JPH0951121A - Light semiconductor device and its manufacture - Google Patents

Light semiconductor device and its manufacture

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JPH0951121A
JPH0951121A JP19975395A JP19975395A JPH0951121A JP H0951121 A JPH0951121 A JP H0951121A JP 19975395 A JP19975395 A JP 19975395A JP 19975395 A JP19975395 A JP 19975395A JP H0951121 A JPH0951121 A JP H0951121A
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  • Led Device Packages (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce a packaging area by miniaturizing a photo-coupling semiconductor device. SOLUTION: A light emitting element 21 is die-bonded onto a lead 12 and a light emitting element 32 is wire-bonded to a lead part 23a which is formed in one piece with the lead 12 while being insulated by an insulator 31 by a wire 33. A light reception element 34 is die-bonded to another lead 12 and the light reception element 34 wirebonded to a lead part 23a which is formed in one piece with the lead 12 while being insulated by the insulator 31 by a wire 35. The light emitting element 32 and the light reception element 34 are optically coupled by an inner package 36 and the inner package 36 is molded by an outer package 37. Each lead 12 is partially extended to the outside from the outer package 37 and the surface of each lead part 23a is exposed from the surface of the outer package 37.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、発光半導体装置、
受光半導体装置、光結合半導体装置等の光半導体装置お
よびその製造方法に関する。
The present invention relates to a light emitting semiconductor device,
The present invention relates to an optical semiconductor device such as a light receiving semiconductor device and an optically coupled semiconductor device, and a manufacturing method thereof.

【0002】[0002]

【従来の技術】入力される電気信号を発光素子によって
光信号に変換して、その光信号を受光素子によって受光
して電気信号に変換する光結合半導体装置では、入力側
と出力側とが電気的に絶縁された状態で電気信号を伝達
することができる。
2. Description of the Related Art In an optically coupled semiconductor device in which an input electric signal is converted into an optical signal by a light emitting element and the optical signal is received by a light receiving element and converted into an electric signal, an input side and an output side are electrically connected. The electrical signal can be transmitted in a physically insulated state.

【0003】このような光結合半導体装置の一例を図1
8に示す。この光結合半導体装置は、発光素子61が導
電ペーストによって先端部にダイボンドされたリード6
2と、受光素子63が導電ペーストによって先端部にダ
イボンドされたリード64と、発光素子61および受光
素子63をモールドする透光性樹脂製のインナーパッケ
ージ68と、インナーパッケージ68をモールドする遮
光製樹脂製のアウターパッケージ69とを有している。
An example of such an optically coupled semiconductor device is shown in FIG.
8 shows. In this optically coupled semiconductor device, a lead 6 in which a light emitting element 61 is die-bonded to a tip end portion by a conductive paste
2, a lead 64 to which the light receiving element 63 is die-bonded to the tip by a conductive paste, an inner package 68 made of a light-transmissive resin for molding the light emitting element 61 and the light receiving element 63, and a light-shielding resin for molding the inner package 68. And an outer package 69 made of the same.

【0004】発光素子61と受光素子63とは、光学的
に結合するように相互に対向した状態になっており、発
光素子61から発せられる光が、受光素子63によって
受光されるようになっている。各リード62および64
は、インナーパッケージ68およびアウターパッケージ
69から、同一平面内に位置した状態で外部へ相互に異
なる方向に延出しており、発光素子61および受光素子
63とが適当な絶縁間隔があけられるようにそれぞれ屈
曲されている。
The light emitting element 61 and the light receiving element 63 are in a state of facing each other so as to be optically coupled, and the light emitted from the light emitting element 61 is received by the light receiving element 63. There is. Each lead 62 and 64
Extend in different directions from the inner package 68 and the outer package 69 to the outside in a state of being located in the same plane so that the light emitting element 61 and the light receiving element 63 are respectively provided with appropriate insulation intervals. It is bent.

【0005】発光素子61は、リード62の側方に並ん
で配置されたリード(図示せず)と、金線等によって構
成されたボンディングワイヤー65によってワイヤーボ
ンドされており、発光素子61は、インナーパッケージ
68による応力を緩和するために、シリコーン樹脂等の
透光性樹脂66によって、ボンディングワイヤー65と
ともにモールドされている。
The light emitting element 61 is wire-bonded to a lead (not shown) arranged side by side to the lead 62 by a bonding wire 65 made of a gold wire or the like. In order to relieve the stress caused by the package 68, it is molded together with the bonding wire 65 by a translucent resin 66 such as a silicone resin.

【0006】受光素子63も、リード64の側方に並ん
で配置されたリード(図示せず)と、金線等によって構
成されたボンディングワイヤー67によってワイヤーボ
ンドされている。
The light receiving element 63 is also wire-bonded to a lead (not shown) arranged side by side with the lead 64 by a bonding wire 67 formed of a gold wire or the like.

【0007】各リード62および64は、前述したよう
に、インナーパッケージ68およびアウターパッケージ
69から、それぞれ異なる方向に延出しており、各リー
ド62および64の側方に並んで配置されてボンディン
グワイヤー65および67が接続された各リードも、イ
ンナーパッケージ68およびアウターパッケージ69か
ら、それぞれ異なる方向に外部に延出している。
As described above, the leads 62 and 64 extend in different directions from the inner package 68 and the outer package 69, respectively, and are arranged side by side on the leads 62 and 64 to form the bonding wire 65. The leads to which 67 and 67 are connected also extend outward from the inner package 68 and the outer package 69 in different directions.

【0008】このような光結合半導体装置は次のように
製造される。一対のリードフレームを準備して、各リー
ドフレームの各リードを予め屈曲成形する。このような
状態で、一方のリードフレームのリード62の先端部上
に、発光素子61を導電ペーストによってダイボンドす
るとともに、他方のリードフレームのリード64の先端
部上に、受光素子63を導電ペーストによってダイボン
ドする。そして、発光素子61を、金線等のボンディン
グワイヤー65によって、各リード62の側方に配置さ
れたリードにワイヤーボンドするともに、受光素子63
を、金線等のボンディングワイヤー67によって、各リ
ード64の側方に配置されたリードにワイヤーボンドす
る。その後、発光素子61に対する応力を緩和するため
に、シリコーン樹脂等の透光性樹脂66を発光素子61
の周囲にプリコートする。
Such an optically coupled semiconductor device is manufactured as follows. A pair of lead frames is prepared, and each lead of each lead frame is bent and formed in advance. In this state, the light emitting element 61 is die-bonded to the tip portion of the lead 62 of one lead frame by a conductive paste, and the light receiving element 63 is attached to the tip portion of the lead 64 of the other lead frame by a conductive paste. Die bond. Then, the light emitting element 61 is wire-bonded to the lead arranged on the side of each lead 62 by a bonding wire 65 such as a gold wire, and the light receiving element 63 is also provided.
Are wire-bonded to the leads arranged on the sides of each lead 64 by a bonding wire 67 such as a gold wire. After that, in order to relieve the stress on the light emitting element 61, a translucent resin 66 such as a silicone resin is applied to the light emitting element 61.
Pre-coat around.

【0009】このような状態で、発光素子61および受
光素子63がそれぞれダイボンドされた各リードフレー
ムを、スポット溶接により、あるいはローディングフレ
ームセットにより、発光素子61および半導体受光素子
63が、光学的に結合するように相互に対向させる。そ
して、発光素子61および受光素子63が光学的に結合
された状態で固定されるように、透光性エポキシ樹脂等
によって1次トランスファーモールドを行い、インナー
パッケージ68を形成する。そして、形成されたインナ
ーパッケージ68のバリ取り処理を施した後に、遮光性
エポキシ樹脂等によって2次トランスファーモールドを
行い、アウターパッケージ69を形成する。
In such a state, the light emitting element 61 and the semiconductor light receiving element 63 are optically coupled to each other by spot welding the lead frames to which the light emitting element 61 and the light receiving element 63 are die-bonded, or by a loading frame set. So that they face each other. Then, primary transfer molding is performed using a translucent epoxy resin or the like so that the light emitting element 61 and the light receiving element 63 are fixed in an optically coupled state, and an inner package 68 is formed. Then, after deburring the formed inner package 68, secondary transfer molding is performed using a light-shielding epoxy resin or the like to form the outer package 69.

【0010】その後、各リードフレームを外装メッキし
て、不要なタイバー等をカットし、さらに、各リード6
2および64を外部端子とするために所定形状にフォー
ミングする。そして、発光素子61が設けられたリード
62と受光素子63が設けられたリード64との間の絶
縁性を評価するための絶縁耐圧試験、電気特性検査、外
観検査、梱包工程を経て、図18に示す半導体光結合装
置とされる。
After that, each lead frame is externally plated to remove unnecessary tie bars, and each lead 6
Forming into a predetermined shape so that 2 and 64 serve as external terminals. Then, through a withstand voltage test for evaluating the insulation between the lead 62 provided with the light emitting element 61 and the lead 64 provided with the light receiving element 63, an electrical characteristic inspection, an appearance inspection, and a packaging process, FIG. The semiconductor optical coupling device shown in FIG.

【0011】図19は、光結合半導体装置の他の例を示
す断面図である。この光結合半導体装置は、図18に示
す光結合半導体装置を製造する際に、発光素子61を透
光性樹脂66にてモールドすることなく、シリコーン樹
脂等の透光性樹脂を発光素子61と受光素子63との間
に注入し光学的に一体的に結合するインナーパッケージ
71を形成して、遮光性エポキシ樹脂による2次トラン
スファーモールドによってアウターパッケージ72を形
成したものであり、その他の構成は、図18に示す光結
合半導体装置と同様になっている。
FIG. 19 is a sectional view showing another example of the optically coupled semiconductor device. In this optically coupled semiconductor device, when the optically coupled semiconductor device shown in FIG. 18 is manufactured, a light transmissive resin such as a silicone resin is used as the light emitting element 61 without molding the light emitting element 61 with the light transmissive resin 66. An inner package 71 that is injected into the light receiving element 63 and optically coupled integrally is formed, and an outer package 72 is formed by secondary transfer molding using a light-shielding epoxy resin. Other configurations are as follows. It is similar to the optically coupled semiconductor device shown in FIG.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】これらの従来の光結合
半導体装置では、発光素子61および受光素子63がそ
れぞれダイボンドされた各リード62および64と、発
光素子61および受光素子63にワイヤーボンドされた
各リードとが、横方向に並んだ状態になっているため
に、装置全体が大型になっており、外部端子となる各リ
ードの存在によって実装面積も大きくなるという問題が
ある。最近では、電子機器、電子装置の小型化および高
付加価値化が特に要望されており、光結合半導体装置
も、実装面積が小さくなるように小型化することが望ま
れている。
In these conventional optical coupling semiconductor devices, the light emitting element 61 and the light receiving element 63 are die-bonded to the leads 62 and 64, respectively, and the light emitting element 61 and the light receiving element 63 are wire-bonded to each other. Since the leads are arranged side by side in the lateral direction, the size of the entire device is large, and the presence of the leads serving as external terminals also increases the mounting area. Recently, there has been a particular demand for downsizing and high added value of electronic devices and electronic devices, and it is also desired to downsize the optically coupled semiconductor device so that the mounting area becomes small.

【0013】本発明は、このような問題を解決するもの
であり、その目的は、小型であって実装面積の小さな光
半導体装置およびその製造方法を提供することにある。
The present invention solves such a problem, and an object thereof is to provide an optical semiconductor device having a small size and a small mounting area, and a manufacturing method thereof.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明の光半導体装置
は、発光素子および受光素子が光学的に結合した状態で
それぞれダイボンドされた一対の第1導電体と、各第1
導電体に対して絶縁状態でそれぞれが一体になってお
り、前記発光素子および受光素子とそれぞれボンディン
グワイヤーよってワイヤーボンドされた一対の第2導電
体と、前記発光素子および受光素子を、光学的に結合し
た状態で、各ボンディングワイヤーとともにモールドす
る透光性樹脂製のインナーパッケージと、そのインナー
パッケージをモールドするアウターパッケージと、を具
備し、いずれか一方の一対の導電体の一部がアウターパ
ッケージからそれぞれ外部に延出するとともに、他方の
一対の導電体の表面がアウターパッケージの表面から露
出していることを特徴とするものである。
An optical semiconductor device of the present invention includes a pair of first conductors that are die-bonded in a state in which a light emitting element and a light receiving element are optically coupled, and a first first conductor.
The light emitting element and the light receiving element are optically integrated with each other, and are paired with the light emitting element and the light receiving element by wire bonding with a bonding wire. It is equipped with an inner package made of translucent resin that is molded together with each bonding wire in a bonded state, and an outer package that molds the inner package. A part of one of the pair of conductors is separated from the outer package. Each of the pair of conductors extends to the outside and the surfaces of the other pair of conductors are exposed from the surface of the outer package.

【0015】前記各第1導電体および各第2導電体は、
基板に相互に絶縁状態で層配線された導電性パターンで
ある。
The first conductors and the second conductors are
The conductive pattern is layered on the substrate in an insulated state.

【0016】また、本発明の光半導体装置は、このよう
な光半導体装置を複数有しており、隣接する光半導体装
置のいずれかの導電体同士が一体になっている。
The optical semiconductor device of the present invention has a plurality of such optical semiconductor devices, and the conductors of any of the adjacent optical semiconductor devices are integrated.

【0017】さらに、本発明の光半導体装置は、発光素
子および受光素子のいずれか一方の光半導体素子がダイ
ボンドされた第1導電体と、この第1導電体に対して絶
縁状態で一体になっており、前記光半導体素子とボンデ
ィングワイヤーよってワイヤーボンドされた第2導電体
と、いずれか一方の一対の導電体の一部が外部に延出す
るように、前記光半導体素子およびボンディングワイヤ
ーをモールドする透光性樹脂製のパッケージと、を具備
し、他方の一対の導電体の表面がパッケージの表面から
露出していることを特徴とする。
Furthermore, the optical semiconductor device of the present invention is integrated with a first conductor, to which one of the light emitting element and the light receiving element is die-bonded, in an insulated state with respect to the first conductor. The optical semiconductor element and the bonding wire are molded such that the second conductor wire-bonded to the optical semiconductor element by a bonding wire and a part of one of the pair of conductors extend to the outside. And a package made of a translucent resin, the surfaces of the other pair of conductors being exposed from the surface of the package.

【0018】本発明の光半導体装置の製造方法は、一対
の導電体が絶縁された状態で一体化された基体の一方の
導電体に発光素子をダイボンドするとともに、その発光
素子を他方の導電体にワイヤーボンドする工程と、一対
の導電体が絶縁された状態で一体化された他の基体の一
方の導電体に受光素子をダイボンドするとともに、その
受光素子を他方の導電体にボンディングワイヤーによっ
てワイヤーボンドする工程と、発光素子および受光素子
が光学的に結合するように各基体同士を配置して、透光
性樹脂によって、発光素子および受光素子をボンディン
グワイヤーとともにモールドしてインナーパッケージを
形成する工程と、各基体の一方の導電体がそれぞれ延出
した状態になるように、かつ、各基体の他方の導電体が
それぞれモールドの表面から露出するように、インナー
パッケージを樹脂にてモールドしてアウターパッケージ
を形成する工程と、を包含することを特徴とする。
According to the method of manufacturing an optical semiconductor device of the present invention, a light emitting element is die-bonded to one conductor of a base integrated with a pair of conductors insulated, and the light emitting element is bonded to the other conductor. The step of wire-bonding to and the die-bonding of the light-receiving element to one of the conductors of the other base, which is integrated in a state where the pair of conductors are insulated, and the light-receiving element to the other conductor are wire-bonded by a bonding wire. Bonding step and arranging the bases so that the light emitting element and the light receiving element are optically coupled to each other, and molding the light emitting element and the light receiving element together with a bonding wire with an optically transparent resin to form an inner package. So that one conductor of each base is in an extended state and the other conductor of each base is molded respectively. So as to be exposed from the surface, characterized in that it comprises a step of forming an outer package by molding the inner package with a resin, the.

【0019】また、本発明の光半導体装置の製造方法
は、絶縁された状態で一体化された一対の導電体の一方
に、発光素子および受光素子のいずれか一方の光半導体
素子をダイボンドする工程と、ダイボンドされた光半導
体素子を、他方の導電体にボンディングワイヤーによっ
てワイヤーボンドする工程と、一方の導電体が延出した
状態になるように、かつ、他方の導電体がモールドの表
面から露出するように、光半導体素子を、透光性樹脂に
よって、ボンディングワイヤーとともにモールドする工
程と、を包含することを特徴とする。
Further, in the method for manufacturing an optical semiconductor device of the present invention, a step of die-bonding either one of the light emitting element and the light receiving element to one of the pair of conductors integrated in an insulated state. And a step of wire-bonding the die-bonded optical semiconductor element to the other conductor with a bonding wire, and so that one conductor is in an extended state and the other conductor is exposed from the surface of the mold. As described above, the step of molding the optical semiconductor element together with the bonding wire with the transparent resin is included.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を、図
面に基づいて詳述する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0021】図1は、本発明の光結合半導体装置の実施
の形態の一例を示す断面図、図2(a)はその側面図、
(b)はその平面図、(c)はその底面図である。この
光結合半導体装置は、図1に示すように、発光ダイオー
ド(LED)等の発光素子32がダイボンドされた第1
導電体であるリード12と、フォトトランジスター等の
受光素子34がダイボンドされた第1導電体であるリー
ド12と、発光素子32および受光素子34をモールド
する透光性の樹脂によって構成されたインナーパッケー
ジ36と、インナーパッケージ36をモールドする遮光
性の樹脂によって構成されたアウターパッケージ37と
を有している。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of an embodiment of an optically coupled semiconductor device of the present invention, and FIG. 2 (a) is a side view thereof.
(B) is the top view, (c) is the bottom view. As shown in FIG. 1, this optically coupled semiconductor device has a first die-bonded light emitting element 32 such as a light emitting diode (LED).
An inner package composed of a lead 12 which is a conductor, a lead 12 which is a first conductor to which a light receiving element 34 such as a phototransistor is die-bonded, and a translucent resin which molds the light emitting element 32 and the light receiving element 34. 36 and an outer package 37 made of a light-shielding resin that molds the inner package 36.

【0022】各リード12は、同一平面内に位置した状
態で所定の絶縁距離だけ離れており、相互に離れる方向
にインナーパッケージ36およびアウターパッケージ3
7から外部に延出している。インナーパッケージ36内
に位置する一方のリード12の先端部上には、発光素子
32が、導電性ペーストによってダイボンドされてお
り、インナーパッケージ36内に位置する他方のリード
12の先端部上には、受光素子34が、導電性ペースト
によってダイボンドされている。発光素子32および受
光素子34は、光学的に結合するように相互に対向した
状態で配置されており、発光素子32から発せられる光
が受光素子34によって受光されるようになっている。
The leads 12 are separated from each other by a predetermined insulating distance in the same plane, and are separated from each other in the inner package 36 and the outer package 3.
It extends from 7 to the outside. The light emitting element 32 is die-bonded to the tip of one of the leads 12 located in the inner package 36 by a conductive paste, and the tip of the other lead 12 located in the inner package 36 is The light receiving element 34 is die-bonded with a conductive paste. The light emitting element 32 and the light receiving element 34 are arranged so as to face each other so as to be optically coupled, and the light emitted from the light emitting element 32 is received by the light receiving element 34.

【0023】各リード12における発光素子32および
受光素子34がそれぞれダイボンドされた面とは反対側
の面には、絶縁ペースト、ペレット、ポリイミド系絶縁
シート等によって構成された絶縁物31によって、第2
導電体であるヘッダーリード23がそれぞれ接合されて
いる。各ヘッダーリード23は、各リード12の先端部
とは適当な間隔をあけた状態で各リード12に平行にな
っており、図2(c)に示すように、各リード12の先
端側の側方に突出するリード部23aが設けられてい
る。各リード23のリード部23a同士は適当な間隔が
あけられた状態になっており、各リード23の両端面
は、アウターパッケージ37から露出した状態になって
いる。
On the surface of each lead 12 opposite to the surface on which the light emitting element 32 and the light receiving element 34 are die-bonded, an insulating material 31 made of insulating paste, pellets, polyimide-based insulating sheet, or the like is used.
The header leads 23, which are conductors, are joined together. Each header lead 23 is parallel to each lead 12 with a proper distance from the tip of each lead 12, and as shown in FIG. A lead portion 23a protruding toward one side is provided. The lead portions 23a of the leads 23 are in a state of being appropriately spaced from each other, and both end faces of the leads 23 are exposed from the outer package 37.

【0024】発光素子32に近接するリード部23a
は、金線等によって構成されたボンディングワイヤー3
3によって発光素子32にワイヤーボンドされており、
受光素子34に近接するリード部23aは、金線等によ
って構成されたボンディングワイヤー35によって受光
素子34にワイヤーボンドされている。
The lead portion 23a adjacent to the light emitting element 32
Is a bonding wire 3 composed of a gold wire or the like.
3 is wire-bonded to the light emitting element 32,
The lead portion 23a adjacent to the light receiving element 34 is wire-bonded to the light receiving element 34 by a bonding wire 35 formed of a gold wire or the like.

【0025】発光素子32および受光素子34は、ダイ
ボンドされた各リード12の近傍部分、および、ボンデ
ィングワイヤー33および35とともに、シリコーン樹
脂等の透光性樹脂によって構成されたインナーパッケー
ジ36によって一体的にモールドされている。そして、
インナーパッケージ36が、遮光性エポキシ樹脂等の遮
光性樹脂によって構成されたアウターパッケージ37に
よってモールドされている。
The light emitting element 32 and the light receiving element 34 are integrally formed with a portion near each die-bonded lead 12 and the bonding wires 33 and 35 by an inner package 36 made of a translucent resin such as silicone resin. It is molded. And
The inner package 36 is molded by an outer package 37 made of a light-shielding resin such as a light-shielding epoxy resin.

【0026】各リード12は、アウターパッケージ37
から外部にそれぞれ直線状に延出して、リード部23a
側に直角に屈曲されており、さらに、外方に直角に屈曲
されている。各リード部23aのボンディングワイヤー
33および35がボンディングされた面とは反対側の面
は、アウターパッケージ37の表面とは同一平面内に位
置した状態で、アウターパッケージ37の表面から露出
した状態になっている。リード部23aが設けられたヘ
ッダーリード23の各側部は、アウターパッケージ37
の各側面から露出した状態になっている。
Each lead 12 has an outer package 37.
From the lead portion 23a
It is bent at a right angle to the side and further bent at a right angle to the outside. The surface of each lead portion 23a opposite to the surface to which the bonding wires 33 and 35 are bonded is located in the same plane as the surface of the outer package 37 and exposed from the surface of the outer package 37. ing. Each side portion of the header lead 23 provided with the lead portion 23a has an outer package 37
It is exposed from each side of.

【0027】このような光結合半導体装置は、次のよう
に製造される。まず、図3に示すような第1リードフレ
ーム10が準備される。この第1リードフレーム10
は、直線状に延びるクレードル11と、このクレードル
11に対してそれぞれが垂直状態で延出する複数のリー
ド(第1導電体)12とを有している。各リード12の
先端部同士は相互に連結されず、フリーな状態になって
いる。クレードル11には、等しい間隔をあけて複数の
位置決め孔11aが設けられている。
Such an optically coupled semiconductor device is manufactured as follows. First, the first lead frame 10 as shown in FIG. 3 is prepared. This first lead frame 10
Has a cradle 11 that extends linearly and a plurality of leads (first conductors) 12 that extend in a vertical state with respect to the cradle 11. The tips of the leads 12 are not connected to each other and are in a free state. The cradle 11 is provided with a plurality of positioning holes 11a at equal intervals.

【0028】また、図4に示す第2リードフレーム20
も準備される。この第2リードフレーム20は、直線状
に延びるクレードル21と、このクレードル21に対し
てそれぞれが垂直状態で延出する複数の垂直タイバー2
2とを有している。クレードル21には、等しい間隔を
あけて複数の位置決め孔21aが設けられている。そし
て、各垂直タイバー22の先端部は、クレードル11と
平行になったヘッダーリード23にて連結された状態に
なっている。ヘッダーリード23には、隣接する垂直タ
イバー22間にて、クレードル11の遠方側に突出した
リード部23aがそれぞれ設けられている。各垂直タイ
バー22は、ヘッダーリード23の近傍部分同士が、各
垂直タイバー22とは直交状態になった先端側タイバー
24にて連結された状態になっている。
The second lead frame 20 shown in FIG.
Is also prepared. The second lead frame 20 includes a cradle 21 extending linearly and a plurality of vertical tie bars 2 extending vertically to the cradle 21.
And 2. The cradle 21 is provided with a plurality of positioning holes 21a at equal intervals. Then, the tip portions of the vertical tie bars 22 are connected to each other by a header lead 23 which is parallel to the cradle 11. The header lead 23 is provided with lead portions 23 a projecting to the far side of the cradle 11 between adjacent vertical tie bars 22. Each of the vertical tie bars 22 is in a state in which the portions near the header leads 23 are connected to each other by a tip side tie bar 24 which is orthogonal to each of the vertical tie bars 22.

【0029】第1リードフレーム10のクレードル11
と第2リードフレーム20のクレードル21とは等しい
幅寸法を有しており、第1リードフレーム10における
クレードル11から各リード12の先端までの距離は、
第2リードフレーム20におけるクレードル21からヘ
ッダーリード23の外側の側縁までの距離にそれぞれ等
しくなっている。そして、第2リードフレーム20のヘ
ッダーリード23に設けられた各リード部23aは、第
1リードフレーム10の各リード12の幅方向寸法と等
しい寸法で横方向に広がった状態になっている。
Cradle 11 of first lead frame 10
And the cradle 21 of the second lead frame 20 have the same width dimension, and the distance from the cradle 11 in the first lead frame 10 to the tip of each lead 12 is
It is equal to the distance from the cradle 21 in the second lead frame 20 to the outer side edge of the header lead 23. Then, each lead portion 23a provided on the header lead 23 of the second lead frame 20 is in a laterally spread state with a dimension equal to the width direction dimension of each lead 12 of the first lead frame 10.

【0030】準備された第1リードフレーム10と第2
リードフレーム20とは、図5に示すように、それぞれ
のリード12および垂直タイバー22が同方向に延出す
るように、それぞれのクレードル11および21同士が
重ね合わされる。この場合、第1リードフレーム10の
各リード12は、第2リードフレーム20におけるヘッ
ダーリード23上の各リード部23aが先端側の側方に
位置するように重ね合わされる。そして、各第1リード
フレーム10における各リード12の先端部と、それら
の各先端部に対向する第2リードフレーム20のヘッダ
ーリード23部分とが、絶縁ペースト、ペレット、ポリ
イミド系絶縁シート等の絶縁物31によって、絶縁状態
で接合される。これにより、第1リードフレーム10と
第2リードフレーム20とが、相互に絶縁された状態で
平行に接合された基体30が形成される。
The prepared first lead frame 10 and second
As shown in FIG. 5, the cradle 11 and 21 are overlapped with the lead frame 20 so that the lead 12 and the vertical tie bar 22 extend in the same direction. In this case, the leads 12 of the first lead frame 10 are stacked so that the lead portions 23a on the header leads 23 of the second lead frame 20 are located laterally on the tip side. Then, the tips of the leads 12 in each of the first lead frames 10 and the header leads 23 of the second lead frame 20 facing the tips are insulated from each other by insulating paste, pellets, polyimide-based insulating sheet, or the like. The object 31 is joined in an insulated state. Thus, the base body 30 is formed in which the first lead frame 10 and the second lead frame 20 are joined in parallel while being insulated from each other.

【0031】このようにして、第1リードフレーム10
および第2リードフレーム20が重ね合わされて絶縁物
31によって接合された基体30を2組準備する。そし
て、図6に示すように、一方の基体30における第1リ
ードフレーム10の各リード(第1導電体)12先端部
に、発光素子32をそれぞれ導電性ペースト等によって
ダイボンドするとともに、各発光素子32と、第2リー
ドフレーム20におけるヘッダーリード23の各リード
部23aとを、金線等によって構成されたボンディング
ワイヤー33によってワイヤーボンドする。各発光素子
32は、それぞれの発光面が、リード12の先端側の側
方に向かうように、それぞれダイボンドされる。
In this way, the first lead frame 10
And two sets of the base bodies 30 are prepared in which the second lead frames 20 are overlapped and joined by the insulator 31. Then, as shown in FIG. 6, the light emitting elements 32 are die-bonded to the tip ends of the leads (first conductors) 12 of the first lead frame 10 on one of the bases 30, respectively, and the light emitting elements 32 are die-bonded with a conductive paste or the like. 32 and each lead portion 23a of the header lead 23 in the second lead frame 20 are wire-bonded by a bonding wire 33 formed of a gold wire or the like. The respective light emitting elements 32 are die-bonded so that their respective light emitting surfaces face the sides of the lead 12 on the tip end side.

【0032】他方の基体30も、図7に示すように、第
1リードフレーム10における各リード12先端部に、
受光素子34をそれぞれダイボンドするとともに、各受
光素子34と、第2リードフレーム20におけるヘッダ
ーリード23の各リード部23aとを、金線等によって
構成されたボンディングワイヤー35によってワイヤー
ボンドする。各受光素子34は、それぞれの受光面が、
リード12の先端側の側方に向かうように、それぞれダ
イボンドされる。
As shown in FIG. 7, the other base 30 is also provided at the tip of each lead 12 in the first lead frame 10.
Each light receiving element 34 is die-bonded, and each light receiving element 34 and each lead portion 23a of the header lead 23 in the second lead frame 20 are wire-bonded by a bonding wire 35 formed of a gold wire or the like. Each light receiving element 34 has a light receiving surface
The lead 12 is die-bonded so as to be directed to the side of the tip end side.

【0033】この場合、発光素子32および受光素子3
4を、第1リードフレーム10および第2リードフレー
ム20の各リード部12および22に予めダイボンドし
ておいて、絶縁物31によって、第1リードフレーム1
0および第2リードフレーム20を接合し、その後に、
ボンディングワイヤー33および35によって発光素子
32および受光素子34を、各リード部23aにワイヤ
ーボンドするようにしてもよい。
In this case, the light emitting element 32 and the light receiving element 3
4 is die-bonded to the lead portions 12 and 22 of the first lead frame 10 and the second lead frame 20 in advance, and the first lead frame 1 is formed by the insulator 31.
0 and the second lead frame 20 are joined, and thereafter,
The light emitting element 32 and the light receiving element 34 may be wire-bonded to the lead portions 23a by the bonding wires 33 and 35.

【0034】その後、図7に示すように、各発光素子3
2がダイボンドされた基体30と、各受光素子34がダ
イボンドされた基体30とを、同一平面内にて、それぞ
れの基体30における各ヘッダーリード23のリード部
23a同士が一定の間隔があけられるように対向させた
状態で、モールド金型内に配置し、各発光素子32の発
光面と各受光素子34の受光面とを相互に対向させる。
そして、図8に示すように、相互に対向したリード部2
3aに近接してダイボンドされた発光素子32および受
光素子34を、ボンディングワイヤー33および35と
ともに、シリコーン樹脂、ポリイミド系樹脂、シリコー
ン変成エポキシ樹脂等の透光性樹脂によってモールドす
る。透光性樹脂は、相互に近接して配置された各リード
部23a上にてそれぞれモールドされて、インナーパッ
ケージ36をそれぞれ形成する。これにより、相互に近
接して配置された各リード23aは、インナーパッケー
ジ36の外部に位置された状態になり、また、各インナ
ーパッケージ36によって、各基体30同士は結合され
た状態になる。
Thereafter, as shown in FIG. 7, each light emitting element 3
In the same plane, the base body 30 to which 2 is die-bonded and the base body 30 to which each light-receiving element 34 is die-bonded are arranged such that the lead portions 23a of the header leads 23 in the respective base bodies 30 are spaced apart from each other by a certain distance. The light emitting surface of each light emitting element 32 and the light receiving surface of each light receiving element 34 face each other.
Then, as shown in FIG. 8, the lead portions 2 facing each other.
The light emitting element 32 and the light receiving element 34, which are die-bonded close to 3a, are molded together with the bonding wires 33 and 35 with a translucent resin such as a silicone resin, a polyimide resin, or a silicone modified epoxy resin. The translucent resin is respectively molded on the lead portions 23a arranged close to each other to form the inner packages 36, respectively. As a result, the leads 23a arranged in close proximity to each other are positioned outside the inner package 36, and the inner packages 36 also bond the bases 30 to each other.

【0035】各インナーパッケージ36によって結合さ
れた各基体30の間隔は、インナーパッケージ36内に
配置された発光素子32および受光素子34の絶縁距離
に基づいて設定される。
The distance between the bases 30 joined by the inner packages 36 is set based on the insulation distance between the light emitting element 32 and the light receiving element 34 arranged in the inner package 36.

【0036】このような状態になると、図9に斜線で示
すように、インナーパッケージ36をモールドするよう
に、遮光性のエポキシ樹脂等によって2次トランスファ
ーモールドする。この場合、エポキシ樹脂は、各基体3
0の間に全体にわたって充填された状態になる。その
後、図9に二点鎖線で示すように、各基体30間の不要
なエポキシ樹脂部分がバリとして取り除かれる。これに
より、各インナーパッケージ36をそれぞれモールドし
た遮光性樹脂製のアウターパッケージ37が形成され
る。
In such a state, as indicated by hatching in FIG. 9, secondary transfer molding is performed using a light-shielding epoxy resin or the like so as to mold the inner package 36. In this case, the epoxy resin is used for each base 3
During 0, the whole state is filled. After that, as shown by a chain double-dashed line in FIG. 9, unnecessary epoxy resin portions between the bases 30 are removed as burrs. As a result, an outer package 37 made of light-shielding resin is formed by molding each inner package 36.

【0037】このような状態になると、アウターパッケ
ージ37から延出した各第1リードフレーム10のリー
ド12、23等に外装メッキがそれぞれ施され、その後
に、図10に斜線で示すように、各基体30における第
2リードフレーム20のアウターパッケージ37から延
出した垂直タイバー22、ヘッダーリード23、および
タイバー24の各部分がタイバーカットされて除去され
る。そして、各リード12をクレードル11からカット
して、アウターパッケージ37から延出した各リード1
2および22を、外部端子となるようにそれぞれ所定の
形状に屈曲され、図1および図2に示す光結合半導体装
置が形成される。
In such a state, the leads 12, 23, etc. of each first lead frame 10 extending from the outer package 37 are respectively subjected to exterior plating, and thereafter, as shown by hatching in FIG. The portions of the vertical tie bar 22, header lead 23, and tie bar 24 extending from the outer package 37 of the second lead frame 20 in the base body 30 are removed by tie bar cutting. Then, each lead 12 is cut from the cradle 11 and extended from the outer package 37.
2 and 22 are each bent into a predetermined shape so as to serve as external terminals, and the optically coupled semiconductor device shown in FIGS. 1 and 2 is formed.

【0038】その後、発光素子32が接続されるリード
12およびリード部23aと、受光素子34が接続され
るリード12およびリード部23aとの間の絶縁性を評
価するための絶縁耐圧試験、電気特性検査、外観検査、
梱包工程等を経て、光結合半導体装置とされる。
Thereafter, a withstand voltage test and electric characteristics for evaluating the insulation between the lead 12 and the lead portion 23a to which the light emitting element 32 is connected and the lead 12 and the lead portion 23a to which the light receiving element 34 is connected. Inspection, visual inspection,
An optical coupling semiconductor device is obtained through a packaging process and the like.

【0039】このような光結合半導体素子は、アウター
パッケージ37からは、発光素子32および受光素子3
4がそれぞれダイボンドされた各リード12のみが、外
部端子として外部に延出した状態になっているために、
アウターパッケージ37から延出するリードの数が減少
し、光結合半導体装置が小型化される。しかも、発光素
子32および受光素子34がワイヤーボンドされた各リ
ード部23aは、アウターパッケージ37の表面と同一
平面内に位置した状態で外部に露出しているために、各
リード部23aを回路基板に対して直接実装することが
でき、回路基板上における光結合半導体装置の実装に要
する面積を小さくすることができる。
In such an optically coupled semiconductor device, the light emitting device 32 and the light receiving device 3 are provided from the outer package 37.
Since only the leads 12 to which 4 are die-bonded are extended to the outside as external terminals,
The number of leads extending from the outer package 37 is reduced, and the optical coupling semiconductor device is downsized. Moreover, since the lead portions 23a to which the light emitting element 32 and the light receiving element 34 are wire-bonded are exposed to the outside while being positioned in the same plane as the surface of the outer package 37, the respective lead portions 23a are exposed to the circuit board. Can be directly mounted, and the area required for mounting the optically coupled semiconductor device on the circuit board can be reduced.

【0040】なお、上記実施の形態では、光学的に結合
された一対の発光素子32および受光素子34をモール
ドする各アウターパッケージ37が1個ずつに分離され
るようにタイバーカットする構成であったが、図11に
示すように、一対のアウターパッケージ37が一体とな
るように、タイバーカットするようにしてもよい。この
場合には、図12に斜線で示すように、連結される一対
のアウターパッケージ37間に位置する各ヘッダーリー
ド23が連結状態で残され、各アウターパッケージ37
が、一対のヘッダーリード23にて連結された状態にな
る。
In the above embodiment, the outer package 37 for molding the pair of the optically coupled light emitting element 32 and the light receiving element 34 is tie bar cut so as to be separated one by one. However, as shown in FIG. 11, the tie bar may be cut so that the pair of outer packages 37 are integrated. In this case, as shown by the diagonal lines in FIG. 12, each header lead 23 located between the pair of outer packages 37 to be connected is left in a connected state, and each outer package 37 is
Are connected by a pair of header leads 23.

【0041】また、図13に示すように、3つのアウタ
ーパッケージ37が一体となるようにタイバーカットす
るようにしてもよい。この場合には、図14に斜線で示
すように、連結される各アウターパッケージ37間に位
置する一対のヘッダーリード23が連結状態で残され、
隣接する一対のアウターパッケージ37が、それぞれ、
一対のヘッダーリード23にて連結された状態になる。
As shown in FIG. 13, the tie bar may be cut so that the three outer packages 37 are integrated. In this case, as shown by the diagonal lines in FIG. 14, the pair of header leads 23 located between the outer packages 37 to be coupled are left in a coupled state.
A pair of adjacent outer packages 37,
They are connected by a pair of header leads 23.

【0042】同様にして、4個以上のアウターパッケー
ジ37が連結された光結合半導体装置とすることも可能
である。
Similarly, it is possible to make an optically coupled semiconductor device in which four or more outer packages 37 are connected.

【0043】図15は、4つのアウターパッケージ37
を有する光結合半導体装置を示している。この光結合半
導体装置は、中央部の一対のアウターパッケージ37の
間が、発光素子32側の1つのヘッダーリード23によ
って連結された状態になっており、各側部にそれぞれ位
置する各一対のアウターパッケージ37の間が、受光素
子34側の1つのヘッダーリード23によって連結され
た状態になっている。このような光結合半導体装置は、
中央部に位置する各一対のアウターパッケージ37内の
各発光素子32同士は、ヘッダーリード23にて接続さ
れた状態になっているが、各側部にそれぞれ位置する各
アウターパッケージ37内の発光素子32同士は、相互
に独立した状態になっているために、各側部にそれぞれ
位置するアウターパッケージ37内の各発光素子32に
対して、独立して入力信号を与えることができる。
FIG. 15 shows four outer packages 37.
2 shows an optically coupled semiconductor device having a. In this optical coupling semiconductor device, a pair of outer packages 37 in the central portion are connected by one header lead 23 on the light emitting element 32 side, and a pair of outer packages located on each side portion. The packages 37 are connected by one header lead 23 on the light receiving element 34 side. Such an optically coupled semiconductor device is
The light emitting elements 32 in each of the pair of outer packages 37 located in the central portion are connected to each other by the header leads 23, but the light emitting elements in each outer package 37 located on each side portion. Since the parts 32 are independent of each other, an input signal can be independently applied to each light emitting element 32 in the outer package 37 located on each side.

【0044】また、各側部にそれぞれ位置する各一対の
アウターパッケージ37の各受光素子34は、リード部
23aにて接続された状態になっている。従って、回路
基板に実装する際に、回路基板に対する回路設計の自由
度が増すという利点を有している。
Further, the light receiving elements 34 of the pair of outer packages 37 located on the respective side portions are connected by the lead portions 23a. Therefore, there is an advantage that the degree of freedom in circuit design for the circuit board is increased when the circuit board is mounted.

【0045】図16は、本発明の半導体光結合装置の実
施の形態のさらに他の例を示す断面図である。この半導
体光結合装置では、絶縁層43を介して第1導電パター
ン41および第2導電パターン42がそれぞれ層配線さ
れた一対の基板40が使用されている。発光素子32
は、一方の基板40の第1導電パターン41上に、導電
ペースト等によってダイボンドされており、その基板4
0の第2導電パターン42に、ボンディングワイヤー3
3によってワイヤーボンドされている。また、受光素子
34は、他方の基板40の第1導電パターン41上に、
導電ペースト等によってダイボンドされており、その基
板40の第2導電パターン42に、ボンディングワイヤ
ー35によってワイヤーボンドされている。発光素子3
2および受光素子34は、光学的に結合された状態で、
透光性の樹脂によって構成されたインナーパッケージ3
6によってモールドされており、インナーパッケージ3
6が遮光性の樹脂によって構成されたアウターパッケー
ジ37によってモールドされている。アウターパッケー
ジ37は各基板40の間にも配置されている。
FIG. 16 is a sectional view showing still another example of the embodiment of the semiconductor optical coupling device of the present invention. In this semiconductor optical coupling device, a pair of substrates 40 in which a first conductive pattern 41 and a second conductive pattern 42 are layered via an insulating layer 43 are used. Light emitting element 32
Is die-bonded onto the first conductive pattern 41 of one of the substrates 40 with a conductive paste or the like.
0 second conductive pattern 42 to bonding wire 3
Wire-bonded by 3. Further, the light receiving element 34 is provided on the first conductive pattern 41 of the other substrate 40,
It is die-bonded with a conductive paste or the like, and is wire-bonded with the bonding wire 35 to the second conductive pattern 42 of the substrate 40. Light emitting element 3
2 and the light receiving element 34 are in an optically coupled state,
Inner package 3 made of translucent resin
Molded by 6, inner package 3
6 is molded by an outer package 37 made of a light-shielding resin. The outer package 37 is also arranged between the substrates 40.

【0046】各基板40の第1導電パターン41は、そ
れぞれ、アウターパッケージ37から外部に延出した状
態になっており、第2導電パターン42は、それぞれア
ウターパッケージ37の表面から露出した状態になって
いる。なお、基板40としてはテープ状あるいはシート
状であってもよい。
The first conductive pattern 41 of each substrate 40 is in a state of extending from the outer package 37 to the outside, and the second conductive pattern 42 is in a state of being exposed from the surface of the outer package 37. ing. The substrate 40 may have a tape shape or a sheet shape.

【0047】上述の各光結合半導体装置は、アウターパ
ッケージ37として、遮光性の樹脂を使用する構成であ
ったが、回路基板に実装した後に、光結合半導体装置全
体に、遮光性の粉体塗装、樹脂塗装等を施す場合には、
透光性樹脂によって構成してもよい。
In each of the above-described optically coupled semiconductor devices, a resin having a light shielding property is used as the outer package 37. However, after mounting on the circuit board, the entire optically coupled semiconductor device is coated with a light shielding powder. When applying resin coating,
It may be made of a translucent resin.

【0048】また、第1リードフレーム10を発光素子
32または受光素子34のダイボンド用、第2リードフ
レーム20をワイヤーボンド用として説明したが、反対
に第1リードフレーム10をワイヤーボンド用、第2リ
ードフレーム20を発光素子32または受光素子34の
ダイボンド用としてもよい。
Although the first lead frame 10 is used for die bonding the light emitting element 32 or the light receiving element 34 and the second lead frame 20 is used for wire bonding, the first lead frame 10 is used for wire bonding and the second lead frame 10 is used for wire bonding. The lead frame 20 may be used for die-bonding the light emitting element 32 or the light receiving element 34.

【0049】さらに、上述の光結合半導体装置では、イ
ンナーパッケージ36とアウターパッケージ37とを別
の製造方法で成形される1層モールドタイプとして説明
したが、第2リードフレーム20に樹脂止めのタイバー
を設けて、モールド金型を改造すれば、インナーパッケ
ージ36とアウターパッケージ37とをそれぞれの金型
にて成形できる2層モールドタイプとすることができ
る。
Further, in the above-described optically coupled semiconductor device, the inner package 36 and the outer package 37 are described as a one-layer mold type which is molded by another manufacturing method. However, a resin-fixed tie bar is provided on the second lead frame 20. By providing and remodeling the molding die, the inner package 36 and the outer package 37 can be formed into a two-layer molding type in which they can be molded with the respective dies.

【0050】本発明は、光結合半導体装置に限らず、図
17に示すような発光半導体装置にも適用できる。この
発光半導体装置は、絶縁物51によって絶縁状態で一体
化されたリード52およびリード53を有しており、リ
ード52上に発光素子54が導電ペーストによってダイ
ボンドされている。そして、発光素子52とリード部5
3とが、金線等のボンディングワイヤー55によってワ
イヤーボンドされている。発光素子54は、応力を緩和
するためにシリコーン樹脂等の透光性樹脂56によって
モールドされており、また、透光性樹脂56は、ボンデ
ィングワイヤー55とともに透光性樹脂によって構成さ
れたパッケージ57によってモールドされている。
The present invention can be applied not only to the optically coupled semiconductor device but also to a light emitting semiconductor device as shown in FIG. This light emitting semiconductor device has a lead 52 and a lead 53 which are integrated in an insulating state by an insulator 51, and a light emitting element 54 is die-bonded on the lead 52 with a conductive paste. Then, the light emitting element 52 and the lead portion 5
3 is wire-bonded with a bonding wire 55 such as a gold wire. The light emitting element 54 is molded with a translucent resin 56 such as a silicone resin in order to relieve the stress, and the translucent resin 56 is formed by a package 57 made of the translucent resin together with the bonding wire 55. It is molded.

【0051】このような発光半導体装置は、前述の光結
合半導体装置の製造方法と同様に、第1リードフレーム
10と第2リードフレーム20を使用して製造される。
また、絶縁物51によって一体化されたリード52およ
び53に替えて、一対の導電パターンが絶縁状態で設け
られた基板を使用してもよい。
Such a light emitting semiconductor device is manufactured by using the first lead frame 10 and the second lead frame 20 in the same manner as in the method of manufacturing the optically coupled semiconductor device described above.
Further, instead of the leads 52 and 53 integrated by the insulator 51, a substrate provided with a pair of conductive patterns in an insulated state may be used.

【0052】この場合、発光素子54に替えて、受光素
子をリード52にダイボンドし、受光素子をリード53
にワイヤーボンドすることにより、本発明の受光半導体
装置となる。
In this case, instead of the light emitting element 54, the light receiving element is die-bonded to the lead 52, and the light receiving element is lead 53.
By wire-bonding to the light-receiving semiconductor device of the present invention.

【0053】[0053]

【発明の効果】本発明の光半導体装置は、このように、
導電体の一部がパッケージから露出した状態になってい
るために、パッケージから延出する外部端子の数を少な
くすることができ、装置全体の小型化が可能になる。ま
た、パッケージから露出した導電体部分を直接、回路基
板等に接着することができるために、回路基板上におけ
る実装面積も小さくすることができる。
As described above, the optical semiconductor device of the present invention has the following features.
Since a part of the conductor is exposed from the package, the number of external terminals extending from the package can be reduced and the entire device can be downsized. Further, since the conductor portion exposed from the package can be directly adhered to the circuit board or the like, the mounting area on the circuit board can be reduced.

【0054】本発明の光半導体装置の製造方法は、この
ような光半導体装置を容易に製造することができ、しか
も、大量生産も容易である。
The method of manufacturing an optical semiconductor device according to the present invention can easily manufacture such an optical semiconductor device, and also facilitates mass production.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の光結合半導体装置の実施の形態の一例
を示す断面図である。
FIG. 1 is a sectional view showing an example of an embodiment of an optically coupled semiconductor device of the present invention.

【図2】(a)はその光結合半導体装置の側面図、
(b)はその平面図、(c)はその底面図である。
FIG. 2A is a side view of the optically coupled semiconductor device,
(B) is the top view, (c) is the bottom view.

【図3】その光結合半導体装置の製造に使用されるリー
ドフレームの一例を示す平面図である。
FIG. 3 is a plan view showing an example of a lead frame used for manufacturing the optically coupled semiconductor device.

【図4】その光結合半導体装置の製造に使用される他の
リードフレームの一例を示す平面図である。
FIG. 4 is a plan view showing an example of another lead frame used for manufacturing the optically coupled semiconductor device.

【図5】その光結合半導体装置の製造工程における一対
のリードフレームを接合して基体とした状態を示す平面
図である。
FIG. 5 is a plan view showing a state in which a pair of lead frames are joined to form a base body in the manufacturing process of the optically coupled semiconductor device.

【図6】その光結合半導体装置の製造工程における基体
に発光素子をダイボンドおよびワイヤーボンドした状態
を示す平面図である。
FIG. 6 is a plan view showing a state in which a light emitting element is die-bonded and wire-bonded to a substrate in the manufacturing process of the optically coupled semiconductor device.

【図7】その光結合半導体装置の製造工程における発光
素子がダイボンドされた基体と受光素子がダイボンドさ
れた基体との配置状態を示す平面図である。
FIG. 7 is a plan view showing an arrangement state of a substrate on which a light emitting element is die-bonded and a substrate on which a light receiving element is die-bonded in the manufacturing process of the optically coupled semiconductor device.

【図8】その光結合半導体装置の製造工程における発光
素子および受光素子をインナーパッケージにてモールド
した状態を示す平面図である。
FIG. 8 is a plan view showing a state in which a light emitting element and a light receiving element are molded with an inner package in the manufacturing process of the optically coupled semiconductor device.

【図9】その光結合半導体装置の製造工程におけるイン
ナーパッケージを遮光性樹脂にてモールドした状態を示
す平面図である。
FIG. 9 is a plan view showing a state in which the inner package is molded with a light-shielding resin in the manufacturing process of the optically coupled semiconductor device.

【図10】その光結合半導体装置の製造工程におけるア
ウターパッケージを形成した後に実施されるタイバーカ
ット部分を説明するための平面図である。
FIG. 10 is a plan view for explaining a tie bar cut portion performed after forming an outer package in a manufacturing process of the optically coupled semiconductor device.

【図11】本発明の光結合半導体装置の実施の形態の他
の例を示す平面図である。
FIG. 11 is a plan view showing another example of the embodiment of the optically coupled semiconductor device of the present invention.

【図12】その光結合半導体装置の製造工程におけるア
ウターパッケージを形成した後に実施されるタイバーカ
ット部分を説明するための平面図である。
FIG. 12 is a plan view for explaining a tie bar cut portion performed after forming an outer package in a manufacturing process of the optically coupled semiconductor device.

【図13】本発明の光結合半導体装置の実施の形態にお
けるさらに他の例を示す平面図である。
FIG. 13 is a plan view showing still another example of the embodiment of the optically coupled semiconductor device of the present invention.

【図14】その光結合半導体装置の製造工程におけるア
ウターパッケージを形成した後に実施されるタイバーカ
ット部分を説明するための平面図である。
FIG. 14 is a plan view for explaining a tie bar cut portion performed after forming an outer package in a manufacturing process of the optically coupled semiconductor device.

【図15】本発明の光結合半導体装置の実施の形態にお
けるさらに他の例を示す平面図である。
FIG. 15 is a plan view showing still another example of the embodiment of the optically coupled semiconductor device of the present invention.

【図16】本発明の光結合半導体装置の実施の形態にお
けるさらに他の例を示す断面図である。
FIG. 16 is a sectional view showing still another example of the embodiment of the optically coupled semiconductor device of the present invention.

【図17】本発明の発光半導体装置の実施の形態の一例
を示す断面図である。
FIG. 17 is a cross-sectional view showing an example of an embodiment of a light emitting semiconductor device of the present invention.

【図18】従来の光結合半導体装置の一例を示す断面図
である。
FIG. 18 is a cross-sectional view showing an example of a conventional optically coupled semiconductor device.

【図19】従来の光結合半導体装置の他の例を示す断面
図である。
FIG. 19 is a cross-sectional view showing another example of the conventional optically coupled semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 第1リードフレーム 11 クレードル 12 リード(第1導電体) 20 第2リードフレーム 21 クレードル 22 垂直タイバー 23 ヘッダーリード(第2導電体) 23a リード部 30 基体 31 絶縁物 32 発光素子 33 ボンディングワイヤー 34 受光素子 35 ボンディングワイヤー 36 インナーパッケージ 37 アウターパッケージ 10 First Lead Frame 11 Cradle 12 Lead (First Conductor) 20 Second Lead Frame 21 Cradle 22 Vertical Tie Bar 23 Header Lead (Second Conductor) 23a Lead Part 30 Base 31 Insulator 32 Light Emitting Element 33 Bonding Wire 34 Light Receiving Element 35 Bonding wire 36 Inner package 37 Outer package

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 発光素子および受光素子が光学的に結合
した状態でそれぞれダイボンドされた一対の第1導電体
と、 各第1導電体に対して絶縁状態でそれぞれが一体になっ
ており、前記発光素子および受光素子とそれぞれボンデ
ィングワイヤーよってワイヤーボンドされた一対の第2
導電体と、 前記発光素子および受光素子を、光学的に結合した状態
で、各ボンディングワイヤーとともにモールドする透光
性樹脂製のインナーパッケージと、 そのインナーパッケージをモールドするアウターパッケ
ージと、を具備し、 いずれか一方の一対の導電体の一部がアウターパッケー
ジからそれぞれ外部に延出するとともに、他方の一対の
導電体の表面がアウターパッケージの表面から露出して
いることを特徴とする光半導体装置。
1. A pair of first conductors, each of which is die-bonded in a state where a light emitting element and a light receiving element are optically coupled, is integrated with each of the first conductors in an insulated state. A pair of second wires wire-bonded to the light emitting element and the light receiving element by bonding wires, respectively.
A conductor, the light emitting element and the light receiving element, in an optically coupled state, an inner package made of a translucent resin that is molded with each bonding wire, and an outer package that molds the inner package, An optical semiconductor device, wherein a part of one of the pair of conductors extends outward from the outer package, and the surface of the other pair of conductors is exposed from the surface of the outer package.
【請求項2】 前記各第1導電体および第2導電体は、
基板に相互に絶縁状態で層配線された導電性パターンで
ある請求項1に記載の光半導体装置。
2. The first conductor and the second conductor,
The optical semiconductor device according to claim 1, wherein the optical semiconductor device is a conductive pattern that is layered on a substrate in an insulating state.
【請求項3】 請求項1に記載の光半導体装置を複数有
しており、隣接する光半導体装置のいずれかの導電体同
士が一体になっている光半導体装置。
3. An optical semiconductor device comprising a plurality of the optical semiconductor devices according to claim 1, wherein conductors of any of adjacent optical semiconductor devices are integrated.
【請求項4】 発光素子および受光素子のいずれか一方
の光半導体素子がダイボンドされた第1導電体と、 この第1導電体に対して絶縁状態で一体になっており、
前記光半導体素子とボンディングワイヤーよってワイヤ
ーボンドされた第2導電体と、 いずれか一方の一対の導電体の一部が外部に延出するよ
うに、前記光半導体素子およびボンディングワイヤーを
モールドする透光性樹脂製のパッケージと、を具備し、 他方の一対の導電体の表面がパッケージの表面から露出
していることを特徴とする光半導体装置。
4. A first conductor, to which one of a light emitting element and a light receiving element is die-bonded, is integrated with the first conductor in an insulated state,
A second conductor wire-bonded to the optical semiconductor element by a bonding wire, and a light-transmitting material that molds the optical semiconductor element and the bonding wire so that a part of one of the pair of conductors extends to the outside. And a package made of a conductive resin, wherein the other pair of conductors have surfaces exposed from the surface of the package.
【請求項5】 一対の導電体が絶縁された状態で一体化
された基体の一方の導電体に発光素子をダイボンドする
とともに、その発光素子を他方の導電体にボンディング
ワイヤーによってワイヤーボンドする工程と、 一対の導電体が絶縁された状態で一体化された他の基体
の一方の導電体に受光素子をダイボンドするとともに、
その受光素子を他方の導電体にボンディングワイヤーに
よってワイヤーボンドする工程と、 発光素子および受光素子が光学的に結合するように各基
体同士を配置して、透光性樹脂によって、発光素子およ
び受光素子をボンディングワイヤーとともにモールドし
てインナーパッケージを形成する工程と、 各基体の一方の導電体がそれぞれ延出した状態になるよ
うに、かつ、各基体の他方の導電体がそれぞれモールド
の表面から露出するように、インナーパッケージを樹脂
にてモールドしてアウターパッケージを形成する工程
と、 を包含することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
5. A step of die-bonding a light-emitting element to one conductor of a substrate integrated with a pair of conductors insulated from each other, and wire-bonding the light-emitting element to the other conductor by a bonding wire. , The die-bonding of the light-receiving element to one conductor of the other base, which is integrated with the pair of conductors insulated,
The step of wire-bonding the light-receiving element to the other conductor with a bonding wire, and arranging the bases so that the light-emitting element and the light-receiving element are optically coupled, and using a light-transmissive resin, the light-emitting element and the light-receiving element To form an inner package by molding with a bonding wire, and one conductor of each base is in an extended state, and the other conductor of each base is exposed from the surface of the mold. And a step of forming an outer package by molding the inner package with a resin as described above.
【請求項6】 絶縁された状態で一体化された一対の導
電体の一方に、発光素子および受光素子のいずれか一方
の光半導体素子をダイボンドする工程と、 ダイボンドされた光半導体素子を、他方の導電体にボン
ディングワイヤーによってワイヤーボンドする工程と、 一方の導電体が延出した状態になるように、かつ、他方
の導電体がモールドの表面から露出するように、光半導
体素子を、透光性樹脂によって、ボンディングワイヤー
とともにモールドする工程と、 を包含することを特徴とする光半導体装置の製造方法。
6. A step of die-bonding an optical semiconductor element, which is one of a light-emitting element and a light-receiving element, to one of a pair of conductors that are integrated in an insulated state; The step of wire-bonding the conductor to the conductor with a bonding wire, and the optical semiconductor element is transparent so that one conductor is in an extended state and the other conductor is exposed from the surface of the mold. A method of manufacturing an optical semiconductor device, comprising the step of molding with a bonding resin together with a bonding resin.
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JP2008072010A (en) * 2006-09-15 2008-03-27 Nitto Denko Corp One-side sealed type optical semiconductor device manufacturing method, and one-side sealed type optical semiconductor device obtained by it

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100304489B1 (en) * 1998-11-16 2001-11-22 이택렬 Photocoupler and its manufacturing method
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