JPH09294377A - Inverter circuit - Google Patents

Inverter circuit

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JPH09294377A
JPH09294377A JP8104944A JP10494496A JPH09294377A JP H09294377 A JPH09294377 A JP H09294377A JP 8104944 A JP8104944 A JP 8104944A JP 10494496 A JP10494496 A JP 10494496A JP H09294377 A JPH09294377 A JP H09294377A
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JP
Japan
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circuit
diodes
diode
snubber
capacitor
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Application number
JP8104944A
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Japanese (ja)
Inventor
Masayoshi Sato
正好 佐藤
Yoshimi Kurotaki
義巳 黒滝
Arata Kimura
新 木村
Hiroshi Narita
博 成田
Kenichi Onda
謙一 恩田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To attain the prevention of two types of ringing phenomena by connecting two sets of series circuits each comprising a resistor and a capacitor having different constants to diodes. SOLUTION: In two sets of a snubber diode 11 and voltage clamp circuit diodes 19, 21, and a snubber diode 14 and voltage clamp circuit diodes 20, 22 series-connected, ringing phenomena occur at almost the same time as GTO1-4 are turned on and off. Therefore, series circuits comprising resistors R4 and capacitors G4 are connected with both the ends of the diodes 11, 19, 21 and diodes 14, 20, 22. In addition, series circuits comprising resistors R5 and capacitors C5 are connected with the snubber diodes 11, 14. This prevents ringing phenomena in each set of the three diodes (11, 19, 21), (14, 20, 22), and malfunctions of a gate circuit comprising GTO1-4.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はインバータ回路に関
する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to an inverter circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】圧延機の誘導電動機の駆動などにはGT
Oインバータが用いられている。図6はそのインバータ
の例としての三レベルインバータの主回路構成である。
図7はこのインバータの一相分の回路例である。図で1
〜4はGTO、5〜8はフリーホイルダイオード、9,
10はアノードリアクトル、11〜14はスナバダイオ
ード、15〜18はスナバコンデンサ、19〜22は電
圧クランプ回路のダイオード、23,24は三レベル用
のクランプダイオード、25〜28は電圧クランプ回路
コンデンサ、29,30は電源コンデンサ、31,32
は直流電源、33,34はエネルギ回生回路、35は抵
抗、36は出力端子である。
2. Description of the Related Art GT is used for driving an induction motor of a rolling mill.
An O inverter is used. FIG. 6 is a main circuit configuration of a three-level inverter as an example of the inverter.
FIG. 7 is a circuit example of one phase of this inverter. 1 in the figure
~ 4 is GTO, 5-8 is a free wheel diode, 9,
10 is an anode reactor, 11-14 is a snubber diode, 15-18 is a snubber capacitor, 19-22 is a diode of a voltage clamp circuit, 23 and 24 are clamp diodes for three levels, 25-28 are voltage clamp circuit capacitors, 29 , 30 are power capacitors, 31, 32
Is a DC power supply, 33 and 34 are energy regeneration circuits, 35 is a resistor, and 36 is an output terminal.

【0003】それぞれのGTOには印加する電圧波形を
制限して破壊を防止するためのダイオードとコンデンサ
からなるスナバ回路が接続される。このスナバコンデン
サ15〜18に蓄積されるエネルギを電源に回生する
と、インバータの効率を高くすることができる。この回
路ではスナバコンデンサ16,17の蓄積エネルギは抵
抗35で消費させるが、スナバコンデンサ15,18の
蓄積エネルギを電源に回生している。ここでエネルギの
回生動作について説明する。GTO1がオンするとスナ
バコンデンサ15の蓄積エネルギはダイオード19,2
1,クランプコンデンサ25,27,電源コンデンサ2
9,アノードリアクトル9,GTO1の経路で直流電源
電圧に充電されているクランプコンデンサ25及び27
に移り、クランプコンデンサ25及び27の電圧を直流
電源電圧以上にする。そして、この移ったエネルギがエ
ネルギ回生回路33によって電源に回生される。
A snubber circuit consisting of a diode and a capacitor is connected to each GTO to limit the waveform of the applied voltage and prevent destruction. When the energy stored in the snubber capacitors 15 to 18 is regenerated to the power supply, the efficiency of the inverter can be increased. In this circuit, the energy stored in the snubber capacitors 16 and 17 is consumed by the resistor 35, but the energy stored in the snubber capacitors 15 and 18 is regenerated to the power supply. Here, the energy regeneration operation will be described. When the GTO1 is turned on, the energy stored in the snubber capacitor 15 is stored in the diodes 19, 2
1, clamp capacitors 25, 27, power supply capacitor 2
9, the anode reactor 9, the clamp capacitors 25 and 27 charged to the DC power supply voltage in the path of the GTO1
Then, the voltage of the clamp capacitors 25 and 27 is made equal to or higher than the DC power supply voltage. Then, the transferred energy is regenerated by the energy regeneration circuit 33 to the power source.

【0004】次にGTO1がオフすると、スナバコンデ
ンサ15は直流電源電圧に充電されると共に、アノード
リアクトル9の蓄積エネルギはスナバコンデンサ15,
クランプコンデンサ25及び27に移り、コンデンサ1
5,25,27の電圧を直流電源電圧以上にする。そし
て、この移ったエネルギは同様にエネルギ回生回路33
によって電源に回生される。GTO4側の蓄積エネルギ
回生動作も同様である。
Next, when the GTO 1 is turned off, the snubber capacitor 15 is charged to the DC power supply voltage, and the energy stored in the anode reactor 9 is stored in the snubber capacitor 15,
Moving on to clamp capacitors 25 and 27, capacitor 1
The voltage of 5, 25, 27 is set to be equal to or higher than the DC power supply voltage. Then, this transferred energy is similarly used for the energy regeneration circuit 33.
Regenerated by the power supply. The same applies to the stored energy regeneration operation on the GTO 4 side.

【0005】次にダイオードがリカバリするときのリン
ギング現象について説明する。GTO1がオフすると前述し
たような動作が行われ、直流電源電圧以上に充電された
電圧が、例えば、スナバダイオード11に印加され、ダ
イオード11がリカバリするときにリンギング現象が発
生する。図8はスナバダイオード11の電圧電流波形と
GTO1の電圧波形である。図におけるリンギング現象
はスナバダイオード11のリカバリ特性で発生するもの
で、スナバダイオード11の接合容量とアノードリアク
トル9を含む回路のインダクタンスによる振動である。
このリンギング現象はGTOのゲート回路の誤動作を引
き起こすことがあり、GTOの破壊につながるので、リ
ンギングを抑制する回路を接続する必要がある。
Next, the ringing phenomenon when the diode recovers will be described. When GTO1 is turned off, the above-described operation is performed, and a voltage charged to the DC power supply voltage or higher is applied to the snubber diode 11, for example, and a ringing phenomenon occurs when the diode 11 recovers. FIG. 8 shows the voltage / current waveform of the snubber diode 11 and the voltage waveform of the GTO 1. The ringing phenomenon in the figure occurs due to the recovery characteristic of the snubber diode 11, and is a vibration due to the junction capacitance of the snubber diode 11 and the inductance of the circuit including the anode reactor 9.
This ringing phenomenon may cause malfunction of the gate circuit of the GTO, which leads to destruction of the GTO. Therefore, it is necessary to connect a circuit that suppresses ringing.

【0006】GTO1がオフするときのリンギング現象
の説明をしたが、GTO1がオンするときもスナバダイ
オード11のリンギング現象が発生することがある。ス
ナバダイオード11にスナバコンデンサ15の充電電流
が流れているときにGTO1がオンすると、スナバコン
デンサ15の電圧がスナバダイオード11に印加されス
ナバダイオード11がリカバリするときにリンギング現
象が発生する。図9はスナバダイオード11の電圧電流
波形である。図におけるリンギング現象はスナバダイオ
ード11のリカバリ特性で発生するもので、スナバダイ
オード11の接合容量とスナバ回路のインダクタンスに
よる振動である。このため、前述のリンギング現象と比
較して振動周波数が高い。このリンギング現象もインバ
ータ動作に悪影響を与えるので、リンギングを抑制する
回路を接続する必要がある。
Although the ringing phenomenon when the GTO 1 is turned off has been described, the ringing phenomenon of the snubber diode 11 may occur when the GTO 1 is turned on. When the GTO 1 is turned on while the charging current of the snubber capacitor 15 is flowing through the snubber diode 11, the ringing phenomenon occurs when the voltage of the snubber capacitor 15 is applied to the snubber diode 11 and the snubber diode 11 recovers. FIG. 9 is a voltage / current waveform of the snubber diode 11. The ringing phenomenon in the figure occurs due to the recovery characteristic of the snubber diode 11, and is a vibration due to the junction capacitance of the snubber diode 11 and the inductance of the snubber circuit. Therefore, the vibration frequency is higher than that of the ringing phenomenon described above. Since this ringing phenomenon also adversely affects the inverter operation, it is necessary to connect a circuit that suppresses ringing.

【0007】これまでは蓄積エネルギを電源に回生する
スナバコンデンサ15,18に接続されるスナバダイオ
ード11,14のリンギング現象について説明した。ス
ナバコンデンサの蓄積エネルギを抵抗35で消費させる
スナバ回路のスナバダイオード12,13にも同様なリ
ンギング現象が発生するが、リンギングは抵抗35によ
って抑制される。そのほか説明は省略したが、電圧クラ
ンプ回路ダイオード19〜22にも同様なリンギング現
象が発生することがあるため、リンギングを抑制する回
路を接続する必要がある。すなわち、図4のインバータ
回路ではスナバダイオード11,14及び電圧クランプ
回路ダイオード19〜22にリンギング現象を抑制する
回路を接続する必要がある。
So far, the ringing phenomenon of the snubber diodes 11 and 14 connected to the snubber capacitors 15 and 18 for regenerating the stored energy to the power source has been described. A similar ringing phenomenon occurs in the snubber diodes 12 and 13 of the snubber circuit in which the energy stored in the snubber capacitor is consumed by the resistor 35, but the ringing is suppressed by the resistor 35. Although other explanations are omitted, since a similar ringing phenomenon may occur in the voltage clamp circuit diodes 19 to 22, it is necessary to connect a circuit that suppresses ringing. That is, in the inverter circuit of FIG. 4, it is necessary to connect a circuit for suppressing the ringing phenomenon to the snubber diodes 11, 14 and the voltage clamp circuit diodes 19-22.

【0008】図10はこのようなダイオードのリンギン
グ現象を抑制する回路を接続したインバータ回路の従来
例である。スナバダイオード11,14及び電圧クラン
プ回路ダイオード19〜22のそれぞれに抵抗とコンデ
ンサからなる抑制回路R1,C1を接続している。この
ように、各ダイオードに上記2種類のリンギング現象に
共通して抑制するための抵抗とコンデンサの直列回路を
接続している。しかし、この従来例では2種類のリンギ
ング現象の振動周波数が大幅に異なるため、2種類のリ
ンギング現象を共通して抑制できないことや、ダイオー
ドのリンギング現象を抑制する回路が各ダイオードに個
別に設けられているので部品点数が多くなり、インバー
タ回路の小型化を阻害することや抑制回路の抵抗による
消費電力が増大するという問題があった。
FIG. 10 shows a conventional example of an inverter circuit to which a circuit for suppressing such a ringing phenomenon of a diode is connected. Suppressor circuits R1 and C1 including resistors and capacitors are connected to the snubber diodes 11 and 14 and the voltage clamp circuit diodes 19 to 22, respectively. Thus, each diode is connected to a series circuit of a resistor and a capacitor for suppressing the two types of ringing phenomenon in common. However, in this conventional example, since the vibration frequencies of the two types of ringing phenomena are significantly different, it is not possible to commonly suppress the two types of ringing phenomena, and a circuit for suppressing the ringing phenomenon of the diodes is provided individually for each diode. Therefore, there are problems that the number of parts is increased, which hinders the miniaturization of the inverter circuit and increases the power consumption due to the resistance of the suppression circuit.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】発明が解決しようとす
る課題は、上記に鑑み2種類のリンギング現象を抑制で
きる、少ない部品点数のリンギング抑制回路を備えたイ
ンバータ回路を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above, an object of the present invention is to provide an inverter circuit equipped with a ringing suppression circuit having a small number of parts, which can suppress two types of ringing phenomena.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明はリンギング現象
がダイオードの接合容量と回路のインダクタンスによる
2種類の振動であることから個別に抑制回路を接続する
ことと、リンギングを抑制する必要のあるダイオードが
図7の実施例では3個直列接続された構成であることに
着目したものであり、3個のダイオード共通のリンギン
グ抑制回路部を接続する手段を設けたことにある。
According to the present invention, since the ringing phenomenon is two kinds of vibrations due to the junction capacitance of the diode and the inductance of the circuit, it is necessary to individually connect the suppression circuits and suppress the ringing. In the embodiment of FIG. 7, attention is paid to the fact that three diodes are connected in series, and a means for connecting the three ringing suppression circuit parts common to the diodes is provided.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】図5は本発明の一実施例である。
スナバダイオード11,14,電圧クランプ回路ダイオ
ード19〜22のそれぞれに2種類のリンギング現象を
個別に抑制する定数の異なる2系統の抵抗とコンデンサ
からなるリンギング抑制回路R2,C2及びR3,C3
を接続している。この実施例によりリンギング現象を抑
制することができる。図11はリンギング現象を抑制し
たときのダイオードの電圧波形例であるが、これによっ
てGTOのゲート回路の誤動作などを防止できる。な
お、振動周波数の高いリンギング現象に対してはコンデ
ンサのみの抑制回路にしても同様な効果が得られる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION FIG. 5 shows an embodiment of the present invention.
Ringing suppression circuits R2, C2 and R3, C3, which are composed of two systems of resistors and capacitors having different constants for respectively suppressing two types of ringing phenomena in each of the snubber diodes 11 and 14 and the voltage clamp circuit diodes 19 to 22.
Are connected. According to this embodiment, the ringing phenomenon can be suppressed. FIG. 11 shows an example of the voltage waveform of the diode when the ringing phenomenon is suppressed, but this can prevent malfunction of the gate circuit of the GTO. It should be noted that the same effect can be obtained even with a suppressing circuit using only a capacitor for the ringing phenomenon with a high vibration frequency.

【0012】図1は本発明の他の実施例である。直列接
続された構成になっているスナバダイオード11,電圧
クランプ回路ダイオード19,21及びスナバダイオー
ド14,電圧クランプ回路ダイオード20,22に対す
るリンギング現象はGTOのターンオン,ターンオフ時
ともにほぼ同時期に発生するものなので、ダイオード1
1,19,21及びダイオード14,20,22の各両
端に抵抗R4とコンデンサC4の直列回路を接続してい
る。そのうえ、スナバダイオード11,14については
抵抗R5とコンデンサC5の直列回路を接続している。
前述したように、直列接続されたダイオード間のリンギ
ング現象はほぼ同時期に発生するが、各々のリンギング
現象の大きさが異なることが考えられる。図1はこの場
合の本発明の実施例を示すもので、リンギング現象の大
きなダイオード、例えば、スナバダイオード11及び1
4には個別の抵抗とコンデンサを追加接続するものであ
る。この場合、直列接続された3個のダイオードに並列
接続したR5,C5の容量は小さなものにできるので、
部品点数は増えることになるが、全体の容量としてはそ
れほど増加するものではない。このように、図1の構成
によって3個のダイオードそれぞれのリンギング現象を
抑制することができる。本発明によってリンギング抑制
回路が比較的少ない部品点数で構成することができ、イ
ンバータ回路の小型化を阻害することや抵抗による消費
電力が増大するという問題を解決できる。
FIG. 1 shows another embodiment of the present invention. The ringing phenomenon with respect to the snubber diode 11, the voltage clamp circuit diodes 19 and 21 and the snubber diode 14 and the voltage clamp circuit diodes 20 and 22 which are configured to be connected in series occurs at the same time when the GTO is turned on and turned off. So diode 1
A series circuit of a resistor R4 and a capacitor C4 is connected to both ends of each of the diodes 1, 19, 21 and the diodes 14, 20, 22. Moreover, for the snubber diodes 11 and 14, a series circuit of a resistor R5 and a capacitor C5 is connected.
As described above, the ringing phenomenon between the diodes connected in series occurs at almost the same time, but it is considered that the respective ringing phenomena have different magnitudes. FIG. 1 shows an embodiment of the present invention in this case, and a diode having a large ringing phenomenon, for example, snubber diodes 11 and 1 is used.
An individual resistor and capacitor are additionally connected to 4. In this case, the capacitance of R5 and C5 connected in parallel to the three diodes connected in series can be made small,
Although the number of parts will increase, the total capacity does not increase so much. As described above, the ringing phenomenon of each of the three diodes can be suppressed by the configuration of FIG. According to the present invention, the ringing suppression circuit can be configured with a relatively small number of parts, and it is possible to solve the problems that the miniaturization of the inverter circuit is hindered and the power consumption due to the resistance increases.

【0013】図2は本発明の他の実施例である。図1で
はリンギング現象の大きなダイオード、例えば、スナバ
ダイオード11及び14には個別の抵抗とコンデンサを
追加接続しているが、図2ではコンデンサC5のみを接
続している。コンデンサC5のダンピング抵抗は一括接
続したほうの抵抗R4を流用する構成である。本発明に
より、部品点数を更に減らしたリンギング抑制回路を構
成できる。なお、図1,図2の実施例ではスナバダイオ
ード11,14のみに追加回路を接続しているが、必要
なダイオードには全て接続すれば良い。
FIG. 2 shows another embodiment of the present invention. In FIG. 1, a diode having a large ringing phenomenon, for example, snubber diodes 11 and 14 are additionally connected with individual resistors and capacitors, but in FIG. 2, only the capacitor C5 is connected. As the damping resistance of the capacitor C5, the resistor R4 which is connected in a lump is used. According to the present invention, it is possible to configure a ringing suppression circuit in which the number of parts is further reduced. Although the additional circuit is connected only to the snubber diodes 11 and 14 in the embodiments of FIGS. 1 and 2, it is sufficient to connect all the necessary diodes.

【0014】図3,図4は本発明の他の実施例である。
図3は1系統の抵抗R6とコンデンサC6からなる一括
のリンギング抑制回路を接続している。この抵抗とコン
デンサの定数は、前述した周波数の異なる2種類のリン
ギング現象に対して、よりリンギング現象の激しいほう
に抑制効果があるように選ぶ。図4は2系統の抵抗とコ
ンデンサR7,C7およびR8,C8からなる一括のリ
ンギング抑制回路を接続している。この抵抗とコンデン
サの定数は、前述した周波数の異なる2種類のリンギン
グ現象に対して個別に抑制効果ができるように選ぶ。こ
のように、図3,図4の実施例でも図10と比較してリ
ンギング抑制回路の部品点数を減らすことができ、イン
バータ回路の小型化を阻害することや抵抗による消費電
力が増大するという問題を解決できる。なお、これまで
述べた実施例では電圧クランプ回路がダイオードとコン
デンサ各々2組の場合を示したが、もちろん1組で構成
する場合、つまり電圧クランプ回路ダイオード19とコ
ンデンサ25及びダイオード20とコンデンサ26で構
成される場合は、各々2個の直列接続されたダイオード
11,19及び14,20にリンギング抑制回路を接続
すれば良い。
3 and 4 show another embodiment of the present invention.
In FIG. 3, a ringing suppressing circuit which is composed of one system resistor R6 and capacitor C6 is connected. The constants of the resistor and the capacitor are selected so that the two ringing phenomena having different frequencies described above have a suppressing effect on the one having the more severe ringing phenomenon. In FIG. 4, a collective ringing suppressing circuit including two systems of resistors and capacitors R7, C7 and R8, C8 is connected. The constants of the resistor and the capacitor are selected so that the two types of ringing phenomena having different frequencies described above can be individually suppressed. As described above, also in the embodiments of FIGS. 3 and 4, the number of parts of the ringing suppression circuit can be reduced as compared with FIG. 10, and the problem that the miniaturization of the inverter circuit is hindered and the power consumption due to the resistance is increased. Can be solved. In the above-described embodiments, the case where the voltage clamp circuit has two sets each of the diode and the capacitor is shown, but of course, when the voltage clamp circuit is composed of one set, that is, the voltage clamp circuit includes the diode 19, the capacitor 25, the diode 20 and the capacitor 26. When configured, a ringing suppression circuit may be connected to each of the two diodes 11, 19 and 14, 20 connected in series.

【0015】また、以上の実施例では三レベルインバー
タ回路への適用例で述べたが、二レベルインバータ回路
やコンバータ回路にも勿論適用できる。
Further, in the above-mentioned embodiments, the example of application to the three-level inverter circuit is described, but it is of course applicable to the two-level inverter circuit and the converter circuit.

【0016】[0016]

【発明の効果】本発明によればインバータ回路のダイオ
ードのリンギング現象を少ない回路部品で抑制でき、G
TOのゲート回路の誤動作を防止できるので、小型,高
効率,高信頼度のインバータ回路を構成することができ
る。
According to the present invention, it is possible to suppress the ringing phenomenon of the diode of the inverter circuit with a small number of circuit parts.
Since the malfunction of the TO gate circuit can be prevented, a compact, highly efficient, highly reliable inverter circuit can be constructed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のインバータ回路の一実施例の回路図。FIG. 1 is a circuit diagram of an embodiment of an inverter circuit of the present invention.

【図2】本発明のインバータ回路の他の実施例の回路
図。
FIG. 2 is a circuit diagram of another embodiment of the inverter circuit of the present invention.

【図3】本発明のインバータ回路の他の実施例の回路
図。
FIG. 3 is a circuit diagram of another embodiment of the inverter circuit of the present invention.

【図4】本発明のインバータ回路の他の実施例の回路
図。
FIG. 4 is a circuit diagram of another embodiment of the inverter circuit of the present invention.

【図5】本発明のインバータ回路の他の実施例の回路
図。
FIG. 5 is a circuit diagram of another embodiment of the inverter circuit of the present invention.

【図6】三レベルインバータの主回路図。FIG. 6 is a main circuit diagram of a three-level inverter.

【図7】インバータの一相分の回路図。FIG. 7 is a circuit diagram of one phase of an inverter.

【図8】スナバダイオードの電圧電流波形とGTOの電
圧波形図。
FIG. 8 is a voltage waveform diagram of a snubber diode and a voltage waveform diagram of a GTO.

【図9】スナバダイオードの電圧電流波形図。FIG. 9 is a voltage-current waveform diagram of a snubber diode.

【図10】従来のリンギング抑制回路を接続したインバ
ータ回路図。
FIG. 10 is an inverter circuit diagram in which a conventional ringing suppression circuit is connected.

【図11】ダイオードの電圧波形図。FIG. 11 is a voltage waveform diagram of a diode.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1〜4…GTO、5〜8…フリーホイルダイオード、
9,10…アノードリアクトル、11〜14…スナバダ
イオード、15〜18…スナバコンデンサ、19〜22
…電圧クランプ回路ダイオード、23,24…クランプ
ダイオード、25〜28…電圧クランプ回路コンデン
サ、29,30…電源コンデンサ、31,32…直流電
源、33,34…エネルギ回生回路、35…抵抗、36
…出力端子。
1 to 4 ... GTO, 5 to 8 ... free wheel diode,
9, 10 ... Anode reactor, 11-14 ... Snubber diode, 15-18 ... Snubber capacitor, 19-22
... Voltage clamp circuit diode, 23, 24 ... Clamp diode, 25-28 ... Voltage clamp circuit capacitor, 29, 30 ... Power supply capacitor, 31, 32 ... DC power supply, 33, 34 ... Energy regeneration circuit, 35 ... Resistor, 36
... Output terminal.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 成田 博 茨城県日立市大みか町七丁目2番1号 株 式会社日立製作所電力・電機開発本部内 (72)発明者 恩田 謙一 茨城県日立市大みか町七丁目2番1号 株 式会社日立製作所電力・電機開発本部内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Inventor Hiroshi Narita 7-2-1, Omika-cho, Hitachi-shi, Ibaraki Hitachi, Ltd. Electric Power & Electric Development Division (72) Inventor Kenichi Onda Omika-cho, Hitachi-shi, Ibaraki 7-2-1, Hitachi Ltd. Electric Power & Electric Development Division

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数に直列接続されたスナバ及び電圧クラ
ンプ回路ダイオードを備えたインバータ回路において、
各々のダイオードに定数の異なる2組の抵抗とコンデン
サの直列回路を接続することを特徴とするインバータ回
路。
1. An inverter circuit comprising a plurality of snubbers and a voltage clamp circuit diode connected in series,
An inverter circuit characterized in that a series circuit of two sets of resistors and capacitors having different constants is connected to each diode.
【請求項2】請求項1において、前記2組の抵抗とコン
デンサの直列回路のうち1組はコンデンサのみを接続す
るインバータ回路。
2. The inverter circuit according to claim 1, wherein one of the two series circuits of the resistor and the capacitor is connected to only the capacitor.
【請求項3】前記複数に直列接続されたスナバ及び電圧
クランプ回路ダイオードに一括して抵抗とコンデンサの
直列回路を接続するインバータ回路。
3. An inverter circuit for collectively connecting a series circuit of a resistor and a capacitor to the plurality of snubbers and voltage clamp circuit diodes connected in series.
【請求項4】前記複数に直列接続されたダイオードに一
括して定数の異なる2組の抵抗とコンデンサの直列回路
を接続する請求項1に記載のインバータ回路。
4. The inverter circuit according to claim 1, wherein a series circuit of two sets of resistors and capacitors having different constants is collectively connected to the plurality of diodes connected in series.
【請求項5】請求項3において、必要に応じてスナバダ
イオード或いは電圧クランプ回路ダイオードに個別に抵
抗とコンデンサの直列回路、もしくはコンデンサを接続
するインバータ回路。
5. The inverter circuit according to claim 3, wherein a snubber diode or a voltage clamp circuit diode is individually connected in series with a resistor and a capacitor, or a capacitor is connected as necessary.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008118784A (en) * 2006-11-06 2008-05-22 Honda Motor Co Ltd Power conversion circuit

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