JPH095783A - Liquid crystal display element - Google Patents

Liquid crystal display element

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JPH095783A
JPH095783A JP14995795A JP14995795A JPH095783A JP H095783 A JPH095783 A JP H095783A JP 14995795 A JP14995795 A JP 14995795A JP 14995795 A JP14995795 A JP 14995795A JP H095783 A JPH095783 A JP H095783A
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JP
Japan
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film
liquid crystal
moo
black matrix
films
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JP14995795A
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Japanese (ja)
Inventor
Yasuhiro Ukai
育弘 鵜飼
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Hosiden Corp
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Hosiden Corp
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  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

PURPOSE: To lessen pollution and to prevent the degradation in the display grade and product yield occurring in the residues of a resist by forming a black matrix of multilayered films consisting of MoO films and Mo films. CONSTITUTION: The black matrix BM of this liquid crystal display element 30 of an active type or passive type obtd. by enclosing liquid crystals 3 between two sheets of glass substrates 1 and 2 facing each other and forming the black matrix BM on the inside surface of the one glass substrate 2 is obtd. by forming the MoO films by sputtering Mo as a target in an atmosphere of a gaseous mixture composed of an inert gas and oxygen on the inside surface of the glass substrate 2. Then, the Mo films is formed by sputtering of Mo as a target in an atmosphere of an inert gas. TFT arrays 4 are formed on the inside surface of another glass substrate 1 and light shields 6 for shielding the light on transistors are formed of the Mo. The possibility of giving rise to pollution in the case of discarding is eliminated by using the non-polluting multilayered Mo/MoO films in such a manner.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は液晶表示素子(以下L
CDと言う)のブラックマトリックス、TFTに対する
ライトシールド等からCr系のような公害性物質を削除
したものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION This invention relates to a liquid crystal display device (hereinafter referred to as L
The black matrix (referred to as CD), the light shield for the TFT, and the like, in which a pollutant such as Cr is deleted.

【0002】[0002]

【従来の技術】カラー表示で、アクティブ型のLCD3
0は図5に示すように、対向する2枚のガラス基板1,
2の間に液晶3が封入され、ガラス基板1の内面にTF
Tアレイ4が形成されている。ガラス基板1側からTF
Tアレイ4の各TFT5に当る光を遮光してTFTのオ
ン/オフ比を改善するために、Cr膜より成るライトシ
ールド6が形成されている。
2. Description of the Related Art An active type LCD 3 with color display
As shown in FIG. 5, 0 is two glass substrates 1 facing each other.
The liquid crystal 3 is sealed between the two, and the TF is formed on the inner surface of the glass substrate 1.
The T array 4 is formed. TF from the glass substrate 1 side
A light shield 6 made of a Cr film is formed in order to shield the light hitting each TFT 5 of the T array 4 and improve the on / off ratio of the TFT.

【0003】TFTアレイ4は、ガラス基板1上に一面
に形成されたSiO2 層7上にソース電極5s、ソース
バス8、ドレイン電極5d、画素電極(表示電極とも言
う)9がITOにより形成される。SiO2 層7上にソ
ース電極5sとドレイン電極5d上にまたがってa−S
i(アモルファス・シリコン)のような半導体層5aが
形成される。ソースバス8、画素電極9及び半導体層5
a上にSiNx(窒化シリコン)のようなゲート絶縁膜
10が一面に形成され、その上にアルミニウムなどより
成るゲート電極5g及びゲートバス(図示せず)が形成
される。
In the TFT array 4, a source electrode 5s, a source bus 8, a drain electrode 5d, and a pixel electrode (also referred to as a display electrode) 9 are made of ITO on a SiO 2 layer 7 formed on the glass substrate 1 over the entire surface. It A-S is formed on the SiO 2 layer 7 over the source electrode 5s and the drain electrode 5d.
A semiconductor layer 5a such as i (amorphous silicon) is formed. Source bus 8, pixel electrode 9 and semiconductor layer 5
A gate insulating film 10 such as SiNx (silicon nitride) is formed on the entire surface a, and a gate electrode 5g and a gate bus (not shown) made of aluminum or the like are formed thereon.

【0004】一方、ガラス基板2の内面にカラーフィル
タ21が形成される。カラーフィルタ21は、R,G,
BのマイクロカラーフィルタFR,FG,FBがマトリ
クス状に各画素に対応して形成され、これらのマイクロ
カラーフィルタ相互間にCr膜またはその反射率を改良
したCrOとCrとの多層膜より成るブラックマトリク
ス(ブラックストライプとも言う)BMが形成される。
ブラックマトリクスBMは周知のように遮光によってコ
ントラストや色純度を良好にして視認性を向上させるも
のである。
On the other hand, a color filter 21 is formed on the inner surface of the glass substrate 2. The color filter 21 includes R, G,
B micro color filters FR, FG, and FB are formed in a matrix corresponding to each pixel, and a black film composed of a Cr film or a multilayer film of CrO and Cr whose reflectance is improved between these micro color filters. A matrix (also called a black stripe) BM is formed.
As is well known, the black matrix BM improves the visibility by improving the contrast and color purity by blocking light.

【0005】カラーフィルタ21の内面にITOより成
る共通電極22が一面に形成され、その内面に配向膜2
3が形成される。TFTアレイ4の内面にも同様に配向
膜24が形成される。またガラス基板1,2の各外面に
偏光板25,26がそれぞれ配設される。
A common electrode 22 made of ITO is formed on the inner surface of the color filter 21, and the alignment film 2 is formed on the inner surface of the common electrode 22.
3 is formed. An alignment film 24 is similarly formed on the inner surface of the TFT array 4. Polarizing plates 25 and 26 are provided on the outer surfaces of the glass substrates 1 and 2, respectively.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】 従来のLCDのブラックマトリクスBM及びライト
シールド6にCr/CrO多層膜及びCr膜がそれぞれ
用いられている。しかし、CrやCrOは公害性物質で
あり人体に悪影響をおよぼすので、LCDの耐用年数が
過ぎてそれを廃棄した場合に問題となる。液晶表示素子
は各家庭や企業体に今後ますます使われるようになると
予想されるので、大きな社会問題となる恐れもある。
A Cr / CrO multilayer film and a Cr film are used for the black matrix BM and the light shield 6 of the conventional LCD, respectively. However, since Cr and CrO are pollutants and have a bad effect on the human body, they become a problem when the LCD is used up and is discarded. Liquid crystal display devices are expected to be used more and more in homes and businesses in the future, which may cause a serious social problem.

【0007】 ブラックマトリクスBMが形成された
ガラス基板2上にカラーフィルタ21を形成する際、
R,G,Bのレジストを現像処理した後、洗浄工程でブ
ラシングして不要のレジストを除去している。しかしな
がら、ブラックマトリクスBMがCr系の場合、その上
にR,G,Bのレジストが残渣として残り易く、時には
配向膜23をラビングする際にその残渣がラビング布に
ほこりやちりのように付着すると共にそのほこりやちり
が液晶セル内に残り、表示品位を低下させ製品の歩留り
を悪化させることもある。
When the color filter 21 is formed on the glass substrate 2 on which the black matrix BM is formed,
After developing the R, G, and B resists, the unnecessary resist is removed by brushing in a cleaning process. However, when the black matrix BM is Cr-based, the R, G, and B resists are likely to remain on the black matrix BM as a residue, and the residue sometimes adheres to the rubbing cloth like dust or dust when the alignment film 23 is rubbed. At the same time, the dust and dust may remain in the liquid crystal cell, deteriorating the display quality and deteriorating the product yield.

【0008】この発明の目的は、これら従来の問題を解
決して、ブラックマトリクスやライトシールドにCr系
のような公害物質を使用しないようにすると共に、カラ
ーフィルタの形成時におけるR,G,Bのレジストの残
渣に起因する表示品位、製品歩留の低下を防止しようと
するものである。
An object of the present invention is to solve these conventional problems so as to prevent the use of pollutants such as Cr-based materials in the black matrix and the light shield, and to prevent R, G, B when forming color filters. It is intended to prevent the deterioration of display quality and product yield due to the residue of the resist.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】[Means for Solving the Problems]

(1)請求項1の発明は、対向する2枚のガラス基板の
間に液晶が封入され、その一方のガラス基板の内面にブ
ラックマトリクスが形成されているカラーまたは白黒表
示で、アクティブまたはパッシブ型のLCDにおいて、
特に、ブラックマトリクスが、非公害性のMoO膜とM
o膜とより成る多層膜で形成されているものである。
(1) The invention of claim 1 is a color or monochrome display in which a liquid crystal is sealed between two glass substrates facing each other, and a black matrix is formed on the inner surface of one of the glass substrates. In the LCD of
In particular, the black matrix is a non-polluting MoO film and M
It is formed of a multi-layer film including an o film.

【0010】(2)請求項2の発明は、前記(1)にお
いて、他方のガラス基板の内面にTFTアレイが形成さ
れ、その各トランジスタを遮光するライトシールドが非
公害性のMoにより形成されているものである。 (3)請求項3の発明は、白黒表示でアクティブ型のL
CDにおいて、特に、TFTアレイの各トランジスタを
遮光するライトシールドが、MoO膜とMo膜より成る
多層膜で形成されているものである。
(2) According to the invention of claim 2, in the above (1), a TFT array is formed on the inner surface of the other glass substrate, and a light shield for shielding each transistor is formed of non-polluting Mo. There is something. (3) The invention according to claim 3 is an active-type L for monochrome display.
In the CD, in particular, the light shield that shields each transistor of the TFT array is formed of a multi-layer film including a MoO film and a Mo film.

【0011】(4)請求項4の発明は、白黒表示でアク
ティブ型のLCDにおいて、特に、TFTアレイのソー
ス電極及びソースバスが、MoO膜とMo膜とITO膜
より成る多層膜で形成されているものである。
(4) According to a fourth aspect of the present invention, in a monochrome display active LCD, in particular, the source electrode and source bus of the TFT array are formed of a multilayer film composed of a MoO film, a Mo film and an ITO film. There is something.

【0012】[0012]

【実施例】この発明の実施例を図1〜図3に、図5と対
応する部分に同じ符号を付けて示し、重複説明を省略す
る。この発明では、図1,図2に示すようにブラックマ
トリクスBMが非公害性物質であるMoO膜とMo膜と
より成る多層膜で構成される(請求項1)。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention is shown in FIGS. 1 to 3 by attaching the same reference numerals to the portions corresponding to those in FIG. In the present invention, as shown in FIGS. 1 and 2, the black matrix BM is composed of a multilayer film including a MoO film and a Mo film which are non-polluting substances (claim 1).

【0013】なお、従来はCr膜またはCr/CrOの
多層膜が用いられていたものである。LCDとしてはカ
ラー表示(図1)、白黒表示(図2)の両方に適用でき
る。またアクティブ型のみならずパッシブ型にも適用で
きる。また、ライトシールド6として従来のCr膜の代
りに、非公害性の例えばMo膜が用いられる(請求項
2)。
Conventionally, a Cr film or a Cr / CrO multilayer film has been used. The LCD can be applied to both color display (FIG. 1) and monochrome display (FIG. 2). Further, it can be applied not only to the active type but also to the passive type. Further, as the write shield 6, a non-polluting Mo film, for example, is used instead of the conventional Cr film (claim 2).

【0014】ブラックマトリクスBMは、ガラス基板1
の内面に、Moをターゲットとして不活性ガスと酸素と
の混合ガスの雰囲気中でスパッタリングしてMoO膜を
形成し、次にその上にMoをターゲットとして不活性ガ
スの雰囲気中でスパッタリングしてMo膜を形成する。
なお表示画面を見る側にMoO膜、その裏面にMo膜を
配すことによって低反射率化を図ることができる。
The black matrix BM is a glass substrate 1.
On the inner surface of Mo to form a MoO film by sputtering in a mixed gas atmosphere of an inert gas and oxygen with Mo as a target, and then sputtering an MoO film on the MoO film in an atmosphere of an inert gas as a target. Form a film.
The reflectance can be lowered by disposing the MoO film on the side where the display screen is viewed and the Mo film on the back surface.

【0015】Mo/MoO多層膜の反射率は、膜厚、屈
折率、スパッタリング時の雰囲気ガスの圧力、酸素分
圧、ガス流量、試料基板の温度等によって制御できる。
この発明で用いるMo/MoO多層膜のボトム反射率は
図4に示すように、波長550〜700nmにおいて、
1〜2%と極めて小さい。従来のCr膜の反射率は50
〜60%であり、それを改良したCr/CrO多層膜の
それは1〜5%であるので、この発明は公害防止のみな
らず低反射率化の面でもかなりの改良となっている。
The reflectance of the Mo / MoO multilayer film can be controlled by the film thickness, refractive index, atmospheric gas pressure during sputtering, oxygen partial pressure, gas flow rate, sample substrate temperature and the like.
The bottom reflectance of the Mo / MoO multilayer film used in the present invention is as shown in FIG.
It is extremely small, 1-2%. The reflectivity of the conventional Cr film is 50
Since it is -60% and that of the improved Cr / CrO multilayer film is 1-5%, the present invention is considerably improved not only in pollution prevention but also in low reflectance.

【0016】Mo/MoO多層膜は非公害性であること
を除けばCr/CrO多層膜と似た光学的、電気的性質
をもっている。例えば両者とも光学密度(OD)は約
4、酸化膜屈折率は1.8 〜2.0 、シート抵抗は5〜10
Ωである。Mo/MoO多層膜による低反射率化の応用
として、白黒表示でアクティブ型LCDのライトシール
ド6やソース電極5s及びソースバス8へも適用できる
(請求項3,4)。
The Mo / MoO multilayer film has optical and electrical properties similar to those of the Cr / CrO multilayer film except that it is non-polluting. For example, both have an optical density (OD) of about 4, an oxide film refractive index of 1.8 to 2.0, and a sheet resistance of 5 to 10
Ω. As an application of lowering the reflectance by the Mo / MoO multilayer film, it can be applied to the light shield 6, the source electrode 5s and the source bus 8 of the active type LCD in monochrome display (claims 3 and 4).

【0017】図3ではライトシールド6がMo/MoO
多層膜で形成されている。従来、ソースバスの導電性を
薦めるために、ITO膜上にMo,Al,Cr等の金属
膜を形成する例があった。この発明ではITO/Mo/
MoOの多層膜によって、ソース電極及びソースバスの
高導電性化に加えて更に低反射率化を図ることができ
る。これにより、ソース電極5s及びソースバス8から
の反射がほとんど無くなり、表示品位を更に向上でき
る。
In FIG. 3, the light shield 6 is Mo / MoO.
It is formed of a multilayer film. Conventionally, there has been an example of forming a metal film of Mo, Al, Cr or the like on the ITO film in order to recommend the conductivity of the source bus. In this invention, ITO / Mo /
With the MoO multilayer film, the reflectance of the source electrode and the source bus can be further reduced in addition to the high conductivity. Thereby, the reflection from the source electrode 5s and the source bus 8 is almost eliminated, and the display quality can be further improved.

【0018】従来ブラックマトリクスBMにCr系を用
いた場合、既に述べたようにR,G,Bカラーフィルタ
を形成する際のR,G,Bのレジストが洗浄しても残渣
としてブラックマトリクス上に残り、その残渣がちり、
ほこりとなってセル内に残り、表示品位と歩留を低下さ
せていた。しかしこの発明ではCr系に代ってMo/M
oO複合膜を用いることによって、上述のようなレジス
トの残渣が発生せず、この残渣に起因する表示品位、歩
留の低下を防止できることが試作、実験によって確認さ
れている。
Conventionally, when a Cr-based black matrix is used for the black matrix BM, even if the R, G, B resists are washed when forming the R, G, B color filters, they remain on the black matrix as a residue, as already described. The rest, the residue dusts,
It became dust and remained in the cell, degrading the display quality and yield. However, in this invention, Mo / M is used instead of the Cr system.
It has been confirmed by trial manufacture and experiments that the use of the oO composite film does not generate the resist residue as described above and can prevent the deterioration of the display quality and the yield due to the residue.

【0019】[0019]

【発明の効果】 この発明ではブラックマトリクスBMやライトシー
ルド6として従来の公害性のCr/CrO多層膜やCr
膜の代りに、非公害性のMo/MoO多層膜やMo膜を
用いるようにしたので、LCDを廃棄した場合、ブラッ
クマトリクスやライトシールドによる公害の恐れはな
い。
According to the present invention, as the black matrix BM and the light shield 6, the conventional pollutant Cr / CrO multilayer film and Cr are used.
Since a non-polluting Mo / MoO multilayer film or Mo film is used instead of the film, there is no fear of pollution due to the black matrix or the light shield when the LCD is discarded.

【0020】 この発明ではブラックマトリクスBM
としてMo/MoO複合膜を用いたので、R,G,Bカ
ラーフィルタ形成時のR,G,Bのレジストの残渣が発
生せず、この残渣に起因する表示品位及び歩留の低下を
防止できる。 Mo/MoO多層膜は従来のCr膜やCr/CrO
多層膜に比較して低反射率であるので、ブラックマトリ
クスやライトシールドに用いることによって、視認性を
向上できる。
In the present invention, the black matrix BM
Since the Mo / MoO composite film is used as the above, no residue of R, G, and B resists is generated at the time of forming the R, G, and B color filters, and it is possible to prevent deterioration of display quality and yield due to this residue. . The Mo / MoO multilayer film is a conventional Cr film or Cr / CrO.
Since the reflectance is lower than that of the multilayer film, the visibility can be improved by using the black matrix or the light shield.

【0021】 白黒表示LCDのソース電極5s及び
ソースバス8として、ITO/Mo/MoOの複合膜を
用いた場合には、従来のCr等の金属膜/ITOの多層
膜に比べて、反射をほとんど無くすことができ、視認性
をいっそう向上できる。
When a composite film of ITO / Mo / MoO is used as the source electrode 5s and the source bus 8 of the monochrome display LCD, almost no reflection occurs as compared with the conventional metal film of Cr or the like / ITO multilayer film. It can be eliminated and the visibility can be further improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】Aは請求項1の発明の実施例(カラー表示でア
クティブ型)を示す断面図、BはAのTFTとその周辺
を拡大した断面図。
FIG. 1A is a sectional view showing an embodiment (active type in color display) of the invention of claim 1, and B is an enlarged sectional view of the TFT of A and its periphery.

【図2】Aは請求項1の発明の他の実施例(白黒表示で
アクティブ型)を示す断面図、BはAのTFTとその周
辺を拡大した断面図。
2A is a sectional view showing another embodiment (active type in black and white display) of the invention of claim 1, and FIG. 2B is an enlarged sectional view of the TFT of A and its periphery.

【図3】Aは請求項3及び4の発明の実施例を示す断面
図、BはAのTFTとその周辺を拡大した断面図。
FIG. 3A is a sectional view showing an embodiment of the invention of claims 3 and 4, and B is an enlarged sectional view of the TFT of A and its periphery.

【図4】この発明で使用するMo/MoO多層膜の反射
分光特性を示すグラフ。
FIG. 4 is a graph showing reflection spectral characteristics of a Mo / MoO multilayer film used in the present invention.

【図5】Aは従来のカラー表示でアクティブ型のLCD
の断面図、BはAのTFTとその周辺を拡大した断面
図。
FIG. 5A is a conventional color display active LCD.
FIG. 2B is an enlarged sectional view of the TFT of A and its periphery.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 対向する2枚のガラス基板の間に液晶が
封入され、その一方のガラス基板の内面にブラックマト
リクスが形成されているカラーまたは白黒表示で、アク
ティブまたはパッシブ型の液晶表示素子において、 前記ブラックマトリクスが、MoO膜とMo膜とより成
る多層膜で形成されていることを特徴とする液晶表示素
子。
1. An active or passive liquid crystal display device for color or monochrome display in which liquid crystal is sealed between two glass substrates facing each other and a black matrix is formed on the inner surface of one of the glass substrates. A liquid crystal display device, wherein the black matrix is formed of a multi-layer film including a MoO film and a Mo film.
【請求項2】 請求項1において、他方のガラス基板の
内面にTFTアレイが形成され、その各トランジスタを
遮光するライトシールドがMoにより形成されているこ
とを特徴とする液晶表示素子。
2. A liquid crystal display element according to claim 1, wherein a TFT array is formed on the inner surface of the other glass substrate, and a light shield for shielding each transistor is formed of Mo.
【請求項3】 対向する2枚のガラス基板の間に液晶が
封入され、その一方のガラス基板の内面に共通電極が形
成され、他方のガラス基板の内面にTFTアレイが形成
されている白黒表示の液晶表示素子において、 前記TFTアレイの各トランジスタを遮光するライトシ
ールドが、MoO膜とMo膜より成る多層膜で形成され
ていることを特徴とする液晶表示素子。
3. A monochrome display in which a liquid crystal is sealed between two glass substrates facing each other, a common electrode is formed on the inner surface of one of the glass substrates, and a TFT array is formed on the inner surface of the other glass substrate. 2. The liquid crystal display element according to the above item (1), wherein the light shield that shields each transistor of the TFT array is formed of a multilayer film including a MoO film and a Mo film.
【請求項4】 対向する2枚のガラス基板の間に液晶が
封入され、その一方のガラス基板の内面に共通電極が形
成され、他方のガラス基板の内面にTFTアレイが形成
されている白黒表示の液晶表示素子において、 前記TFTアレイのソース電極及びソースバスが、Mo
O膜とMo膜とITO膜より成る多層膜で形成されてい
ることを特徴とする液晶表示素子。
4. A monochrome display in which a liquid crystal is sealed between two glass substrates facing each other, a common electrode is formed on the inner surface of one of the glass substrates, and a TFT array is formed on the inner surface of the other glass substrate. In the liquid crystal display element of, the source electrode and the source bus of the TFT array are Mo.
A liquid crystal display element comprising a multi-layered film including an O film, a Mo film and an ITO film.
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Cited By (4)

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