JPH09306400A - Electron beam measuring knife edge and manufacture therefor and electron beam measuring method using electron beam measuring knife edge - Google Patents
Electron beam measuring knife edge and manufacture therefor and electron beam measuring method using electron beam measuring knife edgeInfo
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体集積回路を
製造したり、評価したりするのに用い得る電子ビ―ム装
置における電子ビ―ムの径またはエッジだれを測定する
のに用いる電子ビ―ム計測用ナイフエッジ、及びその製
法、並びに電子ビ―ム計測用ナイフエッジを用いた電子
ビ―ム計測法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electronic beam used for measuring the diameter or edge sag of an electronic beam in an electronic beam apparatus which can be used for manufacturing and evaluating a semiconductor integrated circuit. The present invention relates to a knife edge for measuring a beam, a manufacturing method thereof, and an electronic beam measuring method using the knife edge for measuring an electronic beam.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、図6及び図7を伴って、次に述べ
る電子ビ―ム計測法が特願平05−273040号にお
いて提案されている。2. Description of the Related Art Conventionally, the following electron beam measuring method has been proposed in Japanese Patent Application No. 05-273040 with reference to FIGS. 6 and 7.
【0003】まず、従来提案されている電子ビ―ム計測
法にいられている従来の電子ビ―ム計測用ナイフエッジ
を述べるに、図6において符号1で示され、互に平行に
相対する平らな主面3a及び3bと、それら主面3a及
び3bに対して垂直な面4を有する基板2を有し、そし
て、その基板2の面4上に、互に異なる電子ビーム透過
率または反射率もしくは2次電子放出率を有する第1及
び第2の層6及び7がそれらの順に積層されている積層
体5が、第1及び第2の層6及び7間の界面をナイフエ
ッジ8とするように形成されている、という構成を有す
る。First, a conventional knife edge for measuring an electron beam, which is used in a conventionally proposed electron beam measuring method, will be described. It is shown by reference numeral 1 in FIG. 6 and is parallel to each other. A substrate 2 having flat major surfaces 3a and 3b and a surface 4 perpendicular to the major surfaces 3a and 3b, and having different electron beam transmittances or reflections on the surface 4 of the substrate 2. The stack 5 in which the first and second layers 6 and 7 having a rate or secondary electron emission rate are stacked in that order forms a knife edge 8 at the interface between the first and second layers 6 and 7. It is formed so as to have.
【0004】この場合、積層体5を構成している第1の
層6は、原子番号の比較的小さなB、C、Be、Al、
Siなどの元素、またはそれらの元素を含むB4 C、B
N、SiC、SiNなどの化合物でなる軽元素を主成分
とする層でなる。また、積層体5を構成している第2の
層7は、原子番号の比較的大きなW、Mo、Ta、P
t、Ru、Rhなどの元素、またはそれら元素を含む化
合物などでなる、重元素を主成分とする層でなる。な
お、第1の層6が軽元素を主成分とする層でなる場合、
その第1の層6は電子ビームに対して比較的高い透過率
を有し且つ電子ビームに対して比較的低い反射率を有
し、また、第2の層7が重元素を主成分とする層でなる
場合、その第2の層7は電子ビームに対して比較的低い
透過率を有し且つ電子ビームに対して比較的高い反射率
を有する。なお、第1の層6が軽元素を主成分とする層
でなり、また第2の層7が重元素を主成分とする層でな
る場合、第1及び第2の層6及び7は、互に異なる2次
電子放出率を有する。In this case, the first layer 6 constituting the laminated body 5 is composed of B, C, Be, Al having a relatively small atomic number.
Elements such as Si, or B 4 C, B containing these elements
It is a layer containing a light element, which is a compound such as N, SiC, or SiN, as a main component. Further, the second layer 7 constituting the laminated body 5 is made of W, Mo, Ta, P having a relatively large atomic number.
It is a layer containing a heavy element as a main component and made of an element such as t, Ru, or Rh, or a compound containing these elements. When the first layer 6 is a layer containing a light element as a main component,
The first layer 6 has a relatively high transmittance for an electron beam and a relatively low reflectance for an electron beam, and the second layer 7 contains a heavy element as a main component. If made up of layers, the second layer 7 has a relatively low transmittance for electron beams and a relatively high reflectance for electron beams. When the first layer 6 is a layer containing a light element as a main component and the second layer 7 is a layer containing a heavy element as a main component, the first and second layers 6 and 7 are They have different secondary electron emission rates.
【0005】以上が、従来提案されている電子ビ―ム計
測法に用いられている電子ビ―ム計測用ナイフエッジで
ある。The above is the knife edge for electron beam measurement used in the conventionally proposed electron beam measurement method.
【0006】次に、図6に示す上述した従来の電子ビ―
ム計測用ナイフエッジ1を用いた、従来の電子ビ―ム計
測法を述べるに、その1つは、上述した電子ビ―ム計測
用ナイフエッジ1の基板2の主面3aを、電子銃(図示
せず)から走査系(図示せず)を通して得られる電子ビ
ームBによって、図6及び図7Aに示すように、積層体
5の第1及び第2の層6及び7間の界面でなるナイフエ
ッジ8を例えば垂直に横切るようにx方向に走査し、そ
れによって基板2の主面3b側に透過して得られる電子
B′の強度を、電子検出器(図示せず)によって検出
し、その電子検出器から出力される図7Bに示すような
検出信号Sの、ナイフエッジ8に対応して立ち下ってい
る部の幅が、電子ビームBの基板2の主面3a上を走査
する方向にみた径に対応することから、その検出信号S
の、ナイフエッジ8に対応して立ち下っている部の最大
レベルの例えば10%の位置と90%の位置との間で定
義される幅dを、電子ビームBの基板2の主面3a上を
走査するx方向の径として、信号処理回路(図示せず)
での処理によって測定する。Next, the above-mentioned conventional electronic beam shown in FIG.
A conventional electron beam measuring method using the knife edge 1 for measuring a beam will be described. One of them is to measure the main surface 3a of the substrate 2 of the knife edge 1 for measuring an electron beam described above with an electron gun ( An electron beam B obtained from a scanning system (not shown) from a knife (not shown) forms an interface between the first and second layers 6 and 7 of the stack 5, as shown in FIGS. 6 and 7A. The edge 8 is scanned in the x direction so as to cross it vertically, for example, and the intensity of the electron B'obtained by transmitting to the side of the main surface 3b of the substrate 2 is detected by an electron detector (not shown). The width of the falling portion of the detection signal S as shown in FIG. 7B output from the electron detector corresponding to the knife edge 8 is in the direction of scanning the main surface 3a of the substrate 2 of the electron beam B. The detected signal S
On the main surface 3a of the substrate 2 of the electron beam B with a width d defined between the position of 10% and the position of 90% of the maximum level of the part that is corresponding to the knife edge 8. Signal processing circuit (not shown) as a diameter in the x direction for scanning
It is measured by the treatment in.
【0007】また、図6に示す従来の電子ビ―ム計測用
ナイフエッジ1を用いた、従来の電子ビ―ム計測法の他
の1つは、電子ビ―ム計測用ナイフエッジ1の基板2の
主面3aを、上述したのと同様に得られる電子ビームB
によって走査し、それによって基板2の主面3b側に透
過して得られる電子B′の強度を、電子検出器によって
検出し、その電子検出器から出力される図7Bに示すよ
うな検出信号Sを、信号処理回路(図示せず)で2次微
分し、その信号処理回路で得られる図7Cに示すような
2次微分信号S′の、ナイフエッジ8に対応して立ち下
っている部の幅が、電子ビームBの基板2の主面3a上
を走査するx方向にみたエッジだれに対応することか
ら、その部の幅d′を、電子ビームBの基板2の主面3
a上を走査する方向にみたエッジだれとして、信号処理
回路での処理によって測定する。Another example of the conventional electron beam measuring method using the conventional electronic beam measuring knife edge 1 shown in FIG. 6 is a substrate of the electronic beam measuring knife edge 1. The main surface 3a of the second electron beam B obtained in the same manner as described above.
The intensity of the electron B'obtained by scanning with the electron beam is transmitted to the main surface 3b side of the substrate 2 by the electron detector, and the detection signal S as shown in FIG. 7B is output from the electron detector. Is second-order differentiated by a signal processing circuit (not shown), and the second-order differential signal S ′ obtained by the signal processing circuit as shown in FIG. Since the width corresponds to the edge sag seen in the x direction for scanning the main surface 3a of the substrate 2 of the electron beam B, the width d'of that portion is defined as the width d ′ of the edge.
The edge sag seen in the scanning direction on a is measured by the processing in the signal processing circuit.
【0008】以上が、図6に示す従来の電子ビ―ム計測
用ナイフエッジを用いた、従来の電子ビ―ム計測法であ
る。The above is the conventional electron beam measuring method using the conventional electron beam measuring knife edge shown in FIG.
【0009】上述した従来の電子ビ―ム計測法によれ
ば、用いる図6に示す従来の電子ビ―ム計測用ナイフエ
ッジ1のナイフエッジ8が、基板2の面4上に形成され
た積層体5を構成している第1及び第2の層6及び7間
の界面によって形成されているので、そのナイフエッジ
8が、電子ビ―ム計測用ナイフエッジ1の基板2の主面
3aに対して高い垂直性を有し且つ高い平坦性を有し、
このため、上述した従来の電子ビ―ム計測法の1つの場
合、電子ビ―ム計測用ナイフエッジ1の基板2の主面3
a上を走査する電子ビームBが、基板2の主面3a上で
みて、ナノオーダのような微細な径を有していても、そ
の電子ビームBのx方向の径を高精度に測定することが
でき、また、上述した従来の電子ビ―ム計測法の他の1
つの場合、同様に走査する電子ビームBが、同様に、基
板2の主面3a上でみて、ナノオーダのような微細なエ
ッジだれを有していても、その電子ビームBのx方向の
エッジだれを高精度に測定することができる。According to the conventional electron beam measuring method described above, the knife edge 8 of the conventional electron beam measuring knife edge 1 shown in FIG. 6 is formed on the surface 4 of the substrate 2. The knife edge 8 is formed on the main surface 3a of the substrate 2 of the electronic beam measuring knife edge 1 because it is formed by the interface between the first and second layers 6 and 7 constituting the body 5. On the other hand, it has high verticality and high flatness,
Therefore, in the case of one of the conventional electron beam measurement methods described above, the main surface 3 of the substrate 2 of the electron beam measurement knife edge 1 is used.
Even if the electron beam B scanning over a has a fine diameter on the order of the main surface 3a of the substrate 2 such as nano-order, it is possible to measure the diameter of the electron beam B in the x direction with high accuracy. In addition, the other one of the above-mentioned conventional electron beam measurement methods is possible.
In the two cases, even when the electron beam B to be similarly scanned has a fine edge sag like nano-order when viewed on the main surface 3a of the substrate 2, the edge sag in the x direction of the electron beam B is also generated. Can be measured with high accuracy.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】図6及び図7を伴って
上述した従来の電子ビ―ム計測法の場合、用いる電子ビ
―ム計測用ナイフエッジ1が、基板2の主面3aに対し
て垂直な1つの面4上に形成されている積層体5を構成
している第1及び第2の層6及び7の界面による1つの
ナイフエッジ8しか有しないため、電子ビームBのx方
向という1つの方向の径及びエッジだれしか測定するこ
とができず、また、このため、電子ビームBを得る電子
銃及び走査系において非点収差が生じていても、それを
高精度に補正することができない、という欠点を有して
いた。In the case of the conventional electronic beam measuring method described above with reference to FIGS. 6 and 7, the electronic beam measuring knife edge 1 to be used is used with respect to the main surface 3a of the substrate 2. Since it has only one knife edge 8 due to the interface between the first and second layers 6 and 7 that form the laminated body 5 formed on one vertical surface 4 of the electron beam B, Therefore, even if astigmatism is generated in the electron gun for obtaining the electron beam B and the scanning system, it is possible to correct it with high accuracy. It had the drawback that it could not be done.
【0011】よって、本発明は、上述した欠点のない、
新規な電子ビ―ム計測用ナイフエッジ、及びその製法、
並びに電子ビ―ム計測用ナイフエッジを用いた電子ビ―
ム計測法を提案せんとするものである。Therefore, the present invention does not have the above-mentioned drawbacks.
A new knife edge for electronic beam measurement and its manufacturing method,
And an electronic beam using a knife edge for measuring an electronic beam
The purpose is to propose a measurement method.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本願第1番目の発明によ
る電子ビ―ム計測用ナイフエッジは、平らな主面と、
その主面に対して垂直な第1及び第2の面を少なくとも
有する基板を有し、そして、その基板の第1の面上
に、互いに異なる電子ビーム透過率または反射率もしく
は2次電子放出率を有する第1及び第2の層がそれらの
順に積層されている第1の積層体が上記第1及び第2の
層間の界面を第1のナイフエッジとするように形成され
ているとともに、上記基板の第2の面上に、互いに異
なる電子ビーム透過率または反射率もしくは2次電子放
出率を有する第3及び第4の層が積層されている第2の
積層体が上記第3及び第4の層間の界面を第2のナイフ
エッジとするように形成されている。An electronic beam measuring knife edge according to the first invention of the present application has a flat main surface,
A substrate having at least a first surface and a second surface perpendicular to the main surface, and different electron beam transmittances or reflectances or secondary electron emission rates on the first surface of the substrate. And a first laminated body in which the first and second layers having are laminated in that order are formed such that the interface between the first and second layers serves as a first knife edge, and The second and third laminated bodies in which the third and fourth layers having different electron beam transmittances or reflectances or secondary electron emission rates are laminated on the second surface of the substrate are the third and fourth layers. Is formed so that the interface between the layers is the second knife edge.
【0013】この場合、上記第1の積層体の第1の層と
上記第2の積層体の第3の層とが同じ電子ビーム透過率
または反射率もしくは2次電子放出率を有し、また、上
記第1の積層体の第2の層と上記第2の積層体の第4の
層とが同じ電子ビーム透過率または反射率もしくは2次
電子放出率を有するのを可とする。また、上記第1の積
層体の第1の層と上記第2の積層体の第3の層とが軽元
素を主成分とする層でなり、また、上記第2の積層体の
第2の層と上記第2の積層体の第4の層とが重元素を主
成分とする層でなるのを可とする。さらに、上記第1の
面と上記第2の面とが連接し、上記第1の積層体の第1
の層と上記第2の積層体の第3の層とが、上記第1及び
第2の面上に連続して延長している第1の電子ビーム透
過率または反射率もしくは2次電子放出率を有する層
の、上記第1の面上の部及び上記第3の層の上記第2の
面上の部でそれぞれなり、上記第1の積層体の第2の層
と上記第3の積層体の第3の層とが、上記第1の電子ビ
ーム透過率または反射率もしくは2次電子放出率を有す
る層上に延長している第2の電子ビーム透過率または反
射率もしくは2次電子放出率を有する層の、上記第1の
層上の部及び上記第4の層の上記第3の層上の部でそれ
ぞれなるのを可とする。In this case, the first layer of the first laminate and the third layer of the second laminate have the same electron beam transmittance or reflectance or secondary electron emission rate, and The second layer of the first laminate and the fourth layer of the second laminate may have the same electron beam transmittance or reflectance or secondary electron emission rate. Further, the first layer of the first laminated body and the third layer of the second laminated body are layers containing a light element as a main component, and the second layer of the second laminated body. The layer and the fourth layer of the second laminated body may be layers containing a heavy element as a main component. Further, the first surface and the second surface are connected to each other, and the first surface of the first laminated body is
Electron beam transmittance or reflectance or secondary electron emission rate in which the first layer and the third layer of the second laminated body are continuously extended on the first and second surfaces. A layer on the first surface and a portion on the second surface of the third layer, respectively, the second layer of the first laminate and the third laminate. Second layer of electron beam transmittance or reflectance or secondary electron emission which extends over the layer having the first electron beam transmittance or reflectance or secondary electron emission rate. Of the first layer and the fourth layer of the fourth layer on the third layer, respectively.
【0014】本願第2番目の発明による電子ビ―ム計測
用ナイフエッジの製法は、平らな第1の主面を有する
第1の基板を用意する工程と、上記第1の基板に対す
るその第1の主面側からのエッチンク処理によって、上
記第1の基板から、その第1の主面の一部でなる第1の
面と、その第1の面の一端から上記第1の面に対して垂
直に延長している第2の面と、その第2の面の延長端か
らその第2の面に対して垂直に延長している第3の面と
を少なくとも有する第2の基板を形成する工程と、上
記第2の基板の第1の面上に互に異なる電子ビーム透過
率または反射率もしくは2次電子放出率を有する第1及
び第2の層がそれらの順に積層されている第1の積層体
を形成し、上記第2の基板の第2の面上に互に異なる電
子ビーム透過率または反射率もしくは2次電子放出率を
有する第3及び第4の層がそれらの順に積層されている
第2の積層体を形成し、上記第2の基板の第3の面に互
に異なる電子ビーム透過率または反射率もしくは2次電
子放出率を有する第5及び第6の層がそれらの順に積層
されている第3の積層体を形成することによって、上記
第2の基板から、その第1、第2及び第3の面でなる第
4、第5及び第6の面上にそれぞれ上記第1、第2及び
第3の積層体が形成されている第3の基板を形成する工
程と、上記第3の基板から、その第4、第5及び第6
の面に対して垂直な相対向する第2及び第3の主面を有
するとともに、上記第3の基板の第4の面の一部でなる
第7の面上に上記第1の積層体の一部でなる第4の積層
体が形成され、上記第3の基板の第5の面の一部でなる
第8の面上に上記第2の積層体の一部でなる第5の積層
体が形成され、上記第3の基板の第6の面の一部でなる
第9の面上に上記第3の積層体の一部でなる第6の積層
体が形成されている第4の基板を形成する工程とを有す
る。A method of manufacturing an electronic beam measuring knife edge according to the second aspect of the present invention comprises a step of preparing a first substrate having a flat first main surface and a step of preparing the first substrate for the first substrate. Of the first substrate, which is a part of the first main surface, and one end of the first surface with respect to the first surface. Forming a second substrate having at least a second surface extending vertically and a third surface extending from an extension end of the second surface perpendicularly to the second surface. And a first and second layers having different electron beam transmittances or reflectances or secondary electron emission rates on the first surface of the second substrate are laminated in that order. Are formed on the second surface of the second substrate and have different electron beam transmittances or reflections. Rate and secondary electron emission rate form a second stack in which third and fourth layers are stacked in that order and transmit different electron beams to the third surface of the second substrate. From the second substrate by forming a third stack in which fifth and sixth layers having a refractive index or a reflectance or a secondary electron emission rate are stacked in that order. Forming a third substrate on which the first, second and third laminates are respectively formed on the fourth, fifth and sixth surfaces consisting of the second and third surfaces; 3rd to 4th, 5th and 6th
Of the first laminated body on the seventh surface which is a part of the fourth surface of the third substrate and has the second and third main surfaces facing each other perpendicular to the surface. A fifth laminate, which is a part of the second laminate, is formed on the eighth face, which is a partial fifth laminate of the third substrate. And a sixth layered body which is a part of the third layered body is formed on a ninth surface which is a part of the sixth side of the third substrate. And a step of forming.
【0015】この場合、上記第1の積層体の第1の層と
上記第2の積層体の第3の層と上記第3の積層体の第5
の層とが同じ電子ビーム透過率または反射率もしくは2
次電子放出率を有し、また、上記第1の積層体の第2の
層と上記第2の積層体の第4の層と上記第4の積層体の
第6の層とが同じ電子ビーム透過率または反射率もしく
は2次電子放出率を有するのを可とする。また、上記第
1の積層体の第1の層と上記第2の積層体の第3の層と
上記第3の積層体の第5の層とが軽元素を主成分とする
層でなり、また、上記第1の積層体の第2の層と上記第
2の積層体の第4の層と上記第3の積層体の第6の層と
が重元素を主成分とする層でなるのを可とする。さら
に、上記第2の基板を形成する工程において、上記第2
の基板を、第1の面と第2の面と第3の面とがそれらの
順に連接するように形成し、上記第3の基板を形成する
工程において、上記第3の基板を、上記第2の基板の第
1、第2及び第3の面上に連続延長している第1の電子
ビーム透過率または反射率もしくは2次電子放出率を有
する第7の層を形成し、その第7の層上に第2の電子ビ
ーム透過率または反射率もしくは2次電子放出率を有す
る第8の層を形成することによって、上記第1の積層体
の第1の層と上記第2の積層体の第3の層と上記第3の
積層体の第5の層とが上記第7の層の上記第1、第2及
び第3の面上の部でそれぞれなるものとし、上記第1の
積層体の第2の層と上記第2の積層体の第4の層と上記
第3の積層体の第6の層とが上記第8の層の上記第1、
第2及び第3の層上の部でそれぞれなるものとして形成
するのを可とする。In this case, the first layer of the first laminated body, the third layer of the second laminated body, and the fifth layer of the third laminated body.
Electron beam transmittance or reflectance that is the same as that of
An electron beam having a secondary electron emission rate, wherein the second layer of the first stack, the fourth layer of the second stack, and the sixth layer of the fourth stack are the same. It is possible to have transmittance or reflectance or secondary electron emission. Further, the first layer of the first laminate, the third layer of the second laminate, and the fifth layer of the third laminate are layers containing a light element as a main component, Further, the second layer of the first laminated body, the fourth layer of the second laminated body, and the sixth layer of the third laminated body are layers containing a heavy element as a main component. Is acceptable. Further, in the step of forming the second substrate, the second
Is formed so that the first surface, the second surface, and the third surface are connected in that order, and in the step of forming the third substrate, the third substrate is Forming a seventh layer having a first electron beam transmittance or a reflectance or a secondary electron emission rate continuously extending on the first, second and third surfaces of the second substrate, and Forming an eighth layer having a second electron beam transmittance or a reflectance or a secondary electron emission rate on the first layer, thereby forming the first layer of the first layered body and the second layered body. The third layer and the fifth layer of the third laminate are respectively formed on the portions of the seventh layer on the first, second and third surfaces, and the first laminate of The second layer of the body, the fourth layer of the second laminate and the sixth layer of the third laminate are the first of the eighth layers,
It is acceptable to form the parts on the second and third layers respectively.
【0016】本願第3番目の発明による電子ビ―ム計測
用ナイフエッジを用いた電子ビ―ム計測法は、本願第
1番目の発明による電子ビ―ム計測用ナイフエッジを用
い、そして、その電子ビ―ム計測用ナイフエッジの上
記基板の上記主面上に、電子ビ―ムを上記第1及び第2
のナイフエッジをそれぞれ横切るようにそれぞれ第1及
び第2の方向に順次走査させ、それら電子ビームの第1
及び第2の方向の走査によって上記基板をそれぞれ透過
または反射して得られる第1及び第2の電子または上記
基板からそれぞれ放出されて得られる第1及び第2の2
次電子をそれぞれ第1及び第2の検出信号として強度検
出し、上記第1の検出信号の、上記第1のナイフエッ
ジに対応して得られる立上っているまたは立下っている
部の幅を、及び上記第2の検出信号の上記第2のナイフ
エッジに対応して得られる立ち上っているまたは立ち下
っている部の幅を、上記電子ビ―ムの上記第1の方向、
及び上記第2の方向のそれぞれの径としてそれぞれ測定
する。An electronic beam measuring method using the electronic beam measuring knife edge according to the third invention of the present application uses the electronic beam measuring knife edge according to the first invention of the present application, and An electron beam is provided on the main surface of the substrate of the electron beam measuring knife edge as the first and second electron beams.
Are sequentially scanned in the first and second directions so as to traverse the knife edges of the
And first and second electrons obtained by transmitting or reflecting the substrate by scanning in the second and second directions, or first and second electrons obtained by being emitted from the substrate, respectively.
The width of the rising or falling portion of the first detection signal obtained by detecting the intensity of the secondary electrons as the first and second detection signals, respectively, corresponding to the first knife edge. And the width of the rising or falling portion obtained in correspondence with the second knife edge of the second detection signal is defined as follows:
And the respective diameters in the second direction.
【0017】本願第4番目の発明による電子ビ―ム計測
用ナイフエッジを用いた電子ビ―ム計測法は、本願第
1番目の発明による電子ビ―ム計測用ナイフエッジを用
い、そして、その電子ビ―ム計測用ナイフエッジの上
記基板の上記主面上に、電子ビ―ムを上記第1及び第2
のナイフエッジをそれぞれ横切るようにそれぞれ第1及
び第2の方向に順次走査させ、それら電子ビームの第1
及び第2の方向の走査によって上記基板をそれぞれ透過
または反射して得られる第1及び第2の電子または上記
基板からそれぞれ放出されて得られる第1及び第2の2
次電子をそれぞれ第1及び第2の検出信号として強度検
出し、上記第1及び第2の検出信号をそれぞれ2次微
分して得られる第1及び第2の微分信号の上記第1及び
第2のナイフエッジにそれぞれ対応して得られる部の幅
を、上記電子ビ―ムの上記第1及び第2の方向のそれぞ
れのエッジだれとして測定する。The electronic beam measuring method using the electronic beam measuring knife edge according to the fourth invention of the present application uses the electronic beam measuring knife edge according to the first invention of the present application, and An electron beam is provided on the main surface of the substrate of the electron beam measuring knife edge as the first and second electron beams.
Are sequentially scanned in the first and second directions so as to traverse the knife edges of the
And first and second electrons obtained by transmitting or reflecting the substrate by scanning in the second and second directions, or first and second electrons obtained by being emitted from the substrate, respectively.
Intensity detection of the secondary electrons as the first and second detection signals, respectively, and the first and second differential signals of the first and second differential signals obtained by quadratic differential of the first and second detection signals, respectively. The width of the portion obtained corresponding to each of the knife edges is measured as the edge sag in each of the first and second directions of the electron beam.
【0018】[0018]
【発明の実施の形態1】次に、図1〜図5を伴って、本
発明による電子ビ―ム計測法の第1の実施の形態例を、
それに用いる本発明による電子ビ―ム計測用ナイフエッ
ジの実施の形態例及びその製法の実施の形態例とともに
述べよう。First Embodiment Next, with reference to FIGS. 1 to 5, a first embodiment of an electron beam measuring method according to the present invention will be described.
An embodiment of the electronic beam measuring knife edge according to the present invention and an embodiment of the manufacturing method thereof will be described below.
【0019】まず、本発明による電子ビ―ム計測法の実
施の形態例に用いる本発明による電子ビ―ム計測用ナイ
フエッジの実施の形態例を述べるに、図1において、符
号11で示され、互に相対向する平らな主面13a及び
13bと、それら主面13a及び13bに対して垂直な
第1の面14と、主面13a及び13b及び第1の面1
4に対して垂直な第1の面14に連接している第2の面
24と、主面13a及び13b及び第2の面24に対し
て垂直な第2の面24に第1の面14側とは反対側で連
接している第3の面34と、主面13a及び13b及び
第1の面14に対して垂直な第1の面14に第2の面2
4側とは反対側で連接している第4の面44と、主面1
3a及び13b及び第4の面44に対して垂直な第4の
面44に第1の面14側とは反対側で連接している第5
の面54とを有する基板12を有し、そして、その基板
12の第1の面14上に、互に異なる電子ビーム透過率
または反射率もしくは2次電子放出率を有する第1及び
第2の層16及び17がそれらの順に積層されている第
1の積層体15が第1及び第2の層16及び17間の界
面を第1のナイフエッジ18とするように形成され、ま
た、基板12の第2の面24上に、互に異なる電子ビー
ム透過率または反射率もしくは2次電子放出率を有する
第3及び第4の層26及び27がそれらの順に積層され
ている第2の積層体25が第3及び第4の層26及び2
7間の界面を第2のナイフエッジ28とするように形成
され、さらに、基板12の第3の面34上に、互に異な
る電子ビーム透過率または反射率もしくは2次電子放出
率を有する第5及び第6の層36及び37がそれらの順
に積層されている第3の積層体35が第5及び第6の層
36及び37間の界面を第3のナイフエッジ38とする
ように形成されている、という構成を有する。First, an embodiment of the electronic beam measuring knife edge according to the present invention used in the embodiment of the electronic beam measuring method according to the present invention will be described. Reference numeral 11 in FIG. , Main surfaces 13a and 13b facing each other, a first surface 14 perpendicular to the main surfaces 13a and 13b, and the main surfaces 13a and 13b and the first surface 1
The second surface 24 that is connected to the first surface 14 that is perpendicular to the first surface 14 and the second surface 24 that is perpendicular to the main surfaces 13a and 13b and the second surface 24 are the first surface 14 The third surface 34, which is connected on the side opposite to the first surface 14, and the second surface 2 on the first surface 14 perpendicular to the main surfaces 13a and 13b and the first surface 14.
The fourth surface 44, which is connected on the opposite side to the fourth side, and the main surface 1
A fifth surface connected to the third surface 13a and 13b and the fourth surface 44 perpendicular to the fourth surface 44 on the side opposite to the first surface 14 side.
Of the first and second electron beams having different electron beam transmittances or reflectances or secondary electron emission rates from each other on the first surface 14 of the substrate 12. A first stack 15 having layers 16 and 17 stacked in that order is formed with a first knife edge 18 at the interface between the first and second layers 16 and 17, and the substrate 12 A second laminated body in which third and fourth layers 26 and 27 having different electron beam transmittances or reflectances or secondary electron emission rates are laminated on the second surface 24 of 25 is the third and fourth layers 26 and 2
The second knife edge 28 is formed at the interface between the first and second electrodes 7, and the second and third electron beams have different electron beam transmittances or reflectances or secondary electron emission rates on the third surface 34 of the substrate 12. A third laminate 35, in which the fifth and sixth layers 36 and 37 are laminated in that order, is formed such that the interface between the fifth and sixth layers 36 and 37 is the third knife edge 38. It has a configuration that
【0020】この場合、第1の積層体15の第1の層1
6と第2の積層体25の第3の層26と第3の積層体3
5の第5の層36とが、原子番号の比較的小さなB、
C、Be、Al、Siなどの元素、またはそれらの元素
を含むB4 C、BN、SiC、SiNなどの化合物でな
る、同じ軽元素を主成分とする層でなり、同じ電子ビー
ム透過率または反射率もしくは2次電子放出率を有す
る。また、第1の積層体15の第2の層17と第2の積
層体25の第4の層27と第3の積層体35の第6の層
37とが、原子番号の比較的大きなW、Mo、Ta、P
t、Ru、Rhなどの元素、またはそれら元素を含む化
合物などでなる、同じ重元素を主成分とする層でなり、
同じ電子ビーム透過率または反射率もしくは2次電子放
出率を有する。なお、第1、第3及び第5の層16、2
6及び36が軽元素を主成分とする層でなる場合、それ
ら第1、第3及び第5の層16、26及び36は、電子
ビームに対して比較的高い透過率を有し且つ電子ビーム
に対して比較的低い反射率を有し、第2、第4及び第6
の層17、27及び37が重元素を主成分とする層でな
る場合、それら第2、第4及び第6の層17、27及び
37は、電子ビームに対して比較的低い透過率を有し且
つ電子ビームに対して比較的高い反射率を有する。な
お、第1、第3及び第5の層16、26及び36が軽元
素を主成分とする層でなり、第2、第4及び第6の層1
7、27及び37が重元素を主成分とする層でなる場
合、第1、第3及び第5の層16、26及び36と、第
2、第4及び第6の層17、27及び37とは互に異な
る2次電子放出率を有する。In this case, the first layer 1 of the first laminate 15
6 and the third layer 26 of the second stack 25 and the third stack 3
The fifth layer 36 of No. 5 is B having a relatively small atomic number,
It is a layer mainly composed of the same light element, which is composed of elements such as C, Be, Al and Si or compounds such as B 4 C, BN, SiC and SiN containing these elements, and has the same electron beam transmittance or It has a reflectance or a secondary electron emission rate. Further, the second layer 17 of the first stacked body 15, the fourth layer 27 of the second stacked body 25, and the sixth layer 37 of the third stacked body 35 have a relatively large atomic number W. , Mo, Ta, P
a layer containing the same heavy element as a main component, which is made of an element such as t, Ru, Rh, or a compound containing these elements,
It has the same electron beam transmittance or reflectance or secondary electron emission rate. The first, third and fifth layers 16 and 2
When 6 and 36 are layers containing a light element as a main component, the first, third and fifth layers 16, 26 and 36 have a relatively high transmittance for the electron beam and the electron beam. Has a relatively low reflectance with respect to the second, fourth and sixth
When the layers 17, 27 and 37 of No. 2 are composed mainly of heavy elements, the second, fourth and sixth layers 17, 27 and 37 have a relatively low transmittance for the electron beam. And has a relatively high reflectance for the electron beam. The first, third, and fifth layers 16, 26, and 36 are layers containing a light element as a main component, and the second, fourth, and sixth layers 1
When 7, 27 and 37 are layers containing a heavy element as a main component, the first, third and fifth layers 16, 26 and 36 and the second, fourth and sixth layers 17, 27 and 37 And secondary electron emission rates different from each other.
【0021】また、上述した第1の積層体15の層1
6、第2の積層体25の第3の層26及び第3の積層体
35の第5の層36は、基板12の第1、第2及び第3
の面14、24及び34上に連続して延長している上述
した軽元素を主成分とする層46の、第1の面14上の
部、第2の面24上の部及び第3の面34上の部でそれ
ぞれなり、また、上述した第1の積層体15の第2の層
17、第2の積層体25の第4の層27及び第3の積層
体35の第6の層37が、上述した軽元素を主成分とす
る層46上に延長している上述した重元素を主成分とす
る層57の、第1の層16上の部、第3の層26上の部
及び第5の層36上の部でそれぞれなる。なお、軽元素
を主成分とする層46と重元素を主成分とする層47と
は積層体45を構成しているところから、上述した第
1、第2及び第3の積層体15、25及び35は、基板
12の第1、第2及び第3の面14、24及び34上に
連続して延長しているいま述べた積層体45の、第1、
第2及び第3の面14、24及び34上の部でそれぞれ
なる。Further, the layer 1 of the above-mentioned first laminated body 15
6, the third layer 26 of the second stack 25 and the fifth layer 36 of the third stack 35 are the first, second and third layers of the substrate 12.
Of the above-described layer 46 containing a light element as a main component, which extends continuously on the surfaces 14, 24 and 34 of the above, the portion on the first surface 14, the portion on the second surface 24 and the third portion. The second layer 17 of the first laminate 15, the fourth layer 27 of the second laminate 25, and the sixth layer of the third laminate 35 described above. 37 is a portion on the first layer 16 and a portion on the third layer 26 of the above-mentioned layer 57 containing a heavy element as a main component extending on the above-mentioned layer 46 containing a light element as a main component. And on the fifth layer 36, respectively. Since the layer 46 containing the light element as the main component and the layer 47 containing the heavy element as the main component constitute the laminate 45, the above-described first, second and third laminates 15, 25 are provided. And 35 of the first, second, and third stacks 45 of the stack 45 just described that extend continuously over the first, second, and third surfaces 14, 24, and 34 of the substrate 12.
On the second and third surfaces 14, 24 and 34, respectively.
【0022】以上が、本発明による電子ビ―ム計測法の
実施の形態例に用いる電子ビ―ム計測用ナイフエッジの
実施の形態例の構成である。The above is the configuration of the embodiment of the electronic beam measuring knife edge used in the embodiment of the electronic beam measuring method according to the present invention.
【0023】次に、このような構成を有する本発明によ
る電子ビ―ム計測用ナイフエッジを製造するための、本
発明による電子ビ―ム計測用ナイフエッジの製法の実施
の形態例を、図3及び図4を伴って述べるに、予め、爾
後、図1に示す本発明による電子ビ―ム計測用ナイフエ
ッジ11の基板12になる、平らな主面64を有する板
62を用意する(図2A)。この場合、基板62はSi
でなり、またその基板62の主面64はSiの(11
0)面でなる。Next, an example of an embodiment of a method for producing an electronic beam measuring knife edge according to the present invention for producing an electronic beam measuring knife edge having the above-mentioned structure will be described with reference to the drawings. As will be described with reference to FIGS. 3 and 4, a plate 62 having a flat main surface 64 is prepared in advance, which will be the substrate 12 of the electronic beam measuring knife edge 11 according to the present invention shown in FIG. 1 (FIG. 2A). In this case, the substrate 62 is Si
The main surface 64 of the substrate 62 is made of Si (11
0) plane.
【0024】次に、基板62の主面64上に、例えばS
iO2 でなるマスク用層71を例えばスパッタリングに
よって形成する(図2B)。Next, on the main surface 64 of the substrate 62, for example, S
The mask layer 71 made of iO 2 formed for example by sputtering (FIG. 2B).
【0025】次に、マスク用層71上に、フォトレジス
ト層72を、図1に示す本発明による電子ビ―ム計測用
ナイフエッジ11の基板12の第1の面14の主面13
a及び13bに沿って方向の長さを以って、基板62を
構成しているSiの<112>軸方向に延長しているも
のとして形成する(図2C)。Next, a photoresist layer 72 is formed on the mask layer 71, and the principal surface 13 of the first surface 14 of the substrate 12 of the electron beam measuring knife edge 11 according to the present invention shown in FIG.
It is formed so as to extend in the <112> axis direction of Si forming the substrate 62 with a length in the direction along a and 13b (FIG. 2C).
【0026】次に、マスク用層71に対するフォトレジ
スト層72をマスクとするエッチング処理により、マス
ク用層71から、そのフォトレジスト層72下の部でな
るマスク層71′を形成する(図3D)。Next, the mask layer 71 is subjected to an etching process using the photoresist layer 72 as a mask to form a mask layer 71 'below the photoresist layer 72 from the mask layer 71 (FIG. 3D). .
【0027】次に、マスク層71′上から、フォトレジ
スト層72を除去する(図3E)。Next, the photoresist layer 72 is removed from the mask layer 71 '(FIG. 3E).
【0028】次に、基板62に対するマスク層71′を
マスクとする、KOH溶液をエッチャントとする深さ1
μmのエッチング処理によって、基板62の主面64
の一部でなる、爾後、図1に示す本発明による電子ビ―
ム計測用ナイフエッジ11の基板12の第1の面14に
なる面14′と、その面14′の一端から面14′に
対して垂直に延長している、爾後、図1に示す本発明に
よる電子ビ―ム計測用ナイフエッジ11の基板12の第
2の面24になる面24′と、その面24′の延長端
からその面24′に対して垂直に延長している、爾後、
図1に示す本発明による電子ビ―ム計測用ナイフエッジ
11の基板12の第3の面34になる面34′と、面
14′の他端(面24′側とは反対側の)から面14′
に対して垂直に延長している、爾後、図1に示す本発明
による電子ビ―ム計測用ナイフエッジ11の基板12の
第4の面34になる面34′と、面44′の延長端か
らその面44′に対して垂直に延長している、爾後、図
1に示す本発明による電子ビ―ム計測用ナイフエッジ1
1の基板12の第5の面54になる面54′とを有する
基板62′を形成する(図3F)。この場合、面1
4′、34′及び54′は、Siの(100)面でなる
ものとして得られ、また、面24′及び44′はSiの
(111)面でなるものとして得られる。Next, using the mask layer 71 'for the substrate 62 as a mask, a depth of 1 using a KOH solution as an etchant
By the etching process of μm, the main surface 64 of the substrate 62 is
The electronic beam according to the present invention shown in FIG.
The surface 14 ′ of the knife edge 11 for measuring the surface to be the first surface 14 of the substrate 12 and one end of the surface 14 ′ extending perpendicularly to the surface 14 ′, after which the present invention shown in FIG. The surface 24 'which becomes the second surface 24 of the substrate 12 of the knife edge 11 for measuring the electron beam according to the above, and extends from the extended end of the surface 24' perpendicularly to the surface 24 '.
From the surface 34 'which becomes the third surface 34 of the substrate 12 of the electronic beam measuring knife edge 11 according to the present invention shown in FIG. 1 and the other end of the surface 14' (opposite to the surface 24 'side). Surface 14 '
After that, the surface 34 'which becomes the fourth surface 34 of the substrate 12 of the electronic beam measuring knife edge 11 according to the present invention shown in FIG. Of the electronic beam measuring knife edge 1 according to the present invention shown in FIG.
A substrate 62 'having a surface 54' which becomes the fifth surface 54 of the first substrate 12 is formed (FIG. 3F). In this case, surface 1
4 ', 34' and 54 'are obtained as consisting of the Si (100) face, and faces 24' and 44 'are obtained as consisting of the Si (111) face.
【0029】次に、基板62′の面14′上から、マス
ク層71′を除去する(図4G)。Next, the mask layer 71 'is removed from the surface 14' of the substrate 62 '(FIG. 4G).
【0030】次に、基板62′に対する、基板62′の
面24′に対して例えば45゜だけ傾斜した面に沿った
斜め上方からの軽元素を主成分とする材料(例えばC)
のRFマグネトロンスパッタリングによって、基板6
2′の面14′、24′及び34′上に連続延長してい
る、爾後、図1に示す本発明による電子ビ―ム計測用ナ
イフエッジ11で述べた軽元素を主成分とする層46に
なる層46′を形成し、次で、その層46′に対する、
同様の斜め上方からの重元素を主成分とする材料(例え
ばW)のRFマグネトロンスパッタリングによって、そ
の層46′上に、爾後、図1に示す本発明による電子ビ
―ム計測用ナイフエッジ11で述べた重元素を主成分と
する層47になる層47′を形成することによって、そ
れら層46′及び47′による、爾後、図1に示す本発
明による電子ビ―ム計測用ナイフエッジ11で述べた積
層体45になる積層体45′を形成し、よって、基板7
2′から、その面14′、24′及び34′でそれぞれ
なる面14″、24″及び34″上に連続延長している
層46′及び47′の積層体45′を形成されている基
板72″を形成する(図4H)。Next, with respect to the substrate 62 ', a material containing a light element as a main component (for example, C) from diagonally above along a surface inclined by, for example, 45 ° with respect to the surface 24' of the substrate 62 '.
Substrate 6 by RF magnetron sputtering of
A layer 46 containing light elements as a main component, which has been continuously extended on the surfaces 14 ', 24' and 34 'of 2', is described later in the electronic beam measuring knife edge 11 according to the present invention shown in FIG. To form a layer 46 'which is then
Similarly, by RF magnetron sputtering of a material containing a heavy element as a main component (for example, W) from diagonally above, on the layer 46 ', the knife edge 11 for electron beam measurement according to the present invention shown in FIG. By forming the layer 47 'which becomes the layer 47 containing a heavy element as a main component, the layers 46' and 47 'are used, and thereafter, the electronic beam measuring knife edge 11 according to the present invention shown in FIG. A laminate 45 'is formed which becomes the laminate 45 described above, and thus the substrate 7
Substrate having a stack 45 'of layers 46' and 47 'extending continuously from 2'to the surfaces 14 ", 24" and 34 "consisting of the surfaces 14', 24 'and 34' respectively. 72 ″ (FIG. 4H).
【0031】この場合、基板62′の面44′上には、
積層体45′のような積層体は形成されず、従って、基
板62″の、基板62′の面44′でなる面44″上に
は、そのような積層体が形成されていないが、基板6
2′の面54′上には、積層体45′と同様の積層体が
面44′から離れた位置から面44′側とは反対側に延
長して形成され、従って、基板72″の、基板72′の
面54″でなる面54″には、そのような積層体がその
ように形成されている。In this case, on the surface 44 'of the substrate 62',
No laminate such as laminate 45 'is formed, and thus no such laminate is formed on the surface 44 "of the substrate 62" that is the surface 44' of the substrate 62 '. 6
A stack similar to the stack 45 'is formed on the surface 54' of the 2'extending from a position away from the surface 44 'to the side opposite to the surface 44', and thus the substrate 72 ', Such a laminate is so formed on the surface 54 "of the substrate 72 ', which is the surface 54".
【0032】次に、基板72″に対する集束イオンビー
ムを用いたスパッタリングエッチング処理によって、基
板72″から、その面14″、24″及び34″に対し
て垂直な相対向する面をそれぞれ図1に示す本発明によ
る電子ビ―ム計測用ナイフエッジ11の相対向する主面
13a及び13bとして有するとともに、基板72″の
面14″の一部でなる面、面24″の一部でなる面及び
面34″の一部でなる面をそれぞれ図1に示す本発明に
よる電子ビ―ム計測用ナイフエッジの第1、第2及び第
3の面14、24及び34として、それら第1、第2及
び第3の面14、24及び34上に連続して延長してい
る層及びその層上に延長している層とを図1に示す本発
明による電子ビ―ム計測用ナイフエッジ11で述べた積
層体45を構成している層46及び47として有する基
板を、図1に示す本発明による電子ビ―ム計測用ナイフ
エッジ11の基板12として形成する(図3I)。Next, the surface of the substrate 72 "facing each other perpendicular to the surfaces 14", 24 ", and 34" is subjected to a sputtering etching process using a focused ion beam on the substrate 72 "as shown in FIG. The electronic beam measuring knife edge 11 according to the present invention has main surfaces 13a and 13b facing each other, which is a part of the surface 14 "of the substrate 72", and a surface of the surface 24 ". Surfaces which are a part of the surface 34 ″ are respectively designated as the first, second and third surfaces 14, 24 and 34 of the electronic beam measuring knife edge according to the present invention shown in FIG. And the layer extending continuously on the third surface 14, 24 and 34 and the layer extending on that layer are described in the electronic beam measuring knife edge 11 according to the invention shown in FIG. The laminated body 45 A substrate having a layer 46 and 47 which are, electron beam according to the invention shown in Figure 1 - is formed as the substrate 12 of the beam measuring knife edge 11 (Fig. 3I).
【0033】以上で、本発明による電子ビ―ム計測法の
実施の形態例に用いる本発明による電子ビ―ム計測用ナ
イフエッジの実施の形態例、及びその製法の実施の形態
例が明らかとなった。As described above, the embodiment of the electronic beam measuring knife edge according to the present invention used in the embodiment of the electronic beam measuring method according to the present invention and the embodiment of the manufacturing method thereof are clarified. became.
【0034】次に、図1に示す本発明による電子ビ―ム
計測用ナイフエッジの実施の形態例を用いた、本発明に
よる電子ビ―ム計測法の第1の実施の形態例を述べよ
う。Next, a description will be given of a first embodiment of the electron beam measuring method according to the present invention using the embodiment of the electron beam measuring knife edge according to the present invention shown in FIG. .
【0035】本発明による電子ビ―ム計測法の第1の実
施の形態例においては、図1に示す本発明による電子ビ
―ム計測用ナイフエッジ11を用い、図6及び図7で前
述した従来の電子ビ―ム計測法の場合に準じて、電子ビ
―ム計測用ナイフエッジ11の基板12の主面13a
を、電子銃(図示せず)から走査系(図示せず)を通し
て得られる電子ビ―ムBによって、図1及び図5Aに示
すように、積層体15の層16及び17間の界面でな
る第1のナイフエッジ18を横切る(例えば垂直に)よ
うにx方向に走査させ、それによって基板12の主面3
b側に透過して得られる電子B′(図示せず)を、電子
検出器(図示せず)によって図5Bに示すような検出信
号S1として検出し、続いて、またはその前に、第2
の積層体25の層26及び27間の界面でなる第2のナ
イフエッジ28または積層体35の層36及び37間の
界面でなる第3のナイフエッジ38を横切る(例えば垂
直)ようにy方向に走査させ、それによって基板12の
主面3b側に透過して得られる電子B′の強度を、同じ
電子検出器によって図5Bに示すように検出信号S2と
して検出し、そして、検出信号S1の、第1のナイフエ
ッジ18に対応して得られる立ち下っている部の幅が、
電子ビ―ムBの基板12の主面13a上を走査するx方
向の径に対応することから、その検出信号S1の、第1
のナイフエッジ18に対応して立ち下っている部の最大
レベルの例えば10%の位置と90%の位置との間で定
義される幅d1を、電子ビ―ムBの基板12の主面13
a上を走査するx方向の径として、信号処理回路(図示
せず)によって測定し、また、検出信号S2の第2また
は第3のナイフエッジ28または38に対応して得られ
る立ち下っている部の幅が、電子ビームBの基板12の
主面13a上を走査するy方向の径に対応することか
ら、検出信号S2の、第2または第3のナイフエッジ2
8または38に対応して立ち下っている部の最大レベル
の例えば10%の位置と90%の位置との間で定義され
る幅d2を、電子ビ―ムBの基板12の主面13a上を
走査するy方向の径として、信号処理回路(図示せず)
によって測定する。In the first embodiment of the electronic beam measuring method according to the present invention, the electronic beam measuring knife edge 11 according to the present invention shown in FIG. 1 is used and is described above with reference to FIGS. 6 and 7. According to the conventional electron beam measuring method, the main surface 13a of the substrate 12 of the electronic beam measuring knife edge 11 is used.
By an electron beam B obtained from an electron gun (not shown) through a scanning system (not shown), as shown in FIGS. 1 and 5A, at the interface between the layers 16 and 17 of the laminate 15. The first knife edge 18 is scanned (eg, vertically) in the x-direction so that the major surface 3 of the substrate 12 is scanned.
An electron B '(not shown) obtained by transmitting to the b side is detected as a detection signal S1 as shown in FIG. 5B by an electron detector (not shown), and subsequently or before the second signal.
In the y-direction so as to cross (eg, vertically) the second knife edge 28 at the interface between layers 26 and 27 of stack 25 of the stack 25 or the third knife edge 38 at the interface between layers 36 and 37 of stack 35. 5B, and the intensity of the electrons B'obtained by transmitting to the main surface 3b side of the substrate 12 is detected by the same electron detector as the detection signal S2 as shown in FIG. 5B. , The width of the descending portion obtained corresponding to the first knife edge 18 is
Since it corresponds to the diameter in the x direction of scanning the main surface 13a of the substrate 12 of the electronic beam B, the first signal of the detection signal S1
The width d1 defined between the position of 10% and the position of 90% of the maximum level of the part which is corresponding to the knife edge 18 of the electronic beam B is set to the main surface 13 of the substrate 12 of the electron beam B.
The diameter in the x direction for scanning on a is measured by a signal processing circuit (not shown), and is obtained corresponding to the second or third knife edge 28 or 38 of the detection signal S2. Since the width of the portion corresponds to the diameter of the electron beam B in the y direction for scanning the main surface 13a of the substrate 12, the second or third knife edge 2 of the detection signal S2 is detected.
The width d2 defined between the position of 10% and the position of 90% of the maximum level of the falling portion corresponding to 8 or 38 is set on the main surface 13a of the substrate 12 of the electronic beam B. Signal processing circuit (not shown) as the diameter in the y direction for scanning
Measured by
【0036】以上が、本発明による電子ビ―ム計測法の
第1の実施の形態例である。The above is the first embodiment of the electron beam measuring method according to the present invention.
【0037】このような本発明による電子ビ―ム計測法
の実施の形態例によれば、用いる本発明による電子ビ―
ム計測用ナイフエッジ11の第1のナイフエッジ18
が、基板12の第1の面14上に形成されている第1の
積層体15を構成している第1及び第2の層16及び1
7間の界面によって形成され、また、第2のナイフエッ
ジ28が、基板12の第2の面24上に形成されている
第2の積層体25を構成している第3及び第4の層26
及び27間の界面によって形成され、さらに、第3のナ
イフエッジ38が、基板12の第3の面34上に形成さ
れている第3の積層体35を構成している第6及び第7
の層36及び37間の界面によって形成されているの
で、それら第1、第2及び第3のナイフエッジ18、2
8及び38が、ともに基板12の主面13aに対して高
い垂直性を有し且つ1nm以下の高い平坦性を有し、こ
のため、電子ビ―ム計測用ナイフエッジ11の基板12
の主面13a上を走査する電子ビ―ムBが、基板12の
主面13a上でみて、ナノオ―ダのような微細な径を有
していても、電子ビームBの基板12の主面13a上を
走査するx方向及びy方向の径をともに高精度に測定す
ることができる。According to the embodiment of the electronic beam measuring method according to the present invention, the electronic beam according to the present invention to be used is used.
The first knife edge 18 of the knife edge 11 for measuring
Are the first and second layers 16 and 1 forming the first laminate 15 formed on the first surface 14 of the substrate 12.
The third and fourth layers forming the second stack 25 formed by the interface between 7 and the second knife edge 28 formed on the second surface 24 of the substrate 12. 26
6 and 7 forming a third stack 35 formed on the third surface 34 of the substrate 12 by a third knife edge 38 formed by the interface between the first stack 27 and the second stack 27.
Of the first, second and third knife edges 18, 2 as they are formed by the interface between the layers 36 and 37 of
8 and 38 both have a high perpendicularity to the main surface 13a of the substrate 12 and a high flatness of 1 nm or less. Therefore, the substrate 12 of the knife edge 11 for electron beam measurement is
Even if the electron beam B that scans on the main surface 13a of the electron beam B has a fine diameter such as a nano order when viewed on the main surface 13a of the substrate 12, the main surface of the substrate 12 of the electron beam B is Both the x-direction and y-direction diameters that scan the surface 13a can be measured with high accuracy.
【0038】また、上述したところから明らかなよう
に、用いる本発明による電子ビ―ム計測用ナイフエッジ
11が、基板12の主面13aに対して垂直な第1の面
14上に形成されている第1の積層体15を構成してい
る第1及び第2の層16及び17の界面による第1のナ
イフエッジ18と、基板12の主面13aに対して垂直
な第2の面24上に形成されている第2の積層体25を
構成している第3及び第4の層26及び27の界面によ
る第2のナイフエッジ28と、基板12の主面13aに
対して垂直な第3の面34上に形成されている第3の積
層体35を構成している第5及び第6の層36及び37
の界面による第3のナイフエッジ38とを有するので、
電子ビームBを、電子ビ―ム計測用ナイフエッジ11の
基板12の主面13a上に、第1のナイフエッジ18を
横切るx方向に走査させ、次にまたはその前に第2また
は第3のナイフエッジ28または38を横切るy方向に
走査させることができ、それによって、電子ビームBの
x方向及びy方向の径をともに測定することができ、こ
のため、電子ビームBを得る電子銃及び走査系において
非点収差が生じていても、これを高精度に補正すること
ができる。As is apparent from the above description, the electron beam measuring knife edge 11 according to the present invention to be used is formed on the first surface 14 of the substrate 12 which is perpendicular to the main surface 13a. On the first knife edge 18 due to the interface between the first and second layers 16 and 17 constituting the first laminated body 15 and on the second surface 24 perpendicular to the main surface 13 a of the substrate 12. The second knife edge 28 formed by the interface between the third and fourth layers 26 and 27 that form the second laminated body 25 formed in FIG. The fifth and sixth layers 36 and 37 forming the third laminate 35 formed on the surface 34 of
And a third knife edge 38 due to the interface of
The electron beam B is made to scan the main surface 13a of the substrate 12 of the electron beam measuring knife edge 11 in the x-direction across the first knife edge 18, and then or before the second or third It is possible to scan in the y-direction across the knife edge 28 or 38, whereby both the x-direction and the y-direction diameter of the electron beam B can be measured and thus the electron gun and the scan for obtaining the electron beam B. Even if astigmatism occurs in the system, it can be corrected with high accuracy.
【0039】また、図1に示す本発明による電子ビ―ム
計測用ナイフエッジ11によれば、上述した、本発明に
よる電子ビ―ム計測法の第1の実施の形態例から明らか
なように、本発明による電子ビ―ム計測法の第1の実施
の形態例に用いて、電子ビ―ム計測用ナイフエッジ11
の基板12の主面13a上をx方向及びy方向に走査す
る電子ビ―ムBのx方向及びy方向の径を、高精度に測
定することができ、また、このため、電子ビームBを得
る電子銃及び走査系に非点収差が生じていても、これ
を、高精度に補正することができる。Further, according to the electronic beam measuring knife edge 11 according to the present invention shown in FIG. 1, as is clear from the above-described first embodiment of the electronic beam measuring method according to the present invention. The electron beam measuring knife edge 11 used in the first embodiment of the electron beam measuring method according to the present invention
The diameters in the x and y directions of the electron beam B that scans the main surface 13a of the substrate 12 in the x and y directions can be measured with high accuracy, and the electron beam B Even if astigmatism occurs in the obtained electron gun and scanning system, this can be corrected with high accuracy.
【0040】なお、図1に示す本発明による電子ビ―ム
計測用ナイフエッジ11は、それを、上述したように、
電子ビ―ム計測法に用いることができるばかりでなく、
イオンビームやX線ビームなどの径を測定するのに、上
述したのと同様に用いて、同様の作用・効果を得ること
ができるものである。The electronic beam measuring knife edge 11 according to the present invention shown in FIG.
Not only can it be used for electronic beam measurement,
It can be used in the same manner as described above to measure the diameter of an ion beam, an X-ray beam or the like, and the same action / effect can be obtained.
【0041】さらに、図3及び図4に示す本発明による
電子ビ―ム計測用ナイフエッジの製法によれば、図1に
示す優れた作用・効果を有する電子ビ―ム計測用ナイフ
エッジ1を、容易に製造することができる。Further, according to the method of manufacturing the electronic beam measuring knife edge shown in FIGS. 3 and 4, the electronic beam measuring knife edge 1 having the excellent action and effect shown in FIG. 1 is obtained. , Can be easily manufactured.
【0042】[0042]
【実施の形態例2】次に、本発明による電子ビ―ム計測
法の第2の実施の形態例を述べよう。Second Embodiment Next, a second embodiment of the electron beam measuring method according to the present invention will be described.
【0043】本発明による電子ビ―ム計測法の第2の実
施の形態例においては、図1に示す本発明による電子ビ
―ム計測用ナイフエッジ1を用い、そして、その電子ビ
―ム計測用ナイフエッジ11の基板12の主面13a
を、実施の形態例1で述べた本発明による電子ビ―ム計
測法の場合と同様に、電子銃から走査系を通して得られ
る電子ビ―ムBによって、第1のナイフエッジ18を横
切る方向にx方向に走査させ、それによって基板12の
主面13b側に透過して得られる電子ビームBを、電子
検出器によって図5Bに示すような検出信号S1として
強度検出し、次でまたはその前に、電子ビームBを、第
2または第3のナイフエッジ28または38を横切る方
向にy方向に走査させ、それによって基板12の主面1
3b側に透過して得られる電子B′を、同じ電子検出器
によって図5Bに示すような検出信号S2として強度検
出し、そして、検出信号S1及びS2の信号処理回路で
それぞれ2次微分してそれぞれ得られる図5Cに示すよ
うな微分信号S1′及びS2′の、電子ビ―ム計測用ナ
イフエッジ1の第1、及び第2または第3のナイフエッ
ジ18、及び28または38にそれぞれ対応して得られ
る部の幅が、電子ビ―ムBの基板12の主面13a上を
走査するx方向、及びy方向のエッジだれにそれぞれ対
応することから、それらの部の幅d1′、及びd2′
を、電子ビ―ムBのx、及びy方向のエッジだれとし
て、信号処理回路によって測定する。In the second embodiment of the electronic beam measuring method according to the present invention, the electronic beam measuring knife edge 1 according to the present invention shown in FIG. 1 is used, and the electronic beam measuring is performed. Main surface 13a of the substrate 12 of the knife edge 11 for
In the same manner as in the electron beam measuring method according to the present invention described in the first embodiment, the electron beam B obtained from the electron gun through the scanning system moves in the direction crossing the first knife edge 18. The electron beam B, which is obtained by scanning in the x direction and transmitting to the main surface 13b side of the substrate 12 thereby, is intensity-detected as a detection signal S1 as shown in FIG. 5B by an electron detector, and next or before that. , The electron beam B is scanned in the y-direction transverse to the second or third knife edge 28 or 38, whereby the major surface 1 of the substrate 12 is
The electron B'transmitted to the 3b side is intensity-detected by the same electron detector as a detection signal S2 as shown in FIG. Corresponding to the first and second or third knife edges 18 and 28 or 38 of the electron beam measuring knife edge 1 of the differential signals S1 'and S2' respectively shown in FIG. 5C. The widths of the obtained portions correspond to the edge sags in the x-direction and the y-direction of scanning the main surface 13a of the substrate 12 of the electron beam B, respectively. Therefore, the widths d1 'and d2 of those portions are obtained. ′
Is measured as an edge sag of the electron beam B in the x and y directions by the signal processing circuit.
【0044】以上が、本発明による電子ビ―ム計測法の
第2の実施の形態例である。The above is the second embodiment of the electron beam measuring method according to the present invention.
【0045】このような本発明による電子ビ―ム計測法
の第2の実施の形態例によれば、用いる電子ビ―ム計測
用ナイフエッジ11の第1、第2及び第3のナイフエッ
ジ18、28及び38が、ともに、本発明による電子ビ
―ム計測法の第1の実施の形態例で述べたように、電子
ビ―ム計測用ナイフエッジ11の基板12の主面13a
に対する高い垂直性を有し且つ高い平坦性を有している
ので、電子ビ―ムBがナノオ―ダのような微細な径を有
していても、その電子ビームのx及びy方向のエッジだ
れを、ともに、高精度に測定することができる。According to the second embodiment of the electron beam measuring method according to the present invention, the first, second and third knife edges 18 of the electron beam measuring knife edge 11 to be used are used. , 28 and 38 are the main surfaces 13a of the substrate 12 of the electron beam measuring knife edge 11 as described in the first embodiment of the electron beam measuring method according to the present invention.
Since the electron beam B has a high verticality and a high flatness, the edge of the electron beam in the x and y directions even if the electron beam B has a fine diameter like a nano-order. Both can be measured with high accuracy.
【0046】なお、上述した本発明による電子ビ―ム計
測法においては、電子ビームBが、電子ビ―ム計測用ナ
イフエッジ11のナイフエッジを、それを形成している
積層体の軽元素を主成分とする層側から重元素を主成分
とする層側に向って横切って走査するとして、基板12
の主面13b側に透過して得られる電子の検出信号のナ
イフエッジに対応して立ち下っている部に着目して、電
子ビームBの径を測定する場合につき述べたが、電子ビ
ームBによって、電子ビ―ム計測用ナイフエッジ11の
ナイフエッジを、それを形成している積層体の重元素を
主成分とする層側から軽元素を主成分とする層側に向っ
て横切って走査させ、基板12の主面13b側に透過し
て得られる電子の検出信号のナイフエッジに対応して立
ち上っている部に着目して、同様に電子ビームBの径を
測定するようにすることもできることは明らかであろ
う。In the electron beam measuring method according to the present invention described above, the electron beam B causes the knife edge of the electron beam measuring knife edge 11 to change the light element of the laminated body forming the knife edge. The substrate 12 is assumed to be scanned across from the layer containing the main component toward the layer containing the heavy element.
The case where the diameter of the electron beam B is measured has been described by paying attention to the portion that falls corresponding to the knife edge of the detection signal of the electron transmitted through the main surface 13b side of The knife edge of the electron beam measuring knife edge 11 is scanned across from the layer side containing the heavy element as the main component of the laminate forming it to the layer side containing the light element as the main component. It is also possible to measure the diameter of the electron beam B in the same manner by paying attention to the portion rising corresponding to the knife edge of the detection signal of the electron transmitted through the main surface 13b side of the substrate 12. Would be obvious.
【0047】また、上述した本発明による電子ビ―ム計
測法においては、それに用いる電子ビ―ム計測用ナイフ
エッジ11の第1、第2及び第3のナイフエッジをそれ
ぞれ形成する積層体を構成している重元素を主成分とす
る層と軽元素を主成分とする層とに電子ビ―ムに対する
透過率の差があることを利用した電子ビ―ム計測法を述
べたが、電子ビ―ム計測用ナイフエッジ11の第1、第
2及び第3のナイフエッジをそれぞれ形成する重元素を
主成分とする層と軽元素を主成分とする層とに電子ビ―
ムに対する反射率の差があることを利用して、電子ビ―
ム計測用ナイフエッジ11の基板12の主面13a上を
x及びy方向に走査する電子ビ―ムBの反射電子から検
出信号を得るようにすることによって、または電子ビ―
ム計測用ナイフエッジ11の第1、第2及び第3のナイ
フエッジをそれぞれ形成する重元素を主成分とする層と
軽元素を主成分とする層とに2次電子の放出率の差があ
ることを利用して、電子ビ―ム計測用ナイフエッジ11
の基板12の主面13aを電子ビ―ムBによってx及び
y方向に走査することによって放出して得られる2次電
子から検出信号を得るようにすることによって、上述し
た本発明による電子ビ―ム計測法で測定したと同様の測
定を行うようにすることもできることは明らかであろ
う。In the above-described electron beam measuring method according to the present invention, a laminated body is formed which forms the first, second and third knife edges of the electron beam measuring knife edge 11 used for the method. The electron beam measurement method that takes advantage of the difference in the transmittance of the electron beam between the layer containing the heavy element as the main component and the layer containing the light element as the main component has been described. -Electron beams are formed in a layer containing a heavy element as a main component and a layer containing a light element as a main component that respectively form the first, second and third knife edges of the beam measuring knife edge 11.
The difference in reflectance with respect to the
By obtaining a detection signal from the reflected electrons of the electron beam B which scans the main surface 13a of the substrate 12 of the knife edge 11 for measuring the beam in the x and y directions, or by the electron beam.
There is a difference in the emission rate of secondary electrons between the layer containing a heavy element as a main component and the layer containing a light element as a main component that form the first, second and third knife edges of the measuring knife edge 11, respectively. Taking advantage of this, the knife edge 11 for electronic beam measurement
The main beam 13a of the substrate 12 is scanned by the electron beam B in the x and y directions so as to obtain a detection signal from the secondary electrons which are emitted to obtain a detection signal. It will be apparent that it is possible to make a measurement similar to the one measured by the frame measurement method.
【0048】その他、本発明の精神を脱することなし
に、種々の変型、変更をなし得るであろう。Besides, various modifications and changes may be made without departing from the spirit of the present invention.
【0049】[0049]
【発明の効果】本発明による電子ビ―ム計測用ナイフエ
ッジによれば、本発明による電子ビ―ム計測法に用いる
ことによって、電子ビームの径が微細であっても、その
電子ビームの第1及び第2の走査方向の径を、ともに高
精度に測定することができるとともに、電子ビ―ムの第
1及び第2の走査方向のエッジだれを、ともに高精度に
測定することができる。According to the electron beam measuring knife edge of the present invention, by using the electron beam measuring method of the present invention, even if the diameter of the electron beam is very small, Both the diameters in the first and second scanning directions can be measured with high accuracy, and the edge sag in the first and second scanning directions of the electron beam can be measured with high accuracy.
【0050】本発明による電子ビ―ム計測用ナイフエッ
ジの製法によれば、本発明による優れた電子ビ―ム計測
用ナイフエッジを、容易に製造することができる。According to the method of manufacturing the electronic beam measuring knife edge of the present invention, the excellent electronic beam measuring knife edge of the present invention can be easily manufactured.
【0051】本発明による電子ビ―ム計測用ナイフエッ
ジを用いた電子ビ―ム計測法によれば、電子ビ―ムの径
が微細であっても、その電子ビームの第1及び第2の走
査方向の径を、ともに高精度に測定することができ、ま
た、電子ビームの第1及び第2の走査方向のエッジだれ
を、ともに高精度に測定することができる。According to the electron beam measuring method using the electron beam measuring knife edge according to the present invention, even if the diameter of the electron beam is minute, the first and second electron beam Both the diameter in the scanning direction can be measured with high accuracy, and the edge sag of the electron beam in the first and second scanning directions can be measured with high accuracy.
【図1】本発明による電子ビ―ム計測用ナイフエッジの
実施の形態例を示す略線的斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing an embodiment of an electronic beam measuring knife edge according to the present invention.
【図2】本発明による電子ビ―ム計測用ナイフエッジの
製法の実施の形態例を示す順次の工程における略線的斜
視図である。FIG. 2 is a schematic perspective view in sequential steps showing an embodiment of a method for manufacturing a knife edge for measuring an electronic beam according to the present invention.
【図3】本発明による電子ビ―ム計測用ナイフエッジの
製法の実施の形態例を示す、図2に示す順次の工程に続
く順次の工程における略線的斜視図であるFIG. 3 is a schematic perspective view in a sequential process subsequent to the sequential process shown in FIG. 2, showing an embodiment of a method for manufacturing an electronic beam measuring knife edge according to the present invention.
【図4】本発明による電子ビ―ム計測用ナイフエッジの
製法の実施の形態例を示す、図3に示す順次の工程に続
く順次の工程における略線的斜視図である4 is a schematic perspective view in a sequential process subsequent to the sequential process shown in FIG. 3, showing an embodiment of a method for manufacturing a knife edge for electronic beam measurement according to the present invention.
【図5】図1に示す本発明による電子ビ―ム計測用ナイ
フエッジを用いた、本発明による電子ビ―ム計測法の説
明に供する図である。5 is a diagram for explaining an electronic beam measuring method according to the present invention using the electronic beam measuring knife edge shown in FIG. 1. FIG.
【図6】従来の電子ビ―ム計測用ナイフエッジを示す略
線的斜視図である。FIG. 6 is a schematic perspective view showing a conventional electronic beam measuring knife edge.
【図7】図6に示す従来の電子ビ―ム計測用ナイフエッ
ジを用いた、従来の電子ビ―ム計測法の説明に供する図
である。FIG. 7 is a diagram for explaining a conventional electron beam measuring method using the conventional electron beam measuring knife edge shown in FIG. 6;
1、11 電子ビ―ム計測
用ナイフエッジ 2、12、62 基板 3a、3b、13a、13b、64 主面 4、14、24、34、44、54 面 14′、24′、34′、44′、54′ 面 5、15、25、35、45、45′ 積層体 6、16、26、36、46、46′ 軽元素を主成分
とする層 7、17、27、37、47、47′ 重元素を主成分
とする層 8、18、28、38 ナイフエッジ 71 マスク用層 71′ マスク層 72 フォトレジスト
層 B 電子ビ―ム B′ 電子1, 11 Electronic beam measuring knife edge 2, 12, 62 Substrate 3a, 3b, 13a, 13b, 64 Main surface 4, 14, 24, 34, 44, 54 Surface 14 ', 24', 34 ', 44 ', 54' surface 5, 15, 25, 35, 45, 45 'laminated body 6, 16, 26, 36, 46, 46' layer containing light element as main component 7, 17, 27, 37, 47, 47 'Layer containing heavy element as a main component 8, 18, 28, 38 Knife edge 71 Mask layer 71' Mask layer 72 Photoresist layer B Electron beam B'Electron
フロントページの続き (72)発明者 牧野 孝裕 東京都新宿区西新宿3丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内 (72)発明者 竹中 久貴 東京都新宿区西新宿3丁目19番2号 日本 電信電話株式会社内Front page continuation (72) Inventor Takahiro Makino 3-19-2 Nishishinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Within Nippon Telegraph and Telephone Corporation (72) Inventor Hisaki Takenaka 3-19-2 Nishishinjuku, Shinjuku-ku, Tokyo Nippon Telegraph and Telephone Corporation Phone Co., Ltd.
Claims (10)
第1及び第2の面を少なくとも有する基板を有し、 上記基板の第1の面上に、互いに異なる電子ビーム透過
率または反射率もしくは2次電子放出率を有する第1及
び第2の層がそれらの順に積層されている第1の積層体
が上記第1及び第2の層間の界面を第1のナイフエッジ
とするように形成されているとともに、 上記基板の第2の面上に、互いに異なる電子ビーム透過
率または反射率もしくは2次電子放出率を有する第3及
び第4の層が積層されている第2の積層体が上記第3及
び第4の層間の界面を第2のナイフエッジとするように
形成されていることを特徴とする電子ビ―ム計測用ナイ
フエッジ。1. A substrate having a flat main surface and at least first and second surfaces perpendicular to the main surface, the electron beam transmittances different from each other on the first surface of the substrate. Alternatively, the first laminated body in which the first and second layers having the reflectance or the secondary electron emission rate are laminated in that order uses the interface between the first and second layers as the first knife edge. And the third and fourth layers having different electron beam transmittances or reflectances or secondary electron emission rates are laminated on the second surface of the substrate. A knife edge for electronic beam measurement, wherein the laminate is formed so that the interface between the third and fourth layers serves as a second knife edge.
エッジにおいて、 上記第1の積層体の第1の層と上記第2の積層体の第3
の層とが同じ電子ビーム透過率または反射率もしくは2
次電子放出率を有し、 上記第1の積層体の第2の層と上記第2の積層体の第4
の層とが同じ電子ビーム透過率または反射率もしくは2
次電子放出率を有することを特徴とする電子ビ―ム計測
用ナイフエッジ。2. The electronic beam measuring knife edge according to claim 1, wherein the first layer of the first laminate and the third layer of the second laminate are provided.
Electron beam transmittance or reflectance that is the same as that of
A second layer of the first stack and a fourth layer of the second stack having a secondary electron emission rate.
Electron beam transmittance or reflectance that is the same as that of
A knife edge for measuring an electron beam, which has a secondary electron emission rate.
ム計測用ナイフエッジにおいて、 上記第1の積層体の第1の層と上記第2の積層体の第3
の層とが軽元素を主成分とする層でなり、 上記第2の積層体の第2の層と上記第2の積層体の第4
の層とが重元素を主成分とする層でなることを特徴とす
る電子ビ―ム計測用ナイフエッジ。3. The electronic beam according to claim 1 or 2.
In the knife edge for measuring thickness, the first layer of the first laminate and the third layer of the second laminate are
Is a layer containing a light element as a main component, and the second layer of the second laminate and the fourth layer of the second laminate.
Knife layer for electron beam measurement, characterized in that said layer is a layer containing a heavy element as a main component.
記載の電子ビ―ム計測用ナイフエッジにおいて、 上記第1の面と上記第2の面とが連接し、 上記第1の積層体の第1の層と上記第2の積層体の第3
の層とが、上記第1及び第2の面上に連続して延長して
いる第1の電子ビーム透過率または反射率もしくは2次
電子放出率を有する層の、上記第1の面上の部及び上記
第3の層の上記第2の面上の部でそれぞれなり、 上記第1の積層体の第2の層と上記第3の積層体の第3
の層とが、上記第1の電子ビーム透過率または反射率も
しくは2次電子放出率を有する層上に延長している第2
の電子ビーム透過率または反射率もしくは2次電子放出
率を有する層の、上記第1の層上の部及び上記第4の層
の上記第3の層上の部でそれぞれなることを特徴とする
電子ビ―ム計測用ナイフエッジ。4. The method according to claim 1, 2 or 3.
In the electronic beam measuring knife edge described above, the first surface and the second surface are connected to each other, and the first layer of the first laminate and the third layer of the second laminate are connected.
On the first surface of the layer having a first electron beam transmittance or a reflectance or a secondary electron emission coefficient that continuously extends on the first and second surfaces. A second layer of the first laminate and a third layer of the third laminate.
A second layer extending over the layer having the first electron beam transmittance or reflectance or the secondary electron emission rate.
Of the layer having the electron beam transmittance or the reflectance or the secondary electron emission rate, which are respectively on the first layer and on the third layer of the fourth layer. Knife edge for electronic beam measurement.
用意する工程と、 上記第1の基板に対するその第1の主面側からのエッチ
ンク処理によって、上記第1の基板から、その第1の主
面の一部でなる第1の面と、その第1の面の一端から上
記第1の面に対して垂直に延長している第2の面と、そ
の第2の面の延長端からその第2の面に対して垂直に延
長している第3の面とを少なくとも有する第2の基板を
形成する工程と、 上記第2の基板の第1の面上に互に異なる電子ビーム透
過率または反射率もしくは2次電子放出率を有する第1
及び第2の層がそれらの順に積層されている第1の積層
体を形成し、上記第2の基板の第2の面上に互に異なる
電子ビーム透過率または反射率もしくは2次電子放出率
を有する第3及び第4の層がそれらの順に積層されてい
る第2の積層体を形成し、上記第2の基板の第3の面に
互に異なる電子ビーム透過率または反射率もしくは2次
電子放出率を有する第5及び第6の層がそれらの順に積
層されている第3の積層体を形成することによって、上
記第2の基板から、その第1、第2及び第3の面でなる
第4、第5及び第6の面上にそれぞれ上記第1、第2及
び第3の積層体が形成されている第3の基板を形成する
工程と、 上記第3の基板から、その第4、第5及び第6の面に対
して垂直な相対向する第2及び第3の主面を有するとと
もに、上記第3の基板の第4の面の一部でなる第7の面
上に上記第1の積層体の一部でなる第4の積層体が形成
され、上記第3の基板の第5の面の一部でなる第8の面
上に上記第2の積層体の一部でなる第5の積層体が形成
され、上記第3の基板の第6の面の一部でなる第9の面
上に上記第3の積層体の一部でなる第6の積層体が形成
されている第4の基板を形成する工程とを有することを
特徴とする電子ビ―ム計測用ナイフエッジの製法。5. A step of preparing a first substrate having a flat first main surface, and an etching process from the side of the first main surface of the first substrate to remove the first substrate from the first substrate. A first surface that is a part of the first main surface, a second surface that extends perpendicularly to the first surface from one end of the first surface, and a second surface thereof. Forming a second substrate having at least a third surface extending perpendicularly to the second surface from the extended end of the second substrate, and forming a second substrate on the first surface of the second substrate. First having different electron beam transmittance or reflectance or secondary electron emission rate
And a second layer to form a first laminated body in which they are laminated in that order, and different electron beam transmittances or reflectances or secondary electron emission rates are provided on the second surface of the second substrate. Forming a second laminated body in which the third and fourth layers having the above are laminated in that order, and different electron beam transmittances or reflectances or secondary degrees are formed on the third surface of the second substrate. By forming a third laminate in which fifth and sixth layers having an electron emission rate are laminated in that order, from the second substrate, the first, second and third surfaces thereof are formed. Forming a third substrate on which the first, second and third laminated bodies are formed on the fourth, fifth and sixth surfaces, respectively. 4, having a second and a third main surface which face each other perpendicular to the fifth and sixth surfaces, and The fourth laminated body which is a part of the first laminated body is formed on the seventh surface which is a part of the fourth surface of the third substrate, and the fifth laminated body of the third substrate is formed. A fifth laminate, which is a part of the second laminate, is formed on the eighth face, which is a part of the face, and a ninth laminate, which is a part of the sixth face of the third substrate. And a step of forming a fourth substrate on which a sixth laminated body which is a part of the third laminated body is formed, and a method of manufacturing a knife edge for measuring an electron beam, the method comprising: .
ッジの製法において、 上記第1の積層体の第1の層と上記第2の積層体の第3
の層と上記第3の積層体の第5の層とが同じ電子ビーム
透過率または反射率もしくは2次電子放出率を有し、 上記第1の積層体の第2の層と上記第2の積層体の第4
の層と上記第4の積層体の第6の層とが同じ電子ビーム
透過率または反射率もしくは2次電子放出率を有するこ
とを特徴とする電子ビ―ム計測用ナイフエッジの製法。6. The method of manufacturing a knife edge for measuring an electron beam according to claim 5, wherein the first layer of the first laminate and the third layer of the second laminate are used.
And the fifth layer of the third laminated body have the same electron beam transmittance or reflectance or secondary electron emission rate, and the second layer of the first laminated body and the second layer of the second laminated body are 4th of laminated body
And the sixth layer of the fourth laminated body have the same electron beam transmittance or reflectance or secondary electron emission rate.
計測用ナイフエッジの製法において、 上記第1の積層体の第1の層と上記第2の積層体の第3
の層と上記第3の積層体の第5の層とが軽元素を主成分
とする層でなり、 上記第1の積層体の第2の層と上記第2の積層体の第4
の層と上記第3の積層体の第6の層とが重元素を主成分
とする層でなることを特徴とする電子ビ―ム計測用ナイ
フエッジの製法。7. The method for manufacturing a knife edge for measuring an electron beam according to claim 5 or 6, wherein the first layer of the first laminate and the third layer of the second laminate are provided.
And a fifth layer of the third laminate are layers containing a light element as a main component, and the second layer of the first laminate and the fourth layer of the second laminate are
And a sixth layer of the third laminated body are layers containing a heavy element as a main component. A method for manufacturing a knife edge for measuring an electron beam, comprising:
記載の電子ビ―ム計測用ナイフエッジの製法において、 上記第2の基板を形成する工程において、上記第2の基
板を、第1の面と第2の面と第3の面とがそれらの順に
連接するように形成し、 上記第3の基板を形成する工程において、上記第3の基
板を、上記第2の基板の第1、第2及び第3の面上に連
続延長している第1の電子ビーム透過率または反射率も
しくは2次電子放出率を有する第7の層を形成し、その
第7の層上に第2の電子ビーム透過率または反射率もし
くは2次電子放出率を有する第8の層を形成することに
よって、上記第1の積層体の第1の層と上記第2の積層
体の第3の層と上記第3の積層体の第5の層とが上記第
7の層の上記第1、第2及び第3の面上の部でそれぞれ
なるものとし、上記第1の積層体の第2の層と上記第2
の積層体の第4の層と上記第3の積層体の第6の層とが
上記第8の層の上記第1、第2及び第3の層上の部でそ
れぞれなるものとして形成することを特徴とする電子ビ
―ム計測用ナイフエッジの製法。8. Claim 5 or claim 6 or claim 8.
In the method of manufacturing a knife edge for electronic beam measurement according to the above, in the step of forming the second substrate, the second substrate has a first surface, a second surface, and a third surface thereof. In the step of forming the third substrate, the third substrate is formed so as to be connected in order, and the third substrate is continuously extended on the first, second and third surfaces of the second substrate. A seventh layer having an electron beam transmittance or reflectance of 1 or a secondary electron emission rate of 1 is formed, and a second electron beam transmittance or reflectance or a secondary electron emission rate is formed on the seventh layer. By forming the eighth layer, the first layer of the first laminate, the third layer of the second laminate, and the fifth layer of the third laminate form the seventh layer. And the second layer of the first laminated body. Serial second
Forming a fourth layer of the laminated body and a sixth layer of the third laminated body on the above first, second and third layers of the eighth layer, respectively. A method of manufacturing a knife edge for measuring electronic beams characterized by.
求項4記載の電子ビ―ム計測用ナイフエッジを用い、 その電子ビ―ム計測用ナイフエッジの上記基板の上記主
面上に、電子ビ―ムを上記第1及び第2のナイフエッジ
をそれぞれ横切るようにそれぞれ第1及び第2の方向に
順次走査させ、それら電子ビームの第1及び第2の方向
の走査によって上記基板をそれぞれ透過または反射して
得られる第1及び第2の電子または上記基板からそれぞ
れ放出されて得られる第1及び第2の2次電子をそれぞ
れ第1及び第2の検出信号として強度検出し、 上記第1の検出信号の上記第1のナイフエッジに対応し
て得られる立上っているまたは立下っている部の幅、及
び上記第2の検出信号の上記第2のナイフエッジに対応
して得られる立ち上っているまたは立ち下っている部の
幅を、上記電子ビ―ムの上記第1の方向及び上記第2の
方向のそれぞれの径としてそれぞれ測定することを特徴
とする電子ビ―ム計測用ナイフエッジを用いた電子ビ―
ム計測法。9. The electronic beam measuring knife edge according to claim 1, claim 2, claim 3 or claim 4 is used, and the electronic beam measuring knife edge is on the main surface of the substrate. An electron beam is sequentially scanned in the first and second directions respectively across the first and second knife edges, and the substrate is scanned by scanning the electron beams in the first and second directions. Intensity is detected as first and second detection signals of the first and second electrons obtained by transmitting or reflecting respectively or the first and second secondary electrons obtained by being emitted from the substrate, respectively, Corresponding to the width of the rising or falling portion obtained corresponding to the first knife edge of the first detection signal, and the second knife edge of the second detection signal. Standing up Or the width of the falling portion is measured as the diameter of the electron beam in each of the first direction and the second direction. E-beam used
Measuring method.
請求項4記載の電子ビ―ム計測用ナイフエッジを用い、 その電子ビ―ム計測用ナイフエッジの上記基板の上記主
面上に、電子ビ―ムを上記第1及び第2のナイフエッジ
をそれぞれ横切るようにそれぞれ第1及び第2の方向に
順次走査させ、それら電子ビームの第1及び第2の方向
の走査によって上記基板をそれぞれ透過または反射して
得られる第1及び第2の電子または上記基板からそれぞ
れ放出されて得られる第1及び第2の2次電子をそれぞ
れ第1及び第2の検出信号として強度検出し、 上記第1及び第2の検出信号をそれぞれ2次微分して得
られる第1及び第2の微分信号の上記第1及び第2のナ
イフエッジにそれぞれ対応して得られる部の幅を、上記
電子ビ―ムの上記第1及び第2の方向のそれぞれのエッ
ジだれとして測定することを特徴とする電子ビ―ム計測
用ナイフエッジを用いた電子ビ―ム計測法。10. The electronic beam measuring knife edge according to claim 1, claim 2, claim 3 or claim 4 is used, and the electronic beam measuring knife edge is on the main surface of the substrate. An electron beam is sequentially scanned in the first and second directions respectively across the first and second knife edges, and the substrate is scanned by scanning the electron beams in the first and second directions. Intensity is detected as first and second detection signals of the first and second electrons obtained by transmitting or reflecting respectively or the first and second secondary electrons obtained by being emitted from the substrate, respectively, The width of the portion obtained corresponding to each of the first and second knife edges of the first and second differential signals obtained by second-order differentiating the first and second detection signals is defined as follows: The first and the above beam Electron beam using a knife-edge beam measurement - - electron beam, characterized by measuring the respective edges of the two directions anyone beam measurement method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8145035A JPH09306400A (en) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | Electron beam measuring knife edge and manufacture therefor and electron beam measuring method using electron beam measuring knife edge |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8145035A JPH09306400A (en) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | Electron beam measuring knife edge and manufacture therefor and electron beam measuring method using electron beam measuring knife edge |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09306400A true JPH09306400A (en) | 1997-11-28 |
Family
ID=15375904
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8145035A Pending JPH09306400A (en) | 1996-05-15 | 1996-05-15 | Electron beam measuring knife edge and manufacture therefor and electron beam measuring method using electron beam measuring knife edge |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09306400A (en) |
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-
1996
- 1996-05-15 JP JP8145035A patent/JPH09306400A/en active Pending
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