JPH0948690A - Apparatus for supplying reaction gas - Google Patents
Apparatus for supplying reaction gasInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、反応ガス供給源か
らガス反応装置へ供給される有毒な反応ガスの漏れを防
止する反応ガス供給装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reaction gas supply device for preventing leakage of toxic reaction gas supplied from a reaction gas supply source to a gas reaction device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体装置の製造工程における代表的な
工程に微細パターニングプロセスがあるが、この微細パ
ターニングプロセスにおいては、例えば、化学的エッチ
ング装置、ＣＶＤ装置などの多くの真空装置が用いられ
ている。これら化学的エッチング装置、ＣＶＤ装置など
では、プロセス上、塩素ガス、臭化水素ガスなどの有毒
ガスが使用される場合がある。ガス供給源から前記各ガ
ス反応装置へ所定のガスを供給するガス供給ラインは、
通常、ステンレススチール製のパイプで配管されてい
る。2. Description of the Related Art There is a fine patterning process as a typical process for manufacturing a semiconductor device. In this fine patterning process, many vacuum devices such as a chemical etching device and a CVD device are used. . In these chemical etching devices, CVD devices and the like, toxic gases such as chlorine gas and hydrogen bromide gas may be used in the process. The gas supply line for supplying a predetermined gas from the gas supply source to each of the gas reaction devices,
Usually, it is connected by a stainless steel pipe.
【０００３】現用の具体的な反応ガス供給装置を図２に
示した。この反応ガス供給装置１は有毒ガスを含む複数
種の反応ガスの供給源であるガスボンベＢ１、Ｂ２、Ｂ
３・・・を収納したガスボンベボックス２と、各反応ガ
スの流量を調整する、反応ガス供給バルブＶ１、Ｖ２、
Ｖ３・・・を含むマスフローコントローラＭＦＣ１、Ｍ
ＦＣ２、ＭＦＣ３・・・を収納したガスボックス３など
から構成されており、この出力側は化学エッチング装置
またはＣＶＤ装置などのガス反応装置４へ所要の反応ガ
スを供給している。FIG. 2 shows a concrete reaction gas supply device in use. This reaction gas supply device 1 is a gas cylinder B1, B2, B which is a supply source of a plurality of types of reaction gas including a toxic gas.
3, a gas cylinder box 2 containing therein, and reaction gas supply valves V1, V2 for adjusting the flow rates of the respective reaction gases,
Mass flow controllers MFC1, M including V3 ...
It is composed of a gas box 3 containing FC2, MFC3 ..., And the output side supplies a required reaction gas to a gas reaction device 4 such as a chemical etching device or a CVD device.
【０００４】前記ガス反応装置４にはメインバルブＶ４
を介してターボ分子ポンプＰＭ１が装着されており、こ
のターボ分子ポンプＰＭ１の出力側にはパイプＰ５とフ
ォアバルブＶ５を介してラフポンプＰＭ２が、そしてこ
のラフポンプＰＭ２の出力側にはパイプＰ６を介して排
気ガス処理装置Ｔ１が接続されている。また、前記ガス
反応装置４にはパイプＰ７とラフバルブＶ６を介して前
記ラフポンプＰＭ２が接続されている。The gas reactor 4 has a main valve V4.
A turbo molecular pump PM1 is mounted through the turbo molecular pump PM1, a rough pump PM2 is connected to the output side of the turbo molecular pump PM1 via a pipe P5 and a fore valve V5, and a pipe P6 is connected to the output side of the rough pump PM2. The exhaust gas treatment device T1 is connected. Further, the rough pump PM2 is connected to the gas reactor 4 via a pipe P7 and a rough valve V6.
【０００５】前記各ガスボンベＢ１、Ｂ２、Ｂ３・・・
の各供給口と前記各マスフローコントローラＭＦＣ１、
ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・とはそれぞれパイプＰ１、Ｐ
２、Ｐ３・・・で接続されており、また、各マスフロー
コントローラＭＦＣ１、ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・の出
力側に接続された各反応ガス供給バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ
３・・・の出力側は１本の共通のパイプＰ４と反応ガス
供給バルブＶ７とを介して前記ガス反応装置４に接続さ
れている。前記いずれのパイプもステンレススチール製
である。Each of the gas cylinders B1, B2, B3 ...
Supply ports and the mass flow controllers MFC1,
MFC2, MFC3 ... Are pipes P1, P respectively
2, P3 ... And also the respective reaction gas supply valves V1, V2, V connected to the output side of the respective mass flow controllers MFC1, MFC2, MFC3.
The output side of 3 ... Is connected to the gas reaction device 4 through one common pipe P4 and a reaction gas supply valve V7. All of the above pipes are made of stainless steel.
【０００６】半導体ウエハにエッチングまたはデポジシ
ョンを施す場合には、前記ガス反応装置４内をラフポン
プＰ２及びターボ分子ポンプＰ１を順次作動させて所要
の真空度に引き、このようなガス反応装置４内に各ガス
ボンベＢ１、Ｂ２、Ｂ３・・・からの反応ガスをマスフ
ローコントローラＭＦＣ１、ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・
で流量調整し、開放されている反応ガス供給バルブＶ７
とパイプＰ４を介して前記ガス反応装置４に供給する。
このようにして、半導体ウエハの表面にエッチングまた
はデポジションを施すことができる。In the case of etching or depositing a semiconductor wafer, the rough reaction chamber P2 and the turbo molecular pump P1 are sequentially operated in the gas reaction device 4 to draw a desired degree of vacuum, and the gas reaction device 4 is thus constructed. The reaction gas from each of the gas cylinders B1, B2, B3 ... Is mass flow controllers MFC1, MFC2, MFC3 ...
The reaction gas supply valve V7 is opened by adjusting the flow rate with
And to the gas reactor 4 through a pipe P4.
In this way, the surface of the semiconductor wafer can be etched or deposited.
【０００７】ところで、前記各パイプの継ぎ手部は、通
常、図３に示したような構造のメタルシールが使用され
ている。即ち、この継ぎ手部２０の構造は、メタルパイ
プＰａの端部には端面に突起２１が形成された鍔状の端
板２２が形成されており、この端部に内周に雌ねじ２３
が切られているナット２４を装着し、一方、メタルパイ
プＰｂの端部は、その外周面に雄ねじ２５が切られた、
その端面に突起２６が形成されたボルト２７に形成され
ていて、メタルパイプＰａとＰｂとの間にシール材であ
る、中央部にガス流出孔２８が開けられたガスケット２
９を介挿し、前記ナット２４を前記ボルト２７に締め付
けることにより、前記メタルパイプＰａとＰｂとが接続
される構造になっている。By the way, a metal seal having a structure as shown in FIG. 3 is usually used for the joint portion of each pipe. That is, in the structure of the joint portion 20, a flange-shaped end plate 22 having a projection 21 formed on the end surface is formed at the end portion of the metal pipe Pa, and a female screw 23 is formed at the inner periphery at this end portion.
Is attached to the end of the metal pipe Pb, and a male screw 25 is cut on the outer peripheral surface thereof.
Gasket 2 which is formed on bolt 27 having projection 26 formed on its end surface and which is a sealing material between metal pipes Pa and Pb and which has gas outflow hole 28 formed in the central portion.
9 is inserted and the nut 24 is tightened to the bolt 27, so that the metal pipes Pa and Pb are connected to each other.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】このパイプの接続構造
は、メタル−メタル接触の高純度、高真空を得ることが
できるシール構造であるが、その機能上、奨励される締
め付け代があり、締め付け不足、締め付け過ぎによるガ
スリークが発生する可能性がある。また、メタル−メタ
ル間のガスケット２９の材質は、使用するガスの種類、
温度、圧力などにより異なる。ナット２４を締め付け過
ぎると、ガスケット２９が破れて、そこから反応ガスが
漏れ、また、誤ったガスケットを選定し、使用すると、
流したガスにより、そのガスケットが変形し、更には腐
食し、その結果、ガスリークが発生する可能性がある。
本発明は、このような欠点を無くすることを課題とする
ものであって、万一、有毒ガスが漏れても、作業者の安
全を確保できる反応ガス供給装置を得ることを目的とす
るものである。This pipe connecting structure is a seal structure capable of obtaining high purity and high vacuum of metal-metal contact. However, there is a recommended tightening allowance due to its function, and the tightening is recommended. Gas leaks may occur due to insufficient or excessive tightening. The material of the gasket 29 between the metal and the metal is the kind of gas used,
Depends on temperature, pressure, etc. If the nut 24 is tightened too much, the gasket 29 will be broken and the reaction gas will leak from it, and if the wrong gasket is selected and used,
The flowed gas may deform and even corrode the gasket, resulting in gas leaks.
An object of the present invention is to eliminate such drawbacks, and an object thereof is to obtain a reaction gas supply device capable of ensuring the safety of an operator even if a toxic gas leaks. Is.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】従って、本発明の反応ガ
ス供給装置は、有毒ガスを含むガス供給源とガス反応装
置とを内部パイプと外部パイプとからなる二重配管で配
管されており、前記内部パイプで前記ガス供給源からの
反応ガスを前記ガス反応装置に供給できるように接続
し、前記外部パイプには排気ポンプを接続して、前記内
部パイプから漏洩した有毒ガスを常時排気するように構
成し、前記課題を解決した。Therefore, in the reaction gas supply device of the present invention, the gas supply source containing the toxic gas and the gas reaction device are connected by a double pipe consisting of an inner pipe and an outer pipe, The internal pipe is connected so that the reaction gas from the gas supply source can be supplied to the gas reaction device, and the external pipe is connected to an exhaust pump to constantly exhaust the toxic gas leaked from the internal pipe. The above problem is solved.
【００１０】従って、本発明によれば、万一、内部パイ
プから有毒ガスが漏れても、直ちに外部パイプを通じ
て、例えば、排気ガス処理装置へ排出できるので、事故
を未然に防ぐことができる。Therefore, according to the present invention, even if a toxic gas leaks from the inner pipe, it can be immediately discharged to the exhaust gas treatment device through the outer pipe, so that an accident can be prevented.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】次に、図１を参照しながら、本発
明の反応ガス供給装置を説明する。図１は本発明の反応
ガス供給装置の模式図である。なお、従来技術の反応ガ
ス供給装置の構成と同一の構成部分には同一の符号を付
して説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Next, the reaction gas supply device of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 1 is a schematic view of a reaction gas supply device of the present invention. It should be noted that the same components as those of the reaction gas supply device of the prior art will be described with the same reference numerals.
【００１２】本発明の反応ガス供給装置１Ａは、有毒ガ
スを含む複数種の反応ガスの供給源であるガスボンベＢ
１、Ｂ２、Ｂ３・・・を収納し、排気孔２ａが設けられ
たガスボンベボックス２と、各反応ガスの流量を調整す
る、反応ガス供給バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３・・・を含む
マスフローコントローラＭＦＣ１、ＭＦＣ２、ＭＦＣ３
・・・を収納し、排気孔３ａが設けられたガスボックス
３などから構成されていることは、従来技術の反応ガス
供給装置１と殆ど同様である。この出力側は化学エッチ
ング装置またはＣＶＤ装置などのガス反応装置４へ所要
の反応ガスを供給している。The reaction gas supply device 1A of the present invention is a gas cylinder B which is a supply source of a plurality of types of reaction gas containing a toxic gas.
A mass flow controller MFC1 including a gas cylinder box 2 accommodating 1, B2, B3 ..., And a reaction gas supply valve V1, V2, V3, ... For adjusting the flow rate of each reaction gas. , MFC2, MFC3
It is almost the same as the reaction gas supply device 1 of the prior art that it is configured by a gas box 3 or the like in which the exhaust holes 3a are provided. This output side supplies a required reaction gas to the gas reaction device 4 such as a chemical etching device or a CVD device.
【００１３】前記ガス反応装置４にも、従来技術と同様
にメインバルブＶ４を介してターボ分子ポンプＰＭ１が
装着されており、このターボ分子ポンプＰＭ１の出力側
にはパイプＰ５とフォアバルブＶ５を介してラフポンプ
ＰＭ２が、そしてこのラフポンプＰＭ２の出力側にはパ
イプＰ６を介して排気ガス処理装置Ｔ１が接続されてい
る。また、前記ガス反応装置４にはパイプＰ７とラフバ
ルブＶ６を介して前記ラフポンプＰＭ２が接続されてい
る。A turbo molecular pump PM1 is also mounted on the gas reactor 4 via a main valve V4 as in the prior art, and an output side of the turbo molecular pump PM1 is connected via a pipe P5 and a fore valve V5. A rough pump PM2 is connected to the rough pump PM2, and an exhaust gas treatment device T1 is connected to the output side of the rough pump PM2 via a pipe P6. Further, the rough pump PM2 is connected to the gas reactor 4 via a pipe P7 and a rough valve V6.
【００１４】前記各ガスボンベＢ１、Ｂ２、Ｂ３・・・
の各供給口と前記各マスフローコントローラＭＦＣ１、
ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・とはそれぞれ内部パイプＰｉ
１、Ｐｉ２、Ｐｉ３・・・で接続されており、そしてこ
れら内部パイプＰｉ１、Ｐｉ２、Ｐｉ３・・・全体を、
その全長にわたって外部パイプＰｏ１で覆う二重配管で
構成した。この外部パイプＰｏ１の一端は前記ガスボン
ベボックス２の開口２ｂの全周を密封するように、その
開口２ｂに装着されており、その他端は前記ガスボック
ス３の開口３ｂの全周を密封するように、その開口３ｂ
に装着されている。Each of the gas cylinders B1, B2, B3 ...
Supply ports and the mass flow controllers MFC1,
MFC2, MFC3 ... Are the internal pipes Pi
1, Pi2, Pi3 ... And these internal pipes Pi1, Pi2, Pi3 ...
A double pipe covering the entire length with the external pipe Po1 was used. One end of the outer pipe Po1 is attached to the opening 2b of the gas cylinder box 2 so as to seal the entire circumference of the opening 2b, and the other end of the outer pipe Po1 seals the entire circumference of the opening 3b of the gas box 3. , Its opening 3b
It is attached to.
【００１５】また、各マスフローコントローラＭＦＣ
１、ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・の出力側に接続された各
反応ガス供給バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３・・・の出力側は
１本の共通の内部パイプＰｉ４と反応ガス供給バルブＶ
７とを介して前記ガス反応装置４に接続されている。そ
してこの内部パイプＰｉ４全体を、その全長にわたって
外部パイプＰｏ２で覆う二重配管で構成した。この外部
パイプＰｏ２の一端は前記ガスボックス３の開口３ｃの
全周を密封するように、その開口３ｃに装着されてお
り、その他端は前記ガス反応装置４のガス供給口４ａの
全周を密封するように、その開口４ａに装着されてい
る。前記いずれのパイプもステンレススチール製であ
る。Further, each mass flow controller MFC
The output side of each reaction gas supply valve V1, V2, V3, ... Connected to the output side of 1, MFC2, MFC3 ... Is one common internal pipe Pi4 and the reaction gas supply valve V.
It is connected to the gas reaction device 4 via 7 and 7. Then, the entire inner pipe Pi4 is constituted by a double pipe covering the entire length thereof with the outer pipe Po2. One end of this external pipe Po2 is attached to the opening 3c of the gas box 3 so as to seal the entire circumference of the opening 3c, and the other end seals the entire circumference of the gas supply port 4a of the gas reaction device 4. So that it is attached to the opening 4a. All of the above pipes are made of stainless steel.
【００１６】更に、本発明の反応ガス供給装置１Ａにお
いては、ガスボンベボックス２の排気孔２ａとガスボッ
クス３の排気孔３ａとにパイプＰ８が接続され、そして
そのパイプＰ８の末端にラフポンプＰＭ３と排気ガス処
理装置Ｔ２とが接続されている。そして更に、ガス検知
器Ｄ１が前記ガスボンベボックス２の排気孔２ａの近傍
に設置されており、パイプＰ９を介してパイプＰ８に接
続されている。また、ガス検知器Ｄ２がガスボックス３
の排気孔３ａの近傍に設置されており、パイプＰ１０を
介してパイプＰ８に接続されている。更にまた、ガス検
知器Ｄ３がラフポンプＰＭ３の近傍に設置されており、
パイプＰ１１を介してパイプＰ８に接続されている。ガ
ス反応装置４の近傍にはガス検知器Ｄ４が設置されてい
る。Further, in the reaction gas supply system 1A of the present invention, a pipe P8 is connected to the exhaust hole 2a of the gas cylinder box 2 and the exhaust hole 3a of the gas box 3, and the rough pump PM3 and the exhaust gas are exhausted at the end of the pipe P8. The gas processing device T2 is connected. Further, a gas detector D1 is installed near the exhaust hole 2a of the gas cylinder box 2 and connected to a pipe P8 via a pipe P9. In addition, the gas detector D2 is the gas box 3
It is installed in the vicinity of the exhaust hole 3a and is connected to the pipe P8 via the pipe P10. Furthermore, a gas detector D3 is installed near the rough pump PM3,
It is connected to the pipe P8 via the pipe P11. A gas detector D4 is installed near the gas reaction device 4.
【００１７】半導体ウエハにエッチングまたはデポジシ
ョンを施す場合には、前記ガス反応装置４内をラフポン
プＰ２及びターボ分子ポンプＰ１を順次作動させて所要
の真空度に引き、このようなガス反応装置４内に各ガス
ボンベＢ１、Ｂ２、Ｂ３・・・からの反応ガスをマスフ
ローコントローラＭＦＣ１、ＭＦＣ２、ＭＦＣ３・・・
で流量調整し、開放されている反応ガス供給バルブＶ７
とパイプＰ４を介して前記ガス反応装置４に供給する。
ガス反応装置４内の反応ガスはターボ分子ポンプＰ１に
より吸引、排気され、フォアバルブＶ５を通過し、排気
ガス処理装置Ｔ１へ排気される。このようにして、半導
体ウエハの表面にエッチングまたはデポジションを施せ
ることは、従来技術のものと同様である。In the case of etching or depositing a semiconductor wafer, the rough reaction chamber P2 and the turbo molecular pump P1 are sequentially operated in the gas reaction device 4 to draw a desired degree of vacuum, and the gas reaction device 4 is thus constructed. The reaction gas from each of the gas cylinders B1, B2, B3 ... Is mass flow controllers MFC1, MFC2, MFC3 ...
The reaction gas supply valve V7 is opened by adjusting the flow rate with
And to the gas reactor 4 through a pipe P4.
The reaction gas in the gas reaction device 4 is sucked and exhausted by the turbo molecular pump P1, passes through the fore valve V5, and is exhausted to the exhaust gas processing device T1. In this way, the surface of the semiconductor wafer can be etched or deposited in the same manner as in the prior art.
【００１８】このガス反応中、本発明の反応ガス供給装
置１Ａは、前記ラフポンプＰＭ３と排気ガス処理装置Ｔ
２を作動させ、常時、ガスボンベボックス２、ガスボッ
クス３及び外部パイプＰｏ１、Ｐｏ２内のガスを排気
し、そして、反応ガスの漏れはガス検知器Ｄ１、Ｄ２、
Ｄ３、Ｄ４にて、常時、チェックされる。ガス漏れが発
生した場合は、いずれかの前記ガス検知器が作動し、反
応ガス供給バルブＶ１、Ｖ２、Ｖ３・・・及びＶ７を閉
じる。漏れた反応ガスは内部パイプＰｉ１、Ｐｉ２、Ｐ
ｉ３・・・及びＰｉ４と外部パイプＰｏ１及びＰｏ２と
の空間を通り、ラフポンプＰＭ３に引かれて排気ガス処
理装置Ｔ２に排気される。During this gas reaction, the reaction gas supply device 1A of the present invention is arranged so that the rough pump PM3 and the exhaust gas treatment device T are used.
2, the gas in the gas cylinder box 2, the gas box 3 and the external pipes Po1, Po2 is constantly exhausted, and the leakage of the reaction gas is detected by the gas detectors D1, D2,
It is always checked at D3 and D4. When a gas leak occurs, one of the gas detectors is activated and the reaction gas supply valves V1, V2, V3 ... And V7 are closed. The leaked reaction gas is the internal pipes Pi1, Pi2, P
i3 ... and Pi4 and the external pipes Po1 and Po2, and are drawn by the rough pump PM3 and exhausted to the exhaust gas treatment device T2.
【００１９】[0019]
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の反応ガ
ス供給装置によれば、前記の構成及び動作により、万
一、内部パイプから有毒ガスが漏れても、直ちに外部パ
イプを通じて、排気ガス処理装置へ排気するので、その
有毒ガスは作業場に流出することなく、安全に排気さ
れ、しかもガス検知器がガス漏れをいち早く感知するの
で、作業者の安全を確保でき、事故を未然に防ぐことが
できる。As described above, according to the reaction gas supply device of the present invention, even if a toxic gas leaks from the inner pipe, the exhaust gas is immediately discharged through the outer pipe due to the above configuration and operation. Since it is exhausted to the processing equipment, the toxic gas is safely exhausted without flowing out to the work place, and the gas detector detects the gas leak promptly, so the safety of the worker can be secured and the accident can be prevented before it happens. You can
【図１】 本発明の反応ガス供給装置の模式図である。FIG. 1 is a schematic view of a reaction gas supply device of the present invention.
【図２】 従来技術の反応ガス供給装置の模式図であ
る。FIG. 2 is a schematic diagram of a reaction gas supply device of a conventional technique.
【図３】 従来技術の反応ガス供給装置に用いられてい
るパイプの継ぎ手部の構造の断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view of the structure of a joint portion of a pipe used in a reaction gas supply device of the related art.
１Ａ 反応ガス供給装置 ２ ガスボンベボックス ２ａ 排気孔 ２ｂ 開口 ３ ガスボックス ３ａ 排気孔 ３ｂ 開口 ３ｃ 排気口 ４ ガス反応装置 Ｂ１ ガスボンベ Ｂ２ ガスボンベ Ｂ３ ガスボンベ Ｐｉ１ 内部パイプ Ｐｉ２ 内部パイプ Ｐｉ３ 内部パイプ Ｐｉ４ 内部パイプ Ｐｏ１ 外部パイプ Ｐｏ２ 外部パイプ ＭＦＣ１ マスフローコントローラ ＭＦＣ２ マスフローコントローラ ＭＦＣ３ マスフローコントローラ Ｖ１ 反応ガス供給バルブ Ｖ２ 反応ガス供給バルブ Ｖ３ 反応ガス供給バルブ Ｖ４ メインバルブ Ｖ７ 反応ガス供給バルブ ＰＭ１ ターボ分子ポンプ ＰＭ２ ラフポンプ ＰＭ３ ラフポンプ Ｔ１ 排気ガス処理装置 Ｔ２ 排気ガス処理装置 Ｄ１ ガス検知器 Ｄ２ ガス検知器 Ｄ３ ガス検知器 Ｄ４ ガス検知器 1A Reaction Gas Supply Device 2 Gas Cylinder Box 2a Exhaust Hole 2b Opening 3 Gas Box 3a Exhaust Hole 3b Opening 3c Exhaust Port 4 Gas Reactor B1 Gas Cylinder B2 Gas Cylinder B3 Gas Cylinder Pi1 Inner Pipe Pi2 Inner Pipe Pi3 Inner Pipe Pi2 Inner Pipe Po2 Outer Pipe Po1 External pipe MFC1 Mass flow controller MFC2 Mass flow controller MFC3 Mass flow controller V1 Reactive gas supply valve V2 Reactive gas supply valve V3 Reactive gas supply valve V4 Main valve V7 Reactive gas supply valve PM1 Turbo molecular pump PM2 Rough pump PM3 Rough pump T1 Exhaust gas treatment device T2 Exhaust gas Processing equipment D1 gas detector D2 gas detector D3 gas detector D4 gas detector
Claims (2)
応装置との間を内部パイプと外部パイプとからなる二重
配管で配管されており、前記内部パイプで前記反応ガス
供給源からの反応ガスを前記ガス反応装置に供給できる
ように接続し、前記外部パイプには排気ポンプが接続さ
れていて、前記内部パイプから漏洩した有毒ガスを常時
排気するように構成されていることを特徴とする反応ガ
ス供給装置。1. A double pipe consisting of an inner pipe and an outer pipe is provided between a reaction gas supply source containing a toxic gas and a gas reaction device, and the reaction from the reaction gas supply source is carried out in the inner pipe. A gas is connected so as to be able to be supplied to the gas reaction device, an exhaust pump is connected to the outer pipe, and the toxic gas leaked from the inner pipe is constantly exhausted. Reaction gas supply device.
応装置の近傍にガス検知器が配設されていることを特徴
とする請求項１に記載の反応ガス供給装置。2. The reaction gas supply device according to claim 1, wherein a gas detector is arranged in the vicinity of the reaction gas supply source, the gas box and the gas reaction device.
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19752995A JP3684624B2 (en) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | Reaction gas supply device |
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| JP19752995A JP3684624B2 (en) | 1995-08-02 | 1995-08-02 | Reaction gas supply device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| JPH0948690A true JPH0948690A (en) | 1997-02-18 |
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