JPH0964002A - 半導体ウエハの洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法 - Google Patents
半導体ウエハの洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体ウエハ表面に吸着したＣｕ（銅）を除
去する洗浄装置及び洗浄方法を提供する。 【解決手段】 白金からなる治具１４に接触保持させた
状態の半導体ウエハからなるを作用電極１５を備えた電
気化学セルによって半導体ウエハの洗浄装置１を構成す
る。電気化学セル１の参照電極１８によって測定した電
気化学セル１の電解液１１と作用電極１５との間の平衡
電位を基準電位にして、電解液１１と作用電極１５との
間に除去したい金属不純物がアノード腐食する範囲の電
位差を生じさせる状態で、作用電極１５と電気化学セル
１の対電極１３とに電圧を印加する。そして、半導体ウ
エハ（１５）を電解液１１に対して陽極に保って電解液
１１から半導体ウエハ（１５）への逆汚染を防止した状
態で、半導体ウエハ（１５）表面の金属不純物を電解液
１１中に溶出させる。
去する洗浄装置及び洗浄方法を提供する。 【解決手段】 白金からなる治具１４に接触保持させた
状態の半導体ウエハからなるを作用電極１５を備えた電
気化学セルによって半導体ウエハの洗浄装置１を構成す
る。電気化学セル１の参照電極１８によって測定した電
気化学セル１の電解液１１と作用電極１５との間の平衡
電位を基準電位にして、電解液１１と作用電極１５との
間に除去したい金属不純物がアノード腐食する範囲の電
位差を生じさせる状態で、作用電極１５と電気化学セル
１の対電極１３とに電圧を印加する。そして、半導体ウ
エハ（１５）を電解液１１に対して陽極に保って電解液
１１から半導体ウエハ（１５）への逆汚染を防止した状
態で、半導体ウエハ（１５）表面の金属不純物を電解液
１１中に溶出させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ウエハの洗
浄方法に関する。
浄方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置の高集積化に伴うデバイス構
造の微細化によって、半導体装置の製造プロセスで混入
するパーティクルや金属不純物が半導体装置の歩留りや
デバイスの特性に大きな影響を及ぼすようになってきて
いる。例えば、半導体ウエハの表面に付着した金属不純
物は、酸化膜の耐圧不良や導電部における接合リーク不
良を引き起こす要因になる。しかしながら、半導体装置
の製造プロセスは、そのほとんどがパーティクルや金属
不純物の発生源であるため、上記歩留りや特性を向上さ
せるためには、全製造プロセスに渡って基板表面を清浄
に保たなければならない。
造の微細化によって、半導体装置の製造プロセスで混入
するパーティクルや金属不純物が半導体装置の歩留りや
デバイスの特性に大きな影響を及ぼすようになってきて
いる。例えば、半導体ウエハの表面に付着した金属不純
物は、酸化膜の耐圧不良や導電部における接合リーク不
良を引き起こす要因になる。しかしながら、半導体装置
の製造プロセスは、そのほとんどがパーティクルや金属
不純物の発生源であるため、上記歩留りや特性を向上さ
せるためには、全製造プロセスに渡って基板表面を清浄
に保たなければならない。
【０００３】そこで、複数種の汚染物質を簡単かつ低コ
ストで除去するために、複数の洗浄液による処理を組み
合わせた多層浸漬バッチ方式の洗浄技術が広く使用され
ている。その基本は、アンモニア水と過酸化水素水との
混合水溶液（以下、ＳＣ−１と記す）による洗浄と、塩
酸と過酸化水素水との混合水溶液（以下、ＳＣ−２と記
す）による洗浄と、希フッ酸（以下、ＤＨＦと記す）に
よる洗浄とを組み合わせたＲＣＡ洗浄である。上記ＲＣ
Ａ洗浄によれば、ＳＣ−１による洗浄によって基板表面
のパーティクルが除去され、ＳＣ−２による洗浄によっ
て金属不純物が除去され、またＤＨＦによる洗浄によっ
てウエハ表面に形成された自然酸化膜と金属不純物とが
除去される。
ストで除去するために、複数の洗浄液による処理を組み
合わせた多層浸漬バッチ方式の洗浄技術が広く使用され
ている。その基本は、アンモニア水と過酸化水素水との
混合水溶液（以下、ＳＣ−１と記す）による洗浄と、塩
酸と過酸化水素水との混合水溶液（以下、ＳＣ−２と記
す）による洗浄と、希フッ酸（以下、ＤＨＦと記す）に
よる洗浄とを組み合わせたＲＣＡ洗浄である。上記ＲＣ
Ａ洗浄によれば、ＳＣ−１による洗浄によって基板表面
のパーティクルが除去され、ＳＣ−２による洗浄によっ
て金属不純物が除去され、またＤＨＦによる洗浄によっ
てウエハ表面に形成された自然酸化膜と金属不純物とが
除去される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記ＲＣＡ洗
浄には、以下のような課題があった。すなわち、ＤＨＦ
によって半導体ウエハ表面の自然酸化膜を除去するとベ
アウエハの表面が剥き出しになり、Ｃｕ（銅）やＡｕ
（金）等の貴金属が吸着し易くなる。このため、洗浄薬
液からの逆汚染によって半導体ウエハ表面が汚染されて
しまう。このようにして半導体ウエハの表面に吸着した
上記金属は、上記ＳＣ−１、ＳＣ−２による洗浄によっ
ても除去され難い。例えば、ＤＨＦ洗浄前後における半
導体ウエハ表面へのＣｕの吸着量は、ＤＨＦ洗浄前が１
０12 atoms／ｃｍ2 であるのに対してＤＨＦ洗浄後が１
０11 atoms／ｃｍ2 であり、Ｃｕの吸着量が一桁程度低
減されるに過ぎなかった。以上のことから、上記の各薬
液洗浄を組み合わせた半導体ウエハの洗浄方法では、半
導体ウエハ表面に吸着したＣｕやＡｕ等の貴金属を除去
する能力が不十分であり、当該Ｃｕによる半導体装置の
歩留りの低下やデバイス特性を劣化を防止することがで
きない。
浄には、以下のような課題があった。すなわち、ＤＨＦ
によって半導体ウエハ表面の自然酸化膜を除去するとベ
アウエハの表面が剥き出しになり、Ｃｕ（銅）やＡｕ
（金）等の貴金属が吸着し易くなる。このため、洗浄薬
液からの逆汚染によって半導体ウエハ表面が汚染されて
しまう。このようにして半導体ウエハの表面に吸着した
上記金属は、上記ＳＣ−１、ＳＣ−２による洗浄によっ
ても除去され難い。例えば、ＤＨＦ洗浄前後における半
導体ウエハ表面へのＣｕの吸着量は、ＤＨＦ洗浄前が１
０12 atoms／ｃｍ2 であるのに対してＤＨＦ洗浄後が１
０11 atoms／ｃｍ2 であり、Ｃｕの吸着量が一桁程度低
減されるに過ぎなかった。以上のことから、上記の各薬
液洗浄を組み合わせた半導体ウエハの洗浄方法では、半
導体ウエハ表面に吸着したＣｕやＡｕ等の貴金属を除去
する能力が不十分であり、当該Ｃｕによる半導体装置の
歩留りの低下やデバイス特性を劣化を防止することがで
きない。
【０００５】
【課題を解決するための手段】そこで、本発明の半導体
ウエハの洗浄装置は、電気化学セルの作用電極に、耐食
性と導電性とを有する材料からなる治具に接触保持させ
た状態の半導体ウエハを用いたことを特徴としている。
この洗浄装置では、電気化学セルの電解液と作用電極と
の間の平衡電位を基準電位にして、上記電解液と上記作
用電極すなわち半導体ウエハとの間の電位差が任意の値
に設定される。
ウエハの洗浄装置は、電気化学セルの作用電極に、耐食
性と導電性とを有する材料からなる治具に接触保持させ
た状態の半導体ウエハを用いたことを特徴としている。
この洗浄装置では、電気化学セルの電解液と作用電極と
の間の平衡電位を基準電位にして、上記電解液と上記作
用電極すなわち半導体ウエハとの間の電位差が任意の値
に設定される。
【０００６】また、本発明の半導体ウエハの洗浄方法
は、耐食性と導電性とを有する材料からなる治具に接触
保持させた状態の半導体ウエハを作用電極にした電気化
学セルを形成し、上記電気化学セルの参照電極によって
測定された当該電気化学セルの電解液と上記作用電極と
の間の平衡電位を基準電位にして、上記電解液と上記作
用電極との間に上記金属不純物がアノード腐食する範囲
の電位差を生じさせる状態で、当該作用電極と上記対電
極とに電圧を印加することを特徴としている。上記洗浄
方法では、作用電極の表面に付着した金属不純物と電解
液との間に、当該金属不純物がアノード腐食する範囲で
電位差が生じる。このため、作用電極である半導体ウエ
ハ表面から上記電解液中に上記金属不純物が溶出し、当
該半導体ウエハ表面から上記金属不純物が除去される。
は、耐食性と導電性とを有する材料からなる治具に接触
保持させた状態の半導体ウエハを作用電極にした電気化
学セルを形成し、上記電気化学セルの参照電極によって
測定された当該電気化学セルの電解液と上記作用電極と
の間の平衡電位を基準電位にして、上記電解液と上記作
用電極との間に上記金属不純物がアノード腐食する範囲
の電位差を生じさせる状態で、当該作用電極と上記対電
極とに電圧を印加することを特徴としている。上記洗浄
方法では、作用電極の表面に付着した金属不純物と電解
液との間に、当該金属不純物がアノード腐食する範囲で
電位差が生じる。このため、作用電極である半導体ウエ
ハ表面から上記電解液中に上記金属不純物が溶出し、当
該半導体ウエハ表面から上記金属不純物が除去される。
【０００７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の半導体ウエハの洗
浄装置及び洗浄方法を、シリコンからなる半導体ウエハ
の表面に吸着したＣｕ（銅）の除去を目的とした洗浄装
置及び洗浄方法に適用した実施形態について説明する。
図１は、半導体ウエハの洗浄装置の一例を示す概略構成
図であり、図２はＣｕのｐＨ−電位図である。先ず、こ
れらの図を用いて本実施形態の洗浄装置の構成を説明す
る。
浄装置及び洗浄方法を、シリコンからなる半導体ウエハ
の表面に吸着したＣｕ（銅）の除去を目的とした洗浄装
置及び洗浄方法に適用した実施形態について説明する。
図１は、半導体ウエハの洗浄装置の一例を示す概略構成
図であり、図２はＣｕのｐＨ−電位図である。先ず、こ
れらの図を用いて本実施形態の洗浄装置の構成を説明す
る。
【０００８】図１に示すように、洗浄装置１には、内部
が第１電解液１１で満たされた洗浄槽１２が備えられて
いる。この第１電解液１１としては、図２に示すＣｕの
ｐＨ−電位図から、Ｃｕのアノード腐食が進むアノード
腐食領域ＡのｐＨを有する溶液を用いることとし、ここ
では例えば硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）溶液を第１電解液１１に
用いる。また、この第１電解液１１は、初期のＣｕ濃度
が１０-6 mol／ｌ以下であることとする。
が第１電解液１１で満たされた洗浄槽１２が備えられて
いる。この第１電解液１１としては、図２に示すＣｕの
ｐＨ−電位図から、Ｃｕのアノード腐食が進むアノード
腐食領域ＡのｐＨを有する溶液を用いることとし、ここ
では例えば硫酸（Ｈ2 ＳＯ4 ）溶液を第１電解液１１に
用いる。また、この第１電解液１１は、初期のＣｕ濃度
が１０-6 mol／ｌ以下であることとする。
【０００９】そして、図１に示すように、この第１電解
液１１中には、白金からなる対電極１３と、例えば白金
からなるウエハキャリア形状の治具１４に接触保持させ
た状態の半導体ウェハからなる作用電極１５が浸漬され
ている。
液１１中には、白金からなる対電極１３と、例えば白金
からなるウエハキャリア形状の治具１４に接触保持させ
た状態の半導体ウェハからなる作用電極１５が浸漬され
ている。
【００１０】さらに、この洗浄装置１には、上記洗浄槽
１２とは別に、内部が第２電解液１６で満たされた参照
電極槽１７が備えられている。この第２電解液１６に
は、例えばＫＣｌ（塩化カリウム）溶液を用いる。そし
て、この第２電解液１６内には、例えばＡｇ／ＡｇＣｌ
（銀−塩化銀）電極からなる参照電極１８が、第２電解
液１６と当該参照電極１８内の電解液との間でイオンの
移動が自在な状態で浸漬されている。尚、この参照電極
１８としては、上記Ａｇ／ＡｇＣｌ電極に限定されず、
一般的に参照電極として用いられるもであれば良い。
１２とは別に、内部が第２電解液１６で満たされた参照
電極槽１７が備えられている。この第２電解液１６に
は、例えばＫＣｌ（塩化カリウム）溶液を用いる。そし
て、この第２電解液１６内には、例えばＡｇ／ＡｇＣｌ
（銀−塩化銀）電極からなる参照電極１８が、第２電解
液１６と当該参照電極１８内の電解液との間でイオンの
移動が自在な状態で浸漬されている。尚、この参照電極
１８としては、上記Ａｇ／ＡｇＣｌ電極に限定されず、
一般的に参照電極として用いられるもであれば良い。
【００１１】また、洗浄槽１２と参照電極槽１７との間
には、第１電解液１１内と第２電解液１６内との間でイ
オンの移動が自在に行われるように、例えば内部がＫＣ
ｌ溶液で満たされた塩橋１９が設けられている。
には、第１電解液１１内と第２電解液１６内との間でイ
オンの移動が自在に行われるように、例えば内部がＫＣ
ｌ溶液で満たされた塩橋１９が設けられている。
【００１２】そして、上記対電極１３，作用電極１５及
び参照電極１８は、第１電解液１１と作用電極１５との
間の電位差を任意の値に設定できるように、ポテンショ
スタット２０に接続されている。尚、第１電解液１１中
の作用電極（半導体ウエハ）１５は、白金からなる治具
１４とこの治具１４に接続させた白金線１４ａとによっ
てポテンショスタット２０に接続される。また、各電極
をポテンショスタット２０に接続するための配線のう
ち、上記各電解液に接触する可能性のある部分は全て白
金で構成することとする。また、上記ポテンショスタッ
ト２０には、上記第１電解液１１と作用電極１５との間
の電位差を任意の状態で走査できるように、ポテンシャ
ルスイーパー２１が接続されている。これによって、半
導体ウエハからなる作用電極１５を備えた電気化学セル
からなる半導体ウエハの洗浄装置１が構成される。
び参照電極１８は、第１電解液１１と作用電極１５との
間の電位差を任意の値に設定できるように、ポテンショ
スタット２０に接続されている。尚、第１電解液１１中
の作用電極（半導体ウエハ）１５は、白金からなる治具
１４とこの治具１４に接続させた白金線１４ａとによっ
てポテンショスタット２０に接続される。また、各電極
をポテンショスタット２０に接続するための配線のう
ち、上記各電解液に接触する可能性のある部分は全て白
金で構成することとする。また、上記ポテンショスタッ
ト２０には、上記第１電解液１１と作用電極１５との間
の電位差を任意の状態で走査できるように、ポテンシャ
ルスイーパー２１が接続されている。これによって、半
導体ウエハからなる作用電極１５を備えた電気化学セル
からなる半導体ウエハの洗浄装置１が構成される。
【００１３】次に、本実施形態における半導体ウエハの
洗浄方法を説明する。先ず、上記電気化学セルを構成す
る洗浄装置１において、第１電解液（請求項２に示す電
解液）１１と作用電極１５との間の平衡電位を参照電極
１８で測定してポテンショスタット２０でモニタリング
する。次に、この平衡電位を基準電位＝０Ｖにして、作
用電極１５が陽極になるように、ポテンショスタット２
０によって作用電極１５及び対電極１３に電圧を印加す
る。この際、図２に示すＣｕのｐＨ−電位図から、第１
電解液１１に対する作用電極１５の電位ＥがＣｕのアノ
ード腐食領域Ａになるように、作用電極１５及び対電極
１３に電圧を印加する。例えば、第１電解液１１中のＣ
ｕ濃度が１０-6 mol／ｌである場合には、作用電極１５
の電位Ｅが０．３３７Ｖ以上になるように、作用電極１
５及び対電極１３に電圧を印加する。
洗浄方法を説明する。先ず、上記電気化学セルを構成す
る洗浄装置１において、第１電解液（請求項２に示す電
解液）１１と作用電極１５との間の平衡電位を参照電極
１８で測定してポテンショスタット２０でモニタリング
する。次に、この平衡電位を基準電位＝０Ｖにして、作
用電極１５が陽極になるように、ポテンショスタット２
０によって作用電極１５及び対電極１３に電圧を印加す
る。この際、図２に示すＣｕのｐＨ−電位図から、第１
電解液１１に対する作用電極１５の電位ＥがＣｕのアノ
ード腐食領域Ａになるように、作用電極１５及び対電極
１３に電圧を印加する。例えば、第１電解液１１中のＣ
ｕ濃度が１０-6 mol／ｌである場合には、作用電極１５
の電位Ｅが０．３３７Ｖ以上になるように、作用電極１
５及び対電極１３に電圧を印加する。
【００１４】上記作用電極１５の電位Ｅの操作によっ
て、作用電極１５として用いる半導体ウエハの表面から
Ｃｕが第１電解液１１中に以下の様な状態で溶出する。
て、作用電極１５として用いる半導体ウエハの表面から
Ｃｕが第１電解液１１中に以下の様な状態で溶出する。
【数１】Ｃｕ→Ｃｕ2+＋２ｅ- そして、当該半導体ウエハの表面からＣｕが除去され
る。この際、半導体ウエハは電解液に対して陽極になっ
ているため、第１電解液１１中に存在する金属不純物が
半導体ウエハに付着することはない。このため、第１電
解液１１を殆ど交換する必要なく多数の半導体ウエハの
洗浄を連続して行うことができる。
る。この際、半導体ウエハは電解液に対して陽極になっ
ているため、第１電解液１１中に存在する金属不純物が
半導体ウエハに付着することはない。このため、第１電
解液１１を殆ど交換する必要なく多数の半導体ウエハの
洗浄を連続して行うことができる。
【００１５】しかし、上記洗浄が進むと、上記Ｃｕの第
１電解液１１中への溶出によって第１電解液１１中のＣ
ｕ濃度が上昇する。そして、アノード領域Ａの電位の最
低ラインＬは、平衡電位式Ｅ＝Ｅ0 ＋（ＲＴ／ｎＦ）ｌ
ｎ〔Ｃｕ2+〕に示すように、第１電解液１１中のＣｕ濃
度に伴って上昇する。このため、第１電解液１１中のＣ
ｕ濃度の上昇を予測またはモニタリングして、作用電極
（半導体ウエハ）１５の電位が常にアノード腐食領域Ａ
内に位置するように、ポテンショスタット２０から作用
電極１５及び対電極１３に印加する電圧をポテンシャル
スイーパー２１によって走査させる。
１電解液１１中への溶出によって第１電解液１１中のＣ
ｕ濃度が上昇する。そして、アノード領域Ａの電位の最
低ラインＬは、平衡電位式Ｅ＝Ｅ0 ＋（ＲＴ／ｎＦ）ｌ
ｎ〔Ｃｕ2+〕に示すように、第１電解液１１中のＣｕ濃
度に伴って上昇する。このため、第１電解液１１中のＣ
ｕ濃度の上昇を予測またはモニタリングして、作用電極
（半導体ウエハ）１５の電位が常にアノード腐食領域Ａ
内に位置するように、ポテンショスタット２０から作用
電極１５及び対電極１３に印加する電圧をポテンシャル
スイーパー２１によって走査させる。
【００１６】上記方法によって半導体ウエハを洗浄した
結果、下記の表に示すような良好な結果が得られた。比
較として、希フッ酸（ＤＨＦ）洗浄前後における半導体
ウエハ表面へのＣｕの吸着量を示す。
結果、下記の表に示すような良好な結果が得られた。比
較として、希フッ酸（ＤＨＦ）洗浄前後における半導体
ウエハ表面へのＣｕの吸着量を示す。
【表１】 単位は atoms／ｃｍ2 Ｎ．Ｄ．は検出限界１．０×１０9 以下を示す。 尚、上記Ｃｕ除去能力の評価分析の各値は、所定量のフ
ッ酸滴を半導体ウエハ表面でまんべんなくスキャニング
させて当該半導体ウエハ上の金属不純物を上記フッ酸滴
中にサンプリングし、このフッ酸滴中のＣｕ濃度を原子
吸光分析装置によって定量分析することによって得た値
である。
ッ酸滴を半導体ウエハ表面でまんべんなくスキャニング
させて当該半導体ウエハ上の金属不純物を上記フッ酸滴
中にサンプリングし、このフッ酸滴中のＣｕ濃度を原子
吸光分析装置によって定量分析することによって得た値
である。
【００１７】以上のように、本実施形態の洗浄によれ
ば、半導体ウエハ表面のＣｕ吸着量を３桁以上低減され
ることが可能になる。これは、従来のＤＨＦ洗浄による
Ｃｕの除去能力が１桁程度であったことと比較すると、
２桁以上もＣｕの除去能力が高いことを示している。
ば、半導体ウエハ表面のＣｕ吸着量を３桁以上低減され
ることが可能になる。これは、従来のＤＨＦ洗浄による
Ｃｕの除去能力が１桁程度であったことと比較すると、
２桁以上もＣｕの除去能力が高いことを示している。
【００１８】上記実施形態では、Ｃｕ（銅）の除去を目
的とした洗浄を例に取って洗浄装置及び洗浄方法を説明
した。しかし本発明は、Ｃｕ以外の殆どの金属の除去に
適用可能であり、特にベアウエハ表面に吸着し易いＡｕ
（金）のような貴金属に対して有効である。また、半導
体ウエハの材質も上記シリコンに限定されるものではな
く、化合物半導体にも適用可能である。
的とした洗浄を例に取って洗浄装置及び洗浄方法を説明
した。しかし本発明は、Ｃｕ以外の殆どの金属の除去に
適用可能であり、特にベアウエハ表面に吸着し易いＡｕ
（金）のような貴金属に対して有効である。また、半導
体ウエハの材質も上記シリコンに限定されるものではな
く、化合物半導体にも適用可能である。
【００１９】また、上記洗浄方法をＳＣ−１，ＳＣ−２
による洗浄と組み合わせる場合には、例えば一例として
上記実施形態で説明した洗浄を行った後に、ＳＣ−１，
ＳＣ−２を用いた洗浄を行うようにする。これによっ
て、ＳＣ−１，ＳＣ−２を用いた洗浄でウエハ表面に自
然酸化膜が形成されても、この自然酸化膜は清浄な半導
体ウエハ表面に形成され、半導体ウエハ表面の清浄化が
保持される。
による洗浄と組み合わせる場合には、例えば一例として
上記実施形態で説明した洗浄を行った後に、ＳＣ−１，
ＳＣ−２を用いた洗浄を行うようにする。これによっ
て、ＳＣ−１，ＳＣ−２を用いた洗浄でウエハ表面に自
然酸化膜が形成されても、この自然酸化膜は清浄な半導
体ウエハ表面に形成され、半導体ウエハ表面の清浄化が
保持される。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明の半導体ウエ
ハの洗浄装置によれば、白金からなる治具に接触保持さ
せた状態の半導体ウエハを作用電極にして電気化学セル
を構成することによって、電解液と上記半導体ウエハと
の間を任意の電位差に設定することが可能になる。この
ため、電解液と上記半導体ウエハとの間の電位差を当該
半導体ウエハ表面の金属不純物がアノード腐食する値に
設定することで、電解液からの逆汚染を防止した状態で
上記金属不純物を電解液中に強制的に溶出させて半導体
ウエハ表面から除去することが可能になる。
ハの洗浄装置によれば、白金からなる治具に接触保持さ
せた状態の半導体ウエハを作用電極にして電気化学セル
を構成することによって、電解液と上記半導体ウエハと
の間を任意の電位差に設定することが可能になる。この
ため、電解液と上記半導体ウエハとの間の電位差を当該
半導体ウエハ表面の金属不純物がアノード腐食する値に
設定することで、電解液からの逆汚染を防止した状態で
上記金属不純物を電解液中に強制的に溶出させて半導体
ウエハ表面から除去することが可能になる。
【００２１】また、本発明の半導体ウエハの洗浄方法に
よれば、電気化学セルの電解液と半導体ウエハからなる
作用電極との間に当該半導体ウエハ表面の金属不純物が
アノード腐食する範囲の電位差を生じさせる状態で、上
記作用電極と電気化学セルの対電極とに電圧を印加する
ことによって、電解液からの逆汚染を防止した状態で上
記金属不純物を電解液中に強制的に溶出させて半導体ウ
エハ表面から除去することが可能になる。したがって、
半導体ウエハ表面の清浄化を確保することができる。
よれば、電気化学セルの電解液と半導体ウエハからなる
作用電極との間に当該半導体ウエハ表面の金属不純物が
アノード腐食する範囲の電位差を生じさせる状態で、上
記作用電極と電気化学セルの対電極とに電圧を印加する
ことによって、電解液からの逆汚染を防止した状態で上
記金属不純物を電解液中に強制的に溶出させて半導体ウ
エハ表面から除去することが可能になる。したがって、
半導体ウエハ表面の清浄化を確保することができる。
【図１】本発明に係わる洗浄装置の一実施形態を示す概
略構成図である。
略構成図である。
【図２】ＣｕのｐＨ−電位図である。
１ 洗浄装置 １１ 第１電解液（電解液） １３ 対電極 １４ 治具 １５ 作用電極（半導体ウエハ） １８ 参照電極 Ａ アノード腐食領域
Claims (2)
- 【請求項１】 半導体ウエハの表面に吸着された金属不
純物を除去する半導体ウエハの洗浄装置であって、 電気化学セルの作用電極に、耐食性と導電性とを有する
材料からなる治具に接触保持させた状態の半導体ウエハ
を用いたことを特徴とする半導体ウエハの洗浄装置。 - 【請求項２】 半導体ウエハの表面に吸着された金属不
純物を除去する半導体ウエハの洗浄方法であって、 耐食性と導電性とを有する材料からなる治具に接触保持
させた状態の半導体ウエハを作用電極にした電気化学セ
ルを形成し、 前記電気化学セルの参照電極によって当該電気化学セル
の電解液と前記作用電極との間の平衡電位を測定し、 前記平衡電位を基準電位にして、前記電解液と前記作用
電極との間に前記金属不純物がアノード腐食する範囲の
電位差を生じさせる状態で、当該作用電極と前記電気化
学セルの対電極とに電圧を印加することを特徴とする半
導体ウエハの洗浄方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21434595A JPH0964002A (ja) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | 半導体ウエハの洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21434595A JPH0964002A (ja) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | 半導体ウエハの洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0964002A true JPH0964002A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16654232
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21434595A Pending JPH0964002A (ja) | 1995-08-23 | 1995-08-23 | 半導体ウエハの洗浄装置及び半導体ウエハの洗浄方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0964002A (ja) |
-
1995
- 1995-08-23 JP JP21434595A patent/JPH0964002A/ja active Pending
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