JPH09304797A - 光スイッチ - Google Patents
光スイッチInfo
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- JPH09304797A JPH09304797A JP11681896A JP11681896A JPH09304797A JP H09304797 A JPH09304797 A JP H09304797A JP 11681896 A JP11681896 A JP 11681896A JP 11681896 A JP11681896 A JP 11681896A JP H09304797 A JPH09304797 A JP H09304797A
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- optical
- optical switch
- switch
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ポリマー系を材料としたＹ分岐導波路による
光スイッチにおいて、光パスクロスコネクトシステムに
適用できる十分に高いオン／オフ比を有し、かつ光出力
レベル調整機能を実現する。 【解決手段】 ポリマー系材料で形成され、熱光学効果
を利用して１入力２出力のスイッチングを行う光スイッ
チ素子を複数段に配列してＮ入力Ｎ出力のスイッチング
を行う光スイッチの各出力ポートに、同様のポリマー系
材料を用いた光スイッチ素子を光ゲートスイッチとして
接続する。
光スイッチにおいて、光パスクロスコネクトシステムに
適用できる十分に高いオン／オフ比を有し、かつ光出力
レベル調整機能を実現する。 【解決手段】 ポリマー系材料で形成され、熱光学効果
を利用して１入力２出力のスイッチングを行う光スイッ
チ素子を複数段に配列してＮ入力Ｎ出力のスイッチング
を行う光スイッチの各出力ポートに、同様のポリマー系
材料を用いた光スイッチ素子を光ゲートスイッチとして
接続する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光パスクロスコネ
クトシステム、光信号処理システム、光伝送システムそ
の他に用いられる光スイッチに関する。
クトシステム、光信号処理システム、光伝送システムそ
の他に用いられる光スイッチに関する。
【０００２】
【従来の技術】熱光学効果を利用した従来の光スイッチ
には、石英系を材料としたものとポリマー系（例えば、
ポリイミド) を材料としたものがある。石英系ではマッ
ハツェンダ干渉計を構成して光スイッチが実現される
が、ポリマー系ではＹ分岐導波路により光スイッチの実
現が可能になっている。これは、ポリマー系の熱光学係
数が石英系よりも１桁ほど大きいためである。なお、Ｙ
分岐導波路による光スイッチは、石英系でも原理的には
可能であるが、熱光学係数が小さいので実現が困難であ
る。
には、石英系を材料としたものとポリマー系（例えば、
ポリイミド) を材料としたものがある。石英系ではマッ
ハツェンダ干渉計を構成して光スイッチが実現される
が、ポリマー系ではＹ分岐導波路により光スイッチの実
現が可能になっている。これは、ポリマー系の熱光学係
数が石英系よりも１桁ほど大きいためである。なお、Ｙ
分岐導波路による光スイッチは、石英系でも原理的には
可能であるが、熱光学係数が小さいので実現が困難であ
る。
【０００３】図６は、ポリマー系を材料としたＹ分岐導
波路による光スイッチの構成を示す（参照論文：Winfie
rd H.G.Horsthuis,et al.,"Active components for opt
icalnetworks using polymer technology",IOOC-95 (Te
nth-International Conference on Integrated Optics
and Optical Fiber Communication), TuD1-1, pp.62-6
4, June 26-30, 1995)。
波路による光スイッチの構成を示す（参照論文：Winfie
rd H.G.Horsthuis,et al.,"Active components for opt
icalnetworks using polymer technology",IOOC-95 (Te
nth-International Conference on Integrated Optics
and Optical Fiber Communication), TuD1-1, pp.62-6
4, June 26-30, 1995)。
【０００４】図において、対称なＹ分岐導波路１１上に
２つのヒータ抵抗１２−１，１２−２を配置し、このヒ
ータによって一方の導波路を温め、屈折率を変化させて
非対称Ｙ分岐導波路を形成し、他方の導波路に光レベル
の多くを導波させる構成である。上記論文に記載されて
いる印加電圧と光出力レベルの関係を図７に示す。印加
電圧がゼロのときには、対称なＹ分岐導波路５の特性
に従って２つの出力ポートの出力光強度は互いに等し
い。この状態からヒータ抵抗１２−２へ電圧を徐々に印
加していくと、ヒータ抵抗１２−２の下部にある導波路
は温められて屈折率が小さくなる。光は、屈折率の違い
を感じるとそこで反射する。小さくなった屈折率が導波
路（コア）の周囲のクラッド層の屈折率と等しくなると
光強度の多くは反射され、屈折率が大きい状態にある他
方の導波路（コア）へ伝搬していく。このようにして、
電圧を印加するヒータを変えることにより、光スイッチ
として動作することになる。
２つのヒータ抵抗１２−１，１２−２を配置し、このヒ
ータによって一方の導波路を温め、屈折率を変化させて
非対称Ｙ分岐導波路を形成し、他方の導波路に光レベル
の多くを導波させる構成である。上記論文に記載されて
いる印加電圧と光出力レベルの関係を図７に示す。印加
電圧がゼロのときには、対称なＹ分岐導波路５の特性
に従って２つの出力ポートの出力光強度は互いに等し
い。この状態からヒータ抵抗１２−２へ電圧を徐々に印
加していくと、ヒータ抵抗１２−２の下部にある導波路
は温められて屈折率が小さくなる。光は、屈折率の違い
を感じるとそこで反射する。小さくなった屈折率が導波
路（コア）の周囲のクラッド層の屈折率と等しくなると
光強度の多くは反射され、屈折率が大きい状態にある他
方の導波路（コア）へ伝搬していく。このようにして、
電圧を印加するヒータを変えることにより、光スイッチ
として動作することになる。
【０００５】石英系を材料とした光スイッチに対して、
ポリマー系を材料とした光スイッチは次のような特徴を
有する。 (1) 熱光学係数が大きいので、石英系光スイッチの１／
５以下の駆動電力ですむ。 (2) 駆動電力が小さいので印加電圧も小さくてすみ、Ｔ
ＴＬロジック回路を使うことができるので駆動回路が簡
単になる。
ポリマー系を材料とした光スイッチは次のような特徴を
有する。 (1) 熱光学係数が大きいので、石英系光スイッチの１／
５以下の駆動電力ですむ。 (2) 駆動電力が小さいので印加電圧も小さくてすみ、Ｔ
ＴＬロジック回路を使うことができるので駆動回路が簡
単になる。
【０００６】(3) Ｙ分岐導波路による光スイッチなの
で、マッハツェンダ干渉計スイッチに比べて短い導波路
ですむ。 (4) Ｙ分岐導波路による光スイッチなので、印加電圧が
所定値を越えるとオン状態およびオフ状態が飽和する。
すなわち、アナログスイッチのようにオン状態およびオ
フ状態に対応する制御電圧を正確に入力する必要がな
く、電圧精度が低くてもよい。
で、マッハツェンダ干渉計スイッチに比べて短い導波路
ですむ。 (4) Ｙ分岐導波路による光スイッチなので、印加電圧が
所定値を越えるとオン状態およびオフ状態が飽和する。
すなわち、アナログスイッチのようにオン状態およびオ
フ状態に対応する制御電圧を正確に入力する必要がな
く、電圧精度が低くてもよい。
【０００７】(5) 石英系光スイッチに比べて安価に作製
できる。
できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで、光パスクロ
スコネクトシステムに適用される光スイッチは、オン／
オフ比として40dB以上のものが必要になる。しかし、上
記のポリマー系を材料とした光スイッチで安定に実現で
きるオン／オフ比は20〜30dB程度である。したがって、
本光スイッチをそのまま光パスクロスコネクトシステム
に適用することは困難であった。
スコネクトシステムに適用される光スイッチは、オン／
オフ比として40dB以上のものが必要になる。しかし、上
記のポリマー系を材料とした光スイッチで安定に実現で
きるオン／オフ比は20〜30dB程度である。したがって、
本光スイッチをそのまま光パスクロスコネクトシステム
に適用することは困難であった。
【０００９】さらに、光パスクロスコネクトシステムで
は、光スイッチの各出力ポートの光レベルを一定に調整
する機能が必要である。これは、波長多重伝送する際に
各波長の光レベルが異なっていると伝送特性が劣化する
ためである。しかし、上記のポリマー系を材料とした光
スイッチに光出力レベル調整機能を付加した例はない。
は、光スイッチの各出力ポートの光レベルを一定に調整
する機能が必要である。これは、波長多重伝送する際に
各波長の光レベルが異なっていると伝送特性が劣化する
ためである。しかし、上記のポリマー系を材料とした光
スイッチに光出力レベル調整機能を付加した例はない。
【００１０】本発明は、ポリマー系を材料としたＹ分岐
導波路による光スイッチにおいて、光パスクロスコネク
トシステムに適用できる十分に高いオン／オフ比を有
し、かつ光出力レベル調整機能を有する光スイッチを提
供することを目的とする。
導波路による光スイッチにおいて、光パスクロスコネク
トシステムに適用できる十分に高いオン／オフ比を有
し、かつ光出力レベル調整機能を有する光スイッチを提
供することを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、ポリマー系材
料で形成され、熱光学効果を利用して１入力２出力のス
イッチングを行う光スイッチ素子を複数段に配列してＮ
入力Ｎ出力のスイッチングを行う光スイッチの各出力ポ
ートに、同様のポリマー系材料を用いた光スイッチ素子
を光ゲートスイッチとして接続する。
料で形成され、熱光学効果を利用して１入力２出力のス
イッチングを行う光スイッチ素子を複数段に配列してＮ
入力Ｎ出力のスイッチングを行う光スイッチの各出力ポ
ートに、同様のポリマー系材料を用いた光スイッチ素子
を光ゲートスイッチとして接続する。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の光スイッチの実
施形態を示す。なお、本光スイッチはポリマー系の大き
な熱光学効果を用いることに特徴があり、Ｙ分岐導波路
部の温度を変える構成であればどうようなものでもよい
が、ここでは従来例と同様のヒータを用いた構成例を示
す。また、一番基本的な１×２構成のものを示す。
施形態を示す。なお、本光スイッチはポリマー系の大き
な熱光学効果を用いることに特徴があり、Ｙ分岐導波路
部の温度を変える構成であればどうようなものでもよい
が、ここでは従来例と同様のヒータを用いた構成例を示
す。また、一番基本的な１×２構成のものを示す。
【００１３】図において、Ｙ分岐導波路１１とヒータ抵
抗１２−１，１２−２により構成される１×２光スイッ
チ素子１０の出力ポート１３−１，１３−２に、それぞ
れ光ゲートスイッチ２０，３０が接続される。光ゲート
スイッチ２０は、１×２光スイッチ素子１０と同様の構
成であり、Ｙ分岐導波路２１、ヒータ抵抗２２−１，２
２−２、出力ポート２３−１，２３−２を有する。光ゲ
ートスイッチ３０も同様に、Ｙ分岐導波路３１、ヒータ
抵抗３２−１，３２−２、出力ポート３３−１，３３−
２を有する。ここで、光ゲートスイッチ２０，３０の各
２つの出力ポートのうち、一方の出力ポート２３−１，
３３−１を本光スイッチの出力ポートとし、他方の出力
ポート２３−２，３３−２をダミーポートとする。
抗１２−１，１２−２により構成される１×２光スイッ
チ素子１０の出力ポート１３−１，１３−２に、それぞ
れ光ゲートスイッチ２０，３０が接続される。光ゲート
スイッチ２０は、１×２光スイッチ素子１０と同様の構
成であり、Ｙ分岐導波路２１、ヒータ抵抗２２−１，２
２−２、出力ポート２３−１，２３−２を有する。光ゲ
ートスイッチ３０も同様に、Ｙ分岐導波路３１、ヒータ
抵抗３２−１，３２−２、出力ポート３３−１，３３−
２を有する。ここで、光ゲートスイッチ２０，３０の各
２つの出力ポートのうち、一方の出力ポート２３−１，
３３−１を本光スイッチの出力ポートとし、他方の出力
ポート２３−２，３３−２をダミーポートとする。
【００１４】以下、出力ポート２３−１へ光がスイッチ
ングされる場合の動作について説明する。１×２光スイ
ッチ素子１０ではヒータ抵抗１２−２へ電流を流すと、
光は出力ポート１３−１へスイッチングされる。その光
出力レベルをＰ〔dBｍ〕とする。１×２光スイッチ素子
１０および光ゲートスイッチ２０，３０のオン／オフ比
を一様に20〔dB〕と仮定すると、出力ポート１３−２へ
は（Ｐ−20）〔dBｍ〕の光が漏洩する。そこで、光ゲー
トスイッチ３０のヒータ抵抗３２−１へ電流を流すこと
により、出力ポート３３−１への漏洩光を (Ｐ−20)−20＝Ｐ−40〔dBｍ〕 まで低減することができる。
ングされる場合の動作について説明する。１×２光スイ
ッチ素子１０ではヒータ抵抗１２−２へ電流を流すと、
光は出力ポート１３−１へスイッチングされる。その光
出力レベルをＰ〔dBｍ〕とする。１×２光スイッチ素子
１０および光ゲートスイッチ２０，３０のオン／オフ比
を一様に20〔dB〕と仮定すると、出力ポート１３−２へ
は（Ｐ−20）〔dBｍ〕の光が漏洩する。そこで、光ゲー
トスイッチ３０のヒータ抵抗３２−１へ電流を流すこと
により、出力ポート３３−１への漏洩光を (Ｐ−20)−20＝Ｐ−40〔dBｍ〕 まで低減することができる。
【００１５】一方、１×２光スイッチ素子１０の出力ポ
ート１３−１から光ゲートスイッチ２０に入力された光
は、ヒータ抵抗２２−２へ電流を流すことにより、出力
ポート２３−１からＰ〔dBｍ〕の光として出力される。
したがって、出力ポート２３−１と出力ポート３３−１
では、40〔dB〕のオン／オフ比を確保することができ
る。なお、ここでは導波路における伝搬損失は無視して
いる。
ート１３−１から光ゲートスイッチ２０に入力された光
は、ヒータ抵抗２２−２へ電流を流すことにより、出力
ポート２３−１からＰ〔dBｍ〕の光として出力される。
したがって、出力ポート２３−１と出力ポート３３−１
では、40〔dB〕のオン／オフ比を確保することができ
る。なお、ここでは導波路における伝搬損失は無視して
いる。
【００１６】次に、光ゲートスイッチ２０の出力ポート
２３−１の光出力レベルを調整する機能について説明す
る。これは、ヒータ抵抗２２−２への電流値を可変にす
ることにより実現できる。光ゲートスイッチ２０は対称
なＹ分岐導波路２１を使用しているので、ヒータ抵抗２
２−１，２２−２に電流を流さないときには、出力ポー
ト２３−１，２３−２にはそれぞれ（Ｐ−３）〔dBｍ〕
の光が出力される。ここで、ヒータ抵抗２２−２に流す
電流値を増加させると、出力ポート２３−１の光出力レ
ベルは（Ｐ−３）〔dBｍ〕からＰ〔dBｍ〕へ近づいてい
く。電流値の増加によって光出力レベルが変化する様子
を図２に示す。このようなアナログ動作により、光出力
レベルを３〔dB〕の範囲で調整できることになる。ただ
し、この場合には、オン／オフ比が３〔dB〕だけ小さく
なるので、40〔dB〕以上のオン／オフ比を確保するには
スイッチ素子単体において21.5〔dB〕以上のオン／オフ
比を得る必要がある。さらに、ヒータ抵抗２２−１へも
電流を流すと、３〔dB〕以上の範囲で光出力レベルを調
整することができる。
２３−１の光出力レベルを調整する機能について説明す
る。これは、ヒータ抵抗２２−２への電流値を可変にす
ることにより実現できる。光ゲートスイッチ２０は対称
なＹ分岐導波路２１を使用しているので、ヒータ抵抗２
２−１，２２−２に電流を流さないときには、出力ポー
ト２３−１，２３−２にはそれぞれ（Ｐ−３）〔dBｍ〕
の光が出力される。ここで、ヒータ抵抗２２−２に流す
電流値を増加させると、出力ポート２３−１の光出力レ
ベルは（Ｐ−３）〔dBｍ〕からＰ〔dBｍ〕へ近づいてい
く。電流値の増加によって光出力レベルが変化する様子
を図２に示す。このようなアナログ動作により、光出力
レベルを３〔dB〕の範囲で調整できることになる。ただ
し、この場合には、オン／オフ比が３〔dB〕だけ小さく
なるので、40〔dB〕以上のオン／オフ比を確保するには
スイッチ素子単体において21.5〔dB〕以上のオン／オフ
比を得る必要がある。さらに、ヒータ抵抗２２−１へも
電流を流すと、３〔dB〕以上の範囲で光出力レベルを調
整することができる。
【００１７】ヒータ抵抗へ流す電流値は、図３に示すよ
うな定電流回路により実現できる。図に示す定電流回路
は、１個のオヘアンプ、１個のトランジスタ、２個の抵
抗により構成したものである。トランジスタのエミッタ
に接続された基準抵抗Ｒrefにおける電圧降下分が、オ
ペアンプ入力電圧Ｖref と一致するようにヒータ抵抗へ
電流が流れる。オペアンプ入力電圧Ｖref は、例えばＤ
／Ａ変換器によって与えることができる。
うな定電流回路により実現できる。図に示す定電流回路
は、１個のオヘアンプ、１個のトランジスタ、２個の抵
抗により構成したものである。トランジスタのエミッタ
に接続された基準抵抗Ｒrefにおける電圧降下分が、オ
ペアンプ入力電圧Ｖref と一致するようにヒータ抵抗へ
電流が流れる。オペアンプ入力電圧Ｖref は、例えばＤ
／Ａ変換器によって与えることができる。
【００１８】なお、光ゲートスイッチ２０，３０は最後
の出力段に配置すればよい。したがって、１×４以上の
光スイッチにも同様に適用することができる。１×８の
光スイッチの構成例を図４に示す。図４において、１×
２光スイッチ素子１０−１〜１０−７が１×８のスイッ
チングを行うように接続され、最終段の各１×２光スイ
ッチ素子１０−４〜１０−７の各２つの出力ポートに光
ゲートスイッチ（Ｇ−ＳＷ）２０−１〜２０−４、３０
−１〜３０−４が接続される。
の出力段に配置すればよい。したがって、１×４以上の
光スイッチにも同様に適用することができる。１×８の
光スイッチの構成例を図４に示す。図４において、１×
２光スイッチ素子１０−１〜１０−７が１×８のスイッ
チングを行うように接続され、最終段の各１×２光スイ
ッチ素子１０−４〜１０−７の各２つの出力ポートに光
ゲートスイッチ（Ｇ−ＳＷ）２０−１〜２０−４、３０
−１〜３０−４が接続される。
【００１９】また、一般に１×Ｎ構成の光スイッチだけ
でなく、Ｎ×Ｎ光スイッチにおいても同様の光ゲートス
イッチを用いることにより、オン／オフ比を高め、光出
力レベルを調整することができる。４×４の光スイッチ
の構成例を図５に示す。図５において、一方に１×４の
光スイッチを４組配置し、他方に１×４の光スイッチを
４組配置し、その間を光ゲートスイッチ（Ｇ−ＳＷ）を
介して、４×４のスイッチングを可能にする所定の結線
網によって接続する。なお、左右両側に配置された光ゲ
ートスイッチの一方は省いてもよい。
でなく、Ｎ×Ｎ光スイッチにおいても同様の光ゲートス
イッチを用いることにより、オン／オフ比を高め、光出
力レベルを調整することができる。４×４の光スイッチ
の構成例を図５に示す。図５において、一方に１×４の
光スイッチを４組配置し、他方に１×４の光スイッチを
４組配置し、その間を光ゲートスイッチ（Ｇ−ＳＷ）を
介して、４×４のスイッチングを可能にする所定の結線
網によって接続する。なお、左右両側に配置された光ゲ
ートスイッチの一方は省いてもよい。
【００２０】以上示した実施形態では、光ゲートスイッ
チとしてポリマー系を材料としたＹ分岐導波路構造のも
のを示したが、導波路長が長くなって光損失が増加する
もののポリマー基板上に形成されたマッハツェンダ干渉
計による光ゲートスイッチを用いてもよい。
チとしてポリマー系を材料としたＹ分岐導波路構造のも
のを示したが、導波路長が長くなって光損失が増加する
もののポリマー基板上に形成されたマッハツェンダ干渉
計による光ゲートスイッチを用いてもよい。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の光スイッ
チは、光ゲートスイッチを新たに接続することにより、
光パスクロスコネクトシステムへ適用するのに十分に高
いオン／オフ比を実現できるとともに、光出力レベルを
３dBまたはそれ以上の範囲で調整することができる。ま
た、光スイッチを構成する各光部品を同一基板上に作製
することが可能であり、これによりコンパクトになると
ともに安定性や光損失の点で優れた特性を示すことがで
きる。
チは、光ゲートスイッチを新たに接続することにより、
光パスクロスコネクトシステムへ適用するのに十分に高
いオン／オフ比を実現できるとともに、光出力レベルを
３dBまたはそれ以上の範囲で調整することができる。ま
た、光スイッチを構成する各光部品を同一基板上に作製
することが可能であり、これによりコンパクトになると
ともに安定性や光損失の点で優れた特性を示すことがで
きる。
【図１】本発明の光スイッチの実施形態を示す図。
【図２】電流値の増加によって光出力レベルが変化する
様子を示す図。
様子を示す図。
【図３】ヒータ抵抗を駆動する定電流回路の構成例を示
す図。
す図。
【図４】１×８の光スイッチの構成例を示す図。
【図５】８×８の光スイッチの構成例を示す図。
【図６】ポリマー系を材料としたＹ分岐導波路による光
スイッチの構成を示す図。
スイッチの構成を示す図。
【図７】印加電圧と光出力レベルの関係を示す図。
１０ １×２光スイッチ素子 １１，２１，３１ Ｙ分岐導波路 １２，２２，３２ ヒータ抵抗 １３，２３，３３ 出力ポート ２０，３０ 光ゲートスイッチ
Claims (4)
- 【請求項１】 ポリマー系材料で形成され、熱光学効果
を利用して１入力２出力のスイッチングを行う光スイッ
チ素子を複数段に配列してＮ入力Ｎ出力のスイッチング
を行う光スイッチにおいて、 ポリマー系材料で形成され、熱光学効果を利用して１入
力２出力のスイッチングを行う光スイッチ素子を光ゲー
トスイッチとして各出力ポートにそれぞれ接続した構成
であることを特徴とする光スイッチ。 - 【請求項２】 請求項１に記載の光スイッチにおいて、 光ゲートスイッチに印加する電流値を可変させ、温度を
制御して各出力ポートの光出力レベルを可変させる電流
供給回路を備えたことを特徴とする光スイッチ。 - 【請求項３】 請求項１に記載の光スイッチにおいて、 光スイッチ素子は、ヒータ抵抗を付加したＹ分岐導波路
で構成されたことを特徴とする光スイッチ。 - 【請求項４】 請求項１に記載の光スイッチにおいて、 複数個の光スイッチ素子が同一基板上に構成されたこと
を特徴とする光スイッチ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11681896A JPH09304797A (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 光スイッチ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11681896A JPH09304797A (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 光スイッチ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09304797A true JPH09304797A (ja) | 1997-11-28 |
Family
ID=14696400
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11681896A Pending JPH09304797A (ja) | 1996-05-10 | 1996-05-10 | 光スイッチ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09304797A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002365605A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-18 | Fujikura Ltd | 熱光学効果光部品 |
| KR100948901B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2010-03-24 | 한국전자통신연구원 | 광 크로스톡이 향상된 ｐｌｃ형 디지털 광스위치 |
| JP2011048384A (ja) * | 2010-10-04 | 2011-03-10 | Fujikura Ltd | 熱光学効果光部品 |
| CN114153026A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-03-08 | 吉林大学 | 一种基于y分支结构的模式不敏感的光功率分配器及其制备方法 |
-
1996
- 1996-05-10 JP JP11681896A patent/JPH09304797A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002365605A (ja) * | 2001-06-07 | 2002-12-18 | Fujikura Ltd | 熱光学効果光部品 |
| KR100948901B1 (ko) * | 2007-12-17 | 2010-03-24 | 한국전자통신연구원 | 광 크로스톡이 향상된 ｐｌｃ형 디지털 광스위치 |
| JP2011048384A (ja) * | 2010-10-04 | 2011-03-10 | Fujikura Ltd | 熱光学効果光部品 |
| CN114153026A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-03-08 | 吉林大学 | 一种基于y分支结构的模式不敏感的光功率分配器及其制备方法 |
| CN114153026B (zh) * | 2022-01-24 | 2023-09-05 | 吉林大学 | 一种基于y分支结构的模式不敏感的光功率分配器及其制备方法 |
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