JPH0636675A - Fuse resistor and manufacture thereof - Google Patents

Fuse resistor and manufacture thereof

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JPH0636675A
JPH0636675A JP4186637A JP18663792A JPH0636675A JP H0636675 A JPH0636675 A JP H0636675A JP 4186637 A JP4186637 A JP 4186637A JP 18663792 A JP18663792 A JP 18663792A JP H0636675 A JPH0636675 A JP H0636675A
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JP
Japan
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resistor
fuse
fusing
heat storage
layer
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Pending
Application number
JP4186637A
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Japanese (ja)
Inventor
Shozo Kawate
昇三 川手
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Koa Corp
Original Assignee
Koa Corp
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To provide a flat chip fuse resistor of low fusing power. CONSTITUTION:A resistor 30 of a predetermined size is formed on one side of an insulating substrate 10 of a predetermined size and a fusing element 31 of a predetermiend size is formed with its portion near one end overlapping the portion near one end of the resistor 30. Electrodes 20, 21 are so formed to overlap the portion near the other end of the resistor 30 and the portion near the other end of the fusing element 31, respectively, and the resistor 30 is trimmed. Further, a heat storage layer is formed to almost cover the fusing element 31. Therefore, the resistor and the fuse element can be made independent of each other.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はヒユーズ抵抗器に関し、
特に、その構造およびその製造方法に関するものであ
る。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a fuse resistor,
In particular, it relates to its structure and its manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の表面実装用の角チツプヒユーズ抵
抗器は、図8に示すような構造であつた。なお、図8
(a)は従来の角チツプヒユーズ抵抗器の斜視図、図8
(b)は図8(a)のA−A断面図である。従来の角チ
ツプヒユーズ抵抗器は、絶縁基板110上に抵抗体13
0が形成され、抵抗体130の両端部を覆うように、電
極120と121が形成されていた。抵抗体130の略
中央部には、トリミングによつて、電流路を遮る方向へ
切込み130a,130bが施されていた。この切込み
130a,130bによつて、角チツプヒユーズ抵抗器
の抵抗値が設定され、かつ、ヒユージングポイント13
0cが形成された後、切込み130a,130bおよび
ヒユージングポイント130cを、蓄熱ガラス層141
で覆つて、ヒユージングポイント130cで発生した熱
の放散を防いでいた。
2. Description of the Related Art A conventional surface mount square chip fuse resistor has a structure as shown in FIG. Note that FIG.
FIG. 8A is a perspective view of a conventional square chip fuse resistor, FIG.
8B is a cross-sectional view taken along the line AA of FIG. The conventional square chip fuse resistor has a resistor 13 on the insulating substrate 110.
0 was formed, and electrodes 120 and 121 were formed so as to cover both ends of the resistor 130. The substantially central portion of the resistor 130 was provided with notches 130a and 130b in the direction of blocking the current path by trimming. The cutouts 130a and 130b set the resistance value of the square chip fuse resistor, and the fuse point 13
0c is formed, the cuts 130a and 130b and the fusing point 130c are cut into the heat storage glass layer 141.
To prevent the heat generated at the housing point 130c from being dissipated.

【0003】従来の角チツプヒユーズ抵抗器の電極12
0と121間に、過大な電流が流れると、電流密度の高
いヒユージングポイント130cは急激に発熱して、ヒ
ユージングポイント130cは溶断する。
Electrode 12 of a conventional square chip fuse resistor
When an excessive current flows between 0 and 121, the fusing point 130c with a high current density rapidly generates heat, and the fusing point 130c melts.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来例に
は、次のような問題点があつた。すなわち、従来の角チ
ツプヒユーズ抵抗器においては、抵抗値調整とヒユージ
ングポイント130c形成を同時に行うので、抵抗値調
整を優先して設定すれば、溶断電力値の設定が大まかに
なり、逆に、溶断電力値を優先して設定すれば、抵抗値
の設定が大まかになる欠点があつた。
However, the above conventional example has the following problems. That is, in the conventional square chip fuse resistor, the resistance value adjustment and the forming of the fusing point 130c are performed at the same time, so if the resistance value adjustment is set with priority, the setting of the fusing power value becomes rough, and conversely, If the fusing power value is preferentially set, there is a drawback that the resistance value is roughly set.

【0005】さらに、従来の角チツプヒユーズ抵抗器に
おいては、トリミングで形成したヒユージングポイント
130cの電流路断面積は不均一なので、さらに、ヒユ
ージングポイント130cの幅を狭めて、溶断電力を低
電力化しようとすると、極端に電流路断面積の狭い部分
が生じて、耐サージ性が劣化する欠点があつた。従つ
て、従来の角チツプヒユーズ抵抗器においては、溶断電
力の低電力化には限界があり、例えば、溶断電流が2
[A]の従来のヒユーズ抵抗器の場合、その溶断電力を2
[W]以下に下げることは困難であつた。
Further, in the conventional square chip fuse resistor, since the cross-sectional area of the current path at the fusing point 130c formed by trimming is not uniform, the width of the fusing point 130c is further narrowed to lower the fusing power. When power is used, a portion having an extremely narrow current path cross-sectional area is generated, and there is a drawback that the surge resistance is deteriorated. Therefore, in the conventional square chip fuse resistor, there is a limit to lowering the fusing power, for example, the fusing current is 2
In the case of the conventional fuse fuse of [A], its fusing power is 2
It was difficult to reduce it below [W].

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、前記の課題を
解決することを目的としたもので、前記の課題を解決す
る一手段として、以下の構成を備える。すなわち、所定
サイズの絶縁基板に形成されたヒユーズ抵抗器であつ
て、前記絶縁基板の一方の面に形成した所定サイズの抵
抗体層と、前記抵抗体層の一端部近傍へその一端部近傍
が重畳するように形成したヒユーズ素子と、前記抵抗体
層の他端部近傍に重畳するように形成した少なくとも1
つの第1の電極部と、前記ヒユーズ素子の他端部近傍に
重畳するように形成した少なくとも1つの第2の電極部
と、前記ヒユーズ素子を略覆うように形成した蓄熱層と
を備えたヒユーズ抵抗器とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention is intended to solve the above problems, and has the following structure as one means for solving the above problems. That is, in a fuse resistor formed on an insulating substrate of a predetermined size, a resistor layer of a predetermined size formed on one surface of the insulating substrate, and one end portion of the resistor layer near the one end portion thereof. A fuse element formed so as to overlap and at least one formed so as to overlap near the other end of the resistor layer.
A fuse including: one first electrode portion, at least one second electrode portion formed so as to overlap in the vicinity of the other end of the fuse element, and a heat storage layer formed so as to substantially cover the fuse element. Use as a resistor.

【0007】また、所定サイズの絶縁基板の一方の面に
所定サイズの抵抗体層を形成する抵抗体形成工程と、前
記抵抗体層の一端部近傍へその一端部近傍が重畳するよ
うにヒユーズ素子を形成するヒユーズ素子形成工程と、
前記抵抗体層の他端部近傍に重畳するように少なくとも
1つの第1の電極部を形成し、前記ヒユーズ素子の他端
部近傍に重畳するように少なくとも1つの第2の電極部
を形成する電極部形成工程と、前記ヒユーズ素子を略覆
うように蓄熱層を形成する蓄熱層形成工程とからなるヒ
ユーズ抵抗器製造方法とする。
Further, a fuse forming step of forming a resistor layer of a predetermined size on one surface of an insulating substrate of a predetermined size, and a fuse element so that the one end portion of the resistor layer is overlapped with the one end portion thereof. A fuse element forming step for forming
At least one first electrode portion is formed so as to overlap with the other end portion of the resistor layer, and at least one second electrode portion is formed so as to overlap with the other end portion of the fuse element. A method of manufacturing a fuse for a fuse comprising a step of forming an electrode portion and a step of forming a heat storage layer so as to substantially cover the fuse element.

【0008】[0008]

【作用】以上の構成によつて、抵抗体とヒユーズ素子と
を独立させた構造のヒユーズ抵抗器およびその製造方法
を提供できる。例えば、以上の構成によつて、溶断電力
値はヒユーズ素子の長さ,幅などによつて設定でき、ヒ
ユーズ素子の溶断電力値とは無関係に抵抗値を調整で
き、耐サージ性を劣化させることなく溶断電力を低電力
化できるヒユーズ抵抗器およびその製造方法を提供でき
る。
With the above construction, it is possible to provide a fuse resistor having a structure in which a resistor and a fuse element are independent of each other, and a manufacturing method thereof. For example, with the above configuration, the fusing power value can be set by the length and width of the fuse element, the resistance value can be adjusted regardless of the fusing power value of the fuse element, and the surge resistance is deteriorated. It is possible to provide a fuse resistor and a method for manufacturing the same that can lower the fusing power without the need.

【0009】[0009]

【実施例】以下、本発明に係る一実施例の角チツプヒユ
ーズ抵抗器を図面を参照して詳細に説明する。図1〜図
6は本発明に係る一実施例の角チツプヒユーズ抵抗器を
説明するための図で、図1は該抵抗器の抵抗体形成状態
の一例を示す図、図2は該抵抗器のヒユージングエレメ
ント形成状態の一例を示す図、図3は該抵抗器の電極形
成状態およびトリミング状態の一例を示す図、図4は該
抵抗器の蓄熱層形成状態の一例を示す図、図5は該抵抗
器の完成状態の一例を示す斜視図、図6は図5のA−A
矢視断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A square chip fuse resistor according to an embodiment of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. 1 to 6 are views for explaining a square chip fuse resistor according to an embodiment of the present invention, FIG. 1 is a diagram showing an example of a resistor formation state of the resistor, and FIG. 2 is a diagram of the resistor. FIG. 5 is a diagram showing an example of a fusing element forming state, FIG. 3 is a diagram showing an example of an electrode forming state and a trimming state of the resistor, FIG. 4 is a diagram showing an example of a heat storage layer forming state of the resistor, and FIG. Is a perspective view showing an example of a completed state of the resistor, and FIG. 6 is AA of FIG.
FIG.

【0010】なお、各状態を示す図においては、各部の
形成状態が明確になるように、各部の形成状態が容易に
認識可能になるように、一部模式化して表現する。すな
わち、各状態を示す図においては、実際には不透明の部
分でも、下部状態を識別可能に表現する。図において、
10は基板で、略長方形の所定の厚さを有した電気絶縁
性のセラミツクス基板で、アルミナ96%の焼結体のア
ルミナ基板などを使用する。なお、本実施例において、
基板10は焼成済みのアルミナ基板に限定されるもので
はなく、例えば、アルミナなどのグリーンシートを使用
して、後述の厚膜抵抗体などとともに焼成してもよい。
It should be noted that in the drawings showing the respective states, some of them are schematically represented so that the formation state of each part is clear and the formation state of each part is easily recognizable. That is, in the drawings showing the respective states, the lower state is expressed in an identifiable manner even in an opaque portion. In the figure,
Reference numeral 10 denotes a substrate, which is an electrically insulating ceramic substrate having a substantially rectangular predetermined thickness, such as an alumina substrate of a sintered body of 96% alumina. In this example,
The substrate 10 is not limited to a fired alumina substrate, and may be fired together with a thick film resistor, which will be described later, using a green sheet of alumina or the like, for example.

【0011】30は抵抗体で、スクリーン印刷などによ
る厚膜抵抗体や、スパツタリング,真空蒸着,メツキな
どによる薄膜抵抗体などを、基板10の一面の長手方向
に偏らせて、略長方形で所定の厚さに形成する。なお、
厚膜抵抗体の材料としては、酸化ルテニウム系などの厚
膜ペーストが、薄膜抵抗体の材料としては、ニツケル−
クロム系,ニツケル−リン系,ニツケル−リン−タング
ステン系などの合金を使用する。
Reference numeral 30 designates a resistor, which is a thick film resistor formed by screen printing or a thin film resistor formed by sputtering, vacuum deposition, plating or the like, which is biased in the longitudinal direction of one surface of the substrate 10 and has a substantially rectangular shape. Form to thickness. In addition,
As a material for the thick film resistor, a thick film paste such as ruthenium oxide is used, and as a material for the thin film resistor, nickel-
Alloys such as chrome, nickel-phosphorus, nickel-phosphorus-tungsten alloys are used.

【0012】31はヒユージングエレメントで、過大な
電流が流れた場合に溶断する部分である。ヒユージング
エレメント31は、その一端を抵抗体30上に、その他
端を基板10の長手方向の端部近傍に形成し、所定の幅
でかつ所定の長さになるように、略U字形に折曲げた形
状にする。なお、ヒユージンブエレメントの形状は、略
U字形に限定されるものではなく、例えば、W字形,ク
ランク形,直線形などであつてもよく、所定の長さを形
成するのに適当な形状にすればよい。また、ヒユージン
グエレメント31は、スクリーン印刷や直接描画などに
よつて厚膜で形成しても、スパツタリング,真空蒸着,
メツキなどによつて、アルミなどを薄膜形成してもよ
い。
Reference numeral 31 is a fusing element, which is a portion which is blown when an excessive current flows. The housing element 31 has one end formed on the resistor 30 and the other end formed in the vicinity of the end portion in the longitudinal direction of the substrate 10, and has a substantially U shape so that the housing element 31 has a predetermined width and a predetermined length. Make a bent shape. The shape of the fuse element is not limited to the substantially U shape, and may be, for example, a W shape, a crank shape, a linear shape, or the like, which is suitable for forming a predetermined length. You can do this. Further, even if the housing element 31 is formed as a thick film by screen printing or direct drawing, spattering, vacuum deposition,
A thin film of aluminum or the like may be formed by plating.

【0013】20,21は電極で、基板10の抵抗体形
成面(以下「上面」という)の両短辺近傍から、電極を
形成した短辺に接する基板10の端面を経由して、抵抗
体非形成面(以下「下面」という)の両短辺近傍にかけ
て、その断面が略コの字形になるように形成する。な
お、電極20は、基板10の短辺近傍からヒユージング
エレメント31の端部にかけて、ヒユージングエレメン
ト31の端部近傍を所定の範囲で覆うように、略長方形
に形成する。また、電極20,21の形成方法は、周知
なので、その詳細な説明は省略するが、銀−パラジウム
系,銀,銅などの厚膜ペーストをスクリーン印刷などで
形成したり、クロム,ニツケル,銅などの金属材料をス
パツタリング,真空蒸着,メツキなどの方法によつて形
成する。
Reference numerals 20 and 21 denote electrodes, which are located near both short sides of the resistor forming surface (hereinafter referred to as "top surface") of the substrate 10 and pass through the end face of the substrate 10 which is in contact with the short side on which the electrodes are formed. The non-formed surface (hereinafter referred to as the “lower surface”) is formed so as to extend in the vicinity of both short sides of the non-formed surface so that its cross section has a substantially U-shape. The electrode 20 is formed in a substantially rectangular shape so as to cover the vicinity of the end of the fusing element 31 within a predetermined range from the vicinity of the short side of the substrate 10 to the end of the fusing element 31. The method of forming the electrodes 20 and 21 is well known, and thus a detailed description thereof will be omitted. However, a thick film paste of silver-palladium, silver, copper, or the like is formed by screen printing, or chrome, nickel, or copper is used. A metal material such as is formed by a method such as sputtering, vacuum deposition, and plating.

【0014】30a,30bは切込みで、抵抗値調整の
ためのトリミングで形成されたものである。なお、図に
おいては、ストレートカツトの切込みが2本施された例
を示したが、本実施例はこれに限定されるものではな
く、例えば、L字形カツトでもよいし、ストレートカツ
ト1本でもよい。41は蓄熱層で、ヒユージングエレメ
ント31で発生した熱の放散を防ぐもので、ヒユージン
グエレメント31を略覆うように、スクリーン印刷など
によつて、電気絶縁性かつ熱伝導率の低い低融点ガラス
ペーストなどを、略長方形にコーテイングしたものであ
る。
Cuts 30a and 30b are formed by trimming for adjusting the resistance value. In the figure, an example in which two straight cuts are cut is shown, but the present embodiment is not limited to this. For example, an L-shaped cut or one straight cut may be used. . Reference numeral 41 denotes a heat storage layer, which prevents the heat generated in the fusing element 31 from being dissipated, and is covered by screen printing or the like so as to substantially cover the fusing element 31 and is low in electrical insulation and low in thermal conductivity. It is a melting point glass paste or the like coated in a substantially rectangular shape.

【0015】40は絶縁膜で、抵抗体30,電極20,
21の上面部位,蓄熱層41などを略覆うように、スク
リーン印刷などによつて、電気絶縁性のガラスペースト
やエポキシ樹脂などをオーバコートしたものである。こ
の後、角チツプヒユーズ抵抗器は、後述するマーキン
グ,電極メツキなどの工程を経て、図5,図6に一例を
示す完成状態になる。
Reference numeral 40 denotes an insulating film, which is a resistor 30, an electrode 20,
An electrically insulating glass paste, an epoxy resin, or the like is overcoated by screen printing or the like so as to substantially cover the upper surface portion of 21, the heat storage layer 41, and the like. After that, the square chip fuse resistor is in a completed state, an example of which is shown in FIGS.

【0016】図7は角チツプヒユーズ抵抗器の製造工程
の一例を示すフローチヤートである。なお、以下の説明
は、1つの角チツプヒユーズ抵抗器を製造する場合に限
定されるものではなく、例えば、複数の角チツプヒユー
ズ抵抗器を同時に多数製造する場合にも適用でき、最終
工程で角チツプヒユーズ抵抗器ひとつひとつに分離すれ
ばよい。
FIG. 7 is a flow chart showing an example of a manufacturing process of a square chip fuse resistor. Note that the following description is not limited to the case where one square chip fuse resistor is manufactured, and can be applied, for example, to the case where a plurality of square chip fuse resistors are simultaneously manufactured, and the square chip fuse resistor is used in the final step. You can separate them into individual vessels.

【0017】まず、図7に示す工程P1で、基板10を
所定の大きさに形成する基板製造工程を実行して、所定
製造単位の大きさの略長方形の基板10を製作する。な
お、該単位は、任意の大きさであり、1つの角チツプヒ
ユーズ抵抗器毎に作製しても、例えば、数十個同時に作
製してもよく、それぞれの場合に即して製作すればよ
い。また、以下に説明する各工程毎の状態図は、それぞ
れ単独の1チツプだけを示すが、複数チツプを同時に形
成する場合においても略同様である。
First, in step P1 shown in FIG. 7, a substrate manufacturing process for forming the substrate 10 in a predetermined size is performed to manufacture a substantially rectangular substrate 10 having a predetermined manufacturing unit size. It should be noted that the unit has an arbitrary size, and may be manufactured for each one square chip fuse resistor, for example, several tens of them may be manufactured at the same time, and may be manufactured according to each case. Further, the state diagrams of the respective steps described below show only one single chip, but the same applies to the case where a plurality of chips are simultaneously formed.

【0018】続いて、工程P2で、スクリーン印刷やス
パツタリングなどの方法で、基板10の上面に、図1に
一例を示した抵抗体30を形成する。続いて、工程P3
で、スクリーン印刷やスパツタリングなどの方法で、基
板10の上面に、図2に一例を示したヒユージングエレ
メント31を形成する。続いて、工程P4で、スクリー
ン印刷やスパツタリングなどの方法で、基板10に、図
3に一例を示した電極20,21を形成する。なお、工
程P4は、例えば、基板10上面の電極部位を形成する
工程、次に基板10下面の電極部位を形成する工程、次
に基板10端面に導体部を形成して、上面と下面の電極
を電気的に接続する工程などを含む。
Subsequently, in step P2, a resistor 30 of which an example is shown in FIG. 1 is formed on the upper surface of the substrate 10 by a method such as screen printing or spattering. Then, the process P3
Then, the fusing element 31 whose example is shown in FIG. 2 is formed on the upper surface of the substrate 10 by a method such as screen printing or spattering. Subsequently, in step P4, the electrodes 20 and 21 of which an example is shown in FIG. 3 are formed on the substrate 10 by a method such as screen printing or spattering. The step P4 is, for example, a step of forming an electrode portion on the upper surface of the substrate 10, a step of forming an electrode portion on the lower surface of the substrate 10, and then a conductor portion on the end surface of the substrate 10 to form electrodes on the upper and lower surfaces. And the step of electrically connecting.

【0019】続いて、工程P5で、必要に応じて抵抗値
のトリミングを行う。なお、抵抗値トリミングは、レー
ザビームやサンドブラストなどで、抵抗体30のパター
ンに切込みを入れることによつて、抵抗値を調整する。
続いて、工程P6で、スクリーン印刷などの方法で、ヒ
ユージングエレメント31を略覆うように、図4に一例
を示した蓄熱層41を形成する。
Then, in step P5, the resistance value is trimmed as necessary. In the resistance value trimming, the resistance value is adjusted by making a cut in the pattern of the resistor 30 with a laser beam or sandblasting.
Then, in step P6, the heat storage layer 41, an example of which is shown in FIG. 4, is formed by a method such as screen printing so as to substantially cover the fusing element 31.

【0020】続いて、工程P7で、スクリーン印刷など
によつて、抵抗体30,電極20,21の上面部位,蓄
熱層41などを略覆うように、絶縁膜40をオーバコー
トする。続いて、工程P8で、例えば絶縁膜40上に捺
印するなどによつて、定格抵抗値や製品番号などをマー
キングする。
Then, in step P7, the insulating film 40 is overcoated by screen printing or the like so as to substantially cover the resistor 30, the upper surfaces of the electrodes 20 and 21, the heat storage layer 41 and the like. Subsequently, in step P8, the rated resistance value, the product number, etc. are marked by, for example, imprinting on the insulating film 40.

【0021】続いて、工程P9で、電極20,21の絶
縁膜40で覆われていない部位、主に基板10の端面や
下面の電極部位に、ニツケルなどで下地メツキを施した
後、はんだメツキ処理を施す。そして最後に、工程P1
0で、検査を実施して、角チツプヒユーズ抵抗器が完成
する。
Subsequently, in step P9, a portion of the electrodes 20 and 21 which is not covered with the insulating film 40, mainly the electrode portion of the end surface or the lower surface of the substrate 10, is plated with nickel or the like, and then soldered. Apply processing. And finally, the process P1
At 0, an inspection is performed to complete the square chip fuse resistor.

【0022】また、工程P9または工程P10終了後
に、必要に応じてダイシングして、角チツプヒユーズ抵
抗器を1つのチツプ毎に分離成形する。例えば、ここ
で、同時に複数の角チツプヒユーズ抵抗器を一括製作し
た場合は、個々のチツプに分離成形し、また、1つのチ
ツプ毎に製作した場合は、周辺部の整形などを行う。な
お、上記説明では省略したが、厚膜を形成する工程に
は、厚膜ペーストを印刷後、例えば10分間850℃で
焼成する焼成工程などが含まれ、また、薄膜を形成する
工程では、メタルマスクによつて所定のパターンを形成
するか、あるいは、薄膜形成後レジスト膜を形成して、
形成した薄膜をエツチングする工程などが含まれる。
After the step P9 or the step P10 is completed, dicing is performed as required to separately form a square chip fuse resistor for each chip. For example, when a plurality of square chip fuse resistors are manufactured at the same time, the chips are separated and molded, and when they are manufactured for each chip, the peripheral part is shaped. Although omitted in the above description, the step of forming the thick film includes, for example, a baking step of baking the thick film paste at 850 ° C. for 10 minutes after printing the thick film paste. A predetermined pattern is formed with a mask, or a resist film is formed after forming a thin film,
A step of etching the formed thin film is included.

【0023】また、工程P2〜P4において、抵抗体3
0,ヒユージングエレメント31,電極20,21は、
工程P2〜P4のそれぞれの形成工程で焼成しなくて
も、電極20,21を印刷後に一括して焼成してもよい
し、また、例えば抵抗体30とヒユージングエレメント
31など、一部をまとめて焼成してもよい。また、工程
P6,P7において、蓄熱層41と絶縁膜40は、工程
P6,P7のそれぞれの形成工程で焼成しなくても、絶
縁膜40を印刷後に一括して焼成してもよい。
In the steps P2 to P4, the resistor 3
0, the housing element 31, the electrodes 20, 21 are
The electrodes 20 and 21 may be collectively fired after printing without being fired in each of the steps P2 to P4. Further, for example, the resistor 30 and the fusing element 31 are partially burned. You may bake collectively. Further, in steps P6 and P7, the heat storage layer 41 and the insulating film 40 may not be baked in the respective forming steps of steps P6 and P7, but may be baked together after the insulating film 40 is printed.

【0024】上述の構造を有する本実施例の角チツプヒ
ユーズ抵抗器は、抵抗体30とヒユージングエレメント
31とが、独立した構造になつているので、ヒユージン
グエレメント31の長さ,幅などによつて、溶断電力値
を設定することができる。従つて、本実施例において
は、ヒユージングエレメント31の溶断電力値とは無関
係に、抵抗体30をトリミングすることによつて、抵抗
値を調整できるので、本実施例の角チツプヒユーズ抵抗
器は、約0.1[Ω]〜約600[Ω]と、広範囲の抵抗値
レンジを得ることができる。
In the square chip fuse resistor of the present embodiment having the above-mentioned structure, since the resistor 30 and the husing element 31 have an independent structure, the length and width of the husing element 31 etc. Thus, the fusing power value can be set. Therefore, in the present embodiment, the resistance value can be adjusted by trimming the resistor 30 irrespective of the fusing power value of the fusing element 31, so that the square chip fuse resistor of the present embodiment is A wide resistance value range of about 0.1 [Ω] to about 600 [Ω] can be obtained.

【0025】さらに、本実施例においては、ヒユージン
グエレメント31を、スクリーン印刷やスパツタリング
で形成するので、ヒユージングエレメント31の電流路
断面積は略均一になり、ヒユージングエレメント31の
パターン幅を狭めて、溶断電力を低電力化しても、充分
な耐サージ性を得ることができる。従つて、例えば、溶
断電流が2[A]の本実施例のヒユーズ抵抗器の場合、そ
の溶断電力を約0.8[W]まで下げることが可能であ
る。
Further, in this embodiment, since the fusing element 31 is formed by screen printing or spattering, the cross-sectional area of the current path of the fusing element 31 becomes substantially uniform, and the pattern of the fusing element 31 is formed. Even if the width is narrowed and the fusing power is reduced, sufficient surge resistance can be obtained. Therefore, for example, in the case of the fuse fuse of the present embodiment in which the fusing current is 2 [A], the fusing power can be reduced to about 0.8 [W].

【0026】以上説明したように、本実施例によれば、
抵抗体とヒユージングエレメントとを独立させた構造に
するので、溶断電力値は、ヒユージングエレメントの長
さ,幅などによつて設定できる。従つて、本実施例にお
いては、ヒユージングエレメントの溶断電力値とは無関
係に、抵抗値を調整でき、広範囲の抵抗値レンジを得る
ことができる。
As described above, according to this embodiment,
Since the resistor and the fusing element are made independent, the fusing power value can be set by the length and width of the fusing element. Therefore, in the present embodiment, the resistance value can be adjusted regardless of the fusing power value of the fusing element, and a wide resistance value range can be obtained.

【0027】さらに、本実施例においては、ヒユージン
グエレメントの電流路断面積は略均一であり、ヒユージ
ングエレメントのパターン幅を狭めて、溶断電力を低電
力化することによつて、耐サージ性を劣化させることな
く、例えば、溶断電流が2[A]の本実施例のヒユーズ抵
抗器の場合、その溶断電力を約0.8[W]まで下げるこ
とが可能である。
Further, in the present embodiment, the cross-sectional area of the current path of the fusing element is substantially uniform, and the pattern width of the fusing element is narrowed to reduce the fusing power, thereby improving the resistance. For example, in the case of the fuse resistor of the present embodiment having a fusing current of 2 [A], the fusing power can be reduced to about 0.8 [W] without deteriorating the surge property.

【0028】[0028]

【発明の効果】以上、本発明によれば、抵抗体とヒユー
ズ素子とを独立させた構造のヒユーズ抵抗器およびその
製造方法を提供できる。例えば、本発明によつて、溶断
電力値はヒユーズ素子の長さ,幅などによつて設定で
き、ヒユーズ素子の溶断電力値とは無関係に抵抗値を調
整でき、耐サージ性を劣化させることなく溶断電力を低
電力化できるヒユーズ抵抗器およびその製造方法を提供
できる。
As described above, according to the present invention, it is possible to provide a fuse resistor having a structure in which a resistor and a fuse element are independent of each other, and a manufacturing method thereof. For example, according to the present invention, the fusing power value can be set according to the length, width, etc. of the fuse element, and the resistance value can be adjusted regardless of the fusing power value of the fuse element, without deteriorating the surge resistance. It is possible to provide a fuse fuse capable of reducing the fusing power and a manufacturing method thereof.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る一実施例の角チツプヒユーズ抵抗
器の抵抗体形成状態の一例を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing an example of a resistance body formation state of a square chip fuse resistor according to an embodiment of the present invention.

【図2】本実施例のヒユージングエレメント形成状態の
一例を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an example of a fusing element formation state of the present embodiment.

【図3】本実施例の電極形成状態およびトリミング状態
の一例を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing an example of an electrode formation state and a trimming state of the present embodiment.

【図4】本実施例の蓄熱層形成状態の一例を示す図であ
る。
FIG. 4 is a diagram showing an example of a heat storage layer forming state of the present embodiment.

【図5】本実施例の完成状態の一例を示す斜視図であ
る。
FIG. 5 is a perspective view showing an example of a completed state of the present embodiment.

【図6】図5のA−A矢視断面図である。6 is a sectional view taken along the line AA of FIG.

【図7】本実施例の製造工程の一例を示すフローチヤー
トである。
FIG. 7 is a flow chart showing an example of a manufacturing process of this example.

【図8】従来の角チツプヒユーズ抵抗器の構造を示す図
である。
FIG. 8 is a diagram showing a structure of a conventional square chip fuse resistor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 基板 20,21 電極 30 抵抗体 31 ヒユージングエレメント 40 絶縁膜 41 蓄熱層 10 Substrate 20,21 Electrode 30 Resistor 31 Fusing Element 40 Insulating Film 41 Heat Storage Layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01C 17/06 A 8834−5E H01H 69/02 7250−5G ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 5 Identification code Office reference number FI Technical display location H01C 17/06 A 8834-5E H01H 69/02 7250-5G

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定サイズの絶縁基板に形成されたヒユ
ーズ抵抗器であつて、 前記絶縁基板の一方の面に形成した所定サイズの抵抗体
層と、 前記抵抗体層の一端部近傍へその一端部近傍が重畳する
ように形成した所定サイズのヒユーズ素子と、 前記抵抗体層の他端部近傍に重畳するように形成した少
なくとも1つの第1の電極部と、 前記ヒユーズ素子の他端部近傍に重畳するように形成し
た少なくとも1つの第2の電極部と、 前記ヒユーズ素子を略覆うように形成した蓄熱層とを有
することを特徴とするヒユーズ抵抗器。
1. A fuse resistor formed on an insulating substrate of a predetermined size, the resistor layer having a predetermined size formed on one surface of the insulating substrate, and one end of the resistor layer near one end of the resistor layer. A fuse element of a predetermined size formed so as to overlap in the vicinity of a portion, at least one first electrode portion formed so as to overlap near the other end of the resistor layer, and near the other end of the fuse element And a heat storage layer formed so as to substantially cover the fuse element, the fuse resistor comprising at least one second electrode portion formed so as to overlap with the fuse element.
【請求項2】 前記絶縁基板はアルミナ基板であり、 前記抵抗体層は厚膜抵抗体であり、 前記電極部は厚膜導体であり、 前記蓄熱層はガラスで形成されることを特徴とする請求
項1記載のヒユーズ抵抗器。
2. The insulating substrate is an alumina substrate, the resistor layer is a thick film resistor, the electrode portion is a thick film conductor, and the heat storage layer is made of glass. The fuse resistor according to claim 1.
【請求項3】 前記絶縁基板はアルミナ基板であり、 前記抵抗体層は薄膜抵抗体であり、 前記電極部は薄膜導体であり、 前記蓄熱層はガラスで形成されることを特徴とする請求
項1記載のヒユーズ抵抗器。
3. The insulating substrate is an alumina substrate, the resistor layer is a thin film resistor, the electrode portion is a thin film conductor, and the heat storage layer is made of glass. The fuse resistor according to 1.
【請求項4】 所定サイズの絶縁基板の一方の面に所定
サイズの抵抗体層を形成する抵抗体形成工程と、 前記抵抗体層の一端部近傍へその一端部近傍が重畳する
ように所定サイズのヒユーズ素子を形成するヒユーズ素
子形成工程と、 前記抵抗体層の他端部近傍に重畳するように少なくとも
1つの第1の電極部を形成し、前記ヒユーズ素子の他端
部近傍に重畳するように少なくとも1つの第2の電極部
を形成する電極部形成工程と、 前記ヒユーズ素子を略覆うように蓄熱層を形成する蓄熱
層形成工程とを有することを特徴とするヒユーズ抵抗器
製造方法。
4. A resistor forming step of forming a resistor layer of a predetermined size on one surface of an insulating substrate of a predetermined size, and a predetermined size so that the resistor layer overlaps with one end portion in the vicinity of the one end portion. And a step of forming a fuse element, wherein at least one first electrode portion is formed so as to overlap in the vicinity of the other end portion of the resistor layer, and is overlapped in the vicinity of the other end portion of the fuse element. And a heat storage layer forming step of forming a heat storage layer so as to substantially cover the fuse element, and a heat storage layer manufacturing method.
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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6710699B2 (en) * 2001-07-02 2004-03-23 Abb Research Ltd Fusible link
JP2008240530A (en) * 2007-03-26 2008-10-09 Hanshin Electric Co Ltd Electronic ignition device for internal combustion engine
US8780518B2 (en) 2011-02-04 2014-07-15 Denso Corporation Electronic control device including interrupt wire
CN106847447A (en) * 2017-01-03 2017-06-13 常州安斯电子有限公司 A kind of chip resistance safety resistor and its production technology

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