JPH09283936A - Multilayer wiring board - Google Patents
Multilayer wiring boardInfo
- Publication number
- JPH09283936A JPH09283936A JP9443496A JP9443496A JPH09283936A JP H09283936 A JPH09283936 A JP H09283936A JP 9443496 A JP9443496 A JP 9443496A JP 9443496 A JP9443496 A JP 9443496A JP H09283936 A JPH09283936 A JP H09283936A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin insulating
- organic resin
- multilayer wiring
- insulating layer
- thin film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、多層配線基板に関
し、より詳細には混成集積回路装置や半導体素子を収容
する半導体素子収納用パッケージ等に使用される多層配
線基板に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a multilayer wiring board, and more particularly to a multilayer wiring board used for a hybrid integrated circuit device, a semiconductor element housing package for housing a semiconductor element, and the like.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、混成集積回路装置や半導体素子収
納用パッケージ等に使用される多層配線基板はその配線
導体がMoーMn法等の厚膜形成技術によって形成され
ている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a multilayer wiring board used for a hybrid integrated circuit device, a package for housing a semiconductor element, etc., its wiring conductor is formed by a thick film forming technique such as Mo--Mn method.
【0003】このMoーM法は通常、タングステン、モ
リブデン、マンガン等の高融点金属粉末に有機溶剤、溶
媒を添加混合し、ペースト状となした金属ペーストを生
セラミック体の外表面にスクリーン印刷法により所定パ
ターンに印刷塗布し、次ぎにこれを複数枚積層するとと
もに還元雰囲気中で焼成し、高融点金属粉末と生セラミ
ック体とを焼結一体化させる方法である。The Mo-M method is usually a screen-printing method in which a high-melting metal powder of tungsten, molybdenum, manganese or the like is mixed with an organic solvent and a solvent to form a paste-like metal paste on the outer surface of the green ceramic body. Is applied in a predetermined pattern by printing, and then a plurality of these are laminated and fired in a reducing atmosphere to sinter and integrate the high melting point metal powder and the green ceramic body.
【0004】尚、前記配線導体が形成されるセラミック
体としては通常、酸化アルミニウム質焼結体やムライト
質焼結体等の酸化物系セラミックス、或いは表面に酸化
物膜を被着させた窒化アルミニウム質焼結体や炭化珪素
質焼結体等の非酸化物系セラミックが使用される。Incidentally, the ceramic body on which the wiring conductor is formed is usually an oxide ceramic such as an aluminum oxide sintered body or a mullite sintered body, or an aluminum nitride having an oxide film adhered on the surface. Non-oxide ceramics such as a sintered compact or a silicon carbide sintered compact are used.
【0005】しかしながら、このMoーMn法を用いて
配線導体を形成した場合、配線導体は金属ペーストをス
クリーン印刷することにより形成されることから微細化
が困難で配線導体を高密度に形成することができないと
いう欠点を有していた。However, when the wiring conductor is formed by using this Mo-Mn method, the wiring conductor is formed by screen-printing a metal paste. Therefore, it is difficult to miniaturize the wiring conductor and the wiring conductor can be formed at a high density. It had the drawback of not being able to.
【0006】そこで上記欠点を解消するために配線導体
を従来の厚膜形成技術で形成するのに変えて微細化が可
能な薄膜形成技術を用いて高密度に形成した多層配線基
板が使用されるようになってきた。In order to solve the above-mentioned drawbacks, therefore, a multilayer wiring board is used which is formed at a high density by using a thin film forming technique capable of miniaturization instead of forming the wiring conductor by a conventional thick film forming technique. It's starting to happen.
【0007】かかる配線導体を薄膜形成技術により形成
した多層配線基板は、一般に酸化アルミニウム質焼結体
等から成るセラミックやガラス繊維を織り込んだガラス
布にエポキシ樹脂を含浸させて形成されるガラスエポキ
シ等から成る絶縁基板の上面にスピンコート法及び熱硬
化処理等によって形成されるエポキシ樹脂等の有機樹脂
から成る絶縁層と、銅やアルミニウム等の金属を無電解
メッキ法や蒸着法等の薄膜形成技術及びフォトリソグラ
フィー技術を採用することによって形成される薄膜配線
導体とを交互に積層させた構造を有している。A multilayer wiring board in which such a wiring conductor is formed by a thin film forming technique is generally a glass epoxy formed by impregnating a glass cloth woven with ceramics or glass fibers made of an aluminum oxide sintered body or the like into an epoxy resin. An insulating layer made of organic resin such as epoxy resin formed on the upper surface of an insulating substrate made of, for example, by spin coating and thermosetting, and a thin film forming technique such as electroless plating or vapor deposition of metal such as copper or aluminum And a thin film wiring conductor formed by adopting a photolithography technique are alternately laminated.
【0008】またこの多層配線基板においては、積層さ
れた各有機樹脂絶縁層間に配設されている薄膜配線導体
が有機樹脂絶縁層に形成したスルーホールを介して電気
的に接続されており、各有機樹脂絶縁層へのスルーホー
ルの形成は各有機樹脂絶縁層上にレジスト材を塗布する
とともにこれに露光、現像を施すことによって所定位置
に所定形状の窓部を形成し、次に前記レジスト材の窓部
にエッチング液を配し、レジスト材の窓部に位置する有
機樹脂絶縁層を除去して、有機樹脂絶縁層に穴(スルー
ホール)を形成し、最後に前記レジズト材を有機樹脂絶
縁層上より剥離させ除去することによって行われてい
る。In this multilayer wiring board, the thin film wiring conductors arranged between the laminated organic resin insulating layers are electrically connected to each other through the through holes formed in the organic resin insulating layer. The through holes are formed in the organic resin insulating layer by applying a resist material on each organic resin insulating layer and exposing and developing the resist material to form a window portion having a predetermined shape at a predetermined position. Of the resist material, the organic resin insulating layer located in the window portion of the resist material is removed, holes (through holes) are formed in the organic resin insulating layer, and finally the resist material is insulated with the organic resin insulating layer. It is carried out by peeling and removing from the layer.
【0009】[0009]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来の多層配線基板は上下に位置する薄膜配線導体を電気
的に絶縁分離する有機樹脂絶縁層がエポキシ樹脂で形成
されており、該エポキシ樹脂は比誘電率が約4(室温1
MHz)であることから薄膜配線導体を伝播する電気信
号の伝播速度が遅いものとなり、その結果、薄膜配線導
体に高速駆動を行う半導体素子を接続しても、薄膜配線
導体を介しての半導体素子への電気信号の入出力が遅い
ものとなって、半導体素子を高速駆動させることができ
ないという欠点を有していた。However, in this conventional multilayer wiring board, an organic resin insulation layer for electrically insulating and separating the thin film wiring conductors located above and below is formed of an epoxy resin, and the epoxy resin is a comparative example. Dielectric constant of about 4 (room temperature 1
MHz), the propagation speed of the electric signal propagating through the thin film wiring conductor becomes slow. As a result, even if a semiconductor element for high speed driving is connected to the thin film wiring conductor, the semiconductor element via the thin film wiring conductor is connected. There is a drawback in that the input and output of electric signals to and from the device becomes slow and the semiconductor element cannot be driven at high speed.
【0010】またこの従来の多層配線基板は、有機樹脂
絶縁層上にレジスト材を塗布し、これを使用することに
よって有機樹脂絶縁層にスルーホールを形成しており、
有機樹脂絶縁層にスルーホールを形成するために、後
に、剥離除去されるレジスト材が別途、必要で、製品と
しての多層配線基板が高価となる欠点も有していた。Further, in this conventional multilayer wiring board, a resist material is applied onto the organic resin insulating layer and the through hole is formed in the organic resin insulating layer by using the resist material.
In order to form a through hole in the organic resin insulating layer, a resist material to be peeled and removed later is required separately, and the multilayer wiring board as a product is also expensive.
【0011】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明は基板上に、有機
樹脂絶縁層と薄膜配線導体とを交互に積層するとともに
上下に位置する薄膜配線導体を有機樹脂絶縁層に設けた
スルーホールを介して電気的に接続して成る多層配線基
板であって、前記有機樹脂絶縁層を感光性ポリフェニレ
ンエーテル樹脂で形成したことを特徴とするものであ
る。According to the present invention, an organic resin insulation layer and a thin film wiring conductor are alternately laminated on a substrate, and the upper and lower thin film wiring conductors are provided through a through hole provided in the organic resin insulation layer. A multi-layer wiring board electrically connected to each other, wherein the organic resin insulating layer is formed of a photosensitive polyphenylene ether resin.
【0012】また本発明は前記積層された有機樹脂絶縁
層の各々の厚みを5μm乃至100μmとしたことを特
徴とするものである。Further, the present invention is characterized in that the thickness of each of the laminated organic resin insulating layers is 5 μm to 100 μm.
【0013】更に本発明は前記積層された有機樹脂絶縁
層の各々の上面が中心線平均粗さ(Ra)で0.05μ
m≦Ra≦5μmであることを特徴とするものである。Further, according to the present invention, the upper surface of each of the laminated organic resin insulating layers has a center line average roughness (Ra) of 0.05 μm.
m ≦ Ra ≦ 5 μm.
【0014】本発明の多層配線基板よれば、配線導体を
薄膜形成技術によって形成したことから配線の微細化が
可能となり、薄膜配線導体を極めて高密度に形成するこ
とが可能となる。また本発明の多層配線基板によれば、
上下に位置する薄膜配線導体を電気的に絶縁分離させる
有機樹脂絶縁層が感光性ポリフェニレンエーテルで形成
されており、該感光性ポリフェニレンエーテルの比誘電
率は約3(室温1MHz)と低いことから薄膜配線導体
を伝播する電気信号の伝播速度を極めて速いものとなす
ことができ、その結果、薄膜配線導体に高速駆動を行う
半導体素子を接続した際、薄膜配線導体を介して半導体
素子に高速で入出力信号を出し入れすることができ、半
導体素子を高速駆動させることが可能となる。According to the multilayer wiring board of the present invention, since the wiring conductor is formed by the thin film forming technique, the wiring can be miniaturized, and the thin film wiring conductor can be formed with extremely high density. According to the multilayer wiring board of the present invention,
An organic resin insulating layer that electrically insulates and separates the upper and lower thin-film wiring conductors is formed of photosensitive polyphenylene ether. Since the relative dielectric constant of the photosensitive polyphenylene ether is as low as about 3 (room temperature 1 MHz), the thin film is formed. The propagation speed of the electrical signal propagating through the wiring conductor can be made extremely fast, and as a result, when a semiconductor element for high speed driving is connected to the thin film wiring conductor, it enters the semiconductor element through the thin film wiring conductor at high speed. Output signals can be taken in and out, and a semiconductor element can be driven at high speed.
【0015】更に本発明の多層配線基板によれば、有機
樹脂絶縁層を感光性のポリフェニレンエーテルで形成し
たことから各有機樹脂絶縁層はその前駆体に露光、現像
を施すことによってレジスト材を使用することなく、直
接、スルーホールを形成することができ、レジスト材を
不要して有機樹脂絶縁層にスルーホールを簡単に形成す
ることが可能で製品としての多層配線基板を安価となす
ことができる。Further, according to the multilayer wiring board of the present invention, since the organic resin insulating layer is formed of photosensitive polyphenylene ether, each organic resin insulating layer uses a resist material by exposing and developing its precursor. The through-hole can be directly formed without performing the above-mentioned process, the through-hole can be easily formed in the organic resin insulating layer without using a resist material, and the multilayer wiring board as a product can be inexpensive. .
【0016】また更に本発明の多層配線基板によれば、
積層される有機樹脂絶縁層の各々の上面を中心線平均粗
さ(Ra)で0.05μm≦Ra≦5μmとしておくと
積層される上下の有機樹脂絶縁層を極めて強固に接合さ
せることができ、その結果、多層配線基板としての機能
を長期間にわたり維持することが可能となる。Furthermore, according to the multilayer wiring board of the present invention,
When the upper surface of each of the laminated organic resin insulating layers is set to have a center line average roughness (Ra) of 0.05 μm ≦ Ra ≦ 5 μm, the upper and lower organic resin insulating layers to be laminated can be bonded very strongly, As a result, the function of the multilayer wiring board can be maintained for a long period of time.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】次に、本発明を添付図面に基づき
詳細に説明する。Next, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
【0018】図1は、本発明の多層配線基板の一実施例
を示し、1は絶縁基板、2は有機樹脂絶縁層、3は薄膜
配線導体である。FIG. 1 shows an embodiment of the multilayer wiring board of the present invention, in which 1 is an insulating substrate, 2 is an organic resin insulating layer, and 3 is a thin film wiring conductor.
【0019】前記絶縁基板1はその上面に有機樹脂絶縁
層2と薄膜配線導体3とから成る多層配線4が配設され
ており、該多層配線4を支持する支持部材として作用す
る。On the upper surface of the insulating substrate 1, a multilayer wiring 4 composed of an organic resin insulating layer 2 and a thin film wiring conductor 3 is arranged, and it functions as a supporting member for supporting the multilayer wiring 4.
【0020】前記絶縁基板1は酸化アルミニウム質焼結
体やムライト質焼結体等の酸化物系セラミックス、或い
は表面に酸化物膜を有する窒化アルミニウム質焼結体、
炭化珪素質焼結体等の非酸化物系セラミックス、更には
ガラス繊維を織り込んだ布にエポキシ樹脂を含浸させた
ガラスエポキシ樹脂等の電気絶縁材料で形成されてお
り、例えば酸化アルミニウム質焼結体で形成されている
場合には、アルミナ(Al2 O3 )、シリカ(Si
O2 )、カルシア(CaO)、マグネシア(MgO)等
の原料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して泥漿
状となすとともにこれを従来周知のドクターブレード法
やカレンダーロール法を採用することによってセラミッ
クグリーンシート(セラミック生シート)を形成し、し
かる後、前記セラミックグリーンシートに適当な打ち抜
き加工を施し、所定形状となすとともに高温(約160
0℃)で焼成することによって、或いはアルミナ等の原
料粉末に適当な有機溶剤、溶媒を添加混合して原料粉末
を調整するとともに該原料粉末をプレス成形機によって
所定形状に成形し、最後に前記成形体を約1600℃の
温度で焼成することによって製作される。The insulating substrate 1 is an oxide ceramic such as an aluminum oxide sintered body or a mullite sintered body, or an aluminum nitride sintered body having an oxide film on its surface.
It is made of a non-oxide ceramic such as a silicon carbide sintered body, and an electrically insulating material such as a glass epoxy resin obtained by impregnating a cloth woven with glass fiber with an epoxy resin. For example, an aluminum oxide sintered body. In the case of being formed of, alumina (Al 2 O 3 ) and silica (Si
O 2 ), calcia (CaO), magnesia (MgO), and other raw material powders are mixed with an appropriate organic solvent and solvent to form a slurry, which is then applied by the well-known doctor blade method or calendar roll method. To form a ceramic green sheet (ceramic green sheet), and then subject the ceramic green sheet to an appropriate punching process to form a predetermined shape and a high temperature (about 160).
(0 ° C.) or by mixing a raw material powder such as alumina with an appropriate organic solvent and solvent to prepare the raw material powder, and molding the raw material powder into a predetermined shape by a press molding machine, and finally It is manufactured by firing the molded body at a temperature of about 1600 ° C.
【0021】また前記絶縁基板1はその上面に有機樹脂
絶縁層2と薄膜配線導体3とが交互に多層に配設されて
多層配線4が被着されており、該多層配線4を構成する
有機樹脂絶縁層2は上下に位置する薄膜配線導体3の電
気的絶縁を図る作用を為すとともに薄膜配線導体3は電
気信号を伝達するための伝達路として作用する。On the upper surface of the insulating substrate 1, the organic resin insulating layers 2 and the thin film wiring conductors 3 are alternately arranged in multiple layers and the multilayer wiring 4 is adhered. The resin insulation layer 2 serves to electrically insulate the thin film wiring conductors 3 located above and below, and the thin film wiring conductor 3 also serves as a transmission path for transmitting an electric signal.
【0022】前記多層配線4の有機樹脂絶縁層2は、感
光性ポリフェニレンエーテル樹脂から成り、例えば、オ
レフィン系の感光基を有するアリル変性ポリフェニレン
エーテルに硬化剤としてのジアルキルパーオキサイド等
の有機過酸化物、溶剤としてのトルエンを添加混合して
ペースト状の感光性ポリフェニレンエーテル樹脂前駆体
を得るとともに該感光性ポリフェニレンエーテル樹脂前
駆体を絶縁基板1の上部にスピンコート法やドクターブ
レード法等により所定厚みに被着させ、次に、これを高
圧水銀ランプ等を用いた露光機により300〜3000
J/cm2 のエネルギーで所定の露光を行うとともにス
プレー現像機等で現像して後述するスルーホール5とな
る穴を形成し、しかる後、これを180℃の温度で30
〜60分加熱し、完全に硬化させることによって形成さ
れる。The organic resin insulation layer 2 of the multi-layer wiring 4 is made of a photosensitive polyphenylene ether resin. For example, an allyl-modified polyphenylene ether having an olefin-based photosensitive group is added to an organic peroxide such as a dialkyl peroxide as a curing agent. To obtain a paste-like photosensitive polyphenylene ether resin precursor by adding and mixing toluene as a solvent, the photosensitive polyphenylene ether resin precursor is formed on the insulating substrate 1 to a predetermined thickness by spin coating or doctor blade method. Then, this is applied to 300 to 3000 by an exposure device using a high pressure mercury lamp or the like.
A predetermined exposure is performed with an energy of J / cm 2 and a hole is formed as a through hole 5 described later by developing with a spray developing machine or the like.
Formed by heating for ~ 60 minutes to fully cure.
【0023】更に前記多層配線4の有機樹脂絶縁層2は
その各々の所定位置にスルーホール5が形成されてお
り、該スルーホール5は有機樹脂絶縁層5を介して上下
に位置する薄膜配線導体の各々を電気的に接続する接続
路として作用する。Further, the organic resin insulating layer 2 of the multi-layer wiring 4 has through holes 5 formed at respective predetermined positions, and the through holes 5 are thin film wiring conductors which are vertically arranged with the organic resin insulating layer 5 interposed therebetween. , And each of them acts as a connection path for electrically connecting them.
【0024】前記スルーホール5は有機絶縁樹脂層2が
感光性のポリフェニレンエーテル樹脂で形成されている
ことから、前述した有機樹脂絶縁層2を形成する際に、
絶縁基板1上部に塗布された感光性ポリフェニレンエー
テル樹脂前駆体に露光、現像を施すことによって有機樹
脂絶縁層2に直接、形成され、有機樹脂絶縁層2にスル
ーホール5を形成するためのレジスト材を別途、準備す
る必要は全くなく、これによって有機樹脂絶縁層2に簡
単にスルーホール5を形成することが可能となるととも
製品としての多層配線基板を安価となすことができる。Since the organic insulating resin layer 2 is formed of a photosensitive polyphenylene ether resin in the through hole 5, when the above-mentioned organic resin insulating layer 2 is formed,
A resist material for forming a through hole 5 in the organic resin insulating layer 2 directly formed on the organic resin insulating layer 2 by exposing and developing the photosensitive polyphenylene ether resin precursor coated on the insulating substrate 1. It is not necessary to separately prepare the through hole 5, so that the through hole 5 can be easily formed in the organic resin insulating layer 2 and the multilayer wiring board as a product can be inexpensive.
【0025】前記各有機樹脂絶縁層2の上面にはまた所
定パターンの薄膜配線導体3が配設されており、間に有
機樹脂絶縁層2を挟んで上下に位置する各薄膜配線導体
3はその各々が有機樹脂絶縁層2に形成したスルーホー
ル5内に配されている薄膜配線導体3を介して電気的に
接続されている。A thin film wiring conductor 3 having a predetermined pattern is also disposed on the upper surface of each of the organic resin insulating layers 2, and the thin film wiring conductors 3 located above and below with the organic resin insulating layer 2 interposed therebetween. Each is electrically connected through a thin film wiring conductor 3 arranged in a through hole 5 formed in the organic resin insulating layer 2.
【0026】前記各有機樹脂絶縁層2の上面及びスルー
ホール5内に配設される薄膜配線導体3は銅、ニッケ
ル、金、アルミニウム等の金属材料を無電解メッキ法や
蒸着法、スパッタリング法等の薄膜形成技術及びエッチ
ング加工技術を採用することによって形成され、例えば
銅で形成されている場合には、有機樹脂絶縁層2の上面
及びスルーホール5の内表面に硫酸銅0.06モル/リ
ットル、ホルマリン0.3モル/リットル、水酸化ナト
リウム0.35モル/リットル、エチレンジアミン四酢
酸0.35モル/リットルから成る無電解銅メッキ浴を
用いて厚さ1μm乃至40μmの銅層を被着させ、しか
る後、前記銅層をエッチング加工法により所定パターン
に加工することによって各有機樹脂絶縁層2間に配設さ
れる。この場合、薄膜配線導体3は薄膜形成技術により
形成されることから配線の微細化が可能であり、これに
よって薄膜配線導体3を極めて高密度に形成することが
可能となる。The thin film wiring conductor 3 provided on the upper surface of each organic resin insulating layer 2 and in the through hole 5 is made of a metal material such as copper, nickel, gold or aluminum by electroless plating, vapor deposition or sputtering. Is formed by adopting the thin film forming technology and the etching processing technology, and when it is made of copper, 0.06 mol / liter of copper sulfate is formed on the upper surface of the organic resin insulating layer 2 and the inner surface of the through hole 5. , Formalin 0.3 mol / l, sodium hydroxide 0.35 mol / l, ethylenediaminetetraacetic acid 0.35 mol / l, using an electroless copper plating bath to deposit a copper layer having a thickness of 1 μm to 40 μm. Thereafter, the copper layer is processed into a predetermined pattern by an etching processing method so as to be disposed between the organic resin insulating layers 2. In this case, since the thin-film wiring conductor 3 is formed by a thin-film forming technique, the wiring can be miniaturized, whereby the thin-film wiring conductor 3 can be formed at an extremely high density.
【0027】また前記薄膜配線導体3はそれが接触する
有機樹脂絶縁層2が感光性ポリフェニレンエーテル樹脂
で形成されており、該感光性ポリフェニレンエーテル樹
脂の比誘電率は3(室温1MHz)と低いことから薄膜
配線導体3を伝播する電気信号の伝播速度が極めて速い
ものとなり、その結果、薄膜配線導体3に高速駆動を行
う半導体素子を接続した際、薄膜配線導体3を介して半
導体素子に高速で入出力信号を出し入れすることがで
き、半導体素子を高速駆動させることが可能となる。The organic resin insulating layer 2 with which the thin film wiring conductor 3 is in contact is formed of a photosensitive polyphenylene ether resin, and the relative permittivity of the photosensitive polyphenylene ether resin is as low as 3 (room temperature 1 MHz). The propagation speed of the electric signal propagating through the thin film wiring conductor 3 becomes extremely fast. As a result, when the thin film wiring conductor 3 is connected to a semiconductor element that is driven at high speed, the thin film wiring conductor 3 is connected to the semiconductor element at high speed. Input / output signals can be taken in and out, and the semiconductor element can be driven at high speed.
【0028】尚、前記有機樹脂絶縁層2と薄膜配線導体
3とを交互に多層に配設して形成される多層配線4は各
有機樹脂絶縁層2の上面を中心線平均粗さ(Ra)で
0.05μm≦Ra≦5μmの粗面としておくと有機樹
脂絶縁層2と薄膜配線導体3との接合及び上下に位置す
る有機樹脂絶縁層2同士の接合を強固となすこができ
る。従って、前記多層配線4の各有機樹脂絶縁層2はそ
の上面にCHF3 、CF4、Ar、O2 等のガスを用い
たリアクティブイオンエッチング処理をすること等によ
って粗し、中心線平均粗さ(Ra)で0.05μm≦R
a≦5μmの粗面としておくことが好ましい。The multilayer wiring 4 formed by alternately arranging the organic resin insulating layers 2 and the thin-film wiring conductors 3 in multiple layers has the center line average roughness (Ra) on the upper surface of each organic resin insulating layer 2. With a rough surface of 0.05 μm ≦ Ra ≦ 5 μm, the organic resin insulating layer 2 and the thin film wiring conductor 3 can be joined firmly and the organic resin insulating layers 2 located above and below can be firmly joined. Therefore, each organic resin insulating layer 2 of the multilayer wiring 4 is roughened by subjecting the upper surface thereof to reactive ion etching treatment using a gas such as CHF 3 , CF 4 , Ar, O 2 or the like, and the center line average roughening is performed. (Ra) 0.05 μm ≦ R
It is preferable to have a rough surface with a ≦ 5 μm.
【0029】また前記有機樹脂絶縁層2はその各々の厚
みが100μmを越えると感光性ポリフェニレンエーテ
ル樹脂前駆体に露光、現像処理を施すことによってスル
ーホールとなる穴を形成する際、その穴を鮮明に形成す
るのが困難となって、有機樹脂絶縁層2に所定のスルー
ホール5を形成することができなくなる危険性を有し、
また5μm未満となると有機樹脂絶縁層2の上面に上下
に位置する有機樹脂絶縁層2の接合強度を上げるための
粗面加工を施す際、有機樹脂絶縁層2に不要な穴が形成
され上下に位置する薄膜配線導体3に不要な電気的短絡
を招来してしまう危険性がある。従って、前記有機樹脂
絶縁層2はその各々の厚みを5μm乃至100μmの範
囲としておくことが好ましい。When the thickness of each of the organic resin insulating layers 2 exceeds 100 μm, the holes are made clear when the holes to be through holes are formed by exposing and developing the photosensitive polyphenylene ether resin precursor. There is a risk that it becomes difficult to form the through holes 5 in the organic resin insulating layer 2 and it becomes difficult to form the through holes 5 in the organic resin insulating layer 2.
Also, when the thickness is less than 5 μm, unnecessary holes are formed in the organic resin insulating layer 2 when the rough surface processing is performed on the upper surface of the organic resin insulating layer 2 to increase the bonding strength of the organic resin insulating layer 2 located above and below. There is a risk of causing an unnecessary electrical short circuit in the thin film wiring conductor 3 located. Therefore, it is preferable that the thickness of each of the organic resin insulating layers 2 is in the range of 5 μm to 100 μm.
【0030】更に前記多層配線4の各薄膜配線導体2は
その厚みが1μm未満となると各薄膜配線導体3の電気
抵抗が大きなものとなって各薄膜配線導体3に所定の電
気信号を伝達させることが困難なものとなり、また40
μmを越えると薄膜配線導体3を有機樹脂絶縁層2に被
着させる際に薄膜配線導体3の内部に応力が内在し、該
大きな内在応力によって薄膜配線導体3が有機樹脂絶縁
層2から剥離し易いもとなる。従って、前記多層配線4
の各薄膜配線導体2の厚みは1μm乃至40μmの範囲
としておくことが好ましい。Further, when the thickness of each thin film wiring conductor 2 of the multilayer wiring 4 is less than 1 μm, the electric resistance of each thin film wiring conductor 3 becomes large and a predetermined electric signal is transmitted to each thin film wiring conductor 3. Becomes difficult, and again 40
If the thickness exceeds μm, stress is internal to the thin film wiring conductor 3 when the thin film wiring conductor 3 is applied to the organic resin insulating layer 2, and the large internal stress causes the thin film wiring conductor 3 to peel off from the organic resin insulating layer 2. It is an easy source. Therefore, the multilayer wiring 4
The thickness of each thin film wiring conductor 2 is preferably set in the range of 1 μm to 40 μm.
【0031】[0031]
【発明の効果】本発明の多層配線基板よれば、配線導体
を薄膜形成技術によって形成したことから配線の微細化
が可能となり、薄膜配線導体を極めて高密度に形成する
ことが可能となる。また本発明の多層配線基板によれ
ば、上下に位置する薄膜配線導体を電気的に絶縁分離さ
せる有機樹脂絶縁層が感光性ポリフェニレンエーテルで
形成されており、該感光性ポリフェニレンエーテルの比
誘電率は3(室温1MHz)と低いことから薄膜配線導
体を伝播する電気信号の伝播速度を極めて速いものとな
すことができ、その結果、薄膜配線導体に高速駆動を行
う半導体素子を接続した際、薄膜配線導体を介して半導
体素子に高速で入出力信号を出し入れすることができ、
半導体素子を高速駆動させることが可能となる。According to the multilayer wiring board of the present invention, since the wiring conductor is formed by the thin film forming technique, the wiring can be miniaturized, and the thin film wiring conductor can be formed with extremely high density. Further, according to the multilayer wiring board of the present invention, the organic resin insulating layer for electrically insulating and separating the thin film wiring conductors located above and below is formed of photosensitive polyphenylene ether, and the relative dielectric constant of the photosensitive polyphenylene ether is Since it is as low as 3 (room temperature 1 MHz), the propagation speed of the electric signal propagating through the thin film wiring conductor can be made extremely fast. As a result, when the semiconductor element for high speed driving is connected to the thin film wiring conductor, the thin film wiring It is possible to input and output signals to and from semiconductor devices at high speed via conductors.
It is possible to drive the semiconductor element at high speed.
【0032】更に本発明の多層配線基板によれば、有機
樹脂絶縁層を感光性のポリフェニレンエーテルで形成し
たことから各有機樹脂絶縁層はその前駆体に露光、現像
を施すことによってレジスト材を使用することなく、直
接、スルーホールを形成することができ、レジスト材を
不要して有機樹脂絶縁層にスルーホールを簡単に形成す
ることが可能で製品としての多層配線基板を安価となす
ことができる。Further, according to the multilayer wiring board of the present invention, since the organic resin insulating layer is formed of photosensitive polyphenylene ether, each organic resin insulating layer uses a resist material by exposing and developing its precursor. The through-hole can be directly formed without performing the above-mentioned process, the through-hole can be easily formed in the organic resin insulating layer without using a resist material, and the multilayer wiring board as a product can be inexpensive. .
【0033】また更に本発明の多層配線基板によれば、
積層される有機樹脂絶縁層の各々の上面を中心線平均粗
さ(Ra)で0.05μm≦Ra≦5μmとしておくと
積層される上下の有機樹脂絶縁層を極めて強固に接合さ
せることができ、その結果、多層配線基板としての機能
を長期間にわたり維持することが可能となる。Furthermore, according to the multilayer wiring board of the present invention,
When the upper surface of each of the laminated organic resin insulating layers is set to have a center line average roughness (Ra) of 0.05 μm ≦ Ra ≦ 5 μm, the upper and lower organic resin insulating layers to be laminated can be bonded very strongly, As a result, the function of the multilayer wiring board can be maintained for a long period of time.
【図1】本発明の多層配線基板の一実施例を示す断面図
である。FIG. 1 is a sectional view showing one embodiment of a multilayer wiring board of the present invention.
1・・・絶縁基板 2・・・有機樹脂絶縁層 3・・・薄膜配線導体 4・・・多層配線 5・・・スルーホール 6・・・溝 1 ... Insulating substrate 2 ... Organic resin insulating layer 3 ... Thin film wiring conductor 4 ... Multilayer wiring 5 ... Through hole 6 ... Groove
Claims (3)
とを交互に積層するとともに上下に位置する薄膜配線導
体を有機樹脂絶縁層に設けたスルーホールを介して電気
的に接続して成る多層配線基板であって、前記有機樹脂
絶縁層を感光性ポリフェニレンエーテル樹脂で形成した
ことを特徴とする多層配線基板。1. An organic resin insulating layer and a thin film wiring conductor are alternately laminated on a substrate, and the upper and lower thin film wiring conductors are electrically connected through through holes provided in the organic resin insulating layer. A multilayer wiring board comprising the organic resin insulating layer formed of a photosensitive polyphenylene ether resin.
みを5μm乃至100μmとしたことを特徴とする請求
項1に記載の多層配線基板。2. The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the thickness of each of the stacked organic resin insulating layers is 5 μm to 100 μm.
面が中心線平均粗さ(Ra)で0.05μm≦Ra≦5
μmであることを特徴とする請求項1に記載の多層配線
基板。3. An upper surface of each of the laminated organic resin insulating layers has a center line average roughness (Ra) of 0.05 μm ≦ Ra ≦ 5.
The multilayer wiring board according to claim 1, wherein the thickness is μm.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9443496A JPH09283936A (en) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | Multilayer wiring board |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9443496A JPH09283936A (en) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | Multilayer wiring board |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH09283936A true JPH09283936A (en) | 1997-10-31 |
Family
ID=14110152
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9443496A Pending JPH09283936A (en) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | Multilayer wiring board |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH09283936A (en) |
-
1996
- 1996-04-16 JP JP9443496A patent/JPH09283936A/en active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPH09326556A (en) | Multilayer wiring board and manufacture thereof | |
JPH09312472A (en) | Multilayer wiring board and its manufacturing method | |
JPH09283936A (en) | Multilayer wiring board | |
JPH05304224A (en) | Multilayer wiring board | |
JPH09312479A (en) | Multi-layer circuit board | |
JPH1093246A (en) | Multilayer wiring board | |
JPH1013019A (en) | Method for manufacturing multilayer wiring board | |
JPH06164152A (en) | Multilayer interconnection board | |
JPH09289375A (en) | Multilayer wiring board | |
JPH09283938A (en) | Multilayer interconnection board | |
JPH09312473A (en) | Multi-layer circuit board | |
JP4022105B2 (en) | Manufacturing method of multilayer wiring board | |
JPH10163634A (en) | Multilayer wiring board | |
JPH10326966A (en) | Multilayered wiring board | |
JPH114080A (en) | Multilayered wiring board | |
JPH09283937A (en) | Multilayer interconnection board | |
JPH1041632A (en) | Multilayer wiring board | |
JPH10322032A (en) | Manufacture of multilayered wiring board | |
JPH09312480A (en) | Multilayer wiring board | |
JPH10322029A (en) | Multilayered wiring board | |
JPH104262A (en) | Multilayer wiring substrate | |
JPH10322019A (en) | Multilayered wiring board | |
JPH10150266A (en) | Multilayer interconnection board | |
JPH1013031A (en) | Multilayered wiring board | |
JPH1027968A (en) | Multilayer wiring board |