JPH0946566A - Solid-state image pickup device for electron endoscope - Google Patents

Solid-state image pickup device for electron endoscope

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JPH0946566A
JPH0946566A JP7196665A JP19666595A JPH0946566A JP H0946566 A JPH0946566 A JP H0946566A JP 7196665 A JP7196665 A JP 7196665A JP 19666595 A JP19666595 A JP 19666595A JP H0946566 A JPH0946566 A JP H0946566A
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JP
Japan
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solid
substrate
film capacitor
state image
thin film
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP7196665A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshiki Kuroda
吉己 黒田
Yoshiro Nishimura
芳郎 西村
Fukashi Yoshizawa
深 吉沢
Hiroyuki Yoshimori
博之 由森
Takashi Mihara
孝士 三原
Takehiro Takahashi
武博 高橋
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Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
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Publication of JPH0946566A publication Critical patent/JPH0946566A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a solid-state image pickup device for an electron endoscope made small and thin in size. SOLUTION: This solid-state image pickup device has a solid-state image pickup element 2, a semiconductor element 4, and a thin film capacitive element 5, and a semiconductor element board 9 on whose one side the semiconductor element 4 is formed, a thin film capacitive element board 11 on whose one side the thin film capacitor is formed and laminated on the surface opposite to the surface of the semiconductor element board 9 on which the semiconductor element 4 is formed, a solid-state image pickup element board 1 laminated on the surface on which the thin film capacitive element board 11 and the thin film capacitor 5 are formed, and an electric connection member 6 connecting electrically the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4 and the thin film capacitive element 5.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば電子内視鏡
の先端部に組み込んで用いられる電子内視鏡用固体撮像
装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state image pickup device for an electronic endoscope, which is used by being incorporated in a distal end portion of the electronic endoscope, for example.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、例えばCCD(Charge Coupled De
vice) やSIT(Static Induction Transistor) 、CM
D(Charge Modulation Device)等の固体撮像素子を有す
る固体撮像装置を撮像部に用いた電子内視鏡に関する種
々の技術が提案されている。
2. Description of the Related Art In recent years, for example, CCD (Charge Coupled Decode
vice), SIT (Static Induction Transistor), CM
Various techniques regarding an electronic endoscope using a solid-state imaging device having a solid-state imaging device such as a D (Charge Modulation Device) in an imaging unit have been proposed.

【0003】これら固体撮像装置は、挿入時の患者の苦
痛を低減するために挿入部が出来るだけ細いことが望ま
しい。しかし、この挿入部、特に内視鏡の先端部の外径
は、当該先端部に内設された固体撮像素子の大きさによ
って制約されている。このような固体撮像装置の先端部
を小型化するための技術は嘱望されている。
In these solid-state image pickup devices, it is desirable that the insertion portion be as thin as possible in order to reduce the pain of the patient at the time of insertion. However, the outer diameter of this insertion portion, particularly the tip portion of the endoscope, is restricted by the size of the solid-state imaging device provided inside the tip portion. A technique for miniaturizing the tip of such a solid-state imaging device is desired.

【0004】そして、例えば特開昭63−272180
号公報では、固体撮像素子をパッケージにボンディング
ワイヤを用いて実装し、更に周辺回路を組み込んだハイ
ブリッド集積回路(IC)を上記パッケージに半田付け
した構成の「撮像装置」に関する技術が開示されてい
る。即ち、この技術では、固体撮像素子の外部端子をカ
メラヘッド内の付属回路に接続する第1の外部端子群
と、接続しない第2の外部端子群とに分離配置すること
で、付属回路の基板をコンパクトに設計し、更に電装部
内の配線を単純化している。
Then, for example, JP-A-63-272180
The publication discloses a technique relating to an "imaging device" in which a solid-state imaging device is mounted on a package using a bonding wire, and a hybrid integrated circuit (IC) incorporating a peripheral circuit is soldered to the package. . That is, according to this technique, the external terminals of the solid-state image sensor are separately arranged into a first external terminal group that connects to the accessory circuit in the camera head and a second external terminal group that does not connect to the accessory circuit, thereby providing a substrate of the accessory circuit. Is designed to be compact, and the wiring inside the electrical components is simplified.

【0005】ここで、図17には従来技術に係る電子内
視鏡用固体撮像装置の構成の一例を示し説明する。尚、
図17(a)は正面図、図17(b)は側面図である。
同図において、符号101はセラミック又はガラスエポ
キシ等からなる絶縁基板で、該絶縁基板101の一方の
主面には、周辺回路用の半導体素子102がボンディン
グワイヤ103で接続され、封止樹脂104で封止され
た状態で搭載され、更に受動チップ部品105が半田付
けされている。上記絶縁基板101の一方の端部の表面
及び裏面側には、固体撮像素子106を実装したパッケ
ージ107のリード端子108を半田付けし、絶縁基板
101と固体撮像素子106とを一体的に固着してい
る。また、絶縁基板101の他方の端部の表面及び裏面
には、外部リード線111が接続されている。この他、
符号109はカラーフィルタ、符号110は封止樹脂を
示している。
FIG. 17 shows an example of the configuration of a conventional solid-state image pickup device for an electronic endoscope, which will be described. still,
17A is a front view and FIG. 17B is a side view.
In the figure, reference numeral 101 is an insulating substrate made of ceramic or glass epoxy, and a semiconductor element 102 for a peripheral circuit is connected to one main surface of the insulating substrate 101 by a bonding wire 103, and a sealing resin 104 is used. It is mounted in a sealed state, and the passive chip component 105 is soldered. The lead terminal 108 of the package 107 having the solid-state image pickup device 106 mounted thereon is soldered to the front and back surfaces of one end of the insulating substrate 101 to integrally fix the insulating substrate 101 and the solid-state image pickup device 106. ing. An external lead wire 111 is connected to the front and back surfaces of the other end of the insulating substrate 101. In addition,
Reference numeral 109 indicates a color filter, and reference numeral 110 indicates a sealing resin.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図17
に示した従来技術では、電子内視鏡用固体撮像装置の小
型化を進める場合、チップ部品等、例えばコンデンサな
どのサイズ及び実装スペース等により、固体撮像素子と
組み合わされる基板のサイズが決まってしまい、ある程
度以上の小型化には限界が生じていた。また、チップ部
品を基板上に実装する構成になっている為、薄型化にも
限界があった。本発明は、上記問題に鑑みてなされたも
ので、その目的とするところは、電子内視鏡用固体撮像
装置の更なる小型化、薄型化を図ることにある。
However, FIG.
In the prior art shown in (1), when miniaturizing the solid-state imaging device for an electronic endoscope, the size of the substrate combined with the solid-state imaging device is determined by the size of chip components such as a capacitor and the mounting space. There was a limit to miniaturization beyond a certain level. Further, since the chip components are mounted on the substrate, there is a limit to thinning. The present invention has been made in view of the above problems, and an object thereof is to further reduce the size and thickness of a solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明の第1の態様は、固体撮像素子と半導体素子及
び薄膜コンデンサ素子を有する電子内視鏡固体撮像装置
において、上記半導体素子を一方の面に形成した第1の
基板と、上記薄膜コンデンサ素子を一方の面に形成し、
上記第1の基板の上記半導体素子を形成していない面に
積層する第2の基板と、上記固体撮像素子を一方の面に
形成し、上記第2の基板の上記薄膜コンデンサ素子を形
成していない面に積層する第3の基板と、上記固体撮像
素子と半導体素子及び薄膜コンデンサ素子を電気的に接
続する電気的接続材とを具備することを特徴とする。
In order to achieve the above object, a first aspect of the present invention is an electronic endoscope solid-state image pickup device having a solid-state image pickup element, a semiconductor element, and a thin film capacitor element. A first substrate formed on one surface and the thin film capacitor element formed on one surface,
The second substrate to be laminated on the surface of the first substrate on which the semiconductor element is not formed and the solid-state image sensor are formed on one surface, and the thin film capacitor element of the second substrate is formed. It is characterized by comprising a third substrate laminated on the non-exposed surface, and an electrical connection material for electrically connecting the solid-state imaging device to the semiconductor device and the thin film capacitor device.

【0008】第2の態様は、固体撮像素子と半導体素子
及び薄膜コンデンサ素子を有する電子内視鏡固体撮像装
置において、上記半導体素子及び上記薄膜コンデンサ素
子を一方の面に形成した第1の基板と、上記固体撮像素
子を一方の面に形成し、上記第1の基板の上記半導体素
子及び上記薄膜コンデンサ素子を形成していない面に積
層する第2の基板と、上記固体撮像素子と半導体素子及
び薄膜コンデンサ素子を電気的に接続する電気的接続材
とを具備することを特徴とする。
A second aspect is an electronic endoscope solid-state image pickup device having a solid-state image pickup element, a semiconductor element, and a thin-film capacitor element, and a first substrate having the semiconductor element and the thin-film capacitor element formed on one surface thereof. A second substrate having the solid-state imaging device formed on one surface thereof and laminated on a surface of the first substrate on which the semiconductor device and the thin-film capacitor device are not formed; the solid-state imaging device, the semiconductor device, and And an electrical connection material for electrically connecting the thin film capacitor element.

【0009】さらに、第3に態様は、固体撮像素子と半
導体素子及び薄膜コンデンサ素子を有する電子内視鏡固
体撮像装置において、上記半導体素子を一方の面に形成
し、当該面と直交する面に上記薄膜コンデンサ素子を形
成した第1の基板と、上記固体撮像素子を一方の面に形
成し、上記第1の基板の上記半導体素子及び薄膜コンデ
ンサ素子を形成していない面に積層する第2の基板と、
上記固体撮像素子と半導体素子及び薄膜コンデンサ素子
を電気的に接続する電気的接続材とを具備することを特
徴とする。
Furthermore, a third aspect is an electronic endoscope solid-state image pickup device having a solid-state image pickup element, a semiconductor element, and a thin-film capacitor element, wherein the semiconductor element is formed on one surface and the surface is orthogonal to the surface. The first substrate on which the thin film capacitor element is formed and the solid-state imaging device are formed on one surface, and the second substrate is laminated on the surface of the first substrate on which the semiconductor element and the thin film capacitor element are not formed. Board,
It is characterized by comprising the above-mentioned solid-state image pickup device and an electrical connection material for electrically connecting the semiconductor device and the thin film capacitor device.

【0010】このような第1乃至第3の態様の作用は以
下の通りである。即ち、本発明の第1の態様では、半導
体素子を一方の面に形成した第1の基板の上記半導体素
子を形成していない面に、上記薄膜コンデンサ素子を一
方の面に形成した第2の基板が積層され、この第2の基
板の上記薄膜コンデンサ素子を形成していない面に、上
記固体撮像素子を一方の面に形成した第3の基板が積層
され、電気的接続材により上記固体撮像素子と半導体素
子及び薄膜コンデンサ素子とが電気的に接続される。
The operations of the first to third aspects are as follows. That is, in the first aspect of the present invention, the second substrate having the thin film capacitor element formed on one surface thereof is formed on the surface of the first substrate having the semiconductor element formed on one surface thereof on which the semiconductor element is not formed. A substrate is laminated, and a third substrate having the solid-state imaging device formed on one surface is laminated on the surface of the second substrate on which the thin film capacitor element is not formed, and the solid-state imaging is performed by an electrical connection material. The element is electrically connected to the semiconductor element and the thin film capacitor element.

【0011】そして、第2の態様では、上記半導体素子
及び上記薄膜コンデンサ素子を一方の面に形成した第1
の基板の他方の面に、上記固体撮像素子を一方の面に形
成した第2の基板が積層され、電気的接続材により、こ
の固体撮像素子と半導体素子及び薄膜コンデンサ素子が
電気的に接続される。
In the second aspect, the first semiconductor element and the thin film capacitor element are formed on one surface.
A second substrate having the solid-state imaging device formed on one surface thereof is laminated on the other surface of the substrate, and the solid-state imaging device is electrically connected to the semiconductor element and the thin-film capacitor element by an electrical connecting material. It

【0012】さらに、第3に態様では、半導体素子を一
方の面に形成し、当該面と直交する面に上記薄膜コンデ
ンサ素子を形成した第1の基板の他方の面に、上記固体
撮像素子を一方の面に形成した第2の基板が積層され、
電気的接続材により、上記固体撮像素子と半導体素子及
び薄膜コンデンサ素子が電気的に接続される。
Further, in the third aspect, the semiconductor element is formed on one surface, and the solid-state imaging element is formed on the other surface of the first substrate on which the thin film capacitor element is formed on the surface orthogonal to the surface. The second substrate formed on one surface is laminated,
The solid-state imaging device, the semiconductor device, and the thin film capacitor device are electrically connected by the electrical connecting material.

【0013】[0013]

【実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実施の形
態について説明する。図1は本発明の第1の実施の形態
に係る電子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図で
ある。この実施の形態は請求項1に記載の発明に対応す
る。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a sectional view showing a configuration of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to a first embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention described in claim 1.

【0014】図1に示されるように、半導体素子基板9
の一方の面にはMOS(Metal OxideSemiconductor) ト
ランジスタ等が集積された駆動用IC、信号用IC等か
らなる半導体素子4が形成されており、当該半導体素子
4が形成された面に対向する面には薄膜コンデンサ素子
基板11が積層されている。この薄膜コンデンサ素子基
板11の上記半導体素子形成基板9と接する面に対向す
る面には薄膜コンデンサ素子5が形成されており、当該
薄膜コンデンサ素子5が形成されている面に固体撮像素
子基板1が積層されている。この固体撮像素子基板1の
上記薄膜コンデンサ素子基板11と接する面に対向する
面には例えばCCD,CMD,SIT等の固体撮像素子
2が形成されている。上記固体撮像素子基板1と半導体
素子基板9、薄膜コンデンサ素子基板11はシリコン
(Si)単結晶基板である。
As shown in FIG. 1, the semiconductor element substrate 9
A semiconductor element 4 including a driving IC and a signal IC in which MOS (Metal Oxide Semiconductor) transistors and the like are integrated is formed on one surface, and the surface opposite to the surface on which the semiconductor element 4 is formed is formed. The thin film capacitor element substrate 11 is laminated. A thin film capacitor element 5 is formed on the surface of the thin film capacitor element substrate 11 facing the surface in contact with the semiconductor element forming substrate 9, and the solid-state imaging element substrate 1 is formed on the surface on which the thin film capacitor element 5 is formed. It is stacked. A solid-state image sensor 2 such as a CCD, CMD, or SIT is formed on the surface of the solid-state image sensor substrate 1 facing the surface in contact with the thin film capacitor element substrate 11. The solid-state imaging device substrate 1, the semiconductor device substrate 9, and the thin film capacitor device substrate 11 are silicon (Si) single crystal substrates.

【0015】上記薄膜コンデンサ素子5は、誘電体薄膜
を上下電極で挟んだ構造となっている。当該上下電極は
白金族の金属或いは酸化物導電材からなり、誘電体とし
ては強誘電体である例えばPb(Zr,Ti)O3 ,
(Ba,Sr)TiO3 ,BaTiO3 ,(Pb,L
a)(Zr,Ti)O3 ,(Pb,Sr)(Zr,T
i)O3 ,(Pb,Ba)(Zr,Ti)O3 ,Bi層
状酸化物等からなる。この上下電極の一方は不図示の電
源線に接続され、他方が接地線に接続されている。
The thin film capacitor element 5 has a structure in which a dielectric thin film is sandwiched between upper and lower electrodes. The upper and lower electrodes are made of a platinum group metal or an oxide conductive material, and the dielectric material is a ferroelectric material such as Pb (Zr, Ti) O3,
(Ba, Sr) TiO3, BaTiO3, (Pb, L
a) (Zr, Ti) O3, (Pb, Sr) (Zr, T
i) O3, (Pb, Ba) (Zr, Ti) O3, Bi layered oxide and the like. One of the upper and lower electrodes is connected to a power supply line (not shown), and the other is connected to a ground line.

【0016】上記固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜
コンデンサ素子5は、ポリイミド等からなるテープキャ
リアの電気的接続材6を用いて、半田等の導電性接着材
16を介して電気的に接続されている。このように実装
した基板1の固体撮像素子2の形成面上にカラーフィル
タ18を封止樹脂19を用いて固定し、更に基板9の素
子形成面に不図示の絶縁膜を介してAu(金)材等のバ
ンブ外部電極端子17を形成して電子内視鏡用固体撮像
装置を構成する。
The solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin film capacitor device 5 are electrically connected to each other by using an electrically connecting material 6 of a tape carrier made of polyimide or the like through a conductive adhesive material 16 such as solder. Has been done. The color filter 18 is fixed on the surface of the substrate 1 on which the solid-state image sensor 2 is mounted in this way using a sealing resin 19, and further, on the element formation surface of the substrate 9 via an insulating film (not shown) through Au (gold). The bump external electrode terminal 17 such as a material is formed to form a solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【0017】このような構成の第1の実施の形態におい
ては、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ
素子5の膜厚が、基板1,9,11の厚みと比較して非
常に薄いことより、装置自体の厚さがおよそ基板1,
9,11の3枚分の厚みとなるので、電子内視鏡用固体
撮像装置の小型・薄型化を図ることができる。また、基
板1,9,11の素子が形成された面とは反対の面を、
上記素子を形成した後に実装可能な限り機械的或いは化
学的に研磨、エッチングすることにより更に小型化・薄
型化することができる。
In the first embodiment having such a structure, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are very thin as compared with the substrates 1, 9, 11. Therefore, the thickness of the device itself is about 1,
Since the thickness is three, that is, 9 and 11, it is possible to reduce the size and thickness of the solid-state imaging device for an electronic endoscope. In addition, the surface of the substrate 1, 9, 11 opposite to the surface on which the elements are formed,
It is possible to further reduce the size and thickness by mechanically or chemically polishing and etching as much as possible after the formation of the above element.

【0018】以下、第2乃至第16の実施の形態につい
て説明するが、前述した第1の実施の形態と同一内容に
ついては同一符号を付して説明を省略し、各実施の形態
の構成上の特徴点を中心に説明する。また、第1乃至第
16の実施の形態に対応する図2乃至16では、基板1
上のカラーフィルタ及び封止樹脂、及び基板3下の外部
電極端子については説明の簡略化の為に図示を省略す
る。
Hereinafter, the second to sixteenth embodiments will be described. The same contents as those of the first embodiment described above are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted. The description will focus on the characteristic points of. In addition, in FIGS. 2 to 16 corresponding to the first to sixteenth embodiments, the substrate 1
The upper color filter and the sealing resin, and the external electrode terminals under the substrate 3 are omitted for simplification of the description.

【0019】図2は本発明の第2の実施の形態に係る電
子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図である。こ
の実施の形態は請求項2に記載の発明に対応する。図2
に示されるように、固体撮像素子基板1の一方の面に
は、例えばCCD,CMD,SIT等の固体撮像素子2
が形成されている。半導体及び薄膜コンデンサ素子基板
3の一方の面には、MOSトランジスタ等が集積された
駆動用IC、信号用IC等からなる半導体素子4と、当
該半導体素子4の傍ら若しくは当該半導体素子4の上に
絶縁膜を介して薄膜コンデンサ素子5が形成されてい
る。この半導体及び薄膜コンデンサ基板3の同一面に形
成されている素子間は同一面に形成された不図示の配線
により電極で電気的に接続されている。上記半導体及び
薄膜コンデンサ基板3の上記半導体素子4及び薄膜コン
デンサ素子5が形成された面に対向する面上に固体撮像
素子基板1が積層されている。この他、上記薄膜コンデ
ンサ素子5の構造や、ポリイミド等からなるテープキャ
リアの電気的接続材6を用いた固体撮像素子2、半導体
素子4、薄膜コンデンサ素子5の電気的な接続等につい
ては上記第1の実施の形態と同様である。
FIG. 2 is a sectional view showing the arrangement of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to the second embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention described in claim 2. FIG.
As shown in FIG. 1, one surface of the solid-state image sensor substrate 1 is provided with a solid-state image sensor 2 such as a CCD, CMD, or SIT.
Are formed. On one surface of the semiconductor and thin film capacitor element substrate 3, a semiconductor element 4 including a driving IC, a signal IC, etc., in which MOS transistors and the like are integrated, and a side of the semiconductor element 4 or on the semiconductor element 4. The thin film capacitor element 5 is formed via the insulating film. Elements formed on the same surface of the semiconductor and the thin film capacitor substrate 3 are electrically connected by electrodes through wirings (not shown) formed on the same surface. The solid-state imaging device substrate 1 is laminated on the surface of the semiconductor and thin film capacitor substrate 3 facing the surface on which the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 are formed. In addition to the above, regarding the structure of the thin film capacitor element 5 and the electrical connection of the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin film capacitor element 5 using the electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like, This is similar to the first embodiment.

【0020】このような構成の第2の実施の形態におい
ては、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ
素子5の膜厚が、基板1,3の厚みと比較して非常に薄
いことより、基板1,3の2枚分の厚みだけとなるの
で、電子内視鏡用固体撮像装置の小型・薄型化を図るこ
とができる。さらに、基板2枚を電気的接続材6で接続
する作業は基板3枚を接続する作業と比較して容易であ
ることから歩留まりが向上する。更に、基板1及び基板
3の素子形成面の反対面を、素子形成後に実装可能な限
り機械的或いは化学的に研磨、エッチングすることによ
り更なる小型化並びに薄型化することができる。
In the second embodiment having such a structure, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are very thin as compared with the substrates 1 and 3 in thickness. Since the thickness of the substrates 1 and 3 is only two, the size and thickness of the solid-state image pickup device for an electronic endoscope can be reduced. Further, the work of connecting the two substrates with the electrical connecting material 6 is easier than the work of connecting the three substrates, so that the yield is improved. Furthermore, the surfaces opposite to the element formation surface of the substrate 1 and the substrate 3 can be further downsized and thinned by mechanically or chemically polishing and etching as much as possible after the element formation so that they can be mounted.

【0021】図3は本発明の第3の実施の形態に係る電
子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図である。こ
の実施の形態は請求項3に記載の発明に対応する。図3
に示されるように、固体撮像素子基板1の一方の面に
は、例えばCCD,CMD,SIT等の固体撮像素子2
が形成されている。半導体素子及び薄膜コンデンサ素子
基板3の、一方の面にはMOSトランジスタなどが集積
された駆動用IC,信号用IC等からなる半導体素子4
が形成されており、その面に対向する面には薄膜コンデ
ンサ素子5が形成されている。そして、上記半導体素子
及び薄膜コンデンサ基板3の上記薄膜コンデンサ素子5
が形成された面上に固体撮像素子基板1が積層されてい
る。この他、上記薄膜コンデンサ素子5の構造やポリイ
ミド等からなるテープキャリアの電気的接続材6を用い
た固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ素子
5の電気的な接続等については上記第1の実施の形態と
同様である。
FIG. 3 is a sectional view showing the arrangement of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to the third embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention described in claim 3. FIG.
As shown in FIG. 1, one surface of the solid-state image sensor substrate 1 is provided with a solid-state image sensor 2 such as a CCD, CMD, or SIT.
Are formed. A semiconductor element 4 including a driving IC, a signal IC, etc., in which MOS transistors and the like are integrated on one surface of the semiconductor element and the thin film capacitor element substrate 3.
Is formed, and the thin film capacitor element 5 is formed on the surface opposite to the surface. The thin film capacitor element 5 of the semiconductor element and the thin film capacitor substrate 3
The solid-state imaging device substrate 1 is laminated on the surface on which is formed. In addition to the above, regarding the structure of the thin film capacitor element 5 and the electrical connection of the solid-state image sensor 2, the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 using the electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like, This is the same as the embodiment.

【0022】このような構成の第3実施の形態において
は、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ素
子5の膜厚が基板1,3の厚みと比較して非常に薄いこ
とより、装置自体の厚さが基板1,3の2枚分の厚みだ
けとなるので、電子内視鏡用固体撮像装置の小型・薄型
化を図ることができる。さらに、基板2枚を電気的接続
材6で接続する作業は基板3枚を接続する作業と比較し
て容易であることから歩留まり向上となる。また、基板
1の素子形成面の反対面を、素子形成後に実装可能な限
り機械的あるいは化学的に研磨、エッチングすることに
より更なる小型化並びに薄型化を図ることができる。
In the third embodiment having such a structure, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are very thin as compared with the substrates 1 and 3, so that the device Since the thickness of itself is only the thickness of two substrates 1 and 3, the solid-state imaging device for an electronic endoscope can be made compact and thin. Further, the work of connecting the two substrates with the electrical connecting material 6 is easier than the work of connecting the three substrates, so that the yield is improved. Further, the surface opposite to the element formation surface of the substrate 1 can be further mechanically or chemically polished and etched as much as possible after the element formation, so that further miniaturization and thinning can be achieved.

【0023】図4は本発明の第4の実施の形態に係る電
子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図である。こ
の実施の形態は請求項4に記載の発明に対応する。図4
に示されるように、固体撮像素子基板1の一方の面に
は、例えばCCD,CMD,SIT等の固体撮像素子2
が形成されている。半導体素子及び薄膜コンデンサ素子
基板3の一方の面にはMOSトランジスタなどが集積さ
れた駆動用IC、信号用IC等からなる半導体素子4が
形成されており、その面に対向する面には薄膜コンデン
サ素子5が形成されている。そして、上記半導体素子及
び薄膜コンデンサ基板3の薄膜コンデンサ素子5が形成
された面上に固体撮像素子基板1が積層されている。更
に、半導体素子及び薄膜コンデンサ基板3にスルーホー
ル7が形成されており、上記半導体素子4と薄膜コンデ
ンサ素子5とが電気的に接続されている。詳細には、こ
のスルーホール内には配線材が形成されており、当該配
線材と基板とは絶縁膜によって絶縁されている。この
他、上記薄膜コンデンサ素子5の構造や、ポリイミド等
からなるテープキャリアの電気的接続材6を用いた固体
撮像素子2、半導体素子4の電気的な接続等については
上記第1の実施の形態と同様である。但し、上記薄膜コ
ンデンサ素子5は、スルーホール7、半導体素子4、導
電性接着材16、電気的接着材6を順に介して固体撮像
素子2と電気的に接続されることになる。
FIG. 4 is a sectional view showing the structure of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to a fourth embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention described in claim 4. FIG.
As shown in FIG. 1, one surface of the solid-state image sensor substrate 1 is provided with a solid-state image sensor 2 such as a CCD, CMD, or SIT.
Are formed. The semiconductor element and the thin film capacitor element substrate 3 is provided with a semiconductor element 4 including a driving IC, a signal IC, etc., in which MOS transistors and the like are integrated, and a thin film capacitor is provided on the surface facing the surface. The element 5 is formed. Then, the solid-state imaging device substrate 1 is laminated on the surface of the semiconductor device and the thin film capacitor substrate 3 on which the thin film capacitor device 5 is formed. Further, through holes 7 are formed in the semiconductor element and the thin film capacitor substrate 3, and the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 are electrically connected. Specifically, a wiring material is formed in this through hole, and the wiring material and the substrate are insulated by an insulating film. In addition to the above, the structure of the thin film capacitor element 5 and the electrical connection of the solid-state imaging element 2 and the semiconductor element 4 using the electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like are the same as those in the first embodiment. Is the same as. However, the thin film capacitor element 5 is electrically connected to the solid-state imaging element 2 through the through hole 7, the semiconductor element 4, the conductive adhesive material 16, and the electrical adhesive material 6 in this order.

【0024】このような構成の第4実施の形態において
は、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ素
子5の膜厚が基板1,3の厚みと比較して非常に薄いこ
とより、厚みは基板1,3の2枚分の厚みだけとなるの
で、電子内視鏡用固体撮像装置の小型・薄型化を図るこ
とができる。さらに、基板2枚を電気的接続材6で接続
する作業は基板3枚を接続する作業と比較して容易であ
ることから歩留まり向上となる。ここで、基板1の素子
形成面の反対面を、素子形成後に実装可能な限り機械的
或いは化学的に研磨、エッチングすることにより、更な
る小型化並びに薄型化を図ることができる。
In the fourth embodiment having such a structure, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are very thin in thickness as compared with the thicknesses of the substrates 1 and 3. Since the substrate has a thickness of only two substrates 1 and 3, the solid-state image pickup device for an electronic endoscope can be made compact and thin. Further, the work of connecting the two substrates with the electrical connecting material 6 is easier than the work of connecting the three substrates, so that the yield is improved. Here, the surface opposite to the element formation surface of the substrate 1 is mechanically or chemically polished and etched as much as possible after the element formation, so that further downsizing and thinning can be achieved.

【0025】図5は本発明の第5の実施の形態に係る電
子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図である。こ
の実施の形態は請求項5に記載の発明に対応する。図5
に示されるように、固体撮像素子及び薄膜コンデンサ素
子基板8の一方の面にCCD,CMD,SIT等の固体
撮像素子2が形成されており、当該面に対向する面に薄
膜コンデンサ素子5が形成されている。半導体素子基板
9の一方の面には駆動用IC、信号用IC等の半導体素
子4が形成されている。そして、上記半導体素子基板9
の上記半導体素子4が形成されている面に対向する面に
上記固体撮像素子及び薄膜コンデンサ素子基板8が積層
されている。この他、上記薄膜コンデンサ素子5の構造
や、ポリイミド等からなるテープキャリアの電気的接続
材6を用いた固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コン
デンサ素子5の電気的な接続等については上記第1の実
施の形態と同様である。
FIG. 5 is a sectional view showing the structure of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to a fifth embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention described in claim 5. FIG.
As shown in FIG. 3, the solid-state image sensor 2 such as CCD, CMD, SIT, etc. is formed on one surface of the solid-state image sensor and thin-film capacitor element substrate 8, and the thin-film capacitor element 5 is formed on the surface facing the surface. Has been done. The semiconductor element 4 such as a driving IC and a signal IC is formed on one surface of the semiconductor element substrate 9. Then, the semiconductor element substrate 9
The solid-state image sensor and the thin film capacitor element substrate 8 are laminated on the surface of the semiconductor element 4 opposite to the surface on which the semiconductor element 4 is formed. In addition to the above, regarding the structure of the thin film capacitor element 5 and the electrical connection of the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin film capacitor element 5 using the electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like, This is similar to the first embodiment.

【0026】このような構成の第5の実施の形態におい
ては、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ
素子5の膜厚が基板8,9の厚みと比較して非常に薄い
ことより、厚みは基板1,3の2枚分の厚みだけとなる
ので、電子内視鏡用固体撮像装置の小型・薄型化を図る
ことができる。さらに、基板2枚を電気的接続材6で接
続する作業は基板3枚を接続する作業と比較して容易で
あることから歩留まり向上となる。ここで、基板9の素
子形成面の反対面を、素子形成後に実装可能な限り機械
的或いは化学的に研磨、エッチングすることにより更な
る小型化並びに薄型化を図ることができる。更には、基
板8に形成した薄膜コンデンサ素子5の代わりに半導体
素子4を形成し、且つ基板9に形成した半導体素子4の
代わりに薄膜コンデンサ素子5を形成しても同様な効果
が得られる。
In the fifth embodiment having such a structure, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are very thin as compared with the substrates 8 and 9, Since the thickness is only the thickness of the two substrates 1 and 3, it is possible to reduce the size and thickness of the solid-state imaging device for an electronic endoscope. Further, the work of connecting the two substrates with the electrical connecting material 6 is easier than the work of connecting the three substrates, so that the yield is improved. Here, the surface opposite to the element formation surface of the substrate 9 can be further mechanically or chemically polished and etched as much as possible after element formation so that further miniaturization and thinning can be achieved. Further, the same effect can be obtained by forming the semiconductor element 4 instead of the thin film capacitor element 5 formed on the substrate 8 and forming the thin film capacitor element 5 instead of the semiconductor element 4 formed on the substrate 9.

【0027】図6は本発明の第6の実施の形態に係る電
子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図である。こ
の実施の形態は請求項6に記載の発明に対応する。図6
に示されるように、固体撮像素子及び薄膜コンデンサ素
子基板8の一方の面にはCCD,CMD,SIT等の固
体撮像素子2が形成されており、その面に対向する面に
は薄膜コンデンサ素子5が形成されている。半導体素子
基板9の一方の面には駆動用IC、信号用IC等の半導
体基板4が形成されている。上記半導体素子基板9の上
記半導体素子4が形成されている面に対向する面には上
記固体撮像素子及び薄膜コンデンサ素子基板8が積層さ
れている。
FIG. 6 is a sectional view showing the arrangement of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to the sixth embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention described in claim 6. Figure 6
As shown in FIG. 3, the solid-state image sensor 2 such as CCD, CMD, SIT, etc. is formed on one surface of the solid-state image sensor and the thin-film capacitor element substrate 8, and the thin-film capacitor element 5 is formed on the surface facing the surface. Are formed. A semiconductor substrate 4 such as a driving IC and a signal IC is formed on one surface of the semiconductor element substrate 9. The solid-state image sensor and the thin film capacitor element substrate 8 are laminated on the surface of the semiconductor element substrate 9 facing the surface on which the semiconductor element 4 is formed.

【0028】更に、固体撮像素子及び薄膜コンデンサ基
板8にスルーホール10が形成されており、上記固体撮
像素子2と薄膜コンデンサ素子5とが電気的に接続され
ている。詳細には、このスルーホール10内には配線材
が形成されており、当該配線材と基板とは絶縁膜により
絶縁されている。この他、上記薄膜コンデンサ素子5の
構造や、ポリイミド等からなるテープキャリアの電気的
接続材6を用いた固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜
コンデンサ素子5の電気的な接続等については上記第1
の実施の形態と同様である。
Further, through holes 10 are formed in the solid-state image pickup device and the thin-film capacitor substrate 8, and the solid-state image pickup device 2 and the thin-film capacitor device 5 are electrically connected. Specifically, a wiring material is formed in the through hole 10, and the wiring material and the substrate are insulated by an insulating film. In addition to the above, regarding the structure of the thin film capacitor element 5 and the electrical connection of the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin film capacitor element 5 using the electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like, 1
This is the same as the embodiment.

【0029】このような構成の第6実施の形態において
は、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ素
子5の膜厚が基板8,9の厚みと比較して非常に薄いこ
とより、厚みは基板1,3の2枚分の厚みだけとなるの
で、電子内視鏡用固体撮像装置の小型・薄型化を図るこ
とができる。さらに、基板2枚を電気的接続材6で接続
する作業は基板3枚を接続する作業と比較して容易であ
ることから歩留まり向上となる。ここで、基板9の素子
形成面の反対面を、素子形成後に実装可能な限り機械的
或いは化学的に研磨、エッチングすることにより更なる
小型化並びに薄型化を図ることができる。更には、基板
8に形成した薄膜コンデンサ素子5の代わりに半導体素
子4を形成し、且つ基板9に形成した半導体素子4の代
わりに薄膜コンデンサ素子5を形成しても同様な効果が
得られる。
In the sixth embodiment having such a structure, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are very thin as compared with the substrates 8 and 9, so that Since the substrate has a thickness of only two substrates 1 and 3, the solid-state image pickup device for an electronic endoscope can be made compact and thin. Further, the work of connecting the two substrates with the electrical connecting material 6 is easier than the work of connecting the three substrates, so that the yield is improved. Here, the surface opposite to the element formation surface of the substrate 9 can be further mechanically or chemically polished and etched as much as possible after element formation so that further miniaturization and thinning can be achieved. Further, the same effect can be obtained by forming the semiconductor element 4 instead of the thin film capacitor element 5 formed on the substrate 8 and forming the thin film capacitor element 5 instead of the semiconductor element 4 formed on the substrate 9.

【0030】図7は本発明の第7の実施の形態に係る電
子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図である。こ
の実施の形態は請求項7に記載の発明に対応する。図7
に示されるように、固体撮像素子基板1の一方の面には
CCD,CMD,SIT等の固体撮像素子2が形成され
ている。半導体素子基板9の一方の面には、MOSトラ
ンジスタなどが集積された駆動用IC、信号用IC等か
らなる半導体素子4が形成されている。そして、上記半
導体素子基板9の上記半導体素子4が形成された面に対
向する面に上記固体撮像素子基板1が積層されている。
さらに、薄膜コンデンサ素子基板11の一方の面に薄膜
コンデンサ素子5が形成され、当該薄膜コンデンサ素子
5が形成された面がポリイミド等からなるテープキャリ
アの電気的接続材6に接続されている。この他、上記薄
膜コンデンサ素子5の構造やポリイミド等からなるテー
プキャリアの電気的接続材6を用いた固体撮像素子2、
半導体素子4、薄膜コンデンサ素子5の電気的な接続等
については上記第1の実施の形態と同様である。
FIG. 7 is a sectional view showing the arrangement of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to the seventh embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention described in claim 7. Figure 7
As shown in FIG. 3, the solid-state image sensor 2 such as CCD, CMD, SIT is formed on one surface of the solid-state image sensor substrate 1. On one surface of the semiconductor element substrate 9, the semiconductor element 4 including a driving IC in which MOS transistors and the like are integrated, a signal IC, and the like are formed. The solid-state imaging device substrate 1 is laminated on the surface of the semiconductor device substrate 9 that faces the surface on which the semiconductor device 4 is formed.
Further, the thin film capacitor element 5 is formed on one surface of the thin film capacitor element substrate 11, and the surface on which the thin film capacitor element 5 is formed is connected to the electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like. In addition, the solid-state image sensor 2 using the structure of the thin film capacitor element 5 and the electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like,
The electrical connection of the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 is the same as in the first embodiment.

【0031】このような構成の上記第7実施の形態にお
いては、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板1,9の厚みと比較して非常に薄
いことより、厚みは基板1,9の2枚分の厚みだけとな
るので、電子内視鏡用固体撮像装置の小型・薄型化を図
ることができる。さらに、基板2枚を電気的接続材6で
接続する作業は基板3枚を接続する作業と比較して容易
であることから歩留まり向上となる。ここで、基板1,
9の素子形成面の反対面を、素子形成後に実装可能な限
り機械的或いは化学的に研磨、エッチングすることによ
り更なる小型化並びに薄型化できる。更には、基板11
に形成した薄膜コンデンサ素子5の代わりに半導体素子
4を形成し、且つ基板9に形成した半導体素子4の代わ
りに薄膜コンデンサ素子5を形成しても同様な効果が得
られる。
In the seventh embodiment having such a configuration, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are very thin compared to the substrates 1 and 9, Since the thickness is only the thickness of the two substrates 1 and 9, the solid-state imaging device for an electronic endoscope can be made compact and thin. Further, the work of connecting the two substrates with the electrical connecting material 6 is easier than the work of connecting the three substrates, so that the yield is improved. Here, substrate 1,
The surface opposite to the element formation surface of 9 can be further downsized and thinned by polishing or etching mechanically or chemically as much as possible after mounting the element. Furthermore, the substrate 11
The same effect can be obtained by forming the semiconductor element 4 instead of the thin film capacitor element 5 formed on the substrate 9 and forming the thin film capacitor element 5 on the substrate 9 instead of the semiconductor element 4.

【0032】図8は本発明の第8の実施の形態に係る電
子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図である。こ
の実施の形態は請求項8に記載の発明に対応する。図8
に示されるように、固体撮像素子基板1の一方の面には
CCD,CMD,SIT等の固体撮像素子2が形成され
ている。半導体素子基板9の一方の面には、MOSトラ
ンジスタなどが集積された駆動用IC、信号用IC等か
らなる半導体素子4が形成されている。そして、上記半
導体素子基板9の上記半導体素子4が形成された面に対
向する面には上記固体撮像素子基板1が積層されてい
る。さらに、薄膜コンデンサ素子5は、ポリイミド等か
らなるテープキャリアの電気的接続材6に接続されてい
る。この他、上記薄膜コンデンサ素子5の構造やポリイ
ミド等からなるテープキャリアの電気的接続材6を用い
た固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ素子
5の電気的な接続等については上記第1の実施の形態と
同様である。
FIG. 8 is a sectional view showing the arrangement of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to the eighth embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention described in claim 8. FIG.
As shown in FIG. 3, the solid-state image sensor 2 such as CCD, CMD, SIT is formed on one surface of the solid-state image sensor substrate 1. On one surface of the semiconductor element substrate 9, the semiconductor element 4 including a driving IC in which MOS transistors and the like are integrated, a signal IC, and the like are formed. The solid-state imaging device substrate 1 is laminated on the surface of the semiconductor device substrate 9 that faces the surface on which the semiconductor device 4 is formed. Further, the thin film capacitor element 5 is connected to an electrical connection member 6 of a tape carrier made of polyimide or the like. In addition to the above, regarding the structure of the thin film capacitor element 5 and the electrical connection of the solid-state image sensor 2, the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 using the electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like, This is the same as the embodiment.

【0033】このような構成の上記第8実施の形態にお
いては、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板1,9の厚みと比較して非常に薄
いことより、厚みは基板1,9の2枚分の厚みだけとな
るので、電子内視鏡用固体撮像装置の小型・薄型化を図
ることができる。さらに、基板2枚を電気的接続材6で
接続する作業は基板3枚を接続する作業と比較して容易
であることから歩留まり向上となる。ここで、基板1及
び基板9の素子形成面の反対面を、素子形成後に実装可
能な限り機械的或いは化学的に研磨、エッチングするこ
とにより、更なる小型化並びに薄型化を図ることができ
る。
In the eighth embodiment having such a structure, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are very thin as compared with the substrates 1, 9, Since the thickness is only the thickness of the two substrates 1 and 9, the solid-state imaging device for an electronic endoscope can be made compact and thin. Further, the work of connecting the two substrates with the electrical connecting material 6 is easier than the work of connecting the three substrates, so that the yield is improved. Here, the surfaces opposite to the element formation surfaces of the substrate 1 and the substrate 9 are mechanically or chemically polished and etched as much as possible after element formation so that further miniaturization and thinning can be achieved.

【0034】図9は本発明の第9の実施の形態に係る電
子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図である。こ
の実施の形態は請求項9に記載の発明に対応する。図9
に示されるように、固体撮像素子基板1の一方の面には
CCD,CMD,SIT等の固体撮像素子2が形成され
ている。また、半導体素子基板9の一方の面に、MOS
トランジスタなどが集積された駆動用IC、信号用IC
等からなる半導体素子4が形成されている。さらに、薄
膜コンデンサ素子基板11は、その一方の面に薄膜コン
デンサ素子5を形成したSi単結晶基板であり、上記半
導体素子基板9の上記半導体素子4が形成された面に直
交する面に配置されている。この他、上記薄膜コンデン
サ素子5の構造やポリイミド等からなるテープキャリア
の電気的接続材6を用いた固体撮像素子2、半導体素子
4、薄膜コンデンサ素子5の電気的な接続等については
上記第1の実施の形態と同様である。
FIG. 9 is a sectional view showing the arrangement of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to the ninth embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention described in claim 9. FIG.
As shown in FIG. 3, the solid-state image sensor 2 such as CCD, CMD, SIT is formed on one surface of the solid-state image sensor substrate 1. In addition, on one surface of the semiconductor element substrate 9, a MOS
Driver IC and signal IC with integrated transistors
A semiconductor element 4 made of, for example, is formed. Further, the thin film capacitor element substrate 11 is a Si single crystal substrate having the thin film capacitor element 5 formed on one surface thereof, and is arranged on the surface of the semiconductor element substrate 9 orthogonal to the surface on which the semiconductor element 4 is formed. ing. In addition to the above, regarding the structure of the thin film capacitor element 5 and the electrical connection of the solid-state image sensor 2, the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 using the electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like, This is the same as the embodiment.

【0035】このような構成の上記第9実施の形態にお
いては、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板1,9の厚みと比較して非常に薄
いことより、厚みは基板1,9の2枚分の厚みだけとな
るので、電子内視鏡用固体撮像装置の小型・薄型化を図
ることができる。さらに、基板2枚を電気的接続材6で
接続する作業は基板3枚を接続する作業と比較して容易
であることから歩留まり向上となる。ここで、基板1の
素子形成面の反対面を、素子形成後に実装可能な限り機
械的あるいは化学的に研磨、エッチングすることにより
更なる小型化並びに薄型化できる。更には、基板11に
形成した薄膜コンデンサ素子5の代わりに半導体素子4
を形成し、且つ基板9に形成した半導体素子4の代わり
に薄膜コンデンサ素子5を形成しても同様な効果が得ら
れる。
In the ninth embodiment having such a structure, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are very thin as compared with the substrates 1, 9, Since the thickness is only the thickness of the two substrates 1 and 9, the solid-state imaging device for an electronic endoscope can be made compact and thin. Further, the work of connecting the two substrates with the electrical connecting material 6 is easier than the work of connecting the three substrates, so that the yield is improved. Here, the surface opposite to the element formation surface of the substrate 1 can be further downsized and thinned by mechanically or chemically polishing and etching as much as possible after mounting the element. Further, instead of the thin film capacitor element 5 formed on the substrate 11, the semiconductor element 4
And the thin film capacitor element 5 is formed instead of the semiconductor element 4 formed on the substrate 9, the same effect can be obtained.

【0036】図10は本発明の第10の実施の形態に係
る電子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図であ
る。この実施の形態は請求項10に記載の発明に対応す
る。図10に示されるように、固体撮像素子基板1の一
方の面にはCCD,CMD,SIT等の固体撮像素子2
が形成されている。また、半導体素子基板9は、その一
方の面にMOSトランジスタなどが集積された駆動用I
C、信号用IC等からなる半導体素子4が形成され、当
該半導体素子4が形成された面と直交する側面に薄膜コ
ンデンサ素子5が形成されたSi単結晶基板である。さ
らに、上記半導体素子基板9の上記半導体素子4が形成
された面と対向する面には上記固体撮像素子基板1が積
層されている。上記基板12上に形成されている素子間
は、導電性接着材16を介して電気的に接続される他、
不図示の配線により電極を介して電気的に接続されてい
る。この他、上記薄膜コンデンサ素子5の構造やポリイ
ミド等からなるテープキャリアの電気的接続材6を用い
た固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ素子
5の電気的な接続等については上記第1の実施の形態と
同様である。
FIG. 10 is a sectional view showing the arrangement of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to the tenth embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention described in claim 10. As shown in FIG. 10, one surface of the solid-state imaging device substrate 1 is a solid-state imaging device 2 such as CCD, CMD, or SIT.
Are formed. Further, the semiconductor element substrate 9 has a driving I in which MOS transistors and the like are integrated on one surface thereof.
C is a Si single crystal substrate on which a semiconductor element 4 including a signal IC and the like is formed, and a thin film capacitor element 5 is formed on a side surface orthogonal to the surface on which the semiconductor element 4 is formed. Further, the solid-state imaging element substrate 1 is laminated on the surface of the semiconductor element substrate 9 facing the surface on which the semiconductor element 4 is formed. The elements formed on the substrate 12 are electrically connected via a conductive adhesive material 16,
It is electrically connected via electrodes by wiring (not shown). In addition to the above, regarding the structure of the thin film capacitor element 5 and the electrical connection of the solid-state image sensor 2, the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 using the electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like, This is the same as the embodiment.

【0037】このような構成の第10実施の形態におい
ては、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ
素子5の膜厚が基板1,9の厚みと比較して非常に薄い
ことより、厚みは基板1,9の2枚分の厚みだけとなる
ので、電子内視鏡用固体撮像装置を小型で薄型化を図る
ことができる。さらに、基板2枚を電気的接続材6で接
続する作業は基板3枚を接続する作業と比較して容易で
あることから歩留まり向上となる。ここで、基板1の素
子形成面の反対面を、素子形成後に実装可能な限り機械
的あるいは化学的に研磨、エッチングすることにより更
なる小型化並びに薄型化できる。更には、基板9の一方
の面に形成した半導体素子4の代わりに薄膜コンデンサ
素子5を形成し、且つ側面面に薄膜コンデンサ素子5の
代わりに半導体素子4を形成しても同様な効果が得られ
る。
In the tenth embodiment having such a structure, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are very thin in thickness as compared with the thicknesses of the substrates 1 and 9. Since the substrate has a thickness of only two substrates 1 and 9, the solid-state image pickup device for an electronic endoscope can be made compact and thin. Further, the work of connecting the two substrates with the electrical connecting material 6 is easier than the work of connecting the three substrates, so that the yield is improved. Here, the surface opposite to the element formation surface of the substrate 1 can be further downsized and thinned by mechanically or chemically polishing and etching as much as possible after mounting the element. Further, even if the thin film capacitor element 5 is formed instead of the semiconductor element 4 formed on one surface of the substrate 9 and the semiconductor element 4 is formed instead of the thin film capacitor element 5 on the side surface, the same effect can be obtained. To be

【0038】図11は本発明の第11の実施の形態に係
る電子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図であ
る。この実施の形態は請求項11に記載の発明に対応す
る。図11に示されるように、固体撮像素子、半導体素
子、薄膜コンデンサ素子基板12はSi単結晶基板で、
その一方の面にCCD,CMD,SIT等の固体撮像素
子2が形成され、当該面に対向する面にMOSトランジ
スタ等が集積された駆動用IC、信号用IC等からなる
半導体素子4が形成されており、当該半導体素子4の傍
ら若しくは上部に絶縁膜を介して薄膜コンデンサ素子5
が形成されている。この基板12上に形成されている素
子間は不図示の配線により電極を介して電気的に接続さ
れている。この他、上記薄膜コンデンサ素子5の構造や
ポリイミド等からなるテープキャリアの電気的接続材6
を用いた固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の電気的な接続等については上記第1の実施の
形態と同様である。
FIG. 11 is a sectional view showing the arrangement of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to the 11th embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention described in claim 11. As shown in FIG. 11, the solid-state imaging device, the semiconductor device, and the thin film capacitor device substrate 12 are Si single crystal substrates,
A solid-state image sensor 2 such as a CCD, CMD, or SIT is formed on one surface thereof, and a semiconductor element 4 including a driving IC, a signal IC, etc. in which MOS transistors are integrated is formed on the surface facing the surface. The thin film capacitor element 5 is provided beside or above the semiconductor element 4 with an insulating film interposed therebetween.
Are formed. The elements formed on the substrate 12 are electrically connected via electrodes by wiring (not shown). In addition, the structure of the thin film capacitor element 5 and the electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like.
The electrical connection of the solid-state image sensor 2, the semiconductor element 4, the thin film capacitor element 5 and the like using the same are the same as those in the first embodiment.

【0039】このような構成の第11の実施の形態にお
いては、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板12の厚みと比較して非常に薄い
ことより、厚みは基板12の厚みだけとなるので、電子
内視鏡用固体撮像装置を小型で薄型化を図ることができ
る。さらに、基板1枚の上下面を電気的接続材6で接続
する作業は2枚以上の基板を接続することと比較して容
易であることから歩留まりが向上する。
In the eleventh embodiment having such a structure, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are very thin as compared with the substrate 12, so that the thickness is Since only the thickness of the substrate 12 is used, the solid-state image pickup device for an electronic endoscope can be made small and thin. Further, the work of connecting the upper and lower surfaces of one substrate with the electrical connecting material 6 is easier than connecting two or more substrates, so the yield is improved.

【0040】図12は本発明の第12の実施の形態に係
る電子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図であ
る。この実施の形態は請求項12に記載の発明に対応す
る。図12に示されるように、固体撮像素子、半導体素
子、薄膜コンデンサ素子基板12はSi単結晶基板であ
り、その一方の面にはCCD,CMD,SIT等の固体
撮像素子2が形成され、当該面に対向する面にはMOS
トランジスタなどが集積された駆動用IC、信号用IC
等からなる半導体素子4が形成されており、当該半導体
素子4の傍ら、若しくは上部に絶縁膜を介して薄膜コン
デンサ素子5が形成されている。この基板12上に形成
された素子間は、不図示の配線により電極で電気的に接
続されている。また、スルーホール13を介して、固体
撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ素子5を電
気的に接続している。このスルーホール10内は配線材
が形成されており、それと基板は絶縁膜によって絶縁さ
れている。この他、上記薄膜コンデンサ素子5の構造や
ポリイミド等からなるテープキャリアの電気的接続材6
を用いた固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の電気的な接続等については第1の実施の形態
と同様である。
FIG. 12 is a sectional view showing the arrangement of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to the twelfth embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention described in claim 12. As shown in FIG. 12, the solid-state image sensor, the semiconductor element, and the thin film capacitor element substrate 12 are Si single crystal substrates, and the solid-state image sensor 2 such as CCD, CMD, SIT, etc. is formed on one surface of the substrate. MOS on the surface facing the surface
Driver IC and signal IC with integrated transistors
And the like, and a thin film capacitor element 5 is formed beside or above the semiconductor element 4 with an insulating film interposed therebetween. The elements formed on the substrate 12 are electrically connected by electrodes by wiring (not shown). Further, the solid-state imaging device 2, the semiconductor device 4, and the thin film capacitor device 5 are electrically connected via the through hole 13. A wiring material is formed in the through hole 10, and the wiring material is insulated from the substrate by an insulating film. In addition, the structure of the thin film capacitor element 5 and the electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like.
The electrical connection of the solid-state imaging device 2, the semiconductor device 4, the thin-film capacitor device 5 and the like using the same are the same as those in the first embodiment.

【0041】このような構成の第12の実施の形態にお
いては、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板12の厚みと比較して非常に薄い
ことより、厚みは基板12の厚みだけとなるので、電子
内視鏡用固体撮像装置の小型・薄型化を図ることができ
る。さらに、スルーホールを介して各素子を電気的に接
続していることより、電気的接続材が不要であることか
ら実装工程が簡略され歩留まり向上となる。
In the twelfth embodiment having such a structure, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are very thin as compared with the substrate 12, so that the thickness is Since only the thickness of the substrate 12 is used, the size and thickness of the solid-state image pickup device for an electronic endoscope can be reduced. Furthermore, since each element is electrically connected through the through hole, an electrical connecting material is not required, so that the mounting process is simplified and the yield is improved.

【0042】図13は本発明の第13の実施の形態に係
る電子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図であ
る。この実施の形態は請求項13に記載の発明に対応す
る。図13に示されるように、固体撮像素子基板1はS
i単結晶基板で、その一方の面にはCCD,CMD,S
IT等の固体撮像素子2が形成されている。また、半導
体素子及び薄膜コンデンサ基板3はSi単結晶基板であ
り、その一方の面に、MOSトランジスタなどが集積さ
れた駆動用IC、信号用IC等からなる半導体素子4
と、当該半導体素子4の傍らもしくはその上に絶縁膜を
介して薄膜コンデンサ素子5が形成されている。この基
板3上に形成された素子間は不図示の配線により電極で
電気的に接続されている。上記基板1の他方の面にはA
u,Pt,Al,Ti,Ni,Cr,Ag等からなる配
線電極14が形成されており、スルーホール10を介し
て固体撮像素子2と電気的に接続されている。
FIG. 13 is a sectional view showing the arrangement of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to the thirteenth embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention described in claim 13. As shown in FIG. 13, the solid-state imaging device substrate 1 is S
i Single crystal substrate with CCD, CMD, S on one surface
A solid-state image sensor 2 such as an IT is formed. Further, the semiconductor element and the thin film capacitor substrate 3 are Si single crystal substrates, and the semiconductor element 4 including, on one surface thereof, a driving IC in which MOS transistors and the like are integrated, a signal IC, and the like.
Then, the thin film capacitor element 5 is formed near or on the semiconductor element 4 with an insulating film interposed therebetween. The elements formed on the substrate 3 are electrically connected by electrodes by wiring (not shown). On the other surface of the substrate 1 is A
A wiring electrode 14 made of u, Pt, Al, Ti, Ni, Cr, Ag, or the like is formed, and is electrically connected to the solid-state imaging device 2 via the through hole 10.

【0043】このスルーホール10内には配線材が形成
されており、それと基板は絶縁膜によって絶縁されてい
る。同様に、上記基板3の他方の面にはAu,Pt,A
l,Ti,Ni,Cr,Ag等からなる配線電極15が
形成されており、スルーホール7を介して、半導体素子
4及び薄膜コンデンサ素子5と電気的に接続されてい
る。この他、上記薄膜コンデンサ素子5の構造やポリイ
ミド等からなるテープキャリアの電気的接続材6を用い
た固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ素子
5の電気的な接続等については上記第1の実施の形態と
同様である。
A wiring material is formed in the through hole 10 and the substrate is insulated from the substrate by an insulating film. Similarly, on the other surface of the substrate 3, Au, Pt, A
A wiring electrode 15 made of l, Ti, Ni, Cr, Ag, or the like is formed, and is electrically connected to the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 via the through hole 7. In addition to the above, regarding the structure of the thin film capacitor element 5 and the electrical connection of the solid-state image sensor 2, the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 using the electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like, This is the same as the embodiment.

【0044】このような構成の第13の実施の形態にお
いては、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板1,3の厚みと比較して非常に薄
いことより、厚みは基板1,3の2枚分の厚みだけとな
るので、電子内視鏡用固体撮像装置を小型で薄型化を図
ることができる。さらに、スルーホールを介して各素子
を電気的に接続していることより、電気的接続材が不要
であることから実装工程が簡略され歩留まり向上とな
る。尚、電気的接続材6を用いて電気的に接続している
全ての実施の形態において、電気的接続材6を用いず
に、スルーホールを用いて電気的に各素子を接続する構
造でも同様な効果が得られる。
In the thirteenth embodiment having such a structure, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are very thin as compared with the substrates 1 and 3, Since the thickness is only the thickness of the two substrates 1 and 3, the solid-state imaging device for an electronic endoscope can be made compact and thin. Furthermore, since each element is electrically connected through the through hole, an electrical connecting material is not required, so that the mounting process is simplified and the yield is improved. In addition, in all the embodiments in which the electrical connection material 6 is used for the electrical connection, the same applies to the structure in which the respective elements are electrically connected using the through holes without using the electrical connection material 6. Can be obtained.

【0045】図14は本発明の第14の実施の形態に係
る電子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図であ
る。この実施の形態は請求項14に記載の発明に対応す
る。図14に示されるように、固体撮像素子基板1は、
Si単結晶基板で、その一方の面にCCD,CMD,S
IT等の固体撮像素子2が形成されている。また、半導
体素子及び薄膜コンデンサ基板3はSi単結晶基板であ
り、その一方の面に、MOSトランジスタなどが集積さ
れた駆動用IC、信号用IC等からなる半導体素子4
と、当該半導体素子4の傍らもしくはその上に絶縁膜を
介して薄膜コンデンサ素子5が形成されている。さら
に、ポリイミド等からなるテープキャリアの電気的接続
材22を基板2の一辺に半田等の導電性接続材16によ
って電気的に接続し、電気的接続材22の他方の同一面
に外部リード線を半田等の導電性接着材21で電気的に
接続した後、基板3の一辺に合わせて電気的接続材22
を基板3側に折り曲げて基板3に電気的接続材22を押
し当てるようにした。この他、上記薄膜コンデンサ素子
5の構造やポリイミド等からなるテープキャリアの電気
的接続材6を用いた固体撮像素子2、半導体素子4、薄
膜コンデンサ素子5の電気的な接続等については上記第
1の実施の形態と同様である。
FIG. 14 is a sectional view showing the arrangement of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to the fourteenth embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention described in claim 14. As shown in FIG. 14, the solid-state imaging device substrate 1 is
Si single crystal substrate with CCD, CMD, S on one surface
A solid-state image sensor 2 such as an IT is formed. Further, the semiconductor element and the thin film capacitor substrate 3 are Si single crystal substrates, and the semiconductor element 4 including, on one surface thereof, a driving IC in which MOS transistors and the like are integrated, a signal IC, and the like.
Then, the thin film capacitor element 5 is formed near or on the semiconductor element 4 with an insulating film interposed therebetween. Further, the electrical connection material 22 of the tape carrier made of polyimide or the like is electrically connected to one side of the substrate 2 by the conductive connection material 16 such as solder, and the external lead wire is provided on the other surface of the electrical connection material 22. After electrically connecting with a conductive adhesive material 21 such as solder, the electrical connection material 22 is aligned with one side of the substrate 3.
Was bent to the substrate 3 side, and the electrical connection material 22 was pressed against the substrate 3. In addition to the above, regarding the structure of the thin film capacitor element 5 and the electrical connection of the solid-state image sensor 2, the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 using the electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like, This is the same as the embodiment.

【0046】このような構成の第14の実施の形態にお
いては、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板1,3の厚みと比較して非常に薄
いことより、厚みは基板1,3の2枚分の厚みだけとな
るので、電子内視鏡用固体撮像装置を小型で薄型化を図
ることができる。さらに、2枚の基板を1枚の電気的接
続材6で電気的に接続する作業は容易であることから歩
留まり向上となる。尚、電気的接続材6を用いて電気的
に接続している全ての実施の形態において、基板の1辺
だけに電気的接続材6を用いることによって本第14の
実施の形態と同様な効果が得られる。
In the fourteenth embodiment having such a structure, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are very thin as compared with the substrates 1 and 3, Since the thickness is only the thickness of the two substrates 1 and 3, the solid-state imaging device for an electronic endoscope can be made compact and thin. Further, since the work of electrically connecting the two substrates with the single electrical connecting member 6 is easy, the yield is improved. In all the embodiments in which the electrical connection member 6 is used for the electrical connection, the same effect as that of the fourteenth embodiment is obtained by using the electrical connection member 6 only on one side of the substrate. Is obtained.

【0047】図15は本発明の第15の実施の形態に係
る電子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図であ
る。この実施の形態は請求項15に記載の発明に対応す
る。図15に示されるように、固体撮像素子基板1はS
i単結晶基板で、その一方の面にCCD,CMD,SI
T等の固体撮像素子2が形成されている。また、半導体
素子及び薄膜コンデンサ基板3はSi単結晶基板であ
り、その一方の面にMOSトランジスタなどが集積され
た駆動用IC、信号用IC等からなる半導体素子4と、
当該半導体素子4の傍らもしくはその上に絶縁膜を介し
て薄膜コンデンサ素子5が形成されている。この基板3
上の同一面上に形成された素子間は不図示の配線により
電極で電気的に接続されている。
FIG. 15 is a sectional view showing the arrangement of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to the 15th embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention of claim 15. As shown in FIG. 15, the solid-state imaging device substrate 1 is S
i Single crystal substrate with CCD, CMD, SI on one side
A solid-state image sensor 2 such as T is formed. Further, the semiconductor element and the thin film capacitor substrate 3 are Si single crystal substrates, and a semiconductor element 4 including a driving IC, a signal IC, etc., on one surface of which a MOS transistor or the like is integrated,
A thin film capacitor element 5 is formed beside or on the semiconductor element 4 with an insulating film interposed therebetween. This substrate 3
The elements formed on the same upper surface are electrically connected by electrodes by wiring (not shown).

【0048】また、ポリイミド等からなるテープキャリ
アの電気的接続材6を基板1の1辺および基板3の1辺
に半田等の導電性接着材16によって、固体撮像素子
2、半導体素子4、薄膜コンデンサ素子5を電気的に接
続する。さらに、ポリイミド等からなるテープキャリア
の電気的接続材22を基板3の一辺に半田等の導電性接
着材16によって電気的に接続し、電気的接続材22の
他方側に外部リード線20を半田等の導電性接着材21
で電気的に接続する。この他、上記薄膜コンデンサ素子
5の構造等については上記第1の実施の形態と同様であ
る。
Further, the electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like is attached to one side of the substrate 1 and one side of the substrate 3 by a conductive adhesive material 16 such as solder, so that the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, the thin film. The capacitor element 5 is electrically connected. Further, the electrical connection material 22 of the tape carrier made of polyimide or the like is electrically connected to one side of the substrate 3 by the conductive adhesive material 16 such as solder, and the external lead wire 20 is soldered to the other side of the electrical connection material 22. Conductive adhesive material 21
To make an electrical connection. Besides, the structure and the like of the thin film capacitor element 5 are the same as those in the first embodiment.

【0049】このような構成の第15の実施の形態にお
いては、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板1,3の厚みと比較して非常に薄
いことより、厚みは基板1,3の2枚分の厚みだけとな
るので、電子内視鏡用固体撮像装置の小型・薄型化を図
ることができる。さらに、2枚の基板を1枚の電気的接
続材6で電気的に接続する作業は容易であること、及び
外部リード線20との接続を電気的接続材22を用いて
行うことで、外部電極端子を基板3に設ける工程が簡略
できることから歩留まり向上となる。尚、全ての実施の
形態において、本第15実施の形態の外部リード線接続
構造を用いても同様な効果が得られる。
In the fifteenth embodiment having such a structure, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are very thin as compared with the substrates 1 and 3, Since the thickness is only the thickness of the two substrates 1 and 3, it is possible to reduce the size and thickness of the solid-state imaging device for an electronic endoscope. Further, it is easy to electrically connect the two substrates with the single electrical connection member 6, and the connection with the external lead wire 20 is performed using the electrical connection member 22. The yield is improved because the process of providing the electrode terminals on the substrate 3 can be simplified. In all the embodiments, the same effect can be obtained by using the external lead wire connection structure of the fifteenth embodiment.

【0050】図16は本発明の第16の実施の形態に係
る電子内視鏡用固体撮像装置の構成を示す断面図であ
る。この実施の形態は請求項15に記載の発明に対応す
る。図16に示されるように、固体撮像素子基板1はS
i単結晶基板で、その一方の面にCCD,CMD,SI
T等の固体撮像素子2が形成されている。また、半導体
素子及び薄膜コンデンサ基板3は、上記基板1より小さ
いSi単結晶基板であり、その一方の面に、MOSトラ
ンジスタなどが集積された駆動用IC,信号用IC等か
らなる半導体素子4と、当該半導体素子4の傍らもしく
はその上に絶縁膜を介して薄膜コンデンサ素子5が形成
されている。この基板3上の同一面に形成された素子間
は不図示の配線により電極で電気的に接続されている。
FIG. 16 is a sectional view showing the arrangement of a solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to the 16th embodiment of the present invention. This embodiment corresponds to the invention of claim 15. As shown in FIG. 16, the solid-state imaging device substrate 1 is S
i Single crystal substrate with CCD, CMD, SI on one side
A solid-state image sensor 2 such as T is formed. Further, the semiconductor element and the thin film capacitor substrate 3 are Si single crystal substrates smaller than the above-mentioned substrate 1, and on one surface thereof, a semiconductor element 4 including a driving IC in which MOS transistors and the like are integrated, a signal IC, and the like. A thin film capacitor element 5 is formed beside or on the semiconductor element 4 with an insulating film interposed therebetween. The elements formed on the same surface of the substrate 3 are electrically connected by electrodes by wiring (not shown).

【0051】また、ポリイミド等からなるテープキャリ
アの電気的接続材6を基板1の1辺および基板3の1辺
に半田等の導電性接着材16によって、固体撮像素子
2、半導体素子4、薄膜コンデンサ素子5が電気的に接
続されている。さらに、ポリイミド等からなるテープキ
ャリアの電気的接続材22を基板3の1辺に半田等の導
電性接着材16によって電気的に接続し、基板3のエッ
ジで電気的接続材22を基板1側に折り曲げて、基板1
と接触させた部分に外部リード線20を半田等の導電性
接着材21で電気的に接続している。
The electrical connection material 6 of the tape carrier made of polyimide or the like is attached to one side of the substrate 1 and one side of the substrate 3 by a conductive adhesive material 16 such as solder, so that the solid-state image sensor 2, the semiconductor element 4, the thin film. The capacitor element 5 is electrically connected. Further, the electrical connection material 22 of the tape carrier made of polyimide or the like is electrically connected to one side of the substrate 3 by the conductive adhesive material 16 such as solder, and the electrical connection material 22 is connected to the substrate 1 side at the edge of the substrate 3. Bend it to the substrate 1
The external lead wire 20 is electrically connected to the portion brought into contact with the conductive adhesive 21 such as solder.

【0052】このような構成の第16の実施の形態にお
いては、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板1,3の厚みと比較して非常に薄
いことより、厚みは基板1,基板3の2枚分の厚みだけ
となる。また、外部リード線20と電気的接続材22と
の接続部が基板1面上となるので外部リード線20領域
の短縮となり、小型化並びに薄型化を図ることができ
る。さらに、2枚の基板を1枚の電気的接続材6で電気
的に接続する作業は容易であること、及び外部リード線
20との接続を電気的接続材22を用いて行うことで外
部電極端子を基板3に設ける工程が簡略できることから
歩留まり向上となる。尚、全ての実施の形態において、
この第16実施の形態の外部リード線接続構造を用いて
も同様な効果が得られる。
In the sixteenth embodiment having such a structure, the solid-state image pickup device 2, the semiconductor device 4, and the thin film capacitor device 5 are very thin as compared with the substrates 1 and 3, The thickness is only the thickness of the two substrates 1 and 3. Further, since the connecting portion between the external lead wire 20 and the electrical connecting material 22 is on the surface of the substrate 1, the area of the external lead wire 20 can be shortened, and the size and thickness can be reduced. Further, it is easy to electrically connect the two substrates with the single electrical connecting member 6, and the external lead wires 20 are connected by using the electrical connecting member 22, so that the external electrode The yield is improved because the step of providing the terminals on the substrate 3 can be simplified. In addition, in all the embodiments,
The same effect can be obtained by using the external lead wire connection structure of the 16th embodiment.

【0053】以上、第1乃至第16の実施の形態につい
て説明したが、本発明はこれに限定されることなく、そ
の趣旨を逸脱しない範囲で種々の改良・変更が可能であ
ることは勿論である。例えば、上記各実施の形態におい
て、各基板の素子が形成されていない面に絶縁膜を形成
してもよい。更には、基板の素子が形成されていない面
側を合わせる構造においては、素子が形成されていない
面にAuなどの導電材料をスパッタ或いは印刷等で蒸着
又はコーティングし、基板間を同電位に保つようにして
もよい。また、素子が形成されていない面をエッチング
後にAu等の導電材料をスパッタ或いは印刷等で蒸着又
はコーティングしてもよい。また、各実施の形態におい
て、基板を接着材を用いて圧着等による貼合わせ技術に
より貼合わせてもよい。
The first to sixteenth embodiments have been described above, but the present invention is not limited to this, and it goes without saying that various improvements and modifications can be made without departing from the spirit of the invention. is there. For example, in each of the above embodiments, an insulating film may be formed on the surface of each substrate on which the element is not formed. Furthermore, in the structure in which the surfaces of the substrates on which the elements are not formed are aligned, the surfaces on which the elements are not formed are vapor-deposited or coated with a conductive material such as Au by sputtering or printing to maintain the same potential between the substrates. You may do it. In addition, a conductive material such as Au may be vapor-deposited or coated by sputtering or printing after etching the surface on which the element is not formed. In addition, in each of the embodiments, the substrates may be bonded together by a bonding technique such as pressure bonding using an adhesive material.

【0054】ここで、本発明の電子内視鏡用固体撮像装
置の要旨をまとめると以下のようになる。 1.固体撮像素子(2)と半導体素子(4)及び薄膜コ
ンデンサ素子(5)を有する電子内視鏡固体撮像装置に
おいて、上記半導体素子(4)を一方の面に形成した第
1の基板(9)と、上記薄膜コンデンサ素子(5)を一
方の面に形成し、上記第1の基板(9)の上記半導体素
子(4)を形成していない面に積層する第2の基板(1
1)と、上記固体撮像素子(2)を一方の面に形成し、
上記第2の基板(11)の上記薄膜コンデンサ素子
(5)を形成した面に積層する第3の基板(1)と、上
記固体撮像素子(2)と半導体素子(4)及び薄膜コン
デンサ素子(5)を電気的に接続する電気的接続材
(6)とを具備することを特徴とする電子内視鏡用固体
撮像装置。
Here, the summary of the solid-state image pickup device for an electronic endoscope of the present invention is summarized as follows. 1. An electronic endoscope solid-state imaging device having a solid-state imaging device (2), a semiconductor device (4), and a thin-film capacitor device (5), a first substrate (9) having the semiconductor device (4) formed on one surface thereof. And a second substrate (1) on which the thin film capacitor element (5) is formed on one surface and laminated on the surface of the first substrate (9) on which the semiconductor element (4) is not formed.
1) and the solid-state image sensor (2) are formed on one surface,
A third substrate (1) laminated on the surface of the second substrate (11) on which the thin film capacitor element (5) is formed, the solid-state imaging element (2), the semiconductor element (4), and the thin film capacitor element ( The solid-state imaging device for electronic endoscopes, comprising: an electrical connecting material (6) for electrically connecting the above (5).

【0055】この発明は第1の実施の形態に対応する。
即ち、固体撮像素子2は基板1の一方の面に形成されて
おり、他方の面に薄膜コンデンサ素子5を形成した基板
11のどちらか一方の面を合わせ、前記基板11の他方
の面と、一方の面に前記半導体素子4を形成した基板9
の他方の面を合わせて電気的接続材6及び導電性接着材
16によって固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コン
デンサ素子5を電気的に接続し、電子内視鏡用固体撮像
装置を構成するものである。
The present invention corresponds to the first embodiment.
That is, the solid-state imaging device 2 is formed on one surface of the substrate 1, and one surface of the substrate 11 having the thin film capacitor element 5 formed on the other surface thereof is aligned with the other surface of the substrate 11. Substrate 9 with semiconductor element 4 formed on one surface
The solid-state imaging device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are electrically connected to each other by electrically connecting the other surface of the solid-state imaging device 2, the conductive adhesive 16, and the solid-state imaging device for an electronic endoscope. It is a thing.

【0056】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板1,9,11の厚みと比較して非
常に薄いことより、厚みは基板1,9及び11の3枚分
の厚みだけとなるので、小型化並びに薄型化を図ること
ができる。従って、内視鏡先端の小型化並びに薄型化を
図ることができる電子内視鏡用固体撮像装置を得ること
ができる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope thus configured, the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin film capacitor element 5 are very thin as compared with the substrates 1, 9, 11. Since the thickness is only the thickness of the three substrates 1, 9 and 11, it is possible to reduce the size and the thickness. Therefore, it is possible to obtain a solid-state image pickup device for an electronic endoscope, which can reduce the size and thickness of the tip of the endoscope.

【0057】2.固体撮像素子(2)と半導体素子
(4)及び薄膜コンデンサ素子(5)を有する電子内視
鏡固体撮像装置において、上記半導体素子(4)及び上
記薄膜コンデンサ素子(5)を一方の面に形成した第1
の基板(3)と、上記固体撮像素子(2)を一方の面に
形成し、上記第1の基板(3)の上記半導体素子(4)
及び上記薄膜コンデンサ素子(5)を形成していない面
に積層する第2の基板(1)と、上記固体撮像素子
(2)と半導体素子(4)及び薄膜コンデンサ素子
(5)を電気的に接続する電気的接続材(6)とを具備
することを特徴とする電子内視鏡用固体撮像装置。
2. In an electronic endoscope solid-state imaging device having a solid-state imaging device (2), a semiconductor device (4), and a thin-film capacitor device (5), the semiconductor device (4) and the thin-film capacitor device (5) are formed on one surface. Done first
Substrate (3) and the solid-state imaging device (2) are formed on one surface, and the semiconductor device (4) of the first substrate (3) is formed.
And a second substrate (1) laminated on the surface on which the thin film capacitor element (5) is not formed, the solid-state imaging element (2), the semiconductor element (4) and the thin film capacitor element (5) electrically. A solid-state imaging device for an electronic endoscope, comprising: an electrical connection material (6) for connection.

【0058】この発明は第2の実施の形態に対応する。
即ち、固体撮像素子2は基板1の一方の面に形成されて
おり、半導体素子4及び薄膜コンデンサ素子5は基板3
の一方の面に形成されている。基板1と基板3の素子が
形成されていない面側を合わせて、電気的接続材6及び
導電性接着材16によって固体撮像素子2、半導体素子
4、薄膜コンデンサ素子5を電気的に接続し、電子内視
鏡用固体撮像装置を構成するものである。
The present invention corresponds to the second embodiment.
That is, the solid-state imaging device 2 is formed on one surface of the substrate 1, and the semiconductor device 4 and the thin film capacitor device 5 are formed on the substrate 3.
Is formed on one surface. The solid-state imaging device 2, the semiconductor device 4, and the thin film capacitor device 5 are electrically connected to each other by electrically connecting the surfaces of the substrate 1 and the substrate 3 on which the elements are not formed, with the electrical connecting material 6 and the conductive adhesive material 16. It constitutes a solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【0059】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板1,3の厚みと比較して非常に薄
いことより、厚みは基板1及び基板3の2枚分の厚みだ
けとなるので、小型化並びに薄型化を図ることができ
る。また基板1及び基板3の2枚を電気的接続材6を用
いて電気的に接続しながら組み立てる作業は容易にでき
ることから、歩留まり向上となる。従って、小型化並び
に薄型化を図ることができ、容易に組み立て可能で歩留
まりが向上した電子内視鏡用固体撮像装置を得ることが
できる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope thus configured, the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin film capacitor element 5 are very thin as compared with the substrates 1 and 3. Since the thickness is only the thickness of the two substrates 1 and 3, it is possible to reduce the size and the thickness. In addition, since the work of assembling the two of the substrate 1 and the substrate 3 while electrically connecting them using the electrical connecting material 6 can be easily performed, the yield is improved. Therefore, it is possible to obtain a solid-state image pickup device for an electronic endoscope which can be downsized and thinned, can be easily assembled, and has improved yield.

【0060】3.固体撮像素子(2)と半導体素子
(4)及び薄膜コンデンサ素子(5)を有する電子内視
鏡先端部において、一方の面に前記半導体素子(4)が
形成され、他方の面に前記薄膜コンデンサ(5)が形成
されている基板(3)のどちらか一方の面と、一方の面
に前記固体撮像素子(2)が形成されている基板(1)
の他方の面とを合わせて電気的接続材(6)によって各
素子を接続したことを特徴とする電子内視鏡用固体撮像
装置。
3. At the tip of an electronic endoscope having a solid-state imaging device (2), a semiconductor device (4) and a thin film capacitor device (5), the semiconductor device (4) is formed on one surface and the thin film capacitor is formed on the other surface. One of the surfaces of the substrate (3) on which (5) is formed, and the substrate (1) on which the solid-state imaging device (2) is formed on one surface.
A solid-state imaging device for an electronic endoscope, characterized in that the respective elements are connected by an electrical connecting material (6) together with the other surface of the.

【0061】この発明は第3の実施の形態に対応する。
即ち、固体撮像素子2は基板1の一方の面に形成されて
おり、半導体素子4は基板3の一方の面に形成され、基
板3の他方の面に薄膜コンデンサ素子5が形成されてい
る。基板1の素子が形成されていない面と基板3のどち
らか一方の面を合わせて、電気的接続材6及び導電性接
着材16によって固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜
コンデンサ素子5を電気的に接続し、電子内視鏡用固体
撮像装置を構成するものである。
The present invention corresponds to the third embodiment.
That is, the solid-state image sensor 2 is formed on one surface of the substrate 1, the semiconductor element 4 is formed on one surface of the substrate 3, and the thin film capacitor element 5 is formed on the other surface of the substrate 3. The surface of the substrate 1 on which no element is formed and one of the surfaces of the substrate 3 are aligned, and the solid-state imaging device 2, the semiconductor device 4, and the thin film capacitor device 5 are electrically connected by the electrical connecting material 6 and the conductive adhesive material 16. And are connected to each other to form a solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【0062】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板1,3の厚みと比較して非常に薄
いことより、厚みは基板1及び基板3の2枚分の厚みだ
けとなるので、小型化並びに薄型化を図ることができ
る。また基板1及び基板3の2枚を電気的接続材6を用
いて電気的に接続しながら組み立てる作業は容易にでき
ることから、歩留まり向上となる。従って、小型化並び
に薄型化を図ることができ、容易に組み立て可能で歩留
まりが向上した電子内視鏡用固体撮像装置を得ることが
できる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope constructed as described above, the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin-film capacitor element 5 are very thin as compared with the thicknesses of the substrates 1 and 3. Since the thickness is only the thickness of the two substrates 1 and 3, it is possible to reduce the size and the thickness. In addition, since the work of assembling the two of the substrate 1 and the substrate 3 while electrically connecting them using the electrical connecting material 6 can be easily performed, the yield is improved. Therefore, it is possible to obtain a solid-state image pickup device for an electronic endoscope which can be downsized and thinned, can be easily assembled, and has improved yield.

【0063】4.前記半導体素子(4)と前記薄膜コン
デンサ素子(5)をスルホール(7)を介して電気的に
接続したことを特徴とする上記3に記載の電子内視鏡用
固体撮像装置。
4. 4. The solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to the above 3, wherein the semiconductor element (4) and the thin film capacitor element (5) are electrically connected via a through hole (7).

【0064】この発明は第4の実施の形態に対応する。
即ち、固体撮像素子2は基板1の一方の面に形成されて
おり、半導体素子4は基板3の一方の面に形成され、基
板3の他方の面に薄膜コンデンサ素子5が形成されてい
る。半導体素子4と薄膜コンデンサ素子5はスルーホー
ル7を介して電気的に接続されている。また、基板1の
素子が形成されていない面と基板3のどちらか一方の面
を合わせて、電気的接続材6及び導電性接着材16によ
って固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ素
子5を電気的に接続し、電子内視鏡用固体撮像装置を構
成するものである。
The present invention corresponds to the fourth embodiment.
That is, the solid-state image sensor 2 is formed on one surface of the substrate 1, the semiconductor element 4 is formed on one surface of the substrate 3, and the thin film capacitor element 5 is formed on the other surface of the substrate 3. The semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 are electrically connected to each other through the through hole 7. Further, the solid-state imaging device 2, the semiconductor device 4, and the thin film capacitor device 5 are made by matching the surface of the substrate 1 on which no element is formed and one surface of the substrate 3 with the electrical connecting material 6 and the conductive adhesive material 16. Are electrically connected to form a solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【0065】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板1,3の厚みと比較して非常に薄
いことより、厚みは基板1及び基板3の2枚分の厚みだ
けとなるので、小型化並びに薄型化を図ることができ
る。また、基板1及び基板3の2枚を電気的接続材6を
用いて電気的に接続しながら組み立てる作業は容易にで
きることから、歩留まり向上となる。従って、小型化並
びに薄型化を図ることができ、容易に組み立て可能で歩
留まりが向上した電子内視鏡用固体撮像装置を得ること
ができる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope constructed as described above, the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin film capacitor element 5 are very thin as compared with the thicknesses of the substrates 1 and 3. Since the thickness is only the thickness of the two substrates 1 and 3, it is possible to reduce the size and the thickness. Further, since the work of assembling the two substrates 1 and 3 while electrically connecting them using the electrical connecting material 6 can be easily performed, the yield is improved. Therefore, it is possible to obtain a solid-state image pickup device for an electronic endoscope which can be downsized and thinned, can be easily assembled, and has improved yield.

【0066】5.固体撮像素子(2)と半導体素子
(4)及び薄膜コンデンサ素子(5)を有した電子内視
鏡先端部において、一方の面に前記固体撮像素子(2)
が形成され、他方の面に前記薄膜コンデンサ(5)が形
成されている基板(8)の薄膜コンデンサ素子(5)が
形成されている面と、一方の面に前記半導体素子(4)
が形成されている基板(9)の他方の面とを合わせて電
気的接続材(6)によって各素子を接続したことを特徴
とする電子内視鏡用固体撮像装置。
5. At the tip of an electronic endoscope having a solid-state image sensor (2), a semiconductor element (4), and a thin-film capacitor element (5), the solid-state image sensor (2) is provided on one surface.
And the surface of the substrate (8) on which the thin film capacitor (5) is formed and the thin film capacitor element (5) is formed, and the semiconductor element (4) on one surface.
A solid-state image pickup device for an electronic endoscope, characterized in that the respective elements are connected by an electrical connecting material (6) in combination with the other surface of the substrate (9) on which is formed.

【0067】この発明は第5の実施の形態に対応する。
即ち、固体撮像素子2は基板8の一方の面に形成され、
基板8の他方の面に薄膜コンデンサ素子5が形成されて
おり、基板9の一方の面に半導体素子4が形成されてい
る。また、基板9の素子が形成されていない面と基板8
の薄膜コンデンサ素子が形成されている面を合わせて、
電気的接続材6及び導電性接着材16によって固体撮像
素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ素子5を電気的
に接続し、電子内視鏡用固体撮像装置を構成するもので
ある。
The present invention corresponds to the fifth embodiment.
That is, the solid-state image sensor 2 is formed on one surface of the substrate 8,
The thin film capacitor element 5 is formed on the other surface of the substrate 8, and the semiconductor element 4 is formed on one surface of the substrate 9. In addition, the surface of the substrate 9 on which the elements are not formed and the substrate 8
Align the surfaces on which the thin film capacitor element of is formed,
The solid-state imaging device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are electrically connected by the electrical connecting material 6 and the conductive adhesive material 16 to form a solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【0068】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板8,9の厚みと比較して非常に薄
いことより、厚みは基板8及び基板9の2枚分の厚みだ
けとなるので、小型化並びに薄型化を図ることができ
る。また基板8及び基板9の2枚を電気的接続材6を用
いて電気的に接続しながら組み立てる作業は容易にでき
ることから、歩留まり向上となる。従って、小型化並び
に薄型化を図ることができ、容易に組み立て可能で歩留
まりが向上した電子内視鏡用固体撮像装置を得ることが
できる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope thus configured, the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin-film capacitor element 5 are very thin as compared with the thickness of the substrates 8 and 9. Since the thickness is only the thickness of the two substrates 8 and 9, it is possible to reduce the size and the thickness. In addition, since the work of assembling the two of the substrate 8 and the substrate 9 while electrically connecting them using the electrical connecting material 6 can be easily performed, the yield is improved. Therefore, it is possible to obtain a solid-state image pickup device for an electronic endoscope which can be downsized and thinned, can be easily assembled, and has improved yield.

【0069】6.前記固体撮像素子(2)と前記薄膜コ
ンデンサ素子(5)をスルホール(10)を介して電気
的に接続したことを特徴とする上記5に記載の電子内視
鏡用固体撮像装置。
6. 6. The solid-state imaging device for electronic endoscope according to the above 5, wherein the solid-state imaging device (2) and the thin-film capacitor device (5) are electrically connected through a through hole (10).

【0070】この発明は第6の実施の形態に対応する。
即ち、固体撮像素子2は基板8の一方の面に形成され、
基板8の他方の面に薄膜コンデンサ素子5が形成されて
おり、基板9の一方の面に半導体素子4が形成されてい
る。固体撮像素子2と薄膜コンデンサ素子5はスルーホ
ール10を介して電気的に接続されている。また基板9
の素子が形成されていない面と基板8の薄膜コンデンサ
素子が形成されている面を合わせて、電気的接続材6及
び導電性接着材16によって固体撮像素子2、半導体素
子4、薄膜コンデンサ素子5を電気的に接続し、電子内
視鏡用固体撮像装置を構成するものである。
The present invention corresponds to the sixth embodiment.
That is, the solid-state image sensor 2 is formed on one surface of the substrate 8,
The thin film capacitor element 5 is formed on the other surface of the substrate 8, and the semiconductor element 4 is formed on one surface of the substrate 9. The solid-state image sensor 2 and the thin film capacitor element 5 are electrically connected via a through hole 10. Also the substrate 9
Of the substrate 8 and the surface of the substrate 8 on which the thin film capacitor element is formed, and the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin film capacitor element 5 are connected by the electrical connecting material 6 and the conductive adhesive material 16. Are electrically connected to form a solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【0071】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板8,9の厚みと比較して非常に薄
いことより、厚みは基板8及び基板9の2枚分の厚みだ
けとなるので、小型化並びに薄型化を図ることができ
る。また基板8及び基板9の2枚を電気的接続材6を用
いて電気的に接続しながら組み立てる作業は容易にでき
ることから、歩留まり向上となる。従って、小型化並び
に薄型化を図ることができ、容易に組み立て可能で歩留
まりが向上した電子内視鏡用固体撮像装置を得ることが
できる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope constructed as described above, the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin-film capacitor element 5 are very thin as compared with the thickness of the substrates 8 and 9. Since the thickness is only the thickness of the two substrates 8 and 9, it is possible to reduce the size and the thickness. In addition, since the work of assembling the two of the substrate 8 and the substrate 9 while electrically connecting them using the electrical connecting material 6 can be easily performed, the yield is improved. Therefore, it is possible to obtain a solid-state image pickup device for an electronic endoscope which can be downsized and thinned, can be easily assembled, and has improved yield.

【0072】7.固体撮像素子(2)と半導体素子
(4)及び薄膜コンデンサ素子(5)を有する電子内視
鏡先端部において、一方の面に前記固体撮像素子(2)
を形成した基板(1)の他方の面と、一方の面に前記半
導体素子(2)が形成されている基板(9)の他方の面
を合わせて、前記薄膜コンデンサ素子(5)を形成した
基板(11)を搭載した電気的接続材(6)によって各
素子を接続したことを特徴とする電子内視鏡用固体撮像
装置。
7. At the tip of an electronic endoscope having a solid-state imaging device (2), a semiconductor device (4), and a thin-film capacitor device (5), the solid-state imaging device (2) is provided on one surface.
The thin film capacitor element (5) was formed by aligning the other surface of the substrate (1) on which the substrate was formed with the other surface of the substrate (9) on which the semiconductor element (2) was formed on one surface. A solid-state imaging device for an electronic endoscope, characterized in that each element is connected by an electrical connection material (6) on which a substrate (11) is mounted.

【0073】この発明は第7の実施の形態に対応する。
即ち、固体撮像素子2は基板1の一方の面に形成され、
基板9の一方の面に半導体素子4が形成されている。ま
た電気的接続材6上には薄膜コンデンサ素子5を形成し
た基板11を搭載しており、基板1及び基板9の素子が
形成されていない面側を合わせて、電気的接続材6及び
導電性接着材16によって固体撮像素子2、半導体素子
4、薄膜コンデンサ素子5を電気的に接続し、電子内視
鏡用固体撮像装置を構成するものである。
The present invention corresponds to the seventh embodiment.
That is, the solid-state imaging device 2 is formed on one surface of the substrate 1,
The semiconductor element 4 is formed on one surface of the substrate 9. Further, the substrate 11 having the thin film capacitor element 5 formed thereon is mounted on the electrical connecting material 6, and the surface side of the substrate 1 and the substrate 9 on which the element is not formed is put together to form the electrical connecting material 6 and the conductive material. The solid-state imaging device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are electrically connected by the adhesive 16 to form a solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【0074】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4の膜厚が基板
1,9の厚みと比較して非常に薄いことより、厚みは基
板1及び基板9の2枚分の厚みだけとなるので、小型化
並びに薄型化を図ることができる。また基板1及び基板
9の2枚を電気的接続材6を用いて電気的に接続しなが
ら組み立てる作業は容易にできることから、歩留まり向
上となる。従って、小型化並びに薄型化を図ることがで
き、容易に組み立て可能で歩留まりが向上した電子内視
鏡用固体撮像装置を得ることができる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope thus configured, the thickness of the solid-state image pickup element 2 and the semiconductor element 4 is very small compared with the thickness of the substrates 1 and 9, and therefore the thickness of the substrate 1 is 1. Since the thickness of the substrate 9 is only two, the size and thickness of the substrate 9 can be reduced. Further, since the work of assembling the two of the substrate 1 and the substrate 9 while electrically connecting them using the electrical connecting material 6 can be easily performed, the yield is improved. Therefore, it is possible to obtain a solid-state image pickup device for an electronic endoscope which can be downsized and thinned, can be easily assembled, and has improved yield.

【0075】8.前記薄膜コンデンサ素子(5)を電気
的接続材(6)に形成したことを特徴とする上記7に記
載の電子内視鏡用固体撮像装置。この発明は第8の実施
の形態に対応する。即ち、固体撮像素子2は基板1の一
方の面に形成され、基板9の一方の面に半導体素子4が
形成されている。また電気的接続材6上には薄膜コンデ
ンサ素子5を形成し、基板1及び基板9の素子が形成さ
れていない面側を合わせて、電気的接続材6及び導電性
接着材16によって固体撮像素子2、半導体素子4、薄
膜コンデンサ素子5を電気的に接続し、電子内視鏡用固
体撮像装置を構成するものである。
8. 8. The solid-state imaging device for an electronic endoscope according to the above 7, wherein the thin film capacitor element (5) is formed on an electrical connecting material (6). This invention corresponds to the eighth embodiment. That is, the solid-state image sensor 2 is formed on one surface of the substrate 1, and the semiconductor element 4 is formed on one surface of the substrate 9. Further, the thin film capacitor element 5 is formed on the electrical connection material 6, the surfaces of the substrates 1 and 9 on which the elements are not formed are aligned, and the electrical connection material 6 and the conductive adhesive material 16 are used to form the solid-state imaging device. 2, the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 are electrically connected to form a solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【0076】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4の膜厚が基板
1,9の厚みと比較して非常に薄いことより、厚みは基
板1及び基板9の2枚分の厚みだけとなるので、小型化
並びに薄型化を図ることができる。また基板1及び基板
9の2枚を電気的接続材6を用いて電気的に接続しなが
ら組み立てる作業は容易にできることから、歩留まり向
上となる。従って、小型化並びに薄型化を図ることがで
き、容易に組み立て可能で歩留まりが向上した電子内視
鏡用固体撮像装置を得ることができる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope constructed as described above, the thickness of the solid-state image pickup element 2 and the semiconductor element 4 is much smaller than the thickness of the substrates 1 and 9, so that the thickness of the substrate 1 is 1. Since the thickness of the substrate 9 is only two, the size and thickness of the substrate 9 can be reduced. Further, since the work of assembling the two of the substrate 1 and the substrate 9 while electrically connecting them using the electrical connecting material 6 can be easily performed, the yield is improved. Therefore, it is possible to obtain a solid-state image pickup device for an electronic endoscope which can be downsized and thinned, can be easily assembled, and has improved yield.

【0077】9.固体撮像素子(2)と半導体素子
(4)及び薄膜コンデンサ素子(5)を有する電子内視
鏡固体撮像装置において、上記半導体素子(4)を一方
の面に形成し、当該面と直交する面に上記薄膜コンデン
サ素子(5)を形成した第1の基板(9)と、上記固体
撮像素子(2)を一方の面に形成し、上記第1の基板
(9)の上記半導体素子(4)及び薄膜コンデンサ素子
(5)を形成していない面に積層する第2の基板(1)
と、上記固体撮像素子(2)と半導体素子(4)及び薄
膜コンデンサ素子(5)を電気的に接続する電気的接続
材(6)とを具備することを特徴とする電子内視鏡用固
体撮像装置。
9. In an electronic endoscope solid-state imaging device having a solid-state imaging device (2), a semiconductor device (4), and a thin-film capacitor device (5), the semiconductor device (4) is formed on one surface and a surface orthogonal to the surface. The first substrate (9) on which the thin film capacitor element (5) is formed and the solid-state image sensor (2) are formed on one surface, and the semiconductor element (4) of the first substrate (9) is formed. And a second substrate (1) to be laminated on the surface on which the thin film capacitor element (5) is not formed
And an electrical connecting material (6) for electrically connecting the solid-state imaging device (2) to the semiconductor device (4) and the thin-film capacitor device (5). Imaging device.

【0078】この発明は第9の実施の形態に対応する。
即ち、固体撮像素子2は基板1の一方の面に形成され、
基板9の一方の面に半導体素子4が形成されている。ま
た基板9のサイドに薄膜コンデンサ素子5を形成した基
板11を配置して、基板1及び基板9の素子が形成され
ていない面側を合わせて、電気的接続材6及び導電性接
着材16によって固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜
コンデンサ素子5を電気的に接続し、電子内視鏡用固体
撮像装置を構成するものである。
The present invention corresponds to the ninth embodiment.
That is, the solid-state imaging device 2 is formed on one surface of the substrate 1,
The semiconductor element 4 is formed on one surface of the substrate 9. Further, the substrate 11 on which the thin film capacitor element 5 is formed is arranged on the side of the substrate 9, and the surface sides of the substrate 1 and the substrate 9 on which the element is not formed are aligned, and the electrical connection material 6 and the conductive adhesive material 16 are used. The solid-state imaging device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are electrically connected to form a solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【0079】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4の膜厚が基板
1,9の厚みと比較して非常に薄いことより、厚みは基
板1及び基板9の2枚分の厚みだけとなるので、小型化
並びに薄型化を図ることができる。また基板1及び基板
9の2枚を電気的接続材6を用いて電気的に接続しなが
ら組み立てる作業は容易にできることから、歩留まり向
上となる。従って、小型化並びに薄型化を図ることがで
き、容易に組み立て可能で歩留まりが向上した電子内視
鏡用固体撮像装置を得ることができる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope constructed as described above, the thickness of the solid-state image pickup device 2 and the semiconductor device 4 is very thin compared to the thickness of the substrates 1 and 9, and therefore the thickness of the substrate 1 is 1. Since the thickness of the substrate 9 is only two, the size and thickness of the substrate 9 can be reduced. Further, since the work of assembling the two of the substrate 1 and the substrate 9 while electrically connecting them using the electrical connecting material 6 can be easily performed, the yield is improved. Therefore, it is possible to obtain a solid-state image pickup device for an electronic endoscope which can be downsized and thinned, can be easily assembled, and has improved yield.

【0080】10.前記薄膜コンデンサ素子(5)を前
記基板(9)のサイド部に形成したことを特徴とする上
記9に記載の電子内視鏡用固体撮像装置。この発明は第
10の実施の形態に対応する。即ち、固体撮像素子2は
基板1の一方の面に形成され、基板9の一方の面に半導
体素子4が形成されている。また基板9のサイドに薄膜
コンデンサ素子5を形成した基板1及び基板9の素子が
形成されていない面側を合わせて、電気的接続材6及び
導電性接着材16によって固体撮像素子2、半導体素子
4、薄膜コンデンサ素子5を電気的に接続し、電子内視
鏡用固体撮像装置を構成するものである。
10. 10. The solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to the above 9, wherein the thin film capacitor element (5) is formed on a side portion of the substrate (9). This invention corresponds to the tenth embodiment. That is, the solid-state image sensor 2 is formed on one surface of the substrate 1, and the semiconductor element 4 is formed on one surface of the substrate 9. Further, the substrate 1 on which the thin film capacitor element 5 is formed on the side of the substrate 9 and the surface side of the substrate 9 on which the element is not formed are put together, and the solid-state image pickup element 2 and the semiconductor element are formed by the electrical connection material 6 and the conductive adhesive 16. 4. The thin film capacitor element 5 is electrically connected to form a solid-state image pickup device for an electronic endoscope.

【0081】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4の膜厚が基板
1,9の厚みと比較して非常に薄いことより、厚みは基
板1及び基板9の2枚分の厚みだけとなるので、小型化
並びに薄型化を図ることができる。また基板1及び基板
9の2枚を電気的接続材6を用いて電気的に接続しなが
ら組み立てる作業は容易にできることから、歩留まり向
上となる。従って、小型化並びに薄型化を図ることがで
き、容易に組み立て可能で歩留まりが向上した電子内視
鏡用固体撮像装置を得ることができる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope thus configured, the thickness of the solid-state image pickup element 2 and the semiconductor element 4 is very small compared to the thickness of the substrates 1 and 9, and hence the thickness of the substrate 1 is 1. Since the thickness of the substrate 9 is only two, the size and thickness of the substrate 9 can be reduced. Further, since the work of assembling the two of the substrate 1 and the substrate 9 while electrically connecting them using the electrical connecting material 6 can be easily performed, the yield is improved. Therefore, it is possible to obtain a solid-state image pickup device for an electronic endoscope which can be downsized and thinned, can be easily assembled, and has improved yield.

【0082】11.固体撮像素子(2)と半導体素子
(4)及び薄膜コンデンサ素子(5)を有する電子内視
鏡先端部において、前記固体撮像素子(2)、前記半導
体素子(4)及び前記薄膜コンデンサ素子(5)を同一
基板(12)に形成したことを特徴とする電子内視鏡用
固体撮像装置。
11. At the tip of an electronic endoscope having a solid-state imaging device (2), a semiconductor device (4), and a thin-film capacitor device (5), the solid-state imaging device (2), the semiconductor device (4), and the thin-film capacitor device (5). ) Is formed on the same substrate (12), a solid-state image pickup device for an electronic endoscope.

【0083】この発明は第11の実施の形態に対応す
る。即ち、固体撮像素子2は基板12の一方の面に形成
され、他方の面に半導体素子4及び薄膜コンデンサ素子
5が形成されている。また、電気的接続材6及び導電性
接着材16によって固体撮像素子2、半導体素子4、薄
膜コンデンサ素子5を電気的に接続し、電子内視鏡用固
体撮像装置を構成するものである。
The present invention corresponds to the eleventh embodiment. That is, the solid-state image sensor 2 is formed on one surface of the substrate 12, and the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 are formed on the other surface. Further, the solid-state imaging device 2, the semiconductor device 4, and the thin-film capacitor device 5 are electrically connected by the electrical connection material 6 and the conductive adhesive material 16 to form a solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【0084】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板12の厚みと比較して非常に薄い
ことより、厚みは基板12の厚みだけとなるので、小型
化並びに薄型化を図ることができる。また電気的接続材
6を用いて電気的に接続しながら組み立てる作業は容易
にできることから、歩留まり向上となる。従って、小型
化並びに薄型化を図ることができ、容易に組み立て可能
で歩留まりが向上した電子内視鏡用固体撮像装置を得る
ことができる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope constructed as described above, the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin-film capacitor element 5 are very thin as compared with the thickness of the substrate 12. Since the thickness is only the thickness of the substrate 12, it is possible to reduce the size and the thickness. Further, since the work of assembling while electrically connecting using the electrical connecting material 6 can be easily performed, the yield is improved. Therefore, it is possible to obtain a solid-state image pickup device for an electronic endoscope which can be downsized and thinned, can be easily assembled, and has improved yield.

【0085】12.固体撮像素子(2)と半導体素子
(4)及び薄膜コンデンサ素子(5)を有する電子内視
鏡先端部において、前記固体撮像素子(2)と前記半導
体素子(4)及び前記薄膜コンデンサ素子(5)が同一
基板(12)に形成されており、基板(12)の一方の
面に前記固体撮像素子(2)を、他方の面に前記半導体
素子(4)及び前記薄膜コンデンサ素子(5)を形成
し、スルーホール(13)を介して基板(12)の表裏
を電気的に接続したことを特徴とする電子内視鏡用固体
撮像装置。
12. At the tip of an electronic endoscope having a solid-state imaging device (2), a semiconductor device (4), and a thin-film capacitor device (5), the solid-state imaging device (2), the semiconductor device (4), and the thin-film capacitor device (5). ) Are formed on the same substrate (12), the solid-state imaging device (2) is provided on one surface of the substrate (12), and the semiconductor device (4) and the thin film capacitor device (5) are provided on the other surface. A solid-state imaging device for an electronic endoscope, which is formed and electrically connected to the front and back of a substrate (12) through a through hole (13).

【0086】この発明は第12の実施の形態に対応す
る。即ち、固体撮像素子2は基板12の一方の面に形成
され、他方の面に半導体素子4及び薄膜コンデンサ素子
5が形成されている。また、スルーホール13を介して
固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ素子5
を電気的に接続し、電子内視鏡用固体撮像装置を構成す
るものである。
The present invention corresponds to the twelfth embodiment. That is, the solid-state image sensor 2 is formed on one surface of the substrate 12, and the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 are formed on the other surface. In addition, the solid-state imaging device 2, the semiconductor device 4, the thin-film capacitor device 5 through the through hole 13.
Are electrically connected to form a solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【0087】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板12の厚みと比較して非常に薄い
ことより、厚みは基板12の厚みだけとなるので、小型
化並びに薄型化を図ることができる。また各素子間の電
気的配線を基板内のスルーホールを介して行うことで、
電気的接続材が不要となり更なる小型化及び薄型化が可
能となると共に、組み立て作業が容易になることから、
歩留まり向上となる。従って、小型化並びに薄型化を図
ることができ、容易に組み立て可能で歩留まりが向上し
た電子内視鏡用固体撮像装置を得ることができる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope constructed as described above, the thickness of the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin-film capacitor element 5 is very small compared with the thickness of the substrate 12, so that Since the thickness is only the thickness of the substrate 12, it is possible to reduce the size and the thickness. Also, by performing electrical wiring between each element through through holes in the board,
Since electrical connection materials are not required and further downsizing and thinning are possible, and assembling work becomes easier,
The yield will be improved. Therefore, it is possible to obtain a solid-state image pickup device for an electronic endoscope which can be downsized and thinned, can be easily assembled, and has improved yield.

【0088】13.スルーホール(7),(8)と裏面
に形成した配線電極(14),(15)を用いて固体撮
像素子(2)、半導体素子(4)、薄膜コンデンサ素子
(5)を電気的に接続したことを特徴とする上記1〜
6,9,10に記載の電子内視鏡用固体撮像装置。
13. The solid-state imaging device (2), the semiconductor device (4), and the thin film capacitor device (5) are electrically connected using the through holes (7) and (8) and the wiring electrodes (14) and (15) formed on the back surface. 1 characterized in that
The solid-state imaging device for electronic endoscopes according to 6, 9, and 10.

【0089】この発明は第13の実施の形態に対応す
る。即ち、固体撮像素子2は基板1の一方の面に形成さ
れ、他方の面には配線電極14が形成されており、スル
ーホール10を介して固体撮像素子2と配線電極14が
電気的に接続されている。また基板3の一方の面に半導
体素子4及び薄膜コンデンサ素子5が形成され、他方の
面には配線電極15が形成されており、スルーホール7
を介して配線電極15と半導体素子4及び薄膜コンデン
サ素子5が電気的に接続されている。さらに配線電極1
4と15を導電性接着材16を用いて電気的に接続し、
電子内視鏡用固体撮像装置を構成するものである。
The present invention corresponds to the thirteenth embodiment. That is, the solid-state imaging device 2 is formed on one surface of the substrate 1 and the wiring electrode 14 is formed on the other surface thereof, and the solid-state imaging device 2 and the wiring electrode 14 are electrically connected to each other through the through hole 10. Has been done. The semiconductor element 4 and the thin-film capacitor element 5 are formed on one surface of the substrate 3, and the wiring electrode 15 is formed on the other surface of the substrate 3.
The wiring electrode 15, the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 are electrically connected via the. Further wiring electrode 1
4 and 15 are electrically connected using a conductive adhesive material 16,
It constitutes a solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【0090】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板1,3の厚みと比較して非常に薄
いことより、厚みは基板1及び基板3の2枚分の厚みだ
けとなるので、小型化並びに薄型化を図ることができ
る。また各素子間の電気的配線を基板内のスルーホール
を介して行うことで、電気的接続材が不要となり更なる
小型化及び薄型化が可能となると共に、組み立て作業が
容易になることから、歩留まり向上となる。従って、小
型化並びに薄型化を図ることができ、容易に組み立て可
能で歩留まりが向上した電子内視鏡用固体撮像装置を得
ることができる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope thus configured, the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin-film capacitor element 5 are very thin as compared with the thicknesses of the substrates 1 and 3. Since the thickness is only the thickness of the two substrates 1 and 3, it is possible to reduce the size and the thickness. Further, by performing the electrical wiring between each element through the through hole in the substrate, it is possible to further reduce the size and thickness of the electrical connection material is not required, and the assembly work is easy, The yield will be improved. Therefore, it is possible to obtain a solid-state image pickup device for an electronic endoscope which can be downsized and thinned, can be easily assembled, and has improved yield.

【0091】14.上記薄膜コンデンサ素子(5)が強
誘電体薄膜を用いて形成されていることを特徴とする請
求項1乃至13に記載の電子内視鏡用固体撮像装置。こ
の発明は第1から第13の実施の形態に対応する。この
実施の形態は、薄膜コンデンサ素子が強誘電体薄膜を用
いて形成した電子内視鏡用固体撮像装置に関するもので
ある。
14. 14. The solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to claim 1, wherein the thin film capacitor element (5) is formed by using a ferroelectric thin film. This invention corresponds to the first to thirteenth embodiments. This embodiment relates to a solid-state imaging device for an electronic endoscope in which a thin film capacitor element is formed by using a ferroelectric thin film.

【0092】15.4辺からなる基板の1辺を前記電気
的接続材(6)で電気的に接続したことを特徴とする請
求項1から11記載の電子内視鏡用固体撮像装置前記薄
膜コンデンサ素子(5)が強誘電体薄膜を用いて形成さ
れていることを特徴とする上記1〜13に記載の電子内
視鏡用固体撮像装置。
12. The solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to claim 1, wherein one side of a substrate consisting of 15.4 sides is electrically connected by the electrical connecting material (6). 14. The solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to any one of 1 to 13 above, wherein the capacitor element (5) is formed by using a ferroelectric thin film.

【0093】この発明は第14の実施の形態に対応す
る。即ち、4辺からなる基板1及び基板3のそれぞれ1
辺を電気的接続材6及び導電性接着材16によって電気
的に接続し電子内視鏡用固体撮像装置を構成するもので
ある。
The present invention corresponds to the fourteenth embodiment. That is, one of each of the substrate 1 and the substrate 3 having four sides
The sides are electrically connected by the electrical connecting material 6 and the conductive adhesive material 16 to form a solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【0094】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板1及び3の厚みと比較して非常に
薄いことより、厚みは基板1及び3の2枚の厚みだけと
なるので、小型化並びに薄型化を図ることができる。ま
た電気的接続材6を用いて基板の1辺だけを電気的に接
続しながら組み立てる作業が容易にできることから、歩
留まり向上となる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope thus configured, the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin film capacitor element 5 are very thin as compared with the thicknesses of the substrates 1 and 3. Since the thicknesses are only the two thicknesses of the substrates 1 and 3, it is possible to reduce the size and the thickness. In addition, since the work of assembling while electrically connecting only one side of the substrate using the electrical connecting material 6 can be facilitated, the yield is improved.

【0095】従って、小型化並びに薄型化を図ることが
でき、容易に組み立て可能で歩留まりが向上した電子内
視鏡用固体撮像装置を得ることができる。 16.電気的接続材(22)と外部リード線(20)と
を電気的に接続したことを特徴とする上記1〜11に記
載の電子内視鏡用固体撮像装置。
Therefore, it is possible to obtain a solid-state image pickup device for an electronic endoscope which can be miniaturized and thinned, which can be easily assembled and which has an improved yield. 16. The solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to any one of 1 to 11 above, wherein the electrical connection material (22) and the external lead wire (20) are electrically connected.

【0096】この発明は第15の実施の形態に対応す
る。即ち、固体撮像素子2は基板1の一方の面に形成さ
れており、半導体素子4及び薄膜コンデンサ素子5は基
板3の一方の面に形成されている。基板1と基板3の素
子が形成されていない面側を合わせて、電気的接続材6
及び導電性接着材16によって固体撮像素子2、半導体
素子4、薄膜コンデンサ素子5を電気的に接続し、且つ
基板3と外部リード線20を電気的接続材22及び導電
性接着材16,21によって電気的に接続し電子内視鏡
用固体撮像装置を構成するものである。
The present invention corresponds to the fifteenth embodiment. That is, the solid-state image sensor 2 is formed on one surface of the substrate 1, and the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 are formed on one surface of the substrate 3. The surface of the substrate 1 on which the elements are not formed is matched with each other, and the electrical connection member 6 is formed.
And the solid-state image sensor 2, the semiconductor element 4, and the thin film capacitor element 5 are electrically connected by the conductive adhesive material 16, and the substrate 3 and the external lead wire 20 are electrically connected by the electrical connection material 22 and the conductive adhesive materials 16, 21. The solid-state imaging device for an electronic endoscope is configured by being electrically connected.

【0097】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板1及び3の厚みと比較して非常に
薄いことより、厚みは基板1及び3の2枚の厚みだけと
なるので、小型化並びに薄型化を図ることができる。ま
た電気的接続材22と外部リード線20を電気的に接続
することにより、基板3に外部電極端子を設ける必要が
ないので、工程が簡略化され歩留まり向上となる。従っ
て、小型化並びに薄型化を図ることができ、工程が簡略
化されて歩留まりが向上した電子内視鏡用固体撮像装置
を得ることができる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope thus configured, the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin-film capacitor element 5 are very thin as compared with the thicknesses of the substrates 1 and 3. Since the thicknesses are only the two thicknesses of the substrates 1 and 3, it is possible to reduce the size and the thickness. Further, by electrically connecting the electrical connecting member 22 and the external lead wire 20, it is not necessary to provide the external electrode terminal on the substrate 3, so that the process is simplified and the yield is improved. Therefore, it is possible to obtain a solid-state imaging device for an electronic endoscope, which can be downsized and thinned, the process is simplified, and the yield is improved.

【0098】17.外部リード線(21)接続側の基板
を前記固体撮像素子(2)を形成した基板より小さくし
たことを特徴とする上記1〜11に記載の電子内視鏡用
固体撮像装置。
17. The solid-state image pickup device for an electronic endoscope according to any one of the above 1 to 11, wherein the substrate on the external lead wire (21) connection side is smaller than the substrate on which the solid-state image pickup element (2) is formed.

【0099】この発明は第16の実施の形態に対応す
る。即ち、固体撮像素子2は基板1の一方の面に形成さ
れており、半導体素子4及び薄膜コンデンサ素子5は基
板1より小さい基板3の一方の面に形成されている。基
板1と基板3の素子が形成されていない面側を合わせ
て、電気的接続材6及び導電性接着材16によって固体
撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデンサ素子5を電
気的に接続し、且つ基板1面上で電気的接続材22と外
部リード線とを導電性接着材21によって電気的に接続
し電子内視鏡用固体撮像装置を構成するものである。
The present invention corresponds to the 16th embodiment. That is, the solid-state imaging element 2 is formed on one surface of the substrate 1, and the semiconductor element 4 and the thin film capacitor element 5 are formed on one surface of the substrate 3 smaller than the substrate 1. The solid-state imaging device 2, the semiconductor device 4, and the thin film capacitor device 5 are electrically connected to each other by electrically connecting the surfaces of the substrate 1 and the substrate 3 on which the elements are not formed, with the electrical connecting material 6 and the conductive adhesive material 16. In addition, the electrical connection material 22 and the external lead wire are electrically connected on the surface of the substrate 1 by the conductive adhesive material 21 to form a solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【0100】このように構成した電子内視鏡用固体撮像
装置は、固体撮像素子2、半導体素子4、薄膜コンデン
サ素子5の膜厚が基板1及び3の厚みと比較して非常に
薄いことより、厚みは基板1及び3の2枚の厚みだけと
なる。更に外部リード20と電気的接続材22との接続
部が基板1面上となるので外部リード線20領域の短縮
となり、小型化並びに薄型化を図ることができる。ま
た、電気的接続材22と外部リード線20を電気的に接
続することにより、基板3に外部電極端子を設ける必要
がないので、工程が簡略化され歩留まり向上となる。従
って、小型化並びに薄型化を図ることができ、工程が簡
略化されて歩留まりが向上した電子内視鏡用固体撮像装
置を得ることができる。
In the solid-state image pickup device for an electronic endoscope thus configured, the solid-state image pickup element 2, the semiconductor element 4, and the thin film capacitor element 5 are very thin as compared with the thicknesses of the substrates 1 and 3. , And the thickness is only the thickness of the two substrates 1 and 3. Further, since the connecting portion between the external lead 20 and the electrical connecting material 22 is on the surface of the substrate 1, the area of the external lead wire 20 can be shortened, and the size and thickness can be reduced. Further, by electrically connecting the electrical connecting material 22 and the external lead wire 20, it is not necessary to provide an external electrode terminal on the substrate 3, so that the process is simplified and the yield is improved. Therefore, it is possible to obtain a solid-state imaging device for an electronic endoscope, which can be downsized and thinned, the process is simplified, and the yield is improved.

【0101】[0101]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
小型化、薄型化された電子内視鏡用固体撮像装置を提供
することができる。
As described in detail above, according to the present invention,
It is possible to provide a compact and thin solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施の形態に係る電子内視鏡用
固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図である。
FIG. 1 is a sectional view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施の形態に係る電子内視鏡用
固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図である。
FIG. 2 is a sectional view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3の実施の形態に係る電子内視鏡用
固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図である。
FIG. 3 is a sectional view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第4の実施の形態に係る電子内視鏡用
固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図である。
FIG. 4 is a sectional view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to a fourth embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第5の実施の形態に係る電子内視鏡用
固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図である。
FIG. 5 is a sectional view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to a fifth embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第6の実施の形態に係る電子内視鏡用
固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図である。
FIG. 6 is a sectional view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to a sixth embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第7の実施の形態に係る電子内視鏡用
固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図である。
FIG. 7 is a sectional view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to a seventh embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第8の実施の形態に係る電子内視鏡用
固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図である。
FIG. 8 is a sectional view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to an eighth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第9の実施の形態に係る電子内視鏡用
固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図である。
FIG. 9 is a sectional view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to a ninth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第10の実施の形態に係る電子内視
鏡用固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図であ
る。
FIG. 10 is a sectional view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to a tenth embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第11の実施の形態に係る電子内視
鏡用固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図であ
る。
FIG. 11 is a sectional view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第12の実施の形態に係る電子内視
鏡用固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図であ
る。
FIG. 12 is a sectional view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to a twelfth embodiment of the present invention.

【図13】本発明の第13の実施の形態に係る電子内視
鏡用固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図であ
る。
FIG. 13 is a sectional view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to a thirteenth embodiment of the present invention.

【図14】本発明の第14の実施の形態に係る電子内視
鏡用固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図であ
る。
FIG. 14 is a sectional view schematically showing the configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to a fourteenth embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第15の実施の形態に係る電子内視
鏡用固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図であ
る。
FIG. 15 is a sectional view schematically showing a configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to a fifteenth embodiment of the present invention.

【図16】本発明の第16の実施の形態に係る電子内視
鏡用固体撮像装置の構成を概略的に示した断面図であ
る。
FIG. 16 is a sectional view schematically showing the configuration of a solid-state imaging device for an electronic endoscope according to a sixteenth embodiment of the present invention.

【図17】従来の電子内視鏡用固体撮像装置の構成を示
す平面図及び側面図である。
17A and 17B are a plan view and a side view showing a configuration of a conventional solid-state imaging device for an electronic endoscope.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…固体撮像素子基板、2…固体撮像素子、3…半導体
素子及び薄膜コンデンサ基板、4…半導体素子、5…薄
膜コンデンサ素子、6…電気的接続材、7…スルーホー
ル、8…固体撮像素子及び薄膜コンデンサ素子基板、9
…半導体素子基板、10…スルーホール、11…薄膜コ
ンデンサ素子基板、12…固体撮像素子、半導体素子、
薄膜コンデンサ素子基板、13…スルーホール、14,
15…配線、16…導電性接続材、17…外部電極端
子、18…カラーフィルタ、19…封止樹脂、20…外
部リード線、21…導電性接着材、22…電気的接続
材。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Solid-state image sensor substrate, 2 ... Solid-state image sensor, 3 ... Semiconductor element and thin film capacitor substrate, 4 ... Semiconductor element, 5 ... Thin film capacitor element, 6 ... Electrical connection material, 7 ... Through hole, 8 ... Solid image sensor And thin film capacitor element substrate, 9
... Semiconductor element substrate, 10 ... Through hole, 11 ... Thin film capacitor element substrate, 12 ... Solid-state image sensor, semiconductor element,
Thin film capacitor element substrate, 13 ... Through hole, 14,
15 ... Wiring, 16 ... Conductive connecting material, 17 ... External electrode terminal, 18 ... Color filter, 19 ... Sealing resin, 20 ... External lead wire, 21 ... Conductive adhesive material, 22 ... Electrical connecting material.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 由森 博之 東京都渋谷区幡ヶ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 三原 孝士 東京都渋谷区幡ヶ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 高橋 武博 東京都渋谷区幡ヶ谷2丁目43番2号 オリ ンパス光学工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued Front Page (72) Inventor Hiroyuki Yumori 2-43-2 Hatagaya, Shibuya-ku, Tokyo Inside Olympus Optical Co., Ltd. (72) Inventor Takashi Mihara 2-43-2 Hatagaya, Shibuya-ku, Tokyo No. Olympus Optical Co., Ltd. (72) Inventor Takehiro Takahashi 2-43-2 Hatagaya, Shibuya-ku, Tokyo Olympus Optical Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 固体撮像素子と半導体素子及び薄膜コン
デンサ素子を有する電子内視鏡固体撮像装置において、 上記半導体素子を一方の面に形成した第1の基板と、 上記薄膜コンデンサ素子を一方の面に形成し、上記第1
の基板の上記半導体素子を形成していない面に積層する
第2の基板と、 上記固体撮像素子を一方の面に形成し、上記第2の基板
の上記薄膜コンデンサ素子を形成していない面に積層す
る第3の基板と、 上記固体撮像素子と半導体素子及び薄膜コンデンサ素子
を電気的に接続する電気的接続材と、を具備することを
特徴とする電子内視鏡用固体撮像装置。
1. An electronic endoscope solid-state imaging device having a solid-state imaging device, a semiconductor device, and a thin-film capacitor device, wherein a first substrate having the semiconductor device formed on one surface thereof and the thin-film capacitor device on one surface thereof. Formed on the first
A second substrate to be laminated on the surface of the substrate on which the semiconductor element is not formed, and the solid-state image sensor on one surface, and on the surface of the second substrate on which the thin film capacitor element is not formed. A solid-state imaging device for an electronic endoscope, comprising: a third substrate to be laminated; and an electrical connection material for electrically connecting the solid-state imaging device to the semiconductor element and the thin film capacitor element.
【請求項2】 固体撮像素子と半導体素子及び薄膜コン
デンサ素子を有する電子内視鏡固体撮像装置において、 上記半導体素子及び上記薄膜コンデンサ素子を一方の面
に形成した第1の基板と、 上記固体撮像素子を一方の面に形成し、上記第1の基板
の上記半導体素子及び上記薄膜コンデンサ素子を形成し
ていない面に積層する第2の基板と、 上記固体撮像素子と半導体素子及び薄膜コンデンサ素子
を電気的に接続する電気的接続材と、を具備することを
特徴とする電子内視鏡用固体撮像装置。
2. An electronic endoscope solid-state imaging device having a solid-state imaging device, a semiconductor device, and a thin-film capacitor device, comprising: a first substrate having the semiconductor device and the thin-film capacitor device formed on one surface; and the solid-state imaging device. A second substrate having an element formed on one surface thereof and laminated on a surface of the first substrate on which the semiconductor element and the thin film capacitor element are not formed; the solid-state imaging element, the semiconductor element, and the thin film capacitor element. A solid-state imaging device for an electronic endoscope, comprising: an electrical connection material that is electrically connected.
【請求項3】 固体撮像素子と半導体素子及び薄膜コン
デンサ素子を有する電子内視鏡固体撮像装置において、 上記半導体素子を一方の面に形成し、当該面と直交する
面に上記薄膜コンデンサ素子を形成した第1の基板と、 上記固体撮像素子を一方の面に形成し、上記第1の基板
の上記半導体素子及び薄膜コンデンサ素子を形成してい
ない面に積層する第2の基板と、 上記固体撮像素子と半導体素子及び薄膜コンデンサ素子
を電気的に接続する電気的接続材と、を具備することを
特徴とする電子内視鏡用固体撮像装置。
3. An electronic endoscope solid-state imaging device having a solid-state image sensor, a semiconductor element, and a thin-film capacitor element, wherein the semiconductor element is formed on one surface and the thin-film capacitor element is formed on a surface orthogonal to the surface. And a second substrate on which the solid-state imaging device is formed on one surface, and the second substrate is laminated on a surface of the first substrate on which the semiconductor device and the thin-film capacitor device are not formed, and the solid-state imaging device. A solid-state imaging device for an electronic endoscope, comprising: an element, a semiconductor element, and an electrical connection material that electrically connects the thin-film capacitor element.
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