JPH09505944A - 積重ね形構成部品、および積重ね形構成部品を製造するための方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 本発明は、誘電層と導電層との互層から成る積重ね形のコンデンサまたは抵抗器もしくはその両方の製造に関する。誘電層は、有機ケイ素または有機ゲルマニウムのガスの遠隔窒素プラズマ溶解から結果として得られる要素の重合によって付着され、また導電層は、硫化水素または二塩化イオウの遠隔窒素プラズマ溶解から結果として得られる導電ポリマーの付着によって同時に作られる。誘電層と導電層の付着が、回転ドラムの表面の上に置かれた誘電基板の上に行われ、この回転は、誘電基板の同じ部分が少なくとも一つの誘電体付着用装置と少なくとも一つの導電ポリマー付着用装置に連続的に面して位置付けられるように行われ、各誘電体または導電体の付着の前に、この付着が許されないゾーンをマスキングする。

Description

【発明の詳細な説明】 積重ね形構成部品、および積重ね形構成部品を 製造するための方法 本発明は、積重ね形の容量性構成部品または抵抗構成部品もしくはその両方、 並びに積重ね形の構成部品を製造するための方法に関する。 本発明を、積重ね形コンデンサの製造についてさらに詳しく説明する。しかし 後で示すように、本発明は抵抗器の製造にも関するものである。 積重ね形コンデンサは様々な方法で製造することができる。これらの方法の一 つは、金属被覆された柔軟なプラスチック薄膜を使用することから成る。 したがってこの柔軟なプラスチック薄膜は、一般に金属被覆されたゾーンと金 属被覆されていない側縁部を有し、一本の金属被覆された柔軟なプラスチック薄 膜の幅広いリールを切ることによって得られる。 製造工程のステップの一つは、少なくとも一対の金属被覆された柔軟なプラス チック薄膜を大きな直径を有するホイールの上に巻き付けることから成る。この 巻き付けは、重なり合った 二つの薄膜の金属被覆されていない縁部が対向側に位置するように実施される。 これは、行われる回転数にしたがって望みの厚さの容量性帯片を生成する。そ れから容量性帯片の側面の各々は、金属または合金によってカバーされる。 このステップは、将来のコンデンサの出力プレートを作ることを目的とするｓ ｈｏｏｐｉｎｇ作業である。こうして得られたコンデンサ帯片はマザーコンデン サと呼ばれる。それからマザーコンデンサは半完成コンデンサと呼ばれる単位ブ ロックに切られる。 積重ね形コンデンサを製造する別の一方法は、複数の金属被覆された誘電シー トを組み立てることから成る。金属被覆された誘電シートは、互いに平たく積み 重ねられた後に、焼結によって組み立てられる。 それから、こうして構成された組立品を切り、基本コンデンサのプレートを生 成することが必要である。 放電プラズマの中で形成される誘電層を作る二つの金属電極から成るコンデン サを、ガラス基板の上に作ることも公知である。 このような方法の欠点は、一方ではそのステップの数が多いこと、他方では、 使用される誘電体の性質と厚さが原因で、得られる構成部分が比較的限られた単 位容積当りキャパシタンスを有することから成る。 一例として、金属被覆された柔軟プラスチック薄膜によるコンデンサの構成に 含まれるプラスチック薄膜を作るために使用される誘電体は、ポリエステル、ポ リカーボネート、フェニレンポリスルフィド、またはポリプロピレンである。得 られる単位容積当りキャパシタンスは１０ｍｍ3当たりナノファラッドを超えな い。 本発明にはこれらの欠点がない。 本発明は、容積当たりキャパシタンスの高い新しいコンデンサ構造に関する。 後で明らかになるように、この新しい構造を変更することによって積重ね形抵抗 器を形成することも可能である。 したがって本発明は、奇数ランクと偶数ランクの誘電層と奇数ランクと偶数ラ ンクの導電層の互層から成る積重ね形のコンデンサであって、導電材料によって 覆われた二つの対向側面を有する構造体を構成し、誘電層は誘電要素の薄膜付着 によって 得られ、導電層は導電要素の薄膜付着によって得られ、導電材料による第一側面 の被覆は、偶数ランクの導電層を共に電気的に接続するような前記導電要素の付 着によって得られ、前記第一側面と反対の側面の導電材料による被覆は、奇数ラ ンクの導電層を共に電気的に接続するような前記導電要素の付着によって得られ ことを特徴とする、積重ね形のコンデンサを提案する。 本発明はまた、誘電薄膜と導電薄膜の連続積重ねによって形成され、導電薄膜 は、積重ねのときに互いに直列に接続される重なり合った基本抵抗要素を構成す ることを特徴とする、抵抗器も提案する。 さらに正確には、本発明による抵抗器は、奇数ランクと偶数ランクの誘電層と 奇数ランクと偶数ランクの導電層の互層から成り、この互層は導電材料によって 覆われた二つの対向する側面を有し、誘電層は誘電要素の薄膜付着によって得ら れ、導電層は導電要素の薄膜付着によって得られ、各導電層は第一側面に位置す る第一端と第一側面に対向する第二側面に位置する第二端を有し、奇数ランクの 導電層はすぐ上の偶数ランクの導電層の第一端に電気的に接続されたその第一端 を有し、そして偶数ランクの導電層はすぐ上の奇数ランクの導電層の第二端に電 気的に接続されたその第二端を有し、前記端の間の電気的接続は導電層の付着の ときに行われることを特徴とする。 本発明はまた、上述のような、少なくとも一つの抵抗器と少なくとも一つのコ ンデンサの直列または並列の組合せにも関する。 本発明はまた、誘電層と導電層がそれぞれ誘電要素の薄膜付着と導電要素の薄 膜付着とによって作られることを特徴とする、誘電層と導電層の連続を構成する 積重ね形のコンデンサを製造するための工程にも関する。 コンデンサを製造するためのこの工程の一つの重要な利点は、導電要素の付着 中に、コンデンサのプレートになることを目的とする二つの対向する側面を導電 材料で覆うことを可能にする、という点である。 本発明はまた、それぞれ誘電要素の薄膜付着と導電要素の薄膜付着によって誘 電層と導電層の連続を形成することから成ること特徴とする、抵抗器を製造する 工程にも関する。 抵抗器を製造するこの工程の一つの重要な利点は、導電要素の付着中に、導電 層を互いに直列に接続することを可能にするという点である。 本発明の好ましい実施例によれば、誘電薄膜と導電薄膜は遠隔窒素プラズマの 存在の下で付着され、それから誘電層は有機ケイ素または有機ゲルマニウムのガ スの遠隔窒素プラズマ溶解から結果的に得られた要素の重合によって付着され、 そして導電層はこれらの要素の前駆体ガスの遠隔窒素プラズマ溶解から結果的に 得られた導電要素を付着することによって生成される。導電要素前駆体ガスは、 金属錯体もしくは硫化水素または二塩化イオウであってもよい。 本発明の一つの重要な態様によれば、誘電薄膜と導電薄膜を交互に付着する工 程は、少なくとも二つの付着用空洞を含む反応装置の中で実施され、一つは誘電 層の付着のために確保され、他の一つは導電層の付着のために確保され、付着作 業は同じ基板の上で同時に、二つの空洞を周期的に進行して実施される。 本発明の他の特性及び利点は、添付の図面を参照して挙げる好ましい実施例の 説明を読むことによって明らかになろう。添付の図面は次の通りである。 − 第１図は、本発明によって採用されるような流動放電プラズマの概略図で ある。 − 第２図は、本発明による装置のブロック図である。 − 第３図は、第２図におけるブロック図の詳細図である。 − 第４図は、本発明による得られた容量性構造物の断面図である。 − 第５図は、本発明によって得られる抵抗構造の断面図である。 − 第６図は、本発明によって得られる抵抗構造物および容量性構造体の断面 図である。 − 第７図は、本発明によって使用されるマスキング装置の断面図である。 同じ参照符号は、全図面を通じて同じ要素を示す。 第１図は、本発明によって採用されるような流れ放電プラズマの概略図である 。 窒素供給源２は、管３を通じてマイクロ波空洞４に窒素を送る。 管３の中における窒素の圧力は１〜２０ｈＰａの間である。マイクロ波発生器 が発生する波の効果によって、空洞４の中に放電が持続される。マイクロ波発生 器５によって出力される波の周波数は、例えば２４５０ＭＨｚ、４３３ＭＨｚ、 または９１５ＭＨｚである。真空ポンプ（第１図には図示せず）によ って生成される流れはｚ軸に沿って確立される。ハッチングされたゾーンは、放 電空洞の出力部と真空ポンプとの間に位置する放電プラズマ出口ゾーンの中に存 在するイオンと電子の分布を表象的に表示する。 ゾーンＺ１は第一後放電ゾーンであり、この中ではイオンと電子の濃度は、放 電空洞の出力部と点Ｐで表示される高度に局部化された消滅ゾーンとの間で連続 的に減少する。 ゾーンＺ１に続くゾーンＺ２は、第二イオン後放電ゾーンであり、この中では イオンと電子の濃度は無視されない。これはゾーンＺ１よりも広がっている。 ゾーンＺ２に続くゾーンＺ３は、ゾーンＺ２と実質的にイオンと電子を含まな いゾーンＺ４との間の中間ゾーンである。イオンと電子の濃度は、ゾーンＺ２の 後半とゾーンＺ４との間で連続的に減少する。 ゾーンＺ４は、広い空間的広がりを有することのある後放電ゾーンである。 ゾーンＺ４では、エネルギー担体、詳しくは振動励起された窒素の実効寿命は 長いので都合がよい。１０秒程度の寿命が測定されている。したがってこれは、 本発明によって使用される この広がった後放電ゾーンに位置する流動遠隔プラズマであることが有利である 。一例として、ゾーンＺ４の出発点から空洞４の出力部を分離する距離は１メー トルかまたはこれより大きい。 第２図は、本発明による誘電要素と導電要素の付着を可能にする装置のブロッ ク図である。 誘電基板１は、角速度Ωで回転するドラム２の上に配置されている。支持体と して使用される機能を有するこの基板は、この工程の結果得られる構成部品の電 気的特性を妨害しない電気的特性を有するものであれば、どんな材料によって作 られてもよい。 従来の技術によれば、放電プラズマ強化付着は加熱された基板の上で実施され る。流動遠隔低温プラズマによる付着の別の利点は、付着物が作られる基板を加 熱する必要がないことである。したがって基板の機械的特性は劣化せず、本発明 の工程から結果として得られる構成部品の信頼性は、従来の技術の工程による構 成部品の信頼性と比較して向上されている。 本発明の好ましい実施例によれば、誘電材料１の同じ部分は連続的に、第一マ スキング装置ＤＭ１、第一誘電体付着が行わ れる第一空洞Ｃ１、第二マスキング装置ＤＭ２、第一導電ポリマー付着が行われ る第二空洞Ｃ２、第三マスキング装置ＤＭ３、第二誘電体付着が行われる第三空 洞Ｃ３、第四マスキング装置ＤＭ４、および第二導電ポリマー付着が行われる第 四空洞Ｃ４に面している。 ドラム２、空洞Ｃ１、Ｃ２、Ｃ３、Ｃ４、並びにマスキング装置は同じ反応装 置６の内部に位置する。 マスキング装置ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４によって付着されるマスクに ついては、マスキング装置自体と同様に後で述べることにする（第３図、第４図 、第５図を参照）。 本発明の好ましい実施例によれば、空洞Ｃ１とＣ３に付着された誘電層は、有 機ケイ素または有機ゲルマニウムのガスなどの、付着物の前駆体ガスの遠隔窒素 プラズマ溶解から結果的に得られた要素の重合によって得られる。 使用される遠隔プラズマは流動遠隔低温プラズマである。流動遠隔低温プラズ マは、電界の外側において、放電プラズマの中で形成される活性種の反応装置に おける抽出と緩和によって、数ｈＰａの圧力で得られる。 前述のように、本発明による流動遠隔低温プラズマは実際に は電子またはイオンを含まない。反応種は本質的に原子、遊離基、及び電気振動 励起された分子種である。このような流動遠隔低温プラズマは、空洞４から比較 的離れた領域においてのみ得ることができる。したがって、この結果、空洞４の 出力部を付着が行われる表面１から離す距離を選択しなければならなくなる。例 として、この距離は１メートルかまたはこれより大きくなることもある。 この場合には、窒素供給源３は管１９を通じて窒素をマイクロ波空洞４に送る 。管１９の中における窒素の圧力は１〜２０ｈＰａの間である。マイクロ波発生 器５が発生する波の効果によって、空洞４の中に放電が持続される。マイクロ波 発生器５によって出力される波の周波数は、例えば２４５０ＭＨｚ、４３３ＭＨ ｚ、または９１５ＭＨｚである。マイクロ波空洞４の出力側で励起された窒素は 、管９を通じて空洞Ｃ１とＣ３に送られ、これらの空洞で誘電体付着を行うこと になる。溶解する窒素のパーセンテージは例えば０．５〜３％の間である。 供給源１０によって出される有機ケイ素または有機ゲルマニウムを含むガスは 、装置８を介して空洞Ｃ１とＣ３に導入される。この線図を第３図に詳しく示す 。装置８の開いた端７によ って、誘電体付着が行われるべき表面の上にガスが広がることができる。 したがって、励起された窒素は、装置８のフレア端７と重合が行われる表面と の間に位置するゾーンにおいて、付着物の前駆体ガスと混合される。このフレア 端は、流動窒素プラズマの拡張された非イオン後放電ゾーンに位置する。流動は 真空ポンプ１４によって生成される。便宜上、真空ポンプ１４は第２図に記号的 に示した。これはドラム２の発電機に沿って配置され、フレア端７のいずれかの 側に分けられることが好ましい。前述のように、付着物の前駆体ガスは有機ゲル マニウム化合物であってもよい。またこれは、アルコキシシラン、シロキサン、 またはシラザンから選択された有機ケイ素化合物であってもよい。本発明の好ま しい実施例によれば、これはテトラメチルジシロキサンである。 拡張された後放電ゾーンにおける遠隔プラズマの使用は本発明の利点である。 実際に、従来の放電または後放電プラズマと比較して、拡張された後放電ゾーン における遠隔プラズマは、電子を奪われた活性媒体であり、大きな空間的広がり にわたってエネルギー放射を免れる。電界がないことは、導電層の上に おける重元素の付着を促進し、付着速度を改善する。さらに、前述のように、エ ネルギー担体の有効寿命がここでは長いことは有利である。 本発明の好ましい実施例によれば、気体状の有機ケイ素化合物を噴射するため の複数の装置８は酸素供給源１１に連結されている。有機ケイ素化合物と同時に 酸素を空洞Ｃ１とＣ３に導入することは、導電層の上に誘電層を形成する速度を 速めるので有利である。酸素の存在の他の利点は、付着された誘電層における、 ＯＨ基などの極性基の形成である。これは結果的に材料の誘電率を改善すること になる。酸素の含有率は、空洞Ｃ１とＣ３の中に存在する気体混合物の数パーセ ント台である。この値は大きな付着チャンバでは１０〜１５％に達することもあ る。 噴射装置８によって、他のドーパント１２が反応装置の中に導入されることも ある。これは例えばテトラキスジアルキルアミドチタン（ＩＶ）族であってもよ い。そこでこの第二ドーパントは、極性基の形成を可能にする。この場合、極性 基は酸化チタンをベースとする基である。 本発明の一つの利点は、すぐれた接着性と均一性、並びに必 要に応じて０．０５ミクロンから数ミクロンまで変化することのある厚さを有す る誘電層の付着である。 反応装置の中に導入される有機ケイ素化合物は、下記でよい： 下記の式のアルコキシシラン 下記の式のシロキサン 下記の式のシリザン 得られた付着物の比誘電率は３０以上の値に達することもある。本発明によれ ば、酸素源１１または前駆体ガスのドーパント１２は、付着物の比誘電率の値を さらに高めるために、例え ばチタン（ＩＶ）イソプロピラートといった酸化チタンを含んでもよい。高い比 誘電率を有する誘電体はしばしば損失が高く、また熱安定性が低いことは、当業 者には既に先験的に周知である。 この場合には、本発明による誘電性付着物にはこれらの欠点がないことが観察 された。 熱安定性は改善され、最高使用温度は３００℃台に達することもある。 誘電体の絶縁破壊電圧も著しく改善され、例えばミクロ（半導体集積回路）当 り２，０００ボルトに達することもある。 一般に、本発明による工程は、付着物（有機ゲルマニウム、アルコシシラン、 シロキサン、またはシラザンの化合物）の様々な前駆体ガスに関する。 したがって本発明による工程は、導電層の上に種々の誘電体を重合することを 有利に可能にする。 一例として、シラザンが空洞Ｃ１とＣ３の中に導入されると、下記の化合物に よって形成される誘電層が得られる： −Ｓｉ−ＮＨ−Ｓｉ −Ｓｉ-Ｏ−Ｓｉ −Ｓｉ-Ｃ−Ｓｉ シロキサンが導入されると、下記の化合物によって形成される誘電層が得られ る： 酸素含有量が非常に低い場合には、 架橋（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）ポリマー −Ｓｉ−（ＣＨ₃）₁ −Ｓｉ−ＯＨ −Ｓｉ−ＮＨ−Ｓｉ また、酸素含有量が高い場合には、 架橋（Ｓｉ−Ｏ−Ｓｉ）ポリマー −Ｓｉ−（ＣＨ₃）₂ −Ｓｉ−（ＣＨ₃）₂ −Ｓｉ−ＯＨ −Ｓｉ−ＮＨ−Ｓｉ 本発明の好ましい実施例によれば、ドーパントガスは酸素である。別の実施例 によれば、さらに一般的には、ドーパントガスは酸素を含む気体状化合物であっ てもよい。 上述のように、同じ材料部分が、誘電体付着に供された後に導電体付着に供さ れる。この導電要素の付着は空洞Ｃ２とＣ４ の中で行われる。 本発明の第一実施例によれば、導電要素は、硫化水素や二塩化イオウなどの付 着物の前駆体ガスの遠隔窒素プラズマ溶解から結果的に得られた要素の重合によ って付着された導電ポリマーである。ＳＮ基のラジカル再結合によって、導電ポ リマーは化学式がＳ₄Ｎ₄または（ＳＮ）_x（ｘは５以上の整数）であるポリ窒化 イオウとなる。 本発明の他の実施例によれば、付着される導電要素は、金属錯体の遠隔窒素プ ラズマ溶解から結果的に得られる。 この金属錯体は、例えば鉄カルボニルまたはニッケルカルボニル、もしくはア セチルアセトネートまたはフルオロアセチルアセトネートなどの、金属カルボニ ルであってもよい。 遠隔プラズマは、誘電体の付着のために生成されるものと類似の流動遠隔低温 プラズマである。 窒素供給源１５は管２０を通じて窒素を空洞１６に送る。管２０内の窒素の圧 力は１〜２０ｈＰａの間である。マイクロ波発生器１７によって発生する波の効 果の下で、空洞１６の中で放電が持続する。マイクロ波発生器１７によって出力 される波の周波数は、例えば２４５０ＭＨｚ、４３３ＭＨｚ、または ９１５ＭＨｚである。マイクロ波空洞１６の出力側で励起される窒素は、管２８ を通じて空洞Ｃ２とＣ４に送られ、これらの空洞で導電ポリマーが付着されるこ とになる。イオウの量は窒素の量と比較して僅かに多いことが好ましく、このた め導電ポリマーは良好な導電性能を有する。 供給源１３からの硫化水素または二塩化イオウは装置８を介して空洞Ｃ２とＣ ４に送られ、この線図を第２図に示す。装置８のフレア端７によって、導電ポリ マーが付着されるべき表面の上にガスが広がることが可能になる。 したがって励起された窒素は、装置８のフレア端７と重合が行われる表面との 間に位置するゾーンの中で、付着物の前駆体ガスと混合される。このフレア端は 、流動窒素プラズマの非イオン拡張後放電ゾーンの中に位置する。流動は真空ポ ンプ１４によって生成される。 本発明による工程によって、厚さの小さな導電ポリマー層の生成が可能になる ことは有利である。この厚さは実際には０．０５μｍ台になることもある。 第２図で説明する好ましい実施例によれば、二つの誘電層と二つの導電ポリマ ー層がドラム２の各回転で付着される。 しかし本発明は他の実施例、例えば、単一の誘電層と単一の導電層が付着され る実施例、および三つ以上の誘電層と三つ以上の導電ポリマー層が付着される実 施例にも関する。そして誘電層並びに導電ポリマー層は異なった性質を有しても よい。このために、望みの付着物に応じて付着用空洞の数を増加することで十分 である。 第３図は、第２図のブロック図の詳細図である。 この図は噴射装置８を示す。一組の噴射管２２は、端部に開いた部分７を含む スリーブ２１の中に含まれる。各噴射管２２はスリーブの開いた部分のオリフィ ス２３の中に開いている。 上述のように、噴射装置８は誘電体の付着と導電ポリマーの付着の両方のため に使用される。 こうして、供給源１０、１１、１２に接続されている噴射管２２は、誘電層を 付着するために必要なガスを送る。同様に、供給源１３に接続されている噴射管 ２２は、導電ポリマー層を付着するために必要なガスを送る。 第３図は、好ましい実施例による噴射装置８を示す。一般に噴射装置８は、当 業者には周知であって付着物の前駆体ガスを付着が行われる表面の上に均一に分 布させることを可能にする ものであれば、どのようなシステムでもよい。 第４図は、第２図で説明した工程の好ましい実施例によって得られる容量性構 造の断面図である。 第４図はまた、それぞれのマスキング装置ＤＭ１、ＤＭ２、ＤＭ３、ＤＭ４に 関連するマスクＭＡ１、ＭＡ２、ＭＡ３、ＭＡ４を表象的に示す。 種々のマスクＭＡｉ（ｉ＝１、２、３、４）が、誘電体の付着と導電ポリマー の付着が許されないゾーンにオイル付着によって作られることが好ましい。これ らのマスクの生成を可能にする装置を第７図に示す。 マスクＭＡ１は、誘電体の付着から除外されるべきゾーンへのオイル付着Ｈ１ によって生成される。マスキング装置ＤＭ１によって生成されるオイルは、ドラ ム２の回転によって表面１に沿って付着される。各オイル付着物Ｈ１は５０〜１ ００μｍ台であることが好ましい厚さ１１を有する。オイル付着物Ｈ１は互いに 平行で、また等距離に配置されることが好ましい。これらの距離は例えば１〜２ ｍｍにしてもよい。 マスクＭＡ２は、導電ポリマーの付着から除外されるべきゾーンへのオイル付 着Ｈ２によって生成される。装置ＤＭ２によ って生成されるオイルは、上述と同じ原理によって付着される。オイル付着物Ｈ ２の厚さ１２は厚さ１１より大きい。厚さ１２は厚さ１１より２０〜３０％大き いことが好ましい。オイル付着物Ｈ１、Ｈ２は平行軸に沿って生成される。した がってオイル付着物Ｈ２は、付着物Ｈ２によって定義される軸の各々が付着物Ｈ １によって定義される軸と並列になるように配列され、二つの隣接する付着物Ｈ ２によって定義される軸を分ける距離は、二つの隣接する付着物Ｈ１によって定 義される軸を分ける距離の２倍である。 マスクＭＡ３はオイル付着物Ｈ３によって生成される。この第三マスクＭＡ３ は第一マスクＭＡ１と同一である。オイル付着物Ｈ３は、厚さと位置については オイル付着物Ｈ１と同一である。 マスクＭＡ４はオイル付着物Ｈ４によって生成される。各付着物Ｈ４の厚さは 付着物Ｈ２の厚さと同じである。二つの隣接する付着物Ｈ４は、二つの隣接する 付着物Ｈ２と同じ距離によって分けられる。しかしながら、付着物Ｈ４が定義す る軸は付着物Ｈ２が定義する軸とは重ならないが、二つの隣接する付着物Ｈ２に よって定義される軸の間で等距離である。 上述のように、本発明の好ましい実施例による容量性構造の形成は、ドラム２ の各回転における二つの誘電層と二つの導電ポリマー層との付着の結果得られる 。第４図の容量性構造は、図示の便宜上六つの誘電層と六つの導電層とを含む。 したがって、この構造はドラム２の三回転に該当する。さらに一般的には、これ らの４ステップの反復回数はもっと多くてもよく、層の数は数千に達することも ある。 本発明による容量性構造は、一組の平行なＮ個の容量性構造Ｓｉ（ｉ＝１、２ 、・・・、Ｎ）の形状を成す。これらの構造は互いに壁Ｐｉ（ｉ＝１、２、・・ ・、Ｎ−１）によって分けられることが有利である。これらの壁は、容量性構造 を基本容量性構造に切り離すことを容易にすることができるだけの数のゾーンで ある。 切断は、当業者に周知のいずれかの手段で行うことができる。本発明によれば 、後で示すように（第７図を参照）、マスキング装置と両立できる切断システム によって行うことができる。 本発明によれば、各基本容量性構造の側壁は導電性である。そして、各基本容 量性構造を溶融合金波の中を通過させるか、または将来のコンデンサのプレート を作るために各基本容量性 構造の側面にはんだ付け合金またははんだ付けクリームを付着するかの、いずれ かで十分である。金属被覆されたプラスチック薄膜シートによるコンデンサの製 造のために従来の技術では必要であったｓｈｏｏｐｉｎｇ作業は、本発明の工程 によればもはや必要とされない。 もっと一般的には、本発明の工程は、積重ね形コンデンサの製造を可能にする 連続ステップの数を減少させることが有利である。 いったんプレートが作られると、本発明による工程は、基本コンデンサを作る ための基本容量性構造の切り離しステップを含む。 こうして作られたコンデンサが非常に小さな容積を有する構成部分であり、そ の単位容積当りキャパシタンスが例えば２０，０００ｎＦ／ｍｍ³に達すること もあるのは有利である。 第５図は、本発明によって得られた抵抗構造の断面図である。 上述のように、本発明は一般に、回転する基板の上に誘電層と導電ポリマー層 を連続的に付着することを可能にする工程に関する。 したがって本発明は、第５図に示すような抵抗構造を作るこ とを可能にする製造工程に関する。上述の容量性構造のように、本発明による抵 抗構造は、ウェルＰｉ（ｉ＝１、２、・・・、Ｎ−１）によって互いに分けられ たＮ個の基本抵抗構造Ｒｉ（ｉ＝１、２、・・・、Ｎ）から成る一組として形成 されている。各基本抵抗構造Ｒｉは、金属被覆された側壁を有する。そして、こ のような構造を定義するために使用されるマスクの連続は、同じ基本抵抗構造の 側壁が互いに電気的に接続され、さらに、二つの隣接する基本構造の側壁が互い に少なくとも一つの導電性ポリマー付着物によって電気的に接続されるように、 調節される。 上述のコンデンサの場合については、ウェルＰｉは、抵抗構造の基本抵抗構造 への切断を容易にすることができるような数量のゾーンである。 したがって本発明による工程は、基本抵抗構造を基本抵抗器に切断するステッ プを含む。 本発明によれば、各基本抵抗構造の側壁は導電性である。したがって、将来の 抵抗器の接続部を作るためには、各基本抵抗構造を溶融合金波を通過させるか、 または各基本抵抗構造の側壁の上にはんだ付け合金またははんだ付けクリームを 溶着する かのいずれかで十分である。 第６図は、本発明によって得られる抵抗構造と容量性構造の断面図を示す。便 宜上、単に一つの基本抵抗構造Ｒと一つの基本容量性構造Ｓを図示した。しかし ながら本発明は、複数の基本抵抗構造と複数の基本容量性構造から成る構造物に 関する。基本容量性構造Ｓは、一つのウェルＰｕによって基本抵抗構造Ｒから分 離されている。 第７図は、本発明によって使用されるマスキング装置の断面図である。 囲い２５は液相状態のオイル２４を含む。加熱要素（図示せず）によってオイ ルは部分的に蒸発が可能である。蒸気相のオイルは、囲い２５に統合された印刷 ローラ２６のノッチ２７を満たす。ノッチ２７の幅は、上記に規定した１１、１ ２などのマスキングゾーンの幅を規定する。二つの隣接するノッチの間の距離は 、二つの隣接するマスキングゾーンの軸の間の距離を決定する。印刷ローラは固 定されている。オイルは、ドラム２の角速度Ωで回転する基板の上に付着される 。この付着は基板上のオイルの凝集によるもので、基板の温度はオイルの温度よ りも低い。 基板上におけるオイル付着のための最適条件を保証するために、基板から印刷 ローラ２６を分離する距離は、工程を通じて事実上一定、例えば数ミクロン台に 保持される。移転されるオイルの量は加熱要素の加熱電力を調節することによっ て制御される。 一般に、所定のマスクを規定するノッチを作るために、あらゆる形式のパター ンを構想することができる。 所定のマスクを規定するノッチ２７は、印刷ローラ２６の同じ発電機の上に配 置されることが好ましい。こうして、同じ印刷ローラの上に種々のマスクのマス キングパターンを規定することが可能である。それから、基板の前面に置かれる マスキングパターンは単に印刷ローラを回転することによって選択される。 同様に、所定のマスクを規定するノッチ２７は、本発明の工程によって作られ る構造が容量性基本構造と抵抗基本構造との交互連続から成るように、調節する ことができる。続くこの構造の切断が、抵抗器とコンデンサを直列に構成する構 成部品の製造をもたらすことができるのは有利である。 このような構成部品の接続部は、コンデンサまたは抵抗器に ついて先に述べたものと同じ方法で作られる。 印刷ローラ２６が、コンデンサ構造または抵抗器構造もしくはその両方を基本 構造に切断することが可能になるように、種々の切断要素のための支持体として も使用できることは有利である。 本発明の工程によれば、ローラ２６は構成部品の上に種々のロゴをマークする ことも可能にすることができる。 従来の技術によれば、放電プラズマ強化付着は加熱された基板の上に行われた 。本発明による遠隔低温プラズマを流すことによる付着の一つの利点は、誘電体 の付着と導電体の付着が行われる基板を加熱する必要がないことである。したが って基板の機械的特性は劣化せず、本発明の工程によって作られる構成部分の信 頼性は、従来の技術の工程によって作られる構成部分のそれと比較して向上する 。

【手続補正書】特許法第１８４条の８ 【提出日】１９９５年１１月２９日 【補正内容】 請求の範囲 １．複数の誘電層と複数の導電層との交互の積重ねから成り、導電層は偶数ラン クの層と交互になった奇数ランクの層を連続的に含む、積重ね形の容量性構成部 品または抵抗構成部品を製造する方法であって、誘電層と導電層はそれぞれ誘電 材料の薄膜付着と導電材料の薄膜付着によって作られることを特徴とする製造方 法。 ２．予め付着された導電層と一方の側で接触するように、導電性付着物が作られ 、ウェル（Ｐｉ）によって分けられて並置された積重ね（ＳｉまたはＲｉ）が基 板の上に作られ、各積重ねはウェルの方に向いた側面を有し、これらの側面は、 積重ねを作るために実施される導電体付着の連続ステップが進むにつれて導電性 材料によって被覆されることを特徴とする請求の範囲第１項に記載の製造方法。 ３．積重ねコンデンサを作るために、偶数ランクの層の連続導電性付着物が層の 一端において、先に付着された偶数ランクの導電性付着物と直接接触し、奇数ラ ンクの層が層の他の端において、先に付着された奇数ランクの層と直接接触する ことを特 徴とする請求の範囲第２項に記載の製造方法。 ４．積重ねコンデンサを作るために、偶数ランクの導電性付着物がその端の一つ において、これに直接先行する奇数ランクの付着物と直接接触し、これに直接続 く奇数ランクの導電性付着物が他の端において、偶数ランクの付着物と直接接触 することを特徴とする請求の範囲第２項に記載の製造方法。 ５．コンデンサと、このコンデンサと直列または並列の抵抗器の両方が、同じ基 板の上に作られることを特徴とする請求の範囲第３項または第４項に記載の製造 方法。 ６．少なくとも一つの導電層の付着が、少なくとも一つの誘電層の付着と同時に 行われることを特徴とする請求の範囲第１項から第５項のいずれか一項に記載の 方法。 ７．誘電薄膜が、有機ケイ素または有機ゲルマニウムのガスの遠隔窒素プラズマ 溶解から結果的に得られる要素の重合によって付着され、また導電薄膜が、これ らの要素の前駆体ガスの遠隔窒素プラズマ溶解から結果的に得られる導電要素を 付着することによって生じることを特徴とする請求の範囲第１項から第６項のい ずれか一項に記載の方法。 ８．前記窒素遠隔プラズマが、実際には電子またはイオンを含 まない拡張後放電ゾーンに位置する流動遠隔低温プラズマであることを特徴とす る請求の範囲第７項に記載の方法。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 カルベール，フランク フランス国、エフ−92402・クルブボワ・ セデツクス、ボワツト・ポスタル・329、 トムソン−セーエスエフ・エス・セー・ペ ー・イー

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．誘電層と導電層との連続から成る積重ね形コンデンサを製造するための方法 において、誘電層と導電層がそれぞれ誘電要素の薄膜付着と導電要素の薄膜付着 によって作られることを特徴とする方法。 ２．ウェル（Ｐｉ、ｉ＝１、２、３、・・・、Ｎ−１）によって分けられた並列 の一組の基本容量性構造（Ｓｉ、ｉ＝１、２、３、・・・、Ｎ）を構成するよう に、誘電層と導電層を積み重ねるステップ含み、各基本容量性構造は将来コンデ ンサのプレートになる二つの対向する側面を有し、前記対向する側面はこれらが 導電要素の付着中に作られるときに導電性材料によって被覆されることを特徴と する請求の範囲第１項に記載の方法。 ３．誘電薄膜と導電薄膜を積み重ねるステップを含み、導電薄膜は、前記積み重 ね中に互いに直列に接続される重なった基本抵抗要素を構成することを特徴とす る抵抗器を製造するための方法。 ４．前記積重ねが、ウェル（Ｐｉ、ｉ＝１、２、３、・・・、Ｎ−１）によって 分けられた並列の一組の基本抵抗構造（Ｒｉ、 ＝１、２、３、・・・、Ｎ）の形成につながり、各基本抵抗構造は将来抵抗器の 端子になる二つの対向する側面を有し、前記対向する側面はこれらが導電要素の 付着中に作られるときに導電性材料によって被覆されることを特徴とする請求の 範囲第３項に記載の方法。 ５．誘電要素の薄膜付着物によって作られる誘電層と、導電要素の薄膜付着物に よって作られる導電層とを積み重ねるステップを含むことを特徴とする直列また は並列の少なくとも一つのコンデンサと少なくとも一つの抵抗器とから成る構成 部品を製造するための方法。 ６．少なくとも一つの導電層の付着が、少なくとも一つの誘電層の付着と少なく とも同時に行われることを特徴とする請求の範囲第１項から第５項のいずれか一 項に記載の方法。 ７．誘電薄膜の付着が、有機ケイ素または有機ゲルマニウムのガスの遠隔窒素プ ラズマ溶解によって生成される要素の重合によって生じ、また導電薄膜の付着が 、これらの要素の前駆体ガスの遠隔窒素プラズマ溶解から結果的に得られる導電 要素を付着することによって生じることを特徴とする請求の範囲第１項から第６ 項のいずれか一項に記載の方法。 ８．前記窒素遠隔プラズマが、実際には電子またはイオンを含まない拡張後放電 ゾーンに位置する流動遠隔低温プラズマであることを特徴とする請求の範囲第７ 項に記載の方法。 ９．有機ケイ素化合物が、 下記の式のアルコキシシラン： 下記の式のシロキサン： または、下記の式のシリザン： から選択されることを特徴とする請求の範囲第７項または第８項に記載の方法。 １０．有機ケイ素化合物がテトラメチルジシロキサンであることを特徴とする請 求の範囲第９項に記載の方法。 １１．導電要素の前駆体ガスが金属錯体であることを特徴とする請求の範囲第７ 項から第１０項のいずれか一項に記載の方法。 １２．金属錯体が金属カルボニルであることを特徴とする請求の範囲第１１項に 記載の方法。 １３．金属錯体がアセチルアセトネートまたはフルオロアセチルアセトネートで あることを特徴とする請求の範囲第１１項に記載の方法。 １４．導電要素の前駆体ガスが硫化水素であることを特徴とする請求の範囲第７ 項から第１０項のいずれか一項に記載の方法。 １５．導電要素の前駆体ガスが二塩化イオウであることを特徴とする請求の範囲 第７項から第１０項のいずれか一項に記載の方法。 １６．窒素の圧力が１〜２０ｈＰａの間であることを特徴とする請求の範囲第７ 項から第１５項のいずれか一項に記載の方法。 １７．誘電層の付着のときに酸素の存在を含むことを特徴とする請求の範囲第７ 項から第１６項のいずれか一項に記載の方法。 １８．誘電層と導電層の付着が、回転ドラム（２）の表面の上 に置かれた誘電基板（１）の上に行われ、前記回転は、誘電基板（１）の同じ部 分が少なくとも一つの誘電体付着用装置（Ｃ１、８、７）と少なくとも一つの導 電要素付着用装置（Ｃ２、８、７）に連続的に面して位置付けられるように行わ れ、各誘電体または導電体の付着の前に、前記付着が許されないゾーンのマスキ ングが先行することを特徴とする請求の範囲第６項から第１７項のいずれか一項 に記載の方法。 １９．前記マスキングがオイル付着によって行われることを特徴とする請求の範 囲第１８項に記載の方法。 ２０．前記オイル付着が印刷ローラから成るマスキング装置によって生成され、 ローラの上にはノッチが形成され、これらのノッチは蒸気相のオイルで満たされ 、前記蒸気相のオイルは凝集によって付着されることを特徴とする請求の範囲第 １９項に記載の方法。 ２１．誘電体と導電ポリマーの付着が許されないゾーンのマスキングが、ウェル （Ｐｉ、ｉ＝１、２、・・・、Ｎ−１）によって分けられた並列のＮ個の基本容 量性構造（Ｓｉ、ｉ＝１、２、・・・、Ｎ）から成る容量性構造の製造につなが り、各基本容量性構造は導電性の側壁を有することを特徴とする請求の 範囲第２０項に記載の方法。 ２２．前記容量性構造を前記Ｎ個の基本容量性構造に切断するステップを含み、 前記切断は印刷ローラに統合された切断要素によって行われることを特徴とする 請求の範囲第２１項に記載の方法。 ２３．将来のコンデンサのプレートを形成するために、前記切断から得られる各 基本容量性構造が溶融合金波を通過すること特徴とする請求の範囲第２２項に記 載の方法。 ２４．将来のコンデンサのプレートを構成するために、前記切断から得られる各 基本容量性構造の側壁の上にはんだ付け合金を付着することを含むこと特徴とす る請求の範囲第２２項に記載の方法。 ２５．基本容量性構造の基本コンデンサへの切断を含むことを特徴とする請求の 範囲第２３項または第２４項に記載の方法。 ２６．誘電体と導電ポリマーの付着が許されないゾーンのマスキングが、ウェル （Ｐｉ、ｉ＝１、２、・・・、Ｎ−１）によって分けられたＮ個の基本抵抗構造 （Ｒｉ、ｉ＝１、２、・・・、Ｎ）から成る抵抗構造の製造につながり、各基本 抵抗構造は導電性で互いに電気的に接続された側壁を有することを特徴 とする請求の範囲第２０項に記載の方法。 ２７．前記抵抗構造を前記Ｎ個の基本抵抗構造に切断するステップを含み、前記 切断は印刷ローラに統合された切断要素によって行われることを特徴とする請求 の範囲第２６項に記載の方法。 ２８．将来の抵抗器の接続部を形成するために、前記切断から結果的に得られる 各基本抵抗構造（Ｒｉ、ｉ＝１、２、・・・、Ｎ）が溶融合金波を通過すること を特徴とする請求の範囲第２７項に記載の方法。 ２９．将来の抵抗器の端子を構成するために、前記切断から得られる各基本構造 の側壁の上にはんだ付け合金を付着することを含むことを特徴とする請求の範囲 第２７項に記載の方法。 ３０．各基本抵抗構造の各基本抵抗器への切断を含むことを特徴とする請求の範 囲第２８項または第２９項に記載の方法。 ３１．誘電体と導電ポリマーの付着が許されないゾーンのマスキングが、容量性 基本構造および抵抗基本構造の連続から成る構造の製造につながり、各容量性基 本構造および抵抗基本構造は導電性側壁を有し、各抵抗基本構造は互いに電気的 に接続された側壁を有することを特徴とする請求の範囲第２０項に記載 の方法。 ３２．前記構造を、各々が容量性基本構造と抵抗基本構造から成る基本構造に切 断するステップを含むことを特徴とする請求の範囲第３１項に記載の方法。 ３３．将来の構成部品の接続部を形成するために、各基本構造が溶融合金波を通 過すること特徴とする請求の範囲第３２項に記載の方法。 ３４．前記基本構造の側壁の上にはんだ付け合金を付着することを含むことを特 徴とする請求の範囲第３３項に記載の方法。 ３５．直列のコンデンサと抵抗器によって形成された構成部品を構成するように 、基本構造を切断することを含むことを特徴とする請求の範囲第３４項に記載の 方法。 ３６．奇数ランクと偶数ランクの誘電層と奇数ランクと偶数ランクの導電層の互 層から成る積重ね形のコンデンサであって、導電材料によって覆われた二つの対 向側面を有する構造体を構成し、誘電層は誘電要素の薄膜付着によって得られ、 導電層は導電要素の薄膜付着によって得られ、導電材料による第一側面の被覆は 、偶数ランクの導電層を共に電気的に接続するような前記導電要素の付着によっ て得られ、前記第一側面と反対の側 面の導電材料による被覆は、奇数ランクの導電層を共に電気的に接続するような 前記導電要素の付着によって得られることを特徴とする積重ね形のコンデンサ。 ３７．奇数ランクと偶数ランクの誘電層と奇数ランクと偶数ランクの導電層の互 層から成り、前記互層は導電材料によって覆われた二つの対向する側面を有し、 誘電層は誘電要素の薄膜付着によって得られ、導電層は導電要素の薄膜付着によ って得られ、各導電層は第一側面に位置する第一端と第一側面に対向する第二側 面に位置する第二端を有し、奇数ランクの導電層はすぐ上の偶数ランクの導電層 の第一端に電気的に接続された第一端を有し、偶数ランクの導電層はすぐ上の奇 数ランクの導電層の第二端に電気的に接続された第二端を有し、前記端の間の電 気的接続は導電層の付着のときに行われることを特徴とする抵抗器。 ３８．少なくとも一つの請求の範囲第３６項に記載のコンデンサと少なくとも一 つの請求の範囲第３７項に記載の抵抗器とから成ることを特徴とする電子構成部 品。