JPH0955301A - 回路保護用正特性サーミスタ素子 - Google Patents
回路保護用正特性サーミスタ素子Info
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- JPH0955301A JPH0955301A JP7209588A JP20958895A JPH0955301A JP H0955301 A JPH0955301 A JP H0955301A JP 7209588 A JP7209588 A JP 7209588A JP 20958895 A JP20958895 A JP 20958895A JP H0955301 A JPH0955301 A JP H0955301A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 各々の電子機器部品の回路ごとに保護でき、
かつ正特性サーミスタ素子の設置場所を特に大きくする
ことなく、さらにコストを大幅にアップさせることのな
い回路保護用正特性サーミスタ素子を提供する。 【解決手段】 正特性サーミスタ素子基板１１と、少な
くともその基板１１の片面に設けられた電極とを有する
回路保護用正特性サーミスタ素子であって、基板１１片
面に設けられた電極１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃは少なくと
も２個以上の複数個設けられている。
かつ正特性サーミスタ素子の設置場所を特に大きくする
ことなく、さらにコストを大幅にアップさせることのな
い回路保護用正特性サーミスタ素子を提供する。 【解決手段】 正特性サーミスタ素子基板１１と、少な
くともその基板１１の片面に設けられた電極とを有する
回路保護用正特性サーミスタ素子であって、基板１１片
面に設けられた電極１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃは少なくと
も２個以上の複数個設けられている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電子機器部品の回
路を保護する正特性サーミスタ素子に関するもので、特
に自動車用の電子機器部品の回路を保護する正特性サー
ミスタ素子に関するものである。
路を保護する正特性サーミスタ素子に関するもので、特
に自動車用の電子機器部品の回路を保護する正特性サー
ミスタ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】回路保護サーミスタ素子として使用され
る正特性サーミスタ素子（以下ＰＴＣ素子という）は、
一般的に図１０に示すようにある一定の温度になると急
激に抵抗値が大きくなる特性、いわゆるトリップ温度を
有している。例えば、ＰＴＣ素子が持つ定格以上の電流
を素子に流した場合、その自己発熱により素子自身の温
度が上昇してトリップ温度に達すると急激に抵抗が大き
くなり電流を殆ど通電しなくなる、いわゆるトリップ状
態となる。この特性を利用して、電子機器部品特に自動
車の電子機器部品の回路を保護することが考えられてい
る。従来、例えば、自動車の電子機器部品（モータ、ラ
ンプやスイッチ類）の回路保護としては、図１１に示す
ように１個のＰＴＣ素子で複数の電子機器部品を保護す
る方法や図１２に示すように複数のＰＴＣ素子を使用し
て各々の電子機器部品の回路を保護する方法が採用され
ている。
る正特性サーミスタ素子（以下ＰＴＣ素子という）は、
一般的に図１０に示すようにある一定の温度になると急
激に抵抗値が大きくなる特性、いわゆるトリップ温度を
有している。例えば、ＰＴＣ素子が持つ定格以上の電流
を素子に流した場合、その自己発熱により素子自身の温
度が上昇してトリップ温度に達すると急激に抵抗が大き
くなり電流を殆ど通電しなくなる、いわゆるトリップ状
態となる。この特性を利用して、電子機器部品特に自動
車の電子機器部品の回路を保護することが考えられてい
る。従来、例えば、自動車の電子機器部品（モータ、ラ
ンプやスイッチ類）の回路保護としては、図１１に示す
ように１個のＰＴＣ素子で複数の電子機器部品を保護す
る方法や図１２に示すように複数のＰＴＣ素子を使用し
て各々の電子機器部品の回路を保護する方法が採用され
ている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】図１１において、１は
バッテリ、２はスイッチ、３はランプ、４はモータ、５
０はＰＴＣ素子である。図１１に示すように１個のＰＴ
Ｃ素子５０で複数個の電子機器部品の回路を保護する方
法の場合、例えばモータ４が故障してその回路に異常に
ロック電流が流れるとＰＴＣ素子５０に流れる電流が増
加する。そして、ＰＴＣ素子５０が持つ定格以上の電流
が流れるとその自己発熱によりＰＴＣ素子５０自身の温
度が上昇してトリップ温度に達するとトリップ状態とな
り電流を殆ど通電しなくなる。その結果モータ４の回路
が保護されるが、同時に故障していないランプ３等にも
電流が流れなくなることになってしまうという問題が発
生する。
バッテリ、２はスイッチ、３はランプ、４はモータ、５
０はＰＴＣ素子である。図１１に示すように１個のＰＴ
Ｃ素子５０で複数個の電子機器部品の回路を保護する方
法の場合、例えばモータ４が故障してその回路に異常に
ロック電流が流れるとＰＴＣ素子５０に流れる電流が増
加する。そして、ＰＴＣ素子５０が持つ定格以上の電流
が流れるとその自己発熱によりＰＴＣ素子５０自身の温
度が上昇してトリップ温度に達するとトリップ状態とな
り電流を殆ど通電しなくなる。その結果モータ４の回路
が保護されるが、同時に故障していないランプ３等にも
電流が流れなくなることになってしまうという問題が発
生する。
【０００４】そこで、図１２に示すように複数のＰＴＣ
素子６０Ａ〜６０Ｃを使用して各々の電子機器部品の回
路を保護する方法が提案されている。図１２の場合は、
例えば、モータ４が故障してその回路に異常に電流が流
れるとＰＴＣ素子６０Ｂに流れる電流が増加する。そし
て、ＰＴＣ素子６０Ｂが持つ定格以上の電流が流れると
その自己発熱によりＰＴＣ素子６０Ｂ自身の温度が上昇
してトリップ温度に達するとトリップ状態となり電流を
殆ど通電しなくなる。その結果モータ４の回路が保護さ
れることになる。この際故障していない他の電子機器部
品の回路、例えばランプ３等はなんら影響を受けること
がないので、ＰＴＣ素子６０Ａ、６０Ｃは正常に通電し
てランプ３等も正常に作動することになる。
素子６０Ａ〜６０Ｃを使用して各々の電子機器部品の回
路を保護する方法が提案されている。図１２の場合は、
例えば、モータ４が故障してその回路に異常に電流が流
れるとＰＴＣ素子６０Ｂに流れる電流が増加する。そし
て、ＰＴＣ素子６０Ｂが持つ定格以上の電流が流れると
その自己発熱によりＰＴＣ素子６０Ｂ自身の温度が上昇
してトリップ温度に達するとトリップ状態となり電流を
殆ど通電しなくなる。その結果モータ４の回路が保護さ
れることになる。この際故障していない他の電子機器部
品の回路、例えばランプ３等はなんら影響を受けること
がないので、ＰＴＣ素子６０Ａ、６０Ｃは正常に通電し
てランプ３等も正常に作動することになる。
【０００５】上記のように、図１２の方法の場合は、各
々の電子機器部品の回路ごとにＰＴＣ素子を設けること
によって、他の電子機器部品の回路に影響を与えること
なくそれぞれの回路を保護できるので理想的な回路保護
となるが、各々の電子機器部品の回路ごとにＰＴＣ素子
を設けることは、ＰＴＣ素子の数が増える分その設置場
所が必要となるとともに、コスト的に非常に高価なもの
となってしまうという問題がある。
々の電子機器部品の回路ごとにＰＴＣ素子を設けること
によって、他の電子機器部品の回路に影響を与えること
なくそれぞれの回路を保護できるので理想的な回路保護
となるが、各々の電子機器部品の回路ごとにＰＴＣ素子
を設けることは、ＰＴＣ素子の数が増える分その設置場
所が必要となるとともに、コスト的に非常に高価なもの
となってしまうという問題がある。
【０００６】本発明は上記の課題を解決し、各々の電子
機器部品の回路ごとに保護でき、かつＰＴＣ素子の設置
場所を特に増やすことなく、さらにコストを大幅にアッ
プさせることもない回路保護用正特性サーミスタ素子を
提供することを目的とするものである。
機器部品の回路ごとに保護でき、かつＰＴＣ素子の設置
場所を特に増やすことなく、さらにコストを大幅にアッ
プさせることもない回路保護用正特性サーミスタ素子を
提供することを目的とするものである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の課題を解
決するために以下のような手段を有している。
決するために以下のような手段を有している。
【０００８】本発明のうち請求項１の回路保護用正特性
サーミスタ素子は、正特性サーミスタ素子基板と、少な
くともその片面に設けられた電極とを有する回路保護用
正特性サーミスタ素子であって、前記少なくとも基板片
面に設けられた電極は少なくとも２個以上の複数個設け
られていることを特徴とする。
サーミスタ素子は、正特性サーミスタ素子基板と、少な
くともその片面に設けられた電極とを有する回路保護用
正特性サーミスタ素子であって、前記少なくとも基板片
面に設けられた電極は少なくとも２個以上の複数個設け
られていることを特徴とする。
【０００９】本発明のうち請求項２の回路保護用正特性
サーミスタ素子は、複数個の電極が、隣合う電極間に溝
を有して正特性サーミスタ素子基板に設けられているこ
とを特徴とする。
サーミスタ素子は、複数個の電極が、隣合う電極間に溝
を有して正特性サーミスタ素子基板に設けられているこ
とを特徴とする。
【００１０】本発明のうち請求項３の回路保護用正特性
サーミスタ素子は、正特性サーミスタ素子基板が、高分
子材料をベースとしたもので、導電粒子をその内部に分
散させた構造であって、複数に形成された電極の部分の
厚み方向に存在する導電粒子の体積当たりの密度が、隣
り合う電極間の部分に存在する導電粒子の体積密度より
も大きいことを特徴とする。
サーミスタ素子は、正特性サーミスタ素子基板が、高分
子材料をベースとしたもので、導電粒子をその内部に分
散させた構造であって、複数に形成された電極の部分の
厚み方向に存在する導電粒子の体積当たりの密度が、隣
り合う電極間の部分に存在する導電粒子の体積密度より
も大きいことを特徴とする。
【００１１】本発明のうち請求項１の回路保護用正特性
サーミスタ素子によれば、少なくとも基板片面に設けら
れた電極は少なくとも２個以上の複数個設けられている
ので、複数の電極にそれぞれ電子機器部品の回路を接続
することによって、一個の回路保護用正特性サーミスタ
素子で２個以上の複数個の回路を保護することができ
る。
サーミスタ素子によれば、少なくとも基板片面に設けら
れた電極は少なくとも２個以上の複数個設けられている
ので、複数の電極にそれぞれ電子機器部品の回路を接続
することによって、一個の回路保護用正特性サーミスタ
素子で２個以上の複数個の回路を保護することができ
る。
【００１２】本発明のうち請求項２の回路保護用正特性
サーミスタ素子によれば、複数個の電極が、隣合う電極
間に溝を有しているので、この溝により溝がない場合に
比べてより狭い間隔で隣り合う電極を形成することがで
きる。すなわち電気的バイパス経路を重ならないように
することが可能となる。これらの正特性ＰＴＣ素子の電
気バイパスの経路は、電極間では任意の複数経路を取る
が、その経路をなるべく重ならないようにすることが１
個の正特性ＰＴＣ素子を複数個の正特性ＰＴＣ素子とし
て使用する場合には必要になる。またこの溝により熱伝
達の抵抗を大きくすることによって隣の電極の熱的影響
を少なくすることができる。例えば、当電極の隣の電極
に接続された回路が故障して、隣の電極がトリップ温度
に達し、トリップ状態となり電流を殆ど通電しなくなっ
た場合であっても、この溝により熱伝達の抵抗が大きい
ので隣の電極の熱的影響を受けることなく当電極は正常
に作動することになる。
サーミスタ素子によれば、複数個の電極が、隣合う電極
間に溝を有しているので、この溝により溝がない場合に
比べてより狭い間隔で隣り合う電極を形成することがで
きる。すなわち電気的バイパス経路を重ならないように
することが可能となる。これらの正特性ＰＴＣ素子の電
気バイパスの経路は、電極間では任意の複数経路を取る
が、その経路をなるべく重ならないようにすることが１
個の正特性ＰＴＣ素子を複数個の正特性ＰＴＣ素子とし
て使用する場合には必要になる。またこの溝により熱伝
達の抵抗を大きくすることによって隣の電極の熱的影響
を少なくすることができる。例えば、当電極の隣の電極
に接続された回路が故障して、隣の電極がトリップ温度
に達し、トリップ状態となり電流を殆ど通電しなくなっ
た場合であっても、この溝により熱伝達の抵抗が大きい
ので隣の電極の熱的影響を受けることなく当電極は正常
に作動することになる。
【００１３】本発明のうち請求項３の回路保護用正特性
サーミスタ素子によれば、正特性サーミスタ素子基板
が、高分子材料をベースとしたもので、導電粒子をその
内部に分散させた構造となっている。高分子材料をベー
スにしたポリマー系ＰＴＣ素子では、導電粒子の電気バ
イパス経路を通電時の熱により高分子材料が膨張してそ
のバイパス経路が切断されることで抵抗が上昇する。一
個の正特性サーミスタ素子基板に複数の電極を設け、隣
り合う電極間の導電粒子密度を粗にすることにより、電
気バイパス経路を分けることが可能になる。導電粒子密
度を零とすると電気バイパス経路を完全に分けることが
可能になる
サーミスタ素子によれば、正特性サーミスタ素子基板
が、高分子材料をベースとしたもので、導電粒子をその
内部に分散させた構造となっている。高分子材料をベー
スにしたポリマー系ＰＴＣ素子では、導電粒子の電気バ
イパス経路を通電時の熱により高分子材料が膨張してそ
のバイパス経路が切断されることで抵抗が上昇する。一
個の正特性サーミスタ素子基板に複数の電極を設け、隣
り合う電極間の導電粒子密度を粗にすることにより、電
気バイパス経路を分けることが可能になる。導電粒子密
度を零とすると電気バイパス経路を完全に分けることが
可能になる
【００１４】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態をより
詳細に説明する。なお、従来のものと同様のものについ
ては、従来のものと同符号を付して詳細な説明は省略す
る。
詳細に説明する。なお、従来のものと同様のものについ
ては、従来のものと同符号を付して詳細な説明は省略す
る。
【００１５】（実施の形態１）図１（イ）、（ロ）は、
本発明の回路保護用正特性サーミスタ素子の一実施例を
示すもので、ＰＴＣ素子１０には、正特性サーミスタ素
子基板（以下ＰＴＣ素子基板という）１１の一方の面に
共通電極１２が設けられ、他方の面に３個の個別の電極
１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃが所定の隙間Ｓを有して設けら
れている。ＰＴＣ素子基板１１は、例えばポリエチレン
等の高分子材料１１Ａをベースにしたポリマー系正特性
サーミスタ素子で、高分子材料のベース内にカーボン等
の導電粒子１１Ｂが所定の割合で配合されたものであ
る。共通電極１２および個別の電極１３Ａ、１３Ｂ、１
３Ｃは、例えばニッケル箔をＰＴＣ素子基板１１に熱溶
着で固着したものである。
本発明の回路保護用正特性サーミスタ素子の一実施例を
示すもので、ＰＴＣ素子１０には、正特性サーミスタ素
子基板（以下ＰＴＣ素子基板という）１１の一方の面に
共通電極１２が設けられ、他方の面に３個の個別の電極
１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃが所定の隙間Ｓを有して設けら
れている。ＰＴＣ素子基板１１は、例えばポリエチレン
等の高分子材料１１Ａをベースにしたポリマー系正特性
サーミスタ素子で、高分子材料のベース内にカーボン等
の導電粒子１１Ｂが所定の割合で配合されたものであ
る。共通電極１２および個別の電極１３Ａ、１３Ｂ、１
３Ｃは、例えばニッケル箔をＰＴＣ素子基板１１に熱溶
着で固着したものである。
【００１６】個別の電極１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃの形状
は、接続する電子機器部品の電流容量に応じその電極面
積を変えることにより得られる。すなわち、電極面積を
大きくすれば定格の大きな電流容量にすることができ、
また電極面積を小さくすれば定格の小さい電流容量にす
ることができ、適宜、接続される電子機器部品の電流容
量にあった電極面積を設定することで、最適なものが得
られる。共通電極１２および個別の電極１３Ａ、１３
Ｂ、１３Ｃには、それぞれ例えば真鍮等の銅合金からな
る共通リード端子１４および個別のリード端子１５Ａ、
１５Ｂ、１５Ｃが固着されている。
は、接続する電子機器部品の電流容量に応じその電極面
積を変えることにより得られる。すなわち、電極面積を
大きくすれば定格の大きな電流容量にすることができ、
また電極面積を小さくすれば定格の小さい電流容量にす
ることができ、適宜、接続される電子機器部品の電流容
量にあった電極面積を設定することで、最適なものが得
られる。共通電極１２および個別の電極１３Ａ、１３
Ｂ、１３Ｃには、それぞれ例えば真鍮等の銅合金からな
る共通リード端子１４および個別のリード端子１５Ａ、
１５Ｂ、１５Ｃが固着されている。
【００１７】このＰＴＣ素子１０は、導電粒子の電気バ
イパス経路が過電流の熱により高分子材料が膨張してそ
のバイパス経路が切断されることで抵抗が上昇してトリ
ップ状態となり電流を殆ど通電しなくなるものである。
イパス経路が過電流の熱により高分子材料が膨張してそ
のバイパス経路が切断されることで抵抗が上昇してトリ
ップ状態となり電流を殆ど通電しなくなるものである。
【００１８】図２は、ＰＴＣ素子１０の電気バイパス経
路の模式図を示すもので、それぞれ個別の電極１３Ａ、
１３Ｂ、１３Ｃは隣の電極の電気バイパス経路とは独立
になっている。
路の模式図を示すもので、それぞれ個別の電極１３Ａ、
１３Ｂ、１３Ｃは隣の電極の電気バイパス経路とは独立
になっている。
【００１９】上記のＰＴＣ素子１０の使用法の一例を図
３に示す。ＰＴＣ素子１０の共通電極１２に固着された
共通リード端子１４は、バッテリ１に接続され、個別の
電極１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃに固着されたリード端子１
５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃは、それぞれスイッチ２Ａ、２
Ｂ、２Ｃを介してランプ３およびモータ４等に接続され
ている。上記の状態で、例えば、モータ４が故障してそ
の回路に異常に電流が流れるとＰＴＣ素子基板１１に流
れる電流が増加するが、それは電極１２と１３Ｂ間の電
気バイパス経路についてであって、他の電極１２と１３
Ａ間または電極１２と１３Ｃ間の電気バイパス経路につ
いてはそれぞれの回路は正常であるので電流が増加する
ことはない。
３に示す。ＰＴＣ素子１０の共通電極１２に固着された
共通リード端子１４は、バッテリ１に接続され、個別の
電極１３Ａ、１３Ｂ、１３Ｃに固着されたリード端子１
５Ａ、１５Ｂ、１５Ｃは、それぞれスイッチ２Ａ、２
Ｂ、２Ｃを介してランプ３およびモータ４等に接続され
ている。上記の状態で、例えば、モータ４が故障してそ
の回路に異常に電流が流れるとＰＴＣ素子基板１１に流
れる電流が増加するが、それは電極１２と１３Ｂ間の電
気バイパス経路についてであって、他の電極１２と１３
Ａ間または電極１２と１３Ｃ間の電気バイパス経路につ
いてはそれぞれの回路は正常であるので電流が増加する
ことはない。
【００２０】従って、電極１２と１３Ｂ間の電気バイパ
ス経路については、定格以上の電流が流れるとその自己
発熱により電極１２と１３Ｂ間の電気バイパス経路の温
度が上昇してトリップ温度に達すると電極１２と１３Ｂ
間の電気バイパス経路がトリップ状態となり電流を殆ど
通電しなくなる。その結果モータ４の回路が保護される
ことになる。この際故障していない他の電子機器部品の
回路、例えばランプ３等は正常であるので、他の電極１
２と１３Ａ間または電極１２と１３Ｃ間の電気バイパス
経路については正常に通電してランプ３等も正常に作動
することになる。
ス経路については、定格以上の電流が流れるとその自己
発熱により電極１２と１３Ｂ間の電気バイパス経路の温
度が上昇してトリップ温度に達すると電極１２と１３Ｂ
間の電気バイパス経路がトリップ状態となり電流を殆ど
通電しなくなる。その結果モータ４の回路が保護される
ことになる。この際故障していない他の電子機器部品の
回路、例えばランプ３等は正常であるので、他の電極１
２と１３Ａ間または電極１２と１３Ｃ間の電気バイパス
経路については正常に通電してランプ３等も正常に作動
することになる。
【００２１】（実施の形態２）図４（イ）、（ロ）は、
本発明の回路保護用正特性サーミスタ素子の他の実施例
を示すもので、図４のＰＴＣ素子２０は、ＰＴＣ素子基
板２１の一方の面に２個の電極２２Ａ、２２Ｂが設けら
れ、他方の面に３個の個別の電極２３Ａ、２２Ｂ、２２
Ｃが所定の隙間を有して設けられている。電極２２Ａに
はリード端子２４Ａが、電極２２Ｂには共通のリード端
子２４Ｂが設けられている。電極２３Ａ、２３Ｂ、２３
Ｃには、それぞれ個別のリード端子２５Ａ、２５Ｂ、２
５Ｃが固着されている。
本発明の回路保護用正特性サーミスタ素子の他の実施例
を示すもので、図４のＰＴＣ素子２０は、ＰＴＣ素子基
板２１の一方の面に２個の電極２２Ａ、２２Ｂが設けら
れ、他方の面に３個の個別の電極２３Ａ、２２Ｂ、２２
Ｃが所定の隙間を有して設けられている。電極２２Ａに
はリード端子２４Ａが、電極２２Ｂには共通のリード端
子２４Ｂが設けられている。電極２３Ａ、２３Ｂ、２３
Ｃには、それぞれ個別のリード端子２５Ａ、２５Ｂ、２
５Ｃが固着されている。
【００２２】図５にＰＴＣ素子２０の使用例を示す。こ
のようにＰＴＣ素子基板２１のそれぞれの面に複数の電
極が設けられていると図５に示すように異なるバッテリ
１Ａ、１Ｂに接続することが可能となり、各電極間の電
気バイパス経路がより分離される。なお図５において図
２と同様のものには同様の符号を付して詳細な説明を省
略する。
のようにＰＴＣ素子基板２１のそれぞれの面に複数の電
極が設けられていると図５に示すように異なるバッテリ
１Ａ、１Ｂに接続することが可能となり、各電極間の電
気バイパス経路がより分離される。なお図５において図
２と同様のものには同様の符号を付して詳細な説明を省
略する。
【００２３】（実施の形態３）図６は、ＰＴＣ素子基板
３１の他の例を示すもので、隣合う電極３３Ａ、３３
Ｂ、３３Ｃの隙間に溝３６が形成されたもので、このよ
うに溝３６が形成されていると図７に示す電気バイパス
経路の模式図のように電極３２と各電極３３Ａ、３３
Ｂ、３３Ｃ間の電気バイパス経路がより分離されるとと
もに、隣合う電極の熱的影響を避けることが可能とな
る。なお、溝の形状は矩形の溝に限るものではなくＶ溝
等適宜の形状でもよい。
３１の他の例を示すもので、隣合う電極３３Ａ、３３
Ｂ、３３Ｃの隙間に溝３６が形成されたもので、このよ
うに溝３６が形成されていると図７に示す電気バイパス
経路の模式図のように電極３２と各電極３３Ａ、３３
Ｂ、３３Ｃ間の電気バイパス経路がより分離されるとと
もに、隣合う電極の熱的影響を避けることが可能とな
る。なお、溝の形状は矩形の溝に限るものではなくＶ溝
等適宜の形状でもよい。
【００２４】（実施の形態４）図８は、ＰＴＣ素子基板
３１のさらに他の例を示す模式図で、隣合う電極の隙間
の部分の高分子材料１１Ａのベース内の単位当たりの導
電粒子１１Ｂの密度を粗にしたものである。このように
することにより、電気バイパス経路を分けることが可能
になる。導電粒子１１Ｂの密度を零とすると図９に示す
模式図のように電気バイパス経路を完全に分けることが
可能になる。
３１のさらに他の例を示す模式図で、隣合う電極の隙間
の部分の高分子材料１１Ａのベース内の単位当たりの導
電粒子１１Ｂの密度を粗にしたものである。このように
することにより、電気バイパス経路を分けることが可能
になる。導電粒子１１Ｂの密度を零とすると図９に示す
模式図のように電気バイパス経路を完全に分けることが
可能になる。
【００２５】（実施の形態５）上記各実施例において、
ＰＴＣ素子基板として、例えばポリエチレン等の高分子
材料をベースにし、この高分子材料のベース内にカーボ
ン等の導電粒子が所定の割合で配合したものを使用した
が、ＰＴＣ素子基板として、例えばＢａＴｉＯ 3 を主成
分とした焼結体で形成したいわゆる酸化物半導体セラミ
ックスからなる正特性サーミスタ素子でもポリマー系正
特性サーミスタ素子と同様に使用することができる。酸
化物半導体セラミックスからなる正特性サーミスタ素子
の場合は、温度上昇と共に結晶構造が変化することで抵
抗値が上昇してトリップ状態となり電流を殆ど通電しな
くなるものである。
ＰＴＣ素子基板として、例えばポリエチレン等の高分子
材料をベースにし、この高分子材料のベース内にカーボ
ン等の導電粒子が所定の割合で配合したものを使用した
が、ＰＴＣ素子基板として、例えばＢａＴｉＯ 3 を主成
分とした焼結体で形成したいわゆる酸化物半導体セラミ
ックスからなる正特性サーミスタ素子でもポリマー系正
特性サーミスタ素子と同様に使用することができる。酸
化物半導体セラミックスからなる正特性サーミスタ素子
の場合は、温度上昇と共に結晶構造が変化することで抵
抗値が上昇してトリップ状態となり電流を殆ど通電しな
くなるものである。
【００２６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明の請求項１の
回路保護用正特性サーミスタ素子によれば、少なくとも
基板片面に設けられた電極は少なくとも２個以上の複数
個設けられているので、複数の電極にそれぞれ電子機器
部品の回路を接続することによって、一個の回路保護用
正特性サーミスタ素子で２個以上の複数個の回路を保護
することができる。勿論、素子は１個でも可能となるの
で素子の設置場所を特に大きくすることなく、またコス
トを大幅にアップさせることもない。
回路保護用正特性サーミスタ素子によれば、少なくとも
基板片面に設けられた電極は少なくとも２個以上の複数
個設けられているので、複数の電極にそれぞれ電子機器
部品の回路を接続することによって、一個の回路保護用
正特性サーミスタ素子で２個以上の複数個の回路を保護
することができる。勿論、素子は１個でも可能となるの
で素子の設置場所を特に大きくすることなく、またコス
トを大幅にアップさせることもない。
【００２７】本発明の請求項２の回路保護用正特性サー
ミスタ素子によれば、複数個の電極が、隣合う電極間に
溝を有しているので、この溝により溝がない場合に比べ
てより狭い間隔で隣り合う電極を形成することができ
る。すなわち電気的バイパス経路を重ならないようにす
ることが可能となる。またこの溝により熱伝達の抵抗を
大きくすることによって隣の電極の熱的影響を少なくす
ることができる。
ミスタ素子によれば、複数個の電極が、隣合う電極間に
溝を有しているので、この溝により溝がない場合に比べ
てより狭い間隔で隣り合う電極を形成することができ
る。すなわち電気的バイパス経路を重ならないようにす
ることが可能となる。またこの溝により熱伝達の抵抗を
大きくすることによって隣の電極の熱的影響を少なくす
ることができる。
【００２８】本発明の請求項３の回路保護用正特性サー
ミスタ素子によれば、正特性サーミスタ素子基板が、高
分子材料をベースとしたもので、導電粒子をその内部に
分散させた構造となっている。一個の正特性サーミスタ
素子基板に複数の電極を設け、隣り合う電極間の導電粒
子密度を粗にすることにより、電気バイパス経路を分け
ることが可能になる。導電粒子密度を零とすると電気バ
イパス経路を完全に分けることが可能になる
ミスタ素子によれば、正特性サーミスタ素子基板が、高
分子材料をベースとしたもので、導電粒子をその内部に
分散させた構造となっている。一個の正特性サーミスタ
素子基板に複数の電極を設け、隣り合う電極間の導電粒
子密度を粗にすることにより、電気バイパス経路を分け
ることが可能になる。導電粒子密度を零とすると電気バ
イパス経路を完全に分けることが可能になる
【図１】（イ）、（ロ）は、本発明の回路保護用正特性
サーミスタ素子の一実施例を示す斜視図である。
サーミスタ素子の一実施例を示す斜視図である。
【図２】図１の回路保護用正特性サーミスタ素子の電気
バイパス経路の模式図である。
バイパス経路の模式図である。
【図３】図１の回路保護用正特性サーミスタ素子の使用
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図４】（イ）、（ロ）は、本発明の回路保護用正特性
サーミスタ素子の他の実施例を示す斜視図である。
サーミスタ素子の他の実施例を示す斜視図である。
【図５】図４の回路保護用正特性サーミスタ素子の使用
例を示す説明図である。
例を示す説明図である。
【図６】本発明の回路保護用正特性サーミスタ素子のそ
の他の実施例に使用されるＰＴＣ素子基板を示す斜視図
である。
の他の実施例に使用されるＰＴＣ素子基板を示す斜視図
である。
【図７】図６の回路保護用正特性サーミスタ素子の電気
バイパス経路の模式図である。
バイパス経路の模式図である。
【図８】本発明の回路保護用正特性サーミスタ素子のさ
らにその他の実施例に使用されるＰＴＣ素子基板を示す
模式図である。
らにその他の実施例に使用されるＰＴＣ素子基板を示す
模式図である。
【図９】図８の回路保護用正特性サーミスタ素子の電気
バイパス経路の模式図である。
バイパス経路の模式図である。
【図１０】正特性サーミスタ素子の抵抗と温度の関係を
示す説明図である。
示す説明図である。
【図１１】従来の電子機器部品の保護方法の一例を示す
説明図である。
説明図である。
【図１２】従来の電子機器部品の保護方法の一例を示す
説明図である。
説明図である。
１０ 正特性サーミスタ素子 １１ 正特性サーミスタ素子基板 １１Ａ 高分子材料 １１Ｂ 導電粒子 １２ 共通電極 １３Ａ 電極 １３Ｂ 電極 １３Ｃ 電極 Ｓ 電極間の隙間
Claims (3)
- 【請求項１】 正特性サーミスタ素子基板と、少なくと
もその基板片面に設けられた電極とを有する回路保護用
正特性サーミスタ素子であって、前記少なくとも基板片
面に設けられた電極は少なくとも２個以上の複数個設け
られていることを特徴とする回路保護用正特性サーミス
タ素子。 - 【請求項２】 複数個の電極は、隣合う電極間に溝を有
して正特性サーミスタ素子基板に設けられていることを
特徴とする請求項１記載の回路保護用正特性サーミスタ
素子。 - 【請求項３】 正特性サーミスタ素子基板は、高分子材
料をベースとしたもので、導電粒子をその内部に分散さ
せた構造であって、複数に形成された電極の部分の厚み
方向に存在する導電粒子の体積当たりの密度が、隣り合
う電極間の部分に存在する導電粒子の体積密度よりも大
きいことを特徴とする請求項１または請求項２記載の回
路保護用正特性サーミスタ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7209588A JPH0955301A (ja) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | 回路保護用正特性サーミスタ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7209588A JPH0955301A (ja) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | 回路保護用正特性サーミスタ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0955301A true JPH0955301A (ja) | 1997-02-25 |
Family
ID=16575324
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7209588A Pending JPH0955301A (ja) | 1995-08-17 | 1995-08-17 | 回路保護用正特性サーミスタ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0955301A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7609142B2 (en) | 2003-09-22 | 2009-10-27 | Tyco Electronics Raychem K.K. | Thermistor |
-
1995
- 1995-08-17 JP JP7209588A patent/JPH0955301A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7609142B2 (en) | 2003-09-22 | 2009-10-27 | Tyco Electronics Raychem K.K. | Thermistor |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |