JP3494068B2 - Charged particle beam equipment - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は荷電粒子線で試料を
照射して得られる試料特有の情報信号に基づいて試料の
走査像を得る荷電粒子線装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】荷電粒子線で試料を照射して試料を観察
したり、測定したり、試料の欠陥を検出したりする荷電
粒子線装置として、走査電子顕微鏡や測長用走査電子顕
微鏡が知られている。
【０００３】このような荷電粒子線装置を用いる場合、
試料に対してある一方向だけの荷電粒子線の走査を繰り
返し、試料の次の走査開始点に移るまでは荷電粒子線を
遮光する方法が採用されている。これをブランキングと
呼ぶ。ブランキングは、ブランキング用偏向電極に電圧
が印加されて電界が形成され、荷電粒子線が試料に照射
されないように遮へい板や絞りによって遮へいされる位
置まで荷電粒子線を偏向することによってなされる。
【０００４】荷電粒子線が試料を照射する時間が長い
と、試料に蓄積されるエネルギーが増加し、試料へのコ
ンタミネーションの付着や試料がダメージを受けるとい
う問題が発生する。ブランキングを行うと、荷電粒子線
による試料の照射量が少なくなるため、上記の試料への
コンタミネーションの付着や試料ダメージを軽減するこ
とができる。
【０００５】一方、ブランキングされた荷電粒子線を遮
へいする遮へい板あるいは絞りの荷電粒子線が照射され
る箇所にはコンタミネーションが付着してしまう。特
に、いつも一方向にブランキングされる場合には、荷電
粒子線が照射される箇所の汚れは最も多くなる。コンタ
ミネーションが付着した箇所は、ブランキングによる荷
電粒子線の照射により帯電し、電界が発生する。また、
帯電箇所は荷電粒子線が照射されていないときには放電
し、元の帯電しない状態に戻る。ブランキングされた荷
電粒子線は、帯電・放電を繰り返す上記コンタミネーシ
ョン部分を走査しながら、試料を走査することになる。
したがって、荷電粒子線はコンタミネーション部分の帯
電により発生した電界の影響を受けて、試料上での走査
位置がずれてしまうという現象が生じてしまう。つま
り、荷電粒子線の位置移動(ドリフト)が発生するといっ
た問題が生じ、像の観察時において、高精度な像を得る
ことができない。
【０００６】この対策として、特開平3−50715号公報に
記載のものは、荷電粒子線を一方向でなく、他方向にも
偏向しようというものである。しかしながら、偏向の方
向と偏向の量が予め決まっているので、荷電粒子線が照
射される遮へい箇所は常に同じであり、ドリフトの問題
を軽減はできても、完全に解消できるものではない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、荷電
粒子線を遮へいした時の局部的なコンタミネーションの
付着による電界の発生をなくすことにより、荷電粒子線
のドリフトをなくし、安定で高精度な画像を取得できる
荷電粒子線装置を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に、本発明は、荷電粒子源と、荷電粒子源から放出され
た荷電粒子線を試料に集束する集束レンズと、前記試料
を荷電粒子線で走査する走査手段と、荷電粒子線による
試料の照射を避けるよう荷電粒子線を偏向する偏向電極
と、試料から発生する二次信号を検出する検出器とをそ
なえるとともに、前記偏向電極は、荷電粒子線が偏向さ
れる方向と大きさを変更することを特徴とする。
【０００９】
【発明の実施の形態】図１は、本発明の第１の実施例で
あり、荷電粒子線を用いた荷電粒子線装置の構成の概略
を示す縦断面図である。
【００１０】図１において、電子銃１に含まれる電子源
２と引出電極３との間に、引出電源４によって印加され
る電圧Ｖ１により、荷電粒子線３６が電子源２から放出
され、加速電圧Ｖacc によって加速される。
【００１１】荷電粒子線３６は、レンズ電源５によって
制御された集束レンズ６によって、クロスオーバ８が生
じるように集束され、レンズ電源５によって制御された
対物レンズ７によって、ステージ駆動装置（図示せず）
及びステージ位置制御装置９により水平移動可能な試料
ステージ１０上の試料１１に集束されるように試料１１
を照射する。走査信号発生装置２４からの信号によって
偏向器１６は電界を生成し、荷電粒子線３６を偏向し、
これによって試料１１は荷電粒子線３６で走査される。
【００１２】荷電粒子線３６の照射によって試料１１か
ら発生する二次信号３３は二次信号検出器２１によって
検出され、これにより画像表示装置３１に試料１１の像
が画像として表示される。画像記憶装置３２は画像表示
装置３１からの画像を記憶する。荷電粒子線位置測定装
置３４は画像記憶装置３２からの画像を用いて、試料上
の荷電粒子線の照射位置を測定する。
【００１３】荷電粒子線による試料の照射は真空中で行
わなければならないので、図示していないが、上記の構
成の主要部分は真空を保った容器中に収納されている。
【００１４】集束レンズ６とクロスオーバ８との間には
絞り１４が配置されている。この絞り１４は余分な荷電
粒子を遮断し、更に荷電粒子線３６の開口角を決める。
【００１５】絞り１４と偏向器１６との間には、荷電粒
子線３６をクロスオーバ８が形成される位置付近で偏向
（ブランキング）する、ブランキング用偏向電極１７が
配置されている。このブランキング用偏向電極１７はブ
ランキング用偏向制御装置２３により制御される。ブラ
ンキング用偏向制御装置２３は荷電粒子線位置測定装置
３４で測定された荷電粒子線の位置に基づいてブランキ
ングの制御を行う。ブランキングした荷電粒子線３６を
遮へいするためにブランキング用偏向電極１７の下に絞
り１５を配置する。ブランキングは荷電粒子線３６が試
料１１を走査する際、走査線の終了点から次の走査線の
開始点に移る間に行われる。このように、走査とブラン
キングを繰り返し行い、不必要な荷電粒子線３６を試料
１１に照射しないようにするので、試料１１のコンタミ
ネーション付着やダメージを軽減することができる。
【００１６】図２にブランキング用偏向電極１７の構成
の平面図を示す。ブランキング用偏向電極１７は、図２
に示すように、荷電粒子線３６の光軸３５を中心として
対称な偏向電極１８および偏向電極１９とから構成され
ている。
【００１７】図３にブランキング用偏向電極１７とブラ
ンキング用偏向制御装置２３の構成の縦断面図を示す。
ブランキングするためには、図３に示すように、偏向電
極１８および偏向電極１９に、それぞれ異なる電圧が印
加されるように、ブランキング用偏向制御装置２３によ
り制御する。
【００１８】図３の例では、ブランキング用偏向電極１
７は偏向電極１８および偏向電極１９の２個の電極から
構成され、各電極に電圧を印加することができるので、
荷電粒子線３６のブランキングの方向は、図３に示すよ
うに２方向が可能である。つまり、荷電粒子線３６の一
方向のみの照射による絞り１５上の局部的なコンタミネ
ーションの付着を避けることができ、非軸対称な電界の
発生を防ぐことで、荷電粒子線３６のドリフトを抑制す
ることができる。その結果、荷電粒子線装置は安定で高
精度な画像が得られる。
【００１９】なお、両方の偏向電極の間に電位差が生じ
ることで荷電粒子線３６を偏向するため、片方はアース
電位としても同様の効果が得られる。
【００２０】図４および図５にブランキング用偏向電極
１７の他の構成例の平面図を示す。図４に示されるブラ
ンキング用偏向電極１７は、荷電粒子線３６の光軸３５
を中心として対称に４個の電極から構成される。図５に
示されるブランキング用偏向電極１７は、荷電粒子線３
６の光軸３５を中心として対称に８個の電極から構成さ
れる。ブランキング用偏向電極１７の各電極にはそれぞ
れ異なる電圧が印加され、また、接地の場合もある。各
電極に印加される電圧は、ブランキング用偏向制御装置
２３で制御される。これによって、荷電粒子線３６を、
紙面の平面内の任意の方向に偏向することができる。し
たがって、荷電粒子線３６のドリフトを抑制することが
でき、安定で高精度な画像が得られる。
【００２１】図１に戻って、ブランキング用偏向電極１
７に印加される電圧は、荷電粒子線位置測定装置３４で
検出された荷電粒子線３６の移動量および移動方向に連
動して、ブランキング用偏向制御装置２３で制御するこ
ともできる。ここで、荷電粒子線３６の位置の移動量お
よび移動方向を検出するには、画像表示装置３１から伝
送され画像記憶装置３２で記憶された試料１１の画像
と、一定時間経過後に再度、記憶装置３２で記憶された
同一の場所の画像とを比較して、画像のずれ量から荷電
粒子線３６の移動量および移動方向、つまりドリフト量
を求めることができる。この結果をもとに、ブランキン
グ用偏向制御装置２３を介してブランキング用偏向電極
１７に電圧を印加して、ブランキング方向を制御するこ
とで、荷電粒子線３６のドリフトを抑制することができ
る。
【００２２】図６は、図１と同様の荷電粒子線装置の構
成を示す縦断面図であって、その構成の一部のみを示す
図である。図６が図１と異なるのは、画像記憶部３２
ａ，画像記憶部３２ｂ，欠陥判定部４０を備えた点であ
る。欠陥判定部４０はマスク，レチクルやウエハを試料
とし、これらの回路パターンの欠陥を検査する装置に備
えられる。
【００２３】二次信号検出器２１で検出された二次信号
３３は、画像記憶部３２ａおよび画像記憶部３２ｂに記
憶される。具体的には、例えばウエハ上の検査領域を分
割し、第一の検査領域の画像信号を画像記憶部３２ａに
記憶する。次に、同一パターンの第二の検査領域の画像
信号を画像記憶部３２ｂに記憶するとともに、同時に欠
陥判定部４０で、画像記憶部３２ａの第一の検査領域の
画像信号と比較する。次に、第三の検査領域の画像信号
を画像記憶部３２ａに上書き記憶し、同時に画像記憶部
３２ｂの第二の検査領域の画像信号と比較する。これを
繰り返し、すべての検査領域について画像信号の記憶お
よび比較を実行する。
【００２４】欠陥判定部４０で行われる画像信号の比較
によって、同一パターンであるべき２個の検査領域の片
方に欠陥があった場合は、その欠陥を抽出することがで
きる。
【００２５】欠陥検査において、荷電粒子線のドリフト
は誤った欠陥判定を引き起こす原因になるため、避けな
ければならない。図２から図５に示したような構成を欠
陥検査の装置に採用することによて、荷電粒子線のドリ
フトを防止でき、安定した高精度な欠陥検査が可能にな
る。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、荷電粒子線を遮へいし
た時の局部的なコンタミネーションの付着による電界の
発生をなくすことにより、荷電粒子線のドリフトをなく
し、安定で高精度な画像を取得できるという効果が得ら
れる。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a charged particle beam apparatus for obtaining a scanned image of a sample based on information signals specific to the sample obtained by irradiating the sample with a charged particle beam. . 2. Description of the Related Art As a charged particle beam apparatus for irradiating a sample with a charged particle beam to observe, measure, and detect a defect of the sample, a scanning electron microscope or a scanning electron microscope for length measurement is used. Microscopes are known. When using such a charged particle beam apparatus,
A method of repeating scanning of a sample with a charged particle beam in only one direction and shielding the charged particle beam from light until the next scan start point of the sample is adopted is adopted. This is called blanking. Blanking is performed by applying a voltage to the deflection electrode for blanking, forming an electric field, and deflecting the charged particle beam to a position where the charged particle beam is shielded by a shielding plate or an aperture so that the sample is not irradiated to the sample. . [0004] If the charged particle beam irradiates the sample for a long time, the energy stored in the sample increases, which causes problems such as adhesion of contamination to the sample and damage to the sample. When blanking is performed, the amount of irradiation of the sample by the charged particle beam is reduced, so that the adhesion of contamination to the sample and the damage to the sample can be reduced. [0005] On the other hand, contamination adheres to a portion of the shielded plate or a diaphragm where the charged particle beam is irradiated, where the charged particle beam is irradiated. In particular, when blanking is always performed in one direction, the portion irradiated with the charged particle beam is most contaminated. The portion where the contamination has adhered is charged by irradiation of the charged particle beam by blanking, and an electric field is generated. Also,
The charged portion is discharged when the charged particle beam is not irradiated, and returns to the original uncharged state. The blanked charged particle beam scans the sample while scanning the contamination portion where charging and discharging are repeated.
Therefore, the charged particle beam is affected by the electric field generated by the charging of the contamination portion, and a phenomenon occurs that the scanning position on the sample is shifted. In other words, there arises a problem that the position movement (drift) of the charged particle beam occurs, and a high-precision image cannot be obtained when observing the image. [0006] As a countermeasure, the one described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 50715/1990 attempts to deflect a charged particle beam not only in one direction but also in another direction. However, since the direction of deflection and the amount of deflection are determined in advance, the shielding location where the charged particle beam is irradiated is always the same, and even if the problem of drift can be reduced, it cannot be completely eliminated. SUMMARY OF THE INVENTION An object of the present invention is to eliminate the drift of a charged particle beam by eliminating the generation of an electric field due to local adhesion of contamination when the charged particle beam is shielded. An object of the present invention is to provide a charged particle beam device capable of acquiring a stable and highly accurate image. [0008] In order to achieve the above object, the present invention provides a charged particle source, a focusing lens for focusing a charged particle beam emitted from the charged particle source on a sample, Scanning means for scanning the sample with a charged particle beam, a deflecting electrode for deflecting the charged particle beam so as to avoid irradiating the sample with the charged particle beam, and a detector for detecting a secondary signal generated from the sample. The electrode is characterized in that the charged particle beam changes its direction and size. FIG. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing a configuration of a charged particle beam apparatus using a charged particle beam according to a first embodiment of the present invention. In FIG. 1, a charged particle beam 36 is emitted from an electron source 2 by a voltage V1 applied by an extraction power source 4 between an electron source 2 included in an electron gun 1 and an extraction electrode 3, and an accelerating voltage is applied. Accelerated by Vacc. The charged particle beam 36 is focused by a focusing lens 6 controlled by a lens power source 5 so that a crossover 8 occurs, and is driven by a stage driving device (not shown) by an objective lens 7 controlled by the lens power source 5. )
The sample 11 is focused by the stage position controller 9 on the sample stage 10 which can be moved horizontally.
Is irradiated. The deflector 16 generates an electric field by the signal from the scanning signal generator 24, deflects the charged particle beam 36,
Thus, the sample 11 is scanned by the charged particle beam 36. A secondary signal 33 generated from the sample 11 by the irradiation of the charged particle beam 36 is detected by the secondary signal detector 21, whereby an image of the sample 11 is displayed on the image display device 31 as an image. The image storage device 32 stores the image from the image display device 31. The charged particle beam position measuring device 34 measures the irradiation position of the charged particle beam on the sample using the image from the image storage device 32. Since the irradiation of the sample with the charged particle beam must be performed in a vacuum, the main part of the above configuration is housed in a container maintaining the vacuum, though not shown. An aperture 14 is arranged between the focusing lens 6 and the crossover 8. The aperture 14 blocks excess charged particles, and further determines the aperture angle of the charged particle beam 36. Between the diaphragm 14 and the deflector 16, a blanking deflection electrode 17 for deflecting (blanking) the charged particle beam 36 near the position where the crossover 8 is formed is arranged. The blanking deflection electrode 17 is controlled by a blanking deflection control device 23. The blanking deflection controller 23 controls blanking based on the position of the charged particle beam measured by the charged particle beam position measuring device 34. The aperture 15 is arranged below the blanking deflection electrode 17 to shield the blanked charged particle beam 36. Blanking is performed while the charged particle beam 36 scans the sample 11 during a transition from the end point of the scan line to the start point of the next scan line. As described above, since the scanning and blanking are repeatedly performed so that the unnecessary charged particle beam 36 is not irradiated on the sample 11, contamination and damage of the sample 11 can be reduced. FIG. 2 is a plan view of the configuration of the deflection electrode 17 for blanking. The deflection electrode 17 for blanking is shown in FIG.
As shown in the figure, the deflection electrode 18 and the deflection electrode 19 are symmetrical about the optical axis 35 of the charged particle beam 36. FIG. 3 is a longitudinal sectional view of the configuration of the blanking deflection electrode 17 and the blanking deflection control device 23.
In order to perform blanking, as shown in FIG. 3, the blanking deflection control device 23 controls so that different voltages are applied to the deflection electrode 18 and the deflection electrode 19, respectively. In the example of FIG. 3, the deflection electrode 1 for blanking is used.
7 is composed of two electrodes, a deflection electrode 18 and a deflection electrode 19, and a voltage can be applied to each electrode.
The blanking direction of the charged particle beam 36 can be two directions as shown in FIG. In other words, it is possible to avoid local contamination on the diaphragm 15 due to irradiation of the charged particle beam 36 in only one direction, and to suppress the drift of the charged particle beam 36 by preventing the generation of a non-axisymmetric electric field. can do. As a result, the charged particle beam device can obtain a stable and highly accurate image. Since the charged particle beam 36 is deflected by the generation of a potential difference between the two deflection electrodes, the same effect can be obtained even if one of the deflection electrodes is grounded. FIGS. 4 and 5 are plan views of another configuration example of the deflection electrode 17 for blanking. The deflection electrode 17 for blanking shown in FIG.
And four electrodes symmetrically about. The blanking deflection electrode 17 shown in FIG.
It is composed of eight electrodes symmetrically about six optical axes 35. Different voltages are applied to the respective electrodes of the blanking deflection electrode 17 and may be grounded. The voltage applied to each electrode is controlled by the blanking deflection controller 23. Thereby, the charged particle beam 36 is
It can be deflected in any direction in the plane of the paper. Therefore, the drift of the charged particle beam 36 can be suppressed, and a stable and highly accurate image can be obtained. Returning to FIG. 1, the deflection electrode 1 for blanking is used.
The voltage applied to 7 can also be controlled by blanking deflection controller 23 in conjunction with the amount and direction of movement of charged particle beam 36 detected by charged particle beam position measurement device 34. Here, in order to detect the movement amount and the movement direction of the position of the charged particle beam 36, the image of the sample 11 transmitted from the image display device 31 and stored in the image storage device 32 and the storage device again after a predetermined time has elapsed. The moving amount and moving direction of the charged particle beam 36, that is, the drift amount can be obtained from the image shift amount by comparing the image stored at 32 with the image at the same place. Based on this result, by applying a voltage to the blanking deflection electrode 17 via the blanking deflection control device 23 to control the blanking direction, the drift of the charged particle beam 36 can be suppressed. it can. FIG. 6 is a longitudinal sectional view showing the configuration of a charged particle beam device similar to that of FIG. 1, and is a diagram showing only a part of the configuration. FIG. 6 differs from FIG.
a, an image storage unit 32b, and a defect determination unit 40. The defect determination unit 40 is provided in an apparatus that uses a mask, a reticle and a wafer as a sample and inspects these circuit patterns for defects. The secondary signal 33 detected by the secondary signal detector 21 is stored in the image storage 32a and the image storage 32b. Specifically, for example, the inspection area on the wafer is divided, and the image signal of the first inspection area is stored in the image storage unit 32a. Next, the image signal of the second inspection region of the same pattern is stored in the image storage unit 32b, and at the same time, the defect determination unit 40 compares the image signal with the image signal of the first inspection region of the image storage unit 32a. Next, the image signal of the third inspection area is overwritten and stored in the image storage unit 32a, and is simultaneously compared with the image signal of the second inspection area in the image storage unit 32b. This is repeated, and storage and comparison of image signals are performed for all inspection areas. If there is a defect in one of the two inspection areas that should have the same pattern by comparing the image signals performed by the defect determination section 40, the defect can be extracted. In the defect inspection, the drift of the charged particle beam causes an erroneous defect determination and must be avoided. By adopting the configuration as shown in FIGS. 2 to 5 in the defect inspection apparatus, drift of the charged particle beam can be prevented, and stable and highly accurate defect inspection can be performed. According to the present invention, by eliminating the generation of an electric field due to local adhesion of contamination when the charged particle beam is shielded, drift of the charged particle beam is eliminated, and stable and high accuracy is achieved. The advantage is that an excellent image can be obtained.
【図面の簡単な説明】
【図１】荷電粒子線装置の構成の概略を示す縦断面図。
【図２】ブランキング用偏向電極の構成を示す平面図。
【図３】ブランキング用偏向電極とブランキング用偏向
制御装置の構成を示す縦断面図。
【図４】ブランキング用偏向電極の構成を示す平面図。
【図５】ブランキング用偏向電極の構成を示す平面図。
【図６】荷電粒子線装置の構成の概略を示す縦断面図。
【符号の説明】
１…電子銃、２…電子源、３…引出電極、４…引出電
源、５…レンズ電源、６…集束レンズ、７…対物レン
ズ、８…クロスオーバ、９…ステージ位置制御装置、１
０…試料ステージ、１１…試料、１４，１５…絞り、１
６…偏向器、１７…ブランキング用偏向電極、１８，１
９…偏向電極、２１…二次信号検出器、２３…ブランキ
ング用偏向制御装置、２４…走査信号発生装置、３１…
画像表示装置、３２…画像記憶装置、３２ａ，３２ｂ…
画像記憶部、３３…二次信号、３４…荷電粒子線位置測
定装置、３５…光軸、３６…荷電粒子線、４０…欠陥判
定部。BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of a charged particle beam device. FIG. 2 is a plan view showing a configuration of a blanking deflection electrode. FIG. 3 is a longitudinal sectional view showing a configuration of a blanking deflection electrode and a blanking deflection control device. FIG. 4 is a plan view showing a configuration of a blanking deflection electrode. FIG. 5 is a plan view showing a configuration of a blanking deflection electrode. FIG. 6 is a longitudinal sectional view schematically showing the configuration of a charged particle beam device. [Description of Signs] 1 ... electron gun, 2 ... electron source, 3 ... extraction electrode, 4 ... extraction power supply, 5 ... lens power supply, 6 ... focusing lens, 7 ... objective lens, 8 ... crossover, 9 ... stage position control Device, 1
0: sample stage, 11: sample, 14, 15: aperture, 1
6: deflector, 17: blanking deflection electrode, 18, 1
9: deflection electrode, 21: secondary signal detector, 23: blanking deflection control device, 24: scanning signal generator, 31 ...
Image display device, 32 ... Image storage device, 32a, 32b ...
Image storage unit, 33: secondary signal, 34: charged particle beam position measuring device, 35: optical axis, 36: charged particle beam, 40: defect determination unit
フロントページの続き (56)参考文献 特開 平３−283247（ＪＰ，Ａ) 特開 平３−50715（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−180946（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−39354（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−43050（ＪＰ，Ａ) 特開 昭63−218803（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−201416（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01J 37/147 G01N 23/225 Continuation of the front page (56) References JP-A-3-283247 (JP, A) JP-A-3-50715 (JP, A) JP-A-62-180946 (JP, A) JP-A-61-39354 (JP, A) JP-A-62-43050 (JP, A) JP-A-63-218803 (JP, A) JP-A-59-201416 (JP, A) (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB Name) H01J 37/147 G01N 23/225
Claims (1)
れた荷電粒子線を試料に集束する集束レンズと、前記試
料を前記荷電粒子線で走査する走査手段と、前記荷電粒
子線による前記試料への照射を避けるよう前記荷電粒子
線を偏向する偏向電極と、前記試料から発生する二次信
号を検出する検出器とをそなえた荷電粒子線装置におい
て、前記偏向電極は、前記荷電粒子線が偏向される方向
と大きさを変更するとともに、前記検出器で二次信号が
検出されて記憶された画像と、一定時間経過後に再度記
憶された同一の場所の画像とを比較して、画像のずれ量
から前記荷電粒子線の移動量および移動方向を求める移
動検出手段と、前記偏向電極に印加される電圧を、前記
荷電粒子線の移動方向，移動量のいずれか一方または両
方と連動して制御する電圧制御手段とを備えたことを特
徴とする荷電粒子線装置。(57) Claims 1. A charged particle source, a focusing lens that focuses a charged particle beam emitted from the charged particle source on a sample, and a scan that scans the sample with the charged particle beam Means, a charged particle beam device comprising a deflection electrode for deflecting the charged particle beam so as to avoid irradiating the sample with the charged particle beam, and a detector for detecting a secondary signal generated from the sample, The deflection electrode changes the direction and magnitude of deflection of the charged particle beam , and a secondary signal is generated by the detector.
Detected and stored images and re-recorded after a certain period of time
Compared with the image of the same location remembered,
A movement detecting means for determining a moving amount and a moving direction of the charged particle beam from the controller and a voltage applied to the deflecting electrode by using one or both of the moving direction and the moving amount of the charged particle beam. A charged particle beam device comprising: voltage control means for controlling in conjunction with the charged particle beam device.
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