JPH09278584A - 単結晶引上装置の制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 残留する半導体原料の低減を図ることができ
る単結晶引上装置の制御方法を提供する。 【解決手段】 支持部２５ａ、２５ａ、…が内ルツボ１
３の係合部１５ａ、１５ａ、…の間隙に対応する位置に
配置されるように回転駆動装置（図示せず）を回転駆動
させ、外ルツボ１２が降下され位置決めされるように昇
降駆動装置（図示せず）を駆動させると共に、半導体単
結晶Ｓｃ１３が外ルツボ１２内に残留された半導体融液
Ｓｃ２に浸されるように単結晶引上駆動装置５０を駆動
させ、この単結晶引上駆動装置５０を、半導体単結晶Ｓ
ｃ１３が引き上げられるように駆動させると共に、前記
昇降駆動装置を、外ルツボ１２内に残留された半導体融
液Ｓｃ２の液面高さが保持されるように駆動させること
を特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ルツボに粒状半導
体原料を供給する原料供給管を備える単結晶引上装置の
制御方法に係わり、特に、残留する半導体原料の低減を
図ることができる単結晶引上装置の制御方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から、シリコン（Ｓｉ）やガリウム
ヒ素（ＧａＡｓ）等の半導体単結晶を成長させる方法と
して、ＣＺ法が知られている。このＣＺ法は、ルツボで
半導体原料を半導体融液とし、この半導体融液から半導
体単結晶を引き上げながら成長させるものである。この
ＣＺ法を用いた単結晶引上装置の一つには、半導体単結
晶の均品質化及び生産性の向上を目的として、二重構造
のルツボに原料供給管を通じて粒状半導体原料を連続供
給するものがある。

【０００３】その二重構造のルツボは、外ルツボと、外
ルツボ内に着脱自在に配置される筒状の内ルツボとから
なっており、前記粒状半導体原料は、内ルツボの外側に
供給されて融解され、ここで融解された半導体融液のみ
が、内ルツボの連通孔を通じて内ルツボの内側に導入さ
れ、半導体単結晶の成長に供される。これにより、半導
体原料の連続供給を可能としている。

【０００４】また、粒状半導体原料の連続供給は、ルツ
ボを所定高さ位置に固定した状態でルツボ内の半導体融
液の液面が所定高さに保たれるように行なわれ、これに
より、高品質な半導体単結晶の製造を可能としている。

【０００５】また、半導体単結晶の引き上げ前には、ル
ツボ内に、多結晶半導体の塊りを砕いた初期半導体原料
を入れて、加熱融解し、ルツボ内に所定量の半導体融液
を準備しておくが、この初期半導体原料の加熱融解時に
は、ルツボ内の半導体融液が非常な高温になる。

【０００６】そこで、初期半導体原料の加熱融解時に
は、内ルツボを外ルツボ内の半導体融液から離し、半導
体融液の熱による軟化、変形を防止することが行なわれ
ている。このため、内ルツボは、その上部の係合部によ
り、支持部から吊下げられて支持されており、外ルツボ
は、昇降駆動自在に支持されている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかし、そのような従
来の単結晶引上装置では、半導体単結晶の製造後にルツ
ボ内に多量の半導体原料が残留してしまうという問題が
ある。

【０００８】また、この問題解決のためには、粒状半導
体原料の供給停止後に、残留した半導体原料から第二の
半導体単結晶を引上げることが考えられるが、粒状半導
体原料の供給を停止した状態で単に半導体融液から半導
体単結晶を引き上げていくと、ルツボ内の半導体融液の
液面が低下してゆくことになるので、高品質な半導体単
結晶を製造することはできない。そこで、その位置から
ルツボを上昇させて液面の低下を防ぐことを考えた。し
かし、この方法によると、シリコン融液直上に近接され
て配置される原料供給管が、石英ルツボの底部に当たる
ため、残留半導体原料を少量しか利用できない。

【０００９】本発明は、上記事情に鑑み、残留する半導
体原料の低減を図ることができ、即ち、半導体原料を効
率的に利用することができる単結晶引上装置の制御方法
を提供することを目的としている。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明では、半導体原料
を貯留するルツボと、ルツボを加熱して半導体原料を半
導体融液とする加熱器と、半導体融液から半導体単結晶
を引き上げる単結晶引上駆動装置と、ルツボに粒状半導
体原料を供給する原料供給管とを備え、ルツボは、外ル
ツボと、外ルツボ内に着脱自在に配置され、外側に粒状
半導体原料が供給され、内側に粒状半導体原料の融液で
ある半導体融液が導入される筒状の内ルツボとからな
り、内ルツボは、その上部に間隙をもって複数周設され
た係合部を有し、係合部が内ルツボの周方向に相対的に
回転される際に、特定の相対回転位置において係合部に
対応する位置に配置され、他の相対回転位置において間
隙に対応する位置に配置される支持部を有し、係合部と
支持部とを、水平方向に相対的に回転駆動する回転駆動
装置を有し、外ルツボを昇降駆動させる昇降駆動装置を
有する単結晶引上装置の制御方法であって、回転駆動装
置を、支持部が係合部の支持を解除するように駆動さ
せ、昇降駆動装置を、外ルツボが降下され位置決めされ
るように駆動させると共に、単結晶引上駆動装置を、半
導体単結晶が外ルツボ内に残留された半導体融液に浸さ
れるように駆動させ、単結晶引上駆動装置を、半導体単
結晶が引き上げられるように駆動させると共に、昇降駆
動装置を、外ルツボ内に残留された半導体融液の液面高
さが保持されるように駆動させることを特徴とする。

【００１１】即ち、原料供給管からルツボへの粒状半導
体原料の供給を伴う半導体単結晶の製造後には、回転駆
動装置を駆動して、支持部を、複数の係合部の間隙に対
応する位置に配置させることができるので、内ルツボを
降下可能の状態とすることができる。よって、昇降駆動
装置を駆動して外ルツボを降下させると、内ルツボも外
ルツボと共に降下することとなる。このため、前記製造
中に内ルツボが外ルツボに融着されていても、外ルツボ
の降下が可能である。そして、外ルツボを降下させたこ
とにより、外ルツボの上昇距離を十分に得ることができ
る。

【００１２】そこで、単結晶引上駆動装置を、半導体単
結晶が外ルツボ内に残留された半導体融液に浸されるよ
うに駆動させた後、単結晶引上駆動装置を、半導体単結
晶が引き上げられるように駆動させると共に、昇降駆動
装置を、外ルツボ内に残留された半導体融液の液面高さ
が保持されるように駆動させるので、残留された半導体
融液がほとんど無くなるまで第二の半導体単結晶を高品
質に成長させることができる。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を図面
に基づき説明する。図２は、本発明の一実施形態の単結
晶引上装置１００を示す図であり、この単結晶引上装置
１００は、粒状半導体原料Ｓｃ１等の半導体原料が導入
されるルツボ１０と、ルツボ１０を加熱して粒状半導体
原料Ｓｃ１等の半導体原料を半導体融液Ｓｃ２とする加
熱器４０と、加熱器４０の周囲に配置された保温用のヒ
ートシールド４５と、半導体融液Ｓｃ２から半導体単結
晶Ｓｃ３を引き上げる単結晶引上駆動装置５０と、ルツ
ボ１０に粒状半導体原料Ｓｃ１を供給する原料供給管７
０と、ルツボ１０、加熱器４０、ヒートシールド４５、
単結晶引上駆動装置５０、原料供給管７０の内設管を気
密状態で包囲する気密容器８０とを備えている。

【００１４】ルツボ１０は、碗状の外ルツボ１２と、外
ルツボ１２内に着脱自在に載置され上下に開放された円
筒状の内ルツボ１３とからなっている。

【００１５】内ルツボ１３は、石英により形成され、上
下に開放された円筒状を成す筒状本体１４と、その筒状
本体１４の上端に接続され、上方に延在する筒状の本体
吊下げ部１５とからなっている。筒状本体１４の下端に
は、連通孔１４ａが複数個、貫通形成されている。

【００１６】本体吊下げ部１５は、その上端に外方に水
平に突出される図３に示す四個の係合部１５ａ、１５
ａ、１５ａ、１５ａを有しており、四個の係合部１５
ａ、１５ａ、１５ａ、１５ａは、互いに等しい間隙Ｓ、
Ｓ、Ｓ、Ｓをもって周設されている。

【００１７】また、単結晶引上装置１００は、以下の構
成を有している。即ち、本体吊下げ部１５の係合部１５
ａ、１５ａ、１５ａ、１５ａの周囲には、四個のルツボ
係止部材２５、２５、２５、２５が、図２に示すよう
に、それぞれ係合部１５ａ、１５ａ、…より上方に延在
されて配置されており、ルツボ係止部材２５、２５、…
の上端は、ヒートシールド４５から内方に突設された環
状の取付部材２６に取り付けられている。図３に示すよ
うに、ルツボ係止部材２５、２５、２５、２５は、その
下端に、内方に水平に突設された支持部２５ａ、２５
ａ、２５ａ、２５ａを有しており、支持部２５ａ、２５
ａ、２５ａ、２５ａは、図２の内ルツボ１３の周方向、
即ち図３に示すように図中矢印Ａ、Ｂ方向の特定の相対
回転位置においてそれぞれ係合部１５ａ、１５ａ、１５
ａ、１５ａに対応する位置（即ち、ふ観して互いに重な
る位置）に配置され、他の相対回転位置においてそれぞ
れ図４に示すように係合部１５ａ、１５ａ、１５ａ、１
５ａの間隙Ｓ、Ｓ、Ｓ、Ｓに対応する位置（即ち、ふ観
して間隙Ｓ、Ｓ、Ｓ、Ｓに重なる位置）に配置されるよ
うに形成されている。

【００１８】図２の外ルツボ１２は、サセプタ３１に載
置されており、サセプタ３１の下面の中心には、鉛直な
シャフト３２が設けられている。このシャフト３２に
は、鉛直な装置軸線ＣＴを中心として回転駆動自在且つ
位置決め自在な図５に示す回転駆動装置１１０が設けら
れると共に、図２のサセプタ３１及び外ルツボ１２を昇
降させる図５の昇降駆動装置１２０が設けられている。
本実施形態では、回転駆動装置１１０、昇降駆動装置１
２０は、電動モーターである。

【００１９】また、単結晶引上装置１００は、制御装置
１３０を有しており、制御装置１３０は、単結晶引上駆
動装置５０、回転駆動装置１１０、昇降駆動装置１２０
がそれぞれ通信接続された制御装置本体１３１と、制御
装置本体１３１に通信接続された入力装置１３５とから
なっている。

【００２０】入力装置１３５は、多数のスイッチを有し
ており、これらスイッチを入、切することで、単結晶引
上駆動開始信号Ｓ１、単結晶降下駆動開始信号Ｓ２、単
結晶駆動停止信号Ｓ３、回転駆動開始信号Ｓ５、回転駆
動停止信号Ｓ６、上昇駆動開始信号Ｓ８、下降駆動開始
信号Ｓ９、昇降駆動停止信号Ｓ１０を入力可能なもので
ある。

【００２１】制御装置本体１３１は、単結晶引上駆動開
始信号Ｓ１を入力すると、単結晶引上駆動装置５０を引
上駆動させ、単結晶降下駆動開始信号Ｓ２を入力する
と、単結晶引上駆動装置５０を降下駆動させ、単結晶駆
動停止信号Ｓ３を入力すると、単結晶引上駆動装置５０
を停止させ、回転駆動開始信号Ｓ５を入力すると、回転
駆動装置１１０を駆動させ、回転駆動停止信号Ｓ６を入
力すると、回転駆動装置１１０を停止させ、上昇駆動開
始信号Ｓ８を入力すると、昇降駆動装置１２０を上昇駆
動させ、下降駆動開始信号Ｓ９を入力すると、昇降駆動
装置１２０を下降駆動させ、昇降駆動停止信号Ｓ１０を
入力すると、昇降駆動装置１２０を停止させるものであ
る。

【００２２】単結晶引上装置１００は以上の構成を有し
ている。以下に単結晶引上装置１００を用いて図２の第
一の半導体単結晶Ｓｃ３と、図１の第二の半導体単結晶
Ｓｃ１３を成長させる方法について説明する。

【００２３】まず、外ルツボ１２をサセプタ３１に載置
させて配置し、下降させて後に配置される内ルツボ１３
から十分に離間できる位置に位置決めする。

【００２４】次に、多結晶半導体の塊りを砕いた初期半
導体原料を外ルツボ１２に入れ、取付部材２６、ルツボ
係止部材２５、２５、…を配置させ、内ルツボ１３を配
置させる。この際、内ルツボ１３の係合部１５ａ、１５
ａ、…をルツボ係止部材２５、２５、…の支持部２５
ａ、２５ａ、…に対して図３の特定の相対回転位置に配
置させる。すると、図２に示すように内ルツボ１３は、
その係合部１５ａ、１５ａ、…が支持部２５ａ、２５
ａ、…に係止されて吊り下げられるので、内ルツボ１３
を半導体融液Ｓｃ２の上方に配置させておくことができ
る。そこで、図５の入力装置１３５から回転駆動開始信
号Ｓ５を入力して、図２の外ルツボ１２を定角速度で図
中矢印Ａ方向に回転させ、加熱器４０に通電して、初期
半導体原料を単結晶成長温度以上の温度まで加熱し、こ
の初期半導体原料を融解して、半導体融液Ｓｃ２とす
る。

【００２５】上記工程において、内ルツボ１３の本体吊
下げ具１５をルツボ係止部材２５、２５、…に係止させ
て内ルツボ１３を半導体融液Ｓｃ２の上方に配置させて
おくことで、内ルツボ１３が半導体融液Ｓｃ２の熱によ
り軟化、変形することを防止している。

【００２６】初期半導体原料が全て半導体融液Ｓｃ２と
なった後には、図５の入力装置１３５から上昇駆動開始
信号Ｓ８を入力して、図２の外ルツボ１２を、内ルツボ
１３に対して接近させ、図５の入力装置１３５から昇降
駆動停止信号Ｓ１０を入力して図２の外ルツボ１２内の
底面に内ルツボ１３の筒状本体１４を設置させる。

【００２７】そこで、図５の入力装置１３５から単結晶
降下駆動開始信号Ｓ２を入力した後、単結晶駆動停止信
号Ｓ３を入力して図２の単結晶引上機構５０の引上軸５
０ａにより吊り下げられた種結晶Ｓｃ４を半導体融液Ｓ
ｃ２に浸し、この後、図５の入力装置１３５から単結晶
引上駆動開始信号Ｓ１を入力して、図２の種結晶Ｓｃ４
を鉛直方向の装置軸線ＣＴを中心として回転させながら
定速度で鉛直上方に引き上げ、この種結晶Ｓｃ４を核と
して半導体単結晶Ｓｃ３を成長させる。

【００２８】この結晶成長過程においては、原料供給管
７０から外ルツボ１２内の内ルツボ１３の外側に粒状半
導体原料Ｓｃ１を連続供給して、半導体融液Ｓｃ２の液
位を保持する。以上のようにして、第一の半導体単結晶
Ｓｃ３を高品質に製造することができる。

【００２９】第一の半導体単結晶Ｓｃ３の製造が完了し
たならば、図５の入力装置１３５から回転駆動停止信号
Ｓ６及び単結晶引上駆動開始信号Ｓ１を入力して、図２
の外ルツボ１２の回転を停止させ、単結晶引上駆動装置
５０を停止させる。また、粒状半導体原料Ｓｃ１の連続
供給を停止する。このとき、外ルツボ１２内には、半導
体融液Ｓｃ２が残留している。

【００３０】そこで、この残留した半導体融液Ｓｃ２を
用いて、図１のように第二の半導体単結晶Ｓｃ１３を製
造する。本実施形態では、図２の第一の半導体単結晶Ｓ
ｃ３は、既に単結晶引上駆動装置５０から外され、図１
に示すように新たに種結晶Ｓｃ１４を設けるものとす
る。

【００３１】まず、図５の入力装置１３５から回転駆動
開始信号Ｓ５を入力して、回転駆動装置１１０を駆動さ
せた後、入力装置１３５から回転駆動停止信号Ｓ６を入
力して、図３のルツボ係止部材２５、２５、…の支持部
２５ａ、２５ａ、…が、図４に示すように内ルツボ１３
の係合部１５ａ、１５ａ、…の間隙Ｓ、Ｓ、…に対応す
る位置となる相対回転位置で図５の回転駆動装置１１０
を停止させる。これにより、図１に示すような内ルツボ
１３の降下を可能とすることができる。すると、図２の
第一の半導体単結晶Ｓｃ３製造中に内ルツボ１３が外ル
ツボ１２に融着されていても、図１のように内ルツボ１
３と共に外ルツボ１２を降下させることが可能となる。

【００３２】そこで、図５の入力装置１３５から下降駆
動開始信号Ｓ９を入力して、昇降駆動装置１２０を降下
駆動させた後、入力装置１３５から昇降駆動停止信号Ｓ
１０を入力して、図１の外ルツボ１２を所望の距離だけ
下降させて位置決めする。

【００３３】また、図５の入力装置１３５から単結晶降
下駆動開始信号Ｓ２を入力して、単結晶引上駆動装置５
０を下降駆動させた後、入力装置１３５から単結晶駆動
停止信号Ｓ３を入力して、図１の種結晶Ｓｃ１４を外ル
ツボ１２内に残留された半導体融液Ｓｃ２に浸す。

【００３４】そこで、図５の入力装置１３５から単結晶
引上駆動開始信号Ｓ１を入力すると共に、上昇駆動開始
信号Ｓ８、回転駆動開始信号Ｓ５を入力して、図１の種
結晶Ｓｃ１４を装置軸線ＣＴを中心として回転させなが
ら定速度で鉛直上方に引き上げると共に、外ルツボ１２
内に残留された半導体融液Ｓｃ２の液面高さが保持され
るように外ルツボ１２を上昇させ、装置軸線ＣＴを中心
として回転させる。すると、この種結晶Ｓｃ１４を核と
して残留された半導体融液Ｓｃ２から第二の半導体単結
晶Ｓｃ３を成長させることができる。

【００３５】また、このように外ルツボ１２内に残留さ
れた半導体融液Ｓｃ２の液面高さを保持することができ
るので、高品質な第二の半導体単結晶Ｓｃ１３の製造を
行なうことが可能である。

【００３６】また、外ルツボ１２を降下させたことによ
り、第二の半導体単結晶Ｓｃ１３の成長過程での外ルツ
ボ１２の上昇距離を十分に得ることができるので、残留
された半導体融液Ｓｃ２がほとんど無くなるまで第二の
半導体単結晶Ｓｃ１３を成長させることができる。これ
により、残留する半導体原料Ｓｃ２の低減を図ることが
でき、半導体原料Ｓｃ２を効率的に利用することができ
る。

【００３７】尚、本発明は、上記第一実施形態の単結晶
引上装置１００において、図５の制御装置１３０を、図
６に示すような制御装置２３０に代えた第二実施形態の
単結晶引上装置２００を含む。この実施形態では、ま
ず、回転駆動装置１１０に、その回転角度位置を検出す
る回転角度検出器２４０を設け、昇降駆動装置１２０
に、ルツボ昇降高さ位置を検出するルツボ高さ検出器２
５０を設け、単結晶引上駆動装置５０に、第二の半導体
単結晶Ｓｃ１３の高さ位置を検出する単結晶高さ検出器
２６０を設け、回転角度検出器２４０とルツボ高さ検出
器２５０と単結晶高さ検出器２６０とを制御装置２３０
の制御装置本体２３１に接続する。また、制御装置本体
２３１には、二次製造開始信号Ｓ２０を制御装置本体２
３１に入力することが可能なキーボード等の入力装置２
３５が接続されている。

【００３８】制御装置本体２３１は、以下のように逐次
制御を行なうものである。まず、入力装置２３５からの
二次製造開始信号Ｓ２０に基づいて、回転駆動装置１１
０を駆動させる信号Ｓ２１を出力する。次に、回転角度
検出器２４０が検出する回転角度位置の情報信号Ｓ２２
に基づいて、図１に示す支持部２５ａ、２５ａ、…が係
合部１５ａ、１５ａ、…の支持を解除するように図６の
回転駆動装置１１０を停止させる信号Ｓ２３を出力する
と共に、昇降駆動装置１２０を降下駆動させる信号Ｓ２
５を出力する。また、同時に、単結晶引上駆動装置５０
を下降駆動させる信号Ｓ２６を出力する。

【００３９】次に、ルツボ高さ検出器２５０が検出する
昇降高さ位置の情報信号Ｓ２７に基づいて、図１の外ル
ツボ１２が所望の高さ位置に位置決めされるように図６
の昇降駆動装置１２０を停止させる信号Ｓ２８を出力す
る。また、単結晶高さ検出器２６０が検出する図１の種
結晶Ｓｃ１４の高さ位置の情報信号Ｓ３０（図６参照）
に基づいて、図１の種結晶Ｓｃ１４が外ルツボ１２内に
残留された半導体融液Ｓｃ２に浸される所望の高さ位置
に位置決めされるように単結晶引上駆動装置５０を停止
させる図６の信号Ｓ３１を出力する。

【００４０】そして、そのルツボ高さ検出器２５０の昇
降高さ位置の情報信号Ｓ２７と、その単結晶高さ検出器
２６０の高さ位置の情報信号Ｓ３０とが、それぞれの前
記所望の高さ位置になると、単結晶引上駆動装置５０
を、図１の種結晶Ｓｃ１４が装置軸線ＣＴを中心として
回転され引き上げられるように駆動させる図６の信号Ｓ
３２を出力すると共に、昇降駆動装置１２０を、図１の
外ルツボ１２内に残留された半導体融液Ｓｃ２の液面高
さが保持されるように上昇駆動させる図６の信号Ｓ３３
を出力する。また、同時に、図１の外ルツボ１２を装置
軸線ＣＴを中心として回転駆動させる図６の信号Ｓ２１
を出力する。

【００４１】よって、入力装置２３５から二次製造開始
信号Ｓ２０を入力した後には、図１の第二の半導体単結
晶Ｓｃ１３の製造中の操作を軽減或いは無くすことがで
きるので、製造作業の更なる簡便化を図ることができ
る。

【００４２】また、以上第一、第二の実施形態では、図
２の第一の半導体単結晶Ｓｃ３とは別に図１の第二の半
導体単結晶Ｓｃ１３を製造したが、本発明は、図２の第
一の半導体単結晶Ｓｃ３の下端に第二の半導体単結晶を
延在させるように成長形成する方法を含む。

【００４３】

【発明の効果】即ち、本発明では、残留された半導体融
液がほとんど無くなるまで第二の半導体単結晶を高品質
に成長させることができるので、残留する半導体原料の
低減を図ることができ、半導体原料を効率的に利用する
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明の単結晶引上装置の気密容器内部を示
す図であり、第二の半導体単結晶の製造過程を示す図で
ある。

【図２】 図１の単結晶引上装置の第一の半導体単結晶
の製造過程を示す図である。

【図３】 図２の内ルツボの係合部と、その係合部に対
応した位置に配置された支持部とを示すふ観図である。

【図４】 図３の係合部を回転させて、支持部を係合部
の間隙に配置させた状態を示す図である。

【図５】 本発明の第一実施形態の単結晶引上装置の制
御装置を示す図である。

【図６】 本発明の第二実施形態の単結晶引上装置の制
御装置を示す図である。

【符号の説明】

１０ ルツボ １２ 外ルツボ １３ 内ルツボ １５ａ 係合部 ２５ａ 支持部 ４０ 加熱器 ５０ 単結晶引上駆動装置 ７０ 原料供給管 １００ 第一実施形態の単結晶引上装置 １１０ 回転駆動装置 １２０ 昇降駆動装置 ２００ 第二実施形態の単結晶引上装置 Ｓ 間隙 Ｓｃ１ 粒状半導体原料 Ｓｃ２ 半導体融液 Ｓｃ３ 第一の半導体単結晶 Ｓｃ１３ 第二の半導体単結晶

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 降屋 久 東京都千代田区大手町一丁目５番１号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 喜田 道夫 埼玉県大宮市北袋町１丁目297番地 三菱 マテリアル株式会社総合研究所内

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 半導体原料を貯留するルツボと、該ルツ
   ボを加熱して前記半導体原料を半導体融液とする加熱器
   と、該半導体融液から半導体単結晶を引き上げる単結晶
   引上駆動装置と、前記ルツボに粒状半導体原料を供給す
   る原料供給管とを備え、 前記ルツボは、外ルツボと、該外ルツボ内に着脱自在に
   配置され、外側に前記粒状半導体原料が供給され、内側
   に前記粒状半導体原料の融液である前記半導体融液が導
   入される筒状の内ルツボとからなり、 前記内ルツボは、その上部に間隙をもって複数周設され
   た係合部を有し、 該係合部が前記内ルツボの周方向に相対的に回転される
   際に、特定の相対回転位置において前記係合部に対応す
   る位置に配置され、他の相対回転位置において前記間隙
   に対応する位置に配置される支持部を有し、 前記係合部と前記支持部とを、水平方向に相対的に回転
   駆動する回転駆動装置を有し、 前記外ルツボを昇降駆動させる昇降駆動装置を有する単
   結晶引上装置の制御方法であって、 前記回転駆動装置を、前記支持部が前記係合部の支持を
   解除するように駆動させ、 前記昇降駆動装置を、前記外ルツボが降下され位置決め
   されるように駆動させると共に、前記単結晶引上駆動装
   置を、前記半導体単結晶が前記外ルツボ内に残留された
   前記半導体融液に浸されるように駆動させ、 前記単結晶引上駆動装置を、前記半導体単結晶が引き上
   げられるように駆動させると共に、前記昇降駆動装置
   を、前記外ルツボ内に残留された前記半導体融液の液面
   高さが保持されるように駆動させることを特徴とする単
   結晶引上装置の制御方法。