JPH09509012A - 利得制御光ファイバ増幅器 - Google Patents

利得制御光ファイバ増幅器

Info

Publication number
JPH09509012A
JPH09509012A JP7521675A JP52167595A JPH09509012A JP H09509012 A JPH09509012 A JP H09509012A JP 7521675 A JP7521675 A JP 7521675A JP 52167595 A JP52167595 A JP 52167595A JP H09509012 A JPH09509012 A JP H09509012A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wavelength
optical
gain
cavity
optical amplifier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP7521675A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4001621B2 (ja
Inventor
マシコット、ジェニファー
ワイアット・リチャード
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
British Telecommunications PLC
Original Assignee
British Telecommunications PLC
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by British Telecommunications PLC filed Critical British Telecommunications PLC
Publication of JPH09509012A publication Critical patent/JPH09509012A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4001621B2 publication Critical patent/JP4001621B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/1301Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude in optical amplifiers
    • H01S3/1302Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude in optical amplifiers by all-optical means, e.g. gain-clamping
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00Functional characteristics
    • H01S2301/04Gain spectral shaping, flattening
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S2301/00Functional characteristics
    • H01S2301/06Gain non-linearity, distortion; Compensation thereof
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/05Construction or shape of optical resonators; Accommodation of active medium therein; Shape of active medium
    • H01S3/06Construction or shape of active medium
    • H01S3/063Waveguide lasers, i.e. whereby the dimensions of the waveguide are of the order of the light wavelength
    • H01S3/067Fibre lasers
    • H01S3/0675Resonators including a grating structure, e.g. distributed Bragg reflectors [DBR] or distributed feedback [DFB] fibre lasers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/10Controlling the intensity, frequency, phase, polarisation or direction of the emitted radiation, e.g. switching, gating, modulating or demodulating
    • H01S3/13Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude
    • H01S3/131Stabilisation of laser output parameters, e.g. frequency or amplitude by controlling the active medium, e.g. by controlling the processes or apparatus for excitation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/1601Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1608Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth erbium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01SDEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S3/00Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
    • H01S3/14Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range characterised by the material used as the active medium
    • H01S3/16Solid materials
    • H01S3/1601Solid materials characterised by an active (lasing) ion
    • H01S3/1603Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth
    • H01S3/1613Solid materials characterised by an active (lasing) ion rare earth praseodymium

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Lasers (AREA)

Abstract

(57)【要約】 利得制御されたエルビウムドープの光増幅器では、レーザ空洞の利得を全体の空洞損失と等しくなるようにクランプし、かつ増幅器の共振波長を第1の波長として固定することによって利得制御が達成される。増幅するべき光信号であって第1の波長とは異なる第2の波長を有するものが増幅器を通過するときは、信号が得る利得は完全に空洞の利得に依存し、信号の強度には依存しない。第1の波長がエルビウムの吸収及び放出断面積の和のピークとなるようにされていると、増幅器は周囲の温度変化に対して最小の感度を示す。

Description

【発明の詳細な説明】 利得制御光ファイバ増幅器 この発明は光増幅器、とくに、それに限定されるわけではないが、希土類をド ープした光ファイバ増幅器であって改善された動作特性を備えたものに関する。 希土類をドープした光ファイバ増幅器は、光通信システムにおける中継器、前 置増幅器などとして理想的なものである。この種の増幅器にとって望ましい特徴 に低雑音動作、偏向に敏感でないこと及び低挿入損失が含まれる。希土類ドーパ ントを用いることから得られる1つの大きな利点は、一般に鋭いスペクトル特徴 を示すことにある。反対に、遷移金属イオンをドープした媒質は非常に広い吸収 と蛍光との特徴を示す。希土類ドーパントの中で、エルビウムは、シリカファイ バ中のドーパントとして使用されるときは、光通信用に好ましい1550nm窓 でのレーザ作用性質を備え、また同様に、プラセオジミウムは好ましい1300 nm窓内で動作する。単に便宜上の理由から、エルビウムとブラセオジミウムを ドープしたシリカファイバについて以下に記述していくが、ここでの記述は他の 希土類ドーパント種とホストとの構成にも等しく適用できることを強調しておく 。 エルビウムにおける増幅作用遷移の上方の状態の比較的長い蛍光の寿命は、例 えば半導体レーザ遷移との比較で言えることであるが、多くの重要な意味合いを もっている。1つの意味合いは次のようなことである。すなわち、エルビウムを ドープしたファイバ増幅器をポンプするために使用される半導体ポンプレーザへ のバイアス供給源上にある電気的雑音は、100kHz以下のポンプ雑音成分の 低周波数で増幅器の利得にある程度の変調を生じさせる。したがって、ポンプレ ーザ用の電気的バイアス源は、少なくともこういった低周波数では雑音のないも のとする必要がある。別な意味合いは、エルビウムをドープしたファイバ増幅器 を通る信号の伝搬が密度反転に 変化を生じさせて、それ白身及び他の波長の増幅器利得に変化を生じさせること ができる。この効果は利得を飽和させるのに十分なパルスについて特に目立つも のである。この過程の結果、厳格なパルスの整形が生じうる。 多波長多重伝送、例えば波長分割多重(WDM)システムでは、多重化された 信号の1つによる増幅器利得の変調は、他の信号に対して低周波数クロストーク (漏話)効果を生じさせることができる。これらの効果は、チャンネルのオフ及 びオンの切替えに関係する過渡的効果が他の波長に著しく妨害を加えるところで は特に顕著なものとなる。この効果は、増幅器の利得、したがって利得スペクト ラムが入力信号レベルとは独立して制御される場合には、除去することができる 。 独立した増幅器利得制御を実現するための既知のシステムは自動利得制御(A GC)を光電子もしくは全光フィードバックループの形で使用し、この場合、複 雑さやコストを低減するという意味では全部光のものを選ぶのがより好ましいこ ととなる。また、光電子フィードバックループは応答速度に限界があり、また増 幅器雑音応答の面で劣った点がある。 全部光のフィードバックループを用いる入力信号に独立な増幅器利得の作成の 一方法が欧州特許出願92300519.3で提供されている。この方法は半導 体でポンプしたエルビウムドープのファイバ増幅器(EDFA)であって、増幅 器の出力を増幅器の入力に接続している光フィードバックループに接続されたも のを記述している。フィードバックループに接続された狭帯域幅フィルタにより 、増幅されたスポンタネアス放出の選定された制御波長はファイバ増幅器の出力 からファイバ増幅器の入力へ進むことができる。フィードバック信号は制御波長 を有し、それはポンプの波長とは違い、増幅すべき信号の波長である。フィード バック制御信号は実際にリングレーザ構成で増幅器をロックする。よって、レー ザ作用条件はフ ィードバック制御信号の波長とフィードバックループ内の減衰とによって制御さ れるのであって、ポンプ又は信号波長の入力パワーによっては制御されない。リ ングレーザ構成は波長選択性カップラ(WSC)と3つの3dBカップラもしく は別の3つのWSCsの使用を必要とし、製造という面からすると、複雑構成と いうことになる。 別な構成が論文“Gain control in erbium-doped fibre amplifiers by lasin g at 1480nm with photoinduced Bragg gratings written on fibre ends”,De levaque et al.,Electronic Letters,10th June,Vol.29,No.12で提案され ている。この構成はEDFAのファイバの両端に制御波長で書込み用Bragg反射 器を含み、反射器と溶融スプライスに原因する結合損失とを除けば、信号に対し て本来的に無損失の機構を備えている。 この発明の第1の特徴によると、光増幅器として次の構成のものが提供されて いる: 第1及び第2の反射手段で定義される光空洞であって、第1の波長で共振する ように同調され、希土類ドーパント種を含む光ファイバホストで成る利得媒質と 合体された光空洞; 第1の波長とは異なる第2の波長で空洞内に光信号を結合させるための手段; 空洞からの光信号を増幅後に結合させるための手段; 利得媒質を光学的にポンプするためのポンプ手段;とで成り、 第1の波長はドーパント種の吸収及び放出断面積の和のピークの波長と実質的 に等しく、エルビウムがドーパント種の場合には、第1の波長は該ピークの少な くとも98%となって使用されるようにされていることを特徴とする。 希土類元素の放出及び吸収特性はある程度までは調査されており、どの原子( もしくはそのイオン)がシリカ又はフルオライドをベースとした光ファイバ内の ドーパントとしての可能性をもつかが知られている(参考文献[1]参照)。 以下にさらに詳細に記述するが、出願人は周囲の変化、例えば温度の変化に対 する空洞の感度を最小とすることが、空洞の共振波長をドーパント種の吸収及び 放出断面積の和のピークの近くに置くことによって可能であることを突き止めた 。 ドーパント種としてのエルビウムに関して、出願人は共振空洞波長を実質的に ほぼ1530nmのピークに置くことが可能であり、かつ望ましいと判断した。 その理由は、信号波長を約1500nm〜1600nmの間のどこにでもするこ とができるからである。 プラセオジミウムに関しては、吸収及び放出断面積の和のピークと約1300 nmの最適信号伝送波長とが実質的に一致するから、この場合は共振波長をピー クにもってくることは正常時には不可能である。その理由は、信号波長と共振波 長とを違うものとする必要があることによる。しかし、信号波長がピークであっ ても、ピークと極めて接近した波長で共振が生ずるように空洞を設計することは 可能である。 都合の良いことに、エルビウムを使うことはレーザ作用、したがってシリカフ ァイバ光通信にとって重要な1550nm窓における増幅を支持し、またプラセ オジミウムを使うことはレーザ作用、したがってシリカファイバ光通信にとって 重要な1300nm窓における増幅を支持する。他のドーパント種とホストの組 合せ方は関心のあるいろいろな他の波長における利得を生み出す。例えば、ネオ ジウムは1300nm窓での動作に対して可能性を示し、ツリウムは1500n m窓における動作に対して可能性を示すことが分かっている(文献1)。 入力ポート、出力ポート及びポンプの配置については幾つかの構成があって、 所望の効果を達成できる。入力信号で増幅すべきもの、又は増幅された出力信号 は直接空洞に接続されるか、あるいは第1もしくは第2の反射器を介して空洞に 接続される。同様に、ポンプ源も直接に、又は第1もしくは第2の反射器を介し て空洞に接続さ れる。どちらの配置を選ぶにしても、適切なカップラ(結合器)が組込まれなけ ればならないことは明らかである。 好ましくは、この発明の光増幅器では、ポンプは入力信号と結合されて波長分 割マルチプレクサ(WDM)によって増幅され、後に結合された信号は第1の反 射器を経て光空洞内に接続される。 光空洞のレーザ作用波長は反射器により固定され、反射器は求められた波長で のレーザ作用を強制する。一般に、反射器はファイバのコア内に書き込まれたグ レーテング(回折格子)であり、既知の方法でファイバ増幅器のいずれかの側に 書き込まれる。1つの方法は、Kashyap et al.,Electronic Letters,pp.730- 731,24May 1990,Vol.26,No.11に詳述されており、その内容はここで参照に 供するものとする。光グレーテングは高度に波長特有の反射率を示し、ミラーと は違って、グレーテングは光ファイバ及び光ファイバ系内に容易かつ堅牢に組み 入れられる。 ポンプ手段はレーザ空洞を光学的にポンプするためのエネルギーを提供する。 継続的で確実なポンプ作用のために、ポンプ源は一般にMQW構造を用いる高パ ワー半導体ダイオードレーザで、エルビウムを希土類ドーパントとするときに1 480nmもしくは980nmで動作するものを用いることができる。エルビウ ムイオンを他のポンプ波長、例えば807nmでポンプすることも可能である。 しかし、807nmポンプは励起状態吸収による効率の低下を受忍しなければな らない。1480nmのポンプと980nmのポンプとでは1480nmの方が 好ましい。その理由は、標準の1550nmファイバでは1480nmの単一モ ード伝送が可能だからである。しかしながら、標準の1550nmファイバで9 80nmでの数モード動作があり、これはポンプパワーをもっと非効率に使用す る結果となる。 この発明の実施例では、第1と第2の反射器との間の第2の反射器に近いとこ ろで、ファイバ内にサイド・タップ・グレーテングを 組入れている。このグレーテングはレーザ作用波長で光の一部をファイバのクラ ッド層に接続する働きをする。これによって波長特有の減衰が光空洞内部に組入 れられ、第1と第2の反射器がともにレーザ作用波長で高い反射性をもつことが できる。反射器が高い反射性をもつと、レーザ作用波長で迷光が外部から空洞内 に入り込んでいくことが妨げられもする。 別な実施例では、サイド・タップ・グレーテングが外部から空洞のいずれかの 側に加えられる。ファイバ内の高度に反射性をもつグレーテングでも約95%の 反射率しかもてないから、これは有用な改良となる。別なサイド・タップ・グレ ーテングはレーザ波長で残りの光を減衰させることができ、そうでないとこの光 はレーザ空洞から網ファイバのクラッド層を通って逃げ出してしまう。 Delevaqueらによって提案されたシステムと違って、この発明の増幅器はエル ビウムに対しては光通信の1550nmの窓における動作で、またプラセオジミ ウムに対しては1300nm窓における動作で最適化された制御パラメータを有 している。エルビウムをドープしたファイバ増幅器についての1つの特定の例の 性質についての完全な解析が提示され、ここではレーザ作用波長に対する最適値 と特定信号利得に対する損失とが適用できるようにする。この解析はエルビウム をドープしたAlGe:シリカファイバ増幅器に基づくものではあるが、他の希 土類ドーパント種とホストの構成についても適用されることを当業者は評価され よう。 この発明の実施例は付属の図を参照して、例として記述していく。 図1はこの増幅器の実施例を示す。 図2はいろいろなポンプパワーに対する増幅器利得対入力信号を表すグラフで ある。 図3は入力信号がオンに切り替えられたとき、この発明の過渡応答を表すグラ フである。 図4はエルビウムをドープしたファイバ増幅器の一例の相対的利 得がいろいろな反転(インバージョンINV)の値に対してレーザ作用波長とと もにどのように変わるかを示すグラフである。 図5は1550nmの入力信号波長に対する利得の変化対レーザ作用波長の変 化を表すグラフである。 図6は1550nmの入力信号波長での利得対レーザ作用波長を表すグラフで 、単一パス空洞損失のいろいろな値に対して示してある。 図7は1550nmの入力信号波長での利得対レーザ作用波長シフトの効果を 減らすように最適化されたときのレーザ作用波長を示すグラフである。 図8は置換可能なファイバグレーテングユニットの例である。 図9はこの発明の別な実施例を示す。 図1はこの発明の実施例を示す。1550nm光通信窓での応用に対して、エ ルビウムをドープしたファイバ増幅器29はレーザ空洞のための光利得媒質とな っていて、空洞は第1の光グレーテング26と第2の光グレーテング28によっ て定義され、第1及び第2の光グレーテングは必要とされるレーザ作用波長で高 い反射性を示し、かつその他の波長、特にポンプ及び入力信号波長で高い透過性 を示す。この実施例では空洞のレーザ作用波長を1520nmと規定している。 WDM21はポート22で入力される1480nmのポンプを、ポート20で入 力される1550nm入力信号で増幅させるべきものと結合させる。結合された 信号は後に第1の光グレーテング26を介して光空洞に接続される。利得制御動 作では、レーザ作用波長におけるレーザ空洞の利得はレーザ空洞の損失と等しく 、レーザ作用波長とは異なる波長の信号レベルによっても、またポンプパワーレ ベルによっても影響されない。1550nmで増幅されたデータ信号を第2の光 グレーテング28を介して増幅器を出て、出力ポート24から出力される。 図1では、実施例はアイソレータ23を含み、これは迷反射及び 増幅されたスポンタネアス放出(ASE)が増幅器から後方へ進んで前段の増幅 器と干渉するおそれがあるのを防いでいる。 サイド・タップ・グレーテング25は、動作時に、レーザ作用波長の光の一部 を光ファイバのクラッド層内に接続するように働く。この部分的反射は安定なレ ーザ動作に必要な損失を用意する。適切なレベルの損失を用意することは、両方 の光グレーテング26,28がレーザ作用波長で高い反射性となることができ、 好ましくは高い反射性であることを意味する。 高い反射率をもつグレーテング26,28がエルビウムをドープしたファイバ 増幅器の周りに置かれていて光フィードバックを作り、レーザ空洞を形成してい る。レーザ動作条件の下では、レーザ作用波長での増幅器の利得は空洞損失によ って決まる。増幅用媒質が均質に広がっていると仮定する(これは室温ではAl Ge:シリカファイバ内のエルビウムに非常に良く近似している)と、1つの波 長で得られる利得をクランプすることによって利得スペクトラム内部の他の全て の波長での利得が定義される。グレーテング26,28はエルビウムをドープし たファイバ増幅器のいずれかの側で光ファイバのコア内に書き込まれており、3 つの主な理由からフィードバック素子として使用される。第1は、増幅器を全部 ファイバ装置にすることができるからであり、このことは整列問題を避け、また コストの面で利点を持つ。第2に、グレーテングが比較的狭い反射スペクトラム をもってレーザ作用波長を極めて正確に定義することができることであり、した がって光増幅器の反転も正確なレベルでクランプされる。このことは、同じ空洞 損失に対してさえも、異なるレーザ作用波長が異なる全体の反転を生じさせ、し たがって他の波長で異なる利得を生じさせるから重要とされる。第3に、光に感 ずるグレーテングからの損失と帯域外反射のレベルとが極めて低いことであり、 これは増幅器の安定動作にとって非常に重要である。 増幅器の雑音性能をできる限り低下することを確実とするために は、増幅器レーザ空洞の入力端における制御波長のパワーを最低として、局所的 な反転のレベルがこの点で低下しすぎないようにすることが必要である。これを 達成するには制御空洞を非対称に作り、入力付近の反射器を一体に近づけ、出力 反射器又はサイド・タップ・グレーテングと高反射器との組合せが制御された利 得の最適値を与えるように選ぶことである。実際の実現に当たっては、さらにサ イド・タップ・グレーテング27,30、あるいはレーザ作用波長での別な何等 かの損失源を備えて(残留レーザパワーをさらに排除するためにはレーザ空洞の 外に備えるようにする)、システム内部の別なところで下流の干渉を避けるよう にすることも必要とされる。この発明による制御された増幅器の基本的性能は図 2に示され、ポンプのいろいろなレベルに対して増幅器利得が入力パワーでどの ように変わるかを示している。 図2は典型的なエルビウムをドープしたシリカファイバの利得制御増幅器の特 性を示す。この場合、増幅器は25mのファイバで成り、ファイバはSiO2−Al2O3 −G2−P2O5ホストガラスにエルビウムがあり、屈折率差は0.013、LP01モードカ ットオフは1.2μm、コア直径が5.3μm、Er3+濃度はピーク吸収が1532nm で室温において6.1dB/mのものであった。増幅用媒質は均質に広げられると いう非常によい第1次近似を仮定した。グラフは制御された信号利得レベルが、 ポンプパワーが20mW以上の時に、信号レベルがほぼ−10dBmまでは16 dBであることを示している。13mW以下では、増幅器は制御範囲外となる。 その理由は、ポンプによって作られた全体の密度反転が不足していてレーザ作用 波長でのレーザ動作を維持するのに十分な利得を用意することができないからで ある。 ポンプパワー47mWに対しては、利得は約−2dBm入力パワーまでは必要 とされる利得(16dB)の上下1dBの範囲内に留まり、変動はこの範囲の大 部分にわたって0.2dBより小さい範囲 であるということがグラフから分かる。 利得制御なしには、ポンプパワーのこのレベル(47mW)では、制御されて いない増幅器の小さな信号利得(すなわち、反転のレベルに与える効果が無視で きる利得)は、約30dB周辺となる。これは、この発明による利得制御機構が 入力パワーレベルの広い範囲にわたって利得一定を保つ上で著しく効果的である ことを示している。 さらにまた、制御された領域の範囲内でのポンプパワー変動に対して比較的感 応しないという性質の利点も見ることができる。このグラフから、−10dBよ りも小さな入力信号レベルに対し、20mWから47mWまでのカーブについて それが真であることが分かる。 実際には、有用な制御された信号利得が1550nm周辺でほぼ10dBから 25dBの利得の間であるのが適当である。しかし、制御は他の利得に対しても 等しく可能である。レーザ波長の限界は装置(デバイス)を適当に飽和させるの に十分な利得が得られるかどうかによって決められる。これについては後に特定 の例について述べるが、例えば16dBの信号利得を得るには、レーザ波長は与 えられた増幅器に対して約1510nmよりも長いものでなければならない。 利得制御機構の効果の別な尺度は入力信号の過渡状態に対する増幅器の応答を 見ることである。図3は入力データ信号が単純にオフにされ次にオンとされたと きの応答を示す。このグラフでは、参考のために入力信号を幾つかのトレースで −10dBmから+2dBmまでの幾つかの異なる入力レベルについて採ったも のを一緒に示した。トレースの相対的なレベルは見やすいように調節してある。 制御されたトレースは入力と非常に近いところに従っており、他方、制御の範囲 外のものはオーバーシュートがいろいろと変わっていることを示している。制御 なしでは−10dB信号はかなりのオーバ ーシュートを示す。このオーバーシュートは制御されていないファイバ増幅器内 で過渡的な飽和を生じさせている。 実際には、この発明の利得制御した増幅器は最適化されることが重要となる。 最適化できるパラメータの2つは空洞損失とレーザ波長である。利得制御された 増幅器の可能性のある用途を評価するには環境変化に対する感度と構造パラメー タとを評価することも必要とされる。この発明は利得制御されたレーザの最適化 を可能とし、とくに周囲の変化に対する感度の欠如と安定性の点でそれが可能と される。 制御された範囲での増幅器の利得はポンプパワーと信号パワーとに依存せず、 レーザ空洞パラメータによってのみ決定される。空洞損失(定常状態ではレーザ 波長における利得に等しい)とレーザ作用波長における変化はドープされたファ イバ内の密度反転を変え、したがって増幅帯域幅をまたいで他の波長での利得を 変える。利得媒質の温度変化も、レーザ利得及びそれと他の波長における利得と の関係の両方に僅かに影響する。 空洞損失の変化は次のような原因で生じ得る。すなわち、ファイバもしくはグ レーテング反射器の長期間劣化によるか、もしくは短期間には、温度変化が2つ のグレーテング反射ピークを互いに離調させることによる。信号波長における利 得の変化gsでレーザ空洞損失γの変化によって生じたものは次式により与えら れる。 ただし、 γは単一パス空洞損失(gl,レーザ波長における利得)、 Ntはドーパントイオン密度、 σal,σas=レーザ及び信号波長における吸収断面積、 σel,σes=レーザ及び信号波長における放出断面積、 γl,γs =レーザ及び信号周波数 γo =吸収及び放出断面積が等しくなる周波数、 h =プランク定数 k =ボルツマン定数 T =絶対温度(ケルビン)である。 この発明による増幅器における利得安定化動作のためには、レーザ作用が発生 するためのレーザ空洞波長で十分な利得がなければならない。一度レーザ作用が あると、空洞内でのレーザ光束による飽和がレーザ波長における全体の利得(2 パス)と全体の空洞損失(2パス)とを等しくなるように強制する。空洞損失は 空洞波長に従って選ばれて、信号波長で必要とされる利得が得られるようにする 。Delevaqueらによる論文では、提供された増幅器がレーザ波長を有し、その波 長が相当高い密度反転に対してほんの僅かの利得しかないスペクトルの部分にあ る。したがって、この増幅器の空洞損失を大きく低減させることが不可能である こと、それに、たとえ損失をゼロにまで低減できたとしても、最大可能反転は依 然として65%あたりに留まり、利得抑制はほとんどないということが出願人に は明らかなこととなっている。結果として、レーザ作用の停止なしには利得制御 した信号入力を増大させることは不可能なのである。 この発明による増幅器の利得はレーザ波長における動作での利得によって決定 される。その理由は、増幅器の利得媒質が本質的に均一であることによる。レー ザの光束が存在する限り、レーザ波長における利得はレーザ空洞損失に等しいと ころに固定される。レーザ光束内のパワーの変化は信号パワーレベルの変化を補 償する。信号パワーは、臨界レベルを越えると、レーザ動作を維持するのに必要 なレベル以下に反転を低減させる。この点で、レーザ波長における利得はレーザ 空洞損失により維持されたレベル以下に落ちて、レーザ作用が停止する。この臨 界レベルよりも大きな信号パワーレベルでは、増幅器の性能は同等の制御されて いない装置のそれと同じになる。 測定した吸収断面積データを用いて、dgs/dγを図5に示すようにプロットした 。図5のグラフが示すところは、Delevaqueらが提案したような、レーザ波長が 1480nmである利得制御された増幅器に対しては、空洞損失の変化0.1dB は1550nm信号の利得に0.22dBの変化をもたらす。レーザ波長の1530 nmに対する空洞損失の同じ変化は、信号利得には0.055dBの変化しかもたら さない。このグラフから明らかなことは、1520nmにおけるレーザ動作は、 1480nmにおけるよりも明らかに良くはなっているが、(我々の上記例のよ うに)動作の最適波長ではないということである。しかしながら、動作の最適範 囲が何かは提示した結果から明らかであろう。 上述のように、レーザをできるだけ放出及び吸収断面積の和のピークに近いと ころで動作させるのが優れて良いことは明らかである。図5に示すように、エル ビウムをドープしたAlGe:シリカファイバに対しては、これが1.52μmから 1.55μmの間である。 レーザ波長を利得glを備えたレーザ空洞に対して最適化するという意味では 、信号は調における利得gsは式2で与えられる。 ここで、Ntはドーパントのイオン密度である。 シリカファイバホスト内のエルビウムイオンの密度はファイバのピーク吸収、 ピーク吸収断面積、その長さ、ピーク波長モードとファイバコア内部のイオンの 半径方向の分布とから計算することがで きる。我々の計算で使用した数値は3×1025イオン/m3である。 図6はレーザ空洞損失1〜37dBに対してgsをプロットしたものを示す。 曲線の曲がりの点は、レーザ波長の変化が信号利得の変化を最小とするレーザ波 長を示している。予期される利得が単一パス空洞損失の関数としてプロットされ ている。このグラフから、設定されている増幅器の感度を異なるレーザ動作波長 を持つ同様の利得と比較することができる。例えば、信号利得28dBで動作し 、980nmでポンプされ、1480nmでレーザ作用をする増幅器の場合には 、レーザ波長±1nmのシフトで利得が0.7dB変化する。比較では、1480 nmでポンプされた増幅器でレーザ作用波長が1531nmのものは、レーザ波 長に1nmの同じくシフトがあると、信号利得が0.25dB変化する。より低い1 6dBの信号利得で動作する装置を例にとると、1nmのレーザ波長シフトに対 しては0.1dBよりも小さい信号利得の変化をもたらす。 式2の微分から、ある特定の利得で動作する増幅器が波長不感応となるレーザ 波長を抽出することが可能である。微分は次のように表現することができる。 限定された範囲について、レーザ周波数の変化で信号利得に変化がないような 1又は複数のレーザ波長を一次近似に対して見つけることができる。dgs/dγl =0と置くと、次式を得て、それが図7にプロットしてある。 レーザ空洞を形成するために使用されるグレーテングの温度での周波数シフト は、一般に1.5μm付近で0.01nm/℃である。したがって、100℃の温度シ フトは波長を1nmシフトさせる。図6から、質的に見て、レーザ作用波長にお けるこのシフトは、図7を用いてレーザ波長を選んだ場合信号利得に対しては無 視できる程度の効果を持つことになる。 ドープしたイオンの断面積の温度依存性に由来する利得の変化は小さく、室温 付近の一般的な温度変動に対してはほぼ直線的である。この変化の効果は無視で きるし、最適レーザ波長内の僅かなシフトによって補償することもできる。 図4は典型的なエルビウムをドープしたAlGe:シリカファイバの相対的な 利得係数のプロットである。これらのプロットは相対的な吸収及び放出断面積の データから求められたもので、次に白色光吸収測定と側光(ファイバの側部から 出るもの)の完全反転蛍光スペクトラムとで正規化されている。両端の2本の曲 線の間には、いろいろな密度反転に対する相対的な利得係数がプロットされてい る。 曲線は特定の反転に対する帯域をまたいだ異なる波長間の関係を示し、例えば 密度反転70%、相対利得が1520nmで約0.2で動作している増幅器は15 60nmで約0.35の利得を持つことになる。 この発明による利得制御された増幅器に対しては、レーザ作用波長と光空洞損 失とが反転のレベルを決める。もし空洞損失が例えば0.4(図4における相対的 な単位で)であるとすると、1532nmのレーザ波長に対して増幅器は72% の反転で動作し、1520nmに対しては反転は約90%となるが、1515n mよりも短い波 長かあるいは1570nmよりも長い波長では、レーザ作用は生じない。その理 由は、上記の波長ではシステム内の利得がレーザ作用を支持するのに不十分なこ とによる。 無損失でレーザ波長が1510nmの空洞に対しては、増幅器が制御可能に動 作できる最小反転は約60%である。レーザ波長が短くなるほどこの最小反転は 高くなる。例えば、もし反転70%が望ましいときは、1490nmよりも短い 波長のレーザでこれを得ることは不可能である。 上記の性質は3レベル増幅器性質の一般的なものである。4レベル系の例を見 ると、プラセオジミウムを組み入れた系ではこのような無損失空洞に基本的に制 限されない。それより低いレーザ状態での吸収がないから、レーザ波長では常に 何某かの利得がある。このことは、レーザ波長が利得帯域内部のどこであっても 良いということを意味する。 3レベル増幅器における特定点における信号対雑音比の劣化はその点における 利得媒質の密度反転によって決定される。このことは、寄生的損失機構を伴う4 レベルレーザにも適用される。 上のレーザレベルに直接ポンプされる増幅器に対して、達成できる最大密度反 転はポンプ源の波長によって支配され、ポンプ光束が短いほど大きな反転を得る ことができる。ポンプ波長よりも長い波長でレーザ作用光束があることは、密度 反転を引き下げることによって信号対雑音比を劣化させることとなる。利得制御 されたレーザ空洞の設計ではこの影響を最小とすることが重要である。 増幅器の雑音性能はその入力端の条件によって支配される。レーザ光束のパワ ーレベルを増幅器入力端で最小とすることにより、高い密度反転がこの点で維持 され、結果として全体の増幅器雑音性能が改善される。こうするためには、その 主要な損失がファイバの出力端に向かって位置するようにレーザ空洞を非対称に 構成し、レーザ光束が、増幅器の入力では低く、出力では高くなるようにする。 こうして、空洞全体で所定の総反転を維持する一方、増幅器の入力端では高い局 部的な反転を得ることが可能となる。 この非対称を達成する1つの方法は、光空洞の出力端近くにサイド・タップ・ グレーテングを採用し、ファイバコアが出て来る光を特定のレーザ波長でファイ バのクラッド層内に分散させるようにすることである。サイド・タップ・グレー テングの形成には、例えば上記で参照したKashyapらの文献に記述された方法を 用いることができる。参考文献では、光反射グレーテングはファイバ部分を紫外 光に感応させ、紫外光を用いてファイバ部分の本体に干渉パターンを刻み込むこ とによってファイバ部分内に書込まれる。ファイバ部分が干渉パターンに対して 直交する方位に配置されると、標準的な光反射グレーテングが形成される。もし ファイバ部分が干渉パターンに対して角度をもって配置されると、角度のついた 、あるいはサイド・タップの、光反射グレーテングが形成される。 レーザ波長でのサイド・タップ・グレーテングは、レーザ空洞内のエルビウム をドープした増幅器と第2の光グレーテングとの間に挿入され、空洞損失を決定 することになる。こうして、第1及び第2のファイバ空洞グレーテングはレーザ 作用波長において2つの高い反射性を持つグレーテングとなる。高反射性グレー テング内にレーザを包含することの利点は、レーザ空洞がレーザ波長での迷光に 対して感度を下げることであり、迷光は例えば他の装置からのASEや外部反射 に起因して周辺の網内を伝搬している。別な利点は、レーザ空洞内のレーザ波長 での光からの外部システムへの影響を低減することである。 この発明による利得制御された増幅器の主たる利点の1つは、この発明は反転 が独特に定義され、単一の受動フィルタが増幅器の帯域幅にわたって増幅器の利 得を等化するように構成できる点にある。 図8に示したグレーテングの構成の例を見ると、広い反射帯域幅を有する高反 射グレーテング26が増幅器の入力端で使用されてい る場合、レーザ波長は出力端にある狭い方の反射帯域幅グレーテング38の反射 波長によって独自に決められる。サイド・タップ・グレーテング39は空洞損失 を制御し、出力端グレーテング38と関係する利得平坦化グレーテング40の組 は増幅器からの信号出力の波長スペクトラムを制御する。利得平坦化グレーテン グ40は複数のサイド・タップ・グレーテングで成り、異なる波長で異なる量の 光をファイバクラッド層内に結合して、出力光の増幅器利得スペクトラムを等化 する。 別の固定利得で使用するためには、増幅器を再構成できるようにすると有用で ある。これをするための有効な方法は、利得変換が図8の全ての要素を単一の置 換可能ユニット、すなわち増幅器と適当な取り外し可能なコネクタを含む置換可 能部品として成る単一部品の置き換えで達成できるように増幅器を構成すること である。 出力グレーテングをレーザ作用波長において部分的にだけ反射をするように出 力グレーテングを構成することができる。実際には、これは不利得を伴う。すな わち、レーザ作用波長で動作する高効率減衰器は、レーザ作用波長の光が増幅器 から後段の光学系に漏れていかないように、増幅器とレーザ空洞の外部で共働す る必要がある。 一部の増幅器の始点と終点に第1及び第2の光学的グレーテングを置くことに よって、全部の増幅器とまとめて安定化することができる。したがって長距離通 信リンクで数十とか数百キロメータといったものが、単一の入力及びフィルタ装 置と、単一の出力及びフィルタ装置と、いくつもの別な長さの増幅用ファイバと で構成される利得制御された増幅器と共働できるようになる。ここで、増幅用フ ァイバは網損失で決まる距離だけ離れているものとする。追加のフィルタをもし 必要ならばチェーンの中に加えることができる。このような配置は受動的な光網 (PON)、例えば局部的な分配網として提案されている型式のものに応用され よう。この種の分配システムはWDMシステムでは極めて重要である。 一般に、ファイバ増幅器をモデル化して実際に期待される利得に関する特定の 情報を得ることは、ファイバパラメータについてかなり詳しい知識を必要とする 。これには関心のある全ての波長(少なくともポンプと信号について)の断面積 データ、希土類イオンドーピング密度、ファイバコア内のドーピング分布、ポン プ及び信号モードのファイバコア内の分布及びファイバ長を含む。この情報が結 合されて、相対利得係数(図4に示す)用の曲線でグラフがプロットできるよう にする。 スケーリングファクタがこれを実際の利得に変換するのにいかほどであるかを 知ることが条件となる。通常の増幅器ではこれは動作条件を意味し、増幅器の利 得とその利得レベルでの反転との両方が知れていることである。 これに続いて、利得制御された装置の設計が可能となる。まずグラフ(図4) から、所望の信号利得を得るのに用いることができるレーザ波長の範囲を読み取 らねばならない。利得と波長の範囲とを知ると、空洞損失に関してシステムを最 適化する必要がある。最適化の第1段階はレーザ波長を選ぶことで、吸収及び放 出断面積の和が最大となる波長(図5)に近づけるようにする。実際には、全て の希土類ファイバシステムに対して、吸収断面積ピークと放出断面積ピークとは 非常に接近しているので、レーザ波長をそのいずれかに置くことは良い近似とな る。これに加えて、もし増幅器が著しい温度変化を受けるのであれば、最適化の 次の段階は信号利得(又は等価的な全体の反転)対レーザ波長(図7)の適当な 最小を探すことになる。図5及び図7から、このような極小は損失最適の近くに あり、全体の安定度が確保できることになる。さらに、温度での断面積の変化が 一般的な動作温度範囲内で温度に対してほぼ線形であるという事実は、付加的な 小さな波長シフトで、この効果もまた最小化できることを物語っている。 この発明の利得制御された増幅器の別な用途は、飽和して使われ るように特に設定された増幅器の使用である。飽和された増幅器では、増幅され た信号の出力パワーはその入力値と相対的に独立したものであり、信号の増加と ともに利得が減衰していることを示している。 飽和した増幅器に利得制御を加えることによって、その増幅器が提供できる最 大利得は制限される。正常動作では、反転は大きな信号光束によって決定され、 レーザ空洞波長でのレーザ作用はない。しかし、入力信号レベルが低下すると利 得制御が働いて、高パワー増幅器における非常に高レベルとなり得るところまで 利得が持ち上がることがないようにする。これはスパイク振舞いを妨げ、好まし くないレーザ発振がスプライス、マルチプレクサ及び他の網素子からの僅かな反 射が原因となって突如伝送波長で開始されるという問題を回避する。 既に示したように、エルビウムをドープした増幅器について述べた詳細は例示 である。他の希土類ドーパント種を別の波長範囲の動作に対して使用することが できる。プラセオジミウムは一例である。 エルビウムと違って、プラセオジミウムは4レベルレーザ作用システムを有し 、1300nm遷移帯域幅内のどこででも密度反転を支持できる。したがって、 1300nm遷移内部ではレーザ作用波長についての制限はない。また、プラセ オジミウムに対する利得スペクトラムは非常に対称性があり、それは吸収及び放 出断面積(プラセオジミウムの場合には放出断面積のピークと等しい)の和のピ ークの周りの波長領域は一般に信号によって占有される。プラセオジミウムをド ープした増幅器に対するレーザ作用波長は、1250nmないし1350nmの 範囲内のどこにもとることができるが、最適レーザ作用波長は長い方の波長で生 ずる傾向がある基底状態吸収(GSA)効果を避けるために、約1275nmで ある。 プラセオジミウムをドープした増幅器のレーザ作用波長を吸収及び放出断面積 の和のピークに置くことが可能でないとしても、レー ザ波長をできるだけピークの近くとして良い制御を得るという利点は維持される 。 プラセオジミウムをドープした増幅器用に適した光ファイバホストはフッ素系 ファイバであり、例えばZBLANファイバもしくはZHBLAYLiNP(高 いNA値ファイバ)ファイバで500〜2000ppm(重量で)をドープした ものである。適切なZHBLAYLiNP組成[Zr:Hf:Ba:La:Y: Al:Na:Li:Pb]はコアに対してモル百分率で[51:0:19:3. 7:3:2.3:0:14:7]であり、クラッドに対してモル百分率で[8. 7:39.3:19:2.5:2:4.5:24:0:0]である。適切なポン プ源でこのファイバ用のものはNd:YLFレーザで約700mWで駆動されて 、約1047nmの光を送出するものであり、これが950nmないし1070 nmの光のプラセオジミウムポンプ波長帯の中に良く納まっている。 図9a−9eはこの発明の別な代わりの構成を示し、この利点は自明と思われ る。これらの図で破線は任意的な(オプション)配置を示すことに留意されたい 。 出願人は一般にある種のドーパント、例えばエルビウムでは吸収及び放出断面 積の和のピークが所望の信号伝送窓波長と一致しないこと、またそのような場合 に共振波長を最適利得安定化のためのピークに置くことができることを判断した 。他の種のドーパント、例えばプラセオジミウムは吸収及び放出断面積に和のピ ークが実質的に所望の信号伝送窓と一致する。したがって、これらのドーパント 種は増幅器の共振波長はピークではなくできるだけピークの近くに置くことを求 めている。 信号と共振波長との間の隔たりの量は、増幅器の空洞が波長を区別する能力又 は反射器、波長選択性フィルタ、もしくはカップラで空洞共振波長を規定するも ので得られる波長選択性、それに入力及び出力手段に大きく依存する。典型的な 場合は、波長選択性素子、 例えば光学的グレーテングは5nmという近い波長差を区別することができる。 したがって、1つの波長をピークに置くと、他は5nmだけ離れておくことがで きる。しかし、波長選択性素子は1nmまで離れた波長差を区別できるように示 してきた。 明らかに、WDMシステムに対しては、信号が複数の波長成分で成り、全ての 波長が共振波長とは異なるので、共振波長に一番近い波長成分に対して上記の制 限が適用されることとなる。 参考文献: [1]. Rare earth doped fluorozirconate glasses for fibre devices,S .T.Davey & P.W.France,BT Technology Journal,Vol.7,No.1,January 1989.
【手続補正書】特許法第184条の8 【提出日】1996年4月11日 【補正内容】 ィードバック制御信号の波長とフィードバックループ内の減衰とによって制御さ れるのであって、ポンプ又は信号波長の入力パワーによっては制御されない。リ ングレーザ構成は波長選択性カップラ(WSC)と3つの3dBカップラもしく は別の3つのWSCsの使用を必要とし、製造という面からすると、複雑構成と いうことになる。 別な構成が論文“Gain control in erbium-doped fibre amplifiers by lasin g at 1480nm with photoinduced Bragg gratings written on fibre ends”,De levaque et al.,Electronic Letters,10th June,Vol.29,No.12で提案され ている。この構成はEDFAのファイバの両端に制御波長で書込み用Bragg反射 器を含み、反射器と溶融スプライスに原因する結合損失とを除けば、信号に対し て本来的に無損失の機構を備えている。 この発明の第1の特徴によると、光増幅器として次の構成のものが提案されて いる: 第1及び第2の反射手段で定義されている光空洞であって、第1の波長で共振 するように同調され、希土類ドーパント種を含む光ファイバホストで成る利得媒 質と合体された光空洞; 第1の波長とは異なる第2の波長で空洞内に光信号を結合させるための手段; 空洞からの光信号を増幅器に結合させるための手段; 利得媒質を光学的にポンプするためのポンプ手段;とで成り、 第1の波長はドーパント種の吸収及び放出断面積の和のピークの波長と実質的 に等しく、エルビウムがドーパント種の場合には、第1の波長がピークの少なく とも98%となって使用されるようにしてあることを特徴とする。 希土類元素の放出及び吸収特性はある程度までは調査されており、どの原子( もしくはそのイオン)がシリカ又はフルオライドをベースとした光ファイバ内の ドーパントとしての可能性をもつかが知られている(参考文献[1]参照)。 請求の範囲 1.光増幅器であって: 第1及び第2の反射手段によって定義され、希土類ドーパント種を含む光ファ イバホストで成ろ利得媒質を組み入れ、かつ第1の波長で共振するように同調さ れている光空洞と; 第1の波長と異なる第2の波長での光信号を空洞内に接続するための手段と; 利得媒質を光学的にポンプするためのポンプ手段と;で成り、 該光空洞は、その長さに沿って非対称レーザ光束分配を提供し、また第1及び 第2の波長の1つがドーパント種の吸収及び放出断面積の和のピークの波長と実 質的に等しくなるようにされていることを特徴とする光増幅器。 2.使用上、空洞内の密度反転が第1の反射器から第2の反射器に向かう空洞 の長さに沿って減少することを特徴とする請求項1に記載の光増幅器。 3.ドーパント種としてエルビウムを備えたことを特徴とする請求項1又は2 に記載の光増幅器。 4.第1の波長が実質的に上記ピークと等しいことを特徴とする請求項3に記 載の光増幅器。 5.光ファイバホストが主としてエルビウムをドープした光ファイバで成るこ とを特徴とする請求項1ないし4のいずれか1に記載の光増幅器。 6.光空洞の共振波長が1500nmから1600nmの間にあることを特徴 とする請求項5に記載の光増幅器。 7.第1の波長が1510nmから1560nmの範囲にあることを特徴とす る請求項5に記載の光増幅器。 8.ポンプ源が実質的に1480nmの波長の光を提供することを特徴とする 請求項5ないし7のいずれか1に記載の光増幅器。 9.光ファイバホストが主としてプラセオジミウムをドープしたフルオライド ファイバであることを特徴とする請求項1又は2に記載の光増幅器。 10.第2の波長が実質的に上記ピークと等しいことを特徴とする請求項9に 記載の光増幅器。 11.第1の波長が1250nmから1350nmの間にあることを特徴とす る請求項9又は10に記載の光増幅器。 12.第1の波長が上記ピークから少なくとも5nmにあるようにされている ことを特徴とすろ請求項9ないし11のいずれか1に記載の光増幅器。 13.第2の波長が第1の波長から少なくとも5nmにあるようにされている ことを特徴とする請求項12に記載の光増幅器。 14.光信号が第1の反射器を介して光空洞内に送り込まれることを特徴とす る請求項1ないし13のいずれか1に記載の光増幅器。 15.第1の反射器が光ファイバ内に光グレーテングを具備することを特徴と する請求項1ないし14のいずれか1に記載の光増幅器。 16.第2の反射器が光ファイバ内に光グレーテングを具備することを特徴と する請求項1ないし15のいずれか1に記載の光増幅器。 17.光増幅器が、第1の波長で第2の波長でよりも著しく大きな損失を提供 する少なくとも1つのサイド・タップ・グレーテングを含むことを特徴とする請 求項1ないし16のいずれか1に記載の光増幅器。 18.第2の反射器が第1の波長で高い反射性を持つことを特徴とする請求項 1ないし17のいずれか1に記載の光増幅器。 19.さらに利得平坦化光グレーテング装置を具備することを特徴とする請求 項13に記載の光増幅器。 20.光増幅器であって: 第1のフィードバック手段が上記第1の波長で反射性を持つ広帯域反射器であ り、かつ第2のフィードバック手段が該第1の波長で反射性を持つ狭帯域反射器 であることを特徴とし、第1及び第2のフィードバック手段によって定義されか つ第1の波長で共振するように同調される光空洞と; 光空洞の光経路内に具備されている希土類ドーパント種を組み入れた光ファイ バ利得媒質と; 第1及び第2の波長が実質的にドーパント種の吸収及び放出断面積の和のピー クであるようにされていることを特徴とする、第2の波長での光入力信号を光空 洞内に接続するための入力ポートと; 増幅された入力信号が該空洞を出ていくときに経由する出力ポートと; 光空洞が、空洞の入力ポートでの高い局部反転からその出力ポートでの低い局 部反転まで空洞にわたって全体の密度反転を分配するようにされていることを特 徴とする、利得媒質をポンプして定常状態のレーザ動作を支持する全体の密度反 転を生み出すための光源と;を備えた光増幅器。 21.出力ポートが第2のフィードバック手段を含み、該第2のフィードバッ ク手段素子は第2の波長で低い反射性を有することを特徴とする請求項20に記 載の光増幅器。 22.第2のフィードバック手段が少なくとも第1の波長の90%の反射性を 有することを特徴とする請求項20又は21に記載の光増幅器。 23.増幅器が、上記第2のフィードバック手段の下流に、第1の波長で著し い伝送損失を提供し、第2の波長では著しい伝送損失を提供しないことを特徴と する請求項19又は20に記載の光増幅器。 24.利得安定化光増幅器であって: 第1の波長で共振するように同調され、かつ希土類をドープした光ファイバを 組み入れた共振光空洞と; 光信号が第1の波長とは異なる第2の波長を有し、第1及び第2の波長の1つ が実質的に希土類をドープした光ファイバホストの希土類ドーパント種の吸収及 び放出断面積の和のピークとなるようにされていることを特徴とする、増幅すべ き光信号を光空洞内に接続するための手段と; 増幅の後に光空洞からの光信号を結合するための手段と; 光空洞が、全体の密度反転を空洞の入力端での高い局部反転からその出力端で の低い局部反転まで空洞にわたって分配するようにされていることを特徴とする 、光ポンプエネルギーを光空洞に加えて希土類をドープした光ファイバホスト内 に密度反転を形成するための手段と;で成る利得安定化光増幅器。 25.第2の波長が上記ピークから少なくとも5nmにあるとき、第1の波長 は実質的に該ピークにあるようにされていることを特徴とする請求項24に記載 の利得安定化光増幅器。 26.第1の波長が上記ピークから少なくとも5nmにあるとき、第2の波長 は実質的に該ピークにあるようにされていることを特徴とする請求項24に記載 の利得安定化光増幅器。 27.異なる波長の各々での1又は複数の別な信号を空洞内に接続する手段を 備え、各信号は第1の波長とは異なる波長を有することを特徴とする請求項1な いし26のいずれか1に記載の利得安定化光増幅器。 28.光増幅器であって: 第1及び第2の反射手段によって定義され、希土類ドーパント種を含む光ファ イバホストで成る利得媒質を組み入れ、かつ第1の波長で共振するように同調さ れている光空洞と; 第1の波長と異なる第2の波長を有する1又は複数の光信号を空洞内に接続す るための手段と; 増幅の後に空洞からの光信号を結合するための手段と; 利得媒質を光学的にポンプしてレーザ動作を支持するのに十分な密度反転を提 供するようにするためのポンプ手段と;で成り、 光空洞はその長さに沿って非対称レーザ光束分配を提供するようにされている ことを特徴とする光増幅器。 29.光増幅器であって: 第1及び第2のフィードバック手段によって定義され、かつ第1の波長で共振 するように同調される光空洞と; 光空洞の光経路内に具備されている希土類ドーパント種を組み入れた光ファイ バ利得媒質と; それぞれが第1の波長とは異なる波長を有する1又は複数の光入力信号を光空 洞内に接続するための入力ポートと; 増幅された入力信号が該空洞を出ていくときに経由する出力ポートと; 光空洞が、空洞の入力ポートでの高い局部反転からその出力ポートでの低い局 部反転まで空洞にわたって全体の密度反転を分配するように配置されていること を特徴とする、利得媒質をポンプして定常状態のレーザ動作を支持する全体の密 度反転を生み出すための光源と;を備えた光増幅器。 30.利得安定化光増幅器であって: 第1の波長で共振するように同調され、かつ希土類をドープした光ファイバを 組み入れた共振光空洞と; 第1の波長とは異なる第2の波長を有する1又は複数の増幅すべき光信号を光 空洞内に結合するための手段と; 増幅の後に光空洞からの光信号を結合するための手段と; 光空洞に光ポンプエネルギーを加えて希土類をドープした光ファイバホスト内 に全体の密度反転を形成するための手段と;で成り、 光空洞が、全体の密度反転を空洞の入力端での高い局部反転からその出力端で の低い局部反転まで空洞にわたって分配するようにされていることを特徴とする 利得安定化光増幅器。 31.使用上、各光信号は増幅器内で増幅され、各光信号に対する増幅器の利 得は実質的に他のどんな光信号の信号レベルからも独立していることを特徴とす る請求項1ないし30のいずれか1に記載の光増幅器。 32.増幅器の利得が光空洞の損失と等しいことを特徴とする請求項1ないし 31のいずれか1に記載の光増幅器。 33.線形の光空洞を備えることを特徴とする請求項1ないし32のいずれか 1に記載の光増幅器。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.光増幅器であって: 第1及び第2の反射手段によって定義されかつ第1の波長で共振するように同 調され、希土類ドーパント種を含む光ファイバホストで成る利得媒質を組み入れ た光空洞と; 第1の波長と異なる第2の波長で光信号を空洞内に接続するための手段と; 利得媒質を光学的にポンプするためのポンプ手段と;で成り、 第1の波長はドーパント種の吸収及び放出断面積の和のピークの波長と実質的 に等しく、かつドーパント種がエルビウムの場合には、第1の波長が使用上該ピ ークの少なくとも98%であるようにされていることを特徴とする光増幅器。 2.光ファイバホストが主としてエルビウムをドープしたシリカファイバで成 ることを特徴とする請求項1に記載の光増幅器。 3.光空洞の共振波長が1500nm〜1600nmの間であることを特徴と する請求項2に記載の光増幅器。 4.第1の波長が1510nm〜1560nmの範囲であることを特徴とする 請求項2又は3に記載の光増幅器。 5.ポンプ源が実質的に1480nmの波長の光を提供することを特徴とする 請求項2ないし4に記載の光増幅器。 6.光ファイバホストが主としてプラセオジミウムをドープしたフルオライド ファイバであることを特徴とする請求項1に記載の光増幅器。 7.第1の波長が1250nm〜1350nmの間であることを特徴とする請 求項6に記載の光増幅器。 8.第2の波長が上記ピークと実質的に一致し、かつ第1の波長が第2の波長 から少なくとも5nmにあるようにされていることを特徴とする請求項6又は7 に記載の光増幅器。 9.光信号が第1の反射器を介して光空洞内に送り込まれることを特徴とする 請求項1ないし8のいずれか1に記載の光増幅器。 10.第1の反射器が光ファイバ内の光グレーテングで成ることを特徴とする 請求項1ないし9のいずれか1に記載の光増幅器。 11.第2の反射器が光ファイバ内の光グレーテングで成ることを特徴とする 請求項1ないし10のいずれか1に記載の光増幅器。 12.光増幅器が第1の波長で第2の波長でよりも著しく大きな損失を提供す る少なくとも1つのサイド・タップ・グレーテングを含むことを特徴とする請求 項1ないし11のいずれか1に記載の光増幅器。 13.光空洞がその長さに沿って非対称レーザ光束分配を提供するようにされ ていることを特徴とする請求項1ないし12のいずれか1に記載の光増幅器。 14.使用上、空洞内の密度反転が第1の反射器から第2の反射器に向かう空 洞の長さに沿って減少することを特徴とする請求項13に記載の光増幅器。 15.第2の反射器が第1の波長で高度の反射性を持つことを特徴とする請求 項1ないし14のいずれか1に記載の光増幅器。 16.さらに利得平坦化光グレーテング装置で構成されることを特徴とする請 求項1ないし15のいずれか1に記載の光増幅器。 17.第1の波長が第2の波長よりも光利得媒質の吸収断面積と放出断面積の 和の最大値に近いことを特徴とする請求項6ないし16のいずれか1に記載の光 増幅器。 18.光増幅器であって: 第1及び第2のフィードバック手段によって定義されかつ第1の波長で共振す るように同調される光空洞と; 光空洞の光経路内に具備されている希土類ドーパント種を組み入れた光ファイ バ利得媒質と; 第1の波長で反射性を持つ広帯域反射器である第1のフィードバ ック手段と、該第1の波長で反射性を持つ狭帯域反射器である第2のフィードバ ック手段と; 第2の波長での入力信号を光空洞内に接続するための入力ポートと; 増幅された入力信号が該空洞を出ていくときに経由する出力ポートと; 第1の波長が実質的にドーパント種の吸収及び放出断面積の和のピークとなる ようにされていることを特徴とする、利得媒質をポンプして定常状態のレーザ動 作を支持する密度反転を生み出すための光源と;を備えることを特徴とする光増 幅器。 19.出力ポートが上記第2のフィードバック手段を含み、該第2のフィード バック手段素子は第2の波長で低い反射性を有することを特徴とする請求項18 に記載の光増幅器。 20.第2のフィードバック手段素子は少なくとも第1の波長の90%の反射 性を有することを特徴とする請求項19に記載の光増幅器。 21.増幅器が、上記第2のフィードバック手段の下流に、第1の波長で著し い伝送損失を提供し、第2の波長では著しい伝送損失を提供しないことを特徴と する請求項19又は20に記載の光増幅器。 22.利得安定化光増幅器であって: 第1の波長で共振するように同調され、かつ希土類をドープした光ファイバを 組み入れた共振光空洞と; 第1の波長とは異なる第2の波長で存在する増幅すべき光信号を光空洞内に接 続するための手段と; 増幅の後に光空洞からの光信号を結合するための手段と; 光ポンプエネルギーを光空洞に加えて希土類をドープした光ファイバホスト内 に密度反転を形成するための手段と;で成り、 第1及び第2の波長の1つが実質的に希土類をドープした光ファ イバホストの希土類ドーパント種の吸収及び放出断面積の和のピークとなるよう にされていることを特徴とする利得安定化光増幅器。 23.第2の波長が上記ピークから少なくとも5nmにあるとき、第1の波長 は実質的に該ピークにあるようにされていることを特徴とする請求項22に記載 の利得安定化光増幅器。 24.第1の波長が上記ピークから少なくとも5nmにあるとき、第2の波長 は実質的に該ピークにあるようにされていることを特徴とする請求項22に記載 の利得安定化光増幅器。 25.光信号が複数の波長成分を含み、各波長成分は、使用上、第1の波長と は異なる波長を有することを特徴とする請求項1ないし24のいずれか1に記載 の利得安定化光増幅器。 26.各波長成分は、使用上、増幅器内で増幅され、各波長成分に対する増幅 器の利得は実質的に他のいずれの波長成分の信号レベルからも独立していること を特徴とする請求項25に記載の利得安定化光増幅器。 27.増幅器の利得が光空洞の損失と等しいことを特徴とする請求項26に記 載の利得安定化光増幅器。
JP52167595A 1994-02-18 1995-02-20 利得制御光ファイバ増幅器 Expired - Lifetime JP4001621B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB94301184.1 1994-02-18
EP94301184 1994-02-18
PCT/GB1995/000346 WO1995022847A1 (en) 1994-02-18 1995-02-20 Gain controlled optical fibre amplifier

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH09509012A true JPH09509012A (ja) 1997-09-09
JP4001621B2 JP4001621B2 (ja) 2007-10-31

Family

ID=8217573

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP52167595A Expired - Lifetime JP4001621B2 (ja) 1994-02-18 1995-02-20 利得制御光ファイバ増幅器

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5991068A (ja)
EP (1) EP0745281B1 (ja)
JP (1) JP4001621B2 (ja)
CN (1) CN1141764C (ja)
AU (1) AU696466B2 (ja)
CA (1) CA2182597C (ja)
DE (1) DE69521302T2 (ja)
WO (1) WO1995022847A1 (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005051196A (ja) * 2003-07-15 2005-02-24 Furukawa Electric Co Ltd:The エルビュームドープ光ファイバ増幅器
US7042634B2 (en) 2002-03-14 2006-05-09 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical amplifier
JP2006332301A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光増幅器
JP2009507367A (ja) * 2005-09-01 2009-02-19 エリクソン エービー 光利得制御を有する光増幅器
WO2018084048A1 (ja) * 2016-11-01 2018-05-11 日本電信電話株式会社 光増幅器

Families Citing this family (53)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1141764C (zh) * 1994-02-18 2004-03-10 英国电讯有限公司 增益控制光纤放大器
FR2738068B1 (fr) * 1995-08-24 1997-09-19 Alcatel Nv Amplificateur optique a faible diaphonie et composant incluant cet amplificateur
FR2739981B1 (fr) * 1995-10-13 1998-01-02 Photonetics Amplificateur de signaux optiques et procede d'amplification correspondant
DE69627959T2 (de) * 1995-10-30 2003-11-27 Nec Corp Verfahren zum Schutz gegen optische Überintensität und System zur Verwendung in einem mit seltenen Erden dotierten Faserschaltkreis
GB2308222B (en) * 1995-12-16 1997-11-12 Northern Telecom Ltd Gain clamped amplifier
JP3703239B2 (ja) * 1997-01-14 2005-10-05 富士通株式会社 光増幅器
DE19718997A1 (de) * 1997-05-06 1998-11-12 Ams Optotech Vertrieb Gmbh Laser-Sendeeinheit, insbesondere für die Nachrichtenübertragung im Wellenlängemultiplex
US5937134A (en) * 1997-08-07 1999-08-10 Lucent Technologies Inc. Cladding pumped fiber lasers
JP4179662B2 (ja) * 1998-04-27 2008-11-12 富士通株式会社 光増幅器及び能動型光ファイバ
US6160930A (en) * 1998-08-11 2000-12-12 Trw Inc. Optical sample and hold architecture
US6421170B1 (en) * 1998-09-18 2002-07-16 Corning Incorporated Gain control and shaping of EDFAs via dual cavity gain control
US6356385B1 (en) * 1999-02-05 2002-03-12 Board Of Trustees Of The Leland Standford Junior University Inhomogeneous broadening to modify the gain of an optical amplifier
US6347008B1 (en) * 1999-06-14 2002-02-12 Tellium, Inc. Optical amplifier system and optical network having flattened gain and constant per channel output power
KR100334789B1 (ko) * 1999-07-22 2002-05-02 윤종용 피드 백 루프를 이용한 광학 소자 측정용 광대역 광원
US6459526B1 (en) * 1999-08-09 2002-10-01 Corning Incorporated L band amplifier with distributed filtering
US6407855B1 (en) 1999-10-29 2002-06-18 Sdl, Inc. Multiple wavelength optical sources
US6249373B1 (en) * 1999-12-22 2001-06-19 At&T Corp. Semiconductor optical amplifier with adjustable gain
GB2363675B (en) 2000-01-19 2004-05-26 Advantest Corp Wideband optical amplifier and wideband variable wavelength optical source
KR100350231B1 (ko) * 2000-02-07 2002-08-27 한국과학기술연구원 광섬유 격자를 이용한 반도체 광증폭기의 이득조절 장치
EP1128504B8 (en) * 2000-02-23 2009-08-12 Fujitsu Limited Optical amplifier
KR100351672B1 (ko) * 2000-06-12 2002-09-11 한국과학기술원 전광자동이득조절 기능을 갖는 양방향 애드/드롭 광증폭기
EP1172907B1 (en) * 2000-07-11 2006-05-31 Corning Incorporated A tunable gain-clamped semiconductor optical amplifier
JP2002232044A (ja) * 2001-01-31 2002-08-16 Fujitsu Ltd 光ファイバ増幅器
JP2002350613A (ja) * 2001-05-28 2002-12-04 Fuji Photo Film Co Ltd 光学装置の迷光遮断構造
AU2002318943A1 (en) * 2001-08-03 2003-02-24 Ocg Technology Licensing, Llc Optical fiber amplifier
WO2003021733A1 (en) * 2001-09-05 2003-03-13 Kamelian Limited Variable-gain gain-clamped optical amplifiers
JP2003142759A (ja) * 2001-11-06 2003-05-16 Toshiba Corp ファイバレーザ装置およびそれを用いた映像表示装置
KR100398361B1 (ko) 2001-11-22 2003-09-19 한국전자통신연구원 입력 광신호 필터링을 이용한 어븀첨가 광섬유 증폭기
KR100567317B1 (ko) * 2002-05-07 2006-04-04 한국전자통신연구원 이득 제어를 위한 광섬유 증폭 방법 및 그 장치
EP1573867B1 (en) * 2002-09-18 2012-05-30 Orbits Lightwave, Inc. Traveling-wave lasers with a linear cavity
US7394837B2 (en) * 2002-09-18 2008-07-01 Orbits Lightwave, Inc. Traveling-wave linear cavity laser
KR100559469B1 (ko) * 2003-06-09 2006-03-10 한국전자통신연구원 이득고정형 광증폭기
KR100622015B1 (ko) * 2004-10-07 2006-09-19 한국전자통신연구원 증폭된 자발방출광(ase) 반사형 이득고정형 광섬유증폭기
KR100737374B1 (ko) * 2004-12-09 2007-07-09 한국전자통신연구원 이득고정형 광섬유 증폭기
US7787506B1 (en) * 2005-07-26 2010-08-31 Coherent, Inc. Gain-switched fiber laser system
US8098424B2 (en) * 2006-03-31 2012-01-17 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Optical fiber amplifying module
JP2008078728A (ja) * 2006-09-19 2008-04-03 Fujitsu Ltd 光伝送装置
KR100900793B1 (ko) * 2006-12-05 2009-06-02 한국전자통신연구원 이중 클래드 구조의 이득 고정형 광 증폭기
CN100437170C (zh) * 2007-01-05 2008-11-26 烽火通信科技股份有限公司 一种自组织相干光纤波导及其制造方法
US7876498B1 (en) 2007-03-23 2011-01-25 Lockheed Martin Corporation Pulse-energy-stabilization approach and first-pulse-suppression method using fiber amplifier
KR100864837B1 (ko) * 2007-06-15 2008-10-23 한국전자통신연구원 라만 공동을 갖는 라만 광증폭기를 이용한 이득고정형광증폭 장치
US7949215B2 (en) * 2008-04-18 2011-05-24 Ofs Fitel, Llc Apparatus for side fire fiber lasers
US20120026579A1 (en) * 2010-07-29 2012-02-02 Polaronyx, Inc. Resonant Optical Amplifier
FR2986916A1 (fr) * 2012-02-09 2013-08-16 Eolite Systems Systeme amplificateur optique et laser a impulsion limites en energie par impulsion.
CA2887421A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 David Welford Systems and methods for amplifying light
JP5588534B1 (ja) * 2013-03-28 2014-09-10 三星ダイヤモンド工業株式会社 光ファイバ、及びこれを用いたレーザ発振器
JP2014225584A (ja) * 2013-05-16 2014-12-04 株式会社フジクラ ファイバレーザ装置
US9835778B1 (en) 2013-09-13 2017-12-05 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for a diamond substrate for a multi-layered dielectric diffraction grating
US9608398B2 (en) * 2014-02-20 2017-03-28 LGS Innovations LLC Apparatus for protecting powered optical amplifiers
US11349275B2 (en) * 2018-06-12 2022-05-31 Ofs Fitel, Llc Complementary optical fiber-based amplifiers with built-in gain flattening
CN109507684B (zh) * 2018-12-18 2020-05-19 华中科技大学 基于类噪声脉冲的高空间分辨率探测系统及探测方法
JP2020134722A (ja) * 2019-02-20 2020-08-31 株式会社フジクラ 光デバイス及びレーザ装置
US10805008B1 (en) 2019-10-04 2020-10-13 Neptune Subsea Ip Limited Optical amplifiers that support gain clamping and optionally power loading

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5088095A (en) * 1991-01-31 1992-02-11 At&T Bell Laboratories Gain stabilized fiber amplifier
US5128800A (en) * 1991-06-19 1992-07-07 At&T Bell Laboratories Gain switchable optical fiber amplifier
US5155780A (en) * 1992-01-27 1992-10-13 At&T Bell Laboratories Optical limiting amplifier
US5239607A (en) * 1992-06-23 1993-08-24 Bell Communications Research, Inc. Optical fiber amplifier with flattened gain
CN1141764C (zh) * 1994-02-18 2004-03-10 英国电讯有限公司 增益控制光纤放大器

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7042634B2 (en) 2002-03-14 2006-05-09 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical amplifier
US7538937B2 (en) 2002-03-14 2009-05-26 Nippon Telegraph And Telephone Optical amplifier
US7589888B2 (en) 2002-03-14 2009-09-15 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical amplifier having a constant gain profile
JP2005051196A (ja) * 2003-07-15 2005-02-24 Furukawa Electric Co Ltd:The エルビュームドープ光ファイバ増幅器
JP2006332301A (ja) * 2005-05-26 2006-12-07 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光増幅器
JP2009507367A (ja) * 2005-09-01 2009-02-19 エリクソン エービー 光利得制御を有する光増幅器
WO2018084048A1 (ja) * 2016-11-01 2018-05-11 日本電信電話株式会社 光増幅器
JPWO2018084048A1 (ja) * 2016-11-01 2019-03-07 日本電信電話株式会社 光増幅器
US11196227B2 (en) 2016-11-01 2021-12-07 Nippon Telegraph And Telephone Corporation Optical amplifier

Also Published As

Publication number Publication date
CN1141096A (zh) 1997-01-22
WO1995022847A1 (en) 1995-08-24
AU696466B2 (en) 1998-09-10
CA2182597C (en) 2000-11-07
EP0745281B1 (en) 2001-06-13
DE69521302D1 (de) 2001-07-19
EP0745281A1 (en) 1996-12-04
DE69521302T2 (de) 2002-04-18
CN1141764C (zh) 2004-03-10
US5991068A (en) 1999-11-23
JP4001621B2 (ja) 2007-10-31
CA2182597A1 (en) 1995-08-24
AU1670595A (en) 1995-09-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4001621B2 (ja) 利得制御光ファイバ増幅器
US6751241B2 (en) Multimode fiber laser gratings
EP2791719B1 (en) Multi-core erbium-doped fiber amplifier
US6844962B2 (en) S-band light sources using erbium-doped fiber with depressed cladding
EP1474850A1 (en) Rare-earth doped phosphate-glass single-mode fiber lasers
WO1999048176A1 (en) Chirped period gratings for raman amplification in circulator loop cavities
US6538806B2 (en) Optical fiber for optical amplifier and fiber optic amplifier
US6392789B1 (en) Erbium-doped optical fiber having gratings formed therein and fabrication method thereof
US6603909B2 (en) Laser pigtail fiber with inherent attenuation characteristic
JPH11223744A (ja) 改善された希土類でドーピングした光ファイバ・レーザを含む物品
EP1189316A1 (en) Optical fiber for optical amplification and optical fiber amplifier
US20080130100A1 (en) High-efficiency, high-reliability fiber amplifier using engineered passband of photonic bandgap optical fiber
JP2002185063A (ja) 希土類元素添加光ファイバ及びそれを用いた光デバイス
JP4075113B2 (ja) 光ファイバ増幅器及びエルビウム添加光ファイバ
WO2003077381A2 (en) Amplifiers and light sources employing s-band erbium-doped fiber and l-band thulium-doped fiber with distributed suppression of amplified spontaneous emission (ase)
US8077747B2 (en) Phosphate glass based optical device and method
CA2469832A1 (en) Optical amplifier with multiple wavelength pump
WO2002079851A1 (en) An gain-clamped erbium-doped fiber amplifier for long wavelength band
Grobnic et al. 1.5 cm long single mode fiber laser made by femtosecond exposure of heavily doped erbium-ytterbium fiber
Chen et al. CW-pumped evanescent amplification at 1.55 μm wavelength using highly Er3+-doped glass over side-polished fiber
JP2004319978A (ja) 光増幅器
CA2604275A1 (en) Phosphate glass based optical device and method
JP2001156370A (ja) 光増幅器

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051220

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20060320

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20060508

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060620

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20070717

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20070815

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100824

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110824

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120824

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130824

Year of fee payment: 6

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term