JPH09319310A - Plane type image forming device - Google Patents

Plane type image forming device

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JPH09319310A
JPH09319310A JP8129891A JP12989196A JPH09319310A JP H09319310 A JPH09319310 A JP H09319310A JP 8129891 A JP8129891 A JP 8129891A JP 12989196 A JP12989196 A JP 12989196A JP H09319310 A JPH09319310 A JP H09319310A
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JP
Japan
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screen
image forming
forming apparatus
electron
screen protection
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JP8129891A
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Japanese (ja)
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Tomokazu Ando
友和 安藤
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a plane type image forming device which prevents a fall in an emergency or by carelessness, etc., and the damage of a screen by external force, etc., and has a light-weight screen-protecting means by operating the screen protecting means according to a control signal. SOLUTION: The screen protecting means 3 is composed of a screen protecting member 3a for protecting the screen, a driving means 3b and a control circuit 3c. The material of the screen protecting member 3a is a lightweight material, such as resin or rubber, which has high elasticity and impact absorptivity. In case a power source is stopped without previous notice in the event of emergency, etc., electric power is supplied to the screen protecting means 3 by an independent power source 5 and the screen protecting means actuation signal generator in the screen protecting means 3 is automatically triggered and the screen protecting means 3a covers the screen. An on-control signal is sent to a driving means 3b and the screen protecting member 3a automatically covers the screen when a sensor 4 senses oscillation or vibration exceeding a predetermined level. Then, the damage of the screen and the failure of a display panel are prevented.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は平板型画像形成装
置、特に表面伝導型電子放出素子を用いた平板型画像形
成装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flat panel image forming apparatus, and more particularly to a flat panel image forming apparatus using a surface conduction electron-emitting device.

【０００２】[0002]

【従来の技術】従来、平板型画像形成装置としては、電
子放出素子を用いた平板型画像形成装置、プラズマ放電
を用いた平板型画像形成装置、液晶を用いた平板型画像
形成装置などが普及している。平板型画像形成装置は、
画面サイズが同じＣＲＴよりも装置の厚さが薄く、軽量
であることを特徴としている。2. Description of the Related Art Conventional flat panel image forming apparatuses include flat panel image forming apparatuses using electron-emitting devices, flat panel image forming apparatuses using plasma discharge, and flat panel image forming apparatuses using liquid crystal. are doing. The flat panel image forming apparatus is
The device is thinner and lighter than a CRT with the same screen size.

【０００３】また、表示パネルの外囲器を構成するフェ
ースープレートとリアプレートとの間に、スペーサー
（耐大気圧支持部材）とよばれる支持体を設置すること
により、大気圧に対して十分な強度をもつ外囲器が構成
され、これにより、フェースプレートの板厚を数ミリと
薄くしても、真空容器としては十分な強度を得ることが
でき、薄型で軽量な平板型画像形成装置を製造すること
が可能である。Further, by installing a support member called a spacer (atmospheric pressure resistant support member) between the face plate and the rear plate which constitute the envelope of the display panel, it is possible to sufficiently prevent atmospheric pressure. A thin and lightweight flat panel image forming apparatus that can provide sufficient strength as a vacuum container even if the face plate is thinned to a few millimeters. It is possible to manufacture

【０００４】図１４に、従来の平板型画像形成装置の概
略断面図を示す。同図において、２０１は表示パネル、
２０２は画面、２０３は透明な画面保護板である。FIG. 14 shows a schematic sectional view of a conventional flat plate type image forming apparatus. In the figure, 201 is a display panel,
Reference numeral 202 is a screen, and 203 is a transparent screen protection plate.

【０００５】従来、画面を保護するためには、厚くて透
明な板、例えばガラス板やアクリル板などを画面（２０
２）の前面に画面保護板（２０３）として配置するなど
の手段を用いていた。Conventionally, in order to protect the screen, a thick and transparent plate such as a glass plate or an acrylic plate is used for the screen (20).
A means such as arranging as a screen protection plate (203) on the front surface of 2) was used.

【０００６】次に、電子放出素子についての従来の技術
を説明する。従来、電子放出素子は、大別して熱電子放
出素子と冷陰極電子放出素子の２種類が知られている。
冷陰極電子放出素子には、電界放出型（以下「ＦＥ型」
という。）、金属／絶縁層／金属型（以下「ＭＩＭ型」
という。）、表面伝導型電子放出素子型などがある。Ｆ
Ｅ型の例としてはW.P.Dyke & W.W.Doran,"Field Emissi
on",Advance in Electron Physics,8.89(1956)或いはC.
A.Spindt "Physical Properties of thin-film field e
mission cathodes with molybdenium cones",J.Appl.Ph
ys.,47,5248(1976)等に開示されたものが知られてい
る。ＭＩＭ型の例としては、C.A.Mead,"Operation of T
unnel-Emission Devices",J.Appl.Phys.,32,646(1961)
等に開示されたものが知られている。表面伝導型電子放
出素子型の例としては、M.I.Elinson,Radio Eng.Electr
on Phys.,10.1290(1965)等に開示されたものがある。Next, a conventional technique for the electron-emitting device will be described. Conventionally, two types of electron-emitting devices are known, that is, a thermoelectron-emitting device and a cold cathode electron-emitting device.
The cold cathode electron-emitting device includes a field emission type (hereinafter referred to as “FE type”).
Say. ), Metal / insulating layer / metal type (hereinafter “MIM type”)
Say. ), And a surface conduction electron-emitting device type. F
Examples of E type are WP Dyke & WWDoran, "Field Emissi
on ", Advance in Electron Physics, 8.89 (1956) or C.
A.Spindt "Physical Properties of thin-film field e
mission cathodes with molybdenium cones ", J.Appl.Ph
The one disclosed in ys., 47, 5248 (1976) is known. As an example of the MIM type, CAMead, "Operation of T
unnel-Emission Devices ", J.Appl.Phys., 32,646 (1961)
And the like are known. Examples of the surface conduction electron-emitting device type include MIElinson, Radio Eng. Electr
on Phys., 10.1290 (1965) and the like.

【０００７】表面伝導型電子放出素子は、基板上に形成
された小面積の薄膜に、膜面に平行に電流を流すことに
より電子が放出される。この表面伝導型電子放出素子と
しては、前記エリンソン等によるＳｎＯ2薄膜を用いた
もの、Ａｕ薄膜によるもの（G.Dittmer,Thin Solid Fil
ms,9,317(1972)）、Ｉｎ2Ｏ3／ＳｎＯ2薄膜によるもの
（M.Hartwell and C.G.Fonstad,IEEE Trans.ED Conf.,5
19(1975)）、カーボン薄膜によるもの（荒木 久 他、
真空、第２６巻、第１号、２２頁（１９８３））等が報
告されている。In the surface conduction electron-emitting device, electrons are emitted by passing a current through a small area thin film formed on a substrate in parallel with the film surface. As the surface conduction electron-emitting device, one using a SnO 2 thin film by the above-mentioned Erinson, one using an Au thin film (G. Dittmer, Thin Solid Film) is used.
ms, 9,317 (1972)), In 2 O 3 / SnO 2 thin film (M. Hartwell and CGFonstad, IEEE Trans.ED Conf., 5
19 (1975)), by carbon thin film (Hiraki Araki et al.,
Vacuum, Vol. 26, No. 1, p. 22 (1983)) and the like are reported.

【０００８】図１５に、これらの表面伝導型電子放出素
子の典型的な例として前述のＭ．ハートウェルの素子構
成を模式的に示す。同図において３０１は基板であり、
３０２は、Ｈ型形状のパターンにスパッタで形成された
金属酸化物等からなる導電性薄膜である。この導電性薄
膜（３０２）には、後述の通電フォーミングと呼ばれる
通電処理により電子放出部（３０３）が形成される。な
お、図中の間隔Ｌaは０．５〜１mm、Ｗaは０．１mm程度
に設定される。FIG. 15 shows a typical example of these surface conduction electron-emitting devices, which is described in the above-mentioned M. The element structure of Hartwell is shown typically. In the figure, 301 is a substrate,
Reference numeral 302 denotes a conductive thin film made of metal oxide or the like formed by sputtering in an H-shaped pattern. An electron emitting portion (303) is formed on the conductive thin film (302) by an energization process called energization forming described later. The interval La in the figure is set to 0.5 to 1 mm and Wa is set to about 0.1 mm.

【０００９】従来、これらの表面伝導型電子放出素子に
おいては、電子放出を行う前に導電性薄膜（３０２）を
予め通電フォーミングと呼ばれる通電処理によって電子
放出部を形成するのが一般的である。通電フォーミング
とは、導電性薄膜の両端に直流電圧あるいは非常にゆっ
くりとした昇電圧を印加通電し、導電性薄膜を局所的に
破壊、変形もしくは変質させ、電気的に高抵抗な状態に
した電子放出部を形成することである。このような電子
放出部は、導電性薄膜の一部に形成された亀裂等からな
り、この亀裂付近等から電子が放出される。このような
通電フォーミング処理をした表面伝導型電子放出素子
は、その導電性薄膜に電圧を印加して素子に電流を流す
ことにより電子放出部から電子が放出される。Conventionally, in these surface conduction electron-emitting devices, it is general that the electron-emitting portion is formed in advance by conducting a current called an energization forming process on the conductive thin film (302) before emitting electrons. The energization forming is an electron in which a direct current voltage or a very slow rising voltage is applied to both ends of the conductive thin film to locally destroy, deform or alter the conductive thin film to make it an electrically high resistance state. Forming the emitting portion. Such an electron emitting portion is composed of a crack or the like formed in a part of the conductive thin film, and electrons are emitted from the vicinity of the crack or the like. In the surface conduction electron-emitting device that has been subjected to the energization forming process, a voltage is applied to the conductive thin film and a current is passed through the device, so that electrons are emitted from the electron-emitting portion.

【００１０】上述の表面伝導型放出素子は構造が単純で
製造も容易であることから、大面積にわたって多数素子
を配列形成できる利点がある。そこで、この特徴を活か
した荷電ビーム源や表示装置等の応用研究がなされてい
る。多数の表面伝導型電子放出素子を配列形成した例と
しては、後述するはしご状配置型の電子源、すなわち並
列に表面伝導型電子放出素子を配列し、配列された個々
の素子の両端を配線（共通配線）によりそれぞれ結線
し、この結線された素子行を多数配列した電子源が挙げ
られる（特開昭６４−０３１３３２号、特開平１−２８
３７４９号、特開平２−２５７５５２号公報等）。Since the surface conduction electron-emitting device described above has a simple structure and is easy to manufacture, it has an advantage that a large number of devices can be arrayed over a large area. Therefore, applied research on charged beam sources, display devices, and the like, which make use of this feature, has been conducted. As an example in which a large number of surface-conduction type electron-emitting devices are formed in an array, a ladder-type electron source described later, that is, surface-conduction type electron-emitting devices are arranged in parallel, and both ends of each arranged device are wired ( An electron source in which a large number of connected element rows are arranged by common wiring) (Japanese Patent Application Laid-Open No. 64-031332, Japanese Patent Application Laid-Open No. 1-28) can be mentioned.
3749, JP-A-2-257552, etc.).

【００１１】近年、特に表示装置等の画像形成装置にお
いては、液晶を用いた平板型表示装置がＣＲＴに替わっ
て普及してきた。しかし、自発光型でないためバックラ
イトを備えていなければならない等の問題があり、自発
光型の表示装置の開発が望まれていた。この自発光型表
示装置としては、表面伝導型電子放出素子を多数配置し
た電子源と、この電子源から放出された電子により可視
光を発光せしめる蛍光体とを組み合わせた表示装置であ
る画像形成装置が挙げられる（例えば、ＵＳＰ５０６６
８８３号）。In recent years, particularly in image forming apparatuses such as display devices, flat panel display devices using liquid crystal have become popular in place of CRTs. However, since it is not a self-luminous type, there is a problem that it must be equipped with a backlight, and thus development of a self-luminous display device has been desired. The self-luminous display device is an image forming device that is a display device in which a plurality of surface conduction electron-emitting devices are arranged in an electron source and a phosphor that emits visible light by electrons emitted from the electron source is combined. (For example, USP5066
883).

【００１２】[0012]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、平板型
画像形成装置の使用時には利用者は取扱いに注意する
が、使用しない時には利用者の取扱いの注意が薄れ、誤
って物をぶつけるなどといった外力が画面に働くことが
あった。また、地震などの非常時や不注意によって、使
用時に平板型画像形成装置が倒れ、周囲の物体などが画
面に衝突する恐れがあった。このような外力や衝撃によ
り画面は損傷を受けていた。さらに、平板型画像形成装
置の軽量化に伴い、画面の保護手段の軽量化も必要であ
る。However, when the flat type image forming apparatus is used, the user pays attention to the handling, but when the flat type image forming apparatus is not used, the attention of the user is diminished, and an external force such as accidentally hitting an object is displayed on the screen. Sometimes worked. Further, there is a risk that the flat panel image forming apparatus may fall down during use due to an emergency such as an earthquake or carelessness, and surrounding objects may collide with the screen. The screen was damaged by such external force and impact. Further, as the weight of the flat panel image forming apparatus is reduced, it is necessary to reduce the weight of the screen protection means.

【００１３】そこで本発明の目的は、非常時や不注意等
による転倒や外力等による画面の損傷を防ぎ且つ軽量な
画面保護手段を有する平板型画像形成装置を提供するこ
とである。SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to provide a flat plate type image forming apparatus which has a lightweight screen protection means for preventing the screen from being damaged by a fall or an external force due to an emergency or carelessness.

【００１４】[0014]

【課題を解決するための手段】本発明者は、上記の目的
を達成するために種々の検討を重ねた結果、本発明を完
成した。Means for Solving the Problems The present inventor has made various studies in order to achieve the above object, and as a result, completed the present invention.

【００１５】第１の発明は、画面保護手段を有する平板
型画像形成装置であって、制御信号に従って該画面保護
手段が作動することを特徴とする平板型画像形成装置に
関する。A first aspect of the present invention relates to a flat panel image forming apparatus having a screen protecting means, wherein the screen protecting means operates in accordance with a control signal.

【００１６】第２の発明は、画面保護手段を作動するこ
とが可能な電力を常に供給できる独立電源を有すること
を特徴とする第１の発明の平板型画像形成装置に関す
る。A second aspect of the invention relates to the flat image forming apparatus of the first aspect of the invention, which has an independent power source which can always supply electric power for operating the screen protection means.

【００１７】第３の発明は、制御信号が主電源のオフに
従って発生し、画面保護手段が作動することを特徴とす
る第１又は第２の発明の平板型画像形成装置に関する。A third aspect of the present invention relates to the flat image forming apparatus according to the first or second aspect of the invention, wherein a control signal is generated when the main power source is turned off, and the screen protection means is activated.

【００１８】第４の発明は、制御信号が、スタンバイ状
態になることに従って発生し、画面保護手段が作動する
ことを特徴とする第１、第２又は第３の発明の平板型画
像形成装置に関する。A fourth aspect of the invention relates to the flat image forming apparatus of the first, second or third aspect of the invention, in which a control signal is generated in response to a standby state and the screen protection means is activated. .

【００１９】第５の発明は、制御信号が、平板型画像形
成装置への電力供給が停止されたときに発生し、画面保
護手段が作動することを特徴とする第１〜第４のいずれ
かの発明の平板型画像形成装置に関する。A fifth aspect of the present invention is characterized in that a control signal is generated when power supply to the flat panel image forming apparatus is stopped, and the screen protection means is activated. The invention relates to a flat plate type image forming apparatus.

【００２０】第６の発明は、制御信号がセンサーの出力
に従って発生し、画面保護手段が作動することを特徴と
する第１〜第５のいずれかの発明の平板型画像形成装置
に関する。A sixth aspect of the present invention relates to the flat plate type image forming apparatus according to any one of the first to fifth aspects of the present invention, in which a control signal is generated according to the output of the sensor, and the screen protection means operates.

【００２１】第７の発明は、制御信号が揺れ感知センサ
ーの出力に従って発生し、画面保護手段が作動すること
を特徴とする第１〜第５のいずれかの発明の平板型画像
形成装置に関する。A seventh aspect of the present invention relates to the flat type image forming apparatus according to any one of the first to fifth aspects, wherein a control signal is generated according to the output of the shake detection sensor, and the screen protection means is activated.

【００２２】第８の発明は、画面保護手段が、画面を覆
う構成を有する手段であることを特徴とする第１〜第７
のいずれかの発明の平板型画像形成装置に関する。An eighth aspect of the invention is characterized in that the screen protection means is means for covering the screen.
The invention relates to a flat-panel image forming apparatus according to any one of the above.

【００２３】第９の発明は、画面保護手段が、シャッタ
ーにより画面を覆う構成を有することを特徴とする第１
〜第７のいずれかの発明の平板型画像形成装置に関す
る。A ninth aspect of the invention is characterized in that the screen protecting means has a structure for covering the screen with a shutter.
The present invention relates to a flat-panel image forming apparatus according to any one of the seventh invention.

【００２４】第１０の発明は、画面保護手段が、扉によ
り画面を覆う構成を有することを特徴とする第１〜第７
のいずれかの発明の平板型画像形成装置に関する。A tenth invention is characterized in that the screen protection means has a structure in which the screen is covered by a door.
The invention relates to a flat-panel image forming apparatus according to any one of the above.

【００２５】第１１の発明は、画面を有する表示パネル
が、少なくとも、電子放出素子を備えたリアプレートと
該リアプレートに対向して配置されたフェースプレート
とで構成されていることを特徴とする第１〜第１０のい
ずれかの発明の平板型画像形成装置に関する。An eleventh invention is characterized in that a display panel having a screen is composed of at least a rear plate provided with an electron-emitting device and a face plate arranged so as to face the rear plate. The present invention relates to a flat panel image forming apparatus according to any one of the first to tenth inventions.

【００２６】第１２の発明は、フェースプレートが、電
子放出素子から放射される電子を受ける被照射部材を搭
載していることを特徴とする第１１の発明の画像形成装
置に関する。A twelfth invention relates to the image forming apparatus of the eleventh invention, wherein the face plate has an illuminated member for receiving electrons emitted from the electron-emitting device.

【００２７】第１３の発明は、電子放出素子が表面伝導
型電子放出素子であることを特徴とする第１１又は第１
２の発明の平板型画像形成装置に関する。The thirteenth invention is the eleventh or first invention characterized in that the electron-emitting device is a surface conduction electron-emitting device.
2 relates to a flat plate type image forming apparatus.

【００２８】[0028]

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を挙げて
図面により詳細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【００２９】実施形態１ 図１、図２及び図３は本発明の第１の実施形態の平板型
画像形成装置を示す図であり、図１及び図２は本発明の
構造を最もよく表す図である。図１は本実施形態の平板
型画像形成装置の概略断面図であり、図２（ａ）は画面
保護手段で画面を保護している状態の概略正面図、図２
（ｂ）は画面保護手段を収納している状態の概略正面図
であり、図３は平板型画像形成装置内に内蔵される制御
回路の説明図である。なお、本実施形態の画像形成装置
はプラズマディスプレイパネルを用いた。Embodiment 1 FIGS. 1, 2 and 3 are views showing a flat plate type image forming apparatus according to a first embodiment of the present invention, and FIGS. 1 and 2 are views showing the structure of the present invention best. Is. 1 is a schematic cross-sectional view of the flat panel image forming apparatus of the present embodiment, and FIG. 2A is a schematic front view showing a state in which a screen is protected by a screen protection unit.
FIG. 3B is a schematic front view of a state in which the screen protection unit is housed, and FIG. 3 is an explanatory diagram of a control circuit built in the flat panel image forming apparatus. The image forming apparatus of this embodiment uses a plasma display panel.

【００３０】図１及び図２において、１は表示パネル、
２は表示パネルの画面である。画面保護手段（３）は、
画面を保護する画面保護部材（３ａ）、駆動手段（３
ｂ）及び制御回路（３ｃ）から構成される。画面保護部
材（３ａ）は画面との間に隙間を設けて構成されてい
る。４は画像形成装置の状態を監視するセンサーであ
り、画像形成装置の本体内側にとりつけられており、そ
の出力は制御回路（３ｃ）へ入力される。５は画面保護
手段を作動させる独立電源であり、充電器等を含む。な
お、説明のために制御回路（３ｃ）は画像形成装置の外
側に引き出してあるが、実際は画像形成装置に内蔵され
ている。また、説明のために画面（２）は画面保護部材
（３ａ）によって２／３程度覆われた状態になっている
が、実際には図２に示すように画面の全面が見えないか
（図２（ａ））、全面が見えるか（図２（ｂ））のどち
らかの状態となる。1 and 2, 1 is a display panel,
2 is a screen of the display panel. The screen protection means (3) is
Screen protection member (3a) for protecting the screen, drive means (3
b) and a control circuit (3c). The screen protection member (3a) is configured with a gap provided between the screen protection member (3a) and the screen. Reference numeral 4 denotes a sensor for monitoring the state of the image forming apparatus, which is mounted inside the main body of the image forming apparatus, and its output is input to the control circuit (3c). Reference numeral 5 is an independent power source for operating the screen protection means, which includes a charger and the like. Although the control circuit (3c) is drawn out of the image forming apparatus for the sake of explanation, it is actually built in the image forming apparatus. Further, for the sake of explanation, the screen (2) is in a state of being covered by about 2/3 with the screen protection member (3a), but in reality, the entire screen cannot be seen as shown in FIG. 2 (a)) or whether the entire surface is visible (FIG. 2 (b)).

【００３１】本実施形態における画面保護部材（３ａ）
はスライド式シャッターを用いている。画面保護部材の
形態としては、スライド式シャッター以外に、巻き取り
式シャッターや、複数のシャッターの組み合わせ等が可
能である。Screen protection member (3a) in this embodiment
Uses a sliding shutter. As the form of the screen protection member, besides the slide type shutter, a roll-up type shutter, a combination of a plurality of shutters and the like are possible.

【００３２】画面保護部材（３ａ）の主材質としては画
面を保護する目的を考慮して分類すると、次の３つに大
別される。The main materials of the screen protection member (3a) are roughly classified into the following three when classified in consideration of the purpose of protecting the screen.

【００３３】第１の材料は、Ａｌ、Ａｌ合金、鋼などの
金属や、比較的堅いプラスチックなどである。これらの
材料を用いると、画面保護部材は外部からの衝撃を受け
とめ、或いはわずかに変形して受けとめ、画面を保護す
ることができる。その際、画面に画面保護部材が触れる
ことは無い。すなわち、第１の材料は画面の保護を行う
上で頑強な材料である。The first material is a metal such as Al, an Al alloy or steel, or a relatively hard plastic. When these materials are used, the screen protection member can receive the impact from the outside or can be slightly deformed to receive the impact to protect the screen. At that time, the screen protection member does not touch the screen. That is, the first material is a robust material for protecting the screen.

【００３４】第２の材料は、樹脂やゴムなどの弾力性・
衝撃吸収性に富む軽量な材料である。これらの材料を用
いると、画面保護部材は外部からの衝撃を画面にあたり
ながら受けとめるが、その弾力性・衝撃吸収性により画
面が保護される。利点としては、重量が軽くなる。The second material is an elastic material such as resin or rubber.
It is a lightweight material with excellent shock absorption. When these materials are used, the screen protection member receives an external shock while hitting the screen, but the screen is protected by its elasticity and shock absorption. As an advantage, the weight is reduced.

【００３５】第３の材料は、上述の２つの材料を複合し
て用いるものである。画面保護部材の画面側に弾力性・
衝撃吸収性に富む材料、例えば衝撃吸収材やゴム等など
を配置し、外側に金属などの堅い材料、例えばＡｌ合金
などを配置する。この複合材料を画面保護部材に用いる
ことで、外部からの強い衝撃に対して画面を確実に保護
することができる。The third material is a combination of the above two materials. Elasticity on the screen side of the screen protection member
A material having a high shock absorbing property, such as a shock absorbing material or rubber, is arranged, and a hard material such as a metal, such as an Al alloy, is arranged outside. By using this composite material for the screen protection member, the screen can be reliably protected against a strong external impact.

【００３６】本実施形態における画面保護部材（３ａ）
としては、最後に述べた第３の複合材料を用いた。しか
し、平板型画像形成装置の強度や利用目的などに応じて
適宜使い分けることができる。また、画面保護部材の材
質についての選択の幅は、画面が保護可能であれば上述
の材料に限定するものではない。Screen protection member (3a) in this embodiment
As the above, the third composite material described at the end was used. However, they can be appropriately used according to the strength and purpose of use of the flat panel image forming apparatus. Further, the range of selection of the material of the screen protection member is not limited to the above-mentioned materials as long as the screen can be protected.

【００３７】本実施形態に用いたセンサー（４）は、圧
電素子型加速度センサーであり、揺れや振動を感じとる
センサーを用いた。センサー（４）からの信号は、図３
に示す制御回路（３ｃ）によって処理される。センサー
からの信号（入力Ａ）は、揺れ信号検出回路によって揺
れの状態が検出され、次いで、判断器により予め定めら
れた揺れや振動の大きさと比較され、もしそれよりも大
きな揺れと判断された場合は、画面保護手段作動信号発
生器に信号が送られ、画面保護部材（３ａ）を動かす駆
動手段（３ｂ）を作動させるオンの制御信号が出力され
る。一方、画面に映像を表示するときには、画面保護部
材を収納するために駆動手段へオフの制御信号が出力さ
れる。画面保護部材で画面を覆うオンの制御信号、およ
び画面保護部材を収納するオフの制御信号は、駆動手段
に伝えられる。そして、駆動手段は画面保護部材の開閉
を行う。The sensor (4) used in this embodiment is a piezoelectric element type acceleration sensor, and a sensor which senses shaking or vibration is used. The signal from the sensor (4) is shown in FIG.
It is processed by the control circuit (3c) shown in FIG. The signal from the sensor (input A) is detected by the sway signal detection circuit, and then compared with a predetermined amount of sway or vibration by the determinator, and it is determined that the sway is greater than that. In this case, a signal is sent to the screen protection means activation signal generator, and an ON control signal for activating the drive means (3b) for moving the screen protection member (3a) is output. On the other hand, when an image is displayed on the screen, an off control signal is output to the drive means to house the screen protection member. The ON control signal for covering the screen with the screen protection member and the OFF control signal for housing the screen protection member are transmitted to the driving means. Then, the driving means opens and closes the screen protection member.

【００３８】図２（ａ）は、平板型画像形成装置の主電
源がオフの状態、主電源がオンであるが画面（２）に映
像が表示されないスタンバイ状態（以下「スタンバイ状
態」という。）、或いは上記センサーによりオンの制御
信号が出された場合を示し、図１（ｂ）は画面に画像が
表示されている時（使用時）の状態を示す。平板型画像
形成装置の主電源がオフの状態やスタンバイ状態の時な
どは、画面は画面保護部材（３ａ）によって覆われてい
る。画面に映像が表示されている時は、画面保護部材は
収納されている。In FIG. 2A, the main power source of the flat panel image forming apparatus is off, or the main power source is on but the standby state in which no image is displayed on the screen (2) (hereinafter referred to as "standby state"). Alternatively, a case where an ON control signal is output by the sensor is shown, and FIG. 1B shows a state when an image is displayed on the screen (in use). The screen is covered by the screen protection member (3a) when the main power source of the flat panel image forming apparatus is off or in the standby state. When the image is displayed on the screen, the screen protection member is stored.

【００３９】本実施形態における画面保護手段（３ａ）
の動作機能を次に説明する。不図示の主電源オフの状態
またはスタンバイ状態では、画面保護部材（３１）は画
面（２）を覆っている。主電源をオンにした時、又はス
タンバイ状態から画面に映像の表示を開始する時、駆動
手段（３ｂ）にオフの制御信号が送られ、この駆動手段
によって画面保護部材が収納され、画面が現れる。Screen protection means (3a) in this embodiment
The operation function of will be described below. The screen protection member (31) covers the screen (2) in the main power-off state (not shown) or in the standby state. When the main power is turned on or when the display of an image on the screen is started from the standby state, an off control signal is sent to the driving means (3b), the driving means stores the screen protection member, and the screen appears. .

【００４０】画面が画面保護部材によって覆われる場合
は、以下の３つのパターンがある。 （Ａ）通常に平板型画像形成装置の使用を終了し主電源
をオフにした時またはスタンバイ状態に切り換えた時に
は、制御回路（３ｃ）の画面保護手段作動信号発生器に
信号（入力Ｂ）が送られ、次いで駆動手段（３ｂ）にオ
ンの制御信号が送られることで自動的に画面保護部材が
画面を覆う。これにより、画面保護部材の閉め忘れがな
くなる。When the screen is covered with the screen protection member, there are the following three patterns. (A) When the flat type image forming apparatus is normally used and the main power source is turned off or the standby state is switched to, the signal (input B) is output to the screen protection means operation signal generator of the control circuit (3c). Then, the screen protection member automatically covers the screen by sending an ON control signal to the driving means (3b). As a result, it is possible to avoid forgetting to close the screen protection member.

【００４１】（Ｂ）非常時等で予告無しに電源が停止
（装置への電力供給が停止）した場合には、独立電源
（５）により画面保護手段（３）に電力が供給され、自
動的に画面保護手段内の画面保護手段作動信号発生器が
作動し、通常の使用の終了と同じように画面保護部材が
画面を覆う。(B) When the power supply is stopped without notice (power supply to the device is stopped) in an emergency or the like, power is supplied to the screen protection means (3) by the independent power supply (5) and automatically. In addition, the screen protection means activation signal generator in the screen protection means is activated, and the screen protection member covers the screen in the same manner as the end of normal use.

【００４２】（Ｃ）平板型画像形成装置を使用している
際に、センサー（４）が揺れや振動を感知し、予め定め
ておいたレベルを越える場合には、駆動手段（３ｂ）に
オンの制御信号が送られ、自動的に画面保護部材が画面
を覆う。その際、さらに不図示の主電源が自動的に切れ
るようにしてもよい。(C) When the flat plate image forming apparatus is used, the sensor (4) senses shaking or vibration, and when the level exceeds a predetermined level, the driving means (3b) is turned on. Control signal is sent, and the screen protection member automatically covers the screen. At that time, the main power source (not shown) may be automatically turned off.

【００４３】図２（ａ）に示すように、画面保護部材が
画面を保護した状態であれば、不注意等により予想外の
物体が画面側に衝突したり、地震あるいは人為的な原因
等により画像形成装置が転倒し周囲の鋭利な物に画面側
が衝突したりしても、画面保護部材がそれらの衝撃を吸
収するため、画面が損傷したり、あるいは真空容器（表
示パネル（１））が破壊されたりしない。As shown in FIG. 2A, when the screen protection member protects the screen, an unexpected object may collide with the screen due to carelessness, an earthquake, an artificial cause, or the like. Even if the image forming apparatus falls down and the screen side collides with a sharp object around, the screen protection member absorbs those shocks, and the screen is damaged, or the vacuum container (display panel (1)) is damaged. Will not be destroyed.

【００４４】平板型画像形成装置を使用する際には、画
面保護部材は画面以外の収納スペース（不図示）に収納
され、図２（ｂ）に示す状態となる。When the flat panel image forming apparatus is used, the screen protection member is stored in a storage space (not shown) other than the screen, and the state shown in FIG. 2B is obtained.

【００４５】本発明の平板型画像形成装置は、その画面
に保護シートを配置して画面を保護してよい。保護シー
トは可視光を少なくとも５０％以上透過する透明なシー
ト上のものを用いる。衝撃吸収性を有するシートを用い
れば、画面をほこりや掃除の際の細かい傷から保護する
とともに、外力から画面を保護することもできる。保護
シート（不図示）は、画面に密着して配置し、簡単に張
り替えることが可能である。さらに、保護シートとして
反射防止機能を有するものを用いることで、周囲のもの
が画面に写り込むことを防止する作用も含ませることが
可能となり、有効である。保護シートの厚さは、０．１
〜５mmが好ましい。In the flat panel image forming apparatus of the present invention, a protective sheet may be arranged on the screen to protect the screen. As the protective sheet, a transparent sheet which transmits at least 50% of visible light is used. By using a sheet having impact absorption, it is possible to protect the screen from dust and fine scratches during cleaning and also protect the screen from external force. The protective sheet (not shown) can be easily attached to the screen so that it can be easily replaced. Furthermore, by using a protective sheet having an antireflection function, it is possible to include an action of preventing surrounding objects from being reflected on the screen, which is effective. The thickness of the protective sheet is 0.1
~ 5 mm is preferred.

【００４６】実施形態２ 次に、第２の実施形態について図４を用いて説明する。
図４において、２は画面、６は画面の左右方向に可動な
扉（画面保護部材）である。図４（ａ）は、平板型画像
形成装置の画面（２）が扉（６）によって保護されてい
る状態を示している。その際、扉は画面との間に隙間を
有するように構成されている。また、不図示であるが、
平板型画像形成装置は、揺れを感知する加速度センサ
ー、扉を動かすための駆動手段、制御回路、独立電源
（充電器を含む）などを備えている。なお本実施形態で
は、平板型画像形成装置として液晶ディスプレイを用い
た。Second Embodiment Next, a second embodiment will be described with reference to FIG.
In FIG. 4, 2 is a screen, and 6 is a door (screen protection member) movable in the left-right direction of the screen. FIG. 4A shows a state in which the screen (2) of the flat panel image forming apparatus is protected by the door (6). At that time, the door is configured to have a gap with the screen. Also, although not shown,
The flat panel image forming apparatus is provided with an acceleration sensor for detecting a shake, a driving unit for moving a door, a control circuit, an independent power source (including a charger), and the like. In this embodiment, a liquid crystal display is used as the flat panel image forming apparatus.

【００４７】扉（６）の材質は、軽量で強固な材質であ
るＡｌ合金を主材料として用いた。なお、図４（ｂ）に
平板型画像形成装置を使用している状態を示すが、本発
明は、扉の収納位置については図４（ｂ）の状態に限定
するものではない。例えば、平板型画像形成装置の背面
側にスライド方式により収納するなどといった構成をと
ってもよい。動作については、画面保護部材の違い以外
は第１の実施形態と同様である。As the material of the door (6), an aluminum alloy, which is a lightweight and strong material, was used as a main material. Although FIG. 4B shows a state in which the flat panel image forming apparatus is used, the present invention does not limit the storage position of the door to the state in FIG. 4B. For example, a configuration may be adopted in which the flat type image forming apparatus is slidably housed on the back side. The operation is the same as in the first embodiment except for the screen protection member.

【００４８】以上の第１及び第２の実施形態では、平板
型画像形成装置として表面伝導型電子放出素子を用いた
ものにはもちろん、蛍光表示管などのその他の電子放出
素子を用いる平板型画像形成装置においても同様の結果
が得られる。さらに、プラズマ放電型や液晶型などの平
板型画像形成装置においても同様の結果を得ることがで
きる。本発明では、画像形成装置が平板型であれば、画
像形成部の差異には関係なく効果を発揮する。In the first and second embodiments described above, not only the flat-panel image forming apparatus using the surface conduction electron-emitting device but also the flat-panel image using other electron-emitting devices such as a fluorescent display tube. Similar results are obtained with the forming apparatus. Further, similar results can be obtained in a flat plate type image forming apparatus such as a plasma discharge type or a liquid crystal type. In the present invention, if the image forming apparatus is a flat plate type, the effect is exhibited regardless of the difference in the image forming section.

【００４９】実施形態３ 以下、本発明の好適な平板型画像形成装置として、表面
伝導型電子放出素子を用いた例について詳細に説明す
る。Embodiment 3 Hereinafter, an example using a surface conduction electron-emitting device will be described in detail as a preferred flat plate type image forming apparatus of the present invention.

【００５０】本発明の表面伝導型電子放出素子の基本的
な構成は、大別して、平面型と垂直型の２つがある。ま
ず、平面型表面伝導型電子放出素子について説明する。The basic structure of the surface conduction electron-emitting device of the present invention is roughly classified into two types: a plane type and a vertical type. First, the planar surface conduction electron-emitting device will be described.

【００５１】図５は、本発明における平面型表面伝導型
電子放出素子の構成を示す模式図であり、図５（ａ）は
平面図、図５（ｂ）は図５（ａ）のＡ−Ａ線断面図であ
る。これらの図において１０１は基板、１０２と１０３
は素子電極、１０４は導電性薄膜、１０５は電子放出部
である。5A and 5B are schematic views showing the structure of the flat surface conduction electron-emitting device according to the present invention. FIG. 5A is a plan view and FIG. 5B is A- of FIG. 5A. It is an A line sectional view. In these figures, 101 is a substrate, and 102 and 103.
Is an element electrode, 104 is a conductive thin film, and 105 is an electron emitting portion.

【００５２】基板（１０１）としては、石英ガラス、Ｎ
ａ等の不純物の含有量を低減させたガラス、青板ガラ
ス、スパッタ法等によりＳｉＯ2を堆積させたガラス基
板、アルミナ等のセラミックス基板等を用いることがで
きる。本実施形態では青板ガラスを用いた。As the substrate (101), quartz glass, N
It is possible to use glass in which the content of impurities such as a is reduced, soda lime glass, a glass substrate on which SiO 2 is deposited by a sputtering method, a ceramic substrate such as alumina, or the like. In this embodiment, soda lime glass is used.

【００５３】素子電極（１０２、１０３）の材料として
は、一般的な導電材料を用いることができ、Ｎｉ・Ｃｒ
・Ａｕ・Ｍｏ・Ｗ・Ｐｔ・Ｔｉ・Ａｌ・Ｃｕ・Ｐｄ等の
金属あるいは合金およびＰｄ・Ａｓ・Ａｇ・Ａｕ・Ｒｕ
Ｏ2・Ｐｄ−Ａｇ等の金属あるいは金属酸化物とガラス
等から構成される印刷導体、Ｉｎ2Ｏ3−ＳｎＯ2等の透
明導電体、ポリシリコン等の半導体材料等から選択する
ことができる。本実施形態ではＰｔを用いた。As the material of the element electrodes (102, 103), a general conductive material can be used.
・ Metal or alloy such as Au ・ Mo ・ W ・ Pt ・ Ti ・ Al ・ Cu ・ Pd and Pd ・ As ・ Ag ・ Au ・ Ru
It can be selected from a printed conductor composed of a metal such as O 2 .Pd-Ag or a metal oxide and glass, a transparent conductor such as In 2 O 3 —SnO 2 and a semiconductor material such as polysilicon. In this embodiment, Pt is used.

【００５４】素子電極間隔（Ｌ）、素子電極の長さ
（Ｗ）、導電性薄膜の形状等は、応用される形態等を考
慮して設計される。素子電極間隔（Ｌ）は、好ましくは
数千オングストロームから数百μｍの範囲であり、より
好ましくは素子電極間に印加する電圧等を考慮して１〜
１００μｍの範囲である。本実施形態では、Ｌ＝２０μ
ｍ、Ｗ＝１００μｍとした。The element electrode interval (L), the element electrode length (W), the shape of the conductive thin film, etc. are designed in consideration of the applied form. The device electrode interval (L) is preferably in the range of several thousand angstroms to several hundreds of μm, and more preferably 1 to 1 in consideration of the voltage applied between the device electrodes.
The range is 100 μm. In this embodiment, L = 20 μ
m and W = 100 μm.

【００５５】素子電極長さ（Ｗ）は、電極の抵抗値、電
子放出特性を考慮して、数μｍ〜数百μｍの範囲であ
る。素子電極（１０２、１０３）の膜厚（ｄ）は、１０
０オングストロームから１μｍの範囲である。The device electrode length (W) is in the range of several μm to several hundreds of μm in consideration of the resistance value of the electrode and the electron emission characteristics. The film thickness (d) of the device electrodes (102, 103) is 10
It is in the range of 0 Å to 1 μm.

【００５６】なお、図５に示した構成だけでなく、基板
（１０１）上に、導電性薄膜（１０４）、対向する素子
電極（１０２、１０３）の順に積層した構成とすること
もできる。In addition to the structure shown in FIG. 5, the conductive thin film (104) and the opposing element electrodes (102, 103) may be laminated in this order on the substrate (101).

【００５７】導電性薄膜（１０４）は、良好な電子放出
特性を得るために、微粒子で構成された微粒子膜が好ま
しい。その膜厚は素子電極（１０２、１０３）ヘのステ
ップカバレージ、素子電極（１０２、１０３）間の抵抗
値および後述するフォーミング条件等を考慮して適宜設
定されるが、通常は数オングストロームから数千オング
ストロームの範囲とするのが好ましく、より好ましくは
１０〜５００オングストロームの範囲とするのが良い。
その抵抗値は、Ｒｓが１０2〜１０7Ωの値である。ここ
でＲｓは、厚さがｔ、幅がｗで長さがｌの薄膜の抵抗Ｒ
を、Ｒ＝Ｒs（ｌ／ｗ）とおいたときに得られる値で、
薄膜材料の抵抗率をρとするとＲs＝ρ／ｔで表され
る。The conductive thin film (104) is preferably a fine particle film composed of fine particles in order to obtain good electron emission characteristics. The film thickness is appropriately set in consideration of the step coverage to the device electrodes (102, 103), the resistance value between the device electrodes (102, 103), the forming conditions described later, and the like, but is usually several angstroms to several thousands. It is preferably in the range of angstrom, and more preferably in the range of 10 to 500 angstrom.
The resistance value of Rs is 10 2 to 10 7 Ω. Here, Rs is a resistance R of a thin film having a thickness t, a width w and a length l.
Is a value obtained when R = Rs (l / w),
If the resistivity of the thin film material is ρ, then Rs = ρ / t.

【００５８】導電性薄膜（１０４）を構成する材料は、
Ｐｄ・Ｐｔ・Ｒｕ・Ａｇ・Ａｕ・Ｔｉ・ｌｎ・Ｃｕ・Ｃ
ｒ・Ｆｅ・Ｚｎ・Ｓｎ・Ｔａ・Ｗ・Ｐｂ等の金属、Ｐｄ
Ｏ・ＳｎＯ2・Ｉｎ2Ｏ3・ＰｂＯ・Ｓｂ2Ｏ3等の酸化
物、ＨｆＢ2・ＺｒＢ2・ＬａＢ6・ＣｅＢ6・ＹＢ4・Ｇ
ｄＢ4等の硼化物、ＴｉＣ・ＺｒＣ・ＨｆＣ・ＴａＣ・
ＳｉＣ・ＷＣ等の炭化物、ＴｉＮ・ＺｒＮ・ＨｆＮ等の
窒化物、Ｓｉ・Ｇｅ等の半導体、カーボン等の中から適
宜選択される。本実施形態ではＰｄＯを用いた。The material forming the conductive thin film (104) is
Pd, Pt, Ru, Ag, Au, Ti, In, Cu, C
Metals such as r, Fe, Zn, Sn, Ta, W, Pb, Pd
O ・ SnO 2・ In 2 O 3・ PbO ・ Sb 2 O 3 etc. oxides, HfB 2・ ZrB 2・ LaB 6・ CeB 6・ YB 4・ G
Borides such as dB 4 , TiC / ZrC / HfC / TaC /
It is appropriately selected from carbides such as SiC / WC, nitrides such as TiN / ZrN / HfN, semiconductors such as Si / Ge, and carbon. In this embodiment, PdO is used.

【００５９】ここで述ベる微粒子膜とは複数の微粒子が
集合した膜であり、その微細構造は、微粒子が個々に分
散配置した状態あるいは微粒子が互いに隣接または重な
り合った状態（いくつかの微粒子が集合し、全体として
島状構造を形成している場合も含む）をとっている。微
粒子の粒径は、数オングストロームから１μｍの範囲、
好ましくは１０〜２００オングストロームの範囲であ
る。The fine particle film described here is a film in which a plurality of fine particles are aggregated, and its fine structure has a state in which fine particles are individually dispersed and arranged, or a state in which fine particles are adjacent to each other or overlap each other (some fine particles are It also includes the case where they are aggregated to form an island structure as a whole). The particle size of the fine particles ranges from several angstroms to 1 μm,
It is preferably in the range of 10 to 200 angstrom.

【００６０】電子放出部（１０５）は、導電性薄膜（１
０４）の一部に形成された高抵抗の亀裂により構成さ
れ、導電性薄膜（１０４）の膜厚、膜質、材料及び後述
する通電フォーミング等の手法等に依存したものとな
る。電子放出部（１０５）の内部には、１０００オング
ストローム以下の粒径の導電性微粒子を含む場合もあ
る。この導電性微粒子は、導電性薄膜（１０４）を構成
する材料の元素の一部、あるいは全ての元素を含有する
ものとなる。電子放出部（１０５）及びその近傍の導電
性薄膜（１０４）は炭素あるいは炭素化合物を含む場合
もある。The electron emitting portion (105) is made of a conductive thin film (1
It is constituted by a high-resistance crack formed in a part of 04) and depends on the film thickness, film quality and material of the conductive thin film (104) and a method such as energization forming described later. The inside of the electron emission portion (105) may contain conductive fine particles having a particle diameter of 1000 angstroms or less. The conductive fine particles contain a part or all of the elements of the material forming the conductive thin film (104). The electron emitting portion (105) and the conductive thin film (104) in the vicinity thereof may contain carbon or a carbon compound.

【００６１】次に、垂直型表面伝導型電子放出素子につ
いて説明する。図６は、垂直型表面伝導型電子放出素子
の一例を示す模式図である。１０６は、垂直型素子の特
徴的な構成要素である段差形成部である。なお図７にお
いては、図５に示した部位と同じ部位には、図５に付し
た符号と同一の符号を付している。Next, the vertical surface conduction electron-emitting device will be described. FIG. 6 is a schematic diagram showing an example of a vertical surface conduction electron-emitting device. Reference numeral 106 denotes a step forming portion which is a characteristic constituent element of the vertical element. 7, the same parts as those shown in FIG. 5 are designated by the same reference numerals as those shown in FIG.

【００６２】基板（１０１）、素子電極（１０２、１０
３）、導電性薄膜（１０４）及び電子放出部（１０５）
は前述した平面型表面伝導型電子放出素子の場合と同様
の材料で構成することができる。Substrate (101), device electrodes (102, 10)
3), the conductive thin film (104) and the electron emitting portion (105)
Can be made of the same material as in the case of the planar surface conduction electron-emitting device described above.

【００６３】段差形成部（１０６）は、真空蒸着法、印
刷法、スパッタ法等によりＳｉＯ2等の絶縁性材料を用
いて形成することができる。段差形成部（１０６）の膜
厚は、先に述べた平面型表面伝導型電子放出素子の素子
電極間隔（Ｌ）に対応し、数百オングストロームから数
十μｍの範囲とする。この膜厚は、段差形成部の製法お
よび素子電極間に印加する電圧を考慮して設定される
が、数千オングストロームから数μｍの範囲が好まし
い。The step forming portion (106) can be formed by using an insulating material such as SiO 2 by a vacuum vapor deposition method, a printing method, a sputtering method or the like. The film thickness of the step forming portion (106) corresponds to the device electrode interval (L) of the flat surface conduction electron-emitting device described above, and is in the range of several hundred angstroms to several tens of μm. This film thickness is set in consideration of the manufacturing method of the step forming portion and the voltage applied between the element electrodes, but is preferably in the range of several thousand angstroms to several μm.

【００６４】導電性薄膜（１０４）は、素子電極（１０
２、１０３）と段差形成部（１０６）の形成後に、該素
子電極（１０２、１０３）上に積層される。電子放出部
（１０５）は、図６においては段差形成部（１０６）の
側面上の導電性薄膜に形成されているが、作製条件やフ
ォーミング条件等に依存するものであり、形状および位
置ともこれに限られるものでない。The conductive thin film (104) is formed on the device electrode (10).
2, 103) and the step forming portion (106) are formed, they are then laminated on the device electrodes (102, 103). Although the electron emitting portion (105) is formed on the conductive thin film on the side surface of the step forming portion (106) in FIG. 6, it depends on the manufacturing conditions, forming conditions, etc. It is not limited to.

【００６５】上述の表面伝導型電子放出素子の製造方法
としては様々の方法があるが、本実施形態の製法を図７
を用いて以下に説明する。There are various methods for manufacturing the above-mentioned surface conduction electron-emitting device, and the manufacturing method of this embodiment is shown in FIG.
This will be described below with reference to FIG.

【００６６】工程１：基板（１０１）を洗剤、純水、有
機溶剤等を用いて十分に洗浄し、真空蒸着法、スパッタ
法等により素子電極材料を堆積後、例えばフォトリソグ
ラフィー技術を用いて基板（１０１）上に素子電極（１
０２、１０３）を形成する（図７（ａ））。Step 1: The substrate (101) is thoroughly washed with a detergent, pure water, an organic solvent, etc., and a device electrode material is deposited by a vacuum deposition method, a sputtering method or the like, and then the substrate is formed using, for example, a photolithography technique. The device electrode (1
02, 103) are formed (FIG. 7A).

【００６７】工程２：素子電極（１０２、１０３）を設
けた基板（１０１）に、有機金属溶液を塗布して有機金
属薄膜を形成する。有機金属溶液には、前述の導電性薄
膜の材料のＰｄを主元素とする有機金属化合物の溶液を
用いた。この有機金属薄膜を加熱焼成処理し、リフトオ
フ、エッチング等によりパターニングし、ＰｄＯからな
る導電性薄膜（１０４）を形成する（図７（ｂ））。本
実施形態は、有機金属溶液を用いる塗布法で形成した
が、導電性薄膜の形成法はこれに限られるものでなく、
真空蒸着法、スパッタ法、化学的気相堆積法、分散塗布
法、ディッピング法、スピンナー法等を用いることもで
きる。Step 2: An organic metal solution is applied to the substrate (101) provided with the device electrodes (102, 103) to form an organic metal thin film. As the organometallic solution, a solution of an organometallic compound containing Pd as a main element of the above-mentioned material of the conductive thin film was used. This organometallic thin film is heat-fired and patterned by lift-off, etching or the like to form a conductive thin film (104) made of PdO (FIG. 7B). Although the present embodiment is formed by a coating method using an organometallic solution, the method for forming the conductive thin film is not limited to this.
It is also possible to use a vacuum vapor deposition method, a sputtering method, a chemical vapor deposition method, a dispersion coating method, a dipping method, a spinner method or the like.

【００６８】工程３：次いでフォーミング処理を施す。
本実施形態で行ったフォーミング処理方法として通電処
理による方法を説明する。素子電極（１０２、１０３）
間に、不図示の電源を用いて通電を行うと、導電性薄膜
（１０４）に電子放出部（１０５）が形成される（図７
（ｃ））。通電フォーミングによれば導電性薄膜（１０
４）に局所的に破壊、変形もしくは変質等の構造変化し
た部位が形成される。該部位が電子放出部（１０５）と
なる。Step 3: Next, a forming process is performed.
As the forming processing method performed in the present embodiment, a method using energization processing will be described. Element electrodes (102, 103)
In the meantime, when electricity is applied using a power source (not shown), an electron emitting portion (105) is formed in the conductive thin film (104) (FIG. 7).
(C)). According to the energization forming, the conductive thin film (10
In 4), a site having a structural change such as local destruction, deformation or alteration is formed. This portion becomes the electron emitting portion (105).

【００６９】通電フォーミングの電圧波形の例を図８に
示す。電圧波形はパルス波形が好ましい。電圧の印加に
は、パルス波高値を定電圧としたパルスを連続的に印加
する手法（図８（ａ））と、パルス波高値を増加させな
がら電圧パルスを印加する手法（図８（ｂ））とがあ
る。本実施形態では図８（ｂ）のパルスを用いた。FIG. 8 shows an example of the voltage waveform of energization forming. The voltage waveform is preferably a pulse waveform. For voltage application, a method of continuously applying a pulse having a constant pulse peak value (FIG. 8A) and a method of applying a voltage pulse while increasing the pulse peak value (FIG. 8B) ) There is. In this embodiment, the pulse shown in FIG. 8B is used.

【００７０】図８（ａ）におけるＴ1及びＴ2はそれぞれ
電圧波形のパルス幅及びパルス間隔である。通常、Ｔ1
は１マイクロ秒〜１０ミリ秒、Ｔ2は１０マイクロ秒〜
１００ミリ秒の範囲で設定される。三角波の波高値（通
電フォーミング時のピーク電圧）は、表面伝導型電子放
出素子の形態に応じて適宜選択される。このような条件
のもと、例えば、数秒〜数十分間電圧を印加する。パル
ス波形は三角波に限定されるものではなく、矩形波など
の所望の波形を採用することができる。In FIG. 8A, T1 and T2 are the pulse width and pulse interval of the voltage waveform, respectively. Usually T1
Is 1 microsecond to 10 milliseconds, T2 is 10 microseconds to
It is set in the range of 100 milliseconds. The peak value of the triangular wave (peak voltage during energization forming) is appropriately selected according to the form of the surface conduction electron-emitting device. Under such conditions, for example, a voltage is applied for several seconds to several tens minutes. The pulse waveform is not limited to a triangular wave, and a desired waveform such as a rectangular wave can be adopted.

【００７１】本実施形態における図８（ｂ）のＴ1及び
Ｔ2は、図８（ａ）に示したものと同様とすることがで
き、三角波の波高値（通電フォーミング時のピーク電
圧）は０．１Ｖステップ程度づつ増加させた。In this embodiment, T1 and T2 in FIG. 8B can be the same as those shown in FIG. 8A, and the peak value of the triangular wave (peak voltage during energization forming) is 0. It was increased in steps of about 1V.

【００７２】通電フォーミング処理の終了は、パルス間
隔Ｔ2中に、導電性薄膜（１０４）を局所的に破壊・変
形しない程度の電圧を印加し、電流を測定して検知し
た。本実施形態では、０．１Ｖ程度の電圧印加により流
れる素子電流を測定し、抵抗値を求めて、１Ｍオーム以
上の抵抗を示した時、通電フォーミングを終了させた。The end of the energization forming process was detected by applying a voltage during the pulse interval T2 to such an extent that the conductive thin film (104) was not locally destroyed or deformed, and measuring the current. In the present embodiment, the device current that flows when a voltage of about 0.1 V is applied, the resistance value is obtained, and the energization forming is terminated when a resistance of 1 M ohm or more is exhibited.

【００７３】上述のフォーミング処理を終えた素子には
活性化処理を施した。活性化処理を行うことにより、素
子電流Ｉf及び放出電流Ｉeが著しく変化した。活性化処
理は、有機物質のガスを含有する雰囲気下で、通電フォ
ーミングと同様に、パルスの印加を繰り返すことで行っ
た。この活性化処理における雰囲気は、例えば油拡散ポ
ンプやロータリーポンプ等を用いて真空容器内を排気し
た際に雰囲気内に残留する有機ガスを利用して形成する
ことができる他、イオンポンプ等により一旦十分に排気
した真空中に適当な有機物質のガスを導入することによ
っても得られる。本実施形態では、有機物質のガスの導
入で行った。このときの好ましい有機物質のガス圧は、
前述の素子の形態、真空容器の形状、有機物質の種類な
どにより異なるため、場合に応じて適宜設定される。An activation process was applied to the element which has undergone the above forming process. By performing the activation treatment, the device current If and the emission current Ie changed remarkably. The activation treatment was performed by repeating the application of pulses in the same atmosphere as the energization forming in an atmosphere containing a gas of an organic substance. The atmosphere in this activation treatment can be formed by using the organic gas remaining in the atmosphere when the inside of the vacuum container is evacuated using, for example, an oil diffusion pump or a rotary pump. It can also be obtained by introducing a gas of an appropriate organic substance into a sufficiently evacuated vacuum. In this embodiment, the introduction of the gas of the organic substance is performed. The preferable gas pressure of the organic substance at this time is
Since it varies depending on the form of the element, the shape of the vacuum container, the type of the organic substance, etc., it is appropriately set depending on the case.

【００７４】適当な有機物質としては、アルカン、アル
ケン、アルキンの脂肪族炭化水素類、芳香族炭化水素
類、アルコール類、アルデヒド類、ケトン類、アミン
類、フェノール、カルボン酸、スルホン酸等の有機酸類
等を挙げることができ、具体的には、メタン、エタン、
プロパン等のＣnＨ2n+2で表される飽和炭化水素、エチ
レン、プロピレンなどのＣnＨ2nで表される不飽和炭化
水素、ベンゼン、トルエン、メタノール、エタノール、
ホルムアルデヒド、アセトアルデヒド、アセトン、メチ
ルエチルケトン、メチルアミン、エチルアミン、フェノ
ール、蟻酸、酢酸、プロピオン酸等が使用できる。本実
施形態ではアセトンを用いた。Suitable organic substances include organic hydrocarbons such as alkanes, alkenes, alkynes, aliphatic hydrocarbons, aromatic hydrocarbons, alcohols, aldehydes, ketones, amines, phenols, carboxylic acids and sulfonic acids. Acids and the like can be mentioned, and specifically, methane, ethane,
Saturated hydrocarbons represented by C n H 2n + 2 such as propane, unsaturated hydrocarbons represented by C n H 2n such as ethylene and propylene, benzene, toluene, methanol, ethanol,
Formaldehyde, acetaldehyde, acetone, methyl ethyl ketone, methyl amine, ethyl amine, phenol, formic acid, acetic acid, propionic acid and the like can be used. In this embodiment, acetone is used.

【００７５】このような活性化処理によって、雰囲気中
に存在する有機物質から炭素あるいは炭素化合物が素子
上に堆積し、素子電流Ｉf及び放出電流Ｉeが著しく変化
した。By such activation treatment, carbon or a carbon compound was deposited on the device from the organic substance existing in the atmosphere, and the device current If and the emission current Ie were significantly changed.

【００７６】活性化処理の終了の判断は、素子電流Ｉf
と放出電流Ｉeを測定しながら行った。なお、パルス
幅、パルス間隔、パルス波高値などは適宜設定される。The end of the activation process is judged by the device current If.
And the emission current Ie were measured. The pulse width, pulse interval, pulse peak value, etc. are set appropriately.

【００７７】上記の炭素あるいは炭素化合物とは、ＨＯ
ＰＧ（Highly Oriented PyrolyticGraphite）、ＰＧ（P
yrolytic Graphite）、ＧＣ（Glassy Carbon）等のグラ
ファイト（ＨＯＰＧはほぼ完全な結晶構造をもつグラフ
ァイト、ＰＧは結晶粒が２００オングストローム程度で
結晶構造がやや乱れたグラファイト、ＧＣは結晶粒が２
０オングストローム程度で結晶構造の乱れがさらに大き
くなったものを指す。）や非晶質カーボン（アモルファ
スカーボン、及びアモルファスカーボンと前記グラファ
イトの微結晶の混合物を含むカーボン）等である。これ
らの膜厚は５００オングストローム以下にするのが好ま
しく、３００オングストローム以下であればより好まし
い。The above-mentioned carbon or carbon compound means HO
PG (Highly Oriented PyrolyticGraphite), PG (P
Graphite such as yrolytic Graphite), GC (Glassy Carbon), etc. (HOPG is a graphite having a nearly complete crystal structure, PG is a graphite with a crystal grain of about 200 angstroms and the crystal structure is slightly disordered, and GC has 2 crystal grains.
It refers to the one in which the disorder of the crystal structure is further increased at about 0 Å. ) And amorphous carbon (amorphous carbon, and carbon containing a mixture of amorphous carbon and fine crystals of the graphite). The thickness of these layers is preferably 500 angstroms or less, and more preferably 300 angstroms or less.

【００７８】以上の活性化処理を経て得られた電子放出
素子は安定化処理を行った。この処理は真空容器内の有
機物質の分圧が１０-10Torr以下で行なった。真空容器
内の圧力は１０-6.5〜１０-7Torrが好ましく、特に１０
-8Torr以下が好ましい。本実施形態では１０-7.5Torrで
あった。真空容器を排気する真空排気装置は、装置から
発生するオイルが素子の特性に影響を与えないように、
オイルを使用しないものを用いた。具体的にはソープシ
ョンポンプ、イオンポンプ等の真空排気装置を挙げるこ
とができるが、本実施形態ではイオンポンプを用いた。
さらに、真空容器内を排気するときには真空容器全体を
加熱して、真空容器内壁や電子放出素子に吸着した有機
物質分子を排気しやすくした。このときの加熱した状態
での真空排気条件は、１５０℃で５時間行ったが、特に
この条件に限るものではなく、真空容器の大きさや形
状、電子放出素子の構成などの諸条件により変化する。
なお、上記有機物質の分圧は、質量分析装置によりを用
いて、質量数が１０〜２００の炭素及び水素を主成分と
する有機分子の分圧を測定し、それらの分圧を積算する
ことにより求めることができる。The electron-emitting device obtained through the above activation treatment was subjected to stabilization treatment. This treatment was performed when the partial pressure of the organic substance in the vacuum vessel was 10 -10 Torr or less. The pressure in the vacuum vessel is preferably 10 -6.5 to 10 -7 Torr, and particularly 10
-8 Torr or less is preferable. In this embodiment, it is 10 −7.5 Torr. The evacuation device that evacuates the vacuum container is designed so that oil generated from the device does not affect the characteristics of the element.
The one which did not use oil was used. Specifically, a vacuum exhaust device such as a sorption pump or an ion pump can be used, but the ion pump is used in this embodiment.
Further, when exhausting the inside of the vacuum container, the entire vacuum container was heated to facilitate exhausting the organic substance molecules adsorbed on the inner wall of the vacuum container and the electron-emitting device. The vacuum evacuation condition in the heated state at this time was 150 ° C. for 5 hours, but it is not particularly limited to this condition, and changes depending on various conditions such as the size and shape of the vacuum container and the configuration of the electron-emitting device. .
The partial pressure of the organic substance should be determined by measuring the partial pressure of an organic molecule having a mass number of 10 to 200 and having carbon and hydrogen as the main components by using a mass spectrometer and integrating the partial pressures. Can be obtained by

【００７９】上記安定化処理を経た後の駆動時の雰囲気
は、そのまま安定化処理終了時の雰囲気を維持するのが
好ましいが、これに限るものではなく、有機物質が十分
除去されていれば、真空度自体は多少低下しても十分な
特性を維持することができる。このような真空雰囲気を
採用することにより、新たな炭素あるいは炭素化合物の
堆積を抑制でき、結果として素子電流Ｉf及び放出電流
Ｉeが安定する。It is preferable that the atmosphere at the time of driving after the above-mentioned stabilization treatment is maintained as it is at the end of the stabilization treatment, but the present invention is not limited to this, and if the organic substance is sufficiently removed, Sufficient characteristics can be maintained even if the degree of vacuum itself is slightly lowered. By adopting such a vacuum atmosphere, the deposition of new carbon or carbon compound can be suppressed, and as a result, the device current If and the emission current Ie are stabilized.

【００８０】電子放出素子の配列は種々のものが採用で
き、代表的な例として、はしご状配置とマトリクス配置
がある。本実施形態ではマトリクス配置を用いた。Various arrangements of electron-emitting devices can be adopted, and typical examples are a ladder-like arrangement and a matrix arrangement. In this embodiment, a matrix arrangement is used.

【００８１】はしご状配置は、多数の電子放出素子を並
列に配置し、これら素子の個々を両端で接続して電子放
出素子の行（以下「素子行」という。）を多数形成した
ものであり（以下この素子行の方向を「行方向」とい
う。）、これら行方向の配線と直交する方向（以下「列
方向」という。）でこれら電子放出素子の上方に配され
た制御電極（「グリッド電極」ともいう。）により、電
子放出素子から放出される電子が制御駆動される。In the ladder-like arrangement, a large number of electron-emitting devices are arranged in parallel, and each of these devices is connected at both ends to form a large number of electron-emitting device rows (hereinafter referred to as "element rows"). (Hereinafter, the direction of this element row is referred to as "row direction".), And the control electrode ("grid") arranged above these electron-emitting devices in a direction orthogonal to the wiring in these row directions (hereinafter referred to as "column direction"). Electrons emitted from the electron-emitting device are controlled and driven by the electrodes.

【００８２】一方、マトリクス配置は、電子放出素子を
Ｘ方向及びＹ方向に行列状に複数個配し、同じ行に配さ
れた複数の電子放出素子の電極の一方を、Ｘ方向の配線
に共通に接続し、同じ列に配された複数の電子放出素子
の電極の他方を、Ｙ方向の配線に共通に接続したもので
ある。On the other hand, in the matrix arrangement, a plurality of electron-emitting devices are arranged in a matrix in the X and Y directions, and one of the electrodes of the plurality of electron-emitting devices arranged in the same row is commonly used for wiring in the X direction. , And the other of the electrodes of the plurality of electron-emitting devices arranged in the same column is commonly connected to the wiring in the Y direction.

【００８３】本実施形態の単純マトリクス配置型の電子
源基板、及びこの電子源基板を備えた表示パネルについ
て以下に詳述する。図９に、本発明における電子放出素
子を複数個マトリクス状に配した電子源基板を示す。同
図において、１０７は電子源基板、１０８はＸ方向配
線、１０９はＹ方向配線である。１１０は表面伝導型電
子放出素子、１１１は結線である。The simple matrix arrangement type electron source substrate of this embodiment and the display panel provided with this electron source substrate will be described in detail below. FIG. 9 shows an electron source substrate in which a plurality of electron-emitting devices according to the present invention are arranged in a matrix. In the figure, 107 is an electron source substrate, 108 is an X-direction wiring, and 109 is a Y-direction wiring. 110 is a surface conduction electron-emitting device, and 111 is a wire connection.

【００８４】１００本のＸ方向配線（１０８）は、導電
性金属等からなり、印刷法を用いて図中のＤx1、Ｄx2、
・・・、Ｄxmのように構成した。これら配線の材料・膜
厚・巾は適宜設計される。Ｙ方向配線（１０９）は、Ｄ
y1、Ｄy2、・・・、Ｄynの１００本の配線からなり、Ｘ
方向配線（１０８）と同様に形成される。これら１００
本のＸ方向配線（１０８）と１００本のＹ方向配線（１
０９）との間には、不図示の層間絶縁層が設けられてお
り、両者を電気的に絶縁している。The 100 X-direction wirings (108) are made of a conductive metal or the like, and are printed by using Dx1, Dx2,
..., configured like Dxm. The material, film thickness, and width of these wirings are appropriately designed. The Y direction wiring (109) is D
It consists of 100 wires of y1, Dy2, ..., Dyn, X
It is formed similarly to the direction wiring (108). These 100
X-direction wiring (108) and 100 Y-direction wiring (1
09), an interlayer insulating layer (not shown) is provided to electrically insulate the both.

【００８５】不図示の層間絶縁層は、ＳｉＯ2等からな
り、印刷法を用いて形成した。The interlayer insulating layer (not shown) is made of SiO 2 or the like and is formed by a printing method.

【００８６】Ｘ方向配線（１０８）とＹ方向配線（１０
９）は、それぞれに対して外部端子が設けられ引き出さ
れている。X-direction wiring (108) and Y-direction wiring (10)
9) is provided with an external terminal for each of them and is drawn out.

【００８７】表面伝導型放出素子（１１０）を構成する
一対の電極（不図示）は、Ｘ方向配線（１０８）及びＹ
方向配線（１０９）と導電性金属等からなる結線（１１
１）によって電気的に接続されている。The pair of electrodes (not shown) constituting the surface conduction electron-emitting device (110) includes an X-direction wiring (108) and a Y-direction wiring.
Directional wiring (109) and connection (11) made of conductive metal or the like.
It is electrically connected by 1).

【００８８】Ｘ方向配線（１０８）とＹ方向配線（１０
９）を構成する材料、結線（１１１）を構成する材料お
よび一対の素子電極を構成する材料は、その構成元素の
一部又は全部が同一であっても、またそれぞれ異なって
いてもよい。これらの材料は、前述の素子電極の材料か
ら適宜選択することができる。素子電極を構成する材料
と配線材料とが同一である場合には、素子電極に接続し
た配線は素子電極ということもできる。X-direction wiring (108) and Y-direction wiring (10)
The material forming 9), the material forming the wire connection (111), and the material forming the pair of device electrodes may be the same or different in some or all of the constituent elements. These materials can be appropriately selected from the above-mentioned materials for the device electrodes. When the material forming the element electrode and the wiring material are the same, the wiring connected to the element electrode can also be referred to as an element electrode.

【００８９】Ｘ方向配線（１０８）には、Ｘ方向に配列
した表面伝導型電子放出素子（１１０）の行を選択する
ための走査信号を印加する不図示の走査信号印加手段を
接続した。一方、Ｙ方向配線（１０９）には、Ｙ方向に
配列した表面伝導型電子放出素子（１１０）の各列を入
力信号に応じて変調するための不図示の変調信号発生手
段を接続した。各表面伝導型電子放出素子に印加される
駆動電圧は、当該素子に印加される走査信号と変調信号
の差電圧として供給した。A scanning signal applying means (not shown) for applying a scanning signal for selecting a row of the surface conduction electron-emitting devices (110) arranged in the X direction was connected to the X-direction wiring (108). On the other hand, the Y direction wiring (109) was connected to a modulation signal generating means (not shown) for modulating each column of the surface conduction electron-emitting devices (110) arranged in the Y direction according to an input signal. The driving voltage applied to each surface conduction electron-emitting device was supplied as a difference voltage between the scanning signal and the modulation signal applied to the device.

【００９０】以上の単純マトリクス配置を構成すること
によって、個別の素子を選択し、独立に駆動することが
できた。By configuring the above simple matrix arrangement, individual elements can be selected and driven independently.

【００９１】このような単純マトリクス配置の電子源基
板を用いて構成した本実施形態の画像形成装置につい
て、図１０及び図１１を用いて以下に説明する。図１０
は画像形成装置の表示パネルの一例を示す斜視図であ
り、図１１は画像形成装置に使用される蛍光膜の模式図
である。An image forming apparatus of this embodiment constituted by using the electron source substrate having such a simple matrix arrangement will be described below with reference to FIGS. 10 and 11. FIG.
FIG. 11 is a perspective view showing an example of a display panel of the image forming apparatus, and FIG. 11 is a schematic view of a fluorescent film used in the image forming apparatus.

【００９２】図１０において、１０７は電子放出素子を
複数配した電子源基板、１１２は電子源基板（１０７）
を固定したリアプレート、１１７はガラス基板（１１
４）の内面に蛍光膜（１１５）とメタルバック（１１
６）が形成されたフェースプレートである。１１３は支
持枠であり、この支持枠にはリアプレート（１１２）及
びフェースプレート（１１７）がフリットガラス等を用
いて接合されている。１１９は外囲器であり、この封着
は、大気中４５０℃で１５分間焼成して行った。In FIG. 10, 107 is an electron source substrate on which a plurality of electron-emitting devices are arranged, and 112 is an electron source substrate (107).
A rear plate 117 on which a glass substrate (11
On the inner surface of 4), the fluorescent film (115) and the metal back (11)
6) is formed on the face plate. Reference numeral 113 denotes a support frame, and the rear plate (112) and the face plate (117) are joined to the support frame by using frit glass or the like. Reference numeral 119 denotes an envelope, and this sealing was performed by firing in air at 450 ° C. for 15 minutes.

【００９３】１１０は表面伝導型電子放出素子であり、
１０８及び１０９はそれぞれ、表面伝導型電子放出素子
の一対の素子電極と接続されたＸ方向配線及びＹ方向配
線である。110 is a surface conduction electron-emitting device,
Reference numerals 108 and 109 denote an X-direction wiring and a Y-direction wiring connected to a pair of device electrodes of the surface conduction electron-emitting device, respectively.

【００９４】外囲器（１１９）は、上述の如く、フェー
スープレート（１１７）、支持枠（１１３）、リアプレ
ート（１１２）で構成される。リアプレート（１１２）
は主に電子源基板（１０７）の強度を補強する目的で設
けられるため、本実施形態では、電子源基板自体が十分
な強度を持つので前述のような別体のリアプレートは用
いなかった。すなわち、電子源基板（１０７）に直接支
持枠（１１３）を封着し、外囲器（１１９）を構成し
た。また、フェースープレート（１１７）とリアプレー
ト（１１２）との間に、スペーサー（耐大気圧支持部
材）とよばれる不図示の支持体を設置することにより、
大気圧に対して十分な強度をもつ外囲器を構成すること
もできる。The envelope (119) is composed of the face plate (117), the support frame (113) and the rear plate (112) as described above. Rear plate (112)
Is mainly provided for the purpose of reinforcing the strength of the electron source substrate (107). Therefore, in this embodiment, since the electron source substrate itself has sufficient strength, the separate rear plate as described above is not used. That is, the support frame (113) was directly sealed to the electron source substrate (107) to form the envelope (119). Further, by installing a support body (not shown) called a spacer (atmospheric pressure resistant support member) between the face plate (117) and the rear plate (112),
It is also possible to construct an envelope having sufficient strength against atmospheric pressure.

【００９５】図１１は、蛍光膜を示す模式図である。蛍
光膜は、モノクロームの場合は蛍光体のみから構成する
ことができる。本実施形態はカラーであり、蛍光体をス
トライプ状に配列し、ブラックストライプ（図１１
（ａ））と呼ばれる黒色部材（１２０）と蛍光体（１２
１）とから構成した。ブラックストライプに代えてブラ
ックマトリクス（図１１（ｂ））にしてもよい。ブラッ
クストライプ又はブラックマトリクスを設ける目的は、
カラー表示の場合、必要となる三原色蛍光体の各蛍光体
間の塗り分け部を黒くすることで混色等を目立たなくす
ること、及び外光反射によるコントラストの低下を抑制
することにある。ブラックストライプの材料としては、
通常用いられている黒鉛を主成分とする材料の他、光の
透過及び反射が少ない材料であれば、これを用いること
ができる。本実施形態では黒鉛を用いた。ガラス基板
（１１４）に蛍光体を塗布する方法は、モノクローム、
カラーによらず、沈澱法や印刷法等が採用できる。本実
施形態では印刷法を用いた。FIG. 11 is a schematic diagram showing a fluorescent film. The fluorescent film can be composed of only a phosphor in the case of monochrome. In the present embodiment, the color is used, and the phosphors are arranged in stripes, and black stripes (see FIG.
(A)) Black member (120) and phosphor (12)
1) and. A black matrix (FIG. 11B) may be used instead of the black stripe. The purpose of providing a black stripe or black matrix is to
In the case of color display, there is a purpose of making the color-separated portion between the respective phosphors of the required three primary color phosphors black so as to make the color mixture and the like inconspicuous and to suppress the deterioration of contrast due to reflection of external light. As a material of black stripe,
In addition to the commonly used material containing graphite as a main component, any material that transmits and reflects light little can be used. In this embodiment, graphite is used. The method of applying the phosphor to the glass substrate (114) is monochrome,
Regardless of color, precipitation method or printing method can be adopted. In this embodiment, the printing method is used.

【００９６】蛍光膜（１１５）の内面側には、メタルバ
ック（１１６）を設けた。メタルバックを設ける目的
は、蛍光体の発光のうち内面側ヘの光をフェースプレー
ト（１１７）側ヘ鏡面反射させることにより輝度を向上
させること、電子ビーム加速電圧を印加するための電極
として作用させること、外囲器内で発生した負イオンの
衝突によるダメージから蛍光体を保護すること等であ
る。メタルパックは、蛍光膜の形成後、蛍光膜の内面側
表面の平滑化処理（通常「フィルミング」と呼ばれ
る。）を行い、その後真空蒸着等を用いてＡｌを堆積さ
せることで形成した。A metal back (116) was provided on the inner surface side of the fluorescent film (115). The purpose of providing the metal back is to improve the luminance by specularly reflecting the light on the inner surface side of the light emission of the phosphor to the face plate (117) side, and to act as an electrode for applying an electron beam acceleration voltage. That is, the phosphor is protected from damage due to collision of negative ions generated in the envelope. The metal pack was formed by performing a smoothing process (usually called “filming”) on the inner surface of the fluorescent film after forming the fluorescent film, and then depositing Al using vacuum deposition or the like.

【００９７】フェースプレート（１１７）には、さらに
蛍光膜（１１５）の導電性を高めるため、蛍光膜の外面
側（ガラス基板側）に透明電極（不図示）を設けてもよ
い。The face plate (117) may be provided with a transparent electrode (not shown) on the outer surface side (glass substrate side) of the fluorescent film in order to further enhance the conductivity of the fluorescent film (115).

【００９８】前述の外囲器の封着を行う際には、カラー
の場合は各色蛍光体と電子放出素子とを対応させる必要
があり、十分な位置合わせを行った。図１０に示した表
示パネルの場合は次のようにして製造した。外囲器（１
１９）は、前述の安定化処理と同様に適宜加熱しなが
ら、イオンポンプを用いた排気装置により不図示の排気
管を通じて排気し、１０-7Torr程度の真空度の有機物質
の十分少ない雰囲気にした後、封止した。外囲器（１１
９）の封止後の真空度を維持するために、ゲッター処理
を行なった。これは、外囲器（１１９）の封止を行う直
前または封止後に、抵抗加熱や高周波加熱等により、外
囲器内の所定の位置（不図示）に配置されたゲッターを
加熱し、蒸着膜を形成する処理である。ゲッターはＢａ
等が主成分であり、この蒸着膜の吸着作用により、例え
ば１０-5〜１０-7Torrの真空度を維持することができ
た。In the case of sealing the above-mentioned envelope, in the case of color, it is necessary to associate each color phosphor with the electron-emitting device, and sufficient alignment was performed. The display panel shown in FIG. 10 was manufactured as follows. Envelope (1
19) is the same as the above-mentioned stabilization treatment, while appropriately heating, exhausting through an exhaust pipe (not shown) by an exhaust device using an ion pump to create an atmosphere with a vacuum degree of about 10 -7 Torr and a sufficiently small amount of organic substances. After that, it was sealed. Envelope (11
In order to maintain the degree of vacuum after sealing in 9), getter processing was performed. Immediately before or after sealing the envelope (119), the getter placed at a predetermined position (not shown) in the envelope is heated by resistance heating, high-frequency heating, or the like to perform vapor deposition. This is a process for forming a film. Getter is Ba
Etc. are the main components, and the vacuum degree of, for example, 10 −5 to 10 −7 Torr could be maintained by the adsorption action of this vapor deposition film.

【００９９】以上のようにして作製した画像形成装置を
実施形態１の画像形成装置として用いた。The image forming apparatus manufactured as described above was used as the image forming apparatus of the first embodiment.

【０１００】上記実施形態で用いたマトリクス配置以外
の形態として、はしご状配置型の電子源基板およびこれ
を用いた表示パネルも本発明に適用できるため、それぞ
れ図１２及び図１３を用いて説明する。As a mode other than the matrix arrangement used in the above embodiment, a ladder-type electron source substrate and a display panel using the same can be applied to the present invention, and therefore will be described with reference to FIGS. 12 and 13, respectively. .

【０１０１】図１２は、はしご状配置型の電子源基板の
一例を示す模式図である。同図において、１３７は電子
源基板、１３０は表面伝導型電子放出素子である。１３
１のＤx1〜Ｄx10は、表面伝導型電子放出素子（１３
０）を接続するための共通配線である。表面伝導型電子
放出素子（１３０）は、基板上に、Ｘ方向に並列に複数
個配されている。この素子行が複数個配されて、電子源
基板が構成されている。各素子行の共通配線間に駆動電
圧を印加することで、各素子行を独立に駆動させること
ができる。即ち、電子ビームを放出させたい素子行には
電子放出しきい値以上の電圧を、電子ビームを放出しな
い素子行には電子放出しきい値以下の電圧を印加する。
各素子行間の共通配線Ｄx2〜Ｄx9は、例えばＤx2とＤx3
とを同一配線とすることもできる。FIG. 12 is a schematic view showing an example of a ladder-shaped arrangement type electron source substrate. In the figure, 137 is an electron source substrate, and 130 is a surface conduction electron-emitting device. Thirteen
Dx1 to Dx10 of 1 are surface conduction electron-emitting devices (13
0) is a common wiring for connecting 0). A plurality of surface conduction electron-emitting devices (130) are arranged in parallel in the X direction on the substrate. A plurality of the element rows are arranged to form an electron source substrate. By applying a drive voltage between the common wires of each element row, each element row can be driven independently. That is, a voltage equal to or higher than the electron emission threshold value is applied to the element row where the electron beam is desired to be emitted, and a voltage equal to or lower than the electron emission threshold value is applied to the element row which does not emit the electron beam.
The common wirings Dx2 to Dx9 between the element rows are, for example, Dx2 and Dx3.
It is also possible to use the same wiring for and.

【０１０２】図１３は、上記はしご状配置型の電子源基
板を備えた表示パネルの一例を示す斜視図である。１３
２はグリッド電極、１３３は電子が通過するため開口、
Ｄox1〜Ｄoxmは容器外端子である。Ｇ1〜Ｇnは、グリッ
ド電極（１３２）と接続された容器外端子である。図１
３に示した表示パネルと、図１０に示した単純マトリク
ス配置型の電子源基板を備えた表示パネルとの大きな違
いは、電子源基板（１３７）とフェースプレート（１１
７）との間にグリッド電極（１３２）を備えているか否
かである。FIG. 13 is a perspective view showing an example of a display panel equipped with the ladder-shaped electron source substrate. Thirteen
2 is a grid electrode, 133 is an opening for passing electrons,
Dox1 to Doxm are terminals outside the container. G1 to Gn are terminals outside the container connected to the grid electrode (132). FIG.
3 is different from the display panel including the electron source substrate of the simple matrix arrangement type shown in FIG. 10 in that the electron source substrate (137) and the face plate (11) are different.
7) and whether or not a grid electrode (132) is provided.

【０１０３】このグリッド電極（１３２）は、表面伝導
型電子放出素子から放出された電子ビームを変調するた
めのものであり、はしご状配置の素子行と直交して設け
られたストライプ状の電極である。それぞれのグリッド
電極には、電子ビームを通過させるため、各素子に対応
して１個ずつ円形の開口（１３３）が設けられている。
なお、グリッド電極の形状や設置位置は図１３に示した
ものに限定されるものではない。例えば、開口としてメ
ッシュ状に多数の通過孔を設けることもでき、グリッド
電極を表面伝導型電子放出素子の周囲や近傍に設けるこ
ともできる。The grid electrode (132) is for modulating the electron beam emitted from the surface conduction electron-emitting device, and is a striped electrode provided orthogonal to the ladder-shaped device rows. is there. Each grid electrode is provided with a circular opening (133) corresponding to each element in order to pass an electron beam.
The shape and installation position of the grid electrode are not limited to those shown in FIG. For example, a large number of through holes may be provided in the form of a mesh as openings, and the grid electrode may be provided around or near the surface conduction electron-emitting device.

【０１０４】容器外端子（Ｄox1〜Ｄoxm）及びグリッド
容器外端子（Ｇ1〜Ｇn）は、不図示の制御回路と電気的
に接続されている。The terminals outside the container (Dox1 to Doxm) and the terminals outside the grid container (G1 to Gn) are electrically connected to a control circuit (not shown).

【０１０５】本例の表示パネルを備えた画像形成装置で
は、素子行を１列ずつ順次駆動（走査）していくのと同
期してグリッド電極列に画像１ライン分の変調信号を同
時に印加する。これにより、各電子ビームの蛍光体ヘの
照射を制御し、画像をｌラインずつ表示することができ
る。In the image forming apparatus having the display panel of this example, a modulation signal for one image line is simultaneously applied to the grid electrode column in synchronization with the sequential driving (scanning) of the element rows one column at a time. . This makes it possible to control the irradiation of each electron beam onto the phosphor and display an image by 1 line.

【０１０６】以上に説明した本発明の平板型画像形成装
置は、テレビジョン放送の表示装置、テレビ会議システ
ムやコンピューター等の表示装置の他、感光性ドラム等
を用いて構成された光プリンターとしての画像形成装置
等としても用いることができる。The flat-panel image forming apparatus of the present invention described above is used as a display device for television broadcasting, a display device such as a video conference system or a computer, and an optical printer constituted by using a photosensitive drum or the like. It can also be used as an image forming apparatus or the like.

【０１０７】[0107]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように本発明に
よれば、 １）地震、不注意あるいは子供のいたずら等によって平
板型画像形成装置が転倒した場合など、周囲の物体によ
る画面への衝撃から画面を保護することができ、画面の
破損や傷を防ぐことができる。 ２）平板型画像形成装置への電力の供給が停止された場
合にも自動的に画面保護手段が作動するため、地震等の
非常時に電力の供給が停止された場合でも画面保護手段
が作動し、画面の破損や傷を防ぐことができる。 ３）主電源のオフ時やスタンバイ状態にした時あるいは
電力の供給が停止された時に自動的に画面保護手段が作
動するため、使用後の画面保護部材の閉め忘れがなくな
り、未使用時においても転倒や外力等による画面の破損
や傷を防ぐことができる。 ４）未使用時に画面を画面保護部材で覆っているため、
未使用時における画面へのホコリやゴミの付着を防止す
ることができ、画面の掃除回数を減らすことができると
ともに、掃除の回数が減るため掃除の際の傷の発生も抑
えることができる。 ５）材料の選択により、従来よりも比較的軽量にするこ
とが可能である。As is apparent from the above description, according to the present invention, 1) the impact of the surrounding objects on the screen, such as when the flat panel image forming apparatus falls due to an earthquake, carelessness, mischief of a child, or the like. The screen can be protected from damage and the screen can be prevented from being damaged or scratched. 2) Since the screen protection means automatically operates even when the power supply to the flat panel image forming apparatus is stopped, the screen protection means operates even when the power supply is stopped in an emergency such as an earthquake. , Can prevent the screen from being damaged or scratched. 3) The screen protection means automatically operates when the main power is turned off, when it is in a standby state, or when power supply is stopped, so it is not forgotten to close the screen protection member after use, and even when not in use. It is possible to prevent the screen from being damaged or scratched due to a fall or external force. 4) Since the screen is covered with a screen protection member when not in use,
Dust and dust can be prevented from adhering to the screen when not in use, and the number of times the screen is cleaned can be reduced. Also, since the number of times the cleaning is performed can be reduced, the occurrence of scratches during cleaning can be suppressed. 5) It is possible to make the material relatively lighter than the conventional one by selecting the material.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の平板型画像形成装置の概略断面図であ
る。FIG. 1 is a schematic sectional view of a flat panel image forming apparatus of the present invention.

【図２】本発明の平板型画像形成装置の概略正面図であ
る。FIG. 2 is a schematic front view of a flat panel image forming apparatus of the present invention.

【図３】本発明の平板型画像形成装置における制御回路
の説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram of a control circuit in the flat panel image forming apparatus of the present invention.

【図４】本発明の平板型画像形成装置の概略正面図であ
る。FIG. 4 is a schematic front view of a flat panel image forming apparatus of the present invention.

【図５】本発明における平面型表面伝導型電子放出素子
の説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram of a flat surface conduction electron-emitting device according to the present invention.

【図６】本発明における垂直型表面伝導型電子放出素子
の説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram of a vertical surface conduction electron-emitting device according to the present invention.

【図７】本発明における表面伝導型電子放出素子の製造
方法の説明図である。FIG. 7 is an explanatory view of a method for manufacturing a surface conduction electron-emitting device according to the present invention.

【図８】本発明における表面伝導型電子放出素子の製造
に際して採用する通電フォーミング処理における電圧波
形の説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram of voltage waveforms in an energization forming process adopted when manufacturing the surface conduction electron-emitting device according to the present invention.

【図９】本発明におけるマトリクス配置型の電子源基板
の説明図（模式図）である。FIG. 9 is an explanatory diagram (schematic diagram) of a matrix arrangement type electron source substrate in the present invention.

【図１０】本発明の平板型画像形成装置の表示パネルの
説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram of a display panel of the flat panel image forming apparatus of the present invention.

【図１１】本発明の平板型画像形成装置の表示パネルに
用いられる蛍光膜の説明図（模式図）である。FIG. 11 is an explanatory diagram (schematic diagram) of a fluorescent film used in the display panel of the flat panel image forming apparatus of the present invention.

【図１２】本発明のはしご状配置型の電子源基板の説明
図（模式図）である。FIG. 12 is an explanatory diagram (schematic diagram) of a ladder-type arrangement type electron source substrate of the present invention.

【図１３】本発明の平板型画像形成装置の表示パネルの
説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram of a display panel of the flat panel image forming apparatus of the present invention.

【図１４】従来の平板型画像形成装置の概略断面図であ
る。FIG. 14 is a schematic cross-sectional view of a conventional flat plate type image forming apparatus.

【図１５】従来の表面伝導型電子放出素子の模式的平面
図である。FIG. 15 is a schematic plan view of a conventional surface conduction electron-emitting device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１、２０１ 表示パネル ２、２０２ 画面 ３ 画面保護手段 ３ａ 画面保護部材 ３ｂ 駆動手段 ３ｃ 制御回路 ４ センサー ５ 独立電源 ６ 扉 １０１、３０１ 基板 １０２、１０３ 素子電極 １０４、３０２ 導電性薄膜 １０５、３０３ 電子放出部 １０６ 段差形成部 １０７、１３７ 電子源基板 １０８ Ｘ方向配線 １０９ Ｙ方向配線 １１０、１３０ 表面伝導型電子放出素子 １１１ 結線 １１２ リアプレート １１３ 支持枠 １１４ ガラス基板 １１５ 蛍光膜 １１６ メタルバック １１７ フェースプレート １１８ 高圧端子 １１９ 外囲器 １２０ 黒色部材 １２１ 蛍光体 １３１ 共通配線 １３２ グリッド電極 １３３ 開口 ２０３ 画面保護板 1, 201 Display panel 2, 202 Screen 3 Screen protection means 3a Screen protection member 3b Driving means 3c Control circuit 4 Sensor 5 Independent power source 6 Door 101, 301 Substrate 102, 103 Element electrode 104, 302 Conductive thin film 105, 303 Electron emission Part 106 Step forming part 107, 137 Electron source substrate 108 X direction wiring 109 Y direction wiring 110, 130 Surface conduction electron-emitting device 111 Connection 112 Rear plate 113 Support frame 114 Glass substrate 115 Fluorescent film 116 Metal back 117 Face plate 118 High voltage Terminal 119 Envelope 120 Black member 121 Phosphor 131 Common wiring 132 Grid electrode 133 Opening 203 Screen protection plate

Claims (13)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】 画面保護手段を有する平板型画像形成装
置であって、制御信号に従って該画面保護手段が作動す
ることを特徴とする平板型画像形成装置。1. A flat panel image forming apparatus having a screen protecting means, wherein the screen protecting means operates in accordance with a control signal. 【請求項２】 画面保護手段を作動することが可能な電
力を常に供給できる独立電源を有することを特徴とする
請求項１記載の平板型画像形成装置。2. The flat panel image forming apparatus according to claim 1, further comprising an independent power source capable of constantly supplying electric power capable of operating the screen protection means. 【請求項３】 制御信号が主電源のオフに従って発生
し、画面保護手段が作動することを特徴とする請求項１
又は２記載の平板型画像形成装置。3. The control signal is generated when the main power supply is turned off, and the screen protection means is activated.
Alternatively, the flat panel image forming apparatus according to the item 2. 【請求項４】 制御信号が、スタンバイ状態になること
に従って発生し、画面保護手段が作動することを特徴と
する請求項１、２又は３記載の平板型画像形成装置。4. A flat image forming apparatus according to claim 1, 2 or 3, wherein a control signal is generated in response to a standby state and the screen protection means is activated. 【請求項５】 制御信号が、平板型画像形成装置への電
力供給が停止されたときに発生し、画面保護手段が作動
することを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記
載の平板型画像形成装置。5. The control signal is generated when the power supply to the flat panel image forming apparatus is stopped, and the screen protection means is activated. Flat plate type image forming apparatus. 【請求項６】 制御信号がセンサーの出力に従って発生
し、画面保護手段が作動することを特徴とする請求項１
〜５のいずれか１項に記載の平板型画像形成装置。6. The control signal is generated according to the output of the sensor, and the screen protection means is activated.
6. The flat plate type image forming apparatus according to any one of items 5 to 5. 【請求項７】 制御信号が揺れ感知センサーの出力に従
って発生し、画面保護手段が作動することを特徴とする
請求項１〜５のいずれか１項に記載の平板型画像形成装
置。7. The flat panel image forming apparatus according to claim 1, wherein a control signal is generated according to the output of the shake detection sensor, and the screen protection means is activated. 【請求項８】 画面保護手段が、画面を覆う構成を有す
る手段であることを特徴とする請求項１〜７のいずれか
１項に記載の平板型画像形成装置。8. The flat panel image forming apparatus according to claim 1, wherein the screen protection unit is a unit having a structure for covering the screen. 【請求項９】 画面保護手段が、シャッターにより画面
を覆う構成を有することを特徴とする請求項１〜７のい
ずれか１項に記載の平板型画像形成装置。9. The flat-panel image forming apparatus according to claim 1, wherein the screen protection unit has a structure in which the screen is covered by a shutter. 【請求項１０】 画面保護手段が、扉により画面を覆う
構成を有することを特徴とする請求項１〜７のいずれか
１項に記載の平板型画像形成装置。10. The flat-panel image forming apparatus according to claim 1, wherein the screen protection unit has a structure in which the screen is covered by a door. 【請求項１１】 画面を有する表示パネルが、少なくと
も、電子放出素子を備えたリアプレートと該リアプレー
トに対向して配置されたフェースプレートとで構成され
ていることを特徴とする請求項１〜１０のいずれか１項
に記載の平板型画像形成装置。11. A display panel having a screen is composed of at least a rear plate having an electron-emitting device and a face plate arranged so as to face the rear plate. 10. The flat plate type image forming apparatus according to any one of 10. 【請求項１２】 フェースプレートが、電子放出素子か
ら放射される電子を受ける被照射部材を搭載しているこ
とを特徴とする請求項１１記載の画像形成装置。12. The image forming apparatus according to claim 11, wherein the face plate has an illuminated member that receives electrons emitted from the electron-emitting device. 【請求項１３】 電子放出素子が表面伝導型電子放出素
子であることを特徴とする請求項１１又は１２記載の平
板型画像形成装置。13. The flat plate image forming apparatus according to claim 11, wherein the electron-emitting device is a surface conduction electron-emitting device.
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