JPH09330953A - 混成要素を基板に混成化する方法と装置 - Google Patents
混成要素を基板に混成化する方法と装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 混成すべき要素を基板に混成化する方法であ
って、はんだ付けに要する時間を短縮し、かつはんだ付
け温度の均一性を向上する方法と装置を提供する。 【解決手段】 加熱要素を含む炉を用いてはんだビード
により基板に混成要素を混成化する方法で、基板あるい
は混成要素と接触することなく加熱要素の温度を上げる
段階と、ある時間Δｔ基板を加熱要素に熱接触させる段
階と、その時間Δｔの終りに基板と加熱要素を解放する
段階を含む方法と、それを実行する装置とによって目的
を達成する。
って、はんだ付けに要する時間を短縮し、かつはんだ付
け温度の均一性を向上する方法と装置を提供する。 【解決手段】 加熱要素を含む炉を用いてはんだビード
により基板に混成要素を混成化する方法で、基板あるい
は混成要素と接触することなく加熱要素の温度を上げる
段階と、ある時間Δｔ基板を加熱要素に熱接触させる段
階と、その時間Δｔの終りに基板と加熱要素を解放する
段階を含む方法と、それを実行する装置とによって目的
を達成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は「フリップフロッ
プ」の混成化（ｈｙｂｒｉｄｉｚａｔｉｏｎ）技術に関
する。
プ」の混成化（ｈｙｂｒｉｄｉｚａｔｉｏｎ）技術に関
する。
【０００２】
【従来の技術】はんだビードを用いて、例えば基板上に
要素、すなわちチップを混成化する技術には大きく二種
類がある。 −第１の種類は所謂「融着」技術である。（例えば錫と
鉛の合金あるいはインジウムのような）融着材料のビー
ドが、接続すべきチップの上に形成された「湿潤性」パ
ッドと接触した状態に保たれながら、その融点あるいは
それ以上まで加熱される。 −第２の種類は所謂「加圧」技術である。（錫と鉛との
合金あるいはインジウムのような）融着材料のビードが
接続すべき面上に加圧され、接続すべき材料の融点以下
で熱圧着により接着される。
要素、すなわちチップを混成化する技術には大きく二種
類がある。 −第１の種類は所謂「融着」技術である。（例えば錫と
鉛の合金あるいはインジウムのような）融着材料のビー
ドが、接続すべきチップの上に形成された「湿潤性」パ
ッドと接触した状態に保たれながら、その融点あるいは
それ以上まで加熱される。 −第２の種類は所謂「加圧」技術である。（錫と鉛との
合金あるいはインジウムのような）融着材料のビードが
接続すべき面上に加圧され、接続すべき材料の融点以下
で熱圧着により接着される。
【０００３】本発明は第１の種類の技術、すなわち融着
技術に関する。
技術に関する。
【０００４】前記技術を実行する上で２つのパラメータ
が極めて重要である。それらは、 融着時間：混成化は所定時間に対してＴmin 温度以上の
温度サイクルを特徴とする。 温度均一性：少なくとも１個のチップ、すなわち少なく
とも１個の要素が少なくとも１個の基板の上で混成化さ
れ、温度サイクル全体にわたって基板の温度の均一性は
ある限度内に留まる必要があり、その許容限度は典型的
には基板の平均温度の±２％である。
が極めて重要である。それらは、 融着時間：混成化は所定時間に対してＴmin 温度以上の
温度サイクルを特徴とする。 温度均一性：少なくとも１個のチップ、すなわち少なく
とも１個の要素が少なくとも１個の基板の上で混成化さ
れ、温度サイクル全体にわたって基板の温度の均一性は
ある限度内に留まる必要があり、その許容限度は典型的
には基板の平均温度の±２％である。
【０００５】温度サイクルは長さが限定される。もしサ
イクルが長すぎると、以下を誘発する。 −はんだ付けすべき材料、すなわち湿潤性の面において
はんだ付け材料が適度に拡散すること、 −使用されるはんだ付け溶剤の非揮発性残留物が固まり
掃除を不可能にすること、 −混成化した要素を破壊させ長時間の高温サイクルに耐
ええなくすることである。
イクルが長すぎると、以下を誘発する。 −はんだ付けすべき材料、すなわち湿潤性の面において
はんだ付け材料が適度に拡散すること、 −使用されるはんだ付け溶剤の非揮発性残留物が固まり
掃除を不可能にすること、 −混成化した要素を破壊させ長時間の高温サイクルに耐
ええなくすることである。
【０００６】従って、温度がＴmin 温度以上である時間
を最小値まで下げることが重要である。
を最小値まで下げることが重要である。
【０００７】詳しくは、最大サイクル温度Ｔmax に達す
るまでの昇温時間ｔm は
るまでの昇温時間ｔm は
【数１】 で表わされ、Ｗは（一般に赤外線源である）加熱装置に
加えられる電気エネルギであり、ηは加熱源で加えられ
るエネルギと加熱要素によって集められるカロリーエネ
ルギとの間のエネルギ移動の昇率を表わす定数であり、
Ｃは加熱要素、基板および混成すべきチップとからなる
ユニットの熱容量である。
加えられる電気エネルギであり、ηは加熱源で加えられ
るエネルギと加熱要素によって集められるカロリーエネ
ルギとの間のエネルギ移動の昇率を表わす定数であり、
Ｃは加熱要素、基板および混成すべきチップとからなる
ユニットの熱容量である。
【０００８】短い昇温時間を要する場合は、低熱容量
Ｃ、高エネルギＷおよび高定数ηが得られることが必要
である。
Ｃ、高エネルギＷおよび高定数ηが得られることが必要
である。
【０００９】また、降温時間は加熱された要素に捕捉さ
れたエネルギに比例し、前記要素を冷却する手段（例え
ば、強制噴射空気）の冷却力に逆比例する。
れたエネルギに比例し、前記要素を冷却する手段（例え
ば、強制噴射空気）の冷却力に逆比例する。
【００１０】Ｔm(t)およびＴM(t)がそれぞれ、加熱要素
の最小空間温度と最大空間温度とを指示する場合、温度
の均一性は常に、
の最小空間温度と最大空間温度とを指示する場合、温度
の均一性は常に、
【数２】 によって測定しうる。
【００１１】加熱源は一般に、それぞれが制限された非
均一性放射線を放射するランプ傾斜からなる赤外線源で
ある。加熱要素は、該加熱要素の平面における伝熱によ
り吸収されたエネルギを分配することによって初めて均
一性を回復しうる。しかしながら、加熱要素における横
方向の伝熱は加熱要素の厚さに比例する。均一性Ｕは加
熱要素の厚さと、横方向伝熱とに逆比例するので、良好
な均一性を得るには加熱要素の厚さが熱く熱容量Ｃが大
きいことを要する。前述のように、熱容量が大きいこと
は昇温時間が長くなることに、その結果、長い温度サイ
クルに帰着する。
均一性放射線を放射するランプ傾斜からなる赤外線源で
ある。加熱要素は、該加熱要素の平面における伝熱によ
り吸収されたエネルギを分配することによって初めて均
一性を回復しうる。しかしながら、加熱要素における横
方向の伝熱は加熱要素の厚さに比例する。均一性Ｕは加
熱要素の厚さと、横方向伝熱とに逆比例するので、良好
な均一性を得るには加熱要素の厚さが熱く熱容量Ｃが大
きいことを要する。前述のように、熱容量が大きいこと
は昇温時間が長くなることに、その結果、長い温度サイ
クルに帰着する。
【００１２】例えば、２％の領域の極めて良好な均一性
が必要とされる場合、これは
が必要とされる場合、これは
【数３】 のように表現され、最大昇温時間ｔ0 が強調される場
合、
合、
【数４】 となる。
【００１３】その結果、良好な均一性と最小昇温時間と
の双方を達成するためには、加熱力を増す必要がある。
高い加熱力は逆に熱損失を増大させ、この喪失された加
熱力は、精密に調整された機械である当該機械の残りの
部分を加熱することに向けられる。従って、加熱要素に
貯えられたエネルギのみならず、当該機械の残りの部分
にわたって分配されたエネルギも排出するために冷却手
段を設ける必要があり、これは当該機械を著しく複雑に
し、かつその生産コストを著しく増加させることにな
る。また、対流による加熱要素冷却方法は不十分であ
り、液体によって冷却する必要があるが、これはさらに
当該機械のコスト上昇に帰着する。
の双方を達成するためには、加熱力を増す必要がある。
高い加熱力は逆に熱損失を増大させ、この喪失された加
熱力は、精密に調整された機械である当該機械の残りの
部分を加熱することに向けられる。従って、加熱要素に
貯えられたエネルギのみならず、当該機械の残りの部分
にわたって分配されたエネルギも排出するために冷却手
段を設ける必要があり、これは当該機械を著しく複雑に
し、かつその生産コストを著しく増加させることにな
る。また、対流による加熱要素冷却方法は不十分であ
り、液体によって冷却する必要があるが、これはさらに
当該機械のコスト上昇に帰着する。
【００１４】最後に、著しい加熱力が必要とされる場
合、加熱要素の温度は、一旦、当該装置すなわち加熱ラ
ンプが切られると慣性により上昇し続けるが、このこと
はピーク温度の再現が容易でない（視察された典型的な
再現性は±２％である）ことを意味する。
合、加熱要素の温度は、一旦、当該装置すなわち加熱ラ
ンプが切られると慣性により上昇し続けるが、このこと
はピーク温度の再現が容易でない（視察された典型的な
再現性は±２％である）ことを意味する。
【００１５】従来技術による方法の一実施例によれば、
チップの多数混成化は、直径が１５０ミリで厚さが６０
０ミリのシリコン基板において実行され、混成化は −４０秒以下のサイクル時間ｔm であって、Ｔmin とＴ
max がそれぞれ１５０℃および３２０℃で、 −サイクル中の温度均一性が５％で行なわねばならな
い。
チップの多数混成化は、直径が１５０ミリで厚さが６０
０ミリのシリコン基板において実行され、混成化は −４０秒以下のサイクル時間ｔm であって、Ｔmin とＴ
max がそれぞれ１５０℃および３２０℃で、 −サイクル中の温度均一性が５％で行なわねばならな
い。
【００１６】これらの仕様では、加熱要素のサイズがラ
ンプ制御に対して４５００ワットの電力を要するものが
必要とされる。
ンプ制御に対して４５００ワットの電力を要するものが
必要とされる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、はん
だ付けに必要な時間、従って、混成すべき要素と基板と
が受ける温度サイクルの長さを短くする要領で、かつ混
成された要素に対するはんだ付け温度、特に所謂多数混
成化におけるはんだ付け温度の均一性を向上させる要領
で融着技術を改良することである。最終的に、はんだ付
け温度サイクルに対する技術仕様を保ち、あるいは向上
させながら、混成機械の生産コストと複雑さを低減する
必要がある。
だ付けに必要な時間、従って、混成すべき要素と基板と
が受ける温度サイクルの長さを短くする要領で、かつ混
成された要素に対するはんだ付け温度、特に所謂多数混
成化におけるはんだ付け温度の均一性を向上させる要領
で融着技術を改良することである。最終的に、はんだ付
け温度サイクルに対する技術仕様を保ち、あるいは向上
させながら、混成機械の生産コストと複雑さを低減する
必要がある。
【００１８】詳しくは、本発明の目的は、炉を用いて基
板上にはんだビードによりチップ要素を混成化する方法
であって、 −基板あるいは混成すべき要素のいずれかと接触するこ
となく炉の加熱要素の温度を上げる段階と、 −Δｔの時間、基板を加熱要素と接触させ段階と、 −時間Δｔの終りに基板と加熱要素とを解放する段階と
を含むチップ要素を混成化する方法である。
板上にはんだビードによりチップ要素を混成化する方法
であって、 −基板あるいは混成すべき要素のいずれかと接触するこ
となく炉の加熱要素の温度を上げる段階と、 −Δｔの時間、基板を加熱要素と接触させ段階と、 −時間Δｔの終りに基板と加熱要素とを解放する段階と
を含むチップ要素を混成化する方法である。
【００１９】
【課題を解決するための手段】この方法は昇温の間炉の
加熱要素に基板が接合されることがないようにする。接
触時間が十分規制されており、混成化を短い接触時間
で、典型的には１０秒以下で実行することができる。従
って、この方法は特に温度差に対して極めて敏感な要素
に対しては重要である。
加熱要素に基板が接合されることがないようにする。接
触時間が十分規制されており、混成化を短い接触時間
で、典型的には１０秒以下で実行することができる。従
って、この方法は特に温度差に対して極めて敏感な要素
に対しては重要である。
【００２０】また、基板が加熱要素と熱接触される前
に、前記加熱要素の良好な均一性を達成することができ
る。
に、前記加熱要素の良好な均一性を達成することができ
る。
【００２１】前記要素の温度上昇が止ったときに、基板
と加熱要素とを接触させればよく、そのためピーク温度
の再現性が向上する。
と加熱要素とを接触させればよく、そのためピーク温度
の再現性が向上する。
【００２２】最終的に、炉の加熱要素のための冷却系は
厳格でなくなる。
厳格でなくなる。
【００２３】本発明の方法は、まず温度サイクルの長さ
に関して、第２に温度の均一性に関する制限を克服する
ことができるので、加熱要素に対して用いる加熱手段は
従来技術の装置によって用いられる加熱手段程強力でな
くてもよい。
に関して、第２に温度の均一性に関する制限を克服する
ことができるので、加熱要素に対して用いる加熱手段は
従来技術の装置によって用いられる加熱手段程強力でな
くてもよい。
【００２４】基板を加熱要素上へ降下させることにより
基板を熱接触させることができる。このような形の運動
により混成要素の基板に対する不整合の原因を制限す
る。
基板を熱接触させることができる。このような形の運動
により混成要素の基板に対する不整合の原因を制限す
る。
【００２５】また、基板と混成すべき要素とを可動加熱
プレート上に載置させればよく、加熱要素に対する前記
可動加熱プレートの接触により基板と加熱要素との間の
熱接触を提供する。
プレート上に載置させればよく、加熱要素に対する前記
可動加熱プレートの接触により基板と加熱要素との間の
熱接触を提供する。
【００２６】従って、基板に対する昇温傾斜を制御する
ことができる（可動加熱プレートの熱容量は周知であ
る）。
ことができる（可動加熱プレートの熱容量は周知であ
る）。
【００２７】可動加熱プレート手段を用いることは、そ
の上に種々サイズの基板を載置しうることを意味する。
の上に種々サイズの基板を載置しうることを意味する。
【００２８】本方法はまた、以下の基本的な段階を含
む。 −はんだビードの融点より低い温度に保たれている加熱
要素あるいは該加熱要素に載置された可動の加熱要素上
に基板を位置させる段階、 −混成すべき要素を基板上に整合させる段階、 −加熱要素の昇温の前に、（ａ）混成すべき要素と、基
板と、可能なら可動加熱プレートとからなるユニット
と、（ｂ）加熱要素とを解放する段階。
む。 −はんだビードの融点より低い温度に保たれている加熱
要素あるいは該加熱要素に載置された可動の加熱要素上
に基板を位置させる段階、 −混成すべき要素を基板上に整合させる段階、 −加熱要素の昇温の前に、（ａ）混成すべき要素と、基
板と、可能なら可動加熱プレートとからなるユニット
と、（ｂ）加熱要素とを解放する段階。
【００２９】この場合、基板と混成要素とを位置させ、
かつ整合させることは加熱要素自体の上で行われる。
かつ整合させることは加熱要素自体の上で行われる。
【００３０】混成要素と、基板と、可能なら可動加熱プ
レートとからなるユニットとを解放することは、加熱要
素より上方への持ち上げ運動によって行うことができ
る。
レートとからなるユニットとを解放することは、加熱要
素より上方への持ち上げ運動によって行うことができ
る。
【００３１】前記の持上げ運動も不整合の原因を制限す
ることができる。
ることができる。
【００３２】混成要素の基本的な整合段階は第１の所謂
整合ステーションにおいて、次に基本的な解放段階は第
２の所謂解放ステーションにおいて実行することが可能
で、加熱要素は、整合と解放という二種類の基本的段階
の間で第１のステーションから第２のステーションまで
動かされる。
整合ステーションにおいて、次に基本的な解放段階は第
２の所謂解放ステーションにおいて実行することが可能
で、加熱要素は、整合と解放という二種類の基本的段階
の間で第１のステーションから第２のステーションまで
動かされる。
【００３３】従って、基板と混成要素とからなるユニッ
トは整合の後初めて加熱要素に対して垂直運動させられ
るので、２種類のステーションの間を動くのは前記要素
である。その結果、基板の運動は範囲が限定されている
ので、基板が加熱要素に対して動く場合、発生する基板
に対するノッキング、振動あるいは不整合の問題を排除
する。
トは整合の後初めて加熱要素に対して垂直運動させられ
るので、２種類のステーションの間を動くのは前記要素
である。その結果、基板の運動は範囲が限定されている
ので、基板が加熱要素に対して動く場合、発生する基板
に対するノッキング、振動あるいは不整合の問題を排除
する。
【００３４】本発明の別の実施例によれば、基板は、そ
れ自体加熱要素と接触していないサポート上に位置さ
れ、次に混成すべき要素は基板上に整合される。従っ
て、本方法では、加熱要素と、基板と、混成要素とから
なるユニットとの間の熱接触は基板に対する混成要素の
整合の後に行われるので加熱要素のための冷却装置は何
ら必要としない。
れ自体加熱要素と接触していないサポート上に位置さ
れ、次に混成すべき要素は基板上に整合される。従っ
て、本方法では、加熱要素と、基板と、混成要素とから
なるユニットとの間の熱接触は基板に対する混成要素の
整合の後に行われるので加熱要素のための冷却装置は何
ら必要としない。
【００３５】基板と、混成すべき要素と、可能なら可動
加熱プレートとの持上げ段階を設けてもよい。
加熱プレートとの持上げ段階を設けてもよい。
【００３６】この段階は基板、混成要素および加熱プレ
ートが上昇および降下ステーションまで移送されてきた
後に行えばよい。
ートが上昇および降下ステーションまで移送されてきた
後に行えばよい。
【００３７】本発明のこの第２の実施例においては、加
熱要素に対する基板の熱接触は加熱要素を上昇および降
下ステーションに向かって運動させることにより行えば
よく、次に加熱要素の温度が上昇した後、混成要素と、
基板と、可能なら可動加熱プレートとからなるユニット
を降下させる。
熱要素に対する基板の熱接触は加熱要素を上昇および降
下ステーションに向かって運動させることにより行えば
よく、次に加熱要素の温度が上昇した後、混成要素と、
基板と、可能なら可動加熱プレートとからなるユニット
を降下させる。
【００３８】従って、ここでも、運動あるいは上昇させ
ることにより行われるのは基板および混成要素の垂直運
動のみであって、加熱要素に対して基板が動く場合に発
生する不整合の問題を制限する。
ることにより行われるのは基板および混成要素の垂直運
動のみであって、加熱要素に対して基板が動く場合に発
生する不整合の問題を制限する。
【００３９】実施例の形態とは無関係に、上昇および
（または）降下運動は、その内部での雰囲気が制御され
ているガラス鐘を用いて行うことができる。
（または）降下運動は、その内部での雰囲気が制御され
ているガラス鐘を用いて行うことができる。
【００４０】基板と加熱要素を解放することに続いて、
混成化ビードを構成している材料を融着した後、例えば
基板あるいは可動加熱プレートを冷却面で接触させるこ
とにより基板冷却段階を実行することができる。
混成化ビードを構成している材料を融着した後、例えば
基板あるいは可動加熱プレートを冷却面で接触させるこ
とにより基板冷却段階を実行することができる。
【００４１】本発明の別の目的は、基板上で混成要素を
混成化する装置であって、 −加熱要素を含む炉と、 −加熱要素がある融点に達した後、基板を加熱要素と熱
接触させる手段と、 −基板が加熱された後基板と加熱要素とを解放する手段
とを含む混成化装置である。
混成化する装置であって、 −加熱要素を含む炉と、 −加熱要素がある融点に達した後、基板を加熱要素と熱
接触させる手段と、 −基板が加熱された後基板と加熱要素とを解放する手段
とを含む混成化装置である。
【００４２】この装置を用いて、本発明の方法を本発明
の方法に係わる利点を提供しながら作動させることがで
きる。
の方法に係わる利点を提供しながら作動させることがで
きる。
【００４３】基板を加熱要素と接触させる手段および
（または）基板と加熱要素とを解放する手段は、垂直運
動が可能な形式のもの、例えばガラス鐘や、前記ガラス
鐘内の雰囲気を制御する手段でよい。
（または）基板と加熱要素とを解放する手段は、垂直運
動が可能な形式のもの、例えばガラス鐘や、前記ガラス
鐘内の雰囲気を制御する手段でよい。
【００４４】また、例えば加熱要素が装着されている可
動トロリーのような、ある平面において加熱要素を運動
させる手段を設けることができる。従って、横方向に動
くのは加熱要素であって、加熱要素に対する基板の運動
を制限し、従って生産過程の間に生じる不整合の危険性
を低下させる。
動トロリーのような、ある平面において加熱要素を運動
させる手段を設けることができる。従って、横方向に動
くのは加熱要素であって、加熱要素に対する基板の運動
を制限し、従って生産過程の間に生じる不整合の危険性
を低下させる。
【００４５】本発明の別の実施例によれば、前記装置は
また、加熱要素と接触することなくその上に基板を位置
させることができるサポートを含めてもよい。
また、加熱要素と接触することなくその上に基板を位置
させることができるサポートを含めてもよい。
【００４６】全ての場合に、例えば冷却プレートを含
む、基板を冷却する手段を設けることができる。
む、基板を冷却する手段を設けることができる。
【００４７】いずれにしても、本発明の特徴や利点は以
下の説明によりさらに明確に理解される。以下の説明
は、非限定的であり、添付図面を参照し、説明の目的の
ために提供した実施例に関わるものである。
下の説明によりさらに明確に理解される。以下の説明
は、非限定的であり、添付図面を参照し、説明の目的の
ために提供した実施例に関わるものである。
【００４８】
【発明の実施の形態】第１の実施例を図１に参照して説
明する。図１において、参照番号２は炉の加熱要素を示
し、炉の他の部分、特に加熱手段については示していな
い。前記加熱手段は加熱抵抗あるいは加熱パイプ型のも
のでよいが、従来技術の装置に対して用いられる手段
（例えば赤外線ランプ型）より強力ではない。要素４
は、例えば錫・鉛あるいはインジウムビードのようなマ
イクロビード８を用いて基板６の上に混成化される。達
成すべき最低融着温度はこれらマイクロビード８の種類
によって変わる。
明する。図１において、参照番号２は炉の加熱要素を示
し、炉の他の部分、特に加熱手段については示していな
い。前記加熱手段は加熱抵抗あるいは加熱パイプ型のも
のでよいが、従来技術の装置に対して用いられる手段
（例えば赤外線ランプ型）より強力ではない。要素４
は、例えば錫・鉛あるいはインジウムビードのようなマ
イクロビード８を用いて基板６の上に混成化される。達
成すべき最低融着温度はこれらマイクロビード８の種類
によって変わる。
【００４９】ビードを備えた混成要素４と基板６は、前
以って相互に対して整合され、次に相互に接触される。
以って相互に対して整合され、次に相互に接触される。
【００５０】基板６を加熱要素２と接触させる前に、加
熱要素は、ビード８の融着を可能にする温度に達するま
で昇温される。加熱要素２の温度と熱均一性は、加熱要
素に位置した（例えば、プラチナあるいは熱電対プロー
ブのような）熱センサを用いて制御することができる。
加熱要素２の昇温後、基板６と混成要素４は加熱要素２
と熱接触させられる。このような接触を図１において矢
印１で示す。この接触は所定の時間Δｔ保持される。こ
れは、例えば混成要素４と対向する湿潤性面上の全ての
接着ビードをはんだ付けするのに要する最短時間として
経験的に決められる。
熱要素は、ビード８の融着を可能にする温度に達するま
で昇温される。加熱要素２の温度と熱均一性は、加熱要
素に位置した（例えば、プラチナあるいは熱電対プロー
ブのような）熱センサを用いて制御することができる。
加熱要素２の昇温後、基板６と混成要素４は加熱要素２
と熱接触させられる。このような接触を図１において矢
印１で示す。この接触は所定の時間Δｔ保持される。こ
れは、例えば混成要素４と対向する湿潤性面上の全ての
接着ビードをはんだ付けするのに要する最短時間として
経験的に決められる。
【００５１】時間Δｔの経過後、基板６と混成要素４と
からなるユニットは加熱要素２から外される。このよう
に解放されることは図１において矢印IIで示されてい
る。
からなるユニットは加熱要素２から外される。このよう
に解放されることは図１において矢印IIで示されてい
る。
【００５２】室温あるいはビート８の最低融点以下の温
度に保たれた加熱要素２上に前以って基板６と混成要素
４を準備しておいてもよい。従って、第１の基本的段階
（図２Ａ）の間、ビードを備えた基板６が加熱要素２上
に置かれ、混成要素４が整合され、加熱要素２は前述の
温度に常に保たれている（図２Ｂ）。最後に、第３の基
本的段階の間、基板６と混成要素とからなるユニット
は、加熱要素の温度を上げる前に加熱要素２から離され
る、すなわち外される。次に温度が上げられ、図１に関
して前述した段階が実行される。
度に保たれた加熱要素２上に前以って基板６と混成要素
４を準備しておいてもよい。従って、第１の基本的段階
（図２Ａ）の間、ビードを備えた基板６が加熱要素２上
に置かれ、混成要素４が整合され、加熱要素２は前述の
温度に常に保たれている（図２Ｂ）。最後に、第３の基
本的段階の間、基板６と混成要素とからなるユニット
は、加熱要素の温度を上げる前に加熱要素２から離され
る、すなわち外される。次に温度が上げられ、図１に関
して前述した段階が実行される。
【００５３】加熱要素に対する基板の熱接触や、基板と
加熱要素との解放とは加熱要素２に対して基板と混成要
素とからなるユニットを昇降することによって行うこと
が好ましい。図３に示す別の実施例によれば、基板６は
加熱要素２に対して横方向に動かされる。従って、整合
された後、基板は加熱要素２から熱的に解放されている
サポート１０まで移送される。次に加熱要素の温度が上
げられ、その後基板６と混成要素４とからなるユニット
がサポート１０から加熱要素２に向かって動かされる
（図３の点線の矢印）。この種の運動は可能であるが、
精々数ミリの範囲の運動範囲を必要とする垂直軸線に沿
って運動がなされるときよりも、混成要素と基板とから
なるユニットに対してノッキングや、振動、あるいは不
整合に対する問題を増大させうる。垂直軸線に沿ったこ
の種の運動は、その内部では雰囲気の制御が可能であり
基板６と接触するようになるガラス鐘によって行うこと
ができる。図２Ｃにおける参照番号１２は、雰囲気が制
御されたガラス鐘の壁の下部分を示し、ガラス鐘内の雰
囲気を制御する手段はこの図には示されていない。基板
６と壁１２の端部との間のシールは基板の周囲１４の周
りの数個所において設けられた中空の領域によって保た
れている。はんだ付け材の融点以上に予熱されている加
熱要素２に対する接触位置に基板６があると、基板６の
ビードを混成要素４の湿潤性面にはんだ付けしうる要領
でガラス鐘内に制御された雰囲気が保たれる。
加熱要素との解放とは加熱要素２に対して基板と混成要
素とからなるユニットを昇降することによって行うこと
が好ましい。図３に示す別の実施例によれば、基板６は
加熱要素２に対して横方向に動かされる。従って、整合
された後、基板は加熱要素２から熱的に解放されている
サポート１０まで移送される。次に加熱要素の温度が上
げられ、その後基板６と混成要素４とからなるユニット
がサポート１０から加熱要素２に向かって動かされる
（図３の点線の矢印）。この種の運動は可能であるが、
精々数ミリの範囲の運動範囲を必要とする垂直軸線に沿
って運動がなされるときよりも、混成要素と基板とから
なるユニットに対してノッキングや、振動、あるいは不
整合に対する問題を増大させうる。垂直軸線に沿ったこ
の種の運動は、その内部では雰囲気の制御が可能であり
基板６と接触するようになるガラス鐘によって行うこと
ができる。図２Ｃにおける参照番号１２は、雰囲気が制
御されたガラス鐘の壁の下部分を示し、ガラス鐘内の雰
囲気を制御する手段はこの図には示されていない。基板
６と壁１２の端部との間のシールは基板の周囲１４の周
りの数個所において設けられた中空の領域によって保た
れている。はんだ付け材の融点以上に予熱されている加
熱要素２に対する接触位置に基板６があると、基板６の
ビードを混成要素４の湿潤性面にはんだ付けしうる要領
でガラス鐘内に制御された雰囲気が保たれる。
【００５４】本発明の方法は、炉の加熱要素が十分な温
度と温度均一性に達したときに初めて基板と前記加熱要
素とが結合しうることを提案している。
度と温度均一性に達したときに初めて基板と前記加熱要
素とが結合しうることを提案している。
【００５５】吹込み型あるいは伝熱流体循環型の、加熱
要素を冷却する手段を設けることができる。しかしなが
ら、そのような手段は従来技術の装置で使用されている
ものと比較して小型化されている。ある場合には、前記
手段は、下記するように、基板と混成要素との整合が加
熱要素２上で行われない場合特に省略することすら可能
である。熱膨張に対して敏感な装置（例えば整合に用い
られる光学装置）の部分に関して、基板は加熱要素の昇
温の後初めて加熱要素と接触されるので、それらの温度
調整装置はもはや必要でない。従って、整合段階および
光学的制御段階は全て基板と混成要素が高温の加熱要素
と熱接触する前に行われる。
要素を冷却する手段を設けることができる。しかしなが
ら、そのような手段は従来技術の装置で使用されている
ものと比較して小型化されている。ある場合には、前記
手段は、下記するように、基板と混成要素との整合が加
熱要素２上で行われない場合特に省略することすら可能
である。熱膨張に対して敏感な装置（例えば整合に用い
られる光学装置）の部分に関して、基板は加熱要素の昇
温の後初めて加熱要素と接触されるので、それらの温度
調整装置はもはや必要でない。従って、整合段階および
光学的制御段階は全て基板と混成要素が高温の加熱要素
と熱接触する前に行われる。
【００５６】図４に示す変形実施例によれば、基板６と
混成要素４は前以ってサポート１６、例えば、その上で
整合が行われる加熱プレート上に置かれる。例えば真空
ガラス鐘を用いて図４に示すように垂直軸線に沿って、
あるいは図３に関して前述したように加熱要素２の平面
において運動するのはこの加熱プレートである。従っ
て、加熱プレート１６は基板６の代りに移送される。加
熱プレート１６の厚さは、該加熱プレート１６が前以っ
て加熱されている加熱要素２と接触するようにされる
と、その熱容量を決め、かつ基板６と混成要素４の温度
上昇の制御を可能とする。また、可動サポートあるいは
可動加熱プレート１６を用いることにより種々サイズの
基板６の搬送および（または）運動を可能にする。
混成要素４は前以ってサポート１６、例えば、その上で
整合が行われる加熱プレート上に置かれる。例えば真空
ガラス鐘を用いて図４に示すように垂直軸線に沿って、
あるいは図３に関して前述したように加熱要素２の平面
において運動するのはこの加熱プレートである。従っ
て、加熱プレート１６は基板６の代りに移送される。加
熱プレート１６の厚さは、該加熱プレート１６が前以っ
て加熱されている加熱要素２と接触するようにされる
と、その熱容量を決め、かつ基板６と混成要素４の温度
上昇の制御を可能とする。また、可動サポートあるいは
可動加熱プレート１６を用いることにより種々サイズの
基板６の搬送および（または）運動を可能にする。
【００５７】本発明の別の実施例を図５Ａから図５Ｅま
でを参照して以下説明する。これらの図において、参照
番号２は炉の加熱要素すなわち加熱プレートを示す。こ
の加熱要素すなわち加熱プレートは、例えば、固定フレ
ーム２０に対して動きうる可動トロリーのような手段１
８に載置されている。従って、加熱要素２は第１の所謂
整合ステーション２２と、第２の所謂解放ステーション
２４との間を運動しうる。前記ステーション２４の高さ
において、垂直軸線にわたって基板および混成要素の上
下運動を可能とする、雰囲気が制御されたガラス鐘のよ
うな手段２８が設けられている。
でを参照して以下説明する。これらの図において、参照
番号２は炉の加熱要素すなわち加熱プレートを示す。こ
の加熱要素すなわち加熱プレートは、例えば、固定フレ
ーム２０に対して動きうる可動トロリーのような手段１
８に載置されている。従って、加熱要素２は第１の所謂
整合ステーション２２と、第２の所謂解放ステーション
２４との間を運動しうる。前記ステーション２４の高さ
において、垂直軸線にわたって基板および混成要素の上
下運動を可能とする、雰囲気が制御されたガラス鐘のよ
うな手段２８が設けられている。
【００５８】基板４が、整合領域２２へ持って来られた
加熱要素２上に前以って位置される。ここで、混成要素
６が、当該技術分野の専門家には周知の手段を用いて、
ビードを設けた基板４に対して整合される。次に、前記
要素６は基板４上に置かれる。
加熱要素２上に前以って位置される。ここで、混成要素
６が、当該技術分野の専門家には周知の手段を用いて、
ビードを設けた基板４に対して整合される。次に、前記
要素６は基板４上に置かれる。
【００５９】次に加熱要素２は解放ステーション２４
（図５Ｂ）に向かって動かされ、そこで雰囲気が制御さ
れたガラス鐘２８は加熱要素２の温度が上がる前に基板
と混成要素とからなるユニットを持ち上げる。次に（図
５Ｃ）、昇温および温度が安定した後、基板と混成要素
とからなるユニットが加熱要素２と熱接触するように降
下されマイクロビードを溶解する。前記装置２８の内部
の制御された雰囲気は阻害されないし、変化することも
ない。
（図５Ｂ）に向かって動かされ、そこで雰囲気が制御さ
れたガラス鐘２８は加熱要素２の温度が上がる前に基板
と混成要素とからなるユニットを持ち上げる。次に（図
５Ｃ）、昇温および温度が安定した後、基板と混成要素
とからなるユニットが加熱要素２と熱接触するように降
下されマイクロビードを溶解する。前記装置２８の内部
の制御された雰囲気は阻害されないし、変化することも
ない。
【００６０】ビードを溶解し、はんだ付けした後、基板
と混成要素からなるユニットは前記装置２８により上位
置まで戻される（図５Ｄ）。次に、基板と混成要素から
なるユニットは、混成化金属が冷却されるまでこの位置
に保持されるか、あるいは冷却領域まで移送させればよ
い。同時に加熱要素２は可動トロリー１８によって積込
み領域まで戻され、別の基板を収集することができ、別
の基板は別の混成要素６を乗せるために位置決めおよび
整合ステーション２２まで持って来られる。変形実施例
によれば、冷却プレート２６が可動トロリー１８上で加
熱要素２の次に位置し、基板４と加熱要素２を解放した
後（図５Ｄ）、加熱要素と冷却プレートからなるユニッ
トはトロリー１８によって動かされ、冷却プレート２６
を解放ステーション２４と対向させる。ここで、基板４
は冷却プレート２６と接触させる（図５Ｅ）ことができ
る。
と混成要素からなるユニットは前記装置２８により上位
置まで戻される（図５Ｄ）。次に、基板と混成要素から
なるユニットは、混成化金属が冷却されるまでこの位置
に保持されるか、あるいは冷却領域まで移送させればよ
い。同時に加熱要素２は可動トロリー１８によって積込
み領域まで戻され、別の基板を収集することができ、別
の基板は別の混成要素６を乗せるために位置決めおよび
整合ステーション２２まで持って来られる。変形実施例
によれば、冷却プレート２６が可動トロリー１８上で加
熱要素２の次に位置し、基板４と加熱要素２を解放した
後（図５Ｄ）、加熱要素と冷却プレートからなるユニッ
トはトロリー１８によって動かされ、冷却プレート２６
を解放ステーション２４と対向させる。ここで、基板４
は冷却プレート２６と接触させる（図５Ｅ）ことができ
る。
【００６１】図５Ａから図５Ｅまでを参照して前述した
全ての段階は、図４に示すように基板４を可動プレート
１６上に位置させて実行してもよい。従って、基板と混
成要素を動かすために搬送されるのは可動加熱プレート
である。
全ての段階は、図４に示すように基板４を可動プレート
１６上に位置させて実行してもよい。従って、基板と混
成要素を動かすために搬送されるのは可動加熱プレート
である。
【００６２】炉２と、可能なら冷却プレート２６とを動
かすために可動トロリー１８を使用するということは、
基板と混成要素は単に限定された範囲を運動すればよい
ということを意味し、これらの運動は垂直軸線に沿った
数ミリ、あるいは数マイクロメータの運動からなり、全
ての側方運動は可動トロリーによって行われる。
かすために可動トロリー１８を使用するということは、
基板と混成要素は単に限定された範囲を運動すればよい
ということを意味し、これらの運動は垂直軸線に沿った
数ミリ、あるいは数マイクロメータの運動からなり、全
ての側方運動は可動トロリーによって行われる。
【００６３】別の実施例を図６Ａから図６Ｄまでを参照
して以下説明する。これらの図において、加熱要素２は
固定された基板２０に対して可動トロリー１８に装着さ
れている。加熱要素２の次に、装てんおよび整合サポー
ト３０も可動トロリーに位置している。
して以下説明する。これらの図において、加熱要素２は
固定された基板２０に対して可動トロリー１８に装着さ
れている。加熱要素２の次に、装てんおよび整合サポー
ト３０も可動トロリーに位置している。
【００６４】基板６（あるいは可動加熱プレート１６）
は前以ってサポート３０に位置されている。次に、トロ
リーは前記サポートを位置決め領域２２へ持ってくるよ
うに動かされ、前記位置決め領域において、混成要素４
は基板６に対して位置する（図６Ａ）。次に、トロリー
は、混成要素４と、基板と、可能なら中間加熱プレート
１６とからなるユニットを真空ガラス鐘２８と対向する
ところへ導く。前記ガラス鐘が降下され、混成要素、基
板および加熱プレートからなるユニットを解放し、該ユ
ニットを上位置まで持ち上げる（図６Ｂ）。同時に、加
熱要素２の温度が上げられ、温度均一性が得られた後、
加熱要素２はガラス鐘２８の下方に持ってこられ、その
ためガラス鐘が加熱要素の上に混成要素、基板および中
間加熱プレートからなるユニットを置くことができる。
次に、前記ユニットは融着サイクルを実行する。前記サ
イクルの後、ガラス鐘は混成要素、基板および中間加熱
プレートからなるユニットを上位置まで持ち上げて戻
し、加熱要素２が可動トロリー１８により外される。ガ
ラス鐘２８はサポート３０上の下位置まで戻され、混成
要素、基板および中間加熱プレートからなるユニットを
サポート３０上に置く。サポート２８はサポートあるい
は冷却プレートでよい。
は前以ってサポート３０に位置されている。次に、トロ
リーは前記サポートを位置決め領域２２へ持ってくるよ
うに動かされ、前記位置決め領域において、混成要素４
は基板６に対して位置する（図６Ａ）。次に、トロリー
は、混成要素４と、基板と、可能なら中間加熱プレート
１６とからなるユニットを真空ガラス鐘２８と対向する
ところへ導く。前記ガラス鐘が降下され、混成要素、基
板および加熱プレートからなるユニットを解放し、該ユ
ニットを上位置まで持ち上げる（図６Ｂ）。同時に、加
熱要素２の温度が上げられ、温度均一性が得られた後、
加熱要素２はガラス鐘２８の下方に持ってこられ、その
ためガラス鐘が加熱要素の上に混成要素、基板および中
間加熱プレートからなるユニットを置くことができる。
次に、前記ユニットは融着サイクルを実行する。前記サ
イクルの後、ガラス鐘は混成要素、基板および中間加熱
プレートからなるユニットを上位置まで持ち上げて戻
し、加熱要素２が可動トロリー１８により外される。ガ
ラス鐘２８はサポート３０上の下位置まで戻され、混成
要素、基板および中間加熱プレートからなるユニットを
サポート３０上に置く。サポート２８はサポートあるい
は冷却プレートでよい。
【００６５】本実施例においても、基板と混成要素の運
動は数ミリあるいは数マイクロメータの範囲にわたって
の垂直軸線に沿った運動に限定され、全ての横方向運動
は可動トロリー１８によるものである。
動は数ミリあるいは数マイクロメータの範囲にわたって
の垂直軸線に沿った運動に限定され、全ての横方向運動
は可動トロリー１８によるものである。
【００６６】前述の全ての実施例において、ガラス鐘２
８は、該鐘の下面と、この下面が接触するようにされる
中間加熱プレート１６との間の平行度のずれを直すこと
ができる可撓性のあるすなわち調整可能な関節接続部に
接続しうる。
８は、該鐘の下面と、この下面が接触するようにされる
中間加熱プレート１６との間の平行度のずれを直すこと
ができる可撓性のあるすなわち調整可能な関節接続部に
接続しうる。
【００６７】前述の各種実施例の全ての作動は、温度、
位置決め、および整合についてのデータを収集し、例え
ば可動トロリー１８のような搬送手段の運動や、ガラス
鐘２８の昇降、ガラス鐘の内部での制御された雰囲気の
設定について決定するマイクロコンピュータにより制御
しうる。当該技術分野の専門家には理解されるように、
諸々の段階は従来のマイクロコンピュータにおいてプロ
グラム化可能であって、適当なプログラム指令が磁気デ
ィスク、従来のＲＡＭあるいはＲＯＭ記憶装置において
記憶される。
位置決め、および整合についてのデータを収集し、例え
ば可動トロリー１８のような搬送手段の運動や、ガラス
鐘２８の昇降、ガラス鐘の内部での制御された雰囲気の
設定について決定するマイクロコンピュータにより制御
しうる。当該技術分野の専門家には理解されるように、
諸々の段階は従来のマイクロコンピュータにおいてプロ
グラム化可能であって、適当なプログラム指令が磁気デ
ィスク、従来のＲＡＭあるいはＲＯＭ記憶装置において
記憶される。
【００６８】いずれの実施例が選択されたとしても、本
発明による方法は基板と加熱要素との間の接触時間を短
くし、直径が２００ミリ以上の基板に対してさえも大き
な面にわたって極めて良好な均一性が得られるようにし
うる。
発明による方法は基板と加熱要素との間の接触時間を短
くし、直径が２００ミリ以上の基板に対してさえも大き
な面にわたって極めて良好な均一性が得られるようにし
うる。
【００６９】電力供給源、炉冷却装置を小さくでき、
（例えば光学部材あるいは整合装置のような）熱膨張に
対して敏感な部分に対する温度調整装置は省略すること
ができ、かつ炉の昇温装置を、より均一で、簡単である
が慣性が大きく、より安価になる装置に適合するように
修正することが可能なので、本発明による方法を実施す
るに使用する装置の製造コストは著しく低下される。基
板を冷却テーブルに位置させて整合を行うことができる
ため、調整のしやすい簡単な整合テーブルを提供し、必
要に応じて炉を一定温度に永続的に保つことができるよ
うにし、当該機械の効率を向上させる。
（例えば光学部材あるいは整合装置のような）熱膨張に
対して敏感な部分に対する温度調整装置は省略すること
ができ、かつ炉の昇温装置を、より均一で、簡単である
が慣性が大きく、より安価になる装置に適合するように
修正することが可能なので、本発明による方法を実施す
るに使用する装置の製造コストは著しく低下される。基
板を冷却テーブルに位置させて整合を行うことができる
ため、調整のしやすい簡単な整合テーブルを提供し、必
要に応じて炉を一定温度に永続的に保つことができるよ
うにし、当該機械の効率を向上させる。
【図１】本発明による方法の第１の実施例を示す図。
【図２】Ａは本発明による方法の基本段階を示す図。Ｂ
は本発明による方法の基本段階を示す図。Ｃは本発明に
よる方法の基本段階を示す図。
は本発明による方法の基本段階を示す図。Ｃは本発明に
よる方法の基本段階を示す図。
【図３】本発明による方法において、加熱要素に対する
基板の運動の変形を示す図。
基板の運動の変形を示す図。
【図４】本発明の変形実施例を示す図。
【図５】Ａは別の実施例の作動における設定段階を示す
図。Ｂは別の実施例の作動における設定段階を示す図。
Ｃは別の実施例の作動における設定段階を示す図。Ｄは
別の実施例の作動における設定段階を示す図。Ｅは別の
実施例の作動における設定段階を示す図。
図。Ｂは別の実施例の作動における設定段階を示す図。
Ｃは別の実施例の作動における設定段階を示す図。Ｄは
別の実施例の作動における設定段階を示す図。Ｅは別の
実施例の作動における設定段階を示す図。
【図６】Ａは本発明のさらに別の実施例の作動における
設定を示す図。Ｂは本発明のさらに別の実施例の作動に
おける設定を示す図。Ｃは本発明のさらに別の実施例の
作動における設定を示す図。Ｄは本発明のさらに別の実
施例の作動における設定を示す図。
設定を示す図。Ｂは本発明のさらに別の実施例の作動に
おける設定を示す図。Ｃは本発明のさらに別の実施例の
作動における設定を示す図。Ｄは本発明のさらに別の実
施例の作動における設定を示す図。
２ 加熱要素 ４ 混成要素 ６ 基板 ８ ビード １０ サポート １６ サポート １８ 可動トロリー ２２ 整合ステーション ２４ 解放ステーション ２６ 冷却プレート ２８ ガラス鐘 ３０ 整合サポート
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ジャン − ルイ ポルナン フランス国クロル，リュ デ アイル，63 (72)発明者 ベルナール チュセク フランス国モネスティエ ド クレルモ ン，ロワサール，ル フォ，ビラ ベルジ ャック（番地なし)
Claims (32)
- 【請求項１】 炉を用いてはんだビードにより基板上に
混成要素を混成化する方法において、 −基板あるいは混成化すべき要素と何ら接触することな
く炉の加熱要素の温度を上げる段階と、 −Δｔの時間基板を加熱要素と熱接触させる段階と、 −Δｔの時間の終りにおいて基板と加熱要素とを解放す
る段階とを含むことを特徴とする混成化する方法。 - 【請求項２】 前記基板を前記加熱要素上に降下させる
ことにより前記基板が熱接触されることを特徴とする請
求項１に記載の方法。 - 【請求項３】 前記基板と混成化すべき要素とが可動加
熱プレート上に載置され、前記可動加熱プレートと加熱
要素との間の接触により前記基板と前記加熱要素との間
の熱接触を提供することを特徴とする請求項１または２
に記載の方法。 - 【請求項４】 炉を用いてはんだビードにより基板上に
混成要素を混成化する方法において、 −前記はんだビードの融点以下の温度に保たれた炉の加
熱要素の上に前記基板を位置させる段階と、 −混成化すべき要素を基板の上で整合させる段階と、 −混成化すべき要素と基板とからなるユニットと前記加
熱要素とを、前記加熱要素の温度が上がる前に解放する
段階と、 −前記基板あるいは混成化すべき要素と何ら接触するこ
となく前記炉の加熱要素の温度を上げる段階と、 −前記基板をΔｔの時間だけ加熱要素と熱接触させる段
階と、 −前記時間Δｔの終りに前記基板と前記加熱要素とを解
放する段階とを含むことを特徴とする混成化する方法。 - 【請求項５】 炉を用いてはんだビードにより基板上に
混成要素を混成化する方法において、順次に、 −前記はんだビードの融点以下の温度に保たれた炉の加
熱要素に載置された可動加熱プレート上に前記基板を位
置させる段階と、 −混成化すべき要素を前記基板上で整合する段階と、 −混成化すべき要素と、基板と、可動加熱プレートとか
らなるユニットと加熱要素とを、前記加熱要素の温度が
上がる前に解放する段階と、 −前記基板あるいは混成化すべき要素と何ら接触するこ
となく前記炉の加熱要素の温度を上げる段階と、 −Δｔの時間、前記基板を前記加熱要素と熱接触させる
段階と、 −Δｔの時間の終りに前記基板と加熱要素とを解放する
段階とを含むことを特徴とする混成化する方法。 - 【請求項６】 前記基板は、該基板を加熱要素の上に降
下させることにより熱接触されることを特徴とする請求
項４または５に記載の方法。 - 【請求項７】 前記基板と混成化すべき要素とが可動加
熱プレート上に載置され、前記可動加熱プレートと加熱
要素との間の接触が前記基板と加熱要素との間の熱接触
を提供することを特徴とする請求項５または６に記載の
方法。 - 【請求項８】 前記混成要素と、基板と、可能なら可動
加熱プレートとからなるユニットを解放する基本段階
が、前記基板と、前記混成要素と、可能なら可動加熱要
素とを加熱要素から持ち上げることにより実行されるこ
とを特徴とする請求項４または５に記載の方法。 - 【請求項９】 混成化すべき要素を基板上で整合させる
基本的段階が第１の所謂整合ステーションにおいて行わ
れ、前記の解放を行う基本段階が第２の所謂解放ステー
ションで行われ、前記加熱要素が前記整合および解放の
２つの基本段階の間で前記第１のステーションから前記
第２のステーションまで動かされることを特徴とする請
求項４または５に記載の方法。 - 【請求項１０】 加熱要素を含む炉を用いてはんだビー
ドにより基板に混成要素を混成化する方法において、 −加熱要素と接触していないサポートに前記基板を位置
させる段階と、 −混成化すべき要素を基板上で整合する段階と、 −基板あるいは混成化すべき要素と何ら接触することな
く炉の加熱要素の温度を上げる段階と、 −Δｔの時間基板を加熱要素に熱接触させる段階と、 −Δｔの時間の終りに基板と加熱要素とを解放する段階
とを含むことを特徴とする混成化する方法。 - 【請求項１１】 基板が、該基板を加熱要素上に降下さ
せることにより加熱要素と熱接触されることを特徴とす
る請求項１０に記載の方法。 - 【請求項１２】 基板と混成化すべき要素とが可動加熱
プレート上に載置され、前記可動加熱プレートと加熱要
素との間の接触により前記基板と加熱要素との間の熱接
触を提供することを特徴とする請求項１０または１１に
記載の方法。 - 【請求項１３】 基板と混成化すべき要素とを上昇させ
る段階をさらに含むことを特徴とする請求項１０または
１３に記載の方法。 - 【請求項１４】 基板と混成要素とを持ち上げる段階
が、基板と混成要素とからなるユニットを昇降ステーシ
ョンまで移送した後に行われることを特徴とする請求項
１３に記載の方法。 - 【請求項１５】 前記加熱要素を昇降ステーションに向
かって動かし、混成要素と基板とからなるユニットを、
前記加熱要素の温度が上った後降下させることにより、
基板が加熱要素と熱接触させることを特徴とする請求項
１４に記載の方法。 - 【請求項１６】 基板と、混成化すべき要素と、可動加
熱プレートとを持ち上げる段階をさらに含むことを特徴
とする請求項１２に記載の方法。 - 【請求項１７】 基板と、混成要素と、加熱プレートと
を持ち上げる段階が、基板と、混成するべき要素と可動
加熱プレートとからなるユニットを昇降ステーションに
向かって移送した後に行われることを特徴とする請求項
１６に記載の方法。 - 【請求項１８】 加熱要素を昇降ステーションに向かっ
て動かし、加熱要素の温度が上げられた後混成要素と、
基板と、可動加熱プレートとからなるユニットを降下さ
せることにより基板が加熱要素と熱接触されることを特
徴とする請求項１７に記載の方法。 - 【請求項１９】 前記の降下が、内部の雰囲気が制御さ
れているガラス鐘によって行われることを特徴とする請
求項２に記載の方法。 - 【請求項２０】 前記の降下が、雰囲気が制御されてい
るガラス鐘によって行われることを特徴とする請求項６
に記載の方法。 - 【請求項２１】 前記の降下が、内部の雰囲気が制御さ
れているガラス鐘によって行われることを特徴とする請
求項８に記載の方法。 - 【請求項２２】 基板と加熱要素とを解放した後基板を
冷却する段階を含むことを特徴とする請求項１、４、
５、１０のいずれか１項に記載の方法。 - 【請求項２３】 冷却が、基板あるいは可動加熱プレー
トを冷却面と接触させることにより行われることを特徴
とする請求項２２に記載の方法。 - 【請求項２４】 基板がその上に位置されるサポートが
冷却面から構成されることを特徴とする請求項１０およ
び２３に記載の方法。 - 【請求項２５】 基板上ではんだビードにより混成要素
を混成化する装置において、 −加熱要素を含む炉と、 −加熱要素がある融点に達した後基板を加熱要素と熱接
触させる手段と、 −基板を加熱した後基板と加熱要素とを解放する手段と
を含むこと特徴とする混成化装置。 - 【請求項２６】 基板を加熱要素と熱接触させる手段お
よび（または）加熱後基板を解放する手段が垂直運動可
能な手段であることを特徴とする請求項２５に記載の方
法。 - 【請求項２７】 基板を加熱要素と接触させる手段およ
び（または）加熱後基板を解放する手段がガラス鐘と、
前記ガラス鐘内で雰囲気を制御する手段とを含むことを
特徴とする請求項２６に記載の装置。 - 【請求項２８】 加熱要素をある平面で運動させる手段
をさらに含むことを特徴とする請求項２５から２７まで
のいずれか１項に記載の装置。 - 【請求項２９】 前記加熱要素を運動させる手段が、そ
の上に加熱要素が装着される可動トロリーを含むことを
特徴とする請求項２８に記載の装置。 - 【請求項３０】 加熱要素と接触することなく、その上
に基板を位置させることのできるサポートをさらに含む
ことを特徴とする請求項２５から２７までのいずれか１
項に記載の装置。 - 【請求項３１】 基板冷却手段をさらに含むことを特徴
とする請求項２５から２７までのいずれか１項に記載の
装置。 - 【請求項３２】 冷却プレートを含むことを特徴とする
請求項２５から２７までのいずれか１項に記載の装置。
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|---|---|---|---|
| FR9603301A FR2746214B1 (fr) | 1996-03-15 | 1996-03-15 | Procede et machine d'hybridation par refusion |
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|---|---|
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ID=9490233
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|---|---|---|---|
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| JP (1) | JPH09330953A (ja) |
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| JPS60126843A (ja) * | 1983-12-13 | 1985-07-06 | Fujitsu Ltd | ハイブリッドｉｃの半田付け方法 |
| DE3517090A1 (de) * | 1985-05-11 | 1986-11-13 | SMS Schloemann-Siemag AG, 4000 Düsseldorf | Verfahren zum walzen von vorband zu warmbreitband |
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-
1996
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-
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