JPH0963118A - Optical recording medium - Google Patents

Optical recording medium

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Publication number
JPH0963118A
JPH0963118A JP7214652A JP21465295A JPH0963118A JP H0963118 A JPH0963118 A JP H0963118A JP 7214652 A JP7214652 A JP 7214652A JP 21465295 A JP21465295 A JP 21465295A JP H0963118 A JPH0963118 A JP H0963118A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
layer
reflective layer
recording medium
optical recording
Prior art date
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Pending
Application number
JP7214652A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masatoshi Yanagimachi
昌俊 柳町
Chiaki Yokota
千秋 横田
Hiroyuki Momotake
宏之 百武
Sumio Hirose
純夫 広瀬
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsui Toatsu Chemicals Inc filed Critical Mitsui Toatsu Chemicals Inc
Priority to JP7214652A priority Critical patent/JPH0963118A/en
Publication of JPH0963118A publication Critical patent/JPH0963118A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an optical recording medium having satisfactory durability by regulating the grain size of a metallic reflecting layer to a prescribed value or above and the thickness to a value in a prescribed range. SOLUTION: A recording layer 2 is formed on a substrate 1, a reflecting layer 3 is disposed on the recording layer 2 in an adhered state and the top of the reflecting layer 3 is coated with a protective layer 4. The substrate 1 is transparent at the wavelength of radiated light and the recording layer 2 uses a phthalocyanine dye, especially a phthalocyanine dye having a substituent and a central metallic atom and soluble in an org. solvent. The grain size of the reflecting layer 3 is regulated to >=250Å, preferably 300-500Å. The thickness of the layer 3 is regualted to 700-1,500Å, preferably 800-1,000Å.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、光記録媒体、特に
反射層を有する光記録媒体に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an optical recording medium, and more particularly to an optical recording medium having a reflective layer.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、基板上に反射層を有する光記録媒
体としてコンパクトディスク(以下、CDと略す)規格
に対応した追記または記録可能なCDが提案されてい
る。[例えば、日経エレクトロニクス No.465, P.107,
1989年1月23日号]この光記録媒体は図1に示すように
基板1上に記録層2、反射層3、保護層4をこの順に形
成されるものである。この光記録媒体の記録層に半導体
レーザー等のレーザー光を高パワーで照射する。そこで
記録層が物理的あるいは化学的変化を起こし、ピットの
形で情報を記録する。形成されたピットに低パワーのレ
ーザー光を照射し、反射光を検出することによりピット
の情報を再生することができる。一方、現在、音楽レコ
ードに代わって利用されてきているコンパクトディスク
やレーザーディスク等の再生専用光記録媒体は基板表面
上に予め音楽情報がピットの形で記録されており、その
基板上にAlやAu等の反射層とそれを保護する保護層
を形成した構造になっている。これは、基板表面のピッ
ト部分の代わりに記録層を設けている以外は追記または
記録可能なCDと基本的に構造は同じである。従って、
記録された後のCDは、再生専用のCDと同様に通常の
CDプレーヤーで再生可能である。記録可能な光記録媒
体では記録層にレーザー光の波長で吸収のある物質を用
いるため、通常、反射層としてAlよりも反射率の高い
Auが用いられている。
2. Description of the Related Art In recent years, a recordable or recordable CD has been proposed as an optical recording medium having a reflective layer on a substrate, which is compatible with the compact disc (hereinafter abbreviated as CD) standard. [For example, Nikkei Electronics No.465, P.107,
January 23, 1989] As shown in FIG. 1, this optical recording medium has a recording layer 2, a reflective layer 3 and a protective layer 4 formed in this order on a substrate 1. The recording layer of the optical recording medium is irradiated with a laser beam such as a semiconductor laser at a high power. Then, the recording layer undergoes a physical or chemical change to record information in the form of pits. The pit information can be reproduced by irradiating the formed pits with a low-power laser beam and detecting the reflected light. On the other hand, currently, read-only optical recording media such as compact discs and laser discs, which have been used in place of music records, have music information recorded in advance in the form of pits on the surface of a substrate. It has a structure in which a reflective layer of Au or the like and a protective layer for protecting it are formed. This has basically the same structure as a write-once or recordable CD except that a recording layer is provided instead of the pit portion on the substrate surface. Therefore,
The recorded CD can be played back by a normal CD player as well as a read-only CD. In a recordable optical recording medium, a substance that absorbs at the wavelength of laser light is used for the recording layer, and thus Au having a higher reflectance than Al is usually used for the reflective layer.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】本発明者らは、この光
記録媒体におけるAu反射層の作製条件を探索している
中で、意外なことに、作製条件によって媒体の特性、特
に耐久性が変化することを見いだした。Auは一般的に
は金属の中で化学的に安定とは云えるが、薄膜の状態で
は温度や湿度に影響されやすくなり、その物性が変化し
て媒体の特性、特に耐久性に影響を与えると考えられ
る。
The present inventors, while searching for the manufacturing conditions of the Au reflective layer in this optical recording medium, surprisingly found that the characteristics of the medium, especially the durability, were changed depending on the manufacturing conditions. I found that it changed. Au is generally said to be chemically stable in metals, but in the state of a thin film, it is easily affected by temperature and humidity, and its physical properties change to affect the characteristics of the medium, especially durability. it is conceivable that.

【0004】本発明者らはこの耐久性を劣化する要因を
調べたところ、Auの物性である結晶性(結晶子サイ
ズ)が作製条件と膜厚により変化し、結晶子サイズが媒
体の耐久性と関係のあることがわかった。
The inventors of the present invention have investigated the factors that deteriorate the durability, and the crystallinity (crystallite size), which is the physical property of Au, changes depending on the manufacturing conditions and the film thickness, and the crystallite size is the durability of the medium. It was found to have something to do with.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記課題
を解決すべく鋭意検討を重ねた結果、本発明を提案する
に至ったのである。即ち、この問題は以下の発明によっ
て解決される。 (1) 基板上に少なくとも記録層及び金属反射層が形
成されている光記録媒体において、該金属反射層の結晶
子サイズが250A以上、膜厚が700〜1500Aで
あることを特徴とする光記録媒体。 (2) 反射層がAuを主成分とする金属よりなる
(1)記載の光記録媒体。 (3) 記録層がフタロシアニン系色素よりなる(1)
または(2)記載の光記録媒体。 (4) 基板上に記録層、反射層及び保護層の順に設け
られた(1)〜(3)のいずれかに記載の光記録媒体。
The inventors of the present invention have made extensive studies to solve the above problems, and as a result, have come to propose the present invention. That is, this problem is solved by the following invention. (1) An optical recording medium in which at least a recording layer and a metal reflective layer are formed on a substrate, wherein the metal reflective layer has a crystallite size of 250 A or more and a film thickness of 700 to 1500 A. Medium. (2) The optical recording medium according to (1), wherein the reflective layer is made of a metal containing Au as a main component. (3) The recording layer is composed of a phthalocyanine dye (1)
Alternatively, the optical recording medium according to (2). (4) The optical recording medium according to any one of (1) to (3), wherein a recording layer, a reflective layer and a protective layer are provided in this order on a substrate.

【0006】[0006]

【発明の実施の形態】本発明の具体的な実施の形態につ
いて以下に説明する。本発明の光記録媒体は基板上に反
射層を有する。光記録媒体とは予め情報を記録されてい
る再生専用の光再生専用媒体及び情報を記録して再生す
ることのできる光記録媒体の両方を示すものである。但
し、ここでは適例として後者の情報を記録して再生ので
きる光記録媒体、特に基板上に記録層、反射層及び保護
層をこの順で形成した光記録媒体に関して説明する。こ
の光記録媒体は図1に示すような4層構造を有してい
る。即ち、基板1上に記録層2が形成されており、その
上に密着して反射層3が設けられており、さらにその上
に保護層4が反射層3を覆っている。基板の材質として
は、基本的には記録光及び再生光の波長で透明であれば
とくに限定はない。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Specific embodiments of the present invention will be described below. The optical recording medium of the present invention has a reflective layer on the substrate. The optical recording medium refers to both a read-only optical read-only medium in which information is recorded in advance and an optical recording medium in which information can be recorded and reproduced. However, here, as a suitable example, an optical recording medium capable of recording and reproducing the latter information, particularly an optical recording medium in which a recording layer, a reflective layer and a protective layer are formed in this order on a substrate will be described. This optical recording medium has a four-layer structure as shown in FIG. That is, a recording layer 2 is formed on a substrate 1, a reflective layer 3 is provided in close contact with the recording layer 2, and a protective layer 4 further covers the reflective layer 3. Basically, the material of the substrate is not particularly limited as long as it is transparent at the wavelengths of the recording light and the reproducing light.

【0007】例えば、ポリカーボネート樹脂、塩化ビニ
ル樹脂、ポリメタクリル酸メチル等のアクリル樹脂、ポ
リスチレン樹脂、エポキシ樹脂等の高分子材料やガラス
等の無機材料が利用される。これらの基板材料は射出成
形法等により円盤状に基板に成形される。必要に応じ
て、基板表面に溝を形成することもある。
For example, a polymer material such as a polycarbonate resin, a vinyl chloride resin, an acrylic resin such as polymethylmethacrylate, a polystyrene resin, an epoxy resin, or an inorganic material such as glass is used. These substrate materials are formed into a disk shape by injection molding or the like. If necessary, a groove may be formed on the substrate surface.

【0008】本発明における記録層は、フタロシアニン
色素、特に置換基を有し、中心に金属原子をもつ有機溶
媒に可溶なフタロシアニン色素を用いる。この置換基と
しては、水素や塩素、臭素、ヨウ素等のハロゲン、置換
または無置換のアルキル基、アリール基、不飽和アルキ
ル基、アルコキシル基、アリールオキシ基、不飽和アル
コキシル基、アルキルチオ基、アリールチオ基、不飽和
アルキルチオ基、カルボン酸エステル基、カルボン酸ア
ミド基、シリル基、アミノ基等が挙げられる。前記置換
基のより具体的な例としては、アルキル基としては、メ
チル基、エチル基、n−プロピル基、n−ブチル基、イ
ソブチル基、n−ペンチル基、ネオペンチル基、イソア
ミル基、2−メチルブチル基、n−ヘキシル基、2−メ
チルペンチル基、3−メチルペンチル基、4−メチルペ
ンチル基、2−エチルブチル基、n−ヘプチル基、2−
メチルヘキシル基、3−メチルヘキシル基、4−メチル
ヘキシル基、5−メチルヘキシル基、2−エチルヘキシ
ル基、3−エチルペンチル基、n−オクチル基、2−メ
チルヘプチル基、3−メチルヘプチル基、4−メチルヘ
プチル基、5−メチルヘプチル基、2−エチルヘキシル
基、3−エチルヘキシル基、n−ノニル基、n−デシル
基、n−ドデシル基等の一級アルキル基、イソプロピル
基、sec−ブチル基、1−エチルプロピル基、1−メ
チルブチル基、1,2−ジメチルプロピル基、1−メチ
ルヘプチル基、1−エチルブチル基、1,3−ジメチル
ブチル基、1,2−ジメチルブチル基、1−エチル−2
−メチルプロピル基、1−メチルヘキシル基、1−エチ
ルヘプチル基、1−プロピルブチル基、1−イソプロピ
ル−2−メチルプロピル基、1−エチル−2−メチルブ
チル基、1−プロピル−2−メチルプロピル基、1−メ
チルヘプチル基、1−エチルヘキシル基、1−プロピル
ペンチル基、1−イソプロピルペンチル基、1−イソプ
ロピル−2−メチルブチル基、1−イソプロピル−3−
メチルブチル基、1−メチルオクチル基、1−エチルヘ
プチル基、1−プロピルヘキシル基、1−イソブチル−
3−メチルブチル基等の二級アルキル基、tert−ブ
チル基、tert−ヘキシル基、tert−アミノ基、
tert−オクチル基等の三級アルキル基、シクロヘキ
シル基、4−メチルシクロヘキシル基、4−エチルシク
ロヘキシル基、4−tert−ブチルシクロヘキシル
基、4−(2−エチルヘキシル)シクロヘキシル基、ボ
ルニル基、イソブルニル基、アダマンタン基等のシクロ
アルキル基等が、アリール基としては、フェニル基、エ
チルフェニル基、ブチルフェニル基、ノニルフェニル
基、ナフチル基、ブチルナフチル基、ノニルナフチル基
等が、また、不飽和アルキル基としては、エチレン基、
プロピレン基、ブチレン基、ヘキセン基、オクテン基、
ドデセン基、シクロヘキセン基、ブチルヘキセン基等が
挙げられる。また、これらのアルキル基、アリール基、
不飽和アルキル基はヒドロキシル基やハロゲン基等で置
換されてもよく、また、酸素、硫黄、窒素等の原子を介
して前記アルキル基、アリール基で置換されても良い。
酸素を介して置換されているアルキル基やアリール基と
しては、メトキシメチル基、メトキシエチル基、エトキ
シメチル基、エトキシエチル基、ブトキシエチル基、エ
トキシエトキシエチル基、フェノキシエチル基、メトキ
シプロピル基、エトキシプロピル基、メトキシフェニル
基、ブトキシフェニル基、ポリオキシエチレン基、ポリ
オキシエチレン基、ポリオキシプロピレン基等が、硫黄
を介して置換されているアルキル基やアリール基として
はメチルチオエチル基、エチルチオエチル基、エチルチ
オプロピル基、フェニルチオエチル基、メチルチオフェ
ニル基、ブチルチオフェニル基等が、窒素を介して置換
されているアルキル基やアリール基としてはジメチルア
ミノエチル基、ジエチルアミノエチル基、ジエチルアミ
ノプロピル基、ジメチルアミノフェニル基、ジブチルア
ミノフェニル基等が挙げられる。
The recording layer in the present invention uses a phthalocyanine dye, particularly a phthalocyanine dye having a substituent and soluble in an organic solvent having a metal atom in the center. Examples of the substituent include halogen such as hydrogen, chlorine, bromine and iodine, a substituted or unsubstituted alkyl group, an aryl group, an unsaturated alkyl group, an alkoxyl group, an aryloxy group, an unsaturated alkoxyl group, an alkylthio group, an arylthio group. , Unsaturated alkylthio groups, carboxylic acid ester groups, carboxylic acid amide groups, silyl groups, amino groups and the like. Specific examples of the substituent include a methyl group, an ethyl group, an n-propyl group, an n-butyl group, an isobutyl group, an n-pentyl group, a neopentyl group, an isoamyl group, and 2-methylbutyl as the alkyl group. Group, n-hexyl group, 2-methylpentyl group, 3-methylpentyl group, 4-methylpentyl group, 2-ethylbutyl group, n-heptyl group, 2-
Methylhexyl group, 3-methylhexyl group, 4-methylhexyl group, 5-methylhexyl group, 2-ethylhexyl group, 3-ethylpentyl group, n-octyl group, 2-methylheptyl group, 3-methylheptyl group, 4-methylheptyl group, 5-methylheptyl group, 2-ethylhexyl group, 3-ethylhexyl group, n-nonyl group, n-decyl group, primary alkyl group such as n-dodecyl group, isopropyl group, sec-butyl group, 1-ethylpropyl group, 1-methylbutyl group, 1,2-dimethylpropyl group, 1-methylheptyl group, 1-ethylbutyl group, 1,3-dimethylbutyl group, 1,2-dimethylbutyl group, 1-ethyl- Two
-Methylpropyl group, 1-methylhexyl group, 1-ethylheptyl group, 1-propylbutyl group, 1-isopropyl-2-methylpropyl group, 1-ethyl-2-methylbutyl group, 1-propyl-2-methylpropyl group Group, 1-methylheptyl group, 1-ethylhexyl group, 1-propylpentyl group, 1-isopropylpentyl group, 1-isopropyl-2-methylbutyl group, 1-isopropyl-3-
Methylbutyl group, 1-methyloctyl group, 1-ethylheptyl group, 1-propylhexyl group, 1-isobutyl-
Secondary alkyl groups such as 3-methylbutyl group, tert-butyl group, tert-hexyl group, tert-amino group,
Tertiary alkyl groups such as tert-octyl group, cyclohexyl group, 4-methylcyclohexyl group, 4-ethylcyclohexyl group, 4-tert-butylcyclohexyl group, 4- (2-ethylhexyl) cyclohexyl group, bornyl group, isobornyl group, Cycloalkyl groups such as adamantane group and the like, aryl groups such as phenyl group, ethylphenyl group, butylphenyl group, nonylphenyl group, naphthyl group, butylnaphthyl group, nonylnaphthyl group and the like, and also as unsaturated alkyl group. Is an ethylene group,
Propylene group, butylene group, hexene group, octene group,
Dodecene group, cyclohexene group, butylhexene group and the like can be mentioned. In addition, these alkyl groups, aryl groups,
The unsaturated alkyl group may be substituted with a hydroxyl group, a halogen group, or the like, or may be substituted with the above-mentioned alkyl group or aryl group via an atom such as oxygen, sulfur, or nitrogen.
Examples of the alkyl group or aryl group substituted via oxygen include a methoxymethyl group, a methoxyethyl group, an ethoxymethyl group, an ethoxyethyl group, a butoxyethyl group, an ethoxyethoxyethyl group, a phenoxyethyl group, a methoxypropyl group, and an ethoxy group. A propyl group, a methoxyphenyl group, a butoxyphenyl group, a polyoxyethylene group, a polyoxyethylene group, a polyoxypropylene group, etc. are substituted with an alkyl group or an aryl group through sulfur, such as a methylthioethyl group and an ethylthioethyl group. Group, ethylthiopropyl group, phenylthioethyl group, methylthiophenyl group, butylthiophenyl group, etc., are substituted through nitrogen, such as dimethylaminoethyl group, diethylaminoethyl group, diethylaminopropyl group. The Chill aminophenyl group, dibutyl amino phenyl group.

【0009】一方、フタロシアニン色素の中心金属とし
ては、2価の金属が好ましく、具体的には、Ca、M
g、Zn、Cu、Ni、Pd、Fe、Pb、Co、P
t、Cd、Ru等が挙げられる。また、上記フタロシア
ニン色素は必要に応じて、2種類以上のフタロシアニン
色素を混合して用いてもよく、光吸収剤や燃焼促進剤、
消光剤、紫外線吸収剤、接着剤、樹脂バインダー等の添
加剤を混合あるいは置換基として導入してもよいのであ
る。
On the other hand, the central metal of the phthalocyanine dye is preferably a divalent metal, specifically, Ca or M.
g, Zn, Cu, Ni, Pd, Fe, Pb, Co, P
Examples thereof include t, Cd, Ru and the like. Further, the above phthalocyanine dyes may be used as a mixture of two or more kinds of phthalocyanine dyes, if necessary.
Additives such as a quencher, an ultraviolet absorber, an adhesive and a resin binder may be mixed or introduced as a substituent.

【0010】光吸収剤は、記録光の波長に吸収があり、
フタロシアニン色素膜の感度を高めるためのものであ
り、有機色素が望ましい。例えば、ナフタロシアニン系
色素、ポルフィリン系色素、アゾ系色素、ペンタメチン
シアニン系色素、スクアリリウム系色素、ピリリウム系
色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色素、ナ
フトキノン系色素、アントラキノン系色素、インドフェ
ノール系色素、トリフェニルメタン系色素、キサンテン
系色素、インダンスレン系色素、インジゴ系色素、チオ
インジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジン系色
素、アクリジン系色素、オキサジン系色素などがよく用
いられているが、中でもナフタロシアニン系色素、は吸
収波長領域の面から特に望ましい。これらの色素は、さ
らに複数混合して用いることも可能である。
The light absorber has absorption at the wavelength of recording light,
An organic dye is desirable because it is for increasing the sensitivity of the phthalocyanine dye film. For example, naphthalocyanine dye, porphyrin dye, azo dye, pentamethine cyanine dye, squarylium dye, pyrylium dye, thiopyrylium dye, azurenium dye, naphthoquinone dye, anthraquinone dye, indophenol dye, Triphenylmethane dyes, xanthene dyes, indanthrene dyes, indigo dyes, thioindigo dyes, merocyanine dyes, thiazine dyes, acridine dyes, and oxazine dyes are often used. Phthalocyanine dyes are particularly desirable in terms of the absorption wavelength region. These dyes can be used by mixing a plurality of them.

【0011】燃焼促進剤の例としては、金属系アンチノ
ッキング剤である四エチル鉛、四メチル鉛などの鉛系化
合物やシマントレン(Mn(C55)(CO)3)など
のMn系化合物、また、メタロセン化合物である鉄ビス
シクロペンタジエニル錯体(フェロセン)をはじめ、T
i、V、Mn、Cr、Co、Ni、Mo、Ru、Rh、
Zr、Lu、Ta、W、Os、Ir、Sc、Yなどのビ
スシクロペンタジエニル金属錯体を挙げられる。中でも
フェロセン、ルテノセン、オスモセン、ニッケロセン、
チタノセン及びそれらの誘導体は良好な燃焼促進効果が
ある。鉄系金属化合物としては、メタロセンの他にギ酸
鉄、シュウ酸鉄、ラウリル酸鉄、ナフテン酸鉄、ステア
リン酸鉄、酪酸鉄などの有機酸鉄化合物、アセチルアセ
トナート鉄錯体、フェナントロリン鉄錯体、ビスピリジ
ン鉄錯体、エチレンジアミン鉄錯体、エチレンジアミン
四酢酸鉄錯体、ジエチレントリアミン鉄錯体、ジエチレ
ングリコールジメチルエーテル鉄錯体、ジホスフィノ鉄
錯体、ジメチルグリオキシマート鉄錯体などのキレート
鉄錯体、カルボニル鉄錯体、シアノ鉄錯体、アンミン鉄
錯体などの鉄錯体、塩化第一、第二鉄、臭化第一、第二
鉄などのハロゲン化鉄、あるいは、硝酸鉄、硫酸鉄など
の無機鉄塩類、さらには、酸化鉄などが挙げられる。こ
こで用いる鉄系金属化合物は有機溶剤に可溶で、且つ、
耐湿熱性及び耐光性の良好なものが望ましい。特にアセ
チルアセトナート鉄錯体や鉄カルボニル錯体などは良好
な溶解性が得られるという点で非常に好ましい。上記燃
焼促進剤は、必要に応じて置換基を導入したり、複数混
合したり、バインダー等の添加物質を加えてもよい。こ
れらの色素はスピンコート法やキャスト法等の塗布法や
スパッタ法や化学蒸着法、真空蒸着法等によって基板上
に成膜される。本発明において、ピット部及びグルーブ
部において特定の形状の色素膜を形成するためにはスピ
ンコート法が最も適している。
Examples of the combustion accelerator are lead compounds such as tetraethyl lead and tetramethyl lead which are metal anti-knocking agents, and Mn compounds such as simantrene (Mn (C 5 H 5 ) (CO) 3 ). In addition, iron biscyclopentadienyl complex (ferrocene) which is a metallocene compound, T
i, V, Mn, Cr, Co, Ni, Mo, Ru, Rh,
Examples thereof include biscyclopentadienyl metal complexes such as Zr, Lu, Ta, W, Os, Ir, Sc and Y. Among them, ferrocene, ruthenocene, osmosen, nickelocene,
Titanocene and derivatives thereof have a good combustion promoting effect. As the iron-based metal compound, in addition to metallocene, iron formate, iron oxalate, iron laurate, iron naphthenate, iron stearate, iron butyrate and other organic acid iron compounds, acetylacetonato iron complex, phenanthroline iron complex, bispyridine Iron complex, ethylenediamineiron complex, ethylenediaminetetraacetate iron complex, diethylenetriamineiron complex, diethyleneglycoldimethyletheriron complex, diphosphinoiron complex, dimethylglyoximate iron complex, etc. chelate iron complex, carbonyliron complex, cyanoiron complex, ammineiron complex, etc. Of the above, iron halides such as ferric chloride, ferric chloride, ferrous bromide and ferric iron, inorganic iron salts such as iron nitrate and iron sulfate, and iron oxide. The iron-based metal compound used here is soluble in an organic solvent, and
It is desirable to have good resistance to moist heat and light. In particular, acetylacetonate iron complex, iron carbonyl complex and the like are very preferable in that good solubility can be obtained. The above-mentioned combustion accelerator may be introduced with a substituent, mixed in plural, or added with an additive substance such as a binder, if necessary. These dyes are formed on a substrate by a coating method such as a spin coating method or a casting method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method or the like. In the present invention, a spin coating method is most suitable for forming a dye film having a specific shape in a pit portion and a groove portion.

【0012】スピンコート法においては色素を溶解ある
いは分散させた塗布溶液を用いるが、この際溶媒は基板
にダメージを与えないものを選ばなくてはならない。例
えば、n−ヘキサン、n−オクタン、イソオクタン等の
脂肪族炭化水素系溶媒、シクロヘキサン、メチルシクロ
ヘキサン、エチルシクロヘキサン、プロピルシクロヘキ
サン、ジメチルシクロヘキサン、ジエチルシクロヘキサ
ン等の環状炭化水素系溶媒、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、エチルベンゼン等の芳香族炭化水素系溶媒、クロ
ロホルム、四塩化炭素、ジクロロメタン、2,2,3,
3−テトラフロロ−1−プロパノール等のハロゲン化炭
化水素系溶媒、メタノール、エタノール、1−プロパノ
ール、2−プロパノール、ジアセトンアルコール等のア
ルコール系溶媒、ジオキサン、テトラヒドロフラン、ジ
エチルエーテル、ジブチルエーテル、ジイソプロピルエ
ーテル等のエーテル系溶媒、メチルセロソルブ、エチル
セロソルブ等のセロソルブ系溶媒、アセトン、メチルイ
ソブチルケトン等のケトン系溶媒、酢酸エチル、酢酸メ
チル、酢酸ブチル等のエステル系溶媒などが挙げられ
る。もちろん、これらの有機溶剤は単独でも、あるいは
2種類以上混合して用いてもよい。
In the spin coating method, a coating solution in which a dye is dissolved or dispersed is used. At this time, the solvent must be selected so as not to damage the substrate. For example, n-hexane, n-octane, aliphatic hydrocarbon solvents such as isooctane, cyclohexane, methylcyclohexane, ethylcyclohexane, propylcyclohexane, dimethylcyclohexane, cyclic hydrocarbon solvents such as diethylcyclohexane, benzene, toluene, xylene, Aromatic hydrocarbon solvents such as ethylbenzene, chloroform, carbon tetrachloride, dichloromethane, 2,2,3
Halogenated hydrocarbon solvent such as 3-tetrafluoro-1-propanol, alcohol solvent such as methanol, ethanol, 1-propanol, 2-propanol, diacetone alcohol, dioxane, tetrahydrofuran, diethyl ether, dibutyl ether, diisopropyl ether, etc. Examples of the ether solvent, cellosolve solvent such as methyl cellosolve and ethyl cellosolve, ketone solvent such as acetone and methyl isobutyl ketone, ester solvent such as ethyl acetate, methyl acetate and butyl acetate. Of course, these organic solvents may be used alone or in combination of two or more.

【0013】フタロシアニン系色素膜の形成において
は、上記塗布溶媒の中では、n−オクタン、エチルシク
ロヘキサン、ジメチルシクロヘキサンなど、沸点が12
0〜140℃程度の有機溶媒を単独で用いたり、あるい
はこれらにジオキサンやキシレン、トルエン、プロピル
シクロヘキサンなどを体積比率で0.1〜10%程度混
合した塗布溶剤がよく用いられる。
In forming the phthalocyanine dye film, the boiling point of n-octane, ethylcyclohexane, dimethylcyclohexane, etc. is 12 in the above coating solvent.
An organic solvent of about 0 to 140 ° C. is used alone, or a coating solvent in which dioxane, xylene, toluene, propylcyclohexane, or the like is mixed at a volume ratio of about 0.1 to 10% is often used.

【0014】好ましい塗布条件としては、例えば、温度
24℃±1℃の環境下で最初に低速回転(100〜10
00rpm)で1〜10秒間色素溶液を塗布した後、直
ちに高速回転(2000〜5000rpm)で10〜6
0秒間乾燥すると均一な色素膜が形成できる。また、必
要に応じて記録層は1層だけでなく複数の色素を多層形
成させることもある。
As a preferable coating condition, for example, a low speed rotation (100 to 10) is first performed in an environment of a temperature of 24.degree.
(00 rpm) for 1 to 10 seconds, and immediately thereafter, high speed rotation (2000 to 5000 rpm) applies 10 to 6
A uniform dye film can be formed by drying for 0 seconds. If necessary, the recording layer may be formed not only of one layer but also of a plurality of dyes.

【0015】本発明においては、記録層の上に特定の反
射層を形成する。すなわち、反射層の結晶子サイズを2
50A以上、好ましくは500A以下、好ましくは30
0〜500Aである。なお、結晶子サイズの上限は特に
臨界的なものではないが、反射層形成の生産性を考慮す
ると500A以下で充分効果が得られるのである。反射
層の結晶子サイズがこれより小さい場合、80℃85%
RH耐湿熱性試験において暗欠陥が多数発生して最悪の
場合、再生不能になることがある。
In the present invention, a specific reflective layer is formed on the recording layer. That is, the crystallite size of the reflective layer is 2
50 A or more, preferably 500 A or less, preferably 30
It is 0-500A. The upper limit of the crystallite size is not particularly critical, but considering the productivity of forming the reflective layer, a sufficient effect can be obtained at 500 A or less. If the crystallite size of the reflective layer is smaller than this, 80 ℃ 85%
In the worst case because many dark defects occur in the RH wet heat resistance test, the reproduction may not be possible.

【0016】また、膜厚は700〜1500A、好まし
くは800〜1000Aの範囲内にすることが好まし
い。膜厚が700Aよりあまり薄いと結晶子サイズも小
さくなるとともに反射率が低下するために初期でエラー
が発生し、最悪の場合、再生不能となる。一方、膜厚が
1500Aよりあまり厚いと透湿性が低下することで記
録層が耐湿熱性試験により欠陥が生じ易くなりエラーが
発生し、最悪の場合、再生不能となる恐れがあるだけで
なく、コスト面でも割高となるといった問題が生じる。
The film thickness is preferably in the range of 700 to 1500A, preferably 800 to 1000A. If the film thickness is much less than 700 A, the crystallite size becomes small and the reflectance decreases, so that an error occurs in the initial stage, and in the worst case, the reproduction becomes impossible. On the other hand, if the film thickness is much thicker than 1500 A, the moisture permeability is lowered, so that the recording layer is apt to have a defect due to the moist-heat resistance test, and an error occurs. In terms of aspects, there is a problem that it becomes expensive.

【0017】従来、反射層の膜厚に関しては、いくつか
の提案がされている。例えば、特開平6−150381
では、反射層の膜厚は1500A以下、好ましくは40
0〜1500Aにすること、特開平5−47038によ
れば、反射層の膜厚を400A以上にすること、特開平
4−301494によれば、反射層の膜厚を400〜1
100Aにするといった提案がされているが、これらの
提案に従って光記録媒体を作製し、80℃85%RH耐
湿熱性試験を行ったが、特性が劣化する場合が生じた。
この結果は、耐久性が単なる反射層の膜厚に依るもので
はなく、他の要因が関係していることを示唆しているも
のと考えられる。本発明者らはこの要因を調べた結果、
反射層の結晶子サイズが関係していることを見いだした
のである。ここで本発明における金属反射層の結晶子サ
イズについて説明する。本発明における結晶子サイズは
X線回折法(XRDと略す)により測定される。結晶子
サイズ( Dhkl )は以下のシェラーの式(1)、〔数
1〕に測定データを代入することにより算出される。
Conventionally, several proposals have been made regarding the film thickness of the reflective layer. For example, Japanese Patent Laid-Open No. 6-150381
Then, the film thickness of the reflective layer is 1500 A or less, preferably 40 A or less.
0 to 1500 A, according to JP-A-5-47038, the thickness of the reflective layer is 400 A or more, and according to JP-A-4-301494, the thickness of the reflective layer is 400 to 1
Although proposals of 100 A have been made, optical recording media were produced according to these proposals and subjected to a humidity test at 80 ° C. and 85% RH, but there were cases where the characteristics deteriorated.
It is considered that this result suggests that the durability does not depend only on the thickness of the reflective layer but is related to other factors. As a result of investigating this factor, the present inventors found that
They found that the crystallite size of the reflective layer was related. Here, the crystallite size of the metal reflective layer in the present invention will be described. The crystallite size in the present invention is measured by an X-ray diffraction method (abbreviated as XRD). The crystallite size (D hkl ) is calculated by substituting the measurement data into the Scherrer's formula (1) and [Equation 1] below.

【0018】[0018]

【数1】 Dhkl は結晶子サイズ(A)、Kは定数(通常は0.
9)、λはX線波長(Cu管球の場合、1.54056
A)、βはX線回折ピークの半価幅(NBS標準である
結晶シリコンの試料を用いて、装置による回折ピークの
広がりを補正をした値)、θはブラッグ角(回折ピーク
の角度)である。
[Equation 1] Dhkl is the crystallite size (A), K is a constant (usually 0.
9), λ is the X-ray wavelength (1.54056 for Cu tube)
A) and β are half-widths of X-ray diffraction peaks (values obtained by correcting the spread of diffraction peaks by an apparatus using a crystalline silicon sample that is an NBS standard), and θ is a Bragg angle (angle of diffraction peaks). is there.

【0019】反射層の材料としては、再生光の波長で反
射率の十分高いもの、例えば、Au、Al、Ag、C
u、Ti、Cr、Ni、Pt、Ta、Cr及びPdの金
属を単独あるいは合金にして用いることが可能である。
このなかでもAuやAlは反射率が高く反射層の材料と
して適している。これ以外でも下記のものを含んでいて
もよい。例えば、Mg、Se、Hf、V、Nb、Ru、
W、Mn、Re、Fe、Co、Rh、Ir、Cu、Z
n、Cd、Ga、In、Si、Ge、Te、Pb、P
o、Sn、Biなどの金属及び半金属を挙げることがで
きる。また、Auを主成分としているものは反射率の高
い反射層が容易に得られるため好適である。ここで主成
分というのは含有率が50%以上のものをいう。金属以
外の材料で低屈折率薄膜と高屈折率薄膜を交互に積み重
ねて多層膜を形成し、反射層として用いることも可能で
ある。反射層を形成する方法としては、例えば、スパッ
タリング法、化学蒸着法、真空蒸着法等が挙げられる。
中でもスパッタリング法は、最もよく用いられている手
法である。
The material of the reflective layer has a sufficiently high reflectance at the wavelength of the reproduction light, for example, Au, Al, Ag, C.
Metals of u, Ti, Cr, Ni, Pt, Ta, Cr and Pd can be used alone or as an alloy.
Among them, Au and Al have high reflectivity and are suitable as a material for the reflective layer. In addition, the following may be included. For example, Mg, Se, Hf, V, Nb, Ru,
W, Mn, Re, Fe, Co, Rh, Ir, Cu, Z
n, Cd, Ga, In, Si, Ge, Te, Pb, P
Mention may be made of metals such as o, Sn and Bi and semimetals. Further, those containing Au as a main component are preferable because a reflection layer having high reflectance can be easily obtained. Here, the main component means a component having a content of 50% or more. It is also possible to form a multilayer film by alternately stacking low-refractive-index thin films and high-refractive-index thin films with a material other than a metal, and use it as a reflective layer. Examples of the method of forming the reflective layer include a sputtering method, a chemical vapor deposition method, a vacuum vapor deposition method and the like.
Among them, the sputtering method is the most frequently used technique.

【0020】例えば、図2に示すように、DCマグネト
ロンスパッタリング(バルザース社製スパッタリング装
置 CDI800)により、Au反射膜を成膜する場
合、反射膜のAuの結晶子サイズはスパッタリング電力
とスパッタリングガス圧力に依存し、図のような関係に
ある。即ち、スパッタ電力を2.5kWにした場合、ス
パッタガス圧力は3.0mTorr以上、5.0kWの
場合、スパッタガス圧力を 8.0mTorr以上例え
ば10mTorr以上に設定しないと結晶子サイズが2
50A以上にならないことがわかる。従って、本発明に
おいては、結晶子サイズが250A以上になる斜線領域
でスパッタパワー及びスパッタガス圧力を設定すれば良
いのである。他の装置の場合もほぼ同様な関係が容易に
得られるのである。
For example, as shown in FIG. 2, when an Au reflective film is formed by DC magnetron sputtering (sputtering apparatus CDI800 manufactured by Balzers), the crystallite size of Au in the reflective film depends on the sputtering power and the sputtering gas pressure. It depends on and has a relationship as shown in the figure. That is, when the sputtering power is 2.5 kW, the sputter gas pressure is 3.0 mTorr or higher, and when the sputter gas pressure is 5.0 kW, the crystallite size is 2 unless the sputter gas pressure is set to 8.0 mTorr or higher, for example, 10 mTorr or higher.
It turns out that it will not exceed 50A. Therefore, in the present invention, the sputtering power and the sputtering gas pressure may be set in the shaded area where the crystallite size is 250 A or more. In the case of other devices, a similar relationship can be easily obtained.

【0021】もし反射層の作製条件が斜線領域外にある
と結晶子サイズは250A以下になり、その媒体につい
て80℃85%耐湿熱性試験やZAD冷熱サイクル試験
等の耐久性試験で欠陥が生じ、再生したときにエラーを
発生し、最悪の場合、再生不能になりうる。また、膜厚
については、選択した条件で成膜速度が決まるため、そ
れにより膜厚が700〜1500A、好ましくは900
〜1000Aになるようにスパッタリング時間を設定す
ればよい。反射層の膜厚は、一般的によく用いられてい
る触針式段差計(DEKTAK)で測定する。
If the manufacturing conditions of the reflective layer are outside the shaded area, the crystallite size will be 250 A or less, and defects will occur in the durability test such as 80 ° C. 85% wet heat resistance test and ZAD cold heat cycle test for the medium. When reproduced, an error occurs, and in the worst case, reproduction cannot be performed. Regarding the film thickness, the film forming speed is determined by the selected conditions, and therefore the film thickness is 700 to 1500 A, preferably 900 A.
The sputtering time may be set so as to be about 1000 A. The thickness of the reflective layer is measured by a stylus type step gauge (DEKTAK) which is generally used.

【0022】例えば、スパッタ電力2.5kW、スパッ
タガス圧力10.0mTorrの場合、成膜速度は15
0A/秒であるので、膜厚900Aにするためにはスパ
ッタ時間を6秒に設定すれば良い。膜厚が700A未満
であると膜厚が薄すぎて、反射率が低くなってしまい、
再生したときにエラーを発生し、最悪の場合、再生不能
になる恐れがある。一方、膜厚が1500Aよりあまり
厚くなると反射膜の透湿性が低下し、耐久性試験でブリ
スター等の欠陥が生じ易くなりエラーを発生する恐れが
あるばかりか、反射層のコストの面でも良くない。
For example, when the sputtering power is 2.5 kW and the sputtering gas pressure is 10.0 mTorr, the film forming rate is 15.
Since it is 0 A / second, the sputtering time may be set to 6 seconds in order to obtain the film thickness of 900 A. If the film thickness is less than 700 A, the film thickness becomes too thin and the reflectance becomes low.
An error may occur during playback, and in the worst case, playback may become impossible. On the other hand, if the film thickness is much thicker than 1500 A, the moisture permeability of the reflective film is reduced, and defects such as blister are likely to occur in the durability test, which may cause an error, and the cost of the reflective layer is not good. .

【0023】従って、生産性を考慮すると成膜速度はで
きるだけ速い条件に設定し、スパッタリング時間をでき
るだけ短くするのが望ましい。同じ膜厚の反射層を作製
する場合、スパッタリング電力が低いほど、スパッタリ
ングガス圧力が高いほど、成膜速度が遅くなりスパッタ
リング時間が長くなる傾向にある。従って、反射膜の結
晶子サイズを大きくし過ぎるとスパッタリング時間が長
くかかってしまうため、特性は良好であるが、製造上効
率が良くない。また、反射率を高めるためや密着性をよ
くするために記録層と反射層の間に反射増幅層や接着層
などの中間層を設けることもできる。
Therefore, in view of productivity, it is desirable to set the film forming rate to the highest possible condition and to shorten the sputtering time as much as possible. When producing a reflective layer having the same film thickness, the lower the sputtering power and the higher the sputtering gas pressure, the slower the deposition rate and the longer the sputtering time. Therefore, if the crystallite size of the reflection film is too large, the sputtering time will be long, and the characteristics will be good, but the efficiency will not be good in manufacturing. Further, an intermediate layer such as a reflection amplification layer or an adhesive layer may be provided between the recording layer and the reflective layer in order to increase the reflectance and improve the adhesion.

【0024】中間層に用いられる材料としては再生光の
波長で屈折率が大きいものが望ましい。例えば無機材料
としては、Si3 4 、AlN、ZnS、ZnSとSi
2の混合物、SiO2 、TiO2 、CeO2 、Al2
3 、V2 5 、ZnSe、Sb2 3 などがあり、こ
れらの材料を単独であるいは複数混合して用いてもよ
い。一方、有機材料としては、シアニン系色素、フタロ
シアニン系色素、ナフタロシアニン系色素、ポルフィリ
ン系色素、アゾ系色素、スクアリリウム系色素、ピリリ
ウム系色素、チオピリリウム系色素、アズレニウム系色
素、ナフトキノン系色素、アントラキノン系色素、イン
ドフェノール系色素、トリフェニルメタン系色素、キサ
ンテン系色素、インダンスレン系色素、インジゴ系色
素、チオインジゴ系色素、メロシアニン系色素、チアジ
ン系色素、アクリジン系色素、オキサジン系色素などの
色素やポリスチレン、ポリ酢酸ビニル、ポリカーボネー
ト、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリアクリル酸エ
ステル、ポリメタクリル酸エステル、スチレンーアクリ
ロニトリル共重合体、ポリビニルアルコール、ポリビニ
ルアセタール、ポリビニルブチラール、ポリビニルホル
マール、ポリビニルピロリドン、ポリパラヒドロキシス
チレンなどの高分子化合物が挙げられる。
The material used for the intermediate layer is preferably one having a large refractive index at the wavelength of the reproduction light. For example, inorganic materials include Si 3 N 4 , AlN, ZnS, ZnS and Si.
O 2 mixture, SiO 2 , TiO 2 , CeO 2 , Al 2
There are O 3 , V 2 O 5 , ZnSe, Sb 2 S 3 and the like, and these materials may be used alone or in combination of two or more. On the other hand, as the organic material, cyanine dyes, phthalocyanine dyes, naphthalocyanine dyes, porphyrin dyes, azo dyes, squarylium dyes, pyrylium dyes, thiopyrylium dyes, azurenium dyes, naphthoquinone dyes, anthraquinone dyes Dyes, indophenol dyes, triphenylmethane dyes, xanthene dyes, indanthrene dyes, indigo dyes, thioindigo dyes, merocyanine dyes, thiazine dyes, acridine dyes, oxazine dyes, etc. Polystyrene, polyvinyl acetate, polycarbonate, polyethylene, polypropylene, polyacrylic acid ester, polymethacrylic acid ester, styrene-acrylonitrile copolymer, polyvinyl alcohol, polyvinyl acetal, polyvinyl chloride Butyral, polyvinyl formal, polyvinyl pyrrolidone, high molecular compounds such as poly-para-hydroxy styrene.

【0025】さらに、反射層の上に保護層を形成させる
こともできる。保護層の材料としては反射層を外力から
保護するものであれば特に限定しない。有機物質として
は、熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂、UV硬化性樹脂等を
挙げることができる。UV硬化性樹脂が好ましい。又、
無機物質としては、SiO2 、SiN4 、MgF2 、S
nO2 等が挙げられる。熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂な
どは適当な溶剤に溶解して塗布液を塗布し、乾燥するこ
とによって形成することができる。UV硬化性樹脂は、
そのまま、もしくは適当な溶剤に溶解して塗布液を調製
した後にこの塗布液を塗布し、UV光を照射して硬化さ
せることによって、形成することができる。UV硬化性
樹脂としては、例えば、ウレタンアクリレート、エポキ
シアクリレート、ポリエステルアクリレートなどのアク
リレート樹脂を用いることができる。これらの材料は単
独であるいは混合して用いても良いし、1層だけでなく
多層膜にして用いてもいっこうに差し支えない。保護層
の形成の方法としては、記録層と同様にスピンコート法
やキャスト法などの塗布法やスパッタ法や化学蒸着法等
の方法が用いられるが、このなかでもスピンコート法が
好ましい。
Further, a protective layer may be formed on the reflective layer. The material of the protective layer is not particularly limited as long as it protects the reflective layer from external force. Examples of the organic substance include a thermoplastic resin, a thermosetting resin, and a UV curable resin. UV curable resins are preferred. or,
Inorganic substances include SiO 2 , SiN 4 , MgF 2 , S
nO 2 and the like can be mentioned. A thermoplastic resin, a thermosetting resin, or the like can be formed by dissolving in an appropriate solvent, applying a coating solution, and drying. UV curable resin is
It can be formed as it is or by dissolving it in a suitable solvent to prepare a coating solution, applying the coating solution, and irradiating with UV light to cure the coating solution. As the UV curable resin, for example, an acrylate resin such as urethane acrylate, epoxy acrylate, polyester acrylate can be used. These materials may be used alone or as a mixture, or may be used not only as a single layer but also as a multilayer film. As a method of forming the protective layer, a coating method such as a spin coating method or a casting method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, or the like is used as in the recording layer, and among them, the spin coating method is preferable.

【0026】[0026]

【作用】本発明の光記録媒体は、本発明で規定する程度
に結晶性の高いAu反射層を有している。本発明によれ
ば、Au反射層の膜厚と結晶子サイズを特定の範囲に制
御することにより、耐久性や記録・再生特性の良好な光
記録媒体が実現される。そして、本発明は、追記あるい
は記録可能なCDだけでなく、再生専用のCDに関して
も適用される。即ち、予め情報がピット等の形により記
録されている基板上に形成されたAu反射層の結晶子サ
イズを250A以上、膜厚を700〜1500Aの範囲
内にすることにより上記欠陥の発生を抑え、良好な耐久
性を得ることが可能である。以下、実施例により本発明
の実施の態様の一例を説明する。
The optical recording medium of the present invention has an Au reflective layer having a high crystallinity as defined in the present invention. According to the present invention, by controlling the film thickness and the crystallite size of the Au reflective layer within a specific range, an optical recording medium having excellent durability and recording / reproducing characteristics can be realized. The present invention is applicable not only to a recordable or recordable CD but also to a read-only CD. That is, the occurrence of the above defects is suppressed by setting the crystallite size of the Au reflective layer formed on the substrate in which the information is recorded in advance in the form of pits or the like to 250 A or more and the film thickness within the range of 700 to 1500 A. It is possible to obtain good durability. Hereinafter, an example of an embodiment of the present invention will be described with reference to examples.

【0027】[0027]

【実施例】【Example】

〔実施例1〕式(1)、〔化1〕に示されるフタロシア
ニン色素0.25gをエチルシクロヘキサンに3%o−
キシレンを添加した塗布溶媒10mlに溶解し、色素溶
液を調製した。基板は、ポリカーボネート樹脂製で連続
した案内溝を有する直径120mmφ、厚さ1.2mm
の円盤状のものを用いた。この基板上に色素溶液を回転
数1500rpmでスピンコートし、70℃2時間乾燥
して、記録層を形成した。
Example 1 0.25 g of the phthalocyanine dye represented by the formula (1) and [Chemical formula 1] was added to ethylcyclohexane at 3% o-.
A dye solution was prepared by dissolving in 10 ml of a coating solvent containing xylene. The substrate is made of polycarbonate resin and has a continuous guide groove with a diameter of 120 mmφ and a thickness of 1.2 mm.
The disk-shaped one was used. A dye solution was spin-coated on this substrate at a rotation speed of 1500 rpm and dried at 70 ° C. for 2 hours to form a recording layer.

【0028】[0028]

【化1】 この記録層の上にバルザース社製スパッタ装置(CDI
−800)を用いてDCマグネトロンスパッタリング法
により厚さ900AのAu反射層を形成した。このと
き、スパッタガスにはアルゴンガスを用いた。スパッタ
条件は、スパッタ電力2.5kW、スパッタガス圧5.
0mTorr、スパッタ時間は4.0秒に設定して行っ
た。
Embedded image A Balzers sputtering device (CDI
-800) was used to form an Au reflective layer having a thickness of 900 A by a DC magnetron sputtering method. At this time, argon gas was used as the sputtering gas. Sputtering conditions are sputtering power of 2.5 kW and sputtering gas pressure of 5.
The setting was 0 mTorr and the sputtering time was 4.0 seconds.

【0029】さらに反射層の上に紫外線硬化樹脂SD−
17(大日本インキ化学工業製)をスピンコートした
後、紫外線照射して厚さ6μmの保護層を形成した。こ
のときの反射層の結晶子サイズをXRD測定装置(理学
電機(株)製RINT)を用いて測定した結果、270
Aであった。
Further, an ultraviolet curable resin SD-
17 (manufactured by Dainippon Ink and Chemicals, Inc.) was spin-coated, and then irradiated with ultraviolet rays to form a protective layer having a thickness of 6 μm. The crystallite size of the reflective layer at this time was measured using an XRD measuring device (RINT manufactured by Rigaku Denki Co., Ltd.), and the result was 270
A.

【0030】こうして作製したサンプルを市販のCDラ
イター(フィリップス社製CDD521)を用いて、E
FM信号を記録した。記録後、パルステック工業製光デ
ィスク評価装置DDU−1000及びKENWOOD製
CDデコーダー(DR−3553)を用いて、エラー率
を測定した。このサンプルをプログラム恒温恒湿器(E
TAC製HIFLEX−FX2200)を用いて、80
℃85%RH耐湿熱性試験を行い、200、500、1
000、1500、2000時間経過後のエラー率を測
定した。
Using a commercially available CD writer (CDD521 manufactured by Philips), the sample thus produced was E
The FM signal was recorded. After recording, the error rate was measured using an optical disk evaluation device DDU-1000 manufactured by Pulstec Industrial Co., Ltd. and a CD decoder (DR-3553) manufactured by KENWOOD. This sample is programmed with a constant temperature and humidity chamber (E
TAC HIFLEX-FX2200)
℃ 85% RH humidity and heat resistance test, 200, 500, 1
The error rate was measured after 000, 1500 and 2000 hours.

【0031】〔実施例2〕実施例1において、スパッタ
電力1.5kW、スパッタガス圧5.0mTorr、ス
パッタ時間は6.9秒以外は同様にして媒体を作製し
た。このときの反射層の膜厚は1000Aで、結晶子サ
イズは290Aであった。実施例1と同様にして市販の
CDライターを用いてEFM信号を記録し、エラー率を
測定した。また、実施例1と同様にして80℃85%R
H耐湿熱性試験を行った。
Example 2 A medium was prepared in the same manner as in Example 1 except that the sputtering power was 1.5 kW, the sputtering gas pressure was 5.0 mTorr, and the sputtering time was 6.9 seconds. At this time, the reflective layer had a film thickness of 1000 A and a crystallite size of 290 A. An EFM signal was recorded using a commercially available CD writer in the same manner as in Example 1, and the error rate was measured. Further, in the same manner as in Example 1, 80 ° C. and 85% R
An H wet heat resistance test was performed.

【0032】〔実施例3〕実施例1において、スパッタ
電力2.5kW、スパッタガス圧20.0mTorr、
スパッタ時間は4.3秒以外は同様にして媒体を作製し
た。このときの反射層の膜厚は1000Aで、結晶子サ
イズは350Aであった。実施例1と同様にして市販の
CDライターを用いてEFM信号を記録し、エラー率を
測定した。また、実施例1と同様にして80℃85%R
H耐湿熱性試験を行った。
[Example 3] In Example 1, the sputtering power was 2.5 kW, the sputtering gas pressure was 20.0 mTorr,
A medium was prepared in the same manner except that the sputtering time was 4.3 seconds. At this time, the reflective layer had a film thickness of 1000 A and a crystallite size of 350 A. An EFM signal was recorded using a commercially available CD writer in the same manner as in Example 1, and the error rate was measured. Further, in the same manner as in Example 1, 80 ° C. and 85% R
An H wet heat resistance test was performed.

【0033】〔実施例4〕実施例1において、スパッタ
電力1.5kW、スパッタガス圧20.0mTorr、
スパッタ時間は7.2秒以外は同様にして媒体を作製し
た。このときの反射層の膜厚は1100Aで、結晶子サ
イズは380Aであった。実施例1と同様にして市販の
CDライターを用いてEFM信号を記録し、エラー率を
測定した。また、実施例1と同様にして80℃85%R
H耐湿熱性試験を行った。
Example 4 In Example 1, the sputtering power was 1.5 kW, the sputtering gas pressure was 20.0 mTorr,
A medium was prepared in the same manner except that the sputtering time was 7.2 seconds. At this time, the reflective layer had a film thickness of 1100A and a crystallite size of 380A. An EFM signal was recorded using a commercially available CD writer in the same manner as in Example 1, and the error rate was measured. Further, in the same manner as in Example 1, 80 ° C. and 85% R
An H wet heat resistance test was performed.

【0034】〔実施例5〕実施例1において、スパッタ
電力5.0kW、スパッタガス圧20.0mTorr、
スパッタ時間は3.2秒以外は同様にして媒体を作製し
た。このときの反射層の膜厚は900Aで、結晶子サイ
ズは300Aであった。実施例1と同様にして市販のC
Dライターを用いてEFM信号を記録し、エラー率を測
定した。また、実施例1と同様にして80℃85%RH
耐湿熱性試験を行った。
[Example 5] In Example 1, the sputtering power was 5.0 kW, the sputtering gas pressure was 20.0 mTorr,
A medium was prepared in the same manner except that the sputtering time was 3.2 seconds. At this time, the thickness of the reflective layer was 900 A and the crystallite size was 300 A. Commercially available C as in Example 1
The EFM signal was recorded using a D writer, and the error rate was measured. Also, in the same manner as in Example 1, 80 ° C. 85% RH
A moist heat resistance test was conducted.

【0035】〔実施例6〕実施例1において、スパッタ
電力5.0kW、スパッタガス圧10.0mTorr、
スパッタ時間は3.1秒以外は同様にして媒体を作製し
た。このときの反射層の膜厚は900Aで、結晶子サイ
ズは290Aであった。実施例1と同様にして市販のC
Dライターを用いてEFM信号を記録し、エラー率を測
定した。また、実施例1と同様にして80℃85%RH
耐湿熱性試験を行った。
[Sixth Embodiment] In the first embodiment, the sputtering power is 5.0 kW, the sputtering gas pressure is 10.0 mTorr,
A medium was prepared in the same manner except that the sputtering time was 3.1 seconds. At this time, the reflective layer had a film thickness of 900 A and a crystallite size of 290 A. Commercially available C as in Example 1
The EFM signal was recorded using a D writer, and the error rate was measured. Also, in the same manner as in Example 1, 80 ° C. 85% RH
A moist heat resistance test was conducted.

【0036】〔比較例1〕実施例1において、スパッタ
電力2.5kW、アルゴンガス圧2.0mTorr、ス
パッタ時間4.1secにしたこと以外は同様にして光
記録媒体を作製した。このときの反射層の膜厚は900
Aで、結晶子サイズは230Aであった。実施例1と同
様にして市販のCDライターを用いてEFM信号を記録
し、エラー率を測定した。また、実施例1と同様にして
80℃85%RH耐湿熱性試験を行った。
Comparative Example 1 An optical recording medium was prepared in the same manner as in Example 1, except that the sputtering power was 2.5 kW, the argon gas pressure was 2.0 mTorr, and the sputtering time was 4.1 sec. At this time, the thickness of the reflective layer is 900
A, the crystallite size was 230A. An EFM signal was recorded using a commercially available CD writer in the same manner as in Example 1, and the error rate was measured. Further, a humidity and heat resistance test at 80 ° C. and 85% RH was performed in the same manner as in Example 1.

【0037】〔比較例2〕実施例1において、スパッタ
電力1.5kW、アルゴンガス圧2.0mTorr、ス
パッタ時間6.7secにしたこと以外は同様にして光
記録媒体を作製した。このときの反射層の膜厚は100
0Aで、結晶子サイズは230Aであった。実施例1と
同様にして市販のCDライターを用いてEFM信号を記
録し、エラー率を測定した。また、実施例1と同様にし
て80℃85%RH耐湿熱性試験を行った。
Comparative Example 2 An optical recording medium was prepared in the same manner as in Example 1, except that the sputtering power was 1.5 kW, the argon gas pressure was 2.0 mTorr, and the sputtering time was 6.7 sec. At this time, the thickness of the reflective layer is 100.
At 0A, the crystallite size was 230A. An EFM signal was recorded using a commercially available CD writer in the same manner as in Example 1, and the error rate was measured. Further, a humidity and heat resistance test at 80 ° C. and 85% RH was performed in the same manner as in Example 1.

【0038】〔比較例3〕実施例1において、スパッタ
電力5.0kW、アルゴンガス圧2.0mTorr、ス
パッタ時間2.9secにしたこと以外は同様にして光
記録媒体を作製した。このときの反射層の膜厚は900
Aで、結晶子サイズは230Aであった。実施例1と同
様にして市販のCDライターを用いてEFM信号を記録
し、エラー率を測定した。また、実施例1と同様にして
80℃85%RH耐湿熱性試験を行った。
Comparative Example 3 An optical recording medium was prepared in the same manner as in Example 1, except that the sputtering power was 5.0 kW, the argon gas pressure was 2.0 mTorr, and the sputtering time was 2.9 sec. At this time, the thickness of the reflective layer is 900
A, the crystallite size was 230A. An EFM signal was recorded using a commercially available CD writer in the same manner as in Example 1, and the error rate was measured. Further, a humidity and heat resistance test at 80 ° C. and 85% RH was performed in the same manner as in Example 1.

【0039】〔比較例4〕実施例1において、スパッタ
電力5.0kW、アルゴンガス圧5.0mTorr、ス
パッタ時間3.0secにしたこと以外は同様にして光
記録媒体を作製した。このときの反射層の膜厚は900
Aで、結晶子サイズは230Aであった。実施例1と同
様にして市販のCDライターを用いてEFM信号を記録
し、エラー率を測定した。また、実施例1と同様にして
80℃85%RH耐湿熱性試験を行った。
Comparative Example 4 An optical recording medium was prepared in the same manner as in Example 1, except that the sputtering power was 5.0 kW, the argon gas pressure was 5.0 mTorr, and the sputtering time was 3.0 sec. At this time, the thickness of the reflective layer is 900
A, the crystallite size was 230A. An EFM signal was recorded using a commercially available CD writer in the same manner as in Example 1, and the error rate was measured. Further, a humidity and heat resistance test at 80 ° C. and 85% RH was performed in the same manner as in Example 1.

【0040】〔比較例5〕実施例1において、スパッタ
電力2.5kW、アルゴンガス圧5.0mTorr、ス
パッタ時間2.2secにしたこと以外は同様にして光
記録媒体を作製した。このときの反射層の膜厚は500
Aで、結晶子サイズは270Aであった。実施例1と同
様にして市販のCDライターを用いてEFM信号を記録
し、エラー率を測定した。また、実施例1と同様にして
80℃85%RH耐湿熱性試験を行った。
Comparative Example 5 An optical recording medium was prepared in the same manner as in Example 1, except that the sputtering power was 2.5 kW, the argon gas pressure was 5.0 mTorr, and the sputtering time was 2.2 sec. At this time, the thickness of the reflective layer is 500
A, the crystallite size was 270A. An EFM signal was recorded using a commercially available CD writer in the same manner as in Example 1, and the error rate was measured. Further, a humidity and heat resistance test at 80 ° C. and 85% RH was performed in the same manner as in Example 1.

【0041】〔比較例6〕実施例1において、スパッタ
電力2.5kW、アルゴンガス圧5.0mTorr、ス
パッタ時間8.1secにしたこと以外は同様にして光
記録媒体を作製した。このときの反射層の膜厚は200
0Aで、結晶子サイズは270Aであった。実施例1と
同様にして市販のCDライターを用いてEFM信号を記
録し、エラー率を測定した。また、実施例1と同様にし
て80℃85%RH耐湿熱性試験を行った。以上、実施
例、比較例の結果を表1に示す。
Comparative Example 6 An optical recording medium was prepared in the same manner as in Example 1, except that the sputtering power was 2.5 kW, the argon gas pressure was 5.0 mTorr, and the sputtering time was 8.1 sec. At this time, the thickness of the reflective layer is 200
At 0A, the crystallite size was 270A. An EFM signal was recorded using a commercially available CD writer in the same manner as in Example 1, and the error rate was measured. Further, a humidity and heat resistance test at 80 ° C. and 85% RH was performed in the same manner as in Example 1. The results of Examples and Comparative Examples are shown in Table 1 above.

【0042】[0042]

【表1】 [Table 1]

【0043】[0043]

【発明の効果】本発明によれば、反射層の結晶子サイズ
を250A以上、膜厚を700〜1500Aにすること
により、良好な耐久性を有する光記録媒体を提供するこ
とが可能となる。
According to the present invention, by setting the crystallite size of the reflective layer to 250 A or more and the film thickness to 700 to 1500 A, it becomes possible to provide an optical recording medium having good durability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】光記録媒体の層構成を示す断面図FIG. 1 is a sectional view showing a layer configuration of an optical recording medium.

【図2】スパッタ条件(スパッタ電力及びスパッタ圧
力)とAu反射膜の結晶子サイズの関係を示すグラフ
FIG. 2 is a graph showing the relationship between the sputtering conditions (sputtering power and sputtering pressure) and the crystallite size of the Au reflective film.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 基板 2 記録層 3 反射層 4 保護層 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Substrate 2 Recording layer 3 Reflective layer 4 Protective layer

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 広瀬 純夫 神奈川県横浜市栄区笠間町1190番地 三井 東圧化学株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Sumio Hirose 1190 Kasama-cho, Sakae-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に少なくとも記録層及び金属反射
層が形成されている光記録媒体において、該金属反射層
の結晶子サイズが250A以上、膜厚が700〜150
0Aであることを特徴とする光記録媒体。
1. An optical recording medium having at least a recording layer and a metal reflective layer formed on a substrate, wherein the metal reflective layer has a crystallite size of 250 A or more and a film thickness of 700 to 150.
An optical recording medium characterized by 0A.
【請求項2】 反射層がAuを主成分とする金属よりな
る請求項1記載の光記録媒体。
2. The optical recording medium according to claim 1, wherein the reflective layer is made of a metal containing Au as a main component.
【請求項3】 記録層がフタロシアニン系色素よりなる
請求項1または請求項2記載の光記録媒体。
3. The optical recording medium according to claim 1, wherein the recording layer comprises a phthalocyanine dye.
【請求項4】 基板上に記録層、反射層及び保護層の順
に設けられた請求項1〜3の何れかに記載の光記録媒
体。
4. The optical recording medium according to claim 1, wherein a recording layer, a reflective layer and a protective layer are provided in this order on a substrate.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1280142A1 (en) * 2001-06-26 2003-01-29 Ricoh Company, Ltd. Optical information recording medium
US6677104B2 (en) 2000-02-10 2004-01-13 Tdk Corporation Optical information medium

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