JPH0964277A - Resistance element and its manufacture - Google Patents
Resistance element and its manufactureInfo
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- JPH0964277A JPH0964277A JP21918395A JP21918395A JPH0964277A JP H0964277 A JPH0964277 A JP H0964277A JP 21918395 A JP21918395 A JP 21918395A JP 21918395 A JP21918395 A JP 21918395A JP H0964277 A JPH0964277 A JP H0964277A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路に
おける抵抗素子の構造及びその製造方法に関するもので
ある。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of a resistance element in a semiconductor integrated circuit and a manufacturing method thereof.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図１１及び図１２に基づいて半導体集積
回路における従来の抵抗素子について説明する。図１１
および図１２は抵抗素子を形成した基板の平面図であ
る。図１１に示す抵抗素子は、ウェル拡散抵抗であり、
１は平面視略長方形状に形成されたウェル拡散層、２は
ウェル拡散層の長手方向の両端部に平面視略正方形状に
形成された、オーミック形成用の高濃度拡散層、３はそ
れらの高濃度拡散層上に形成されたコンタクトである。
ウェル拡散抵抗は、高抵抗の抵抗素子を形成する場合に
用いられる構造である。2. Description of the Related Art A conventional resistance element in a semiconductor integrated circuit will be described with reference to FIGS. FIG.
And FIG. 12 is a plan view of the substrate on which the resistance element is formed. The resistance element shown in FIG. 11 is a well diffusion resistance,
1 is a well diffusion layer formed in a substantially rectangular shape in a plan view, 2 is a high concentration diffusion layer for ohmic formation, which is formed in a square shape in a plan view at both ends of the well diffusion layer in a longitudinal direction, The contact is formed on the high-concentration diffusion layer.
The well diffusion resistance is a structure used when forming a high resistance resistance element.
【０００３】また、図１２に示す抵抗素子は、ポリシリ
コン抵抗であり、４は平面視略長方形状に形成されたポ
リシリコン層、５はポリシリコン層の長手方向の両端部
付近に形成されたコンタクトである。ポリシリコン抵抗
は、精度の高い抵抗素子を形成するのに適している。Further, the resistance element shown in FIG. 12 is a polysilicon resistor, 4 is a polysilicon layer formed in a substantially rectangular shape in plan view, and 5 is formed near both ends in the longitudinal direction of the polysilicon layer. Be a contact. The polysilicon resistor is suitable for forming a highly accurate resistance element.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかし、ウェル拡散抵
抗は、高抵抗素子を形成する場合に適しているが、抵抗
値が印加される電圧によって変化し精度が悪いという問
題点があり、一方、ポリシリコン抵抗は抵抗値の電圧依
存性はほとんどないが、ポリシリコン自身のシート抵抗
が低いため、高抵抗を得るためには抵抗素子の面積を大
きくしなければいけないため、高集積化には適さないと
いう問題点があった。However, the well diffusion resistance is suitable for forming a high resistance element, but has a problem that the resistance value changes depending on the applied voltage and the accuracy is poor. Polysilicon resistance has almost no voltage dependence of resistance value, but since the sheet resistance of polysilicon itself is low, the area of the resistance element must be increased to obtain high resistance, so it is suitable for high integration. There was a problem that it did not exist.
【０００５】本発明は、上記問題点に鑑み成されたもの
で、その目的とするところは、金属配線と高濃度拡散
層、または、金属配線とポリシリコン層とのコンタクト
抵抗を利用して、小面積で高抵抗が得られる抵抗素子の
構造及びその製造方法を提供するものである。The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to utilize the contact resistance between a metal wiring and a high-concentration diffusion layer or a metal wiring and a polysilicon layer. The present invention provides a structure of a resistance element capable of obtaining a high resistance in a small area and a manufacturing method thereof.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１記載の抵抗素子は、半導体集積回路におけ
る高濃度拡散層とその高濃度拡散層に接続された金属配
線とのコンタクト抵抗を１つの抵抗体として用い、その
抵抗体を複数直列または並列に接続したことを特徴とす
るものである。In order to solve the above-mentioned problems, a resistance element according to claim 1 has a contact resistance between a high concentration diffusion layer and a metal wiring connected to the high concentration diffusion layer in a semiconductor integrated circuit. It is characterized in that it is used as one resistor and a plurality of the resistors are connected in series or in parallel.
【０００７】請求項２記載の抵抗素子は、半導体集積回
路におけるポリシリコン層とそのポリシリコン層に接続
された金属配線とのコンタクト抵抗を１つの抵抗体とし
て用い、その抵抗体を複数直列または並列に接続したこ
とを特徴とするものである。According to a second aspect of the present invention, in a resistance element, a contact resistance between a polysilicon layer and a metal wiring connected to the polysilicon layer in a semiconductor integrated circuit is used as one resistor, and a plurality of the resistors are connected in series or in parallel. It is characterized by being connected to.
【０００８】請求項３記載の抵抗素子は、請求項１また
は請求項２記載の抵抗素子で、少なくとも１つの切断可
能な切断用金属配線が、１つまたは複数の前記抵抗体に
よって構成される所定回路を短絡するジャンパー線とし
て形成されていることを特徴とするものである。これに
より、レーザー、フォーカスト・イオン・ビーム、電子
線照射等を用いて所定のジャンパー線を切断してするこ
とにより抵抗値の調整が可能となり精度の向上が図れ
る。According to a third aspect of the present invention, there is provided the resistance element according to the first or second aspect, wherein at least one disconnectable metal wiring for cutting is constituted by one or a plurality of the resistor bodies. It is characterized in that it is formed as a jumper wire for short-circuiting the circuit. As a result, the resistance value can be adjusted by cutting a predetermined jumper wire using a laser, a focused ion beam, electron beam irradiation, or the like, and accuracy can be improved.
【０００９】請求項４記載の抵抗素子は、請求項１乃至
請求項３記載の抵抗素子で、コンタクトの大きさを複数
種類設けたことを特徴とするものである。According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a resistance element according to the first to third aspects, wherein a plurality of contact sizes are provided.
【００１０】請求項５記載の抵抗素子の製造方法は、請
求項１乃至請求項４記載の抵抗素子を製造する方法で、
請求項１乃至請求項４記載の前記抵抗素子の所定箇所に
沿って形成された短絡用金属配線と、所定の前記金属配
線とを金属ＣＶＤにより短絡する工程を備えたことを特
徴とするものである。これにより、イオンビーム等を用
いた金属ＣＶＤによって、抵抗素子の一部を短絡するこ
とにより抵抗値の調整が可能となり、精度の向上が図れ
る。According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a resistance element according to any one of the first to fourth aspects, wherein
5. A short circuit metal wiring formed along a predetermined portion of the resistance element according to claim 1, and a step of short-circuiting the predetermined metal wiring by metal CVD. is there. This makes it possible to adjust the resistance value by short-circuiting a part of the resistance element by metal CVD using an ion beam or the like, thereby improving accuracy.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】図１に基づいて本発明の抵抗素子
の一実施形態について説明する。図１は抵抗素子を形成
した基板の平面図であり、（ａ）は抵抗素子を構成する
抵抗体の１つを示す平面図、（ｂ）は抵抗素子全体を示
す平面図である。６はＭＯＳトランジスタのソース、ド
レインを形成する際等に形成される、平面視略長方形状
の高濃度拡散層、７は高濃度拡散層６に接続される、平
面視略長方形状の金属配線、８は高濃度拡散層６と金属
配線７とのコンタクトであり、図１に示す抵抗素子は、
平面視略長方形の領域で、高濃度拡散層６と金属配線７
をコンタクト８で複数直列に接続したものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of a resistance element of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a plan view of a substrate on which a resistance element is formed, (a) is a plan view showing one of the resistors constituting the resistance element, and (b) is a plan view showing the entire resistance element. 6 is a high-concentration diffusion layer having a substantially rectangular shape in plan view, which is formed when forming a source and a drain of the MOS transistor, and 7 is a metal wiring having a substantially rectangular shape in plan view, which is connected to the high-concentration diffusion layer 6. Reference numeral 8 is a contact between the high-concentration diffusion layer 6 and the metal wiring 7, and the resistance element shown in FIG.
The high-concentration diffusion layer 6 and the metal wiring 7 are formed in a rectangular area in plan view.
A plurality of contacts 8 are connected in series.
【００１２】図１に示す抵抗素子は、（ａ）に示すよう
に、高濃度拡散層６の両端部付近にそれぞれコンタクト
８を備えた構成で１つのユニット９（抵抗体）を構成し
ているが、このユニット９を可能な限り小さく構成して
おき、40個のユニット９を金属配線７で直列に接続した
ものである。但し、ユニット９の接続方法は、図１に示
した方法に限定されず、直列接続及び並列接続を併用す
るようにしてもよい。As shown in FIG. 1A, the resistance element shown in FIG. 1 has one unit 9 (resistor) having contacts 8 near both ends of the high-concentration diffusion layer 6. However, this unit 9 is configured as small as possible, and 40 units 9 are connected in series by the metal wiring 7. However, the connection method of the unit 9 is not limited to the method shown in FIG. 1, and serial connection and parallel connection may be used together.
【００１３】図１に示した抵抗素子の抵抗値は、高濃度
拡散層６と金属配線７とのコンタクト８の抵抗（コンタ
クト抵抗）と、高濃度拡散層６及び金属配線７の抵抗の
和になる。このうち、金属配線７の抵抗とコンタクト抵
抗は、抵抗値の電圧依存性がほとんどないが、高濃度拡
散層６の抵抗は一般には電圧依存性があり、高濃度拡散
層６を形成する領域のシート抵抗が大きい程、空乏層の
影響を受けて電圧依存性が大きくなる。ウェル拡散抵抗
では、高濃度拡散層のシート抵抗が大きいため、高抵抗
値を得るのには適しているが、電圧依存性が無視できな
い。しかし、図１に示したように、高濃度拡散層６を非
常に小さく形成することによって、その抵抗値の電圧依
存性が無視できる程小さくなる。よって、これらを複数
個接続した抵抗素子の電圧依存性も非常に小さくなる。
また、１つのユニット９が小さいため、数百個あるいは
数千個接続することもできるので、高抵抗値を得ること
も可能である。さらに、ユニット９が小さいため、抵抗
素子を形成する領域の形状が任意にとれ、例えば、平面
形状が略長方形でなければならないというような制約が
なくなり、設計上の自由度がます。The resistance value of the resistance element shown in FIG. 1 is the sum of the resistance of the contact 8 between the high-concentration diffusion layer 6 and the metal wiring 7 (contact resistance) and the resistance of the high-concentration diffusion layer 6 and the metal wiring 7. Become. Among them, the resistance of the metal wiring 7 and the contact resistance have almost no voltage dependency of the resistance value, but the resistance of the high-concentration diffusion layer 6 generally has the voltage dependency, and the resistance of the region where the high-concentration diffusion layer 6 is formed. The larger the sheet resistance, the larger the voltage dependency due to the influence of the depletion layer. The well diffusion resistance is suitable for obtaining a high resistance value because the high-concentration diffusion layer has a large sheet resistance, but the voltage dependence cannot be ignored. However, as shown in FIG. 1, by forming the high-concentration diffusion layer 6 to be extremely small, the voltage dependence of its resistance value becomes negligibly small. Therefore, the voltage dependence of the resistance element in which a plurality of these elements are connected becomes very small.
Further, since one unit 9 is small, hundreds or thousands of units can be connected, so that a high resistance value can be obtained. Further, since the unit 9 is small, the shape of the region forming the resistance element can be arbitrarily set, and there is no restriction that the plane shape should be a substantially rectangular shape, for example, and there is flexibility in design.
【００１４】図２に基づいて本発明の抵抗素子の異なる
実施形態について説明する。図２は抵抗素子を形成した
基板の平面図であり、（ａ）は抵抗素子を構成する抵抗
体（ユニット）を示す平面図、（ｂ）は抵抗素子全体を
示す平面図である。但し、図１に示した構成と同等構成
については同符号を付すこととする。図２に示す抵抗素
子は、図１に示した抵抗素子と同様に、ポリシリコン層
１０と金属配線７をコンタクト８で複数直列に接続した
もので、（ａ）に示すように、ポリシリコン層１０の両
端部付近にそれぞれコンタクト８を備えた構成で１つの
抵抗体（ユニット１１）を構成したものである。図２に
示す抵抗素子の抵抗値は、ポリシリコン層１０と金属配
線７間のコンタクト８の抵抗（コンタクト抵抗）と、ポ
リシリコン層１０及び金属配線７の抵抗の和になる。A different embodiment of the resistance element of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 2 is a plan view of a substrate on which a resistance element is formed, (a) is a plan view showing a resistor (unit) that constitutes the resistance element, and (b) is a plan view showing the entire resistance element. However, the same components as those shown in FIG. 1 are designated by the same reference numerals. The resistance element shown in FIG. 2 is similar to the resistance element shown in FIG. 1 in that a plurality of polysilicon layers 10 and metal wirings 7 are connected in series by contacts 8, and as shown in FIG. One resistor (unit 11) is configured to have contacts 8 near both ends of the resistor 10. The resistance value of the resistance element shown in FIG. 2 is the sum of the resistance of the contact 8 between the polysilicon layer 10 and the metal wiring 7 (contact resistance) and the resistance of the polysilicon layer 10 and the metal wiring 7.
【００１５】図３に基づいて本発明の抵抗素子のさらに
異なる実施形態について説明する。図３は抵抗素子を構
成する複数の抵抗体（ユニット）と、所定のユニット間
を接続する金属配線と、所定のユニットを短絡するジャ
ンパー線との接続の一実施形態を示す模式図である。図
で、短い太線の両端に黒丸を描いた記号が、図１または
図２に示した、１つの抵抗体（ユニット１２）を表し、
隣接するユニット１２の黒丸間を結ぶ細線が、ユニット
１２同士を接続する金属配線１３を表している。また、
所定のユニット１２を短絡するジャンパー線１４（切断
用金属配線）が細線で表現されている。A further different embodiment of the resistance element of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a schematic diagram showing an embodiment of a connection between a plurality of resistors (units) forming a resistance element, metal wirings connecting predetermined units, and jumper wires short-circuiting the predetermined units. In the figure, a symbol with black circles drawn at both ends of a short thick line represents one resistor (unit 12) shown in FIG. 1 or 2.
The thin line connecting the black circles of the adjacent units 12 represents the metal wiring 13 connecting the units 12 to each other. Also,
A jumper wire 14 (cutting metal wiring) that short-circuits a predetermined unit 12 is represented by a thin wire.
【００１６】図３に示す抵抗素子では、直列接続された
複数のユニット１２で構成される抵抗素子の一端に配置
された、ユニット１２ａ〜１２ｆの直列回路に沿って、
ユニット１２ａ〜１２ｆの各ユニットを短絡するジャン
パー線１４ａ〜１４ｆが形成されている。これらのジャ
ンパー線１４ａ〜１４ｆは、レーザー、フォーカスト・
イオン・ビーム、電子線等の照射により、抵抗素子を形
成後に切断可能なように構成されている。このように構
成しておくことによって、抵抗素子形成後に抵抗値の調
整が可能となり高精度化を図ることができる。また、１
ユニットの抵抗値以下の抵抗値を有する抵抗素子は、ユ
ニットを並列に接続することにより実現することができ
る。さらに、コンタクトの大きさを複数種類用意してお
くことによって、１ユニットの抵抗値を調整することが
でき、それらのユニットを直列または並列に接続するこ
とにより任意の抵抗値を得ることができる。また、ジャ
ンパー線によって短絡しておくユニット１２ａ〜１２ｆ
のコンタクトを同じ大きさに形成するのではなく、コン
タクトの大きさを変え、コンタクトの大きさが複数種類
となるように構成しておけば、コンタクトが小さいもの
はコンタクトの抵抗値が大きいので、抵抗値の粗調整用
として、また、コンタクトの直径が大きいものはコンタ
クトの抵抗値が小さいので、抵抗値の微調整用として利
用できるようになる。In the resistance element shown in FIG. 3, along the series circuit of the units 12a to 12f arranged at one end of the resistance element composed of a plurality of units 12 connected in series,
Jumper wires 14a to 14f are formed to short-circuit each of the units 12a to 12f. These jumper wires 14a to 14f are lasers, focused
The resistance element is configured to be cut after being formed by irradiation with an ion beam, an electron beam, or the like. With this configuration, the resistance value can be adjusted after the resistance element is formed, and high precision can be achieved. Also, 1
A resistance element having a resistance value equal to or lower than the resistance value of the unit can be realized by connecting the units in parallel. Furthermore, the resistance value of one unit can be adjusted by preparing a plurality of sizes of contacts, and an arbitrary resistance value can be obtained by connecting these units in series or in parallel. Also, the units 12a to 12f to be short-circuited by jumper wires
If the contacts are not formed in the same size, but the size of the contacts is changed and the sizes of the contacts are plural, the resistance of the small contacts is large. It can be used for coarse adjustment of the resistance value and for fine adjustment of the resistance value because the contact resistance value is small when the contact diameter is large.
【００１７】図４に基づいて本発明の抵抗素子の製造方
法の一実施形態について説明する。図４は本発明の抵抗
素子の製造方法を用いて形成した抵抗素子の一実施形態
を示す図で、図３と同様に、抵抗素子を構成する複数の
抵抗体（ユニット）と、ユニット同士を接続する金属配
線と、所定のユニットを短絡する短絡用金属配線との接
続を示す模式図である。図３に示した構成と同等構成に
ついては同符号を付すこととする。図で、短い太線の両
端に黒丸を描いた記号が、１つの抵抗体（ユニット１
２）を表し、隣接するユニット１２の黒丸間を結ぶ細線
が、ユニット１２同士を接続する金属配線１３を表して
いる。また、抵抗素子の一端に配置された、ユニット１
２ａ〜１２ｆの直列回路に沿って、短絡用金属配線１５
が形成されている。この短絡用金属配線１５の一端は、
抵抗素子の一端に形成された金属配線１３ａに接続され
ている。An embodiment of the method of manufacturing the resistance element of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram showing an embodiment of a resistance element formed by using the method for manufacturing a resistance element of the present invention. As in FIG. 3, a plurality of resistance bodies (units) forming the resistance element and units are connected to each other. It is a schematic diagram which shows the connection of the metal wiring to connect and the short circuit metal wiring which short-circuits a predetermined unit. The same components as those shown in FIG. 3 are designated by the same reference numerals. In the figure, the symbol with black circles at both ends of a short thick line is one resistor (unit 1
2), and the thin line connecting the black circles of the adjacent units 12 represents the metal wiring 13 connecting the units 12 to each other. Further, the unit 1 arranged at one end of the resistance element
Short-circuiting metal wiring 15 along the series circuit of 2a to 12f
Are formed. One end of the short-circuit metal wiring 15 is
It is connected to the metal wiring 13a formed at one end of the resistance element.
【００１８】本発明の抵抗素子の製造方法は、図４に示
すように、抵抗素子を形成した後、ユニット１２ａ〜１
２ｆのいずれかに接続された金属配線１３と、その金属
配線１３に隣接する短絡用金属配線１５とを金属ＣＶＤ
により短絡する工程を設けることを特徴とするものであ
り、この方法によれば、一旦、抵抗素子を形成した後に
抵抗値の調整が可能となり高精度化を図ることができ
る。According to the method of manufacturing a resistance element of the present invention, as shown in FIG.
The metal wiring 13 connected to any of 2f and the short-circuiting metal wiring 15 adjacent to the metal wiring 13 are subjected to metal CVD.
The method is characterized in that a step of short-circuiting is provided, and according to this method, the resistance value can be adjusted once the resistance element is once formed, and high precision can be achieved.
【００１９】図５及び図６に基づいて本発明の抵抗素子
のさらに異なる実施形態を説明する。図５及び図６に示
す抵抗素子は、図１に示した抵抗素子に対して、直列接
続する抵抗体（ユニット）の数を 250個とした点のみが
異なるものであるため、図１に示した構成と同等構成に
ついては同符号を付すこととする。図５は抵抗素子全体
を示す平面図、図６は抵抗素子の一部を拡大した平面図
である。図６で、平面視略正方形状のコンタクト８の一
辺の長さは約1.2 μm である。１つのユニット９の占有
面積は、隣接するユニット９間に必要な間隔を含めると
3.6 μm ×6.6μm 程度であり、このユニット９が、 25
0個直列に接続されている。１ユニット当たりの抵抗値
は約 200Ωであり、この場合、抵抗素子の抵抗値は約 5
0kΩとなる。 50kΩの抵抗をポリシリコン抵抗で形成す
る場合、シート抵抗を25Ω/ □、ポリシリコン層の幅 3
μm とすると、ポリシリコン層の長さは約6000μm 必要
となり、図５に示す抵抗素子のように複数箇所折り曲げ
て、平面視略長方形状の領域に形成すると、隣接するポ
リシリコン層間にも約 1.2μm の間隔が必要になるた
め、その占有面積は約 25000μm2となる。これに対し、
図５に示した抵抗素子によれば、その占有面積は約5940
μm2となるので約４分の１の面積で所望の抵抗が得られ
る。Further different embodiments of the resistance element of the present invention will be described with reference to FIGS. The resistive elements shown in FIGS. 5 and 6 are different from the resistive element shown in FIG. 1 only in that the number of resistors (units) connected in series is 250, and therefore the resistive element shown in FIG. The same reference numerals are given to the same configurations as the above configurations. FIG. 5 is a plan view showing the entire resistance element, and FIG. 6 is an enlarged plan view of a part of the resistance element. In FIG. 6, the length of one side of the contact 8 having a substantially square shape in plan view is about 1.2 μm. The occupying area of one unit 9 includes the necessary space between adjacent units 9.
It is about 3.6 μm × 6.6 μm, and this unit 9
0 are connected in series. The resistance value per unit is about 200Ω. In this case, the resistance value of the resistance element is about 5Ω.
It becomes 0 kΩ. When forming a 50kΩ resistor with a polysilicon resistor, the sheet resistance is 25Ω / □ and the width of the polysilicon layer is 3
Assuming that the thickness is μm, the length of the polysilicon layer is required to be about 6000 μm. If the resistor element shown in FIG. Since the space of μm is required, the occupied area is about 25000 μm 2 . In contrast,
According to the resistance element shown in FIG. 5, the occupied area is about 5940.
Since it is μm 2 , a desired resistance can be obtained in an area of about ¼.
【００２０】図７の平面図に基づいて本発明の抵抗素子
のさらに異なる実施形態を説明する。図７に示す抵抗素
子は、図５に示した抵抗素子の一端に配置されたユニッ
ト１１ａ〜１１ｉに沿って、ユニット１１ａ〜１１ｉの
それぞれを短絡するジャンパー線１６ａ〜１６ｉを形成
したものである。ジャンパー線１６ａ〜１６ｉの材料と
しては、配線材料に用いられるAl-Si-Cu等を用いる。こ
のように構成することにより、抵抗素子の抵抗値が所望
の値より小さかった場合、レーザー等により所定のジャ
ンパー線を切断すれば、１か所につき、約 200Ω、抵抗
値を大きくすることができるようになる。A further different embodiment of the resistance element of the present invention will be described with reference to the plan view of FIG. The resistance element shown in FIG. 7 is formed by forming jumper wires 16a to 16i for short-circuiting each of the units 11a to 11i along the units 11a to 11i arranged at one end of the resistance element shown in FIG. As a material for the jumper wires 16a to 16i, Al-Si-Cu or the like used for a wiring material is used. With this configuration, when the resistance value of the resistance element is smaller than the desired value, the resistance value can be increased by about 200Ω at one place by cutting a predetermined jumper wire with a laser or the like. Like
【００２１】図８の平面図に基づいて本発明の抵抗素子
の製造方法の異なる実施形態を説明する。図８に示す抵
抗素子は、図４に基づいて説明した製造方法に用いる抵
抗素子で、図５に示した抵抗素子の一端に配置されたユ
ニット１１ａ〜１１ｊに沿って、ユニット１１ａ〜１１
ｊに接続された所定の金属配線７と接続するための短絡
用金属配線１７をAl-Si-Cu等で形成したものである。短
絡用金属配線１７の一端は、ユニット１１ａが接続され
た、抵抗素子の一端に配置された金属配線７ａに接続さ
れている。A different embodiment of the method of manufacturing the resistance element of the present invention will be described based on the plan view of FIG. The resistance element shown in FIG. 8 is a resistance element used in the manufacturing method described with reference to FIG. 4, and the units 11a to 11j are arranged along the units 11a to 11j arranged at one end of the resistance element shown in FIG.
The short-circuit metal wiring 17 for connecting to the predetermined metal wiring 7 connected to j is formed of Al-Si-Cu or the like. One end of the short-circuit metal wiring 17 is connected to the metal wiring 7a arranged at one end of the resistance element to which the unit 11a is connected.
【００２２】このように抵抗素子を形成しておき、抵抗
素子の抵抗値が所望のものより大きかった場合、フォー
カスト・イオン・ビームまたは電子線等によるタングス
テンＣＶＤ等で、ユニット１１ａ〜１１ｊに接続された
所定の金属配線７と短絡用金属配線１７間を短絡するこ
とにより抵抗値を小さくする方向に調整することが可能
となる。When the resistance element is formed in this way and the resistance value of the resistance element is larger than the desired one, the units are connected to the units 11a to 11j by tungsten CVD using a focused ion beam or an electron beam. By short-circuiting the predetermined metal wiring 7 and the short-circuiting metal wiring 17, it becomes possible to adjust the resistance value in the direction of decreasing.
【００２３】図９の平面図に基づいて本発明の抵抗素子
のさらに異なる実施形態を説明する。図９に示す抵抗素
子は、図８に示した抵抗素子に対して、短絡用金属配線
１７と、ユニット１１ａ〜１１ｆ間の金属配線７とをそ
れぞれ接続してジャンパー線１８ａ〜１８ｅを形成した
ものである。このように構成することにより、抵抗素子
の抵抗値が所望の値より小さかった場合、レーザー等に
よりジャンパー線１８ａ〜１８ｅのうち、所定のジャン
パー線を切断するようにし、逆に、抵抗素子の抵抗値が
所望のものより大きかった場合、フォーカスト・イオン
・ビームまたは電子線等によるタングステンＣＶＤ等
で、ユニット１１ｇ〜１１ｊに接続された金属配線７と
短絡用金属配線１７とを短絡すればよい。Further different embodiments of the resistance element of the present invention will be explained based on the plan view of FIG. The resistance element shown in FIG. 9 is different from the resistance element shown in FIG. 8 in that short-circuit metal wiring 17 and metal wiring 7 between units 11a to 11f are connected to each other to form jumper wires 18a to 18e. Is. With this configuration, when the resistance value of the resistance element is smaller than a desired value, a predetermined jumper wire among the jumper wires 18a to 18e is cut by a laser or the like, and conversely, the resistance of the resistance element is cut. If the value is larger than the desired value, the metal wiring 7 connected to the units 11g to 11j and the short-circuiting metal wiring 17 may be short-circuited by tungsten CVD using a focused ion beam or an electron beam.
【００２４】図１０の平面図に基づいて本発明の抵抗素
子のさらに異なる実施形態を説明する。図１０に示す抵
抗素子は、図１に示した抵抗素子とユニット数の異なる
抵抗素子に対して、図３に示した実施形態で形成したも
のと同様のジャンパー線、及び、図４に示した実施形態
で形成したものと同様の短絡用金属配線を形成すると共
に、ジャンパー線によって予め短絡されているユニット
のコンタクト、または、タングステンＣＶＤ等で短絡し
ようとするユニットのコンタクトのうち、所定のコンタ
クトの大きさをその他のコンタクトよりも小さく形成し
たものである。A further different embodiment of the resistance element of the present invention will be described based on the plan view of FIG. The resistance element shown in FIG. 10 is different from the resistance element shown in FIG. 1 in the number of units, but the same jumper wire as that formed in the embodiment shown in FIG. 3 and the resistance element shown in FIG. A short-circuit metal wiring similar to that formed in the embodiment is formed, and a contact of a unit that has been short-circuited in advance by a jumper wire or a contact of a unit to be short-circuited by tungsten CVD or the like has a predetermined contact The size of the contact is smaller than that of the other contacts.
【００２５】図１０に示す抵抗素子は、抵抗素子の一端
に配置されたユニット１１ａ〜１１ｆに対して、抵抗素
子の一端に配置された金属配線７ａに接続された短絡用
金属配線１９ａを、ユニット１１ａ〜１１ｄに沿って形
成し、ユニット１１ｂ，１１ｃに接続された金属配線７
とその短絡用金属配線１９ａをそれぞれ接続してジャン
パー線２０ａ〜２０ｃを形成すると共に、ユニット１１
ｄとユニット１１ｅ間の金属配線７ｅに接続された短絡
用金属配線１９ｂを金属配線７ｆの近傍まで延設し、ユ
ニット１１ｅとユニット１１ｆ間の金属配線７ｆに接続
された短絡用金属配線１９ｃを金属配線７ｇの近傍まで
延設したものである。In the resistance element shown in FIG. 10, the short circuit metal wiring 19a connected to the metal wiring 7a arranged at one end of the resistance element is connected to the units 11a to 11f arranged at one end of the resistance element. Metal wiring 7 formed along 11a to 11d and connected to the units 11b and 11c
And the short-circuiting metal wiring 19a are respectively connected to form jumper wires 20a to 20c, and the unit 11
The short-circuiting metal wiring 19b connected to the metal wiring 7e between the unit 11e and the unit 11e is extended to the vicinity of the metal wiring 7f, and the short-circuiting metal wiring 19c connected to the metal wiring 7f between the unit 11e and the unit 11f is made of metal. The wiring is extended to the vicinity of the wiring 7g.
【００２６】図１０に示すように構成することにより、
抵抗値が所望のものより小さかった場合、レーザー等に
よりジャンパー線２０ａ〜２０ｃのいずれかを切断する
ことによって、また、抵抗値が所望のものより大きかっ
た場合、フォーカスト・イオン・ビーム、あるいは、電
子線等によるタングステンＣＶＤ等で、例えば、金属配
線７ｅと短絡用金属配線１９ａとを短絡すれば、抵抗値
の調整が可能となる。また、ジャンパー線によって予め
短絡されているユニットのコンタクト、または、タング
ステンＣＶＤ等で短絡しようとするユニットのコンタク
トが小さければ、ジャンパー線の切断、または、タング
ステンＣＶＤ等による短絡によって、抵抗値を粗調整で
き、コンタクトが大きければ、ジャンパー線の切断、ま
たは、タングステンＣＶＤ等による短絡によって抵抗値
の微調整が可能となる。By configuring as shown in FIG. 10,
When the resistance value is smaller than the desired one, by cutting any of the jumper wires 20a to 20c with a laser or the like, and when the resistance value is larger than the desired one, a focused ion beam, or The resistance value can be adjusted by short-circuiting the metal wiring 7e and the short-circuiting metal wiring 19a by tungsten CVD using an electron beam or the like. If the contact of a unit that has been short-circuited in advance by a jumper wire or the contact of a unit that is about to be short-circuited by tungsten CVD or the like is small, the resistance value is roughly adjusted by cutting the jumper wire or short-circuiting by tungsten CVD or the like. If the contact is large, the resistance value can be finely adjusted by cutting the jumper wire or short-circuiting by tungsten CVD or the like.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上のように、請求項１乃至請求項４記
載の抵抗素子によれば、小型で高精度の、電圧依存性の
小さい高抵抗素子を実現することができる。As described above, according to the resistance element of the first to fourth aspects, it is possible to realize a small-sized, high-precision, high-resistance element having small voltage dependence.
【００２８】また、請求項３記載の抵抗素子によれば、
抵抗素子形成後に、抵抗値を小さくする方向に調整する
ことができる。According to the resistance element of claim 3,
After the formation of the resistance element, the resistance value can be adjusted to be smaller.
【００２９】さらに、請求項５記載の抵抗素子の製造方
法によれば、一旦、抵抗素子を形成した後に、抵抗値を
大きくする方向に調整することができる。Further, according to the manufacturing method of the resistance element of the fifth aspect, after the resistance element is once formed, the resistance value can be adjusted to be increased.
【図１】本発明の抵抗素子の一実施形態を示す平面図で
ある。FIG. 1 is a plan view showing an embodiment of a resistance element of the present invention.
【図２】本発明の抵抗素子の異なる実施形態を示す平面
図である。FIG. 2 is a plan view showing another embodiment of the resistance element of the present invention.
【図３】本発明の抵抗素子のさらに異なる実施形態を説
明するための模式図である。FIG. 3 is a schematic diagram for explaining still another embodiment of the resistance element of the present invention.
【図４】本発明の抵抗素子のさらに異なる実施形態を説
明するための模式図である。FIG. 4 is a schematic diagram for explaining still another embodiment of the resistance element of the present invention.
【図５】本発明の抵抗素子のさらに異なる実施形態を示
す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing still another embodiment of the resistance element of the present invention.
【図６】図５に示す抵抗素子の一部分を拡大した平面図
である。FIG. 6 is an enlarged plan view of a part of the resistance element shown in FIG.
【図７】本発明の抵抗素子のさらに異なる実施形態を示
す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing still another embodiment of the resistance element of the present invention.
【図８】本発明の抵抗素子の製造方法の異なる実施形態
を示す平面図である。FIG. 8 is a plan view showing a different embodiment of the method of manufacturing the resistance element of the present invention.
【図９】本発明の抵抗素子のさらに異なる実施形態を示
す平面図である。FIG. 9 is a plan view showing still another embodiment of the resistance element of the present invention.
【図１０】本発明の抵抗素子のさらに異なる実施形態を
示す平面図である。FIG. 10 is a plan view showing still another embodiment of the resistance element of the present invention.
【図１１】従来の抵抗素子の一例を示す平面図である。FIG. 11 is a plan view showing an example of a conventional resistance element.
【図１２】従来の抵抗素子の異なる例を示す平面図であ
る。FIG. 12 is a plan view showing a different example of a conventional resistance element.
６ 高濃度拡散層 ７，７ａ〜７ｇ 金属配線 １３，１３ａ 金属配線 ９ ユニット（抵抗体） １０ ポリシリコン層 １１，１１ａ〜１１ｊ ユニット（抵抗体） １２，１２ａ〜１２ｊ ユニット（抵抗体） １４ ジャンパー線（切断用金属配
線） １３ コンタクト １５，１７ 短絡用金属配線 １９ａ〜１９ｃ 短絡用金属配線6 High-concentration diffusion layer 7, 7a to 7g Metal wiring 13, 13a Metal wiring 9 Unit (resistor) 10 Polysilicon layer 11, 11a to 11j Unit (resistor) 12, 12a to 12j Unit (resistor) 14 Jumper wire (Metal wiring for cutting) 13 contacts 15, 17 metal wiring for short circuit 19a to 19c metal wiring for short circuit
Claims (5)
その高濃度拡散層に接続された金属配線とのコンタクト
抵抗を１つの抵抗体として用い、その抵抗体を複数直列
または並列に接続したことを特徴とする抵抗素子。1. A contact resistance between a high-concentration diffusion layer and a metal wiring connected to the high-concentration diffusion layer in a semiconductor integrated circuit is used as one resistor, and a plurality of the resistors are connected in series or in parallel. Characteristic resistance element.
とそのポリシリコン層に接続された金属配線とのコンタ
クト抵抗を１つの抵抗体として用い、その抵抗体を複数
直列または並列に接続したことを特徴とする抵抗素子。2. A contact resistance between a polysilicon layer and a metal wiring connected to the polysilicon layer in a semiconductor integrated circuit is used as one resistor, and the resistors are connected in series or in parallel. A resistive element that
配線が、１つまたは複数の前記抵抗体によって構成され
る所定回路を短絡するジャンパー線として形成されてい
ることを特徴とする、請求項１または請求項２記載の抵
抗素子。3. The at least one disconnectable metal wiring for cutting is formed as a jumper wire for short-circuiting a predetermined circuit constituted by one or a plurality of the resistance bodies. Alternatively, the resistance element according to claim 2.
とを特徴とする請求項１乃至請求項３記載の抵抗素子。4. The resistance element according to claim 1, wherein a plurality of sizes of contacts are provided.
子の所定箇所に沿って形成された短絡用金属配線と、所
定の前記金属配線とを金属ＣＶＤにより短絡する工程を
備えたことを特徴とする抵抗素子の製造方法。5. A step of short-circuiting a short-circuit metal wiring formed along a predetermined portion of the resistance element according to claim 1 and the predetermined metal wiring by metal CVD is provided. A method of manufacturing a characteristic resistance element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21918395A JPH0964277A (en) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | Resistance element and its manufacture |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21918395A JPH0964277A (en) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | Resistance element and its manufacture |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964277A true JPH0964277A (en) | 1997-03-07 |
Family
ID=16731506
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21918395A Withdrawn JPH0964277A (en) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | Resistance element and its manufacture |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0964277A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020202356A (en) * | 2019-06-13 | 2020-12-17 | 富士電機株式会社 | Resistor element and manufacturing method for the same |
-
1995
- 1995-08-28 JP JP21918395A patent/JPH0964277A/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020202356A (en) * | 2019-06-13 | 2020-12-17 | 富士電機株式会社 | Resistor element and manufacturing method for the same |
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