JPH0961534A - 半導体放射線検出装置及びその製造方法 - Google Patents
半導体放射線検出装置及びその製造方法Info
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- JPH0961534A JPH0961534A JP7219308A JP21930895A JPH0961534A JP H0961534 A JPH0961534 A JP H0961534A JP 7219308 A JP7219308 A JP 7219308A JP 21930895 A JP21930895 A JP 21930895A JP H0961534 A JPH0961534 A JP H0961534A
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- semiconductor radiation
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 蛍光体の厚みを増すことで、高感度で、か
つ、光によりＴＦＴが誤動作することなく、スループッ
トが良く、安価な半導体放射線検出装置及びその製造方
法を実現する。 【解決手段】 複数の画素ＳＧ１１とＴＦＴとを有する
光検出器基板１と、前記ＴＦＴ部分の遮光部１３と前記
複数の画素ＳＧ１１ごとの開口部とを一体的に有する仕
切り板１２とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わせた
基板の前記仕切り板１２の周囲に外枠１１を形成する工
程と、前記外枠１１内の前記仕切り板１２上に蛍光体層
９を形成する工程と、前記蛍光体層９を、前記仕切り１
２に沿って、レーザー光によって溝状に分離する工程
と、を有することを特徴とする半導体放射線検出装置の
製造方法及びそれによる装置。
つ、光によりＴＦＴが誤動作することなく、スループッ
トが良く、安価な半導体放射線検出装置及びその製造方
法を実現する。 【解決手段】 複数の画素ＳＧ１１とＴＦＴとを有する
光検出器基板１と、前記ＴＦＴ部分の遮光部１３と前記
複数の画素ＳＧ１１ごとの開口部とを一体的に有する仕
切り板１２とを貼り合わせる工程と、前記貼り合わせた
基板の前記仕切り板１２の周囲に外枠１１を形成する工
程と、前記外枠１１内の前記仕切り板１２上に蛍光体層
９を形成する工程と、前記蛍光体層９を、前記仕切り１
２に沿って、レーザー光によって溝状に分離する工程
と、を有することを特徴とする半導体放射線検出装置の
製造方法及びそれによる装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、非晶質シリコン等
の半導体薄膜を用いた半導体放射線検出装置及びその製
造方法に関する。
の半導体薄膜を用いた半導体放射線検出装置及びその製
造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＴＦＴ及びセンサーを各画素とし
て形成した放射線検出装置は、図７の概略断面図のよう
に構成されている。
て形成した放射線検出装置は、図７の概略断面図のよう
に構成されている。
【０００３】図７において、絶縁性基板１上にはゲート
電極２、ゲート絶縁層７、ａ−ＳｉｉＨ半導体層４、ド
ーピング半導体層５、主電極６よりなるＴＦＴ（Ｔ１
１）と下側電極２、絶縁層７、ａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層
４、ドーピング半導体層５からなるＭＩＳ型センサー
（Ｓ１１）と、さらに上側電極６からなるコンデンサー
（Ｃ１１）の各素子が形成され一画素を構成している。
電極２、ゲート絶縁層７、ａ−ＳｉｉＨ半導体層４、ド
ーピング半導体層５、主電極６よりなるＴＦＴ（Ｔ１
１）と下側電極２、絶縁層７、ａ−Ｓｉ：Ｈ半導体層
４、ドーピング半導体層５からなるＭＩＳ型センサー
（Ｓ１１）と、さらに上側電極６からなるコンデンサー
（Ｃ１１）の各素子が形成され一画素を構成している。
【０００４】さらに、同様の画素が２次元の大面積に多
数配置され、その上に各画素を保護する為のＳｉＮｘよ
りなる保護層８、さらに入射した放射線を可視光に変換
するための蛍光体９が形成され、大面積にも対応できる
放射線検出装置が構成されている。
数配置され、その上に各画素を保護する為のＳｉＮｘよ
りなる保護層８、さらに入射した放射線を可視光に変換
するための蛍光体９が形成され、大面積にも対応できる
放射線検出装置が構成されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例においては、高感度にするために、例えば蛍光体９
の厚みを増加させると、入射したＸ線は蛍光体９中で可
視光に多量に変換され、Ｓ１１部のセンサー部の感度が
上り、センサーとしての機能は向上するが、同様に変換
された可視光はＴ１１部のＴＦＴにも作用し、光により
ＴＦＴが誤動作するという不具合を生ずる。
来例においては、高感度にするために、例えば蛍光体９
の厚みを増加させると、入射したＸ線は蛍光体９中で可
視光に多量に変換され、Ｓ１１部のセンサー部の感度が
上り、センサーとしての機能は向上するが、同様に変換
された可視光はＴ１１部のＴＦＴにも作用し、光により
ＴＦＴが誤動作するという不具合を生ずる。
【０００６】さらに、これを解決する方法として、液晶
ディスプレイで広く採用されているように、ＴＦＴの上
部と蛍光体９の間にフォトリソグラフィと薄膜堆積技術
を用いて遮光膜を形成する方法が知られているが、スル
ープットが悪くなり、安価に製造することができないと
いう欠点をさらに有している。
ディスプレイで広く採用されているように、ＴＦＴの上
部と蛍光体９の間にフォトリソグラフィと薄膜堆積技術
を用いて遮光膜を形成する方法が知られているが、スル
ープットが悪くなり、安価に製造することができないと
いう欠点をさらに有している。
【０００７】［発明の目的］本発明の目的は、蛍光体の
厚みを増すことで、高感度で、かつ、光によりＴＦＴが
誤動作することなく、スループットが良く、安価な半導
体放射線検出装置及びその製造方法を実現することにあ
る。
厚みを増すことで、高感度で、かつ、光によりＴＦＴが
誤動作することなく、スループットが良く、安価な半導
体放射線検出装置及びその製造方法を実現することにあ
る。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上述した課題
を解決するため、以下の手段を有する。
を解決するため、以下の手段を有する。
【０００９】［１］ 蛍光体を有する半導体放射線検出
装置の製造方法において、複数の半導体素子からなる画
素とＴＦＴとを有する光検出器基板を形成する工程と、
前記ＴＦＴ部分の遮光部と、前記複数の画素ごとの開口
部とを一体的に有する仕切り板を形成する工程と、前記
光検出器基板と前記仕切り板とを貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせた基板の前記仕切り板の周囲に外枠を形
成する工程と、前記外枠内の前記仕切り板上に蛍光体層
を形成する工程と、前記蛍光体層を、前記画素ごとの開
口部の仕切りに沿って、レーザー光によって溝状に除去
し、前記蛍光体層を前記画素ごとに分離する工程と、を
有することを特徴とする半導体放射線検出装置の製造方
法。
装置の製造方法において、複数の半導体素子からなる画
素とＴＦＴとを有する光検出器基板を形成する工程と、
前記ＴＦＴ部分の遮光部と、前記複数の画素ごとの開口
部とを一体的に有する仕切り板を形成する工程と、前記
光検出器基板と前記仕切り板とを貼り合わせる工程と、
前記貼り合わせた基板の前記仕切り板の周囲に外枠を形
成する工程と、前記外枠内の前記仕切り板上に蛍光体層
を形成する工程と、前記蛍光体層を、前記画素ごとの開
口部の仕切りに沿って、レーザー光によって溝状に除去
し、前記蛍光体層を前記画素ごとに分離する工程と、を
有することを特徴とする半導体放射線検出装置の製造方
法。
【００１０】［２］ 前記レーザーは、エキシマレーザ
ーである［１］記載の半導体放射線検出装置の製造方
法。
ーである［１］記載の半導体放射線検出装置の製造方
法。
【００１１】［３］ 前記溝の部分を含んで、前記分離
された蛍光体表面に、反射膜を形成することを特徴とす
る［１］記載の半導体放射線検出装置の製造方法。
された蛍光体表面に、反射膜を形成することを特徴とす
る［１］記載の半導体放射線検出装置の製造方法。
【００１２】［４］ 前記溝の部分を含んで、前記分離
された蛍光体表面に、黒色物質を含む膜を形成すること
を特徴とする［１］記載の半導体放射線検出装置の製造
方法。
された蛍光体表面に、黒色物質を含む膜を形成すること
を特徴とする［１］記載の半導体放射線検出装置の製造
方法。
【００１３】［５］ 蛍光体と複数の画素とＴＦＴとを
有する半導体放射線検出装置において、前記各画素ごと
に対応した開口部と前記ＴＦＴ遮光部とを一体的に形成
したメッシュ状の仕切り板と、前記仕切り板の開口部上
に設けられ、前記仕切り板の仕切り部上で溝状に、前記
各画素ごとに分離された前記蛍光体を有することを特徴
とする半導体放射線検出装置。
有する半導体放射線検出装置において、前記各画素ごと
に対応した開口部と前記ＴＦＴ遮光部とを一体的に形成
したメッシュ状の仕切り板と、前記仕切り板の開口部上
に設けられ、前記仕切り板の仕切り部上で溝状に、前記
各画素ごとに分離された前記蛍光体を有することを特徴
とする半導体放射線検出装置。
【００１４】［６］ 前記溝の部分を含んで、前記分離
された蛍光体表面に反射膜を有することを特徴とする
［５］記載の半導体放射線検出装置。
された蛍光体表面に反射膜を有することを特徴とする
［５］記載の半導体放射線検出装置。
【００１５】［７］ 前記溝の部分を含んで、前記分離
された蛍光体表面に黒色物質を含む膜を有することを特
徴とする［５］記載の半導体放射線検出装置。
された蛍光体表面に黒色物質を含む膜を有することを特
徴とする［５］記載の半導体放射線検出装置。
【００１６】
［作用］本発明は、上記問題を同時に解消するために考
えられ、さらに、高解像度を得ることができるという効
果も合わせて達成したものである。
えられ、さらに、高解像度を得ることができるという効
果も合わせて達成したものである。
【００１７】本発明によれば、保護膜が形成された半導
体放射線検出装置に適用される光検出装置上に、外枠と
して所望の高さの枠を設けて、厚い蛍光体が均一に塗布
できるようにしたことにより、厚い蛍光体により多量の
可視光が発生し、光検出素子としては高感度になった。
体放射線検出装置に適用される光検出装置上に、外枠と
して所望の高さの枠を設けて、厚い蛍光体が均一に塗布
できるようにしたことにより、厚い蛍光体により多量の
可視光が発生し、光検出素子としては高感度になった。
【００１８】さらに、光検出装置の各画素にＴＦＴの上
部を遮光できる部材と一体になった仕切り板を含むメッ
シュ状の部材を配置したことにより、ＴＦＴには光が入
射せず、光によるＴＦＴの誤動作を防止できるようにな
った。
部を遮光できる部材と一体になった仕切り板を含むメッ
シュ状の部材を配置したことにより、ＴＦＴには光が入
射せず、光によるＴＦＴの誤動作を防止できるようにな
った。
【００１９】また、その仕切り板の一部も含めて、エキ
シマレーザーにより蛍光体を溝状に除去したことによ
り、外枠及びメッシュ状の遮光部材と一体となった仕切
り板は安価に製造でき、エキシマレーザーのスループッ
トが高いため、高感度、高解像度で安定した半導体放射
線検出装置を安価に製造することが可能となった。
シマレーザーにより蛍光体を溝状に除去したことによ
り、外枠及びメッシュ状の遮光部材と一体となった仕切
り板は安価に製造でき、エキシマレーザーのスループッ
トが高いため、高感度、高解像度で安定した半導体放射
線検出装置を安価に製造することが可能となった。
【００２０】最後に、反射膜または黒色物質を含む膜を
形成したことにより、各画素ごとに光が集光され、クロ
ストークがない高解像度の光検出素子を得ることができ
るようになった。
形成したことにより、各画素ごとに光が集光され、クロ
ストークがない高解像度の光検出素子を得ることができ
るようになった。
【００２１】［実施形態］以下、本発明の実施形態を図
面に基づいて詳細に説明する。
面に基づいて詳細に説明する。
【００２２】図１は、本発明の一実施形態を示す半導体
放射線検出装置の断面図である。図１において、１はガ
ラス基板等の絶縁性基板であり、この上に非晶質シリコ
ンよりなる半導体薄膜を用いたセンサ、ＴＦＴ、コンデ
ンサよりなる画素ＳＧ１１が分離されて形成され、その
表面にＳｉＮｘよりなる保護層８が形成されている。各
画素の分離溝上には、厚いＮｉで作られたメッシュ状の
仕切り板１２が、ＴＦＴ遮光部材１３と一体化して設置
され、外枠１１の高さまで蛍光体９が充填され、各画素
ごとにエキシマレーザーで蛍光体９が分離され、各画素
の溝部を含めて反射膜１０が形成されている。
放射線検出装置の断面図である。図１において、１はガ
ラス基板等の絶縁性基板であり、この上に非晶質シリコ
ンよりなる半導体薄膜を用いたセンサ、ＴＦＴ、コンデ
ンサよりなる画素ＳＧ１１が分離されて形成され、その
表面にＳｉＮｘよりなる保護層８が形成されている。各
画素の分離溝上には、厚いＮｉで作られたメッシュ状の
仕切り板１２が、ＴＦＴ遮光部材１３と一体化して設置
され、外枠１１の高さまで蛍光体９が充填され、各画素
ごとにエキシマレーザーで蛍光体９が分離され、各画素
の溝部を含めて反射膜１０が形成されている。
【００２３】次に、図２〜図６により、この半導体放射
線検出装置の具体的な製造方法を説明する。
線検出装置の具体的な製造方法を説明する。
【００２４】図２は、ａ−Ｓｉ：Ｈ半導体薄膜を作成す
る通常の工程で作成された、大型の半導体光検出素子を
示す断面概略図であり、ＴＦＴとセンサー、コンデンサ
ーで構成された画素ＳＧ１１が分離され、その表面にＳ
ｉＮｘよりなる保護層８が形成されている。
る通常の工程で作成された、大型の半導体光検出素子を
示す断面概略図であり、ＴＦＴとセンサー、コンデンサ
ーで構成された画素ＳＧ１１が分離され、その表面にＳ
ｉＮｘよりなる保護層８が形成されている。
【００２５】図３は、図２で示したパネルとは別に作成
された、ＴＦＴの遮光部材１３が一体に形成された、メ
ッシュ状のクロストーク防止用の仕切り板１２の構造を
示す斜視図である。
された、ＴＦＴの遮光部材１３が一体に形成された、メ
ッシュ状のクロストーク防止用の仕切り板１２の構造を
示す斜視図である。
【００２６】図３に示す仕切り板１２は、Ｎｉ材料の板
厚４０μの物をフォトリソグラフィを用いて、各画素Ｓ
Ｇ１１に対応するように仕切り板１２の巾が２０μで、
開口部はＴＦＴの遮光部を除いて１４０μ□で作成して
用意した。
厚４０μの物をフォトリソグラフィを用いて、各画素Ｓ
Ｇ１１に対応するように仕切り板１２の巾が２０μで、
開口部はＴＦＴの遮光部を除いて１４０μ□で作成して
用意した。
【００２７】次に、図４で示したように、図２のパネル
と図３の遮光部材を一体的に形成した仕切り板１２を接
着剤で貼り合わせて形成し、さらに、図５で示したよう
に、仕切り板の外側に高さ２００μの外枠１１を接着し
た後、この外枠１１の中にフローコート法により蛍光体
９をノズルから吹き出し、レベリングして２００μの厚
さに塗布した。
と図３の遮光部材を一体的に形成した仕切り板１２を接
着剤で貼り合わせて形成し、さらに、図５で示したよう
に、仕切り板の外側に高さ２００μの外枠１１を接着し
た後、この外枠１１の中にフローコート法により蛍光体
９をノズルから吹き出し、レベリングして２００μの厚
さに塗布した。
【００２８】さらに、図６で示したように、均一な厚さ
で塗布された蛍光体９はキュアーされた後、各画素ＳＧ
１１に対応して、接着された仕切り板１２の上まで、エ
キシマレーザー加工により、テーパーが付いた溝となる
ようにアブレーションした。
で塗布された蛍光体９はキュアーされた後、各画素ＳＧ
１１に対応して、接着された仕切り板１２の上まで、エ
キシマレーザー加工により、テーパーが付いた溝となる
ようにアブレーションした。
【００２９】エキシマレーザーは、ＫｒＦ２４８ｎｍの
波長で、エネルギー密度０．６Ｊ／ｃｍ2 に設定して用
い、光学系に設置したマスクを用いて、仕切り板１２の
Ｎｉ板のメッシュ上をあらかじめアライメントを行い蛍
光体９の一部を除去した。この際、エネルギー密度０．
６Ｊ／ｃｍ2 においては、下地となる仕切り板１２のＮ
ｉも同時に除去されるが、厚さが４０μと厚いため、保
護膜８にダメージを与えることなく、仕切り板１２の厚
さの途中で仕切り板を残して作業を終了できた。
波長で、エネルギー密度０．６Ｊ／ｃｍ2 に設定して用
い、光学系に設置したマスクを用いて、仕切り板１２の
Ｎｉ板のメッシュ上をあらかじめアライメントを行い蛍
光体９の一部を除去した。この際、エネルギー密度０．
６Ｊ／ｃｍ2 においては、下地となる仕切り板１２のＮ
ｉも同時に除去されるが、厚さが４０μと厚いため、保
護膜８にダメージを与えることなく、仕切り板１２の厚
さの途中で仕切り板を残して作業を終了できた。
【００３０】その後、前記エキシマレーザーによって作
られた溝の側面も含めて、反射膜１０を、Ａｌを蒸着す
ることで形成し、図１で示した放射線検出装置が完成し
た。
られた溝の側面も含めて、反射膜１０を、Ａｌを蒸着す
ることで形成し、図１で示した放射線検出装置が完成し
た。
【００３１】本実施形態によれば、外枠１１の高さを任
意に変更すれば、蛍光体９の厚さは任意に所望の厚さに
形成でき、さらに、仕切り板１２の厚さは、比較的厚
く、通常のフォトリソ工程で安価に形成でき、さらに、
一体としてＴＦＴ遮光部材１３が形成できる。このた
め、エキシマレーザーで加工する際に、下地との選択比
の問題を厳密に制御する必要もなく、蛍光体９の一部を
画素分離することが可能となった。さらに、画素分離用
の溝を含めて、反射膜１０が形成できるため、厚い蛍光
体により、入射した放射線を多量の可視光に変換でき、
変換された可視光は、溝と形成された反射膜１０により
各画素ごとに十分半導体光検出素子の各画素ＳＧ１１に
集光され、ＴＦＴは仕切り板１２と一体になった遮光部
材１３で遮光されているため、クロストークのない十分
な量の電気信号が得られ、さらに、光によるＴＦＴの誤
動作も発生しなかった。また、製造工程も簡単であるた
め、安価に高性能な半導体放射線検出装置を製造するこ
とが可能になった。
意に変更すれば、蛍光体９の厚さは任意に所望の厚さに
形成でき、さらに、仕切り板１２の厚さは、比較的厚
く、通常のフォトリソ工程で安価に形成でき、さらに、
一体としてＴＦＴ遮光部材１３が形成できる。このた
め、エキシマレーザーで加工する際に、下地との選択比
の問題を厳密に制御する必要もなく、蛍光体９の一部を
画素分離することが可能となった。さらに、画素分離用
の溝を含めて、反射膜１０が形成できるため、厚い蛍光
体により、入射した放射線を多量の可視光に変換でき、
変換された可視光は、溝と形成された反射膜１０により
各画素ごとに十分半導体光検出素子の各画素ＳＧ１１に
集光され、ＴＦＴは仕切り板１２と一体になった遮光部
材１３で遮光されているため、クロストークのない十分
な量の電気信号が得られ、さらに、光によるＴＦＴの誤
動作も発生しなかった。また、製造工程も簡単であるた
め、安価に高性能な半導体放射線検出装置を製造するこ
とが可能になった。
【００３２】尚、本実施形態では、遮光部材一体型の仕
切り板として、Ｎｉを用いたが、Ａｌ，Ｃｒ等他の金属
材料、セラミック等で形成しても同様の効果を有する。
切り板として、Ｎｉを用いたが、Ａｌ，Ｃｒ等他の金属
材料、セラミック等で形成しても同様の効果を有する。
【００３３】さらに、本実施形態では、エキシマレーザ
ーとしてＫｒＦ２４８ｎｍの波長を用いたが、蛍光体材
料により、アブレーションできる波長を例えばＡｒＦ１
９３ｎｍ，ＸｅＣ１３０８ｎｍ，ＸｅＦ３５１ｎｍ等か
ら選択しても、同様の効果が得られる。
ーとしてＫｒＦ２４８ｎｍの波長を用いたが、蛍光体材
料により、アブレーションできる波長を例えばＡｒＦ１
９３ｎｍ，ＸｅＣ１３０８ｎｍ，ＸｅＦ３５１ｎｍ等か
ら選択しても、同様の効果が得られる。
【００３４】また、エキシマレーザー以外のレーザーで
も、同様の効果が得られるものであれば、使用可能であ
ることは明白である。
も、同様の効果が得られるものであれば、使用可能であ
ることは明白である。
【００３５】また、溝部にＡｌによる反射膜を形成した
例を示したが、Ａｌに限定されるものではなく、Ｃｒ，
Ｔｉ等の金属を用いた反射膜でも良く、さらに光を吸収
する例えば、Ｃ入り樹脂等の黒色の樹脂を用いても同様
の効果が得られる。
例を示したが、Ａｌに限定されるものではなく、Ｃｒ，
Ｔｉ等の金属を用いた反射膜でも良く、さらに光を吸収
する例えば、Ｃ入り樹脂等の黒色の樹脂を用いても同様
の効果が得られる。
【００３６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
各画素ごとに蛍光体を分離するためとＴＦＴへの光の入
射を防止するために、板厚の厚いメッシュ状の部材を遮
光部材と一体化して設け、そのメッシュ状の仕切り板の
上をエキシマレーザーで溝状に除去することにより、素
子にダメージを与えず、下地との選択比を制御すること
なく、簡単にクロストークを防止でき、さらに、ＴＦＴ
への光の入射を無くし、誤動作を防止できるようになっ
た。
各画素ごとに蛍光体を分離するためとＴＦＴへの光の入
射を防止するために、板厚の厚いメッシュ状の部材を遮
光部材と一体化して設け、そのメッシュ状の仕切り板の
上をエキシマレーザーで溝状に除去することにより、素
子にダメージを与えず、下地との選択比を制御すること
なく、簡単にクロストークを防止でき、さらに、ＴＦＴ
への光の入射を無くし、誤動作を防止できるようになっ
た。
【００３７】また、外枠の厚さを任意に厚くできるた
め、蛍光体の厚さを所望の厚さに形成でき、可視光を多
量に発生させ、高感度な半導体放射線検出装置が得られ
る。
め、蛍光体の厚さを所望の厚さに形成でき、可視光を多
量に発生させ、高感度な半導体放射線検出装置が得られ
る。
【００３８】さらに、用いるメッシュ状の遮光部材と一
体となった仕切り板は安価に製造でき、かつエキシマレ
ーザーのスループットが高いため、高性能な半導体放射
線検出装置を安価に製造することが可能になった。
体となった仕切り板は安価に製造でき、かつエキシマレ
ーザーのスループットが高いため、高性能な半導体放射
線検出装置を安価に製造することが可能になった。
【図１】本発明の半導体放射線検出装置の断面図であ
る。
る。
【図２】本発明の光検出素子パネルの断面図である。
【図３】本発明のＴＦＴ遮光部分一体型の仕切り板を示
す斜視図である。
す斜視図である。
【図４】本発明の製造工程を説明する断面図である。
【図５】本発明の製造工程を説明する断面図である。
【図６】本発明の製造工程を説明する断面図である。
【図７】従来例を説明する断面図である。
１ 絶縁性基板 ２ 電極 ４ 半導体層 ５ ドーピング半導体層 ６ 電極 ７ 絶縁層 ８ 保護層 ９ 蛍光体 １０ 反射膜 １１ 外枠 １２ 仕切り板 １３ 遮光部材 ＳＧ１１ 画素 Ｓ１１ センサー部 Ｃ１１ コンデンサー部 Ｔ１１ ＴＦＴ部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田中 一郎 東京都大田区下丸子３丁目30番２号 キヤ ノン株式会社内 (72)発明者 川崎 敬一 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地 キ ヤノン株式会社小杉事業所内 (72)発明者 山▲崎▼ 達也 神奈川県川崎市中原区今井上町53番地 キ ヤノン株式会社小杉事業所内
Claims (7)
- 【請求項１】 蛍光体を有する半導体放射線検出装置の
製造方法において、 複数の半導体素子からなる画素とＴＦＴとを有する光検
出器基板を形成する工程と、 前記ＴＦＴ部分の遮光部と、前記複数の画素ごとの開口
部とを一体的に有する仕切り板を形成する工程と、 前記光検出器基板と前記仕切り板とを貼り合わせる工程
と、 前記貼り合わせた基板の前記仕切り板の周囲に外枠を形
成する工程と、 前記外枠内の前記仕切り板上に蛍光体層を形成する工程
と、 前記蛍光体層を、前記画素ごとの開口部の仕切りに沿っ
て、レーザー光によって溝状に除去し、前記蛍光体層を
前記画素ごとに分離する工程と、 を有することを特徴とする半導体放射線検出装置の製造
方法。 - 【請求項２】 前記レーザーは、エキシマレーザーであ
る請求項１記載の半導体放射線検出装置の製造方法。 - 【請求項３】 前記溝の部分を含んで、前記分離された
蛍光体表面に、反射膜を形成することを特徴とする請求
項１記載の半導体放射線検出装置の製造方法。 - 【請求項４】 前記溝の部分を含んで、前記分離された
蛍光体表面に、黒色物質を含む膜を形成することを特徴
とする請求項１記載の半導体放射線検出装置の製造方
法。 - 【請求項５】 蛍光体と複数の画素とＴＦＴとを有する
半導体放射線検出装置において、 前記各画素ごとに対応した開口部と前記ＴＦＴ遮光部と
を一体的に形成したメッシュ状の仕切り板と、 前記仕切り板の開口部上に設けられ、前記仕切り板の仕
切り部上で溝状に、前記各画素ごとに分離された前記蛍
光体を有することを特徴とする半導体放射線検出装置。 - 【請求項６】 前記溝の部分を含んで、前記分離された
蛍光体表面に反射膜を有することを特徴とする請求項５
記載の半導体放射線検出装置。 - 【請求項７】 前記溝の部分を含んで、前記分離された
蛍光体表面に黒色物質を含む膜を有することを特徴とす
る請求項５記載の半導体放射線検出装置。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7219308A JPH0961534A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 半導体放射線検出装置及びその製造方法 |
| US08/697,281 US6133614A (en) | 1995-08-28 | 1996-08-27 | Apparatus for detecting radiation and method for manufacturing such apparatus |
| EP96113690A EP0762505A3 (en) | 1995-08-28 | 1996-08-27 | Apparatus for detecting radiation and method for manufacturing such apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7219308A JPH0961534A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 半導体放射線検出装置及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0961534A true JPH0961534A (ja) | 1997-03-07 |
Family
ID=16733462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7219308A Pending JPH0961534A (ja) | 1995-08-28 | 1995-08-28 | 半導体放射線検出装置及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0961534A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016126012A (ja) * | 2014-12-29 | 2016-07-11 | チンファ ユニバーシティＴｓｉｎｇｈｕａ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ | セラミックシンチレータアレイの加工方法 |
-
1995
- 1995-08-28 JP JP7219308A patent/JPH0961534A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016126012A (ja) * | 2014-12-29 | 2016-07-11 | チンファ ユニバーシティＴｓｉｎｇｈｕａ Ｕｎｉｖｅｒｓｉｔｙ | セラミックシンチレータアレイの加工方法 |
| US9869775B2 (en) | 2014-12-29 | 2018-01-16 | Tsinghua University | Method for processing ceramic scintillator array |
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