JPH0962454A - バッファリング装置 - Google Patents

バッファリング装置

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JPH0962454A
JPH0962454A JP21758995A JP21758995A JPH0962454A JP H0962454 A JPH0962454 A JP H0962454A JP 21758995 A JP21758995 A JP 21758995A JP 21758995 A JP21758995 A JP 21758995A JP H0962454 A JPH0962454 A JP H0962454A
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JP
Japan
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data
error correction
buffer
processing means
dram
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JP21758995A
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Kenichi Muramatsu
賢一 村松
Yoshihiro Chiba
宣裕 千葉
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】DRAMを用いたバッファリング装置において
は、転送速度が速くなると適切にデータの転送が行えな
くなる。 【解決手段】MOディスク30などの記録再生装置や伝
送装置には、データを一時的に記憶するバッファ12と
エラー訂正処理回路(ECC回路)14を有するバッフ
ァリング装置10が、通常設けられる。そこで、ECC
回路14においてエラー訂正処理中であって、ECC回
路14とバッファ12のデータ転送が一時的に停止して
いる期間に、バッファ12内のDRAMのリフレッシュ
を行う。これにより、リフレッシュサイクルを実質的に
無視してデータ転送のシーケンスを設計することがで
き、高速なデータ転送が可能になる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、たとえばデータ記
録再生装置などに設けられ、装置間のデータ転送を制御
するバッファリング装置に関する。
【0002】
【従来の技術】複数の装置間でデータの転送を行う際に
は、通常、各装置のデータ転送速度の違いなどを調整す
るバッファや、適切にデータ転送を行うためのエラー訂
正手段などが、そのインターフェイス部に設けられる。
【0003】そのようなバッファリング手段について図
4および図5を参照して説明する。図4に示すデータ記
録再生装置1bは、計算機装置などの外部記録装置とし
て用いられるデータ記録再生装置であって、MOディス
ク30にデータを記録し、上位の装置とはSCSIイン
ターフェイス11を介してデータの転送を行う装置であ
る。データ記録再生装置1bにおいては、データ記録時
には、SCSII/F11を介して入力されたデータが
バッファ12に一時的に格納される。そしてECC回路
14により順次読み出されエラー訂正符号が付与され、
RF回路20によりRF信号に変換され、MOディスク
30の記録される。また、データ再生時には、MOディ
スク30に記録されたデータがRF回路20により順次
読み出され、ECC回路14においてエラー訂正が行わ
れ、バッファ12に一時的に記憶される。そして、SC
SII/F11により順次読み出され、外部に出力され
る。
【0004】ところで、実際にデータを記憶するバッフ
ァ12は、汎用的なメモリであるDRAM(記憶保持動
作の必要なランダムアクセスメモリ)で構成されるのが
普通であり、そのデータのリード/ライトおよびリフレ
ッシュ動作は、バッファコントローラ13bにより制御
される。その制御方法は、図5に示すように、所定のク
ロックに基づいて一定時間ずつの動作期間(以後、タイ
ムスロットと言う)を設定し、このタイムスロットを単
位としてバッファ12の動作を制御する方法が用いられ
る。
【0005】図5に示す例においては、第2のクロック
CLK2の周期が1つのタイムスロットとされ、4つの
タイムスロットにSCSII/F11とデータ転送を行
う期間が2回、ECC回路14とデータ転送を行う期間
が1回、リフレッシュを行う期間が1回設定され、これ
を周期として、すなわち、第1のクロックCLK1の周
期でこの動作が繰り返される。なお、このタイムスロッ
トの割り当ては、SCSII/F11によるデータ転送
の転送レートとECC回路14によるデータ転送の転送
レートの関係、および、要求されるリフレッシュ間隔に
より決定される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかし、前述したよう
な構成のバッファリング手段においては、データ転送速
度が高速になると、適切にデータの転送が行えないとい
う問題があった。たとえば、図4および図5に示した装
置において、SCSII/F11を介したデータ転送の
転送速度として5MHz、バッファ12とECC回路14
の間のデータ転送速度として2.5MHzが要求された場
合、第1のクロックCLK1が2.5MHz、第2のクロ
ックCLK2が10MHzとして、図5に示すようにバッ
ファ12を制御すれば、前記要求を満たすことができ
る。しかし、汎用品として安価に普及しているDRAM
は、アクセスタイム80nsec、サイクルタイム150ns
ec程度のものが多く、速くてもアクセスタイム70nsec
〜60nsec、サイクルタイム120nsec〜110nsecと
いう動作速度である。したがって、図5に示すように、
サイクルタイム100nsecで動作させることはできな
い。
【0007】さらに、仮にサイクルタイム100nsecで
動作可能なDRAMが普及したとしても、データ転送を
より高速に行いたいという要望は強く、その時点におい
てはさらに高速なDRAMが要求されていることは容易
に予想される。また、高速にアクセス可能な特殊用途向
けのDRAMや、SRAM(記憶保持動作が不要なラン
ダムアクセスメモリ)などを用いてバッファを構成する
方法も考えられるが、そのようなメモリは価格が高い上
に集積率が劣るため、バッファリング手段自体が高価に
なり大型化するという問題が生じる。
【0008】したがって、本発明の目的は、汎用的なD
RAMを用いて、より高速にデータの転送ができるバッ
ファリング装置を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】このようなバッファリン
グ装置においては、データの転送を行う際に必然的にエ
ラー訂正を行っており、さらに、そのエラー訂正の処理
中はメモリのアクセスが行われないことに着目し、その
エラー訂正処理の際に、メモリに対してはリフレッシュ
動作を行い、見かけ上リフレッシュ動作のためのタイム
スロットを不要にした。
【0010】したがって、本発明のバッファリング装置
は、たとえばデータ記録装置やデータ伝送装置などの第
1のデータ処理手段との間で転送されるデータに対して
エラー訂正処理を行うエラー訂正処理手段と、たとえば
計算機装置などの第2のデータ処理手段との間のデータ
の転送を制御するインターフェイス手段と、前記エラー
訂正処理手段と前記インターフェイス手段の間に設けら
れ、前記手段の間を転送されるデータをDRAMに一時
的に格納するバッファ手段と、前記バッファ手段へのデ
ータの入出力を制御し、さらに、バッファ手段が第1の
データ処理手段とデータ転送を行うように確保された期
間であって、エラー訂正処理手段においてエラー訂正処
理が行われているためにデータ転送が行われていない期
間に、前記DRAMのリフレッシュを行うバッファ制御
手段とを有する。
【0011】好適には、前記バッファ制御手段は、イン
ターフェイス手段およびエラー訂正処理手段各々がバッ
ファ手段とデータの転送を行う期間を周期的に割り当
て、その期間内にそれらの手段とバッファ手段が各々デ
ータの転送を行うように制御し、さらに、その期間の中
のエラー訂正処理手段がバッファ手段とデータの転送を
行う期間であって、エラー訂正処理手段がエラー訂正処
理を行いデータの転送を実質的に行わない期間に、DR
AMのリフレッシュを行うように制御する。
【0012】この構成において、第1のデータ処理手段
からインターフェイス手段を介して入力されたデータ
は、バッファ手段に一時格納され、エラー訂正処理手段
に順次読み出され、エラー訂正符号が付与され、第2の
データ処理手段に転送される。また、第2のデータ処理
手段から入力されたデータは、エラー訂正処理手段にお
いてエラーチェックが行われ、バッファ手段に一時格納
され、インターフェイス手段を介して第1のデータ処理
手段に転送される。そして、前記エラー訂正処理手段に
おいてエラー訂正符号の付与、あるいは、エラーチェッ
クが行われている期間に、バッファ制御手段はバッファ
手段内のDRAMのリフレッシュを行う。
【0013】
【発明の実施の形態】本発明のバッファリング装置の一
実施の形態について図1〜図3を参照して説明する。な
お本実施の形態としては、本発明のバッファリング装置
を適用したデータ記録再生装置を例示して説明する。そ
のデータ記録再生装置は、計算機装置などの外部記録装
置として用いられる光磁気ディスク(MOディスク)に
データを記録する記録再生装置である。図1は、そのデ
ータ記録再生装置の構成を示すブロック図である。デー
タ記録再生装置1は、本発明に係わるバッファリング装
置10、RF回路20およびMOディスク30を有す
る。
【0014】まず、データ記録再生装置1の各部の構成
について説明する。バッファリング装置10は、記録媒
体であるMOディスク30と、図示せぬ上位の計算機装
置などの間のデータ転送を行うバッファ手段であり、S
CSII/F11、バッファ12、バッファコントロー
ラ13およびECC回路14を有する。SCSII/F
11は、その上位の計算機装置とバッファ12に記憶さ
れているデータの転送を行うインターフェイスである。
本実施の形態においては、32ビットのバス幅で5MHz
でデータ転送を行う。
【0015】バッファ12およびバッファコントローラ
13の構成について、図2をさらに参照して説明する。
バッファ12は、転送データを一時的に記憶する記憶手
段であり、DRAM121およびデータセレクタ122
を有する。DRAM121は、そのデータを実際に記憶
するメモリであり、2個のDRAM121a,121b
により構成される。これらのDRAM121a,121
bは、アクセスタイム60nsec、サイクルタイム110
nsecで、1M×16bit 構成の16Mbit DRAMであ
る。このDRAM121のデータ入出力ラインは、デー
タセレクタ122に接続され、アドレス入力としてはバ
ッファコントローラ13のアドレスセレクタ134で選
択されたアドレスが入力される。また、その動作は、バ
ッファコントローラ13のリード・ライトコントローラ
135により制御される。
【0016】データセレクタ122は、DRAM121
に入出力されるデータを、SCSII/F11およびE
CC回路14のいずれに出入力させるかを選択する。す
なわち、データセレクタ122は、MOディスク30に
データが書き込まれる時には、SCSII/F11から
入力されるデータをDRAM121に記憶し、DRAM
121から読み出されたデータはECC回路14に出力
するように動作する。また、MOディスク30に記録さ
れているデータが読み出される時には、ECC回路14
から入力されたデータをDRAM121に記憶し、DR
AM121から読み出されたデータはSCSII/F1
1に出力するように動作する。
【0017】バッファコントローラ13は、所望のデー
タ転送を行うようにバッファ12を制御する手段であ
る。そのバッファコントローラ13は、図2に示すよう
に、SCSIアドレスカウンタ131、ECCアドレス
カウンタ132、リフレッシュアドレスカウンタ13
3、アドレスセレクタ134および、リード・ライトコ
ントローラ135を有する。
【0018】SCSIアドレスカウンタ131は、SC
SII/F11を介して計算機装置との間で転送される
データのDRAM121上のアドレスを出力するカウン
タであり、ECCアドレスカウンタ132は、ECC回
路14との間で転送されるデータのDRAM121上の
アドレスを出力するカウンタである。
【0019】本実施の形態においては、DRAM121
をFIFOメモリのように使用してバッファ機能を実現
する。したがって、MOディスク30にデータが記録さ
れる時は、SCSII/F11からECC回路14方向
にデータが転送されるので、SCSIアドレスカウンタ
131がライトアドレス、ECCアドレスカウンタ13
2がリードアドレスを出力することになる。また、MO
ディスク30のデータが読み出される時は、ECC回路
14からSCSII/F11方向にデータが転送される
ので、ECCアドレスカウンタ132がライトアドレ
ス、SCSIアドレスカウンタ131がリードアドレス
を出力することになる。また、いずれの場合も、SCS
Iアドレスカウンタ131およびECCアドレスカウン
タ132はインクリメンタルに(0,1,2,・・・・
と1ずつカウントアップするように)動作する。
【0020】リフレッシュアドレスカウンタ133は、
DRAM121をリフレッシュする時のロウアドレスを
出力するためのカウンタである。
【0021】アドレスセレクタ134は、バッファ12
の動作に応じてアドレスを選択する選択手段である。ア
ドレスセレクタ134は、データ転送の時には、前述し
たように、データ転送の方向、および、データのリード
/ライトに応じて、SCSIアドレスカウンタ131ま
たはECCアドレスカウンタ132のいずれかを選択す
る。さらに、その際にはDRAM121の動作に合わせ
て、そのカウンタから出力されるアドレスをロウアドレ
スまたはカラムアドレスに分けて、適宜出力する。ま
た、リフレッシュ時には、アドレスセレクタ134はリ
フレッシュアドレスカウンタ133を選択し、その出力
アドレスをDRAM121に出力する。
【0022】リード・ライトコントローラ135は、D
RAM121の動作、すなわち、バッファ12の動作を
制御する。リード・ライトコントローラ135は、所定
周波数のクロックに基づいて、所定周期のタイムスロッ
トを設定し、このタイムスロットを単位としてバッファ
12の動作を管理し制御する。リード・ライトコントロ
ーラ135は、所定数のタイムスロットを周期として、
その1周期の中の所定数のタイムスロットをバッファ1
2とSCSII/F11とのデータ転送に、残りのタイ
ムスロットをバッファ12とECC回路14とのデータ
転送に割り当てる。さらに、そのバッファ12とECC
回路14とのデータ転送に割り当てられたタイムスロッ
トであって、ECC回路14より入力されるECCイネ
ーブル(ECCEB)信号がアクティブな期間、すなわ
ち、ECC回路14でエラー訂正処理が行われている期
間には、リード・ライトコントローラ135はDRAM
121に対してリフレッシュを行う。
【0023】なお、リード・ライトコントローラ135
は、実際には、DRAM121のRAS信号、CAS信
号、WE信号などの信号を制御して、DRAM121が
前述したような所望の動作をするように制御する。ま
た、本実施の形態において、DRAM121のリフレッ
シュ方法は、リードオンリーリフレッシュである。
【0024】本実施の形態において、リード・ライトコ
ントローラ135は、7.5MHzのクロックに基づい
て、その1周期、すなわち133nsecを1つのタイムス
ロットとする。そして、バッファ12とSCSII/F
11のデータ転送に2つのタイムスロットを、バッファ
12とECC回路14のデータ転送に1つのタイムスロ
ットを割り当て、この3つのタイムスロットを1つの周
期としてDRAM121を制御する。そして、バッファ
12とECC回路14とのデータ転送に割り当てられた
タイムスロットであって、ECCEB信号がアクティブ
な時にDRAM121に対してリフレッシュを行う。こ
のDRAMの制御の状態を図3に示す。なお、図3にお
いて、ECCEB信号はアクティブローの信号とする。
【0025】ECC回路14は、MOディスク30に記
録または再生されるデータのエラー訂正処理を行う回路
であり、MOディスク30に記録されるデータに対して
はエラー訂正符号の付与を行い、MOディスク30から
再生されるデータに対しては、付与されているエラー訂
正符号を用いてエラーチェックを行う。なお、本実施の
形態において、ECC回路14とバッファ12の間は、
データのビット幅が32ビットで2.5MHzで動作する
バスにより接続されている。
【0026】RF回路20は、バッファリング装置10
から転送されたデータ信号のRF信号への変換、およ
び、MOディスク30から読み出されたRF信号のデー
タ信号への変換を行う信号変換回路である。MOディス
ク30は、RF回路20より入力された信号の記録、お
よび、MOディスクに記録されている信号の再生を行う
データ記録手段である。
【0027】次に、バッファリング装置10の動作につ
いて説明する。計算機装置などからSCSII/F11
を介して入力されたデータは、データセレクタ122を
介して、DRAM121のSCSIアドレスカウンタ1
31によりアドレスが示される記憶領域に順次記憶され
る。このデータの転送は、図3に示すように、7.5M
Hzのクロックに基づいて設定されたタイムスロットの3
回に2回の割合で行われる。このSCSII/F11を
介するデータ転送は、バス幅が32bit なので、最高で
160Mbps (32bit ×5MHz)の転送レートで行わ
れることになる。
【0028】SCSII/F11を介してデータの転送
が行われたら、適宜DRAM121に記憶されたデータ
のECC回路14への転送も開始される。DRAM12
1の、ECCアドレスカウンタ132で示すアドレスに
記憶されているデータは、データセレクタ122を介し
てECC回路14に転送される。この動作は、前記タイ
ムスロットの3回の中の残りの1回を利用して行われ
る。このECC回路14へのデータの転送は、バス幅が
32bit なので、最高で80Mbps (32bit ×2.5
MHz)の転送レートで行われることになる。
【0029】ECC回路14に所定量のデータが転送さ
れたら、ECC回路14においてエラー訂正符号の付与
が行われる。この時、ECCEB信号はローレベルにな
り、バッファ12からECC回路14へのデータの転送
は停止される。そして、この状態であって、ECC回路
14へデータ転送を行うタイムスロットの期間に、リー
ド・ライトコントローラ135はリフレッシュアドレス
カウンタ133の示すアドレスをDRAM121に入力
し、DRAM121のリフレッシュを行う。ECC回路
14でエラー訂正符号の付与が行われたデータは、RF
回路20でRF信号に変換されMOディスク30に記録
される。
【0030】MOディスク30からデータを読み出す場
合にも、同様の動作が行われる。MOディスク30から
読み出された信号は、RF回路20でデータ信号に変換
され、ECC回路14に入力される。そしてECC回路
14において、エラーチェックが行われている間は、E
CCEB信号はローレベルになり、ECC回路14から
バッファ12へのデータの転送は停止される。したがっ
て、この状態で、バッファ12がECC回路14とのデ
ータ転送を行うタイムスロットの期間に、リード・ライ
トコントローラ135はリフレッシュアドレスカウンタ
133の示すアドレスをDRAM121に入力し、DR
AM121のリフレッシュを行う。
【0031】エラーチェックの終了したデータは、バッ
ファ12がECC回路14とのデータ転送を行うタイム
スロットの期間に、データセレクタ122を介して順次
DRAM121に転送される。この時は、ECCアドレ
スカウンタ132でアドレスが示される記憶領域にデー
タが格納される。そして、バッファ12とSCSII/
F11がデータ転送を行うタイムスロットの期間に、D
RAM121に格納されているデータが順次データセレ
クタ122およびSCSII/F11を介して計算機装
置などに転送される。なお、MOディスク30からSC
SII/F11方向にデータが転送される際の各部間の
データ転送レートも、前述したSCSII/F11から
MOディスク30方向にデータが転送される際の転送レ
ートと同じである。
【0032】なお、通常DRAMは、1024cycle/1
6msでリフレッシュを行うことが要求されている。本実
施の形態において、ECCEB信号が常にローであれ
ば、2.5MHzの周期、すなわち1024cycle/0.4
msの周期で、リフレッシュが行われることになる。した
がって、前記DRAMの仕様を満たすためには、バッフ
ァ12がECC回路14とデータ転送を行うタイムスロ
ットの40回に1回リフレッシュを行えばよいことにな
る。ECC回路14におけるエラー訂正処理が比較的複
雑な処理であることから、このリフレッシュサイクルは
十分確保され、本実施の形態のバッファリング装置10
におけるDRAMの動作は保証される。
【0033】このように、本実施の形態のバッファリン
グ装置10によれば、リフレッシュサイクルを実質上無
視してデータ転送のシーケンスを設計できるので、7.
5MHzのクロックに基づいて133nsecの周期でDRA
Mをアクセスしても、計算機装置との間で最高160M
bps 、MOディスク30との間で最高80Mbps のデー
タ転送が実現できる。そして、これにより、バッファ1
2に用いるメモリとして、従来と同じアクセスタイム6
0nsec、サイクルタイム110nsecのDRAMを用いる
ことができる。
【0034】なお、本発明は本実施の形態に限られるも
のではなく、種々の改変が可能である。たとえば、本実
施の形態は、計算機装置に対して外部記憶装置として設
けられている記録再生装置に、本発明のバッファリング
装置を適用したものであった。しかし、本発明のバッフ
ァリング装置は、任意のデータ処理装置間におけるデー
タ転送に適用可能であり、その他の記録再生装置、ある
いは、計算機装置間などに適用してもよい。また、伝送
路とのインターフェイス部分に適用してもよい。
【0035】また、バッファ12においてデータを記憶
するDRAMの種類は、任意の容量、任意のビット構成
のもの、任意のアクセス速度のものを用いてよい。ま
た、本実施の形態のバッファリング装置では、一方のデ
ータ処理装置とのインターフェイスとしてSCSIイン
ターフェイスを用いていたが、これに限られるものでは
なく任意のインターフェイスでよい。また、本実施の形
態のECC回路に具体的な回路構成は、周知の任意のエ
ラー訂正回路を適用してよい。その他、バッファ12お
よびバッファコントローラ13の細部の構成なども、本
実施の形態に限られるものではなく任意好適な回路構成
としてよい。
【0036】
【発明の効果】本発明によれば、DRAMを用いてより
高速にデータの転送が可能なバッファリング装置を提供
できる。換言すれば、高速にデータの転送を行うバッフ
ァリング装置を、DRAMを用いて実現することがで
き、そのようなバッファリング装置を低コストで提供で
きる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のバファリング装置を適用したデータ記
録再生装置の構成を示すブロック図である。
【図2】図1に示したデータ記録再生装置のバッファリ
ング装置の、バッファおよびバッファコントローラの構
成をより詳細に示すブロック図である。
【図3】図2に示したバッファのDRAMのアクセス状
態を示すタイムチャートである。
【図4】これまでのバファリング装置を用いたデータ記
録再生装置の構成を示すブロック図である。
【図5】図4に示したバッファリング装置のDRAMの
アクセス状態を示すタイムチャートである。
【符号の説明】
1…データ記録再生装置 10…バッファリング装置 11…SCSIインターフェイス 12…バッファ 121…DRAM 122…データセレクタ 13…バッファコントローラ 131…SCSIアドレスカウンタ 132…ECCアドレスカウンタ 133…リフレッシュアドレスカウンタ 134…アドレスセレクタ 135…リード・ライトコントローラ 14…ECC回路 20…RF回路 30…MOディスク

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】第1のデータ処理手段と第2のデータ処理
    手段との間のデータ転送を行うバッファリング手段であ
    って、 前記第1のデータ処理手段との間で転送されるデータに
    対して、エラー訂正処理を行うエラー訂正処理手段と、 前記第2のデータ処理手段との間のデータの転送を制御
    するインターフェイス手段と、 ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ(DRA
    M)を有し、前記エラー訂正処理手段および前記インタ
    ーフェイス手段各々とデータの転送を行い、前記第1の
    データ処理手段と前記第2のデータ処理手段との間を転
    送されるデータを一時的に前記DRAMに格納するバッ
    ファ手段と、 前記バッファ手段へのデータの転送を制御し、さらに、
    前記バッファ手段が前記第1のデータ処理手段とデータ
    転送を行うために確保された期間であって、前記エラー
    訂正処理手段においてエラー訂正処理が行われているた
    めに前記データ転送が行われていない期間に、前記DR
    AMのリフレッシュを行うバッファ制御手段とを有する
    バッファリング装置。
  2. 【請求項2】前記バッファ制御手段は、 前記インターフェイス手段または前記エラー訂正処理手
    段各々について、前記バッファ手段とデータの転送を行
    う期間を周期的に決定し、当該期間に当該手段とバッフ
    ァ手段がデータの転送を行うようにバッファ手段を制御
    し、 前記決定された期間の中の、前記エラー訂正処理手段が
    前記バッファ手段とデータの転送を行う期間であって、
    該エラー訂正処理手段が、エラー訂正処理を行い前記デ
    ータの転送を行わない期間に、前記DRAMのリフレッ
    シュを行う請求項1記載のバッファリング装置。
  3. 【請求項3】前記エラー訂正処理手段は、 前記第1のデータ処理手段に出力するデータに対して、
    所定のデータ量のデータブロックごとにエラー訂正符号
    を付与し、 前記第1のデータ処理手段から入力されるデータに対し
    て、前記所定のデータ量のデータブロックごとに、該デ
    ータブロックに付与されたエラー訂正符号に基づいてエ
    ラー訂正を行う請求項1または2記載のバッファリング
    装置。
  4. 【請求項4】前記第1のデータ処理手段は、データ記録
    再生装置である請求項1〜3いずれか記載のバッファリ
    ング装置。
  5. 【請求項5】前記第1のデータ処理手段は、データ伝送
    装置である請求項1〜3いずれか記載のバッファリング
    装置。
JP21758995A 1995-08-25 1995-08-25 バッファリング装置 Pending JPH0962454A (ja)

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JP21758995A Pending JPH0962454A (ja) 1995-08-25 1995-08-25 バッファリング装置

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP0907181A2 (en) * 1997-10-03 1999-04-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Data recording apparatus and method

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0907181A2 (en) * 1997-10-03 1999-04-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Data recording apparatus and method
EP0907181A3 (en) * 1997-10-03 2003-10-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Data recording apparatus and method

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