JPH09304040A - Pattern inspection method and apparatus by elector beam - Google Patents
Pattern inspection method and apparatus by elector beamInfo
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- JPH09304040A JPH09304040A JP8117305A JP11730596A JPH09304040A JP H09304040 A JPH09304040 A JP H09304040A JP 8117305 A JP8117305 A JP 8117305A JP 11730596 A JP11730596 A JP 11730596A JP H09304040 A JPH09304040 A JP H09304040A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は電子ビームによるパ
ターン検査方法およびその装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam pattern inspection method and apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】微細な回路パターンを検査する技術とし
て、走査電子顕微鏡を使用した検査技術が知られてい
る。例えば、特開昭５６−８３９３９号公報には、電子
ビームを走査し、被検査物からの反射電子を検出し、パ
ターン欠陥を検出する検査方法が記載されている。ま
た、特開平３−２７８５５３号公報には、電子ビームを
走査し、被検査物からの二次電子を検出し、パターン欠
陥を検出する検査装置が記載されている。また、特開平
５−２５８７０３号公報には、電子ビームを走査し、被
検査物からの二次電子、反射電子、あるいは、透過電子
を検出し、パターン欠陥を検出する検査装置が記載され
ている。2. Description of the Related Art An inspection technique using a scanning electron microscope is known as a technique for inspecting a fine circuit pattern. For example, Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-83939 discloses an inspection method in which an electron beam is scanned to detect reflected electrons from an object to be inspected to detect a pattern defect. Further, JP-A-3-278553 describes an inspection device which scans an electron beam, detects secondary electrons from an object to be inspected, and detects a pattern defect. Further, Japanese Patent Application Laid-Open No. 5-258703 describes an inspection device which scans an electron beam and detects secondary electrons, reflected electrons, or transmitted electrons from an object to be inspected to detect a pattern defect. .
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記の電子ビームによ
るパターン検査では、被検査物であるウエハ、ガラスマ
スク、Ｘ線露光用マスク、セラミック基板が絶縁材料で
構成されているため、電子ビームの照射により被検査物
が帯電するという問題があった。被検査物が帯電する
と、もはや、パターンを安定かつ正確に検出することが
できない。このため、特開平５−２５８７０３号公報で
は、被検査物を導電基板としている。In the pattern inspection by the electron beam described above, the wafer, glass mask, X-ray exposure mask, and ceramic substrate, which are the inspection object, are made of an insulating material. Due to this, there is a problem that the inspection object is charged. When the inspection object is charged, the pattern can no longer be detected stably and accurately. Therefore, in JP-A-5-258703, the object to be inspected is a conductive substrate.
【０００４】例えば、走査電子顕微鏡による観察では、
試料が絶縁物であるとき、表面を金蒸着して観察するこ
とが行われている。しかし、被検査物の表面に金蒸着等
の導電性物質を施すことは、破壊検査となるため、好ま
しくない。For example, in observation with a scanning electron microscope,
When the sample is an insulator, gold is vapor-deposited on the surface for observation. However, applying a conductive material such as gold vapor deposition to the surface of the object to be inspected is a destructive inspection, and is not preferable.
【０００５】また、電子ビームの加速電圧を１ｋＶ程度
の低い電圧にして、試料の帯電を抑える手法がある。し
かし、低加速電子ビームを使用しても、長時間あるい
は、大電流を試料に照射すると帯電するため、帯電に対
する完全な対策とは言えない。There is also a method of suppressing the electrification of the sample by setting the accelerating voltage of the electron beam to a low voltage of about 1 kV. However, even if a low-acceleration electron beam is used, since it is charged for a long time or when a large current is applied to the sample, it cannot be said to be a complete countermeasure against charging.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】通常の走査電子顕微鏡で
は、試料を入れる真空容器である試料室の真空度を１０
~3Ｐａ以下の高真空に保っている。このため、試料が一
旦帯電すると、そのまま帯電状態が続き、試料を大気に
曝すまで中和されない。In a normal scanning electron microscope, the degree of vacuum in a sample chamber, which is a vacuum container for containing a sample, is set to 10 degrees.
A high vacuum of ~ 3 Pa or less is maintained. Therefore, once the sample is charged, it remains charged and is not neutralized until the sample is exposed to the atmosphere.
【０００７】試料室の真空度を低くすると（０．１〜１
０2Ｐａ程度）、絶縁物に対しても、帯電することがな
い。本発明は、電子ビームを走査して、被検査物のパタ
ーンを検出する際に、被検査物を低真空の試料室に置
き、被検査物の帯電を防止しようとする。電子銃で発生
させた電子ビームを電子レンズで集束させ、被検査物に
照射する。被検査物は、ＸＹステージに搭載され、試料
室に格納する。試料室は、低真空に制御する。電子銃や
電子レンズ等の電子光学鏡筒は、高真空に保持する。電
子光学鏡筒と被検査物の空隙は非常に狭くして、オリフ
ィスの効果を得る。二次電子検出器は、電子光学鏡筒の
内部に設け、被検査物からの二次電子信号を検出する。
電子ビームの走査とＸＹステージの移動による被検査物
全面のパターンを検出する。検出した画像信号をＡ／Ｄ
変換し、デジタル画像信号とする。デジタル画像信号に
画像処理を施し、パターン欠陥を抽出する。When the degree of vacuum in the sample chamber is lowered (0.1-1
(Approx. 0 2 Pa), and the insulator is not charged. According to the present invention, when the pattern of the object to be inspected is detected by scanning the electron beam, the object to be inspected is placed in a low-vacuum sample chamber to prevent the object to be inspected from being charged. An electron beam generated by an electron gun is focused by an electron lens and irradiated on an object to be inspected. The object to be inspected is mounted on the XY stage and stored in the sample chamber. The sample chamber is controlled to a low vacuum. An electron optical lens barrel such as an electron gun and an electron lens is kept in a high vacuum. The gap between the electron optical column and the object to be inspected is made extremely narrow to obtain the effect of the orifice. The secondary electron detector is provided inside the electron optical lens barrel and detects a secondary electron signal from the inspection object.
The pattern on the entire surface of the object to be inspected by the scanning of the electron beam and the movement of the XY stage is detected. A / D the detected image signal
It is converted into a digital image signal. Image processing is performed on the digital image signal to extract pattern defects.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】図１は本発明によるパターン検査
装置のブロック図である。電子銃１で発生した電子ビー
ム２を電子レンズ３で集束し、偏向コイル４で走査し
て、被検査物５に照射する。被検査物５から放出される
反射電子あるいは二次電子を検出器６で検出する。検出
器６で得た走査電子像信号をＡ／Ｄコンバータ７でデジ
タル画像信号に変換する。この検出画像と予めメモリ８
に記憶しておいた良品画像とを、画像処理装置９で比較
して不一致部分を欠陥として検出する。被検査物５は、
ＸＹステージ１０に搭載され、ＸＹステージの移動と電
子ビーム２の走査により、被検査物５のパターン全面を
検出する。電子銃１を含んだ電子光学鏡筒１１は、真空
ポンプ１２により高真空に保たれている。試料室１３
は、真空ポンプ１４で排気する。真空計１５の指示によ
り、コントローラ１６がリークバルブ１７を制御して、
一定の低真空度に保つ。被検査物５の雰囲気は低真空で
あるため、電子ビーム２の照射でも帯電することが無
い。1 is a block diagram of a pattern inspection apparatus according to the present invention. The electron beam 2 generated by the electron gun 1 is focused by the electron lens 3, scanned by the deflection coil 4, and irradiated onto the inspection object 5. The detector 6 detects backscattered electrons or secondary electrons emitted from the inspection object 5. The scanning electron image signal obtained by the detector 6 is converted into a digital image signal by the A / D converter 7. This detection image and the memory 8 in advance
The image processing apparatus 9 compares the non-defective product image stored in step 1 above with the non-defective product image and detects the mismatched portion as a defect. The inspection object 5 is
It is mounted on the XY stage 10 and detects the entire pattern of the inspection object 5 by moving the XY stage and scanning the electron beam 2. The electron optical lens barrel 11 including the electron gun 1 is kept in a high vacuum by a vacuum pump 12. Sample chamber 13
Is exhausted by the vacuum pump 14. The controller 16 controls the leak valve 17 according to an instruction from the vacuum gauge 15,
Keep a constant low vacuum. Since the atmosphere of the inspection object 5 is a low vacuum, it is not charged even when the electron beam 2 is irradiated.
【０００９】図２はパターン検査装置のパターン検出部
のブロック図である。高真空室２１は、ターボ分子ポン
プ２２と油回転ポンプ２３により高真空（例えば、１０
~3Ｐａ以下）に保たれている。高真空室２１の中には、
陰極２４がある。陰極は、例えば、タングステンフィラ
メントあるいはランタンヘキサボライトフィラメントで
ある。陰極２４から放出された電子ビーム２は、収束レ
ンズ２５と対物レンズ２６により、細く集束し、被検査
物５に照射する。解像度を上げるためには、小さなビー
ム径が必要である。ビーム径を小さくするには、収束レ
ンズ２５を複数個使用すると良い。また、電子ビーム２
は、偏向走査コイル群２７により、被検査物５上に走査
する。電子ビーム２の照射により被検査物５から放出さ
れた二次電子や反射電子２８は、中間室３３内の電子線
検出器２９で検出する。電子線検出器は、例えば、シン
チレータと光電子増倍管で構成する。電子線検出器２９
の前面近くに、電極３０を配置して、正電位を印加する
と、二次電子が収集されて、二次電子像が得られる。電
位の印加をやめると、反射電子像が得られる。FIG. 2 is a block diagram of a pattern detecting section of the pattern inspection apparatus. The high vacuum chamber 21 has a high vacuum (for example, 10
~ 3 Pa or less). In the high vacuum chamber 21,
There is a cathode 24. The cathode is, for example, a tungsten filament or a lanthanum hexaborite filament. The electron beam 2 emitted from the cathode 24 is finely focused by the converging lens 25 and the objective lens 26, and irradiates the inspection object 5. A small beam diameter is required to increase resolution. To reduce the beam diameter, it is preferable to use a plurality of converging lenses 25. Also, the electron beam 2
Scans the inspection object 5 by the deflection scanning coil group 27. Secondary electrons and backscattered electrons 28 emitted from the inspection object 5 by the irradiation of the electron beam 2 are detected by the electron beam detector 29 in the intermediate chamber 33. The electron beam detector is composed of, for example, a scintillator and a photomultiplier tube. Electron beam detector 29
When the electrode 30 is arranged near the front surface of the device and a positive potential is applied, secondary electrons are collected and a secondary electron image is obtained. When the application of the potential is stopped, a backscattered electron image is obtained.
【００１０】一方、試料室１３は、油回転ポンプ３１で
真空引きされている。真空計１５で、試料室１３の真空
度を監視し、目標真空度より真空度が高ければ、リーク
バルブ１７を開き、低ければ、閉じることで、試料室の
真空度を所定の値（例えば、０．１〜１０2Ｐａ）に制
御する。試料室１３と高真空室２１との間には、オリフ
ィス群３２を置き、差動排気を行う。さらに、対物レン
ズ２６の下面と被検査物５との空隙を最小とすること
で、オリフィスの効果を持たせ、中間室３３も高真空に
保つ。中間室３３を高真空にすることで、電極３０に高
電位を印加することができ、二次電子の検出が可能とな
った。もし、中間室の真空度が低いと、放電のため、電
極に高電位を印加できない。On the other hand, the sample chamber 13 is evacuated by an oil rotary pump 31. The vacuum degree of the sample chamber 13 is monitored by the vacuum gauge 15, and when the vacuum degree is higher than the target vacuum degree, the leak valve 17 is opened, and when the vacuum degree is lower than the target vacuum degree, the leak valve 17 is closed to set the vacuum degree of the sample chamber to a predetermined value (for example, It is controlled to 0.1 to 10 2 Pa). An orifice group 32 is placed between the sample chamber 13 and the high vacuum chamber 21 to perform differential evacuation. Further, by minimizing the gap between the lower surface of the objective lens 26 and the inspection object 5, the effect of the orifice is provided and the intermediate chamber 33 is also kept in a high vacuum. By making the intermediate chamber 33 a high vacuum, a high potential can be applied to the electrode 30 and secondary electrons can be detected. If the degree of vacuum in the intermediate chamber is low, a high potential cannot be applied to the electrodes due to discharge.
【００１１】偏向走査コイル群２７による電子ビームの
走査では、大面積の被検査物のパターンを全面検出でき
ないため、ＸＹステージ１０の移動と併用して、パター
ン全面を検出する。The scanning of the electron beam by the deflection scanning coil group 27 cannot detect the entire surface of the pattern of the object to be inspected. Therefore, the entire surface of the pattern is detected in combination with the movement of the XY stage 10.
【００１２】図３はパターン検査装置のパターン検出部
の他のブロック図である。図２との違いは、対物レンズ
２６であり、それのみを説明する。中間室３３と試料室
１３との差動排気を行うため、対物レンズの下磁路にオ
リフィス３４を設けた。FIG. 3 is another block diagram of the pattern detecting section of the pattern inspection apparatus. The difference from FIG. 2 is the objective lens 26, and only that will be described. An orifice 34 is provided in the lower magnetic path of the objective lens in order to perform differential evacuation between the intermediate chamber 33 and the sample chamber 13.
【００１３】図４はパターン検査装置の欠陥判定処理部
のブロック図である。電子ビーム２の照射により被検査
物５から放出された二次電子あるいは、反射電子を検出
器６で検出する。検出器６からの検出画像信号をＡＤコ
ンバータ７でデジタル画像信号に変換する。ＸＹステー
ジ１０はドライバー４３で駆動され、被検査物の任意の
場所のパターンを検出できる。FIG. 4 is a block diagram of a defect determination processing section of the pattern inspection apparatus. The detector 6 detects secondary electrons or reflected electrons emitted from the inspection object 5 by the irradiation of the electron beam 2. The detected image signal from the detector 6 is converted into a digital image signal by the AD converter 7. The XY stage 10 is driven by the driver 43 and can detect a pattern at an arbitrary position of the inspection object.
【００１４】被検査物が例えば、半導体ウエハである
と、一つのチップエリアを単位とした繰返しパターンで
ある。そこで、まず、一つの単位の繰返しパターンを検
出し、その領域のデジタル画像信号をメモリ８に格納し
ておく。次に、残りの領域を検出し、そのデジタル画像
信号をメモリ８に格納しておいた画像信号と、位置合せ
回路４１で位置合せをし、比較回路４２で濃淡画像比較
し、不一致部を欠陥と判定する。When the object to be inspected is, for example, a semiconductor wafer, it has a repetitive pattern with one chip area as a unit. Therefore, first, a repeating pattern of one unit is detected, and the digital image signal of the area is stored in the memory 8. Next, the remaining area is detected, the digital image signal is aligned with the image signal stored in the memory 8 by the alignment circuit 41, and the grayscale image is compared by the comparison circuit 42. To determine.
【００１５】図５はパターン検査装置の欠陥判定処理部
の他のブロック図である。電子ビーム２の照射により被
検査物５から放出された二次電子あるいは、反射電子を
検出器６で検出する。検出器６からの検出画像信号をＡ
Ｄコンバータ７でデジタル画像信号に変換する。ＸＹス
テージ１０はドライバー４３で駆動され、被検査物の任
意の場所のパターンを検出できる。FIG. 5 is another block diagram of the defect determination processing section of the pattern inspection apparatus. The detector 6 detects secondary electrons or reflected electrons emitted from the inspection object 5 by the irradiation of the electron beam 2. The detected image signal from the detector 6 is A
The D converter 7 converts the digital image signal. The XY stage 10 is driven by the driver 43 and can detect a pattern at an arbitrary position of the inspection object.
【００１６】被検査物が例えば、ガラスマスクあるい
は、Ｘ線露光用マスクであると、検出画像を二値化する
ことで、容易にパターンを顕在化できる。そこで、ＡＤ
コンバータ７の出力信号を二値化回路５１で二値化し、
二値画像信号とする。一方、マスクパターンを作成する
設計データ５２をもとに、理想二値パターンを作成し、
メモリ８に格納しておく。二値化回路５１の出力である
検出二値画像信号とメモリ８から読みだした良品二値パ
ターン信号を位置合せ回路４１で位置合せし、比較回路
４２で二値画像比較し、不一致部を欠陥と判定する。When the object to be inspected is, for example, a glass mask or an X-ray exposure mask, the pattern can be easily visualized by binarizing the detected image. So AD
The output signal of the converter 7 is binarized by the binarization circuit 51,
It is a binary image signal. On the other hand, based on the design data 52 for creating the mask pattern, an ideal binary pattern is created,
It is stored in the memory 8. The detected binary image signal output from the binarization circuit 51 and the non-defective binary pattern signal read from the memory 8 are aligned by the alignment circuit 41, the binary images are compared by the comparison circuit 42, and the mismatched portion is defective. To determine.
【００１７】[0017]
【発明の効果】被検査物周囲の雰囲気を低真空とするこ
とで、電子ビームの照射による被検査物の帯電が発生し
ないため、半導体上ウエハやガラスマスクやＸ線露光用
マスクやセラミック回路基板等の絶縁物を対象としたパ
ターン検査が可能となる。As the atmosphere around the object to be inspected is set to a low vacuum, the object to be inspected is not charged by the irradiation of the electron beam. Therefore, the wafer on the semiconductor, the glass mask, the X-ray exposure mask or the ceramic circuit board is It is possible to perform pattern inspection on insulating materials such as.
【００１８】電子ビームを使用しているため、光学式の
検査に比べ、解像度が高く、微細なパターンの検査が可
能となる。Since the electron beam is used, the resolution is higher than that of the optical inspection and it is possible to inspect a fine pattern.
【００１９】電子線検出器の雰囲気を高真空に排気する
ため、二次電子収集用の電極に高電位を印加でき、二次
電子を検出することが可能となる。Since the atmosphere of the electron beam detector is evacuated to a high vacuum, a high potential can be applied to the electrode for collecting secondary electrons, and the secondary electrons can be detected.
【図１】本発明による検査装置のブロック図。FIG. 1 is a block diagram of an inspection apparatus according to the present invention.
【図２】本発明による検査装置のパターン検出部の一実
施例のブロック図。FIG. 2 is a block diagram of an embodiment of a pattern detection unit of the inspection device according to the present invention.
【図３】本発明による検査装置のパターン検出部の第二
実施例のブロック図。FIG. 3 is a block diagram of a second embodiment of the pattern detection unit of the inspection device according to the present invention.
【図４】本発明による検査装置の欠陥判定処理部の一実
施例のブロック図。FIG. 4 is a block diagram of an embodiment of a defect determination processing unit of the inspection device according to the present invention.
【図５】本発明による検査装置の欠陥判定処理部の第二
実施例のブロック図。FIG. 5 is a block diagram of a second embodiment of the defect determination processing unit of the inspection device according to the present invention.
１…電子銃、 ２…電子ビーム、 ３…電子レンズ、 ４…偏向コイル、 ５…被検査物、 ６…電子線検出器、 ７…ＡＤコンバータ、 ８…メモリ、 ９…画像処理装置、 １０…ＸＹステージ、 １１…電子光学鏡筒、 １２，１４…真空ポンプ、 １３…試料室、 １５…真空計、 １６…コントローラ、 １７…リークバルブ。 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Electron gun, 2 ... Electron beam, 3 ... Electron lens, 4 ... Deflection coil, 5 ... Inspection object, 6 ... Electron beam detector, 7 ... AD converter, 8 ... Memory, 9 ... Image processing device, 10 ... XY stage, 11 ... Electro-optical lens barrel, 12, 14 ... Vacuum pump, 13 ... Sample chamber, 15 ... Vacuum gauge, 16 ... Controller, 17 ... Leak valve.
Claims (6)
電子ビーム照射手段と、前記基板から発生する二次電
子、あるいは、反射電子の検出器と、前記検出器からの
パターン信号から欠陥を判定する欠陥判定手段と、前記
基板を納めた試料室と、前記試料室の真空度を設定圧力
に制御する制御手段とを具備することを特徴とする電子
ビームによるパターン検査装置。1. An electron beam irradiating means for irradiating and scanning an electron beam on a surface of a substrate, a detector of secondary electrons or backscattered electrons generated from the substrate, and a defect from a pattern signal from the detector. An apparatus for inspecting a pattern by an electron beam, comprising: defect determining means for determining; a sample chamber in which the substrate is housed; and control means for controlling a vacuum degree of the sample chamber to a set pressure.
電子ビーム照射手段と、前記基板から発生する二次電
子、あるいは、反射電子の検出器と、前記検出器からの
パターン信号から欠陥を判定する欠陥判定手段と、前記
基板を納めた試料室と前記電子ビーム照射手段を納めた
電子光学鏡筒との間にオリフィスを具備することを特徴
とする電子ビームによるパターン検査装置。2. An electron beam irradiating means for irradiating and scanning an electron beam on a surface of a substrate, a detector of secondary electrons or reflected electrons generated from the substrate, and a defect from a pattern signal from the detector. An electron beam pattern inspection apparatus comprising an orifice between a defect determination means, a sample chamber accommodating the substrate, and an electron optical lens barrel accommodating the electron beam irradiation means.
電子ビーム照射手段と、前記基板から発生する二次電
子、あるいは、反射電子の検出器と、前記検出器からの
パターン信号から欠陥を判定する欠陥判定手段と、前記
基板を納めた試料室と前記検出器を納めた真空室との間
にオリフィスを具備することを特徴とする電子ビームに
よるパターン検査装置。3. An electron beam irradiating means for irradiating and scanning an electron beam on the surface of a substrate, a detector of secondary electrons or reflected electrons generated from the substrate, and a defect from a pattern signal from the detector. A pattern inspection apparatus using an electron beam, comprising: a defect determination unit for determining; and an orifice between a sample chamber containing the substrate and a vacuum chamber containing the detector.
電子ビーム照射手段と、前記基板の周囲を低真空に保つ
試料室と、前記基板から発生する二次電子、あるいは、
反射電子の検出器と、前記検出器からのパターン信号よ
り欠陥を判定する欠陥判定手段とを具備することを特徴
とする電子ビームによるパターン検査装置。4. An electron beam irradiating means for irradiating and scanning an electron beam on the surface of the substrate, a sample chamber for keeping the periphery of the substrate in a low vacuum, secondary electrons generated from the substrate, or
A pattern inspection apparatus using an electron beam, comprising: a detector of backscattered electrons; and defect determining means for determining a defect from a pattern signal from the detector.
電子ビーム照射手段と、前記基板の周囲を低真空に保つ
試料室と、前記基板から発生する二次電子、あるいは、
反射電子の検出器と、前記検出器の周囲を高真空に保つ
真空室と、前記検出器からのパターン信号より欠陥を判
定する欠陥判定手段とを具備することを特徴とする電子
ビームによるパターン検査装置。5. An electron beam irradiating means for irradiating and scanning an electron beam on the surface of a substrate, a sample chamber for maintaining a low vacuum around the substrate, secondary electrons generated from the substrate, or
A pattern inspection by an electron beam, comprising a detector of backscattered electrons, a vacuum chamber for maintaining a high vacuum around the detector, and defect determining means for determining a defect from a pattern signal from the detector. apparatus.
を走査し、前記基板から発生する二次電子あるいは、反
射電子を検出して得られるパターン信号から欠陥を検出
することを特徴とする電子ビームによるパターン検査方
法。6. A defect is detected from a pattern signal obtained by scanning the surface of a substrate in a low vacuum atmosphere with an electron beam and detecting secondary electrons or reflected electrons generated from the substrate. Pattern inspection method by electron beam.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8117305A JPH09304040A (en) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | Pattern inspection method and apparatus by elector beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8117305A JPH09304040A (en) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | Pattern inspection method and apparatus by elector beam |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09304040A true JPH09304040A (en) | 1997-11-28 |
Family
ID=14708471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8117305A Pending JPH09304040A (en) | 1996-05-13 | 1996-05-13 | Pattern inspection method and apparatus by elector beam |
Country Status (1)
| Country | Link |
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