JPH09275345A - D/a変換器 - Google Patents

D/a変換器

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JPH09275345A
JPH09275345A JP8413796A JP8413796A JPH09275345A JP H09275345 A JPH09275345 A JP H09275345A JP 8413796 A JP8413796 A JP 8413796A JP 8413796 A JP8413796 A JP 8413796A JP H09275345 A JPH09275345 A JP H09275345A
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卓哉 原田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 荷重容量回路を用いたD/A変換器を、寄生
容量の影響を受けることなく高精度な出力特性が得ら
れ、しかも簡単な構成で実現できるようにする。 【解決手段】 容量を基準容量cに対して2進化荷重し
たコンデンサC2〜C5と容量cのコンデンサC1とか
らなるキャパシタアレイ12を備え、まず各コンデンサ
C1〜C5の電荷を放電させ、次にコンデンサC2〜C
5を入力データDinに応じてVref 又はGND側に,コ
ンデンサC1をGND側に接続して、キャパシタアレイ
12にて基準電圧Vref をDinに応じて容量分圧させ、
更にその分圧電圧をサンプルホールド回路16にてホー
ルドして出力するといった手順で、D/A変換動作を繰
り返し行なう。そして各コンデンサC1〜C5の電荷放
電時には、その両端に、前回のD/A変換結果である出
力電圧Vout を印加する。この結果、寄生容量C7,C
8に影響されない高精度な出力特性が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、デジタルデータを
アナログ電圧に変換するD/A変換器に関し、詳しくは
荷重容量回路を用いたD/A変換器に関する。
【0002】
【従来の技術】従来より、D/A変換器をCMOS回路
で実現する際には、多数(例えば、入力データがnビッ
トであれば2n 個) の抵抗器を直列接続してなる抵抗
ストリングスを用いて基準電圧を分圧し、抵抗ストリン
グスの入力データに対応した分圧点からスイッチング素
子を介して分圧電圧を取り出すことにより、入力データ
に対応したアナログ電圧を出力するように構成した電圧
ポテンショメータ型のD/A変換器が用いられる。
【0003】ところが、この電圧ポテンショメータ型D
/A変換器では、入力データが例えば10ビット以上の
高ビットになると、、各抵抗器の抵抗値のばらつき等に
より、D/A変換精度が低下し、入力データに対応した
アナログ電圧信号が得られなくなるといった問題があっ
た。
【0004】一方、CMOS回路で実現するのに好適な
A/D変換器として、米国特許公報第4129863号
に開示されているように、アナログ入力電圧をデジタル
値に変換するために入力電圧と基準電圧とを逐次比較す
る逐次比較型のA/D変換器において、その基準電圧
を、容量を2進化荷重した複数のキャパシタからなる荷
重容量回路(キャパシタアレイ)を用いて生成するよう
に構成したA/D変換器が提案されている。
【0005】この提案のA/D変換器では、キャパシタ
アレイを、デジタルデータからアナログ電圧を生成する
D/A変換器として用いており、キャパシタアレイは、
CMOS回路で構成した場合に、抵抗ストリングスに比
べて、高精度な特性(容量)を得ることができることか
ら、これを利用することにより、デジタルデータをアナ
ログ電圧に高精度に変換可能なD/A変換器を構成でき
る。
【0006】つまり、図8(a)に示す如く、例えば、
4ビットの入力データをアナログ電圧に変換する場合、
キャパシタアレイ52には、容量の基準値をcとする
と、容量を夫々、c,2c,4c,8cに設定した4個
のキャパシタ(コンデンサ)Ca〜Cdからなるキャパ
シタアレイが使用される。
【0007】また、このキャパシタアレイ52を用いて
入力データ(4ビット)をアナログ電圧に変換する際に
は、各コンデンサCa〜Cdの一端に、夫々、各端部
に、基準電圧Vref が印加された正電位側の基準電圧ラ
インを接続するか、その負電位側のGNDラインを接続
するか、或いはバイアス電圧VBを印加するかを切り換
えるスイッチング素子Sa〜Sdを設けられ、各コンデ
ンサCa〜Cdの他端が、基準電圧Vref を分圧して出
力する出力ラインとして互いに接続され、更に、各コン
デンサCa〜Cdの両端を接続し、しかも各両端にバイ
アス電圧VBを印加するための一対のスイッチング素子
Se,Sfが設けられる。
【0008】そして、このように構成されたD/A変換
器50を用いて、実際に入力データ(4ビット)をアナ
ログ電圧に変換するに当たっては、まずスイッチング素
子Se,SfをONすると共に、各スイッチング素子S
a〜Sdをスイッチング素子Se側に切り換えることに
より、各コンデンサCa〜Cd両端にバイアス電圧を印
加すると共に、各コンデンサCa〜Cdに蓄積された電
荷を放電させる(以下、この動作をバイアス動作とい
う)。そして、その後、スイッチング素子Se,Sfを
OFFさせ、各スイッチング素子Sa〜Sdを、例え
ば、入力データの最下位ビット(LSB)が「1」であ
れば、容量荷重が最小のコンデンサCaに接続されたス
イッチング素子Saを基準電圧ライン(Vref )側に切
り換え、入力データの最上位ビット(MSB)が「0」
であれば、容量荷重が最大のコンデンサCdに接続され
たスイッチング素子SdをGNDライン(0V)側に切
り換える、というように、入力データの各ビット値に応
じて基準電圧ライン又はGNDライン側に切り換える
(以下、この動作をセットリング動作という)。
【0009】この結果、各コンデンサCa〜Cdの一端
を互いに接続した出力ラインには、基準電圧ライン−G
NDライン間の基準電圧を、値0〜値15に変化する4
ビット入力データに応じて容量分圧した0V〜Vref の
電圧が発生することになり、この電圧をオペアンプOP
a等からなるバッファ54を介して出力するようにすれ
ば、キャパシタアレイ52をD/A変換器として使用す
ることができる。
【0010】
【発明が解決しようとする課題】ところがD/A変換器
を上記のように構成した場合、上記セットリング動作に
よって基準電圧を容量分圧した直後には、入力データに
応じた所望のアナログ電圧が得られるものの、その後暫
くすると(例えば数msec.経過すると)、各コンデンサ
Ca〜Cdに蓄積された電荷が抜けてしまい、出力電圧
が変動するとか、各コンデンサCa〜Cdの一端を互い
に接続する出力ラインの配線容量や、出力ラインに接続
されるアナログスイッチの接合容量等により、この出力
ラインと電源(VDD),或いはこの出力ラインとGND
(0V)との間に形成される寄生容量Ce,Cfによ
り、出力電圧が正規の値からずれることがあるといった
問題があった。
【0011】そして、上記前者の問題(つまり出力電圧
の変動)については、周知のサンプルホールド回路を利
用することにより、比較的容易に解決できるものの、上
記後者の問題(つまり寄生容量による出力誤差)につい
ては、簡単には解決できない。
【0012】即ち、図8(a)に示すように、バッファ
54の出力側に、スイッチング素子Sgを介して、電荷
蓄積用のコンデンサCgとこのコンデンサCgの電圧を
出力するオペアンプ(バッファ)OPbとからなるサン
プルホールド回路60を設け、上記セットリング動作終
了後、バッファ54の出力が安定している期間内に、ス
イッチング素子SgをONして、コンデンサCgにバッ
ファ54の出力に応じた電荷を充電させるようにし、こ
のサンプルホールド回路60からの出力をD/A変換結
果を表すアナログ電圧Vout として出力するようにすれ
ば、このD/A変換器の出力を安定化させることができ
る。
【0013】ところが、出力ラインの寄生容量Ce,C
fによる出力誤差は、例えば、図9(a)に示す如く、
バイアス電圧VBを0Vに設定した場合、入力データが
「0000」で正規の分圧電圧Voが0Vとなるときに
は、バイアス時とセットリング時とで寄生容量Ce,C
fにかかる電位が等しいため、寄生容量Ce,Cfの電
荷量の変化はなく、分圧電圧Voに、寄生容量Ce,C
fの影響による誤差は生じないものの、入力データ(延
いては分圧電圧Vo)が大きくなるに従い、バイアス時
とセットリング時とで寄生容量Ce,Cfにかかる電位
の差が大きくなるため、分圧電圧Voの誤差が増大す
る。また、バイアス電圧VBを基準電圧Vref に設定し
た場合には、入力データが「1111」で正規の分圧電
圧Voが基準電圧Vref となるときには、分圧電圧Vo
に誤差は生じないものの、入力データ(延いては分圧電
圧Vo)が小さくなるに従い、分圧電圧Voの誤差が増
大する。また更に、バイアス電圧VBを基準電圧Vref
の半分(VB=Vref /2)にした場合には、分圧電圧
Voがこのバイアス電圧VBになるときには誤差は生じ
ないものの、分圧電圧Voがこれより増加或いは減少す
るに従い、誤差が大きくなる。従って、バイアス電圧V
Bを固定していたのでは、その電圧値をいずれに設定し
ても、良好な出力特性が得られない。
【0014】そこで、本願発明者らは、この問題を解決
するために、バイアス電圧VBを入力データに応じて変
化させる方法を考えた。例えば、図8(a)に示した4
ビットのD/A変換器の場合、図8(b)に示す如く、
抵抗ストリングスを利用した2ビットの電圧ポテンショ
メータ型D/A変換器(DAC)62を別途設け、入力
データD0〜D3の上位2ビットD2,D3を、この2ビットD
/A変換器62でアナログ電圧に変換し、そのアナログ
電圧を、バイアス電圧VBに使うようにするである。
【0015】しかしこの方法では、図9(b)に示すよ
うに、分圧電圧Voが、バイアス電圧VBと等しくなる
点で誤差はなくなるが、VBが切り替わる点では誤差が
最も大きくなり、微分非直線性誤差も発生する。また、
この方法では、抵抗ストリングスを用いたD/A変換器
を別途設けなければならず、コストアップになるという
問題がある。
【0016】本発明は、こうした問題に鑑みなされたも
ので、上記のように荷重容量回路(キャパシタアレイ)
を用いてD/A変換器を構成するに当たって、荷重容量
回路に形成される寄生容量の影響を受けることなく高精
度なD/A変換結果を得ることができ、しかも簡単な構
成で実現できるようにすることを目的とする。
【0017】
【課題を解決するための手段】かかる目的を達成するた
めになされた請求項1に記載のD/A変換器では、入力
データをアナログ電圧に変換するのに、一端が互いに接
続されたn個のキャパシタを備え、各キャパシタの容量
を、前記入力データの各ビットi(i:0,1,…,(n-1))に
対応して、夫々、基準容量の2i 倍に重み付けした荷重
容量回路(つまり前述のキャパシタアレイ)が用いられ
る。
【0018】そして、まず放電手段が、前記各キャパシ
タの両端を互いに接続して、各キャパシタの電荷を放電
させ、その後、分圧設定手段が、各キャパシタの開放端
を、夫々、各キャパシタに対応する入力データのビット
値に応じて、基準電圧の正電位側又は負電位側に接続す
ることにより、荷重容量回路に、基準電圧を入力データ
に応じた容量比で分圧させ、ホールド手段が、この分圧
設定手段の動作により各キャパシタの共通の接続点に生
じた分圧電圧をサンプルホールト゛して、そのホールド電
圧をD/A変換後の電圧信号として出力する。また放電
手段,分圧設定手段及びホールド手段は、夫々、所定周
期で順次繰り返し動作し、放電手段が、各キャパシタを
放電する際には、ホールド手段からの出力(つまり当該
D/A変換器からの出力電圧)をバイアス電圧として、
各キャパシタの両端に印加する。
【0019】この結果、本発明(請求項1)のD/A変
換器においては、D/A変換開始直後や、入力データが
変化した直後には、出力電圧に一時的に誤差が生じるも
のの、入力データの変化が、前述所定周期のD/A変換
の少なくとも2周期以上は起こらないようにすれば、前
記各手段が、同じ入力データに対し、前述のバイアス動
作,セットリング動作及びサンプリング動作を繰り返す
うちに、出力電圧が入力データに対応した正規の電圧値
となり、前述のD/A変換器に比べて、極めて高精度な
D/A変換結果を得ることができるようになる。なお、
この動作の詳細については、後述の実施例にて詳しく説
明する。
【0020】また、本発明(請求項1)によれば、放電
動作時に、ホールド回路にてサンプルホールドした前回
のD/A変換結果をバイアス電圧として、荷重容量回路
を構成する各コンデンサの両端に印加するだけでよく、
前述の抵抗ストリングスを用いたD/A変換器等、精度
を向上するための特別な回路を別途設ける必要がないた
め、荷重容量回路を用いたD/A変換器を、極めて簡単
に構成することができ、そのコスト低減を図ることもで
きる。
【0021】次に、請求項2に記載のD/A変換器は、
前記放電手段,分圧設定手段,及びホールド手段による
所定周期毎のD/A変換動作を、少なくとも連続2回以
上は、同一の入力データに対して行なうように構成され
る。このため、常に高精度なD/A変換結果が得られる
D/A変換器を実現できる。
【0022】また次に、請求項3に記載のD/A変換器
においては、荷重容量回路を、入力データのビット数に
対応したn個のキャパシタだけでなく、容量が基準容量
に設定され、一端がこれらn個のキャパシタと共に互い
に接続された補正用キャパシタを備える。そして、放電
手段が、n個のキャパシタと共に、この補正用キャパシ
タの電荷も放電させ、分圧設定手段は、この補正用キャ
パシタの開放端を、基準電圧の負電位側に接続する。
【0023】この結果、本発明(請求項3)のD/A変
換器によれば、基準電圧Vref を1/2n の分解能にて
分圧し、入力データが最大値であるとき、出力電圧Vou
t が、「Vout =Vref ・(2n −1)/2n 」とな
る、一般的なD/A変換器として動作する。
【0024】つまり、請求項1に記載のようにn個のキ
ャパシタからなる荷重容量回路を用いてD/A変換器を
構成した場合、より具体的には、荷重容量回路に図8に
示したキャパシタアレイ52を用いた場合、キャパシ
タ,つまりコンデンサCa〜Cdの個数が入力データに
対応した4個であるため、入力データが最小値「000
0」であれば、スイッチング素子Sa〜Sdが全てGN
Dライン(0V)に接続されて、出力電圧Vout は0V
となり、入力データが最大値「1111」であれば、ス
イッチング素子Sa〜Sdが全て基準電圧ライン(Vre
f )に接続されて、出力電圧Vout はVref となる。従
って、このような構成でも、入力データに対応したアナ
ログ電圧を得ることはできる。
【0025】しかし、一般に、D/A変換器は、入力デ
ータがnビットであれば、基準電圧Vref に対して、V
ref /2n の分解能を有し、入力データが「1111」
であれば、出力電圧Vout がVref ・15/16となる
ように構成される。そこで、本発明(請求項3)では、
出力特性が、こうした一般的なD/A変換器と同じにな
るように、重み付けの基準となる基準容量を有するキャ
パシタを出力電圧補正用のキャパシタとして別途使用
し、セットリング動作時には、常にこのキャパシタの一
端を負電位側に接続するようにしているのである。この
結果、本発明(請求項3)によれば、荷重容量回路(キ
ャパシタアレイ)を用いて、従来より一般に使用されて
いるD/A変換器と同じ出力特性が得られるD/A変換
器を構成でき、汎用性の高いD/A変換器を提供でき
る。
【0026】また、請求項4に記載のD/A変換器にお
いては、上記請求項3に記載のD/A変換器に、更に、
基準電圧を入力データに応じた抵抗比で分圧したアナロ
グ電圧を出力する電圧ポテンショメータ型D/A変換回
路を設け、セットリング動作時には、分圧設定手段に
て、補正用キャパシタの開放端をこのD/A変換回路の
出力に接続するようにされている。
【0027】この結果、本発明(請求項4)によれば、
入力データが高ビットである場合、その内の上位nビッ
トを荷重容量回路(キャパシタアレイ)を用いてD/A
変換し、残りの下位xビットを電圧ポテンショメータ型
のD/A変換回路にてD/A変換し、この電圧ポテンシ
ョメータ型のD/A変換回路によるD/A変換結果を、
補正用キャパシタを介して、出力電圧に合成するといっ
たことができる。
【0028】そして、この場合、荷重容量回路(キャパ
シタアレイ)の回路面積と電圧ポテンショメータ型のD
/A変換回路を構成する抵抗ストリングスの回路面積と
を考慮して、各回路が受け持つビット数を任意に設定で
きるため、D/A変換器全体の回路面積を小さくして、
装置の小型化を図ることができる。
【0029】
【発明の実施の形態】以下に本発明の一実施例を図面と
共に説明する。図1に示すように、本実施例のD/A変
換器は、図8に示したD/A変換器52と同様、4ビッ
トの入力データDin(D0〜D3)をアナログ電圧Vout に
変換するためのものであり、キャパシタアレイ12を備
えたD/A変換部10と、このD/A変換部10を制御
する制御部20とから構成されている。
【0030】D/A変換部10は、キャパシタアレイ1
2の他、キャパシタアレイ12の出力ラインLに接続さ
れたオペアンプOP1からなるバッファ14、及び、バ
ッファ14の出力にスイッチング素子S8を介して接続
され、スイッチング素子S8のON時にその出力電圧を
サンプルホールドする、キャパシタ(コンデンサ)C6
とオペアンプOP2とからなるサンプルホールド回路1
6を備えている。
【0031】また、キャパシタアレイ12は、図8に示
したキャパシタアレイ52と同様、入力データのビット
数(4ビット)に対応して、容量が、夫々、c,2c,
4c,8cに設定された4個のキャパシタ(コンデン
サ)C2,C3,C4,C5を備えると共に、容量cの
出力電圧補正用のキャパシタ(コンデンサ)C1を備え
る。
【0032】そして、これら各コンデンサC1〜C5の
一端は互いに接続されて、これが出力ラインLとして形
成されると共に、各コンデンサC2〜C5の他端には、
夫々、各端部に、基準電圧Vref が印加された正電位側
の基準電圧ラインを接続するか、その負電位側のGND
ラインを接続するか、或いは出力ラインLを接続するか
を切り換えるスイッチング素子S2〜S5が設けられ、
更に、コンデンサC1の他端には、GNDラインを接続
するか、出力ラインLを接続するかを切り換えるスイッ
チング素子S1が設けられている。また、出力ラインL
と各スイッチング素子S1〜S5との間には、スイッチ
ング素子S6及びS7が設けられ、このスイッチング素
子S6,S7のON時に、各スイッチング素子S1〜S
5が出力ラインL側に切り換えることにより、各コンデ
ンサC1〜C5の両端を接続して、各コンデンサC1〜
C5の電荷を放電できるようにされている。
【0033】また、スイッチング素子S6とS7との間
の電荷の放電ラインには、サンプルホールド回路16の
出力が接続され、各コンデンサC1〜C5の電荷放電時
には、各コンデンサC1〜C5の両端電位をサンプルホ
ールド回路16,延いては当該D/A変換器からの出力
電圧Vout が印加される。
【0034】なお、上記8個のスイッチング素子S1〜
S8の内、スイッチング素子S6〜S8は、nチャンネ
ルとPチャンネルのMOSFETからなる1つのアナロ
グスイッチから構成され、スイッチング素子S1は、コ
ンデンサC1の一端をGNDラインと出力ラインLとに
択一的に接続するために、MOSFETからなる2つの
アナログスイッチSW1,SW2から構成され(図2
(a)参照)、更にスイッチング素子S2〜S5は、コ
ンデンサC2〜C5の一端を、夫々、基準電圧ラインと
GNDラインと出力ラインLとに択一的に接続するため
に、MOSFETからなる3つのアナログスイッチSW
1,SW2,SW3から構成されている(図2(b)参
照)。
【0035】一方、制御部20は、図3に示す如く、外
部からの入力クロックCLKを分周して、予め設定され
たD/A変換周期Toに対応した基準信号を生成する分
周回路22と、この分周回路22からの基準信号を受け
て、D/A変換周期Toに同期して入力データDinをラ
ッチするラッチ回路24と、このラッチ回路24にてラ
ッチされた入力データDin及び分周回路22からの基準
信号を受けて、上記各スイッチング素子S1〜S8の切
り換えタイミング(換言すれば、バイアス動作,セット
リング動作,及びサンプリング動作の各動作タイミン
グ)を制御する制御信号を生成する制御回路26とから
構成されている。
【0036】即ち、制御部20は、図4に示す如く、制
御回路26の動作によって、分周回路22から出力され
るD/A変換周期To(本実施例では10μ〜50μse
c.程度の周期)を表す基準信号に基づき、まず、このD
/A変換周期To内の所定期間だけハイレベルとなるバ
イアス用の制御信号と、この制御信号の立下がり
後、D/A変換の1周期が経過して次に制御信号が立
ち上がるまでの間の所定期間だけハイレベルとなるセッ
トリング用の制御信号と、この制御信号がハイレベ
ルとなって出力ラインLの分圧電圧Voが安定するのに
要する所定時間経過後にハイレベルとなり、その後制御
信号がローレベルに反転するまでの間にローレベルと
なる、サンプリング用の制御信号とを、夫々、生成す
る。
【0037】そして、制御回路26は、この生成した3
種の制御信号〜の内、制御信号がハイレベルにあ
るときには、スイッチング素子S6,S7をONすると
共に、スイッチング素子S1〜S5をスイッチング素子
S6側に切り換えることにより、キャパシタアレイ12
を構成する各コンデンサC1〜C5の両端を接続して電
荷を放電させると共に、各コンデンサC1〜C5の両端
に、バイアス電圧としてサンプルホールド回路16の出
力電圧Vout を印加する(バイアス動作)。
【0038】また制御信号がハイレベルにあるときに
は、ラッチ回路24にラッチされた入力データDinの
内、LSB(D0)側を容量の小さいコンデンサC2側に
対応するように、入力データDinの各ビット値D0〜D3を
各コンデンサC2〜C5に対応させ、各ビット値D0〜D3
が値「1」であれば基準電圧ライン側へ、逆に各ビット
値D0〜D3が値「0」であればGNDライン側へと、スイ
ッチング素子S2〜S5を切り換えると共に、スイッチ
ング素子S1をGNDライン側に切り換えることによ
り、基準電圧Vref を入力データDinに応じて、Vref
/16の分解能にて容量分圧させる(セットリング動
作)。
【0039】また更に、制御信号がハイレベルにある
ときには、スイッチング素子S8をONして、キャパシ
タアレイ12で容量分圧した出力ラインLの電圧値を、
サンプルホールド回路16にサンプルホールドさせる
(サンプリング動作)。なお、本実施例においては、上
記バイアス動作を実行するための制御部20及びスイッ
チング素子S1〜S7が放電手段に、上記セットリング
動作を実行するための制御部20及びスイッチング素子
S1〜S5が分圧設定手段に、上記サンプリング動作を
実行するための制御部20,スイッチング素子S8及び
サンプルホールド回路60がホールド手段に、夫々相当
する。
【0040】以上説明したように、本実施例のD/A変
換器においては、バイアス動作,セットリング動作及び
サンプリング動作を、所定周期(10μ〜50μsec.)
で繰り返し実行することにより、入力電圧Dinをアナロ
グ電圧Vout に変換し、しかも、バイアス動作中には、
キャパシタアレイ52を構成する各コンデンサC1〜C
5の両端に、バイアス電圧として、出力電圧Vout を印
加する。
【0041】このため、本実施例のD/A変換器によれ
ば、D/A変換開始直後や、入力データが変化した直後
には、出力電圧に一時的に誤差が生じるものの、同じ入
力データに対し、バイアス動作,セットリング動作及び
サンプリング動作を繰り返す内に、出力電圧Vout が入
力データDinに対応した正規の電圧値となり、極めて高
精度なD/A変換結果を得ることができる。
【0042】また、本実施例では、キャパシタアレイ1
2に出力電圧補正用のコンデンサC1を設け、セットリ
ング時には、このコンデンサC1の開放端側を、常に、
スイッチング素子S1にてGNDラインに接続するよう
に構成されているため、図5に示す如く、出力電圧Vou
t は、入力データDinの「0000」から「1111」
までの変化に対応して、0VからVref ・15/16V
まで、Vref /16の分解能で変化する。このため、本
発明によれば、従来より一般的に使用されているD/A
変換器と同様の出力特性を得ることができる。
【0043】次に、出力電圧Vout をバイアス電圧とし
て各コンデンサC1〜C5の両端に印加することによ
り、どの程度D/A変換誤差が改善されるのかを検証す
る。まず本実施例のD/A変換器において、キャパシタ
アレイ12の各コンデンサC1〜C5の容量の基準値
(基準容量)cを5pFとし、コンデンサアレイ12に
存在するGNDライン側の寄生容量C7を2pF,電源
ライン側の寄生容量C8を2pFとする。この場合、各
寄生容量C7,C8は、基準容量cで換算すると、0.
4cとなる。
【0044】また、寄生容量C7,C8による出力誤差
は、バイアス電圧が0Vの場合、入力データDinが最大
値「1111」のときに最も大きくなることから、電源
電圧VDD=基準電圧Vref =5Vとし、出力電圧が0V
の状態から入力データが最大値「1111」に切り替わ
った時に生じる出力誤差を算出する。
【0045】まず入力データDinが「1111」に変化
した直後の1回目の変換では、出力電圧Vout は0Vで
あることから、1回目のバイアス時には、図6(a)に
示すように、コンデンサC1〜C5の両端に印加される
バイアス電圧も0Vとなる。従って、この状態での各コ
ンデンサC1〜C5,C7,C8の電荷の総量は、出力
ラインLと電源VDDとの寄生容量C8により、次式(1)
のようになる。
【0046】(−5)・0.4=−2c …(1) 次に、セットリング時は、スイッチング素子S1はGN
Dライン側に接続され、スイッチング素子S2〜S5は
入力データ「1111」に応じて、基準電圧ライン側に
接続されることから、図6(b)に示すように、コンデ
ンサC1の開放端側電位は0V,コンデンサC2〜C5
の開放端側電位はVref となる。この結果、1回目のセ
ットリング後の各コンデンサC1〜C5,C7,C8の
電荷の総量は、出力ラインLの電圧(分圧電圧)をVo
とすると、次式(2) のようになる。 (Vo−5)・(c+2c+4c+8c+0.4c)+Vo・(c+0.4c) =16.8Vo・c−77c …(2) バイアス時にコンデンサC1〜C5,C7,C8全体に
蓄えられた電荷量は、セットリング後に電荷が再配分さ
れても、電荷量の総和は変化しないため、上記の(1),
(2)式から、16.8Vo−77c=−2cとなり、分
圧電圧Voを求めると、4.4643Vとなる。
【0047】ここで、コンデンサアレイ12が、寄生容
量C7,C8がなく、理想的なコンデンサアレイである
とし、出力電圧Voを求めてみると、バイアス時に全コ
ンデンサC1〜C5,C7,C8に蓄えられる総電荷量
は、全コンデンサの両端電位が0Vとなるため、電荷量
は0となる。この結果、この場合のセットリング後の総
電荷量(理想値)は、次式(3) の如くなり、この式から
理想の分圧電圧Voを求めると、4.6875Vとな
る。
【0048】 (Vo−5)・(c+2c+4c+8c)+Vo・c =16Vo・c−75c …(3) 従って、上記のような寄生容量C7,C8が存在する場
合の、分圧電圧Vo,延いては出力電圧Vout の誤差
は、4.4643V−4.6875V=−223.3m
Vとなる。
【0049】しかし、本実施例では、バイアス電圧に出
力電圧Vout を使用するため、2回目のバイアス電圧に
は、図6(c)に示すように、1回目の出力電圧4.4
643Vを使うことになる。従って、入力データDinが
「1111」であるときの2回目のバイアス時の全コン
デンサの総電荷量は、コンデンサC1〜C5は両端電位
が4.4643Vであるので電荷量は0であり、寄生容
量C7,C8を考えると、次式(4) のようになる。
【0050】 (4.4643−5)・0.4c+4.4643・0.4c =1.57144c …(4) そして、セットリング後の電荷量は、上記(2) 式の通り
であるので、バイアス時の電荷量がこれと等しいとして
分圧電圧Voを求めると、4.676871Vとなる。
このため、分圧電圧Vo,延いては出力電圧Vout の誤
差は、4.676871V−4.6875V=−10.
63mV(2.073%)となり、大きく改善される。
【0051】さらに3回目の出力電圧Voを算出する。
バイアス電圧は、2回目の出力電圧4.676871V
であり、全コンデンサの総電荷量は、次式(5) のように
なる。 (4.676871−5)・0.4c+4.676871・0.4c =1.741472c …(5) セットリング後の電荷量は、上記(2) 式の通りであるの
で、バイアス時の電荷量がこれと等しいとして分圧電圧
Voを求めると、4.686992Vとなる。従って、
分圧電圧Vo,延いては出力電圧Vout の誤差は、4.
686992V−4.6875V=−0.5076mV
(0.010%)となり、更に大きく改善される。
【0052】この動作を図4のタイムチャートに従って
説明する。D/A変換は周期Toで繰り返され、同じデ
ータに対して、最低2回以上連続してD/A変換が実施
される。入力データは、セットリング信号の立上がり
でラッチに取り込まれ、そのデータにより、スイッチン
グ素子S2〜S5がセットリング時に基準電圧Vref、
またはGNDに切り換えられる。
【0053】入力データDin2 の1回目のD/A変換で
は、バイアス時は前回の入力データDin1 による出力電
圧でキャパシタ両端がバイアスされるため、キャパシタ
アレイの出力の寄生容量の影響で、入力データDin2 の
D/A変換値は、大きな誤差が発生し、入力データDin
2 に対する出力電圧の理論値に対して低くなっている。
【0054】これが2回目の変換では、バイアス電圧
が、1回目の出力電圧となり、誤差は減少し、出力電圧
は理論値に近づく。入力データDin3 に対しては、3回
連続して変換がおこなわれ、1回目の変換ではバイアス
電圧が前回の変換の入力データDin2 による出力電圧で
あるため、誤差が大きく、これが2回目、3回目の変換
で理想値に近づいてゆく。
【0055】このように、本実施例によれば、バイアス
電圧に、前回のD/A変換結果である出力電圧Vout を
用いるので、D/A変換(バイアス,セットリング,サ
ンプリング動作)を繰り返すことで、寄生容量C7,C
8の影響による誤差を小さくし、誤差を0に収束させる
ことができる。そして、本実施例によれば、出力電圧V
out をバイアス電圧としてコンデンサC1〜C5の両端
に印加するだけでよく、D/A変換精度を向上するため
の特別な回路を別途設ける必要がないため、キャパシタ
アレイを用いたD/A変換器を、極めて簡単に構成する
ことができ、そのコスト低減を図ることもできる。
【0056】以上、本発明の一実施例について説明した
が本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、種
々の態様をとることができる。例えば、上記実施例で
は、4ビットのD/A変換器について説明したが、入力
データのビット数が多い場合には、そのビット数に応じ
てキャパシタアレイを構成するコンデンサ及びスイッチ
ング素子の数を増加すればよい。そして、こうしたキャ
パシタアレイは、CMOS回路にて、各キャパシタを高
精度に(つまり容量のばらつきなく)形成でき、抵抗ス
トリングスを用いた電圧ポテンショメータ型のD/A変
換器のように入力データのビット数が精度の悪化により
制限されることはなく、高ビットの入力データにも対応
させることができる。
【0057】また、例えば図7に示す如く、上記実施例
のD/A変換部10と同様に構成した4ビットのD/A
変換部を、mビット(m=n+x)の入力データDinの
内の上位nビット(4ビット)をアナログ電圧に変換す
る、上位4ビットD/A変換部30として使用し、この
D/A変換部30のセットリング時に、スイッチング素
子S1を介して、出力電圧補正用のコンデンサC1に、
抵抗ストリングスからなる電圧ポテンショメータ型のD
/A変換回路の出力を入力するようにし、このD/A変
換回路を、入力データDinの内の下位xビットをアナロ
グ電圧に変換する、上位xビットD/A変換部40とし
て使用するようにしてもよい。
【0058】そして、この場合、入力データDinの上位
4ビットをキャパシタアレイからなる上位4ビットD/
A変換部30にてD/A変換し、入力データDinの下位
xビットを電圧ポテンショメータ型の下位xビットD/
A変換部40にてD/A変換し、これら各D/A変換部
30,40によるD/A変換結果を、コンデンサC1を
介して合成し、基準電圧Vref を、入力データDinに応
じて、Vref /m2 の分解能にて分圧した出力電圧Vou
t を生成できる。
【0059】なお、図に示す下位xビットD/A変換部
40は、抵抗値が同じy個(y=2 x )の抵抗器R0〜
Ryを直列接続し、その両端を基準電圧ライン及びGN
Dラインに夫々接続することにより、各抵抗器R0〜R
yにより基準電圧Vref を分圧し、各抵抗器R0〜Ry
のグランドライン側に設けたy個のスイッチング素子S
r1〜Sryのいずれかを介して、入力データDinの下
位xビットの値2x に対応した分圧点電圧を取り出せる
ように構成したものである。そして、制御部20′に
は、この分圧電圧取出用のスイッチング素子を入力デー
タDinの下位xビットに応じて切り換えるための制御信
号を生成する制御回路も設けられる。なお、このための
回路構成等については、従来よりよく知られているの
で、詳しい説明は省略する。
【図面の簡単な説明】
【図1】 実施例のD/A変換器の構成を表す説明図で
ある。
【図2】 キャパシタアレイを構成する各コンデンサに
接続されるスイッチング素子の構成を説明する説明図で
ある。
【図3】 制御部の構成を説明するブロック図である。
【図4】 実施例のD/A変換器の動作を説明するタイ
ムチャートである。
【図5】 実施例のD/A変換器の出力特性を表す説明
図である。
【図6】 実施例のD/A変換器による出力誤差の収束
過程を説明する動作説明図である。
【図7】 キャパシタアレイを利用したD/A変換器と
電圧ポテンショメータ型D/A変換器とを組み合わせた
D/A変換器の構成を表す説明図である。
【図8】 従来の逐次比較型のA/D変換器において用
いられるキャパシタアレイからなるD/A変換器の構成
及びその改善案を説明する説明図である。
【図9】 図9に示したD/A変換器の出力特性を説明
する説明図である。
【符号の説明】
10…D/A変換部 12…コンデンサアレイ 1
4…バッファ 16…サンプルホールド回路 20…制御部 S1〜S8…スイッチング素子 C1〜C6…キャパ
シタ(コンデンサ) C7,C8…寄生容量 22…分周回路 24…ラ
ッチ回路 26…制御回路 30…上位4ビットD/A変換部 40…下位xビットD/A変換部

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 nビットのデジタル入力データをアナロ
    グ電圧に変換するD/A変換器であって、 一端が互いに接続されたn個のキャパシタを備え、各キ
    ャパシタの容量を、前記入力データの各ビットi(i:0,
    1,…,(n-1))に対応して、夫々、基準容量の2i 倍に重
    み付けした荷重容量回路と、 所定周期毎に、該周期よりも短い所定時間だけ、前記各
    キャパシタの両端を互いに接続して、各キャパシタの電
    荷を放電させる放電手段と、 前記所定周期毎に、前記放電手段が前記各キャパシタの
    電荷を放電させた後、前記各キャパシタの開放端を、夫
    々、各キャパシタに対応する前記入力データのビット値
    に応じて、基準電圧の正電位側又は負電位側に接続する
    ことにより、前記荷重容量回路に、前記基準電圧を前記
    入力データに応じた容量比で分圧させる分圧設定手段
    と、 該分圧設定手段の動作により前記各キャパシタの共通の
    接続点に生じた分圧電圧をサンプルホールト゛し、該ホー
    ルド電圧をD/A変換後の電圧信号として出力するホー
    ルド手段と、 を備え、前記放電手段が、前記各キャパシタを放電する
    際、前記ホールド手段からの出力をバイアス電圧とし
    て、前記各キャパシタの両端に印加することを特徴とす
    るD/A変換器。
  2. 【請求項2】 前記放電手段,分圧設定手段,及びホー
    ルド手段による所定周期毎のD/A変換動作を、少なく
    とも連続2回以上は、同一の入力データに対して行なう
    ことを特徴とする請求項1に記載のD/A変換器。
  3. 【請求項3】 請求項1又は請求項2に記載のD/A変
    換器において、 前記荷重容量回路は、前記n個のキャパシタに加えて、
    容量が前記基準容量に設定され、一端がn個のキャパシ
    タと共に互いに接続された補正用キャパシタを備え、 前記放電手段は、前記所定周期毎に、前記各キャパシタ
    と共に前記補正用キャパシタの電荷も放電させ、 前記分圧設定手段は、前記所定周期毎に、前記補正用キ
    ャパシタの開放端を、基準電圧の負電位側に接続するこ
    とを特徴とするD/A変換器。
  4. 【請求項4】 請求項3に記載のD/A変換器におい
    て、 前記基準電圧を入力データに応じた抵抗比で分圧したア
    ナログ電圧を出力する電圧ポテンショメータ型D/A変
    換回路を設け、 前記分圧設定手段を、前記所定周期毎に、前記補正用キ
    ャパシタの開放端を、基準電圧の負電位側に代えて前記
    D/A変換回路の出力に接続するよう構成してなること
    を特徴とするD/A変換器。
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