JPH09292607A - Liquid crystal display device and its production - Google Patents

Liquid crystal display device and its production

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JPH09292607A
JPH09292607A JP10802196A JP10802196A JPH09292607A JP H09292607 A JPH09292607 A JP H09292607A JP 10802196 A JP10802196 A JP 10802196A JP 10802196 A JP10802196 A JP 10802196A JP H09292607 A JPH09292607 A JP H09292607A
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JP
Japan
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liquid crystal
display device
crystal display
light
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP10802196A
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Japanese (ja)
Inventor
Hideo Yamanaka
英雄 山中
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Publication of JPH09292607A publication Critical patent/JPH09292607A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To improve display quality by preventing light drop-out, etc., by domain at an ITO(indium-tin.oxide) end face. SOLUTION: This device is provided with a wiring region 20, thin film transistors(TFT) 6 switching-driving respective pixel parts formed at an intersection part of the wiring region 20 and ITO films (pixel electrode) 5 connected to the drains (D) of the TFTs 6 via a contact part 21 and, further, a guard ring electrode 22 is formed in the wiring region 20 containing the TFTs 6. Driving voltage which forms a liquid crystal black mask C by making a liquid crystal always in a light shielding state by a prescribed method is applied to the guard ring electrode 22. Thus formation of the black mask which was formerly necessary is unnecessary.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、例えばカメラ一体
型VTRや液晶プロジエクタ等に用いられる液晶表示装
置およびその製造方法に関し、更に詳しくは、ブラック
マスク領域の形成方法を改良した液晶表示装置およびそ
の製造方法に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device used in, for example, a camera-integrated VTR or a liquid crystal projector, and a method for manufacturing the same, and more specifically, a liquid crystal display device having an improved method for forming a black mask region and the same. The present invention relates to a manufacturing method.

【0002】[0002]

【従来の技術】液晶表示装置はフラットな構造や低消費
電力に特徴があり、カメラ一体型VTRや液晶プロジェ
クタに代表される液晶表示装置付き電子機器へと実用化
され普及している。液晶表示装置に要求される耐光性能
において、カメラ一体型VTRのEVF(Electronic Vi
ew Finder)では入射光量が少ないため問題とならない
が、液晶プロジェクタに使用される場合には入射光量が
非常に大きいため、薄膜トランジスタ上部からの光リー
クや駆動基板裏面からの反射光によるリーク電流による
コントラスト不良、およびドライバ回路の動作不良(V
th変動)が発生し易いという問題点がある。そこで、
駆動基板および対向基板の光抜けし易い部分にブラック
マスクを配設する方法が採られている。
2. Description of the Related Art Liquid crystal display devices are characterized by a flat structure and low power consumption, and have been put to practical use and spread to electronic equipment with a liquid crystal display device represented by a camera-integrated VTR and a liquid crystal projector. In terms of the light resistance required for liquid crystal display devices, a camera-integrated VTR EVF (Electronic Vi
(e w Finder) does not cause a problem because the amount of incident light is small, but when used in a liquid crystal projector, the amount of incident light is very large, so contrast due to light leakage from the top of the thin film transistor and leakage current due to reflected light from the back surface of the driving substrate. Failure and malfunction of driver circuit (V
There is a problem that (th variation) is likely to occur. Therefore,
A method is adopted in which a black mask is arranged on the portions of the drive substrate and the counter substrate where light easily escapes.

【0003】図5は従来の液晶表示装置の基本的な断面
構造を示す図であり、図5(a)における液晶表示装置
の第1例は、駆動基板1および対向基板2から構成され
る。対向基板2の画素仕切り部には、遮光を目的とした
ブラックマスク3が設けられている。このブラックマス
ク3はスパッタリング法により形成したCr膜等をパタ
ーンエッチングする方法、黒色染料を塗布して形成した
薄膜を露光してパターニングする方法等により形成され
る。ブラックマスク3によって区分けされた画素部分に
はR、G、Bのカラーフィルタ(カラー液晶パネルの場
合)4が染色法、顔料分散法等により形成されている。
対向基板2の対向電極としてITO膜(Indium-Tin Oxid
e)5が形成されて構成される。
FIG. 5 is a view showing a basic cross-sectional structure of a conventional liquid crystal display device. A first example of the liquid crystal display device in FIG. 5A is composed of a drive substrate 1 and a counter substrate 2. A black mask 3 is provided in the pixel partition portion of the counter substrate 2 for the purpose of shielding light. The black mask 3 is formed by a method of pattern etching a Cr film or the like formed by a sputtering method, a method of exposing and patterning a thin film formed by applying a black dye, and the like. R, G, and B color filters (in the case of a color liquid crystal panel) 4 are formed in the pixel portion divided by the black mask 3 by a dyeing method, a pigment dispersion method, or the like.
An ITO film (Indium-Tin Oxid) is used as a counter electrode of the counter substrate 2.
e) 5 is formed and configured.

【0004】駆動基板1には、各画素電極を駆動する薄
膜トランジスタ(Thin Film Transistor:以下、単に「T
FT」と記す)6や保持容量7が形成され、1PSG
(リンシリケートガラス)膜8や2PSG膜9が形成さ
れている。その上にはAl配線10や保護膜であるP−
SiN11、平坦化膜12とともにITO膜5が形成さ
れている。そして、TFT6とITO膜5とはコンタク
トホール13によって接続されている。
A thin film transistor (hereinafter, simply referred to as "T") for driving each pixel electrode is formed on the driving substrate 1.
6) and a storage capacitor 7 are formed, and 1PSG
A (phosphosilicate glass) film 8 and a 2PSG film 9 are formed. On top of that, the Al wiring 10 and the protective film P-
The ITO film 5 is formed together with the SiN 11 and the flattening film 12. The TFT 6 and the ITO film 5 are connected by the contact hole 13.

【0005】図5(b)における液晶表示装置の第2例
は、駆動基板1側にオンチップブラックマスクOCB(O
n Chip Black) が形成された例である。すなわち、前述
と同様にして形成されたP−SiN11上およびコンタ
クトホール13部には、遮光を目的としたオンチップブ
ラックマスク3′が例えばAl、Ti、Moによって形
成されている。これら駆動基板1および対向基板2は所
定の間隙(数μm)を保持して対向配置され、これらの
間隙には液晶14が挟持されて封止固定されている。こ
れら基板の両面には、偏光板(図示せず)が偏波面を略
90度回転して積層されている。かかる構造を有する液
晶表示装置はノーマリーホワイトのアクティブマトリク
ス型と呼ばれる。なお、本発明の対象となる液晶表示装
置はこのアクティブマトリクス型に限られるものではな
く、単に例示したにすぎない。
In the second example of the liquid crystal display device shown in FIG. 5B, an on-chip black mask OCB (O
n Chip Black) is formed. That is, an on-chip black mask 3'for light shielding is formed on the P-SiN 11 and the contact hole 13 formed in the same manner as described above, for example, with Al, Ti, Mo. The drive substrate 1 and the counter substrate 2 are arranged opposite to each other with a predetermined gap (several μm) held therebetween, and the liquid crystal 14 is sandwiched and fixed in these gaps. Polarizing plates (not shown) are laminated on both surfaces of these substrates by rotating the plane of polarization by approximately 90 degrees. A liquid crystal display device having such a structure is called a normally white active matrix type. The liquid crystal display device to which the present invention is applied is not limited to this active matrix type, but is merely an example.

【0006】かかる構成の液晶表示装置の動作を簡潔に
説明する。
The operation of the liquid crystal display device having such a configuration will be briefly described.

【0007】前述の駆動基板1および対向基板2の界面
には、液晶分子が界面に沿って平行に配向するようにラ
ビング処理(図示せず)がなされており、注入された液
晶分子はこのラビング処理によって90度捩じれて配向
する。液晶分子は旋光性を有しており、電圧を印加しな
い通常状態ではバックライト(図示省略)が照射した光
が液晶分子軸に沿って伝搬し、対向基板に形成されたカ
ラーフィルタ(カラー液晶パネルの場合)に応じた発色
を行う。一方、液晶表示装置に閾値以上の電圧を印加す
ると、液晶分子は電圧印加方向に捩じれて倒立し、旋光
性が失われて光は遮断され黒表示となる。そして、印加
された電圧レベルに応じて透過光を制御するシャッタ動
作で画像表示における階調制御を行う。
The interface between the drive substrate 1 and the counter substrate 2 is subjected to a rubbing treatment (not shown) so that the liquid crystal molecules are aligned in parallel along the interface, and the injected liquid crystal molecules are rubbed. The treatment twists and makes an orientation of 90 degrees. The liquid crystal molecules have optical rotatory power, and in a normal state in which no voltage is applied, light emitted by a backlight (not shown) propagates along the liquid crystal molecule axis, and a color filter (color liquid crystal panel) formed on the counter substrate. In the case of), color development is performed according to. On the other hand, when a voltage equal to or higher than the threshold value is applied to the liquid crystal display device, the liquid crystal molecules are twisted in the voltage application direction and inverted, the optical activity is lost and the light is cut off to display black. Then, the gradation control in the image display is performed by the shutter operation that controls the transmitted light according to the applied voltage level.

【0008】ところで、従来の液晶表示装置では、遮光
を目的として対向基板2のTFT相当部や光抜けし易い
部分にブラックマスク3が、駆動基板1のTFT上部な
どにはオンチップブラックマスク3′が形成されている
が、ブラックマスク3やオンチップブラックマスク3′
を形成するための工程が増えることになり、そのため生
産コストが上昇するという不具合点がある。特に、入射
光量が大きい液晶プロジェクタに使用される液晶表示装
置においては、入射光および対向基板面からの反射光に
よる光リーク低減のため、駆動基板に形成されたAl等
の信号線(図5(c)参照)上に、Ti、W、およびM
o金属(コンタクト抵抗やエッチング性等を考慮して主
にTiが用いられる)を積層している。周知のようにこ
のTi金属膜は活性であるため、コンタクトホール開口
時のO2 アッシングで酸化膜が形成されてコンタクト抵
抗が大きくなるため、ITO膜形成前にTi層によるラ
イトエッチングを行っているが、このTi層の段切れに
よるコンタクト不良(オープンの輝点欠陥となる)が発
生し易いという不具合点がある。
By the way, in the conventional liquid crystal display device, a black mask 3 is provided on a portion corresponding to the TFT of the counter substrate 2 or a portion where light is easily leaked, and an on-chip black mask 3'is provided on the upper portion of the TFT of the drive substrate 1 for the purpose of shielding light. Are formed, the black mask 3 and the on-chip black mask 3 '
However, the number of steps for forming the film is increased, which results in an increase in production cost. In particular, in a liquid crystal display device used in a liquid crystal projector having a large amount of incident light, a signal line such as Al formed on a drive substrate (see FIG. 5 ( c))), Ti, W, and M
o Metal (Ti is mainly used in consideration of contact resistance and etching property) is laminated. As is well known, since this Ti metal film is active, an oxide film is formed by O 2 ashing at the time of opening a contact hole to increase the contact resistance. Therefore, light etching is performed by the Ti layer before forming the ITO film. However, there is a problem that a contact failure (which becomes an open bright point defect) is likely to occur due to the step breakage of the Ti layer.

【0009】図6における駆動電圧が印加されたときの
液晶分子の配向状態において、先ず、図6(a)の駆動
基板1にオンチップブラックマスク3′が形成された場
合、ITO膜5端面での横方向電界の発生によって、液
晶分子のチルト方向が電界に沿った方向に傾きドメイン
が形成されることになる。こうして形成されたドメイン
に斜め入射光Bが進入して光抜けを発生し易い。また、
同図(b)の対向基板2にブラックマスク3が形成され
た場合においても、同様にITO膜5端面での横方向電
界の発生によってドメインが形成され、これにより、斜
め入射光Bが進入して若干の光抜けを起こすという問題
点がある。
In the alignment state of the liquid crystal molecules when the drive voltage is applied in FIG. 6, first, when the on-chip black mask 3'is formed on the drive substrate 1 in FIG. When the horizontal electric field is generated, the tilt direction of the liquid crystal molecules is tilted along the electric field to form a domain. The obliquely incident light B easily enters the domain formed in this way, causing light leakage. Also,
Even when the black mask 3 is formed on the counter substrate 2 of FIG. 6B, a domain is formed by the generation of a lateral electric field at the end face of the ITO film 5 as a result, and the oblique incident light B enters. Therefore, there is a problem that some light leakage occurs.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】本発明はかかる問題点
に鑑みてなされたもので、その課題は、遮光を目的とし
て対向基板や駆動基板にブラックマスクを形成しなけれ
ばならないことによる、生産コスト上昇、対向基板にブ
ラックマスクを形成することによる貼り合わせ擦れによ
る開口率の低下、およびITO端面でのドメインによる
光抜け等を防止して表示品質の向上を図った液晶表示装
置およびその製造方法を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and the problem is that the production cost is increased because a black mask must be formed on a counter substrate or a drive substrate for the purpose of shielding light. A liquid crystal display device and a method of manufacturing the same that prevent the rise of the aperture ratio, the reduction of the aperture ratio due to the rubbing of the bonding due to the formation of a black mask on the counter substrate, and the light leakage due to the domain at the ITO end face are improved. Is to provide.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上述した本発明の課題を
解決するために以下の手段を講じた。すなわち、本発明
の基本的な構成として、複数の画素電極が形成された駆
動基板と、対向基板と、これらの間隙に挟持された液晶
とを含んで成る液晶表示装置において、駆動基板および
対向基板の少なくとも一方には、液晶を常時遮光状態と
する所定の隙間で画素電極を囲む遮光電極手段(ガード
リング電極)を形成して構成する。
In order to solve the above-mentioned problems of the present invention, the following means have been taken. That is, as a basic configuration of the present invention, in a liquid crystal display device including a drive substrate on which a plurality of pixel electrodes are formed, a counter substrate, and liquid crystal sandwiched between these gaps, the drive substrate and the counter substrate are provided. At least one of them is formed by forming a light-shielding electrode means (guard ring electrode) surrounding the pixel electrode with a predetermined gap that keeps the liquid crystal in a light-shielding state at all times.

【0012】上述した本発明の液晶表示装置の製造は、
以下の工程により行われる。すなわち、複数の画素電極
が形成された駆動基板と、対向基板と、これらの間隙に
挟持された液晶とを含んで成る液晶表示装置の製造方法
において、駆動基板および対向基板の少なくとも一方に
は、液晶を常時遮光状態とする所定の隙間で画素電極を
囲む遮光電極手段を形成する工程と、この遮光電極手段
と隣接する画素電極との隙間を埋める不透明手段を形成
する工程とを含んで行う。
The manufacture of the liquid crystal display device of the present invention described above
The following steps are performed. That is, in a method of manufacturing a liquid crystal display device including a drive substrate on which a plurality of pixel electrodes are formed, a counter substrate, and liquid crystal sandwiched between these gaps, at least one of the drive substrate and the counter substrate is It includes a step of forming a light-shielding electrode means surrounding the pixel electrode with a predetermined gap that keeps the liquid crystal always in a light-shielding state, and a step of forming an opaque means for filling a gap between the light-shielding electrode means and an adjacent pixel electrode.

【0013】第2の発明の液晶表示装置は、マトリクス
状に配置された画素電極と、画素電極に接続され、画素
電極を駆動する薄膜トランジスタを備えた駆動基板と、
駆動基板と所定の間隙を有して対向配置された対向基板
と、これらの間隙に挟持された液晶とを有する液晶表示
装置において、駆動基板の界面部には、薄膜トランジス
タ形成領域を含み、互いに隣接する画素電極との間の配
線領域に、液晶を常時遮光状態とする遮光電極手段を備
えて構成する。
A liquid crystal display device according to a second aspect of the present invention includes a pixel electrode arranged in a matrix and a driving substrate provided with a thin film transistor connected to the pixel electrode and driving the pixel electrode.
In a liquid crystal display device having a counter substrate which is arranged to face the drive substrate with a predetermined gap, and a liquid crystal sandwiched in these gaps, an interface portion of the drive substrate includes a thin film transistor formation region and is adjacent to each other. In the wiring area between the pixel electrode and the pixel electrode, the light shielding electrode means for keeping the liquid crystal in the light shielding state is provided.

【0014】第2の発明の液晶表示装置の製造は、次の
工程により行われる。マトリクス状に配置された画素電
極と、画素電極に接続されるとともに画素電極を駆動す
る薄膜トランジスタを備えた駆動基板と、駆動基板と所
定の間隙を有して対向配置された対向基板と、これらの
間隙に挟持された液晶とを有する液晶表示装置の製造方
法において、薄膜トランジスタ上にメタル等のブラック
マスクを形成する工程と、薄膜トランジスタ形成領域を
含んで互いに隣接する画素電極との間の配線領域に、液
晶を常時遮光状態とする遮光電極手段を形成する工程と
を含む。
The liquid crystal display device of the second invention is manufactured by the following steps. Pixel electrodes arranged in a matrix, a driving substrate including thin film transistors connected to the pixel electrodes and driving the pixel electrodes, an opposite substrate arranged to face the driving substrate with a predetermined gap, and In a method for manufacturing a liquid crystal display device having a liquid crystal sandwiched in a gap, a step of forming a black mask such as metal on a thin film transistor, and a wiring region between pixel electrodes adjacent to each other including a thin film transistor formation region, Forming a light-shielding electrode means for keeping the liquid crystal in a light-shielding state at all times.

【0015】本発明の液晶表示装置およびその製造方法
によれば、駆動基板および対向基板の少なくとも一方の
画素電極以外の周辺領域、または薄膜トランジスタ形成
領域を含んだ隣接する画素電極との間の配線領域に、液
晶を常時遮光状態として液晶ブラックマスクを形成する
ガードリング電極を形成したため、斜め光を含む入射光
や対向基板からの反射光が遮断される。これにより、従
来必要としていたブラックマスクの形成が不要となり、
製造工程の簡略化を図ることができる。また、ガードリ
ング電極によって液晶ブラックマスクを形成しているた
め、隣接画素電位との横方向電界が発生せず、ドメイン
による光抜け等の発生が抑えられ、コントラスト比を向
上することができる。
According to the liquid crystal display device and the method of manufacturing the same of the present invention, the peripheral region other than the pixel electrode of at least one of the driving substrate and the counter substrate, or the wiring region between adjacent pixel electrodes including the thin film transistor forming region. In addition, since the guard ring electrode for forming the liquid crystal black mask is formed with the liquid crystal always kept in the light-shielding state, incident light including oblique light and reflected light from the counter substrate are blocked. This eliminates the need for a black mask, which was previously required,
The manufacturing process can be simplified. Further, since the liquid crystal black mask is formed by the guard ring electrodes, a horizontal electric field with respect to the potential of the adjacent pixel is not generated, light leakage due to domains is suppressed, and the contrast ratio can be improved.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の具体的実施の形態
例につき添付図面を参照して説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Specific embodiments of the present invention will be described below with reference to the accompanying drawings.

【0017】実施の形態例1 先ず、図1および図2を参照して本発明の液晶表示装置
の第1の実施例を説明する。図1は本発明の液晶表示装
置の実施の形態例1における1画素領域を示す図であ
り、(a)はノーマリーホワイトのアクティブマトリク
ス型液晶表示装置の平面図、(b)は同液晶表示装置の
薄膜トランジスタのオフ状態を示す断面図、(c)は同
液晶表示装置の薄膜トランジスタのオン状態を示す断面
図である。図2は本発明の液晶表示装置の第1の実施例
の効果を説明する断面図である。なお、従来技術で記載
した事項と共通する部分には、以降も同一参照符合を付
すものとする。
First Embodiment First, a first embodiment of the liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. 1A and 1B are views showing one pixel region in a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention. FIG. 1A is a plan view of a normally white active matrix liquid crystal display device, and FIG. FIG. 3C is a sectional view showing an off state of a thin film transistor of the device, and FIG. 7C is a sectional view showing an on state of the thin film transistor of the liquid crystal display device. FIG. 2 is a sectional view for explaining the effect of the first embodiment of the liquid crystal display device of the present invention. It should be noted that parts common to those described in the related art will be given the same reference numerals hereafter.

【0018】この表示装置は、駆動基板1に形成された
信号線や走査線の配線領域20(一例として線幅6μ
m)、配線領域20の交差部には各画素部をスイッチン
グ駆動するTFT6が配設され、TFT6のソース、ゲ
ート電極は、配線領域20によって所定ラインに接続さ
れ、TFT6のドレイン(D)は、コンタクト部21を
介して画素電極であるITO膜5に接続されている。更
に、TFT6を包含する配線領域20には、本発明の特
徴事項として、遮光電極手段たるガードリング電極22
が例えば線幅2μmでITO膜5と同一材料で同一面上
に形成されている。このガードリング電極22には所定
の方法にて液晶を常時遮光状態とする駆動電圧が印加さ
れている。
This display device has a wiring area 20 for signal lines and scanning lines formed on the drive substrate 1 (a line width of 6 μm as an example).
m), the TFT 6 for switching and driving each pixel portion is arranged at the intersection of the wiring region 20, the source and gate electrodes of the TFT 6 are connected to a predetermined line by the wiring region 20, and the drain (D) of the TFT 6 is It is connected to the ITO film 5, which is a pixel electrode, via the contact portion 21. Further, in the wiring region 20 including the TFT 6, a guard ring electrode 22 as a light shielding electrode means is provided as a feature of the present invention.
Is formed on the same surface with the same material as the ITO film 5 with a line width of 2 μm, for example. A drive voltage for keeping the liquid crystal in a light-shielding state is applied to the guard ring electrode 22 by a predetermined method.

【0019】すなわち、このガードリング電極22にV
スタートパルスやフィードパルス等の駆動電圧を印加し
たり、またはガードリング電極22はアース端子に接続
しておき、対向基板2のITO膜5に印加されるコモン
電圧(1H毎に反転する電圧)などの方法により駆動さ
れる。本発明のガードリング電極22の駆動方法は、上
述した方法に限ることなく、同様の働きをする他の方法
を用いても良いことは論を待たない。以下にTFT6の
オン・オフ時の動作状態を順次説明する。
That is, V is applied to the guard ring electrode 22.
A drive voltage such as a start pulse or a feed pulse is applied, or the guard ring electrode 22 is connected to a ground terminal, and a common voltage (voltage that inverts every 1H) applied to the ITO film 5 of the counter substrate 2 or the like. It is driven by the method. It is needless to say that the method of driving the guard ring electrode 22 of the present invention is not limited to the above-described method, and another method having the same function may be used. The operating states of the TFT 6 when it is turned on and off will be sequentially described below.

【0020】図1(b)の薄膜トランジスタのオフ状態
において、駆動基板1のTFT6部(同図左)には、通
常のITO膜5とともに本発明のガードリング電極22
が形成されている。ITO膜5とガードリング電極22
との隙間には光を完全に遮光するためのAl配線10が
形成されている。同様に、画素電極間の配線部(同図
右)には、ガードリング電極22が隣接する画素電極間
に形成され、その隙間にはAl配線10が形成されてい
る。そして、このようにガードリング電極22の形成さ
れた液晶表示装置に入射光Aが照射された場合、ガード
リング電極22部分は常時液晶ブラックマスクCを形成
して遮光され、画素電極部はオフ電圧であるため、対向
基板2のITO膜5と同電位となり光は透過する。
When the thin film transistor of FIG. 1B is in the OFF state, the guard ring electrode 22 of the present invention is provided together with the ordinary ITO film 5 in the TFT 6 portion (left side of FIG. 1) of the drive substrate 1.
Are formed. ITO film 5 and guard ring electrode 22
An Al wiring 10 for completely blocking light is formed in the gap between and. Similarly, a guard ring electrode 22 is formed between adjacent pixel electrodes in the wiring portion between the pixel electrodes (on the right in the figure), and an Al wiring 10 is formed in the gap. When the incident light A is applied to the liquid crystal display device in which the guard ring electrode 22 is thus formed, the guard ring electrode 22 portion is always shielded by forming the liquid crystal black mask C and the pixel electrode portion is turned off. Therefore, the potential is the same as that of the ITO film 5 of the counter substrate 2 and light is transmitted therethrough.

【0021】同図(c)の薄膜トランジスタのオン状態
において、駆動基板1のTFT6部(同図左)には、同
様に本発明のガードリング電極22が形成され、ITO
膜5とガードリング電極22との隙間には光を完全に遮
光するためのAl配線10が形成されている。画素電極
間の配線部(同図右)では、隣接する画素電極間にガー
ドリング電極22が形成され、その隙間にはAl配線1
0が形成されている。そして、このように常時液晶ブラ
ックマスクCを形成して遮光するガードリング電極22
の形成された液晶表示装置に入射光Aが照射された場
合、画素電極部はオン電圧である(画素電極の電圧が低
下し、対向基板間に電圧印加される)ため遮光される。
In the ON state of the thin film transistor of FIG. 2C, the guard ring electrode 22 of the present invention is similarly formed on the TFT 6 portion (left side of FIG. 3) of the drive substrate 1 to form ITO.
An Al wiring 10 for completely blocking light is formed in a gap between the film 5 and the guard ring electrode 22. In the wiring portion between the pixel electrodes (on the right in the figure), the guard ring electrode 22 is formed between the adjacent pixel electrodes, and the Al wiring 1 is provided in the gap.
0 is formed. Then, the guard ring electrode 22 that always forms the liquid crystal black mask C and shields light in this way
When the incident light A is applied to the formed liquid crystal display device, the pixel electrode portion is shielded from light because it has an on-voltage (the voltage of the pixel electrode decreases and a voltage is applied between the opposing substrates).

【0022】図6に示した従来の液晶表示装置におい
て、一つの画素部のTFT6がオン状態となると液晶1
4は遮光されるが、隣接する画素部のTFT6がオフ状
態(対向基板と同電圧)のとき、横方向の電界よるドメ
インが発生して光リークとなり、コントラスト低下を招
いていた。これに対して、図2の本発明のガードリング
電極22では、各画素部の周囲に液晶の壁、すなわち液
晶ブラックマスクCが形成されるため、横方向の電界は
発生しなくなる。これにより、ドメインが発生せず、斜
め入射光Bに対しても光リークが発生しない。但し、画
素電極とガードリング電極間の隙間にAl配線10など
によるメタル遮光マスクDを形成することが必要とな
る。このように本発明の液晶表示装置によれば、通常の
金属膜によるブラックマスクを廃止することができてコ
ストダウンが図られるとともに、コントラスト比の優れ
た液晶表示装置が実現される。
In the conventional liquid crystal display device shown in FIG. 6, when the TFT 6 in one pixel portion is turned on, the liquid crystal 1
No. 4 was shielded from light, but when the TFT 6 in the adjacent pixel portion was in the off state (same voltage as the counter substrate), a domain was generated by the electric field in the lateral direction, resulting in light leakage, resulting in a decrease in contrast. On the other hand, in the guard ring electrode 22 of the present invention shown in FIG. 2, since the liquid crystal wall, that is, the liquid crystal black mask C is formed around each pixel portion, the horizontal electric field is not generated. As a result, no domain is generated and no light leak occurs even with respect to the obliquely incident light B. However, it is necessary to form the metal light-shielding mask D by the Al wiring 10 or the like in the gap between the pixel electrode and the guard ring electrode. As described above, according to the liquid crystal display device of the present invention, it is possible to eliminate the usual black mask made of a metal film, reduce costs, and realize a liquid crystal display device having an excellent contrast ratio.

【0023】実施の形態例2 次に、図3を参照して本発明の液晶表示装置の第2の実
施例を説明する。図3は本発明の液晶表示装置の実施の
形態例2における1画素領域を示す図であり、(a)は
多結晶シリコン(Poly-Si) 型液晶表示装置の平面図、
(b)同液晶表示装置の遮光にAl配線を併用したE−
E′部の断面図、(c)は同液晶表示装置の遮光にAl
配線を併用したF−F′部の断面図である。
Second Embodiment Next, a second embodiment of the liquid crystal display device of the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a diagram showing one pixel region in the second embodiment of the liquid crystal display device of the present invention, (a) is a plan view of a polycrystalline silicon (Poly-Si) type liquid crystal display device,
(B) E- which uses Al wiring for light shielding of the liquid crystal display device
A cross-sectional view of the E'section, (c) shows Al for light shielding of the liquid crystal display device.
FIG. 9 is a cross-sectional view of a portion FF ′ in which wiring is also used.

【0024】この表示装置は、駆動基板1に配設された
配線領域20交差部に形成されたTFT6、TFT6の
ドレイン等に接続された画素電極たるITO膜5により
概略構成される。本例のガードリング電極の詳細につい
て以下に説明する。
This display device is roughly constituted by the TFT 6 formed at the intersection of the wiring regions 20 arranged on the drive substrate 1, and the ITO film 5 serving as a pixel electrode connected to the drain of the TFT 6 or the like. Details of the guard ring electrode of this example will be described below.

【0025】図3(b)、(c)に示した液晶表示装置
は、駆動基板1上に成膜された1Poly24、1Po
ly24に接続して形成されたドレイン電極兼遮光膜と
なるAl配線10、1Polyのパターニング後にゲー
ト酸化膜等を介して成膜された2Poly25、2Po
ry25のパターニング後に形成された絶縁手段として
の第1PSG膜8および第2PSG膜9(BSGでも良
い)、平坦化膜12、ITO膜5および隣接画素のIT
O膜5′の間に所定の線幅を有して形成されたガードリ
ング電極22によって構成される。
The liquid crystal display device shown in FIGS. 3B and 3C has 1Poly 24 and 1Po formed on the driving substrate 1.
2Poly25, 2Po formed through a gate oxide film or the like after patterning of the Al wiring 10, 1Poly which is connected to ly24 and serves as a drain electrode and a light shielding film
The first PSG film 8 and the second PSG film 9 (which may be BSG), the flattening film 12, the ITO film 5 and the IT of the adjacent pixel, which are formed after the patterning of ry25, are provided as the insulating means.
The guard ring electrode 22 is formed between the O films 5'with a predetermined line width.

【0026】対向基板2には全面にITO膜5が形成さ
れ、駆動基板1および対向基板2のITO膜上にはポリ
イミド膜やポリビニルアルコール等の配向膜(図示省
略)が塗布形成されてラビング処理が成されている。
An ITO film 5 is formed on the entire surface of the counter substrate 2, and an alignment film (not shown) such as a polyimide film or polyvinyl alcohol is applied and formed on the ITO films of the drive substrate 1 and the counter substrate 2 for rubbing treatment. Has been done.

【0027】そして、ガードリング電極22およびAl
配線10からなる遮光部の形成された液晶表示装置に入
射光Aが照射された場合、前述のようにTFTオフ時は
画素電極部のみが透過し、TFTオン時は遮光部および
画素電極部共に遮光される。このとき、本例の液晶表示
装置によれば、Al配線10によってガードリング電極
22と画素電極の隙間を遮光するための遮光膜を兼用し
ているため、新たにブラックマスクを形成する必要がな
く製造コストの削減が図られる。
Then, the guard ring electrode 22 and Al
When the incident light A is applied to the liquid crystal display device in which the light shielding portion including the wiring 10 is formed, only the pixel electrode portion is transmitted when the TFT is off and both the light shielding portion and the pixel electrode portion are transmitted when the TFT is on, as described above. It is shielded from light. At this time, according to the liquid crystal display device of the present example, since the Al wiring 10 also serves as a light shielding film for shielding the gap between the guard ring electrode 22 and the pixel electrode, it is not necessary to newly form a black mask. Manufacturing cost can be reduced.

【0028】実施の形態例3 本実施の形態例は、本発明をノーマリーホワイトの単純
マトリクス型液晶表示装置に応用した例であり、これを
図4を参照して説明する。図4は本発明の液晶表示装置
の実施の形態例3における2画素領域を示す図であり、
(a)は単純マトリクス型液晶表示装置の駆動基板の平
面図およびG−G′部の断面図、(b)は同液晶表示装
置の対向基板の平面図およびH−H′部の断面図、
(c)は同液晶表示装置の動作を説明するための断面図
である。なお、駆動基板1および対向基板2上のポリイ
ミド配向膜形成とラビング処理は従来通りでありここで
の説明は省略する。
Embodiment 3 This embodiment is an example in which the present invention is applied to a normally white simple matrix type liquid crystal display device, which will be described with reference to FIG. FIG. 4 is a diagram showing a two-pixel region in the third embodiment of the liquid crystal display device of the present invention,
(A) is a plan view of a drive substrate of a simple matrix type liquid crystal display device and a cross-sectional view of GG 'part, (b) is a plan view of a counter substrate of the liquid crystal display device and a cross-sectional view of H-H' part,
FIG. 6C is a sectional view for explaining the operation of the liquid crystal display device. The formation of the polyimide alignment film on the drive substrate 1 and the counter substrate 2 and the rubbing process are the same as those in the related art, and the description thereof is omitted here.

【0029】この表示装置は、例えば駆動基板1および
対向基板2に配設された画素電極となるITO膜5、駆
動基板1には本発明の特徴部分である第1ガードリング
電極30が、不透明手段31を介して形成されている。
この不透明手段31は、黒色の顔料または樹脂等を混合
したパターニング可能な薄膜である。同様に、対向基板
2にはR、G、Bのカラーフィルタ(カラー液晶パネル
の場合)4、第2ガードリング電極32が、第1絶縁手
段33、第2絶縁手段34を介して形成されている。こ
の第1絶縁手段33は透明樹脂であればパターニング不
可でも良く、第2絶縁手段34は不透明絶縁手段でパタ
ーニング可能な薄膜であることが必要である。
In this display device, for example, the ITO film 5 serving as a pixel electrode provided on the drive substrate 1 and the counter substrate 2, and the first guard ring electrode 30, which is a characteristic part of the present invention, is opaque on the drive substrate 1. It is formed via the means 31.
The opaque means 31 is a patternable thin film mixed with a black pigment or resin. Similarly, R, G, and B color filters (in the case of a color liquid crystal panel) 4 and a second guard ring electrode 32 are formed on the counter substrate 2 via a first insulating means 33 and a second insulating means 34. There is. The first insulating means 33 may be non-patternable as long as it is a transparent resin, and the second insulating means 34 needs to be a thin film that can be patterned by an opaque insulating means.

【0030】また、拡大図Xに示すように、第1ガード
リング電極30および第2ガードリング電極32を、絶
縁手段を介して隣接する画素電極にオーバラップして形
成して液晶ブラックマスク領域を広げ、不透明手段31
および第2絶縁手段34の役割をさせることにより、不
透明手段31の黒色の顔料や樹脂等を不要とすることが
できる。但し、このときの絶縁手段は透明樹脂でパター
ニング可能な薄膜であることが必要となる。何故なら、
画素電極部の絶縁手段は除去しなければならないからで
ある。
Further, as shown in the enlarged view X, the first guard ring electrode 30 and the second guard ring electrode 32 are formed so as to overlap the adjacent pixel electrodes via the insulating means to form the liquid crystal black mask region. Spreading and opaque means 31
By providing the role of the second insulating means 34, the black pigment or resin of the opaque means 31 can be eliminated. However, the insulating means at this time must be a thin film that can be patterned with transparent resin. Because,
This is because the insulating means of the pixel electrode portion must be removed.

【0031】図4(c)における第1ガードリング電極
30および第2ガードリング電極32の間には、常に液
晶を遮光状態にするバイアスが印加されている。そし
て、駆動基板1側の信号と対向基板2側の信号の交点部
が非選択(オフ時)のとき、入射光Aは透過状態とな
り、同交点部が選択(オン時)のとき、入射光Aは遮光
状態となる。オン状態およびオフ状態の画素部の電位
は、それぞれガードリング電極部によって常時液晶ブラ
ックマスクCを形成しているため、横方向の電界が働か
ずドメインの発生が抑えられる。これにより、斜め入射
光Bの入射に対する光抜けを防止することができる。
A bias that constantly shields the liquid crystal is applied between the first guard ring electrode 30 and the second guard ring electrode 32 in FIG. 4C. When the intersection of the signal on the drive substrate 1 side and the signal on the counter substrate 2 side is not selected (when off), the incident light A is in the transmissive state, and when the intersection is selected (when on), the incident light is on. A is in a light-shielded state. Since the liquid crystal black mask C is always formed by the guard ring electrode portions in the potentials of the pixel portions in the on state and the off state, the electric field in the lateral direction does not work and the generation of domains is suppressed. Thereby, it is possible to prevent light leakage due to the incidence of the obliquely incident light B.

【0032】本発明は前記実施の形態例に限定されず、
種々の実施形態を採ることができる。本実施の形態例で
はノーマリーホワイトのアクティブマトリクス型および
単純マトリクス型液晶表示装置について例示したが、ノ
ーマリーブラックの液晶表示装置、その他の液晶表示装
置、例えば強誘電型液晶表示装置やプラズマアドレス型
の液晶表示装置にも応用が可能であり、液晶表示装置の
構造や駆動方法に限定されない。また、本発明はその技
術的思想の範囲内で様々な形態に発展できることは言う
までもない。
The present invention is not limited to the above embodiment,
Various embodiments can be adopted. In this embodiment, normally white active matrix type and simple matrix type liquid crystal display devices have been exemplified, but normally black liquid crystal display devices and other liquid crystal display devices such as ferroelectric liquid crystal display devices and plasma address type liquid crystal display devices. The present invention can be applied to the liquid crystal display device, and is not limited to the structure and driving method of the liquid crystal display device. Further, it goes without saying that the present invention can be developed into various forms within the scope of its technical idea.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示
装置およびその製造方法によれば、駆動基板および対向
基板の少なくとも一方の画素電極以外の周辺領域、また
は薄膜トランジスタ形成領域を含んだ隣接する画素電極
との間の配線領域に、液晶を常時遮光状態として液晶ブ
ラックマスクを形成するガードリング電極を形成したた
め、斜め光を含む入射光や対向基板からの反射光が遮断
される。これにより、従来必要としていたブラックマス
クの形成が不要となり、製造工程の簡略化を図ることが
でき、液晶表示装置の生産効率が向上するという効果が
ある。
As described above, according to the liquid crystal display device and the method of manufacturing the same of the present invention, the peripheral region other than the pixel electrode of at least one of the drive substrate and the counter substrate or the adjacent region including the thin film transistor formation region is adjacent. Since the guard ring electrode for forming the liquid crystal black mask is formed in the wiring region between the pixel electrode and the liquid crystal, the incident light including oblique light and the reflected light from the counter substrate are blocked. This eliminates the need for forming a black mask, which is conventionally required, and simplifies the manufacturing process, thus improving the production efficiency of the liquid crystal display device.

【0034】本発明のガードリング電極によって液晶ブ
ラックマスクを形成しているため、隣接画素電極との横
方向電界が発生せず、ドメインによる光抜け等の発生が
抑えられてコントラスト比が向上するとともに、隣接画
素部の影響を受けないため、線順次、点順次動作でのフ
リッカの発生が抑えられて高画質の液晶表示装置を実現
することができる。更に、各画素電極とガードリング電
極をオーバーラップ構造とすることにより、開口率が向
上するという効果がある。
Since the liquid crystal black mask is formed by the guard ring electrode of the present invention, a lateral electric field with the adjacent pixel electrode is not generated, light leakage due to domains is suppressed, and the contrast ratio is improved. Since it is not affected by the adjacent pixel portion, the occurrence of flicker in line-sequential and dot-sequential operations is suppressed, and a high-quality liquid crystal display device can be realized. Further, the aperture ratio is improved by forming each pixel electrode and the guard ring electrode in an overlapping structure.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 本発明の液晶表示装置の実施の形態例1にお
ける1画素領域を示す図であり、(a)はノーマリーホ
ワイトのアクティブマトリクス型液晶表示装置の平面
図、(b)は同液晶表示装置の薄膜トランジスタのオフ
状態を示す断面図、(c)は同液晶表示装置の薄膜トラ
ンジスタのオン状態を示す断面図である。
1A and 1B are diagrams showing one pixel region in a liquid crystal display device according to a first embodiment of the present invention, in which FIG. 1A is a plan view of a normally white active matrix liquid crystal display device, and FIG. FIG. 3C is a sectional view showing an off state of the thin film transistor of the display device, and FIG. 7C is a sectional view showing an on state of the thin film transistor of the liquid crystal display device.

【図2】 本発明の液晶表示装置の実施の形態例1の効
果を説明する断面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view illustrating an effect of the first embodiment of the liquid crystal display device of the present invention.

【図3】 本発明の液晶表示装置の実施の形態例2にお
ける1画素領域を示す図であり、(a)は多結晶シリコ
ン型液晶表示装置の平面図、(b)同液晶表示装置の遮
光にAl配線を併用したE−E′部の断面図、(c)は
同液晶表示装置の遮光にAl配線を併用したF−F′部
の断面図である。
3A and 3B are diagrams showing one pixel region in Embodiment 2 of the liquid crystal display device of the present invention, FIG. 3A is a plan view of a polycrystalline silicon type liquid crystal display device, and FIG. FIG. 3C is a sectional view of an EE ′ portion in which Al wiring is also used, and FIG. 6C is a sectional view of an FF ′ portion in which Al wiring is also used for light shielding of the liquid crystal display device.

【図4】 本発明の液晶表示装置の実施の形態例3にお
ける2画素領域を示す図であり、(a)は単純マトリク
ス型液晶表示装置の駆動基板の平面図およびG−G′部
の断面図、(b)は同液晶表示装置の対向基板の平面図
およびH−H′部の断面図、(c)は同液晶表示装置の
動作を説明するための断面図である。
FIG. 4 is a diagram showing a two-pixel region in a liquid crystal display device according to a third embodiment of the present invention, in which (a) is a plan view of a drive substrate of a simple matrix liquid crystal display device and a cross section taken along line GG ′. FIG. 6B is a plan view of a counter substrate of the liquid crystal display device and a cross-sectional view taken along the line HH ', and FIG. 7C is a cross-sectional view for explaining the operation of the liquid crystal display device.

【図5】 従来の液晶表示装置の略1画素分を示す図で
あり、(a)は対向基板側にブラックマトリクスが形成
された断面図、(b)は駆動基板側にオンチップブラッ
クマスクが形成された断面図、(c)はITO膜の段切
れを説明するための拡大断面図である。
5A and 5B are views showing approximately one pixel of a conventional liquid crystal display device, FIG. 5A is a sectional view in which a black matrix is formed on a counter substrate side, and FIG. 5B is an on-chip black mask on a drive substrate side. The formed sectional view, (c) is an enlarged sectional view for explaining step breakage of the ITO film.

【図6】 従来の液晶表示装置に電圧が印加されたとき
の液晶分子の配向状態を示す図であり、(a)は駆動基
板側にオンチップブラックマスクが形成された断面図、
(b)は対向基板側にブラックマスクが形成された断面
図である。
FIG. 6 is a diagram showing an alignment state of liquid crystal molecules when a voltage is applied to a conventional liquid crystal display device, FIG. 6A is a cross-sectional view in which an on-chip black mask is formed on a driving substrate side,
(B) is a sectional view in which a black mask is formed on the counter substrate side.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…駆動基板、2…対向基板、3…ブラックマスク、4
…カラーフィルタ、5…ITO膜、6…TFT、8…1
PSG膜、9…2PSG膜、10…Al配線、11…P
−SiN、12…平坦化膜、13…コンタクトホール、
14…液晶、20…配線領域、21…コンタクト部、2
3…絶縁手段、24…1Poly、25…2Poly、
30…第1ガードリング電極、31…不透明手段、32
…第2ガードリング電極、33…第1絶縁手段、34…
第2絶縁手段
1 ... Driving substrate, 2 ... Counter substrate, 3 ... Black mask, 4
... Color filter, 5 ... ITO film, 6 ... TFT, 8 ... 1
PSG film, 9 ... 2 PSG film, 10 ... Al wiring, 11 ... P
-SiN, 12 ... Flattening film, 13 ... Contact hole,
14 ... Liquid crystal, 20 ... Wiring region, 21 ... Contact part, 2
3 ... Insulating means, 24 ... 1Poly, 25 ... 2Poly,
30 ... First guard ring electrode, 31 ... Opaque means, 32
... second guard ring electrode, 33 ... first insulating means, 34 ...
Second insulation means

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の画素電極が形成された駆動基板
と、対向基板と、これらの間隙に挟持された液晶とを含
んで成る液晶表示装置において、 前記駆動基板および前記対向基板の少なくとも一方に
は、 前記液晶を常時遮光状態とする所定の隙間で前記画素電
極を囲む遮光電極手段を形成することを特徴とする液晶
表示装置。
1. A liquid crystal display device comprising a drive substrate on which a plurality of pixel electrodes are formed, a counter substrate, and liquid crystal sandwiched between these gaps, wherein at least one of the drive substrate and the counter substrate is provided. The liquid crystal display device is characterized in that light-shielding electrode means surrounding the pixel electrode is formed in a predetermined gap that keeps the liquid crystal in a light-shielding state at all times.
【請求項2】 前記駆動基板および前記対向基板の少な
くとも一方には、遮光電極手段および隣接する画素電極
との隙間を埋める不透明手段が形成されることを特徴と
する請求項1記載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein at least one of the drive substrate and the counter substrate is formed with a light shielding electrode means and an opaque means for filling a gap between adjacent pixel electrodes. .
【請求項3】 前記駆動基板および前記対向基板の少な
くとも一方には、遮光電極手段が、絶縁手段を介して、
隣接する画素電極間にオーバラップして形成されること
を特徴とする請求項1記載の液晶表示装置。
3. A light-shielding electrode means is provided on at least one of the drive substrate and the counter substrate via an insulating means.
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein the pixel electrodes are formed so as to overlap each other between adjacent pixel electrodes.
【請求項4】 複数の画素電極が形成された駆動基板
と、対向基板と、これらの間隙に挟持された液晶とを含
んで成る液晶表示装置の製造方法において、 前記駆動基板および前記対向基板の少なくとも一方に
は、 前記液晶を常時遮光状態とする所定の隙間で前記画素電
極を囲む遮光電極手段を形成する工程と、 遮光電極手段および隣接する画素電極との隙間を埋める
不透明手段を形成する工程とを含むことを特徴とする液
晶表示装置の製造方法。
4. A method of manufacturing a liquid crystal display device, comprising: a drive substrate having a plurality of pixel electrodes formed thereon; a counter substrate; and a liquid crystal sandwiched between these gaps. On at least one side, a step of forming a light-shielding electrode means surrounding the pixel electrode with a predetermined gap that always keeps the liquid crystal in a light-shielding state, and a step of forming an opaque means for filling a gap between the light-shielding electrode means and an adjacent pixel electrode. A method for manufacturing a liquid crystal display device, comprising:
【請求項5】 マトリクス状に配置された画素電極と、
前記画素電極に接続されるとともに前記画素電極を駆動
する薄膜トランジスタを備えた駆動基板と、前記駆動基
板と所定の間隙を有して対向配置された対向基板と、そ
の間隙に挟持された液晶とを有する液晶表示装置におい
て、 前記駆動基板には、 前記薄膜トランジスタ形成領域を含み、互いに隣接する
画素電極との間の配線領域に、前記液晶を常時遮光状態
とする遮光電極手段を形成することを特徴とする液晶表
示装置。
5. Pixel electrodes arranged in a matrix,
A drive substrate provided with a thin film transistor connected to the pixel electrode and driving the pixel electrode, a counter substrate arranged to face the drive substrate with a predetermined gap, and a liquid crystal sandwiched in the gap. In the liquid crystal display device having the above, the drive substrate includes a thin film transistor forming region, and a light shielding electrode unit for keeping the liquid crystal always in a light shielding state is formed in a wiring region between the pixel electrodes adjacent to each other. Liquid crystal display device.
【請求項6】 前記遮光電極手段は、前記画素電極と共
にITO膜によって同時に形成されることを特徴とする
請求項5記載の液晶表示装置。
6. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the light-shielding electrode means is formed simultaneously with the pixel electrode by an ITO film.
【請求項7】 前記遮光電極手段は、絶縁手段を介し
て、隣接する画素電極間にオーバラップして形成される
ことを特徴とする請求項5記載の液晶表示装置。
7. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the light-shielding electrode means is formed so as to overlap between adjacent pixel electrodes via an insulating means.
【請求項8】 前記駆動基板には、遮光電極手段および
隣接する画素電極との隙間を埋める不透明手段が形成さ
れることを特徴とする請求項5記載の液晶表示装置。
8. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the drive substrate is provided with a light-shielding electrode means and an opaque means for filling a gap between adjacent pixel electrodes.
【請求項9】 前記不透明手段は、前記駆動基板に形成
されるメタル配線層によって兼用されることを特徴とす
る請求項8記載の液晶表示装置。
9. The liquid crystal display device according to claim 8, wherein the opaque means is also used by a metal wiring layer formed on the drive substrate.
【請求項10】 マトリクス状に配置された画素電極
と、前記画素電極に接続されるとともに前記画素電極を
駆動する薄膜トランジスタを備えた駆動基板と、前記駆
動基板と所定の間隙を有して対向配置された対向基板
と、その間隙に挟持された液晶とを有する液晶表示装置
の製造方法において、 前記駆動基板に不透明手段を形成する工程と、 前記薄膜トランジスタ形成領域を含み、互いに隣接する
画素電極との間の配線領域に、液晶を常時遮光状態とす
る遮光電極手段を形成する工程とを含むことを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。
10. A pixel electrode arranged in a matrix, a driving substrate provided with a thin film transistor connected to the pixel electrode and driving the pixel electrode, and arranged to face the driving substrate with a predetermined gap. In a method of manufacturing a liquid crystal display device having a counter substrate and a liquid crystal sandwiched in the gap, a step of forming an opaque means on the drive substrate, and a pixel electrode including the thin film transistor forming region and adjacent to each other. And a step of forming light-shielding electrode means for keeping the liquid crystal always in a light-shielding state in a wiring region between them.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003084299A (en) * 2001-09-11 2003-03-19 Nec Corp Liquid crystal display device
KR100741895B1 (en) * 2000-12-30 2007-07-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 Method For Fabricating A Thin Film Transistor Liquid Crystal Display Panel

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