the present invention will be described below with reference to FIGS. As shown in FIG. 2A, after a gate insulating film 4 made of silicon oxide is formed on the surface of the n − type silicon 3 by, for example, thermal oxidation, a tungsten silicon layer is formed on the surface of the gate insulating film 4. 5 is formed.
【００１９】次いで、図２（ｂ）に示すように、タング
ステンシリコン層５の表面にフォトレジスト膜６を形成
した後、転送ゲート電極の形に応じたマスクを用いて、
フォトレジスト膜６を露光、現像処理により、各隣接す
る転送ゲート電極の間隙となる部分の上に開口７を形成
する。これにより、フォトレジスト膜６に転送ゲート電
極の形に応じたパターンが形成された。この開口７の幅
が狭い程、後で形成された転送ゲート電極間の間隙８が
狭くなり、固体撮像装置の電荷の転送効率改善に好都合
である。図１に示すように、一般的に、最近のリソグラ
フィ技術では、転送ゲート電極の間隙８が約０．２μｍ
まで狭くすることができる。Next, as shown in FIG. 2B, after forming a photoresist film 6 on the surface of the tungsten silicon layer 5, a mask corresponding to the shape of the transfer gate electrode is used.
The photoresist film 6 is exposed and developed to form an opening 7 on a portion which becomes a gap between adjacent transfer gate electrodes. As a result, a pattern corresponding to the shape of the transfer gate electrode was formed on the photoresist film 6. The smaller the width of the opening 7, the narrower the gap 8 between the transfer gate electrodes formed later, which is convenient for improving the charge transfer efficiency of the solid-state imaging device. As shown in FIG. 1, generally, in the recent lithography technique, the gap 8 of the transfer gate electrode is about 0.2 μm.
Can be as narrow as.
【００２０】図２（ｃ）に示すように、上述のフォトレ
ジスト膜６をマスクとしてタングステンシリコン層５を
エッチングする。なお、このエッチング処理は、異方性
の強いＲＩＥにより行うのが好ましい。ＲＩＥによりエ
ッチング処理は、サイドエッチングが少なく、隣接転送
ゲート電極間の間隙８がより狭く形成できる。このエッ
チング処理により、タングステンシリコン層５は転送ゲ
ート電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄに分割され、
それぞれ独立した電極となる。As shown in FIG. 2C, the tungsten silicon layer 5 is etched using the photoresist film 6 as a mask. The etching process is preferably performed by RIE, which has a strong anisotropy. The etching process by RIE causes less side etching, and the gap 8 between adjacent transfer gate electrodes can be formed narrower. By this etching process, the tungsten silicon layer 5 is divided into transfer gate electrodes 10a, 10b, 10c and 10d,
Each becomes an independent electrode.
【００２１】従来技術においては、転送ゲート電極に対
するエッチング処理の後、フォトレジスト膜６を除去す
る工程を行うが、本発明では、このフォトレジスト膜６
を除去せずに、所定の処理を経て、光センサ部１２を形
成するためのイオン注入の工程に再利用することにす
る。以下、図２（ｄ）および図３を参照しながら、これ
について説明する。In the prior art, the step of removing the photoresist film 6 is performed after the etching process for the transfer gate electrode. In the present invention, this photoresist film 6 is used.
Will be reused in a step of ion implantation for forming the optical sensor section 12 after a predetermined process without removing the same. This will be described below with reference to FIGS. 2D and 3.
【００２２】上述したように、フォトレジスト膜６をマ
スクとしてエッチング処理することにより、転送ゲート
電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄなどがそれぞれ分
離され、独立する電極となり、各転送ゲート電極の間に
間隙８が形成される。図２（ｃ）はこの状態を示してい
る。As described above, the transfer gate electrodes 10a, 10b, 10c, 10d, etc. are separated by etching using the photoresist film 6 as a mask, and become independent electrodes, with a gap between each transfer gate electrode. 8 is formed. FIG. 2C shows this state.
【００２３】そして、フォトレジスト膜６に対して、た
とえば、オーブンで加熱する処理を加える。加熱温度は
たとえば、約摂氏１５０度に設定され、フォトレジスト
膜６が軟化するまで加熱し続ける。この加熱処理によ
り、フォトレジスト膜６が軟化し、変形する。そして、
転送ゲート電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄの間隙
８を埋めるようになる。図２（ｄ）は加熱により、転送
ゲート電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄの間隙８に
軟化したフォトレジスト膜６が埋まる状態を示してい
る。Then, the photoresist film 6 is subjected to a heating treatment in an oven, for example. The heating temperature is set to, for example, about 150 degrees Celsius, and heating is continued until the photoresist film 6 is softened. By this heat treatment, the photoresist film 6 is softened and deformed. And
The gap 8 between the transfer gate electrodes 10a, 10b, 10c and 10d is filled. FIG. 2D shows a state where the softened photoresist film 6 is buried in the gap 8 between the transfer gate electrodes 10a, 10b, 10c and 10d by heating.
【００２４】次いで、変形されたフォトレジスト膜６を
マスクとして、光センサ部１２を形成するためのイオン
注入を行う。フォトレジスト膜６をマスクとして、たと
えば、ＡｓＩ2 を用いてイオン注入を行うことで、光セ
ンサ部１２のｎ- 領域１２ｂが形成され、ＢＩ2 を用い
てイオン注入を行うことで、光センサ部１２のｐ+ 領域
１２ａが形成される。図３は光センサ部１２のｎ- 領域
１２ｂおよびｐ+ 領域１２ａが形成された後の状態を示
している。Next, using the deformed photoresist film 6 as a mask, ion implantation for forming the photosensor portion 12 is performed. Using the photoresist film 6 as a mask, for example, AsI 2 is used to perform ion implantation to form the n − region 12b of the photosensor portion 12, and BI 2 is used to perform ion implantation. Twelve p + regions 12a are formed. FIG. 3 shows a state after the n − region 12b and the p + region 12a of the optical sensor section 12 are formed.
【００２５】その後、フォトレジスト膜６を除去し、た
とえば、熱酸化処理により隣接する転送ゲート電極１０
ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄの間隙８に絶縁用の酸化シ
リコン膜９が形成される。以上の工程により、転送ゲー
ト電極１０が一層構造の固体撮像装置のユニットセルが
構成される。さらに、現在のリソグラフィ技術を用い
て、各転送ゲート電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ
の間隙８が０．２μｍ以下にすることができ、一層構造
でありながら、固体撮像装置の転送効率の向上が図れ
る。Thereafter, the photoresist film 6 is removed, and the adjacent transfer gate electrode 10 is formed by, for example, thermal oxidation treatment.
An insulating silicon oxide film 9 is formed in the gap 8 between a, 10b, 10c and 10d. Through the above steps, the unit cell of the solid-state imaging device having the single-layer structure of the transfer gate electrode 10 is formed. Further, by using the current lithography technology, each transfer gate electrode 10a, 10b, 10c, 10d is
The gap 8 can be set to 0.2 μm or less, and the transfer efficiency of the solid-state imaging device can be improved while having a single layer structure.
【００２６】以上説明したように、本実施の形態によれ
ば、固体撮像装置のユニットセルを形成する製造工程に
おいて、リソグラフィ技術により、転送ゲート電極を構
成するタングステンシリコン膜５に対して、フォトレジ
スト膜６をマスクとしてエッチングし、転送ゲート電極
１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄを形成する。そして、
加熱処理により、フォトレジスト膜６を軟化させ、転送
ゲート電極の間隙８を埋めるように変形させ、この変形
されたフォトレジスト膜６をマスクとして光センサ部を
形成するためのイオン注入を行い、光センサ部を形成す
る。その後、フォトレジスト膜６を除去し、熱酸化処理
により転送ゲート電極１０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ
の間隙８に絶縁用の酸化シリコン膜を形成する。これに
より、固体撮像装置の製造工程の簡略化が図れる。As described above, according to the present embodiment, in the manufacturing process for forming the unit cell of the solid-state image pickup device, the photoresist is formed on the tungsten silicon film 5 forming the transfer gate electrode by the lithography technique. Etching is performed using the film 6 as a mask to form transfer gate electrodes 10a, 10b, 10c and 10d. And
By the heat treatment, the photoresist film 6 is softened and deformed so as to fill the gap 8 of the transfer gate electrode, and the deformed photoresist film 6 is used as a mask to perform ion implantation to form an optical sensor portion. The sensor unit is formed. Then, the photoresist film 6 is removed, and the transfer gate electrodes 10a, 10b, 10c, 10d are subjected to thermal oxidation treatment.
A silicon oxide film for insulation is formed in the gap 8. Thereby, the manufacturing process of the solid-state imaging device can be simplified.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の固体撮像
装置の製造方法によれば、製造工程を簡略化でき、製造
コストを低減できる利点がある。As described above, according to the method of manufacturing the solid-state image pickup device of the present invention, there are advantages that the manufacturing process can be simplified and the manufacturing cost can be reduced.
【図１】固体撮像装置のユニットセルの平面図である。FIG. 1 is a plan view of a unit cell of a solid-state imaging device.
【図２】本発明に係る固体撮像装置の製造工程を示す断
面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a solid-state imaging device according to the present invention.
【図３】本発明に係る固体撮像装置の製造工程を示す断
面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the solid-state imaging device according to the present invention.
【図４】従来例の固体撮像装置の製造工程を示す断面図
である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a conventional solid-state imaging device.
１…シリコン基板 ２…ｐウェル ３…ｎ- 型シリコン ４…ゲート絶縁膜 ５…タングステンシリコン層 ５ａ，５ｂ，５ｃ，５ｄ…転送ゲート電極 ６…フォトレジスト膜 ７…フォトレジスト膜の開口部分 ８…転送ゲート電極の間隙 ９…酸化シリコン膜 １０…転送ゲート電極 １０ａ，１０ｂ，１０ｃ，１０ｄ…転送ゲート電極 １２…光センサ部 １２ａ…光センサ部ｐ+ 領域 １２ｂ…光センサ部ｎ- 領域 ２０…直流バイアス電極DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Silicon substrate 2 ... P well 3 ... n - type silicon 4 ... Gate insulating film 5 ... Tungsten silicon layer 5a, 5b, 5c, 5d ... Transfer gate electrode 6 ... Photoresist film 7 ... Photoresist film opening 8 ... gap 9 ... silicon oxide film 10 ... transfer gate electrode 10a of the transfer gate electrode, 10b, 10c, 10d ... the transfer gate electrode 12 ... optical sensor 12a ... optical sensor p + regions 12b ... optical sensor n - region 20 ... DC Bias electrode
Claims (1)
成されたゲート絶縁膜の上に転送ゲート電極となる導電
層を形成する工程と、 上記導電層の上に、形成すべき各転送ゲート電極の形に
応じたパターンを有するフォトレジスト膜を形成する工
程と、 上記フォトレジスト膜をマスクとして上記導電層をエッ
チングして、電極を形成する工程と、 上記フォトレジスト膜を加熱し変形させ、上記エッチン
グ工程により形成された各転送ゲート電極間の間隙を埋
める工程と、 加熱後のフォトレジスト膜をマスクとして、光センサ部
にイオン注入を行う工程とを有する固体撮像装置の製造
方法。1. A step of forming a conductive layer to be a transfer gate electrode on a gate insulating film formed on a surface of a semiconductor layer forming a transfer channel, and each transfer gate electrode to be formed on the conductive layer. A step of forming a photoresist film having a pattern according to the shape, a step of etching the conductive layer using the photoresist film as a mask to form an electrode, and a step of heating and deforming the photoresist film, A method of manufacturing a solid-state imaging device, comprising: a step of filling a gap between transfer gate electrodes formed by an etching step; and a step of implanting ions into an optical sensor portion using a photoresist film after heating as a mask.
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|---|---|---|---|
| JP22089195A JP3319241B2 (en) | 1995-08-29 | 1995-08-29 | Method for manufacturing solid-state imaging device |
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| JPH0964339A true JPH0964339A (en) | 1997-03-07 |
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Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005317709A (en) * | 2004-04-28 | 2005-11-10 | Sony Corp | Method for manufacturing solid-state imaging device and semiconductor device |
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