JPH09326354A - 露光装置 - Google Patents

露光装置

Info

Publication number
JPH09326354A
JPH09326354A JP8163851A JP16385196A JPH09326354A JP H09326354 A JPH09326354 A JP H09326354A JP 8163851 A JP8163851 A JP 8163851A JP 16385196 A JP16385196 A JP 16385196A JP H09326354 A JPH09326354 A JP H09326354A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
light source
parallel
lens
optical system
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP8163851A
Other languages
English (en)
Inventor
Tadashi Nagayama
匡 長山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
Priority to JP8163851A priority Critical patent/JPH09326354A/ja
Publication of JPH09326354A publication Critical patent/JPH09326354A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70058Mask illumination systems

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 照明光源が小型で且つ維持コストが低く、被
照射面において高い照度を得ること。 【解決手段】 照明光を供給するための複数の光源手段
と、複数の光源手段からの光束を、互いにほぼ平行で且
つ空間的に密に配列された複数の平行光束に変換するた
めの光束変換手段と、光束変換手段を介して形成された
複数の平行光束に基づいて多数の光源像を形成するため
の多光源像形成手段と、多光源像形成手段により形成さ
れた多数の光源像からの光束を集光してマスク上を重畳
的に照明する集光光学系とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は露光装置に関し、特
に半導体製造用の投影露光装置における照明光学系に関
する。
【0002】
【従来の技術】たとえば特開平6−61121号公報に
開示された従来の露光装置では、照明光学系の光源とし
てKrFエキシマレーザ(波長248.4nm:以下、
単に「エキシマレーザ」という)を用いている。エキシ
マレーザからの平行光束は、第1オプティカルインテグ
レータによって複数の二次光源を形成する。複数の二次
光源からの光は、第1コンデンサレンズによって集光さ
れた後、平行光となって第2オプティカルインテグレー
タに入射する。
【0003】第2オプティカルインテグレータを介した
光は、複数の三次光源を形成する。複数の三次光源から
の光は、第2コンデンサレンズによって集光された後、
被照射面であるマスク面を重畳的に照明する。こうし
て、上述のように構成された照明光学系により、マスク
面に対して、照明均一性が良好で且つ光量損失の少ない
ケーラー照明が行われる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】一般に、露光装置で
は、マスクに形成された微細なパターンを感光基板であ
るウエハに露光する際のスループットを向上させるため
に、被照射面であるマスク面およびウエハ面においてよ
り高い照度が要求される。マスク面およびウエハ面にお
ける照度を高めるには、照明光を供給するエキシマレー
ザの高出力化を図る必要があるが、その高出力化にも自
ずと限界がある。
【0005】また、エキシマレーザは、その維持コスト
が割高である点や筐体が大きくて設置のために大きな場
所を占有する点において、露光装置の光源として不利で
あることが指摘されている。この点を改善するために、
エキシマレーザの代替光源として小型で且つ維持コスト
の低いYAG4倍レーザ(波長266nm)の研究が行
われている。しかしながら、出力(パワー)に関して、
YAG4倍レーザはエキシマレーザには及ばないといわ
れている。
【0006】本発明は、前述の課題に鑑みてなされたも
のであり、照明光源が小型で且つ維持コストが低く、被
照射面において高い照度を得ることのできる露光装置を
提供することを目的とする。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決するため
に、本発明においては、パターンが形成されたマスクを
ほぼ均一に照明するための照明光学系を備え、前記マス
ク上に形成されたパターンの像を感光基板上に形成する
露光装置において、前記照明光学系は、照明光を供給す
るための複数の光源手段と、前記複数の光源手段からの
光束を、互いにほぼ平行で且つ空間的に密に配列された
複数の平行光束に変換するための光束変換手段と、前記
光束変換手段を介して形成された複数の平行光束に基づ
いて多数の光源像を形成するための多光源像形成手段
と、前記多光源像形成手段により形成された多数の光源
像からの光束を集光して前記マスク上を重畳的に照明す
る集光光学系と、を備えていることを特徴とする露光装
置を提供する。
【0008】本発明の好ましい態様によれば、前記複数
の光源手段はそれぞれ平行光束を供給し、前記光束変換
手段は、前記複数の光源手段からの複数の平行光束が互
いに所定の間隔を隔ててほぼ平行に配列されるように光
束を導くための導光光学系と、前記導光光学系を介して
互いに所定の間隔を隔ててほぼ平行に配列された複数の
平行光束の各々を所定の倍率で拡大整形して空間的に密
に配列させるための光束整形手段と、を有する。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明では、照明光を供給するた
めの光源手段として、たとえば平行光束を供給する複数
のYAG4倍波レーザを用いる。複数のYAG4倍波レ
ーザからの複数の平行光束は、互いにほぼ平行で且つ空
間的に密な複数の平行光束に変換される。こうして、互
いにほぼ平行で且つ空間的に密に形成された複数の平行
光束に基づいて、たとえばフライアイレンズのような多
光源像形成手段(オプティカルインテグレータ)を介し
て多数の光源像を形成する。多数の光源像からの光束
は、コンデンサレンズのような集光光学系を介して集光
され、マスク上を重畳的に均一照明する。
【0010】このように、本発明では、照明光を供給す
るための光源手段として、たとえば複数のYAG4倍波
レーザを用いる。したがって、使用する複数のYAG4
倍波レーザの出力の総和がエキシマレーザの出力よりも
大きくなるように構成すれば、エキシマレーザと同等な
波長で且つ同等以上の照度を得ることができる。すなわ
ち、本発明によれば、小型で維持コストが低く且つ被照
射面における照度の高いエキシマレーザの代替レーザを
実現することができる。
【0011】本発明の実施例を、添付図面に基づいて説
明する。図1は、本発明の実施例にかかる露光装置の構
成を概略的に示す図である。また、図2は、図1の露光
装置における光源および導光光学系の構成を説明するた
めの斜視図である。
【0012】本実施例の露光装置は、図示のように9個
のYAG4倍波レーザ1を備えている。なお、YAG4
倍波レーザとは、YAGレーザの基本波(1064n
m)に基づいて、その第4高調波(4倍波:266n
m)のレーザ光を射出する光源である。YAG4倍波レ
ーザの構成については、たとえば1995年第20回光
学シンポジウムの「光学系および光学素子の設計、製
作、評価を中心にして」の講演予稿集第15頁および第
16頁に詳述されている。
【0013】本実施例において、9個のYAG4倍波レ
ーザ1の出力の総和が1つのエキシマレーザの出力より
も大きくなるように構成されている。9個のYAG4倍
波レーザ1は、3個ずつ段違いに配列されている。そし
て、9個のYAG4倍波レーザ1から射出された9個の
平行光束Lは、図2に示すように、三次元的に適宜配列
された合計16個のミラーMによって導かれ、互いに所
定の間隔を隔ててほぼ平行に配列された9個の平行光束
Lとなって第1ビームエキスパンダ2に入射する。
【0014】第1ビームエキスパンダ2は、一対のフラ
イアイレンズ2aと2bとから構成されている。各フラ
イアイレンズ2aおよび2bは、それぞれ9個のレンズ
エレメントからなる。そして、2つのフライアイレンズ
2aおよび2bにおいて、対応するレンズエレメントの
レンズ光軸は互いに一致している。ミラーMを介した9
個の平行光束Lは、フライアイレンズ2aの各レンズエ
レメントにそれぞれ入射する。フライアイレンズ2aの
各レンズエレメントに入射した平行光束Lは、一旦集光
された後、フライアイレンズ2bの対応するレンズエレ
メントを介して再び平行光束になる。
【0015】なお、図1に示すように、フライアイレン
ズ2aの各レンズエレメントの焦点距離よりもフライア
イレンズ2bの各レンズエレメントの焦点距離の方が長
く設定されている。したがって、フライアイレンズ2b
の各レンズエレメントを介した9個の平行光束Lはそれ
ぞれ所定の倍率で拡大され、互いにほぼ平行で且つ空間
的に密になるように配列される。
【0016】このように、16個のミラーMは、複数の
光源からの平行光束が互いに所定の間隔を隔ててほぼ平
行に配列されるように光束を導くための導光光学系を構
成している。また、第1ビームエキスパンダ2は、導光
光学系を介して互いに所定の間隔を隔ててほぼ平行に配
列された複数の平行光束の各々を所定の倍率で拡大整形
して空間的に密に配列させるための光束整形手段を構成
している。
【0017】第1ビームエキスパンダ2を介して互いに
ほぼ平行で且つ空間的に密に配列された9個の平行光束
Lは、第2ビームエキスパンダ3に入射する。第2ビー
ムエキスパンダ3は、一対のレンズ3aおよび3bから
なる。第2エキスパンダ3に入射した9個の平行光束L
は、第1フライアイレンズ4の入射面の形状に合致した
全体断面を有する光束に整形される。
【0018】第2エキスパンダ3により整形された光束
は、多光源像形成手段である第1フライアイレンズ4に
入射する。第1フライアイレンズ4に入射した光束は、
第1フライアイレンズ4を構成する複数のレンズエレメ
ントにより二次元的に分割され、第1フライアイレンズ
4の後側焦点面Aにレンズエレメント数と同じ数の光源
像すなわち二次光源を形成する。なお、第1フライアイ
レンズ4の後側(マスク側)には開口絞り4aが配置さ
れ、この開口絞り4aの作用により焦点面Aに形成され
る二次光源の形状が規定される。
【0019】二次光源からの光束は、第1コンデンサレ
ンズ5により集光された後、平行光束となって第2の多
光源像形成手段である第2フライアイレンズ6の入射面
Bを重畳的に照明する。第2フライアイレンズ6に入射
した光束は、第2フライアイレンズ6を構成する複数の
レンズエレメントにより二次元的に分割される。こうし
て、、第2フライアイレンズ6の後側焦点面Cには、第
1フライアイレンズ4のレンズエレメントの数と第2フ
ライアイレンズ6のレンズエレメントの数との積に相当
する数の光源像すなわち三次光源が形成される。
【0020】なお、第1コンデンサレンズ5は、第1フ
ライアイレンズ4の後側焦点面Aと第2フライアイレン
ズ6の後側焦点面Cとを共役にしている。また、第1フ
ライアイレンズ4および第2フライアイレンズ6の各レ
ンズエレメントは、たとえば両凸レンズ形状を有する。
そして、各レンズエレメントに入射した平行光束はそれ
ぞれ集光され、各レンズエレメントの射出側に光源像が
形成される。
【0021】第2フライアイレンズ6を介して形成され
た三次光源からの光束は、開口絞り6aを介して制限さ
れた後、第2コンデンサレンズ7により集光され、所定
のパターンが形成されたマスク8を重畳的に且つほぼ均
一に照明する。マスク8を透過した光束は、投影光学系
PLを介して、その像面に位置決めされたウエハWに達
する。こうして、感光基板であるウエハW上には、マス
ク8のパターンが転写される。
【0022】投影露光装置では、投影光学系の開口数N
Aを大きくすると、限界解像力が良くなるが、その反面
焦点深度が浅くなる。逆に、投影光学系の開口数NAを
小さくすると、限界解像力が悪化するが、その反面焦点
深度が深くなる。このため、図1に示すように、投影光
学系4の瞳(入射瞳)位置には、口径が可変の可変開口
絞り9が設けられている。こうして、露光焼付けすべき
所定の最小線幅パターンに最適な投影光学系の開口数N
Aを得るために、可変開口絞り9の口径を適宜変化させ
る。こうして、比較的大きな焦点深度を維持しつつ、微
細パターンをより鮮明にウエハ上に転写することが可能
となる。
【0023】なお、三次光源が形成される第2フライア
イレンズ6の後側焦点面Cに設けられた開口絞り6a
と、投影光学系8の瞳面に設けられた可変開口絞り9と
は、互いにほぼ共役になっている。また、第1フライア
イレンズ4により形成される二次光源からの光束が重畳
的に照明する第2フライアイレンズ6の入射面Bは、第
2フライアイレンズ6の射出側のレンズ面と第2コンデ
ンサレンズ7とに関して、マスク8とほぼ共役に構成さ
れている。
【0024】上述のような構成を有する投影露光装置に
おいて、ウエハW上での照度を規定する最大のファクタ
ーは、第1フライアイレンズ4に入射する平行光束のパ
ワーである。そして、像面照度すなわちウエハW上での
照度は、第1フライアイレンズ4に入射する平行光束の
パワーにほぼ比例するものと考えられる。したがって、
本実施例のように、出力の総和がエキシマレーザの出力
を上回るような複数のYAG4倍波レーザを束ねて光源
を構成することによって、エキシマレーザ光と同等の波
長で且つ同等以上の像面照度を得ることができる。
【0025】また、本実施例では、第1ビームエキスパ
ンダにより互いにほぼ平行に且つ空間的に密に配列され
た複数の平行光束が、第1フライアイレンズ4に入射す
る。したがって、第1フライアイレンズ4に入射する平
行光束の断面のパワー分布は必ずしも均一ではないが、
1つのエキシマレーザからの平行光束の断面のパワー分
布と比べて性能上大差がないパワー分布が得られるもの
と考えられる。
【0026】さらに、本実施例では、半導体レーザに基
づいてYAG4倍波レーザを構成することができる。し
たがって、たとえば9個のYAG4倍波レーザを使用し
ても、エキシマレーザと比較して非常に小型でガス交換
などの維持コストも低く光源を構成することができる。
【0027】なお、上述の実施例では、2つの多光源像
形成手段を用いた例を示したが、1つの多光源像形成手
段で本発明の露光装置を構成することもできる。また、
上述の実施例では、光源として9個のYAG4倍波レー
ザを使用してエキシマレーザの代替レーザを構成した例
を示したが、本発明により他の適当な光源の代替光源を
構成することもできる。
【0028】
【効果】以上説明したように、本発明では、使用する複
数のYAG4倍波レーザの出力の総和がKrFエキシマ
レーザの出力以上になるように構成することにより、小
型で維持コストが低く且つ被照射面における照度の高い
エキシマレーザの代替レーザを実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例にかかる露光装置の構成を概略
的に示す図である。
【図2】図1の露光装置における光源および導光光学系
の構成を説明するための斜視図である。
【符号の説明】
M ミラー W ウエハ PL 投影光学系 1 エキシマレーザ光源 2 第1エキスパンダ 3 第2エキスパンダ 4 第1フライアイレンズ 5 第1コンデンサレンズ 6 第2フライアイレンズ 7 第2コンデンサレンズ 8 マスク 9 可変開口絞り

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 パターンが形成されたマスクをほぼ均一
    に照明するための照明光学系を備え、前記マスク上に形
    成されたパターンの像を感光基板上に形成する露光装置
    において、 前記照明光学系は、 照明光を供給するための複数の光源手段と、 前記複数の光源手段からの光束を、互いにほぼ平行で且
    つ空間的に密に配列された複数の平行光束に変換するた
    めの光束変換手段と、 前記光束変換手段を介して形成された複数の平行光束に
    基づいて多数の光源像を形成するための多光源像形成手
    段と、 前記多光源像形成手段により形成された多数の光源像か
    らの光束を集光して前記マスク上を重畳的に照明する集
    光光学系と、 を備えていることを特徴とする露光装置。
  2. 【請求項2】 前記複数の光源手段はそれぞれ平行光束
    を供給し、 前記光束変換手段は、 前記複数の光源手段からの複数の平行光束が互いに所定
    の間隔を隔ててほぼ平行に配列されるように光束を導く
    ための導光光学系と、 前記導光光学系を介して互いに所定の間隔を隔ててほぼ
    平行に配列された複数の平行光束の各々を所定の倍率で
    拡大整形して空間的に密に配列させるための光束整形手
    段と、 を有することを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
  3. 【請求項3】 前記光源手段は、YAG4倍波レーザで
    あることを特徴とする請求項1または2に記載の露光装
    置。
JP8163851A 1996-06-04 1996-06-04 露光装置 Pending JPH09326354A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8163851A JPH09326354A (ja) 1996-06-04 1996-06-04 露光装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8163851A JPH09326354A (ja) 1996-06-04 1996-06-04 露光装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09326354A true JPH09326354A (ja) 1997-12-16

Family

ID=15781970

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8163851A Pending JPH09326354A (ja) 1996-06-04 1996-06-04 露光装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09326354A (ja)

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7714983B2 (en) Illumination system for a microlithography projection exposure installation
US6259512B1 (en) Illumination system and exposure apparatus having the same
US5459547A (en) Illumination device
JP4169374B2 (ja) 投影マイクロリソグラフィ装置の照明手段
US6285443B1 (en) Illuminating arrangement for a projection microlithographic apparatus
JP3005203B2 (ja) 照明装置、露光装置及びデバイス製造方法
US20070132977A1 (en) Optical integrator, illumination optical device, exposure device, and exposure method
US8004658B2 (en) Lighting optical device, exposure system, and exposure method
JP3634782B2 (ja) 照明装置、それを用いた露光装置及びデバイス製造方法
JPH05217855A (ja) 露光用照明装置
EP3553604B1 (en) Illumination optical assembly, exposure apparatus, and device manufacture method
JP3428055B2 (ja) 照明光学装置、露光装置、半導体製造方法および露光方法
JPH096009A (ja) 露光装置
Komatsuda Novel illumination system for EUVL
JPH06204123A (ja) 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
JP2002057081A (ja) 照明光学装置並びに露光装置及び露光方法
JPH09326354A (ja) 露光装置
JPH08330212A (ja) 露光装置
JPH11176742A (ja) 照明光学系と露光装置及び半導体デバイスの製造方法
JP3209220B2 (ja) 露光方法及び半導体素子の製造方法
JP7208787B2 (ja) 照明光学系、露光装置、および物品の製造方法
JP2002350620A (ja) 光学部材、当該光学部材を用いた照明装置及び露光装置
JP2004047786A (ja) 照明光学装置,露光装置および露光方法
JP3296348B2 (ja) 投影露光装置及び方法並びに半導体素子の製造方法
JPH07113735B2 (ja) 照明光学装置

Legal Events

Date Code Title Description
A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20041005

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20041025

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20050606