JPH09293956A - Wiring board - Google Patents

Wiring board

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JPH09293956A
JPH09293956A JP10713796A JP10713796A JPH09293956A JP H09293956 A JPH09293956 A JP H09293956A JP 10713796 A JP10713796 A JP 10713796A JP 10713796 A JP10713796 A JP 10713796A JP H09293956 A JPH09293956 A JP H09293956A
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pad
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copper
metallized pad
wiring board
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智 濱野
Toshiaki Shigeoka
俊昭 重岡
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide the structure capable of junctioning a copper metallized pad formed on a glass ceramics substrate surface with a lead terminal with high junction strength. SOLUTION: This substrate is provided with a copper metallized pad 2 for connecting a lead terminal 4 to the surface of an insulting substrate 1 made of a glass ceramic sintered body. At this time, the periphery of the copper metallized pad 2 10-30μm thick is buried in the insulating substrate 1 simultaneously forming a plating layer 31-10μm thick on the exposed part of the pad 2 furthermore junctioning the lead terminal 4 using a solder. Especially, the ratio of the buried length y of the buried part of pad 2 in the insulating substrate 1 to the short diameter of the metallized pad 2 is adjusted to be 5-25% as well as the buried depth to 10-50μm.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【０００１】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子等を搭
載するパッケージや多層配線基板などに用いられる配線
基板における金属リード端子の接合構造の改良に関する
ものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a joining structure of metal lead terminals in a wiring board used for a package on which a semiconductor element or the like is mounted or a multilayer wiring board.

【０００２】[0002]

【従来技術】半導体素子などを搭載するパッケージにお
ける絶縁基板としては、従来からアルミナ質焼結体から
なる基板が使用されている。このようなアルミナ基板に
おいて金属リード端子を接続するには、絶縁基板表面に
形成されたＷまたはＭｏのメタライズパッド表面にＮｉ
メッキ、Ａｕメッキ等を施し、Ａｇロウ等のロウ材で金
属リードを接合している。2. Description of the Related Art As an insulating substrate in a package on which a semiconductor element or the like is mounted, a substrate made of an alumina sintered body has been conventionally used. To connect metal lead terminals on such an alumina substrate, Ni or Ni is formed on the surface of the metallized pad of W or Mo formed on the surface of the insulating substrate.
Plating, Au plating, etc. are applied, and the metal leads are joined with a brazing material such as Ag brazing.

【０００３】最近に至り、アルミナ配線基板に比較し
て、誘電率が低く、また焼成温度が低いために例えばＣ
ｕ、Ａｕ、Ａｇなどの低抵抗導体との同時焼成によって
メタライズ配線層が形成できるなどの点でガラスセラミ
ック配線基板が注目されている。このガラスセラミック
基板は、低抵抗導体を用いることができるために、回路
の高集積化の要求に適用することのでき、また通信分野
で使用する基板材料として低抵抗の配線を形成できると
いう点から注目されている。Recently, the dielectric constant is lower and the firing temperature is lower than that of the alumina wiring substrate, so that, for example, C
Glass-ceramic wiring boards are drawing attention in that metallized wiring layers can be formed by co-firing with low-resistance conductors such as u, Au, and Ag. Since this glass-ceramic substrate can use a low-resistance conductor, it can be applied to the demand for high integration of circuits, and it can form low-resistance wiring as a substrate material used in the communication field. Attention has been paid.

【０００４】通常、ガラスセラミック多層配線基板は、
ガラスとセラミックフィラーとを混合し、これに有機バ
インダーを添加して作製されたグリーンシートに穴開け
してスルーホールを形成し、このスルーホールに銅を含
む導体ペーストを充填する。Generally, the glass-ceramic multilayer wiring board is
A green sheet prepared by mixing glass and a ceramic filler and adding an organic binder thereto is punched to form a through hole, and the through hole is filled with a conductor paste containing copper.

【０００５】また、このシートの所定位置に銅を含む導
体ペーストを印刷して導体パターンを形成する。そし
て、これらのシートを位置合わせして加圧積層した後、
積層体を加熱して有機バインダーを除去し、さらにガラ
スセラミックスと銅含有ペーストを同時焼成することに
より作製されている。Further, a conductor pattern containing copper is printed at a predetermined position on this sheet to form a conductor pattern. Then, after aligning and stacking these sheets under pressure,
The laminate is heated to remove the organic binder, and the glass ceramics and the copper-containing paste are co-fired.

【０００６】[0006]

【発明が解決しようとする問題点】そこで、上記のよう
なガラスセラミック配線基板の銅メタライズパッドにリ
ード端子を接続する場合、このパッドに半田などのロウ
材でリード端子を接続する方法では、図４に示すよう
に、ガラスセラミック基板２１と銅メタライズパッド２
２の接合端部２３からパッド２２の下側のガラスセラミ
ック基板２１にクラック２４が進展して磁器剥がれを生
じたり、リード端子２５を接合する半田２６と銅メタラ
イズが反応して基板からメタライズパッドが剥がれるな
どの現象が生じるために、接合強度が低く、信頼性の高
いリード端子の接続ができないという問題があった。Therefore, in the case of connecting the lead terminal to the copper metallized pad of the glass ceramic wiring board as described above, a method of connecting the lead terminal with a brazing material such as solder to the pad As shown in FIG. 4, the glass ceramic substrate 21 and the copper metallized pad 2
The crack 24 develops from the joining end portion 23 of the No. 2 to the glass ceramic substrate 21 below the pad 22 and porcelain peels off, or the solder 26 joining the lead terminal 25 reacts with the copper metallization to remove the metallized pad from the substrate. Since a phenomenon such as peeling occurs, there is a problem in that the bonding strength is low and a highly reliable lead terminal cannot be connected.

【０００７】このような問題が生じる原因について検討
した結果、（１）ガラスセラミック基板の機械的強度が
アルミナ質焼結体に比較して低いこと、（２）ガラスセ
ラミック基板の熱膨張係数がＣｕメタライズパッドより
も非常に小さいため、焼成の冷却過程においてパッドの
端部に大きな熱応力が発生し、しかも発生したクラック
はパッドの下側に進展するためにクラック同士が繋がり
易いために磁器剥がれを生じやすいこと、（３）ガラス
セラミックスの焼成温度がＣｕの融点に近いため、焼成
時にＣｕ粒子の焼結が進み、その結果、ガラスセラミッ
クスとＣｕメタライズとの界面組織が磁器のアンカーの
ほとんど無い平坦な組織となるために、接合強度が低い
こと、（４）メッキ層を施す時、大きな応力がメッキ層
形成端部に集中すること、等の原因によるものである。As a result of examining the cause of such a problem, (1) the mechanical strength of the glass ceramic substrate is lower than that of the alumina sintered body, (2) the thermal expansion coefficient of the glass ceramic substrate is Cu. Since it is much smaller than the metallized pad, a large thermal stress is generated at the edge of the pad during the cooling process of firing, and the cracks that are generated propagate to the lower side of the pad, so it is easy for the cracks to connect to each other, so porcelain peeling (3) Since the firing temperature of the glass ceramics is close to the melting point of Cu, the sintering of Cu particles progresses during firing, and as a result, the interface structure between the glass ceramics and Cu metallization is flat with almost no porcelain anchors. Since it has a unique structure, the bonding strength is low, and (4) when applying a plating layer, large stress is concentrated on the edge part where the plating layer is formed. It is due to the cause of equal.

【０００８】このようなメタライズ層と基板との密着性
を高める方法としては、従来より種々検討されており、
例えば、アルミナ基板におけるリード端子の基板との接
合強度を更に向上させる手法として、特開昭５９−２６
９８６号や特開平２−１３０８４５号において、基板表
面に形成されたメタライズパッドの周辺をセラミック成
分で被覆することが提案されている。しかしながら、上
記の方法をガラスセラミック配線基板に採用した場合、
セラミック材料と配線層を形成する導体材料との熱膨張
係数の大小がアルミナ基板とＷ，Ｍｏメタライズとの場
合と逆転しその差が非常に大きく発生する応力も非常に
大きく、メタライズの剥がれのメカニズムも全く異なる
ために、単純に上記の技術を銅メタライズを有するガラ
スセラミック基板に採用しても優れた接合強度が得られ
ない。Various methods have been studied in the past for improving the adhesion between the metallized layer and the substrate.
For example, as a method of further improving the bonding strength of the lead terminal of the alumina substrate to the substrate, Japanese Patent Laid-Open No. 59-26 is available.
986 and Japanese Patent Laid-Open No. 2-1308845 propose coating the periphery of a metallized pad formed on the surface of a substrate with a ceramic component. However, when the above method is applied to the glass ceramic wiring board,
The magnitude of the coefficient of thermal expansion between the ceramic material and the conductor material forming the wiring layer is opposite to that of the case of the alumina substrate and W or Mo metallization, and the difference between them is very large. However, even if the above technique is simply applied to a glass ceramic substrate having copper metallization, excellent bonding strength cannot be obtained.

【０００９】また、特開平７−１７６８６４号において
は、ガラスセラミック配線基板において、厚膜パッドと
基板との接合強度を高めるために、厚膜パッドとビアと
を直接接続するとともに厚膜パッドの周辺をセラミック
スで被覆することが提案されている。しかしながら、こ
の提案では、厚膜パッドとビアとの直接接続による接合
強化によるところが大きく、ビアと接続されない場合に
おいては、厚膜パッドの基板との十分な接合強度が望め
ない。しかも、この提案では、リード端子との具体的な
接続構造については検討されていない。Further, in Japanese Patent Laid-Open No. 7-176864, in a glass ceramic wiring substrate, in order to increase the bonding strength between the thick film pad and the substrate, the thick film pad and the via are directly connected and the periphery of the thick film pad. It has been proposed to coat the with ceramics. However, this proposal is largely due to the strengthening of the bond by the direct connection between the thick film pad and the via, and in the case where the thick film pad is not connected to the via, sufficient bond strength between the thick film pad and the substrate cannot be expected. Moreover, in this proposal, no specific connection structure with the lead terminal is examined.

【００１０】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、ガラスセ
ラミックス基板に対して銅メタライズパッドを有する配
線基板において、銅メタライズパッドにリード端子を接
続する場合の接合構造について検討を重ねた結果、第１
に、銅メタライズパッドの厚みを比較的厚く形成して、
銅メタライズパッド自体の強度を高めること、第２に、
銅メタライズパッドの表面にメッキ層を薄く形成して半
田濡れ性を高めること、第３に、銅メタライズパッドの
周辺部を基板中に埋め込み、銅メタライズパッドの露出
部のみにメッキ層を形成することにより、銅メタライズ
パッドとガラスセラミックス基板との同時焼成時に発生
する最大応力箇所と、メッキ層形成時あるいはリード端
子接合時に発生する最大応力箇所とを離間させることに
よって、パッドの形成端部またはメッキ層形成端部から
のクラックの発生を防止することができ、リード端子の
基板への強固な接合が可能となることを見いだし、本発
明に至った。Means for Solving the Problems In the wiring substrate having a copper metallized pad with respect to a glass ceramic substrate, the present inventors have repeatedly studied the bonding structure when connecting a lead terminal to the copper metallized pad. First
In addition, the copper metallized pad is formed relatively thick,
To increase the strength of the copper metallized pad itself, secondly,
Forming a thin plating layer on the surface of the copper metallized pad to improve solder wettability. Third, bury the peripheral portion of the copper metallized pad in the substrate and form the plated layer only on the exposed portion of the copper metallized pad. By separating the maximum stress portion generated during simultaneous firing of the copper metallized pad and the glass ceramic substrate from the maximum stress portion generated during formation of the plating layer or bonding of lead terminals, the pad formation end or the plating layer It has been found that it is possible to prevent the generation of cracks from the formed end portion, and to firmly bond the lead terminal to the substrate, and the present invention has been completed.

【００１１】即ち、本発明の配線基板は、ガラスセラミ
ック焼結体からなる絶縁基板の表面にリード端子と接続
するための銅メタライズパッドを具備する配線基板であ
って、前記銅メタライズパッドの厚みが１０〜３０μｍ
であり、前記銅メタライズパッドの周辺部を前記絶縁基
板内に埋設するとともに、該銅メタライズパッドの露出
部に１〜１０μｍのメッキ層を形成し、さらに半田によ
りリード端子を接合したことを特徴とするものであり、
特に、前記銅メタライズパッドの短径に対する前記絶縁
基板内に埋め込まれた部分の埋め込み長さの比率を５〜
２５％、埋め込み深さを１０〜５０μｍに調整すること
を特徴とするものである。That is, the wiring board of the present invention is a wiring board having a copper metallized pad for connecting to a lead terminal on the surface of an insulating substrate made of a glass ceramic sintered body, and the thickness of the copper metallized pad is 10-30 μm
In addition, a peripheral portion of the copper metallized pad is embedded in the insulating substrate, a plated layer of 1 to 10 μm is formed on an exposed portion of the copper metallized pad, and lead terminals are joined by soldering. Is what
In particular, the ratio of the embedding length of the portion embedded in the insulating substrate to the minor axis of the copper metallized pad is 5 to.
The feature is that the embedding depth is adjusted to 25% and the embedding depth is adjusted to 10 to 50 μm.

【００１２】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の配線基板の構造の概略図
を図１に示した。本発明の配線基板は、図１に示される
ように、ガラスセラミックスからなる絶縁基板１の表面
には銅メタライズからなるパッド２が形成されるが、こ
のパッド２の周辺が、ガラスセラミック基板１内に埋設
されている。また、銅メタライズパッド２の露出部に
は、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒ、Ａｕのうちの少なくとも１種か
らなるメッキ層３が形成されている。そして、銅メタラ
イズパッド２にはメッキ層３を介してリード端子４が半
田５により接合されている。1 is a schematic view of the structure of a wiring board according to the present invention. In the wiring board of the present invention, as shown in FIG. 1, a pad 2 made of copper metallization is formed on the surface of an insulating substrate 1 made of glass ceramics, and the periphery of the pad 2 is inside the glass ceramic substrate 1. It is buried in. A plated layer 3 made of at least one of Ni, Co, Cr, and Au is formed on the exposed portion of the copper metallized pad 2. A lead terminal 4 is joined to the copper metallized pad 2 with a solder 5 via a plated layer 3.

【００１３】パッド２を基板の同時焼成によって形成す
る場合、銅メタライズの熱膨張係数がおよそ１５〜１７
×１０-6／℃、ガラスセラミック基板の熱膨張係数がお
よそ４〜７×１０-6／℃と熱膨張差が大きいために、パ
ッド２の基板１との接合端部Ａに応力が集中し、この応
力集中部から基板１側にクラックが発生し剥がれやすく
なるが、上記のように応力が集中する端部Ａを含むパッ
ド周辺部を基板内に埋め込むことによりパッド２の基板
１からの剥がれを防止することができる。また、パッド
２周辺部の埋め込み深さｘは表面から１０〜５０μｍが
適当である。When the pad 2 is formed by co-firing the substrate, the coefficient of thermal expansion of the copper metallization is about 15 to 17.
× 10 -6 / ° C., the thermal expansion coefficient of about 4~7 × 10 -6 / ℃ and difference in thermal expansion between the glass-ceramic substrate is large, the stress is concentrated on the joint end portion A of the substrate 1 of the pad 2 A crack is generated from the stress concentration portion on the substrate 1 side and is easily peeled off. However, the pad 2 is peeled off from the substrate 1 by embedding the pad peripheral portion including the end portion A where the stress is concentrated in the substrate as described above. Can be prevented. Further, it is appropriate that the embedding depth x in the peripheral portion of the pad 2 is 10 to 50 μm from the surface.

【００１４】また、本発明によれば、上記接合構造にお
いて、銅メタライズパッド２の厚みが１０〜３０μｍで
あることが重要である。これは、後述するメッキ層３の
形成によって、メッキ層３のパッド２との熱膨張差によ
り発生する応力が、メッキ層３のパッド２との接合端部
Ｂに集中し、この応力集中によって前記端部Ｂからパッ
ド２側にクラックが発生、進展するのを防止するため
に、パッド２の厚みを大きくして高強度化するためであ
る。Further, according to the present invention, it is important that the thickness of the copper metallized pad 2 is 10 to 30 μm in the above bonding structure. This is because the stress generated by the difference in thermal expansion between the plating layer 3 and the pad 2 due to the formation of the plating layer 3 described later is concentrated on the joint end B of the plating layer 3 with the pad 2, and the stress concentration causes This is because the thickness of the pad 2 is increased to increase the strength in order to prevent cracks from being generated and propagated from the end portion B to the pad 2 side.

【００１５】従って、パッド２の厚みが１０μｍより薄
いと、メタライズパッド自体の強度が低く、前述の応力
によりクラックが発生した場合にクラックが容易に進展
しやすくなり、また、パッド２中にピンホールが生成し
やすくなり、メッキ層３を形成する場合に、メッキ液が
浸透しメタライズの接合強度が低下しやすくなる。ま
た、３０μｍよりも厚い場合は、メタライズパッド自体
の強度が高くなり接合強度は高くなるが、基板との熱膨
張差による応力が大きくなる事、更にメタライズパッド
と基板材料との焼成収縮挙動の差により基板の反りを招
くためである。望ましいメタライズ厚みは１０〜２０μ
ｍである。Therefore, if the thickness of the pad 2 is less than 10 μm, the strength of the metallized pad itself is low, and when the crack is generated by the above-mentioned stress, the crack easily propagates, and the pinhole is formed in the pad 2. Are easily generated, and when the plating layer 3 is formed, the plating solution permeates and the bonding strength of the metallization is likely to decrease. On the other hand, when the thickness is more than 30 μm, the strength of the metallized pad itself becomes high and the bonding strength becomes high, but the stress due to the difference in thermal expansion from the substrate becomes large, and further the difference in firing shrinkage behavior between the metallized pad and the substrate material. This causes the substrate to warp. Desirable metallization thickness is 10-20μ
m.

【００１６】また、銅メタライズパッド表面に形成され
るメッキ層３は、半田との濡れ性を改善し、半田と銅メ
タライズパッドとの接着強度を高めるものである。しか
し、半田の熱膨張係数は２４〜２６×１０-6／℃と、前
記銅メタライズパッド２との熱膨張差が大きいためにメ
ッキ層３の厚みが大きくなるほど大きな応力が発生しや
すく、その応力はメッキ層３の端部Ｂに集中する。その
結果、端部Ｂからパッド２にクラックが発生しやすくな
り、接合強度の低下を招く。このような観点からメッキ
層の厚みは１０μｍ以下であることが重要である。な
お、銅メタライズパッドへの均一なメッキ層の形成を行
うのとともに、半田と銅メタライズとの反応により接合
強度が低下するのを防止する上でメッキ層の厚みは１μ
ｍ以上であることが必要である。このような観点からメ
ッキ層の厚みは１〜１０μｍ、特に２〜５μｍが最適で
ある。The plating layer 3 formed on the surface of the copper metallized pad improves the wettability with the solder and enhances the adhesive strength between the solder and the copper metallized pad. However, the thermal expansion coefficient of the solder is 24 to 26 × 10 −6 / ° C., and since the difference in thermal expansion from the copper metallized pad 2 is large, the larger the thickness of the plating layer 3, the larger the stress is likely to occur. Concentrate on the end B of the plated layer 3. As a result, cracks are likely to occur in the pad 2 from the end B, leading to a decrease in bonding strength. From such a viewpoint, it is important that the thickness of the plating layer is 10 μm or less. The thickness of the plating layer is 1 μm in order to form a uniform plating layer on the copper metallization pad and prevent the bonding strength from being lowered due to the reaction between the solder and the copper metallization.
m or more. From such a viewpoint, the thickness of the plating layer is optimally 1 to 10 μm, and particularly 2 to 5 μm.

【００１７】また、メッキ層のより好適な態様として
は、銅メタライズパッド表面に、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｃｒから
選ばれる少なくとも１種のメッキを１〜５μｍの厚みで
形成し、更にＡｕメッキを０．１〜２μｍの厚みで形成
し、メッキ層合計厚みが１〜１０μｍとなるように形成
することにより、半田濡れ性が良好で、かつ接合強度を
さらに高めることができる。Further, as a more preferable aspect of the plating layer, at least one kind of plating selected from Ni, Co and Cr is formed on the surface of the copper metallized pad to a thickness of 1 to 5 μm, and further Au plating is applied. The solder wettability is good and the bonding strength can be further increased by forming the solder layer with a thickness of 1 to 2 μm so that the total thickness of the plating layer is 1 to 10 μm.

【００１８】さらに、前述したように、上記接合構造に
おいてパッド２とガラスセラミック基板１との同時焼成
時に発生する応力は、パッド２の端部Ａに集中し、パッ
ド２の露出部へのメッキ層３の形成時、または半田によ
るリード端子接合時に発生する応力は、メッキ層３の端
部Ｂに集中する。本発明によれば、この２つの応力集中
箇所を離間させることが重要であり、具体的には、上記
パッド２の基板への埋め込み長さｙが、パッドの短径に
対して平均して５〜２５％であることが望ましい。ここ
でパッドの短径とは、パッド形状が四角形の場合は、短
辺の長さ、円形の場合はその直径、楕円の場合には最小
径を意味するものである。この埋め込み長さｙの比率が
５％より短いと、２つの応力の集中により接合強度が低
下しやすくなり、また、製造工程上、このような精度で
埋め込むのが難しく、２５％より長いと、パッド２を大
きくすることとなりパッドの高密度形成には不適当であ
り、またはメッキ層３の面積を小さくするとととなり、
リード端子４との半田接合面積が小さくなり、高い接合
強度が期待できなくなるためである。Further, as described above, in the above bonding structure, the stress generated when the pad 2 and the glass ceramic substrate 1 are simultaneously fired is concentrated on the end portion A of the pad 2, and the plating layer on the exposed portion of the pad 2 is formed. The stress generated at the time of forming 3 or joining the lead terminals by solder is concentrated on the end portion B of the plating layer 3. According to the present invention, it is important to separate these two stress concentration points. Specifically, the embedding length y of the pad 2 in the substrate is 5 on average with respect to the minor axis of the pad. It is desirable that it is -25%. Here, the short diameter of the pad means the length of the short side when the pad shape is a quadrangle, the diameter when the pad shape is a circle, and the minimum diameter when the pad shape is an ellipse. When the ratio of the embedding length y is shorter than 5%, the joint strength is apt to be lowered due to the concentration of two stresses, and it is difficult to embed with such accuracy in the manufacturing process, and when it is longer than 25%. It means that the pad 2 is made large, which is unsuitable for high-density formation of the pad, or the area of the plating layer 3 is made small,
This is because the solder joint area with the lead terminal 4 becomes small and high joint strength cannot be expected.

【００１９】本発明の配線基板において、絶縁基板１を
構成するガラスセラミックスとしては、ガラス成分、あ
るいはガラス成分とフィラー成分との混合物を焼成した
ものであり、特にフィラー成分を含むことが強度の向上
の点から有利であり、用いられるフィラー成分として
は、ジルコン酸カルシウム、チタン酸カルシウム、チタ
ン酸ストロンチウム、チタン酸バリウム、アルミナ、ム
ライト、フォルステライト、ジルコニア、スピネル等の
セラミックフィラーが好適である。In the wiring board of the present invention, the glass ceramics constituting the insulating substrate 1 is a glass component, or a mixture of a glass component and a filler component, which is fired. In particular, the inclusion of the filler component improves the strength. It is advantageous from this point of view, and as the filler component to be used, ceramic fillers such as calcium zirconate, calcium titanate, strontium titanate, barium titanate, alumina, mullite, forsterite, zirconia, and spinel are preferable.

【００２０】また、ガラス成分としては、焼成によって
結晶相を析出する結晶性ガラスが好適に用いられ、ガラ
スの結晶化により、基板の抗折強度を高くでき、この結
果、ガラスセラミック基板表面に形成される銅メタライ
ズパッドの基板との接合強度を高めることができる。Further, as the glass component, crystalline glass that precipitates a crystalline phase by firing is preferably used, and the crystallization of the glass can increase the bending strength of the substrate. As a result, it is formed on the surface of the glass ceramic substrate. It is possible to enhance the bonding strength of the copper metallized pad to be formed with the substrate.

【００２１】特に、ガラスセラミック基板１において
は、パッド２からのクラックの発生を防止する上で、セ
ラミック基板１の抗折強度が２５ｋｇ／ｍｍ2 以上であ
ることが望ましい。これは、抗折強度が２５ｋｇ／ｍｍ
2 より低いと、上記の接合構造を形成しても応力に対し
て容易にクラックが発生し所望の接合強度が得られない
場合があるためである。In particular, in the glass ceramic substrate 1, it is desirable that the bending strength of the ceramic substrate 1 is 25 kg / mm 2 or more in order to prevent cracks from being generated from the pad 2. It has a bending strength of 25 kg / mm.
This is because if it is lower than 2 , cracks may easily occur due to stress even if the above-mentioned joint structure is formed, and desired joint strength may not be obtained.

【００２２】次に、本発明の配線基板の製造方法につい
て図２をもとに説明する。まず、上記ガラスセラミック
基板１を形成する組成物を有機バインダーおよび溶剤と
ともに、混合してスラリーを調製し、このスラリーを用
いて、周知のドクターブレード法、圧延法等によって、
シート状に成形してグリーンシートを作製する。有機バ
インダーとしては、窒素雰囲気中での熱分解性に優れた
アクリル系樹脂、例えばメタクリル酸メチル、メタクリ
ル酸イソブチル等を用いることが望ましい。Next, a method of manufacturing the wiring board of the present invention will be described with reference to FIG. First, the composition for forming the glass ceramic substrate 1 is mixed with an organic binder and a solvent to prepare a slurry, and using this slurry, by a known doctor blade method, rolling method, or the like,
A green sheet is produced by forming into a sheet shape. As the organic binder, it is desirable to use an acrylic resin having excellent thermal decomposability in a nitrogen atmosphere, such as methyl methacrylate or isobutyl methacrylate.

【００２３】そして、図２（ａ）に示すように、上記の
ようにして作製されたグリーンシート６の所定位置に銅
含有メタライズペーストを印刷して導体パターンを形成
する。この際、表面層となるリード端子接合用のパッド
パターン７は、前述した理由から、焼成後のメタライズ
厚みが１０〜３０μｍとなるような厚みで印刷すること
が必要である。Then, as shown in FIG. 2A, a copper-containing metallizing paste is printed at a predetermined position on the green sheet 6 manufactured as described above to form a conductor pattern. At this time, the pad pattern 7 for joining the lead terminals, which is the surface layer, needs to be printed with a thickness such that the metallized thickness after firing is 10 to 30 μm for the reason described above.

【００２４】銅含有メタライズペースト中に含有する銅
粉末としては、平均粒径が２〜８μｍ（ＢＥＴ法による
比表面積が０．１〜１．０ｍ2 ／ｇ）、好ましくは平均
粒径が３〜７μｍ（比表面積が０．２〜０．５ｍ2 ／
ｇ）の略球状Ｃｕ粉末を用いることができる。また、銅
含有メタライズペースト中には、銅メタライズとガラス
セラミック磁器との界面における接合強度を向上させる
ために、Ｃｕペースト中にガラス成分あるいは、磁器の
ガラス成分の粘性を低下させ得る無機物を添加すること
が望ましい。Ｃｕペーストに用いるビヒクル中のバイン
ダーには、グリーンシートと同様に窒素雰囲気中での熱
分解性に優れた前述したようなアクリル系樹脂を用いる
のがよい。The copper powder contained in the copper-containing metallizing paste has an average particle size of 2 to 8 μm (specific surface area by BET method of 0.1 to 1.0 m 2 / g), preferably 3 to. 7 μm (specific surface area 0.2-0.5 m 2 /
The substantially spherical Cu powder of g) can be used. Further, in the copper-containing metallizing paste, in order to improve the bonding strength at the interface between the copper metallizing and the glass ceramic porcelain, an inorganic substance that can reduce the viscosity of the glass component or the glass component of the porcelain is added to the Cu paste. Is desirable. As the binder in the vehicle used for the Cu paste, it is preferable to use the acrylic resin as described above, which has an excellent thermal decomposability in a nitrogen atmosphere like the green sheet.

【００２５】次に、図２（ｂ）に示すように、パッドパ
ターン７の端部Ａを含む周辺部を前述したガラスセラミ
ック組成物からなるグリーンシート８を積層するか、あ
るいは前記ガラスセラミック組成物を含むペーストをパ
ッドパターン７の周辺部を被覆するように印刷して、端
部Ａを基板内に埋め込む。Next, as shown in FIG. 2B, the green sheet 8 made of the above-mentioned glass ceramic composition is laminated on the peripheral portion including the end A of the pad pattern 7, or the glass ceramic composition is used. Is printed so as to cover the peripheral portion of the pad pattern 7, and the end portion A is embedded in the substrate.

【００２６】また、多層化する場合には、上記と同様に
して所定のグリーンシートに銅含有メタライズペースト
を導体パターンに印刷し、場合によっては、グリーンシ
ートの所定位置にビアホールまたはスルーホールを形成
して、ホール内に銅含有メタライズペーストを充填し、
前記パッドパターンが形成されたグリーンシートと積層
する。In the case of forming a multi-layer, a copper-containing metallizing paste is printed on a predetermined green sheet in a conductive pattern in the same manner as above, and a via hole or a through hole is formed at a predetermined position of the green sheet in some cases. , Fill the hole with copper-containing metallizing paste,
The green sheet is laminated with the pad pattern.

【００２７】また、基板表面の平坦化が必要な場合に
は、パッドパターン７の周辺部を被覆した後、加圧する
ことにより、図２（ｃ）に示すように、パッドパターン
７の周辺部を変形させて基板１内に埋め込むことができ
る。When the substrate surface needs to be flattened, the peripheral portion of the pad pattern 7 is covered by applying pressure to the peripheral portion of the pad pattern 7 as shown in FIG. 2C. It can be deformed and embedded in the substrate 1.

【００２８】次に、上記のようにしてパッドパターン７
の周辺部が埋設された図２（ｂ）または図２（ｃ）のグ
リーンシート、あるいはその積層体を３００〜５００℃
の水蒸気を含んだ窒素雰囲気中で熱処理し、シート、及
び銅含有ペースト中のバインダー、可塑剤、溶剤を分解
除去する。その後、同雰囲気下で温度を７００〜８００
℃に上げシート及び銅含有ペースト中の残留炭素を除去
する。そして、乾燥窒素雰囲気中、９００〜１０５０℃
の温度で焼成することにより、図１に示したような基板
１の表面に銅メタライズパッド２を具備した配線基板を
作製することができる。Next, the pad pattern 7 is formed as described above.
2 (b) or 2 (c) in which the peripheral portion of the green sheet is buried, or a laminated body thereof at 300 to 500 ° C.
Heat treatment is performed in a nitrogen atmosphere containing water vapor to decompose and remove the binder, plasticizer, and solvent in the sheet and copper-containing paste. Then, the temperature is 700 to 800 in the same atmosphere.
The temperature is raised to ℃ and the residual carbon in the sheet and the copper-containing paste is removed. Then, in a dry nitrogen atmosphere, 900 to 1050 ° C
By firing at a temperature of 1, the wiring substrate having the copper metallized pad 2 on the surface of the substrate 1 as shown in FIG. 1 can be manufactured.

【００２９】その後、図２（ｄ）に示すように、この配
線基板のパッド７にＮｉ、Ｃｏ、Ｃｒから選ばれる少な
くとも１種のメッキ層９を形成する。メッキ層９の形成
は、電解メッキ法、無電解メッキ法のいずれでもよく、
その厚みが１〜１０μｍ、特に、２〜５μｍとなるよう
に形成する。特に、メッキ層９の最外層としてＡｕメッ
キ層を施すことにより、半田濡れ性を改善できる。After that, as shown in FIG. 2D, at least one kind of plating layer 9 selected from Ni, Co and Cr is formed on the pad 7 of this wiring board. The plating layer 9 may be formed by either an electrolytic plating method or an electroless plating method,
It is formed to have a thickness of 1 to 10 μm, particularly 2 to 5 μm. In particular, by providing an Au plating layer as the outermost layer of the plating layer 9, the solder wettability can be improved.

【００３０】そして、最終的にメッキ層にリード端子を
半田によって接合することにより、図１に示すようなリ
ード端子を接合した配線基板を作製することができる。Finally, the lead terminals are joined to the plated layer by soldering, whereby a wiring board joined with the lead terminals as shown in FIG. 1 can be manufactured.

【００３１】[0031]

【実施例】【Example】

実施例１ ＳｉＯ2 ：４４重量％、Ａｌ2 Ｏ3 ：２８重量％、Ｍｇ
Ｏ：１１重量％、ＺｎＯ：８重量％、Ｂ2 Ｏ3 ：９重量
％の組成を有する結晶性ガラス粉末６０重量％と、セラ
ミックフィラーとして、ジルコン酸カルシウム２０重量
％、チタン酸ストロンチウム１６重量％、アルミナ４重
量％からなるガラスセラミック原料粉末１００重量部に
対して、有機バインダーとしてメタクリル酸イソブチル
樹脂を固形分で１２重量部、可塑剤としてフタル酸ジブ
チルを６重量部添加し、トルエン及び酢酸エチルを溶媒
としてボールミルにより４０時間混合し、スラリーを調
整した。Example 1 SiO 2 : 44% by weight, Al 2 O 3 : 28% by weight, Mg
60% by weight of crystalline glass powder having a composition of O: 11% by weight, ZnO: 8% by weight, B 2 O 3 : 9% by weight, and 20% by weight of calcium zirconate and 16% by weight of strontium titanate as a ceramic filler. , 12 parts by weight of isobutyl methacrylate resin as an organic binder and 6 parts by weight of dibutyl phthalate as a plasticizer were added to 100 parts by weight of glass ceramic raw material powder consisting of 4% by weight of alumina, and toluene and ethyl acetate were added. Was mixed for 40 hours with a ball mill to prepare a slurry.

【００３２】得られたスラリーをドクターブレード法に
より厚さ０．３ｍｍのグリーンシートに成形した。この
シート上に、平均粒径５μｍの球状銅粉末１００重量部
と、軟化点８００℃のガラス２重量部、メタクリル酸イ
ソブチル３重量部、フタル酸ジブチル４重量部、テルピ
オネール８重量部とからなるペーストＡ、平均粒径５μ
ｍの球状銅粉末１００重量部と、ＣａＣＯ3 １重量部、
フタル酸ジブチル４重量部、テルピオネール８重量部と
からなるペーストＢの２種類を用いて、表１の条件で焼
成後のパッドの寸法が２ｍｍ×２ｍｍ（２ｍｍ□）とな
る形状に２ｍｍピッチで形成した。The obtained slurry was formed into a green sheet having a thickness of 0.3 mm by the doctor blade method. On this sheet, 100 parts by weight of spherical copper powder having an average particle diameter of 5 μm, 2 parts by weight of glass having a softening point of 800 ° C., 3 parts by weight of isobutyl methacrylate, 4 parts by weight of dibutyl phthalate, and 8 parts by weight of terpionel were formed. Paste A, average particle size 5μ
m spherical copper powder 100 parts by weight and CaCO 3 1 part by weight,
Using two kinds of paste B consisting of 4 parts by weight of dibutyl phthalate and 8 parts by weight of terpionel, the pad size after firing under the conditions of Table 1 was 2 mm × 2 mm (2 mm □) at a 2 mm pitch. Formed.

【００３３】そして、更にこのＣｕペーストのパッドパ
ターンの周辺部に上述のガラスセラミック組成物１００
重量部にメタクリル酸イソブチル６重量部、フタル酸ジ
ブチル５重量部、テルピオネール３２重量部を混合した
ペーストをスクリーン印刷した。このシートを最上層と
してシートを６枚加圧積層した成形体を作製した。Further, the glass ceramic composition 100 described above is further applied to the periphery of the pad pattern of the Cu paste.
A paste prepared by mixing 6 parts by weight of isobutyl methacrylate, 5 parts by weight of dibutyl phthalate, and 32 parts by weight of terpionel in parts by weight was screen-printed. Using this sheet as the uppermost layer, a molded body was produced by stacking 6 sheets under pressure.

【００３４】この積層成形体中の有機成分（バインダ
ー、可塑剤等）を分解除去するために水蒸気を含んだ窒
素雰囲気中で７５０℃、３時間の熱処理を行い成形体中
の残留炭素量を２００ｐｐｍ以下に低減した後、雰囲気
を乾燥窒素に切り替え９００℃で１時間の焼成を行い銅
配線のガラスセラミック基板を得た。次に、表面層の銅
メタライズパッドの露出表面に表１に示すメッキを施し
た。In order to decompose and remove organic components (binders, plasticizers, etc.) in this laminated molded body, heat treatment was carried out at 750 ° C. for 3 hours in a nitrogen atmosphere containing water vapor, and the residual carbon content in the molded body was 200 ppm. After reducing to below, the atmosphere was switched to dry nitrogen and firing was performed at 900 ° C. for 1 hour to obtain a glass ceramic substrate with copper wiring. Next, the plating shown in Table 1 was applied to the exposed surface of the copper metallized pad of the surface layer.

【００３５】このようにして作製した配線基板におい
て、メタライズパッドの周辺部は基板中に埋設され、そ
の埋め込み深さｘは平均１５μｍ、埋め込み長さｙのメ
タライズパッド短径に対する比率が１０％であった。In the wiring board thus manufactured, the peripheral portion of the metallized pad is buried in the board, the buried depth x is 15 μm on average, and the ratio of the buried length y to the minor axis of the metallized pad is 10%. It was

【００３６】得られた配線基板におけるリード端子の接
合強度を測定した。測定は、図３に示すように、メッキ
後のメタライズパッド面と平行に直径０．８ｍｍのＳｎ
メッキＣｕリード線を半田で接合し、その後、メタライ
ズパッド面に対して垂直方向にリード線を曲げ、１０ｍ
ｍ／ｍｉｎの速度でピールテストを行い、リードが剥が
れた時の最大荷重を接合強度とした。The bonding strength of the lead terminals on the obtained wiring board was measured. As shown in FIG. 3, the measurement was performed with Sn having a diameter of 0.8 mm parallel to the metallized pad surface after plating.
The plated Cu lead wire is joined with solder, and then the lead wire is bent in a direction perpendicular to the metallized pad surface, 10 m
A peel test was performed at a speed of m / min, and the maximum load when the lead was peeled off was taken as the bonding strength.

【００３７】なお、この実施例において基板として用い
たガラスセラミック材料についてＪＩＳＲ１６０１に基
づき３点曲げ強度を測定した結果、２７ｋｇ／ｍｍ2 で
あった。The three-point bending strength of the glass-ceramic material used as the substrate in this example was 27 kg / mm 2 as measured according to JIS R1601.

【００３８】[0038]

【表１】 [Table 1]

【００３９】表１の結果から明らかなように、メタライ
ズパッドの周辺部の埋設処理を行わなかった試料Ｎo.
１、８では、リード端子引張時にメタライズパッドの端
部から磁器破壊が発生し、いずれも接合強度は３ｋｇ未
満と低いものであった。As is clear from the results shown in Table 1, the sample No. in which the peripheral portion of the metallized pad was not buried.
In Nos. 1 and 8, porcelain destruction occurred from the end of the metallized pad when the lead terminal was pulled, and in both cases, the bonding strength was low, less than 3 kg.

【００４０】これに対して、本発明に基づき、メタライ
ズパッドの周辺部を埋設し露出部分にメッキ層を形成し
て半田付けすることにより、接合強度を３ｋｇ以上に向
上することができた。ただし、メタライズパッドの厚み
が１０μｍよりも薄い試料Ｎo.２、９ではメタライズ自
体の強度が低いこと、およびメタライズにピンホールが
生成しメッキ液の浸透により接合強度は３ｋｇ未満と低
く、逆に３０μｍよりも厚い試料Ｎo.７，１３では、接
合強度は高いものの、基板の反りが大きいものであっ
た。さらに、メッキ層を形成せずに半田付けを行った試
料Ｎo.２１では、メタライズパッドの半田との濡れ性が
不十分となり、半田剥がれが生じた。On the other hand, according to the present invention, the bonding strength could be improved to 3 kg or more by embedding the peripheral portion of the metallized pad, forming the plated layer on the exposed portion and soldering. However, in samples No. 2 and 9 in which the thickness of the metallized pad is thinner than 10 μm, the strength of the metallized itself is low, and the bonding strength is as low as less than 3 kg due to the penetration of the plating solution due to the formation of pinholes in the metallized, and conversely 30 μm. Samples Nos. 7 and 13, which were thicker than the above samples, had a high bonding strength but a large substrate warp. Further, in the sample No. 21 which was soldered without forming the plating layer, the wettability of the metallized pad with the solder was insufficient and solder peeling occurred.

【００４１】また、メッキ層において、合計厚みが１μ
ｍ未満の試料Ｎo.１４ではメタライズ表面全体をメッキ
層が覆うことができず、半田とメタライズとが反応して
おり、接合強度が３ｋｇ未満であり、１０μｍを越える
試料Ｎo.１８では、メッキ層形成時の応力により接合強
度が低下し、高い接合強度が得られなかった。In the plated layer, the total thickness is 1 μm.
In the case of Sample No. 14 of less than m, the plating layer could not cover the entire metallized surface, the solder and the metallization reacted, and the bonding strength was less than 3 kg. The bonding strength was lowered due to the stress during formation, and high bonding strength could not be obtained.

【００４２】実施例２ 実施例１において、パッドパターンの周辺部に絶縁ペー
ストを塗布するに際し、塗布量を変えて塗布し、最終焼
結体においてメタライズパッドの埋め込み長さｙのメタ
ライズパッドの短径（ここでは短辺）に対する比率
（％）が表２となるような種々の配線基板を作製した。
得られた配線基板に対して、実施例１と同様にして接合
強度を測定した。Example 2 In Example 1, when the insulating paste was applied to the peripheral portion of the pad pattern, the application amount was changed, and in the final sintered body, the metallized pad embedding length y was the minor axis of the metallized pad. Various wiring boards were produced such that the ratio (%) to (here, the short side) is as shown in Table 2.
The bonding strength of the obtained wiring board was measured in the same manner as in Example 1.

【００４３】[0043]

【表２】 [Table 2]

【００４４】表２の結果、埋め込み長さのメタライズパ
ッドの短径に対する比率が５〜２５％の範囲で４ｋｇ以
上の良好な接合強度を示した。As a result of Table 2, good bonding strength of 4 kg or more was shown in the range of 5 to 25% of the embedded length to the minor axis of the metallized pad.

【００４５】実施例３ 実施例１において、パッドパターンの周辺部に絶縁ペー
ストを塗布するに際し、塗布量を変えて塗布し、最終焼
結体においてメタライズパッドの埋め込み深さｘが表３
の配線基板を作製した。得られた配線基板に対して、実
施例１と同様にして接合強度を測定した。Example 3 In Example 1, when the insulating paste was applied to the peripheral portion of the pad pattern, the application amount was changed and the embedding depth x of the metallized pad in the final sintered body was shown in Table 3.
The wiring board of was produced. The bonding strength of the obtained wiring board was measured in the same manner as in Example 1.

【００４６】[0046]

【表３】 [Table 3]

【００４７】表３の結果、埋め込み深さが１０〜５０μ
ｍにおいて、４ｋｇ以上の良好な接合強度を示した。As a result of Table 3, the embedding depth is 10 to 50 μm.
In m, a good bonding strength of 4 kg or more was exhibited.

【００４８】[0048]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
ガラスセラミック基板に対して銅メタライズパッドを形
成し、そのパッドにリード端子を接合するに際し、高い
接合強度でリード端子を接合することができ、リード端
子を有する配線基板の信頼性を高めることができる。As described in detail above, according to the present invention,
When a copper metallized pad is formed on a glass ceramic substrate and the lead terminal is joined to the pad, the lead terminal can be joined with high joining strength, and the reliability of the wiring board having the lead terminal can be improved. .

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図１】本発明の配線基板におけるリード端子接合構造
を説明するための概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram for explaining a lead terminal joining structure in a wiring board of the present invention.

【図２】本発明の配線基板の製造方法を説明するための
図である。FIG. 2 is a diagram illustrating a method for manufacturing a wiring board according to the present invention.

【図３】本発明の実施例における接合強度を測定方法を
説明するための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a method for measuring the bonding strength in the example of the present invention.

【図４】従来におけるリード端子の接合構造を説明する
ための概略図である。FIG. 4 is a schematic diagram for explaining a conventional lead terminal joining structure.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

１，６ ガラスセラミック基板 ２ 銅メタライズパッド ３，９ メッキ層 ４，１０ リード端子 ５，１１ 半田 ６，８ グリーンシート ７ パッドパターン Ａ パッド端部 Ｂ メッキ層端部 1,6 Glass ceramic substrate 2 Copper metallized pad 3,9 Plating layer 4,10 Lead terminal 5,11 Solder 6,8 Green sheet 7 Pad pattern A Pad edge B Plating layer edge

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項１】ガラスセラミック焼結体からなる絶縁基板
の表面にリード端子と接続するための銅メタライズパッ
ドを具備する配線基板であって、前記銅メタライズパッ
ドの厚みが１０〜３０μｍであり、前記銅メタライズパ
ッドの周辺部を前記絶縁基板内に埋め込むとともに、該
銅メタライズパッドの露出部に１〜１０μｍのメッキ層
を形成し、さらに半田によりリード端子を接合したこと
を特徴とする配線基板。1. A wiring board having a copper metallized pad for connecting to a lead terminal on a surface of an insulating substrate made of a glass ceramic sintered body, wherein the copper metallized pad has a thickness of 10 to 30 μm. A wiring board, wherein a peripheral portion of a copper metallized pad is embedded in the insulating substrate, a plated layer of 1 to 10 μm is formed on an exposed portion of the copper metallized pad, and lead terminals are joined by soldering. 【請求項２】前記銅メタライズパッドの短径に対する前
記絶縁基板内に埋め込まれた部分の埋め込み長さの比率
が５〜２５％であることを特徴とする請求項１記載の配
線基板。2. The wiring board according to claim 1, wherein the ratio of the embedded length of the portion embedded in the insulating substrate to the minor axis of the copper metallized pad is 5 to 25%. 【請求項３】前記銅メタライズパッドの前記絶縁基板内
へ埋め込まれた部分の埋め込み深さが１０〜５０μｍで
あることを特徴とする請求項１記載の配線基板。3. The wiring board according to claim 1, wherein an embedded depth of a portion of the copper metallized pad embedded in the insulating substrate is 10 to 50 μm.
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Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005286303A (en) * 2004-03-05 2005-10-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Laminated ceramic substrate and method of manufacturing same
JP2007250564A (en) * 2006-03-13 2007-09-27 Mitsubishi Electric Corp Ceramic circuit module and method of manufacturing same
KR100893894B1 (en) * 2003-02-20 2009-04-20 삼성전자주식회사 Print head of ink-jet printer and fabrication method therefor
JP2009147157A (en) * 2007-12-14 2009-07-02 Hitachi Metals Ltd Multilayer ceramic substrate and manufacturing method thereof, and electronic component
JP2009182238A (en) * 2008-01-31 2009-08-13 Mitsubishi Electric Corp Ceramic package and its manufacturing method
JP2011023691A (en) * 2009-07-16 2011-02-03 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Ceramic substrate and method of manufacturing the same
US8225502B2 (en) 2007-04-17 2012-07-24 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Wiring board manufacturing method
JP2014003044A (en) * 2012-05-22 2014-01-09 Murata Mfg Co Ltd Multilayer substrate and manufacturing method thereof
WO2014156393A1 (en) * 2013-03-27 2014-10-02 株式会社村田製作所 Insulating ceramic paste, ceramic electronic component and method for producing same
JP2018037447A (en) * 2016-08-29 2018-03-08 日本特殊陶業株式会社 Method for manufacturing ceramic wiring board
WO2021256561A1 (en) * 2020-06-18 2021-12-23 株式会社村田製作所 Electronic component and method for manufacturing electronic component

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100893894B1 (en) * 2003-02-20 2009-04-20 삼성전자주식회사 Print head of ink-jet printer and fabrication method therefor
JP2005286303A (en) * 2004-03-05 2005-10-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd Laminated ceramic substrate and method of manufacturing same
JP2007250564A (en) * 2006-03-13 2007-09-27 Mitsubishi Electric Corp Ceramic circuit module and method of manufacturing same
US8225502B2 (en) 2007-04-17 2012-07-24 Shinko Electric Industries Co., Ltd. Wiring board manufacturing method
JP2009147157A (en) * 2007-12-14 2009-07-02 Hitachi Metals Ltd Multilayer ceramic substrate and manufacturing method thereof, and electronic component
JP2009182238A (en) * 2008-01-31 2009-08-13 Mitsubishi Electric Corp Ceramic package and its manufacturing method
JP2011023691A (en) * 2009-07-16 2011-02-03 Samsung Electro-Mechanics Co Ltd Ceramic substrate and method of manufacturing the same
JP2014003044A (en) * 2012-05-22 2014-01-09 Murata Mfg Co Ltd Multilayer substrate and manufacturing method thereof
WO2014156393A1 (en) * 2013-03-27 2014-10-02 株式会社村田製作所 Insulating ceramic paste, ceramic electronic component and method for producing same
JP5880780B2 (en) * 2013-03-27 2016-03-09 株式会社村田製作所 Insulating ceramic paste, ceramic electronic component and manufacturing method thereof
US9974168B2 (en) 2013-03-27 2018-05-15 Murata Manufacturing Co., Ltd. Insulating ceramic paste, ceramic electronic component, and method for producing the same
US10292264B2 (en) 2013-03-27 2019-05-14 Murata Manufacturing Co., Ltd. Insulating ceramic paste, ceramic electronic component, and method for producing the same
JP2018037447A (en) * 2016-08-29 2018-03-08 日本特殊陶業株式会社 Method for manufacturing ceramic wiring board
WO2021256561A1 (en) * 2020-06-18 2021-12-23 株式会社村田製作所 Electronic component and method for manufacturing electronic component

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