JPH09321505A - Microwave circuit - Google Patents

Microwave circuit

Info

Publication number
JPH09321505A
JPH09321505A JP8137244A JP13724496A JPH09321505A JP H09321505 A JPH09321505 A JP H09321505A JP 8137244 A JP8137244 A JP 8137244A JP 13724496 A JP13724496 A JP 13724496A JP H09321505 A JPH09321505 A JP H09321505A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
line
conductor
coupling strip
microwave circuit
dielectric
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP8137244A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hironori Fujishiro
博記 藤代
Yukari Arai
ゆかり 新井
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oki Electric Industry Co Ltd filed Critical Oki Electric Industry Co Ltd
Priority to JP8137244A priority Critical patent/JPH09321505A/en
Publication of JPH09321505A publication Critical patent/JPH09321505A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Waveguides (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent deterioration in the characteristic due to inductance in the case of connecting distributed constant lines being components of the microwave circuit. SOLUTION: A ground conductor 12, a dielectric board 14 and a conductor line 36 are laminated in a chip 28 to form a microstrip line 18. Similarly a ground conductor 13, a dielectric board 16 and a conductor line 38 are laminated in a chip 30 to form a microstrip line 20. The conductor lines 36, 38 are formed rectangular and the chips 28, 30 are positioned by the use of a backing metallic plate 10 so that the lines are arranged on a line. A line region 40 of the conductor line 36 and a line region 42 of the conductor line 38 are connected by an overlay dielectric 22 and a coupling strip 24 is provided onto the dielectric 22.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、マイクロ波回
路、特に分布定数線路を有する複数のチップを集積する
ときの分布定数線路間の結合に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to microwave circuits, and more particularly to coupling between distributed constant lines when a plurality of chips having distributed constant lines are integrated.

【0002】[0002]

【従来の技術】マイクロ波回路は、いわゆる分布定数回
路であり、マイクロ波信号を導波させるのに分布定数線
路を用いている。ここでは、分布定数線路として、導体
線路、誘電体基板および接地導体で構成されるものを対
象としている。この明細書中では、このような構成の分
布定数線路が一つの誘電体基板に形成されて構成された
マイクロ波回路をチップと称している。従来、複数のチ
ップを集積して回路を構成するとき、分布定数線路間の
結合は、ワイヤやリボン等をボンディングすることによ
り行われていた(文献I;マイクロ波半導体回路,p.13
9 の図6.13,1993年日刊工業新聞社発行)。
2. Description of the Related Art A microwave circuit is a so-called distributed constant circuit, and a distributed constant line is used to guide a microwave signal. Here, as the distributed constant line, a line formed of a conductor line, a dielectric substrate, and a ground conductor is targeted. In this specification, a microwave circuit configured by forming a distributed constant line having such a configuration on one dielectric substrate is referred to as a chip. Conventionally, when a plurality of chips are integrated to form a circuit, coupling between distributed constant lines has been performed by bonding wires, ribbons, etc. (Reference I; microwave semiconductor circuit, p. 13).
9 Figure 6.13, published by Nikkan Kogyo Shimbun in 1993).

【0003】図4の斜視図には、第1チップ28および
第2チップ30のそれぞれが有する分布定数線路間の従
来の結合の様子が示されている。第1チップ28は、第
1分布定数線路32を有しており、第1分布定数線路3
2は、第1接地導体12、第1誘電体基板14および第
1導体線路32が順次に積層して構成されている。ま
た、第2チップ30は、第2分布定数線路34を有して
おり、第2分布定数線路34は、第2接地導体13、第
2誘電体基板16および第2導体線路38が順次に積層
して構成されている。尚、図4の第1チップ28および
第2チップ30は、図を簡略化するために、分布定数線
路のみで構成されており、通常に設けられるその他のマ
イクロ波回路素子等は省略して示している。従って、第
1チップ28および第2チップ30のそれぞれは、第1
分布定数線路32および第2分布定数線路34そのもの
である。第1分布定数線路32および第2分布定数線路
34の間の結合は、第1導体線路36と第2導体線路3
8とを結合するワイヤ26と、第1接地導体12と第2
接地導体13とを結合する下地金属板10とで以て行わ
れている。
The perspective view of FIG. 4 shows the conventional coupling between the distributed constant lines of the first chip 28 and the second chip 30, respectively. The first chip 28 has a first distributed constant line 32, and the first distributed constant line 3
2 includes a first ground conductor 12, a first dielectric substrate 14, and a first conductor line 32, which are sequentially laminated. The second chip 30 has a second distributed constant line 34, and the second distributed constant line 34 includes the second ground conductor 13, the second dielectric substrate 16, and the second conductor line 38 sequentially laminated. Is configured. In order to simplify the drawing, the first chip 28 and the second chip 30 in FIG. 4 are composed of only distributed constant lines, and other microwave circuit elements and the like normally provided are omitted. ing. Therefore, each of the first chip 28 and the second chip 30 has a first
The distributed constant line 32 and the second distributed constant line 34 themselves. The coupling between the first distributed constant line 32 and the second distributed constant line 34 is performed by the first conductor line 36 and the second conductor line 3
The wire 26 connecting the first ground conductor 12 and the second ground
This is performed by using the base metal plate 10 that connects the ground conductor 13.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図4を
参照して説明したように、各チップ28および30を下
地金属板10の上に設けるときに、各チップのサイズの
寸法精度(主に、誘電体基板のサイズの寸法精度)や組
み立て精度(位置合わせや加工に係る精度)に依存して
各チップ間には少なくとも0.1〜0.2mm程度の隙
間が開いてしまう。このため、例えば、ワイヤ26を第
1および第2導体線路36および38のそれぞれにボン
ディングして両者の間を結合する場合、少なくとも0.
1〜0.2nH程度のインダクタンスが第1および第2
導体線路36および38の間にシリーズに挿入されるこ
とになる。
However, as described with reference to FIG. 4, when the chips 28 and 30 are provided on the base metal plate 10, the dimensional accuracy of the size of each chip (mainly, Depending on the dimensional accuracy of the size of the dielectric substrate) and the assembly accuracy (accuracy related to alignment and processing), a gap of at least about 0.1 to 0.2 mm is opened between the chips. Therefore, for example, when the wire 26 is bonded to each of the first and second conductor lines 36 and 38 and the two are coupled to each other, at least 0.
Inductance of about 1 to 0.2 nH is the first and second
It will be inserted in series between the conductor lines 36 and 38.

【0005】よって、これら第1および第2導体線路3
6および38の間のインピーダンスの不整合(すなわ
ち、各チップ28および30に構成されているマイクロ
波回路の間のインピーダンス不整合)が生じてしまい、
マイクロ波回路の特性(ゲインやVSWR(voltage st
anding wave ratio )など)が劣化するといった問題が
あった。そして、動作周波数が高くなる程、特性的に満
足のゆくものが得られなかった。
Therefore, these first and second conductor lines 3
An impedance mismatch between 6 and 38 (ie, an impedance mismatch between the microwave circuits configured on each chip 28 and 30),
Microwave circuit characteristics (gain and VSWR (voltage st
anding wave ratio)) was deteriorated. The higher the operating frequency, the less satisfactory the characteristics were.

【0006】従って、従来より、良好な特性を保持しつ
つ分布定数線路が結合された構成のマイクロ波回路の出
現が望まれていた。
Therefore, conventionally, it has been desired to develop a microwave circuit having a structure in which distributed constant lines are coupled while maintaining good characteristics.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明のマイクロ波回
路によれば、導体線路、誘電体基板および接地導体から
構成された分布定数線路をそれぞれ具える2つのチップ
を下地金属板に設けることにより、前記接地導体を前記
下地金属板で以て結合して前記導体線路が直線的に配列
するように集積して成るマイクロ波回路において、2つ
の前記導体線路のうち、互いに対向する側の前記配列方
向に沿った線路領域の全体を少なくとも直接覆うように
設けられたオーバーレイ誘電体と、このオーバーレイ誘
電体上に直接設けられていて、2つの前記線路領域のそ
れぞれ前記オーバーレイ誘電体の上面に対する正射影領
域を結合する結合用ストリップとを具えることを特徴と
する。
According to the microwave circuit of the present invention, two chips each having a distributed constant line composed of a conductor line, a dielectric substrate and a ground conductor are provided on a base metal plate. A microwave circuit formed by combining the ground conductors with the base metal plate to integrate the conductor lines so as to be linearly arranged, and in the two conductor lines, the arrangement on the side facing each other. An overlay dielectric provided so as to directly cover at least the entire line region along the direction, and an orthographic projection of the two line regions directly on the upper surface of the overlay dielectric, the overlay dielectric being provided directly on the overlay dielectric. A connecting strip for connecting the regions.

【0008】このように、この発明の構成は、従来のワ
イヤの代わりに、オーバーレイ誘電体および結合用スト
リップ線路が順次に積層された構造で以て各分布定数線
路間を結合する。ここで、線路領域とは導体線路が設け
られる誘電体基板上の領域のことであり、「互いに対向
する側の線路領域」とは対向して設けられる各チップ間
の間隙を形成するエッジを含む側の誘電体基板の上面の
領域のことをいう。また、正射影領域とは、オーバーレ
イ誘電体が設けられた線路領域を正射影して得られたオ
ーバーレイ誘電体の上面の領域のことをいう。このよう
に、上方から見たときに各導体線路の一部分に重なるよ
うにして導体である結合用ストリップを誘電体であるオ
ーバーレイ誘電体を介して設けることによって、これら
導体線路の間が分布結合すなわち電磁界的に結合する。
従って、従来に問題となっていたインダクタンスの付加
が無くなり、接地導体間を結合する下地金属板と相俟っ
て、分布定数線路の間を高周波的に接続することが可能
になる。
As described above, in the structure of the present invention, the distributed constant lines are coupled to each other by the structure in which the overlay dielectric and the coupling strip line are sequentially stacked instead of the conventional wire. Here, the line area is an area on the dielectric substrate on which the conductor line is provided, and the "line area on the side opposite to each other" includes an edge forming a gap between the chips provided opposite to each other. Side refers to a region on the upper surface of the dielectric substrate. The orthogonal projection region refers to a region on the upper surface of the overlay dielectric obtained by orthogonally projecting the line region provided with the overlay dielectric. In this way, by providing a coupling strip, which is a conductor, via an overlay dielectric, which is a dielectric, so as to overlap a part of each conductor line when viewed from above, distributed coupling between these conductor lines, that is, Electromagnetically coupled.
Therefore, the addition of inductance, which has been a problem in the prior art, is eliminated, and it is possible to connect the distributed constant lines at high frequencies in combination with the base metal plate that couples the ground conductors.

【0009】また、この発明のマイクロ波回路の好適な
構成例によれば、所望の周波数帯域の中心周波数に相当
する波長をλとするとき、前記正射影領域の前記配列方
向の長さがnλ/4(但し、nは奇数)に設定されてい
ることを特徴とする。
According to a preferred configuration example of the microwave circuit of the present invention, when the wavelength corresponding to the center frequency of the desired frequency band is λ, the length of the orthogonal projection region in the array direction is nλ. / 4 (however, n is an odd number).

【0010】このように、正射影領域の配列方向の長さ
がnλ/4に設定されているときには、導波するマイク
ロ波信号の周波数が波長λに対応した周波数の場合に、
この導体線路と結合用ストリップの間が短絡される(文
献II;マイクロ波回路の基礎とその応用,p.303 の図8.
9,1990年総合電子出版社発行)。よって、結合用ストリ
ップを介して導体線路の間が短絡され、マイクロ波信号
の伝搬特性はこの周波数を中心周波数とする帯域通過型
のフィルタ特性を示すようになる。従って、インダクタ
ンスの付加も無く、マイクロ波回路の特性の劣化が起こ
らないから、分布定数線路を高周波的に結合することが
可能になる。
As described above, when the length of the orthogonal projection region in the array direction is set to nλ / 4, when the frequency of the guided microwave signal is the frequency corresponding to the wavelength λ,
The conductor line and the coupling strip are short-circuited (Reference II; Fundamentals of microwave circuits and their applications, Figure 8. on page 303).
Published by General Electronic Publishing Company in 1990). Therefore, the conductor lines are short-circuited via the coupling strip, and the propagation characteristic of the microwave signal exhibits a band-pass type filter characteristic having this frequency as the center frequency. Therefore, since the inductance is not added and the characteristics of the microwave circuit are not deteriorated, it is possible to couple the distributed constant lines at high frequencies.

【0011】また、この発明の好適な構成例によれば、
前記正射影領域に含まれる導体線路および結合用ストリ
ップの幅ならびに前記オーバーレイ誘電体の厚さが、前
記導体線路の特性インピーダンスをZ0、前記導体線路
と前記結合用ストリップとの間の奇モードの特性インピ
ーダンスをZodd、前記導体線路と前記結合用ストリ
ップとの間の偶モードの特性インピーダンスをZeve
nとするとき、 Z0=(Zeven−Zodd)/2 が成り立つように設定されていることを特徴とする。
According to a preferred configuration example of the present invention,
The widths of the conductor line and the coupling strip and the thickness of the overlay dielectric included in the orthogonal projection region have a characteristic impedance Z0 of the conductor line, and an odd mode characteristic between the conductor line and the coupling strip. The impedance is Zodd, and the even mode characteristic impedance between the conductor line and the coupling strip is Zeve.
When n is set, Z0 = (Zeven-Zodd) / 2 is set.

【0012】このように、上式が成り立つように、正射
影領域に含まれる導体線路、結合用ストリップおよびオ
ーバーレイ誘電体の各サイズを設定することにより、結
合用ストリップと各導体線路との間のインピーダンスが
整合されるから(文献IIのp.303 の図8.9 )、結合用ス
トリップと各導体線路との間の電圧反射率を0にするこ
とができる(文献IIのp.9 )。従って、結合用ストリッ
プを介して導体線路間をマイクロ波信号が導波するとき
に、マイクロ波信号のエネルギーの損失がない。尚、奇
モードおよび偶モードの特性インピーダンスについて
は、文献IIのp.193 に詳しい。
As described above, by setting the sizes of the conductor line, the coupling strip, and the overlay dielectric included in the orthogonal projection region so that the above equation holds, the size between the coupling strip and each conductor line is set. Since the impedances are matched (Fig. 8.9, p.303 of document II), the voltage reflectance between the coupling strip and each conductor line can be made zero (p.9 of document II). Therefore, when the microwave signal is guided between the conductor lines through the coupling strip, there is no energy loss of the microwave signal. For the characteristic impedances of odd mode and even mode, see p.193 of Document II.

【0013】また、この発明のマイクロ波回路の好適な
構成例によれば、前記正射影領域の間の前記ギャップ領
域に含まれる前記下地金属板が前記オーバーレイ誘電体
の下面に接していることを特徴とする。
Further, according to a preferred configuration example of the microwave circuit of the present invention, the underlying metal plate included in the gap region between the orthogonal projection regions is in contact with the lower surface of the overlay dielectric. Characterize.

【0014】このように、チップとチップの間隔が下地
金属板の形状のために一義的に定まるからチップを下地
金属板上に容易に位置決めすることが可能になり、ま
た、この間隔のバラツキに起因するマイクロ波回路の特
性のバラツキを抑えることができる。
As described above, since the interval between the chips is uniquely determined by the shape of the underlying metal plate, the chips can be easily positioned on the underlying metal plate, and variations in this interval can be caused. It is possible to suppress the variation in the characteristics of the microwave circuit caused by it.

【0015】また、この発明のマイクロ波回路の好適な
構成例によれば、所望の周波数帯域の中心周波数に相当
する波長をλとするとき、前記正射影領域の前記配列方
向の長さがnλ/4(但し、nは奇数)に設定され、か
つ、前記ギャップ領域に含まれる前記結合用ストリップ
の前記配列方向の長さがnλ/2に設定されていること
を特徴とする。
Further, according to a preferred configuration example of the microwave circuit of the present invention, when the wavelength corresponding to the center frequency of the desired frequency band is λ, the length of the orthogonal projection region in the arrangement direction is nλ. / 4 (where n is an odd number), and the length of the coupling strips included in the gap region in the arrangement direction is set to nλ / 2.

【0016】このように、正射影領域の配列方向の長さ
がnλ/4に設定され、かつ、ギャップ領域の配列方向
の長さがnλ/2に設定されているときには、波長λに
相当する周波数において結合用ストリップを介して導体
線路間が高周波数的に短絡される。このとき導波するマ
イクロ波信号の伝搬特性はこの周波数を中心周波数とす
る帯域通過型のフィルタ特性を示すようになる。従っ
て、インダクタンスの付加も無く、マイクロ波回路の特
性の劣化が起こらないから、分布定数線路を高周波的に
結合することが可能になる。
As described above, when the length of the orthogonal projection region in the arrangement direction is set to nλ / 4 and the length of the gap region in the arrangement direction is set to nλ / 2, it corresponds to the wavelength λ. At frequency, the conductor lines are short-circuited at high frequencies via the coupling strips. At this time, the propagation characteristic of the microwave signal guided becomes a band pass type filter characteristic having this frequency as the center frequency. Therefore, since the inductance is not added and the characteristics of the microwave circuit are not deteriorated, it is possible to couple the distributed constant lines at high frequencies.

【0017】また、この発明の好適例によれば、前記正
射影領域に含まれる導体線路および結合用ストリップの
幅ならびに前記オーバーレイ誘電体の厚さと、前記ギャ
ップ領域に含まれる結合用ストリップの幅および前記オ
ーバーレイ誘電体の厚さとが、前記導体線路の特性イン
ピーダンスをZ0、前記導体線路と前記結合用ストリッ
プとの間の奇モードの特性インピーダンスをZodd、
前記導体線路と前記結合用ストリップとの間の偶モード
の特性インピーダンスをZevenとするとき、 Z0=(Zeven−Zodd)/2 が成り立つように設定されていることを特徴とする。
According to a preferred embodiment of the present invention, the widths of the conductor lines and the coupling strips included in the orthogonal projection region and the thickness of the overlay dielectric, and the widths of the coupling strips included in the gap region and The thickness of the overlay dielectric defines the characteristic impedance of the conductor line as Z0, the odd-mode characteristic impedance between the conductor line and the coupling strip as Zodd,
When the even mode characteristic impedance between the conductor line and the coupling strip is set to Zeven, Z0 = (Zeven-Zodd) / 2 is set to be satisfied.

【0018】このように、上式が成り立つように、正射
影領域に含まれる導体線路、結合用ストリップおよびオ
ーバーレイ誘電体の各サイズと、ギャップ領域に含まれ
る結合用ストリップおよびオーバーレイ誘電体の各サイ
ズとを設定することにより、結合用ストリップと各導体
線路との間のインピーダンスが整合されるから(文献II
のp.303 の図8.9 )、結合用ストリップと各導体線路と
の間の電圧反射率を0にすることができる(文献IIのp.
9 )。従って、結合用ストリップを介して導体線路間を
マイクロ波信号が導波するときに、マイクロ波信号のエ
ネルギーの損失がない。
As described above, the sizes of the conductor lines, the coupling strips and the overlay dielectrics included in the orthogonal projection region and the sizes of the coupling strips and the overlay dielectrics included in the gap region are satisfied so that the above equation is satisfied. By setting and, the impedance between the coupling strip and each conductor line is matched (Reference II
(Fig. 8.9 on p. 303), the voltage reflectance between the coupling strip and each conductor line can be set to 0 (Ref. II, p.
9). Therefore, when the microwave signal is guided between the conductor lines through the coupling strip, there is no energy loss of the microwave signal.

【0019】また、この発明のマイクロ波回路の好適な
構成例によれば、前記分布定数線路をマイクロストリッ
プラインとしたことを特徴とする。
According to a preferred configuration example of the microwave circuit of the present invention, the distributed constant line is a microstrip line.

【0020】マイクロストリップラインは、接地導体と
してのグランド面と導体線路としての配線面との間の誘
電体(誘電体基板)とによって形成された特性インピー
ダンスを制御した信号伝送線路である。誘電体の比誘電
率と厚さ、配線の幅と厚さを選ぶことで特性インピーダ
ンスを変えることができる。マイクロ波帯以上の高周波
回路では、線路の長さを変えることで任意のインピーダ
ンスを実現できるためにインピーダンス整合回路などの
分布定数回路に多用される。
The microstrip line is a signal transmission line in which a characteristic impedance formed by a dielectric (dielectric substrate) between a ground plane as a ground conductor and a wiring plane as a conductor line is controlled. The characteristic impedance can be changed by selecting the relative permittivity and thickness of the dielectric and the width and thickness of the wiring. In a high frequency circuit in the microwave band or higher, an arbitrary impedance can be realized by changing the length of the line, and thus it is often used in a distributed constant circuit such as an impedance matching circuit.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】以下、図を参照して、この発明の
実施の形態につき説明する。尚、図は、この発明の構
成、大きさおよび配置関係が理解できる程度に概略的に
示しており、また、以下に記載する数値条件等は単なる
一例に過ぎず、従って、この発明はこの実施の形態に何
ら限定されることがない。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that the drawings are schematically shown to the extent that the configuration, size, and arrangement relationship of the present invention can be understood, and the numerical conditions and the like described below are merely examples. There is no limitation to the form.

【0022】[第1の実施の形態]図1は、第1の実施
の形態の構成を示す図である。図1の(B)に斜視図を
示し、図1の(A)に図1の(B)のa−a線の位置で
切って取った断面の図を示している。この図に示される
ように、第1の構成例は、オーバーレイ誘電体22と結
合用ストリップ24とを具えた構成である。
[First Embodiment] FIG. 1 is a diagram showing the configuration of the first embodiment. 1B shows a perspective view, and FIG. 1A shows a cross-sectional view taken at a position of line aa in FIG. 1B. As shown in this figure, the first configuration example is a configuration including an overlay dielectric 22 and a coupling strip 24.

【0023】この実施の形態の構成は、第1チップ28
および第2チップ30を下地金属板10の上に設けてい
る。第1チップ28は、第1接地導体12、第1誘電体
基板14および第1導体線路36が順次に積層して構成
されており、これらは分布定数線路としての第1マイク
ロストリップライン18を構成している。また、第2チ
ップ30は、第2接地導体13、第2誘電体基板16お
よび第2導体線路38が順次に積層して構成されてお
り、これらは分布定数線路としての第2マイクロストリ
ップライン20を構成している。第1および第2導体線
路36および38は四角形状であって、これらが直線的
に配列するように、各チップ28および30のそれぞれ
が下地金属板10に位置決めされて設けられている。
The configuration of this embodiment is such that the first chip 28
And the second chip 30 is provided on the base metal plate 10. The first chip 28 is formed by sequentially stacking the first ground conductor 12, the first dielectric substrate 14, and the first conductor line 36, and these form the first microstrip line 18 as a distributed constant line. are doing. The second chip 30 is composed of a second ground conductor 13, a second dielectric substrate 16, and a second conductor line 38, which are sequentially stacked, and these are the second microstrip line 20 as a distributed constant line. Are configured. The first and second conductor lines 36 and 38 have a quadrangular shape, and the chips 28 and 30 are positioned and provided on the base metal plate 10 so that they are linearly arranged.

【0024】オーバーレイ誘電体22は、2つの導体線
路36および38のうち、互いに対向する側の配列方向
(図1の矢印pで示す方向。)に沿った線路領域の全体
を少なくとも直接覆うように設けられており、また、オ
ーバーレイ誘電体22は四角形状をなしている。上述の
線路領域は、図1の(A)の矢印L1 で示される範囲の
第1導体線路36の上面の領域(以下、第1線路領域4
0と称する。)と、矢印L2 で示される範囲の第2導体
線路38の上面の領域(以下、第2線路領域42と称す
る。)である。このように、オーバーレイ誘電体22で
第1および第2導体線路36および38の間を橋絡して
いる。
The overlay dielectric 22 covers at least the entire line region of the two conductor lines 36 and 38 along the arrangement direction (direction indicated by arrow p in FIG. 1) on the side facing each other. In addition, the overlay dielectric 22 has a rectangular shape. The above-mentioned line region is a region on the upper surface of the first conductor line 36 in the range indicated by the arrow L 1 in FIG.
Called 0. ) And a region on the upper surface of the second conductor line 38 in the range indicated by the arrow L 2 (hereinafter referred to as the second line region 42). Thus, the overlay dielectric 22 bridges between the first and second conductor lines 36 and 38.

【0025】結合用ストリップ24は、オーバーレイ誘
電体22上に直接設けられていて、2つの線路領域40
および42のそれぞれオーバーレイ誘電体22の上面に
対する正射影領域44および46を結合する。第1正射
影領域44は、第1線路領域40を結合用ストリップ2
4の上面に正射影して得られた領域である。また、第2
正射影領域46は、第2線路領域42を結合用ストリッ
プ24の上面に正射影して得られた領域である。このよ
うに、第1の構成例は、第1および第2正射影領域44
および46を結合用ストリップ24で直線的に結合して
いる構成である。
The coupling strip 24 is provided directly on the overlay dielectric 22 and has two line regions 40.
And 42 respectively to orthographically project regions 44 and 46 on the top surface of overlay dielectric 22. The first orthogonal projection region 44 connects the first line region 40 to the coupling strip 2
4 is an area obtained by orthographic projection on the upper surface of No. 4. Also, the second
The orthogonal projection area 46 is an area obtained by orthogonally projecting the second line area 42 on the upper surface of the coupling strip 24. As described above, the first configuration example includes the first and second orthogonal projection regions 44.
And 46 are linearly connected by a connecting strip 24.

【0026】この構成例の結合用ストリップ24の幅W
2 は、第1および第2導体線路36および38の幅W1
と同じである。また、この構成例のオーバーレイ誘電体
22の幅W3 は、結合用ストリップ24の幅W2 の2倍
程度である。そして、オーバーレイ誘電体22の厚さS
は、結合用ストリップ24と第1および第2導体線路3
6および38の間を分布結合するために、第1および第
2誘電体基板14および16の厚さよりも薄くしてあ
る。
The width W of the joining strip 24 of this configuration example
2 is the width W 1 of the first and second conductor lines 36 and 38.
Is the same as In addition, the width W 3 of the overlay dielectric 22 in this configuration example is about twice the width W 2 of the coupling strip 24. And the thickness S of the overlay dielectric 22
Is the coupling strip 24 and the first and second conductor lines 3
It is made thinner than the thickness of the first and second dielectric substrates 14 and 16 for distributed coupling between 6 and 38.

【0027】この第1の実施の形態では、オーバーレイ
誘電体22としてテフロンを用いており、この上に結合
用ストリップ24が設けられており、結合用ストリップ
24の長手方向を第1および第2導体線路36および3
8の配列方向に揃えて、オーバーレイ誘電体22を各導
体線路36および38にエポキシ樹脂などにより接着す
る。
In the first embodiment, Teflon is used as the overlay dielectric 22 and the coupling strip 24 is provided on the overlay dielectric 22. The longitudinal direction of the coupling strip 24 is set to the first and second conductors. Tracks 36 and 3
The overlay dielectric 22 is adhered to the conductor lines 36 and 38 with epoxy resin or the like so as to be aligned in the arrangement direction of 8.

【0028】以上説明した通り、この第1の構成例で
は、第1導体線路36と結合用ストリップ24との間が
分布結合し、第2導体線路38と結合用ストリップ24
との間が分布結合する。よって、第1および第2導体線
路36および38の間が結合用ストリップ24を介して
分布結合する。このように、第1の構成例によれば、従
来、結合に用いられていたワイヤが不要となる。従っ
て、導体線路間を結合するときに、これらに直列(シリ
ーズ)にインダクタンスが挿入されてしまうことがな
い。よって、結合用ストリップ24および接地導体10
によって第1および第2マイクロストリップライン18
および20の間が高周波的に結合するから、導波される
マイクロ波信号の劣化がない。
As described above, in this first configuration example, the first conductor line 36 and the coupling strip 24 are distributed-coupled, and the second conductor line 38 and the coupling strip 24 are distributed.
And are distributed and coupled. Therefore, the first and second conductor lines 36 and 38 are distributedly coupled via the coupling strip 24. As described above, according to the first configuration example, the wire conventionally used for coupling is unnecessary. Therefore, when coupling the conductor lines, the inductance is not inserted in series with them. Therefore, the coupling strip 24 and the ground conductor 10
By the first and second microstrip lines 18
There is no deterioration of the guided microwave signal because of the high frequency coupling between 20 and 20.

【0029】[第2の実施の形態]次に、第2の実施の
形態の構成につき、図1を参照して説明する。この第2
の実施の形態の構成は、所望の周波数帯域の中心周波数
に相当する波長をλとするとき、正射影領域44および
46の配列方向pの長さがnλ/4(但し、nは奇数)
に設定されている構成である。従って、第1の実施の形
態の構成において、第1正射影領域44および第2正射
影領域46の配列方向pの長さL1 およびL2 がnλ/
4となっている構成である。第1の実施の形態で説明し
た通り、第1導体線路36と結合用ストリップ24との
間が分布結合し、第2導体線路38と結合用ストリップ
24との間が分布結合しており、従って、第1導体線路
36と第2導体線路38との間が分布結合している。上
述のように、正射影領域44および46のサイズを設定
すると、導波するマイクロ波信号の波長がλの場合に
は、第1導体線路36と第2導体線路38との間が、波
長λに対応する周波数(以下、この周波数を中心周波数
0 で表す。)で短絡される(文献II)。
[Second Embodiment] Next, the configuration of the second embodiment will be described with reference to FIG. This second
In the configuration of the embodiment, when the wavelength corresponding to the center frequency of the desired frequency band is λ, the lengths of the orthogonal projection regions 44 and 46 in the arrangement direction p are nλ / 4 (where n is an odd number).
The configuration is set to. Therefore, in the configuration of the first embodiment, the lengths L 1 and L 2 of the first orthogonal projection region 44 and the second orthogonal projection region 46 in the arrangement direction p are nλ /
It has a configuration of four. As described in the first embodiment, the first conductor line 36 and the coupling strip 24 are distributed-coupled, and the second conductor line 38 and the coupling strip 24 are distributed-coupled. The first conductor line 36 and the second conductor line 38 are distributed-coupled. As described above, when the sizes of the orthogonal projection regions 44 and 46 are set, when the wavelength of the guided microwave signal is λ, the wavelength between the first conductor line 36 and the second conductor line 38 is λ. Are short-circuited at a frequency corresponding to (hereinafter, this frequency is represented by a center frequency f 0 ) (reference II).

【0030】図2は、第2の実施の形態の構成の信号伝
搬特性を概略的に示すグラフである。横軸に周波数を取
り、縦軸に伝送係数S21(Sパラメータ)をdB単位
で取って示す。図2に示されるように、正射影領域44
および46のサイズを上述のごとく設定したときには、
周波数f0 において0dBとなり、従って損失が0とな
り、周波数f0 を中心周波数とする通過帯域型のフィル
タ特性を示すようになる。よって、この第2の構成例に
よれば、従来のようにインダクタンスの付加がないから
伝搬特性が劣化せずに高周波的に第1および第2マイク
ロストリップライン間を結合することができ、所望の周
波数のマイクロ波信号を損失が無い状態で個別のチップ
間を導波させることが可能であるから、ミリ波帯のよう
な高い周波数帯域における伝搬特性が向上する。
FIG. 2 is a graph schematically showing the signal propagation characteristic of the configuration of the second embodiment. The horizontal axis represents frequency and the vertical axis represents transmission coefficient S21 (S parameter) in dB. As shown in FIG. 2, the orthogonal projection region 44
When the sizes of 46 and 46 are set as above,
The frequency becomes 0 dB at the frequency f 0 , and therefore the loss becomes 0, and a pass band type filter characteristic having the frequency f 0 as the center frequency is exhibited. Therefore, according to the second configuration example, since the inductance is not added as in the conventional case, the first and second microstrip lines can be coupled at a high frequency without deteriorating the propagation characteristics, which is desirable. Since it is possible to guide a microwave signal of a frequency between individual chips without loss, propagation characteristics in a high frequency band such as a millimeter wave band are improved.

【0031】尚、奇数nには、1、3、5という具合に
適当に奇数の値を設定することができるが、なるべく次
数が低い場合すなわちn=1のときが最適である。
It should be noted that the odd number n can be set to an appropriate odd number such as 1, 3 and 5, but it is optimal when the order is as low as possible, that is, when n = 1.

【0032】また、好適には、正射影領域44および4
6のそれぞれに含まれる導体線路36、38および結合
用ストリップ24の幅W1 、W2 ならびにオーバーレイ
誘電体22の厚さSが、導体線路36および38の特性
インピーダンスをZ0、導体線路36および38と結合
用ストリップ24との間の奇モードの特性インピーダン
スをZodd、導体線路36および38と結合用ストリ
ップ24との間の偶モードの特性インピーダンスをZe
venとするとき、 Z0=(Zeven−Zodd)/2 (1) が成り立つように設定されているのがよい。第1導体線
路36、第2導体線路38、結合用ストリップ24およ
びオーバーレイ誘電体22の各サイズが(1)式を満足
するように設定されているとき、結合用ストリップ24
と第1導体線路36との間のインピーダンスが整合さ
れ、また、結合用ストリップ24と第2導体線路38と
の間のインピーダンスが整合されるので、結合用ストリ
ップ24と第1導体線路36との間の電圧反射率および
結合用ストリップ24と第2導体線路38との間の電圧
反射率を0にすることができる。従って、結合用ストリ
ップ24を介して第1および第2導体線路36および3
8の間をマイクロ波信号が導波するときに、このマイク
ロ波信号のエネルギーの損失を低減することが可能であ
るから、さらに伝搬特性を向上させることが期待でき
る。
Also preferably, the orthogonal projection regions 44 and 4 are
The widths W 1 and W 2 of the conductor lines 36 and 38 and the coupling strip 24 and the thickness S of the overlay dielectric 22 included in each of the six conductors 36 and 38 make the characteristic impedance of the conductor lines 36 and 38 Z0, and The odd mode characteristic impedance between the coupling strip 24 and the coupling strip 24 is Zodd, and the even mode characteristic impedance between the conductor lines 36 and 38 and the coupling strip 24 is Ze.
When it is set as ven, it is preferable that Z0 = (Zeven-Zodd) / 2 (1) is set. When the sizes of the first conductor line 36, the second conductor line 38, the coupling strip 24, and the overlay dielectric 22 are set so as to satisfy the expression (1), the coupling strip 24
Since the impedance between the coupling strip 24 and the first conductor line 36 is matched, and the impedance between the coupling strip 24 and the second conductor line 38 is matched, the coupling strip 24 and the first conductor line 36 are matched. The voltage reflectivity between them and the voltage reflectivity between the coupling strip 24 and the second conductor line 38 can be zero. Therefore, the first and second conductor lines 36 and 3 are connected via the coupling strip 24.
It is possible to reduce the energy loss of the microwave signal when the microwave signal is guided between 8 and therefore, it is expected to further improve the propagation characteristics.

【0033】[第3の実施の形態]図3は、第3の実施
の形態の構成を示す図である。図3の(B)に斜視図を
示し、図3の(A)に図3の(B)のa−a線の位置で
切って取った断面の図を示している。この図に示される
ように、第3の構成例は、第1および第2正射影領域4
4および46の間のギャップ領域48に含まれる下地金
属板10がオーバーレイ誘電体22の下面に接している
構成である。尚、第1の実施の形態の構成と重複する構
成については説明を省略する。
[Third Embodiment] FIG. 3 is a diagram showing the configuration of the third embodiment. 3B shows a perspective view, and FIG. 3A shows a cross-sectional view taken along the line aa in FIG. 3B. As shown in this figure, the third configuration example includes the first and second orthogonal projection regions 4
The base metal plate 10 included in the gap region 48 between 4 and 46 is in contact with the lower surface of the overlay dielectric 22. The description of the same configuration as that of the first embodiment will not be repeated.

【0034】この実施の形態の構成は、第1の実施の形
態と同様に第1チップ28および第2チップ30を下地
金属板10の上に設けた構成であるが、この下地金属板
10の形状が異なっている。この下地金属板10には凸
部50が存在し、この凸部50の対向する側面を両側か
ら挟んだ格好で各チップ28および30が取りつけられ
ている。従って、この下地金属板10を用いた場合に
は、第1および第2チップ28および30の間の間隔が
一定となり、チップの位置決めを行うのが容易である。
The structure of this embodiment is similar to that of the first embodiment in that the first chip 28 and the second chip 30 are provided on the base metal plate 10. The shapes are different. The base metal plate 10 has a convex portion 50, and the chips 28 and 30 are attached in such a manner that opposite side surfaces of the convex portion 50 are sandwiched from both sides. Therefore, when the base metal plate 10 is used, the distance between the first and second chips 28 and 30 becomes constant, and the chips can be easily positioned.

【0035】また、この実施の形態のオーバーレイ誘電
体22は、2つの導体線路36および38の第1および
第2線路領域42および44の全体を直接覆うように設
けられていて、加えて、第1および第2線路領域42お
よび44の間の領域であるギャップ領域48(図3の矢
印L3 で示される範囲の領域)に含まれるオーバーレイ
誘電体22の下面を下地金属板10の凸部50の上面に
接した状態となっている構成である。このように、オー
バーレイ誘電体22で第1および第2導体線路36およ
び38の間を橋絡している。
Further, the overlay dielectric 22 of this embodiment is provided so as to directly cover the entire first and second line regions 42 and 44 of the two conductor lines 36 and 38, and in addition, The lower surface of the overlay dielectric 22 included in the gap region 48 (the region within the range indicated by the arrow L 3 in FIG. 3) that is the region between the first and second line regions 42 and 44 is provided with the convex portion 50 of the underlying metal plate 10. Is in contact with the upper surface of the. Thus, the overlay dielectric 22 bridges between the first and second conductor lines 36 and 38.

【0036】この構成例の結合用ストリップ24は、第
1および第2正射影領域44および46における幅W2
と、ギャップ領域48に含まれる結合用ストリップ24
の部分の幅W4 とが異なっている。この幅W4 とオーバ
ーレイ誘電体22の厚さS2(ギャップ領域48に含ま
れる部分の厚さ)の設定により、結合用ストリップ24
の特性インピーダンスを各導体線路36および38の特
性インピーダンスに整合させることができる。この実施
の形態では、結合用ストリップの幅W2 は、第1および
第2導体線路36および38の幅W1 と同じ幅に設定し
ている。また、この構成例のオーバーレイ誘電体22の
幅W3 は、結合用ストリップ24の幅W 2 の2倍程度で
ある。そして、オーバーレイ誘電体22の線路領域40
および42上の厚さS1 は、結合用ストリップ24と第
1および第2導体線路36および38の間を分布結合す
るために、第1および第2誘電体基板14および16の
厚さよりも薄くしてある。
The connecting strip 24 of this structural example is
Width W in the first and second orthographic projection regions 44 and 46Two 
And the coupling strip 24 included in the gap region 48
Width WFour Is different from. This width WFour And over
-Thickness S of Ray Dielectric 22Two(Included in the gap region 48
The thickness of the part to be connected) is set according to
Characteristic impedance of each conductor line 36 and 38
Can be matched to the sex impedance. This practice
In the form of, the width W of the coupling strip isTwo Is the first and
Width W of the second conductor lines 36 and 381 Set the same width as
ing. In addition, the overlay dielectric 22 of this configuration example
Width WThree Is the width W of the connecting strip 24 Two About twice
is there. Then, the line region 40 of the overlay dielectric 22
And the thickness S on 421 Is the connecting strip 24 and the
Distributed coupling between the first and second conductor lines 36 and 38
Of the first and second dielectric substrates 14 and 16
It is thinner than the thickness.

【0037】以上説明した通り、この第3の構成例で
は、第1導体線路36と結合用ストリップ24との間が
分布結合し、第2導体線路38と結合用ストリップ24
との間が分布結合する。よって、第1および第2導体線
路36および38の間が結合用ストリップ24を介して
分布結合するから、従来、結合に用いられていたワイヤ
が不要となり、導体線路間を結合するときに、これらに
直列(シリーズ)にインダクタンスが挿入されてしまう
ことがない。よって、結合用ストリップ24および接地
導体10によって第1および第2マイクロストリップラ
イン18および20の間が高周波的に結合するから、導
波されるマイクロ波信号の劣化がない。また、チップと
チップの間隔が下地金属板の形状のために一義的に定ま
るから容易チップを下地金属板上に位置決めすることが
可能になり、また、この間隔のバラツキに起因するマイ
クロ波回路の特性のバラツキを抑えることができる。
As described above, in this third configuration example, the first conductor line 36 and the coupling strip 24 are distributed-coupled, and the second conductor line 38 and the coupling strip 24 are distributed.
And are distributed and coupled. Therefore, since the first and second conductor lines 36 and 38 are distributed and coupled via the coupling strip 24, the wire conventionally used for coupling is unnecessary, and when the conductor lines are coupled, these wires are not necessary. Inductance is not inserted in series. Therefore, since the coupling strip 24 and the ground conductor 10 couple the first and second microstrip lines 18 and 20 at high frequencies, there is no deterioration of the guided microwave signal. Further, since the interval between the chips is uniquely determined by the shape of the underlying metal plate, it is possible to easily position the chip on the underlying metal plate, and the microwave circuit caused by the variation in the interval can be used. It is possible to suppress variations in characteristics.

【0038】[第4の実施の形態]次に、第4の実施の
形態の構成につき、図3を参照して説明する。この第4
の実施の形態の構成は、所望の周波数帯域の中心周波数
に相当する波長をλとするとき、正射影領域44および
46の配列方向pの長さがnλ/4(但し、nは奇数)
に設定され、かつ、ギャップ領域48に含まれる結合用
ストリップ24の配列方向pの長さがnλ/2に設定さ
れている構成である。
[Fourth Embodiment] Next, the configuration of the fourth embodiment will be described with reference to FIG. This fourth
In the configuration of the embodiment, when the wavelength corresponding to the center frequency of the desired frequency band is λ, the lengths of the orthogonal projection regions 44 and 46 in the arrangement direction p are nλ / 4 (where n is an odd number).
And the length of the coupling strip 24 included in the gap region 48 in the arrangement direction p is set to nλ / 2.

【0039】第1および第3の実施の形態で説明した通
り、第1導体線路36と結合用ストリップ24との間が
分布結合し、第2導体線路38と結合用ストリップ24
との間が分布結合しており、従って、第1導体線路36
と第2導体線路38との間が分布結合している。上述の
ように、正射影領域44および46のサイズとギャップ
領域48に含まれる結合用ストリップ24のサイズとを
設定すると、導波するマイクロ波信号の波長がλの場合
には、第1導体線路36と第2導体線路38との間が、
波長λに対応する周波数f0 で短絡される(文献II)。
As described in the first and third embodiments, the first conductor line 36 and the coupling strip 24 are distributed-coupled, and the second conductor line 38 and the coupling strip 24 are distributed.
Is distributedly coupled to the first conductor line 36.
And the second conductor line 38 are distributedly coupled. As described above, when the sizes of the orthogonal projection regions 44 and 46 and the size of the coupling strip 24 included in the gap region 48 are set, when the wavelength of the guided microwave signal is λ, the first conductor line is formed. Between 36 and the second conductor line 38,
It is short-circuited at the frequency f 0 corresponding to the wavelength λ (reference II).

【0040】このことは図2に示すように、マイクロ波
信号の伝搬特性は周波数f0 において0dBとなり、従
って損失が0となり、周波数f0 を中心周波数とする通
過帯域型のフィルタ特性を示すようになる。よって、こ
の第4の構成例によれば、従来のようにインダクタンス
の付加がないから伝搬特性が劣化せずに高周波的に第1
および第2マイクロストリップライン間を結合すること
ができ、所望の周波数のマイクロ波信号を損失が無い状
態で個別のチップ間を導波させることが可能であるか
ら、ミリ波帯のような高い周波数帯域における伝搬特性
が向上する。
This means that, as shown in FIG. 2, the propagation characteristic of the microwave signal becomes 0 dB at the frequency f 0 , and therefore the loss becomes 0, which indicates the pass band type filter characteristic having the frequency f 0 as the center frequency. become. Therefore, according to the fourth configuration example, since the inductance is not added unlike the conventional case, the propagation characteristic is not deteriorated and the first characteristic is applied in high frequency.
Since it is possible to couple between the second microstrip line and the microwave signal of a desired frequency can be guided between the individual chips without loss, a high frequency such as a millimeter wave band can be obtained. The propagation characteristic in the band is improved.

【0041】尚、奇数nには、1、3、5という具合に
適当に奇数の値を設定することができるが、なるべく次
数が低い場合すなわちn=1のときが最適である。
It should be noted that the odd number n can be set to an appropriate odd number such as 1, 3, and 5, but it is optimal when the order is as low as possible, that is, when n = 1.

【0042】また、好適には、正射影領域44および4
6のそれぞれに含まれる導体線路36、38、結合用ス
トリップ24の幅W1 、W2 、オーバーレイ誘電体22
の厚さS1 と、ギャップ領域48に含まれる結合用スト
リップの幅W4 、オーバーレイ誘電体22の厚さS2
が、導体線路36および38の特性インピーダンスをZ
0、導体線路36および38と結合用ストリップ24と
の間の奇モードの特性インピーダンスをZodd、導体
線路36および38と結合用ストリップ24との間の偶
モードの特性インピーダンスをZevenとするとき、
上述の(1)が成り立つように設定されているのがよ
い。第1導体線路36、第2導体線路38、結合用スト
リップ24およびオーバーレイ誘電体22の各サイズ
(および下地金属板10の凸部50のサイズ)が(1)
式を満足するように設定されているとき、結合用ストリ
ップ24と第1導体線路36との間のインピーダンスが
整合され、また、結合用ストリップ24と第2導体線路
38との間のインピーダンスが整合されるので、結合用
ストリップ24と第1導体線路36との間の電圧反射率
および結合用ストリップ24と第2導体線路38との間
の電圧反射率を0にすることができる。従って、結合用
ストリップ24を介して第1および第2導体線路36お
よび38の間をマイクロ波信号が導波するときに、この
マイクロ波信号のエネルギーの損失を低減することが可
能であるから、さらに伝搬特性を向上させることが期待
できる。
Also, preferably, the orthogonal projection regions 44 and 4 are
6, the conductor lines 36 and 38, the widths W 1 and W 2 of the coupling strip 24, and the overlay dielectric 22, respectively.
Thickness S 1 , the width W 4 of the coupling strip contained in the gap region 48, and the thickness S 2 of the overlay dielectric 22 make the characteristic impedance of the conductor lines 36 and 38 Z.
0, Zodd is the odd-mode characteristic impedance between the conductor lines 36 and 38 and the coupling strip 24, and Zeven is the even-mode characteristic impedance between the conductor lines 36 and 38 and the coupling strip 24.
It is preferable that the above-mentioned (1) is set. The sizes of the first conductor line 36, the second conductor line 38, the coupling strip 24, and the overlay dielectric 22 (and the size of the convex portion 50 of the base metal plate 10) are (1).
When set to satisfy the equation, the impedance between the coupling strip 24 and the first conductor line 36 is matched, and the impedance between the coupling strip 24 and the second conductor line 38 is matched. Therefore, the voltage reflectance between the coupling strip 24 and the first conductor line 36 and the voltage reflectance between the coupling strip 24 and the second conductor line 38 can be made zero. Therefore, when the microwave signal is guided between the first and second conductor lines 36 and 38 through the coupling strip 24, it is possible to reduce the energy loss of the microwave signal. It can be expected to further improve the propagation characteristics.

【0043】[0043]

【発明の効果】この発明のマイクロ波回路によれば、オ
ーバーレイ誘電体と結合用ストリップとを従来のワイヤ
の代わりに具えることにより、導体線路の間を分布結合
させることが可能である、従って、従来に問題となって
いたインダクタンスの付加が無くなり、接地導体間を結
合する下地金属板と相俟って、分布定数線路の間を高周
波的に接続することが可能になる。
According to the microwave circuit of the present invention, it is possible to provide a distributed coupling between conductor lines by providing an overlay dielectric and a coupling strip instead of conventional wires. The addition of inductance, which has been a problem in the past, is eliminated, and it becomes possible to connect the distributed constant lines at high frequencies in combination with the underlying metal plate that couples the ground conductors.

【0044】また、この発明のマイクロ波回路によれ
ば、所望の周波数帯域の中心周波数に相当する波長をλ
とするとき、正射影領域の配列方向の長さをnλ/4
(但し、nは奇数)に設定することにより、結合用スト
リップを介して導体線路の間が短絡され、マイクロ波信
号の伝搬特性はこの周波数を中心周波数とする帯域通過
型のフィルタ特性を示すようになる。従って、インダク
タンスの付加も無く、マイクロ波回路の特性の劣化が起
こらないから、分布定数線路を高周波的に結合すること
が可能になる。
Further, according to the microwave circuit of the present invention, the wavelength corresponding to the center frequency of the desired frequency band is set to λ.
, The length of the orthogonal projection region in the array direction is nλ / 4
By setting (where n is an odd number), the conductor lines are short-circuited via the coupling strip, and the propagation characteristics of the microwave signal show a band-pass type filter characteristic with this frequency as the center frequency. become. Therefore, since the inductance is not added and the characteristics of the microwave circuit are not deteriorated, it is possible to couple the distributed constant lines at high frequencies.

【0045】また、この発明のマイクロ波回路によれ
ば、正射影領域に含まれる導体線路、結合用ストリップ
およびオーバーレイ誘電体の各サイズが、導体線路の特
性インピーダンスをZ0、導体線路と結合用ストリップ
との間の奇モードの特性インピーダンスをZodd、導
体線路と結合用ストリップとの間の偶モードの特性イン
ピーダンスをZevenとするとき、 Z0=(Zeven−Zodd)/2 が成り立つように設定することにより、結合用ストリッ
プと各導体線路との間のインピーダンスが整合されるか
ら、結合用ストリップと各導体線路との間の電圧反射率
を0に設定することができる。従って、結合用ストリッ
プを介して導体線路間をマイクロ波信号が導波するとき
に、マイクロ波信号のエネルギーの損失がない。
Further, according to the microwave circuit of the present invention, the conductor lines, the coupling strips and the overlay dielectrics included in the orthogonal projection region have respective sizes such that the characteristic impedance of the conductor lines is Z0, the conductor lines and the coupling strips. Let Zodd be the odd-mode characteristic impedance between and, and Zeven be the even-mode characteristic impedance between the conductor line and the coupling strip. By setting Z0 = (Zeven-Zodd) / 2, Since the impedance between the coupling strip and each conductor line is matched, the voltage reflectance between the coupling strip and each conductor line can be set to zero. Therefore, when the microwave signal is guided between the conductor lines through the coupling strip, there is no energy loss of the microwave signal.

【0046】また、この発明のマイクロ波回路によれ
ば、正射影領域の間のギャップ領域に含まれる下地金属
板がオーバーレイ誘電体の下面に接した構成とすること
により、チップとチップの間隔が下地金属板の形状のた
めに一義的に定まるからチップを下地金属板上に容易に
位置決めすることが可能になり、また、この間隔のバラ
ツキに起因するマイクロ波回路の特性のバラツキを抑え
ることができる。
Further, according to the microwave circuit of the present invention, since the underlying metal plate included in the gap region between the orthogonal projection regions is in contact with the lower surface of the overlay dielectric, the distance between the chips is reduced. Since it is uniquely determined by the shape of the base metal plate, it is possible to easily position the chip on the base metal plate, and it is possible to suppress variations in the characteristics of the microwave circuit due to variations in this interval. it can.

【0047】また、この発明のマイクロ波回路によれ
ば、所望の周波数帯域の中心周波数に相当する波長をλ
とするとき、正射影領域の配列方向の長さがnλ/4
(但し、nは奇数)に設定さて、かつ、ギャップ領域に
含まれる結合用ストリップの配列方向の長さがnλ/2
に設定されているから、波長λに相当する周波数におい
て結合用ストリップを介して導体線路間が高周波数的に
短絡され、このとき導波するマイクロ波信号の伝搬特性
はこの周波数を中心周波数とする帯域通過型のフィルタ
特性を示すようになる。従って、インダクタンスの付加
も無く、マイクロ波回路の特性の劣化が起こらないか
ら、分布定数線路を高周波的に結合することが可能にな
る。
According to the microwave circuit of the present invention, the wavelength corresponding to the center frequency of the desired frequency band is set to λ.
, The length of the orthogonal projection region in the array direction is nλ / 4.
(Where n is an odd number), and the length of the coupling strips included in the gap region in the arrangement direction is nλ / 2.
Therefore, the conductor lines are short-circuited at a high frequency through the coupling strip at the frequency corresponding to the wavelength λ, and the propagation characteristics of the microwave signal guided at this time are centered at this frequency. The band-pass filter characteristic is exhibited. Therefore, since the inductance is not added and the characteristics of the microwave circuit are not deteriorated, it is possible to couple the distributed constant lines at high frequencies.

【0048】また、この発明のマイクロ波回路によれ
ば、正射影領域およびギャップ領域に含まれる導体線
路、結合用ストリップおよびオーバーレイ誘電体の各サ
イズが、導体線路の特性インピーダンスをZ0、導体線
路と結合用ストリップとの間の奇モードの特性インピー
ダンスをZodd、導体線路と結合用ストリップとの間
の偶モードの特性インピーダンスをZevenとすると
き、 Z0=(Zeven−Zodd)/2 が成り立つように設定することにより、結合用ストリッ
プと各導体線路との間のインピーダンスが整合されるか
ら、結合用ストリップと各導体線路との間の電圧反射率
を0に設定することができる。従って、結合用ストリッ
プを介して導体線路間をマイクロ波信号が導波するとき
に、マイクロ波信号のエネルギーの損失がない。
According to the microwave circuit of the present invention, the conductor line, the coupling strip, and the overlay dielectric included in the orthogonal projection region and the gap region have the characteristic impedance Z0 and the conductor line, respectively. When the odd mode characteristic impedance between the coupling strip and the even mode characteristic impedance between the conductor line and the coupling strip is Zodd, Z0 = (Zeven-Zodd) / 2 is set to hold. By doing so, the impedance between the coupling strip and each conductor line is matched, so that the voltage reflectance between the coupling strip and each conductor line can be set to zero. Therefore, when the microwave signal is guided between the conductor lines through the coupling strip, there is no energy loss of the microwave signal.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】第1の実施の形態の構成を示す図である。FIG. 1 is a diagram illustrating a configuration of a first embodiment.

【図2】実施の形態の信号伝搬特性を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a signal propagation characteristic of the embodiment.

【図3】第3の実施の形態の構成を示す図である。FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration of a third embodiment.

【図4】従来の構成を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a conventional configuration.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10:下地金属板 12:第1接地導体 13:第2接地導体 14:第1誘電体基板 16:第2誘電体基板 18:第1マイクロストリップライン 20:第2マイクロストリップライン 22:オーバーレイ誘電体 24:結合用ストリップ 26:ワイヤ 28:第1チップ 30:第2チップ 32:第1分布定数線路 34:第2分布定数線路 36:第1導体線路 38:第2導体線路 40:第1線路領域 42:第2線路領域 44:第1正射影領域 46:第2正射影領域 48:ギャップ領域 50:凸部 10: Base Metal Plate 12: First Grounding Conductor 13: Second Grounding Conductor 14: First Dielectric Substrate 16: Second Dielectric Substrate 18: First Microstrip Line 20: Second Microstripline 22: Overlay Dielectric 24: Coupling strip 26: Wire 28: First chip 30: Second chip 32: First distributed constant line 34: Second distributed constant line 36: First conductor line 38: Second conductor line 40: First line region 42: 2nd track | line area 44: 1st orthogonal projection area 46: 2nd orthogonal projection area 48: Gap area 50: Convex part

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 導体線路、誘電体基板および接地導体か
ら構成された分布定数線路をそれぞれ具える2つのチッ
プを下地金属板に設けることにより、前記接地導体を前
記下地金属板で以て結合して前記導体線路が直線的に配
列するように集積して成るマイクロ波回路において、 2つの前記導体線路のうち、互いに対向する側の前記配
列方向に沿った線路領域の全体を少なくとも直接覆うよ
うに設けられたオーバーレイ誘電体と、 該オーバーレイ誘電体上に直接設けられていて、2つの
前記線路領域のそれぞれ前記オーバーレイ誘電体の上面
に対する正射影領域を結合する結合用ストリップとを具
えることを特徴とするマイクロ波回路。
1. A ground metal plate is provided with two chips each having a distributed constant line composed of a conductor line, a dielectric substrate and a ground conductor, whereby the ground conductor is coupled with the ground metal plate. In a microwave circuit integrated so that the conductor lines are linearly arranged, at least directly covering at least the entire line regions along the arrangement direction on the opposite sides of the two conductor lines. An overlay dielectric provided, and a coupling strip directly on the overlay dielectric that couples each of the two line regions to an orthographic region of the top surface of the overlay dielectric. And microwave circuit.
【請求項2】 請求項1に記載のマイクロ波回路におい
て、 所望の周波数帯域の中心周波数に相当する波長をλとす
るとき、前記正射影領域の前記配列方向の長さがnλ/
4(但し、nは奇数)に設定されていることを特徴とす
るマイクロ波回路。
2. The microwave circuit according to claim 1, wherein when the wavelength corresponding to the center frequency of the desired frequency band is λ, the length of the orthogonal projection region in the array direction is nλ /
A microwave circuit, wherein the microwave circuit is set to 4 (where n is an odd number).
【請求項3】 請求項1に記載のマイクロ波回路におい
て、 前記正射影領域に含まれる導体線路および結合用ストリ
ップの幅ならびに前記オーバーレイ誘電体の厚さが、前
記導体線路の特性インピーダンスをZ0、前記導体線路
と前記結合用ストリップとの間の奇モードの特性インピ
ーダンスをZodd、前記導体線路と前記結合用ストリ
ップとの間の偶モードの特性インピーダンスをZeve
nとするとき、 Z0=(Zeven−Zodd)/2 が成り立つように設定されていることを特徴とするマイ
クロ波回路。
3. The microwave circuit according to claim 1, wherein the width of the conductor line and the coupling strip included in the orthogonal projection region and the thickness of the overlay dielectric make the characteristic impedance of the conductor line Z0, The odd mode characteristic impedance between the conductor line and the coupling strip is Zodd, and the even mode characteristic impedance between the conductor line and the coupling strip is Zeve.
A microwave circuit, wherein Z0 = (Zeven-Zodd) / 2 when n is set.
【請求項4】 請求項1に記載のマイクロ波回路におい
て、 前記正射影領域の間の前記ギャップ領域に含まれる前記
下地金属板が前記オーバーレイ誘電体の下面に接してい
ることを特徴とするマイクロ波回路。
4. The microwave circuit according to claim 1, wherein the underlying metal plate included in the gap region between the orthogonal projection regions is in contact with a lower surface of the overlay dielectric. Wave circuit.
【請求項5】 請求項4に記載のマイクロ波回路におい
て、 所望の周波数帯域の中心周波数に相当する波長をλとす
るとき、前記正射影領域の前記配列方向の長さがnλ/
4(但し、nは奇数)に設定され、かつ、前記ギャップ
領域に含まれる前記結合用ストリップの前記配列方向の
長さがnλ/2に設定されていることを特徴とするマイ
クロ波回路。
5. The microwave circuit according to claim 4, wherein when the wavelength corresponding to the center frequency of the desired frequency band is λ, the length of the orthogonal projection region in the array direction is nλ /
4 (where n is an odd number) and the length of the coupling strips included in the gap region in the arrangement direction is set to nλ / 2.
【請求項6】 請求項5に記載のマイクロ波回路におい
て、 前記正射影領域に含まれる導体線路および結合用ストリ
ップの幅ならびに前記オーバーレイ誘電体の厚さと、前
記ギャップ領域に含まれる結合用ストリップの幅および
前記オーバーレイ誘電体の厚さとが、前記導体線路の特
性インピーダンスをZ0、前記導体線路と前記結合用ス
トリップとの間の奇モードの特性インピーダンスをZo
dd、前記導体線路と前記結合用ストリップとの間の偶
モードの特性インピーダンスをZevenとするとき、 Z0=(Zeven−Zodd)/2 が成り立つように設定されていることを特徴とするマイ
クロ波回路。
6. The microwave circuit according to claim 5, wherein the width of the conductor line and the coupling strip included in the orthogonal projection region, the thickness of the overlay dielectric, and the coupling strip included in the gap region. The width and the thickness of the overlay dielectric make the characteristic impedance of the conductor line Z0 and the odd mode characteristic impedance between the conductor line and the coupling strip Zo.
dd, when the even mode characteristic impedance between the conductor line and the coupling strip is Zeven, it is set such that Z0 = (Zeven-Zodd) / 2. .
【請求項7】 請求項1から請求項6のいずれか一項に
記載のマイクロ波回路において、 前記分布定数線路をマイクロストリップラインとしたこ
とを特徴とするマイクロ波回路。
7. The microwave circuit according to any one of claims 1 to 6, wherein the distributed constant line is a microstrip line.
JP8137244A 1996-05-30 1996-05-30 Microwave circuit Withdrawn JPH09321505A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8137244A JPH09321505A (en) 1996-05-30 1996-05-30 Microwave circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP8137244A JPH09321505A (en) 1996-05-30 1996-05-30 Microwave circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH09321505A true JPH09321505A (en) 1997-12-12

Family

ID=15194147

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP8137244A Withdrawn JPH09321505A (en) 1996-05-30 1996-05-30 Microwave circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH09321505A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11220311A (en) * 1998-02-03 1999-08-10 Toshiba Corp Microwave circuit device
WO2012111938A3 (en) * 2011-02-14 2012-11-29 주식회사 케이엠더블유 Stripline connection apparatus
JP2014520483A (en) * 2011-06-22 2014-08-21 ザ・ボーイング・カンパニー Multi-conductor transmission line with integrated control RF supply network
US10205211B2 (en) 2015-09-14 2019-02-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Thermal insulation waveguide and wireless communication device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11220311A (en) * 1998-02-03 1999-08-10 Toshiba Corp Microwave circuit device
WO2012111938A3 (en) * 2011-02-14 2012-11-29 주식회사 케이엠더블유 Stripline connection apparatus
CN103380536A (en) * 2011-02-14 2013-10-30 株式会社Kmw Stripline connection apparatus
JP2014520483A (en) * 2011-06-22 2014-08-21 ザ・ボーイング・カンパニー Multi-conductor transmission line with integrated control RF supply network
US10205211B2 (en) 2015-09-14 2019-02-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Thermal insulation waveguide and wireless communication device

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0848447B1 (en) Transmission circuit using strip line in three dimensions
US5955931A (en) Chip type filter with electromagnetically coupled resonators
JPH05160614A (en) Chip type directional coupler
JP2004112131A (en) Flat circuit waveguide connection structure
US20010040490A1 (en) Transmission line and transmission line resonator
EP1798806A1 (en) Apparatus for Converting Transmission Structure
US6781488B2 (en) Connected construction of a high-frequency package and a wiring board
JPH09321505A (en) Microwave circuit
US7525397B2 (en) Stripline directional coupler having a wide coupling gap
JP2000165116A (en) Directional coupler
US20210013579A1 (en) Directional coupler
JPH05335815A (en) Waveguide-microstrip converter
JPH0537213A (en) Microwave coupling line
JPH07120888B2 (en) Multi-plane waveguide coupler
JPH10107514A (en) High frequency circuit board
JPH1013113A (en) Connecting method for distributed constant lines and microwave circuit
JPH08195606A (en) Microwave coupling line
JPH06216613A (en) Microwave coupling line
JPH03296304A (en) Directional coupler
JPH05199034A (en) Microstrip antenna
JPH11340709A (en) Circuit board and electronic device using the circuit board
JP2988599B2 (en) Wiring board and high-speed IC package
JP3972045B2 (en) Multilayer Lange coupler
JP3087689B2 (en) Connection method between substrates for transmitting microwave and millimeter wave band signals
JPH07221215A (en) Bare module package

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20030805