JPH09275065A - 半導体製造装置 - Google Patents
半導体製造装置Info
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- JPH09275065A JPH09275065A JP8106214A JP10621496A JPH09275065A JP H09275065 A JPH09275065 A JP H09275065A JP 8106214 A JP8106214 A JP 8106214A JP 10621496 A JP10621496 A JP 10621496A JP H09275065 A JPH09275065 A JP H09275065A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- database
- control parameters
- various control
- controlling
- parameters
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】性能変更及び機能追加を容易に行い得る半導体
製造装置を実現し難かつた。 【解決手段】各種制御パラメータからなるデータベース
を複数形成し、当該複数のデータベースのなかから１つ
のデータベースを条件に応じて選定し、当該選定したデ
ータベースに基づいて各部動作を制御する制御手段を設
けるようにしたことにより、各種制御パラメータの変更
及び追加を容易に行い得るようにすることができ、かく
して性能変更及び機能追加を容易に行い得る半導体製造
装置を実現できる。
製造装置を実現し難かつた。 【解決手段】各種制御パラメータからなるデータベース
を複数形成し、当該複数のデータベースのなかから１つ
のデータベースを条件に応じて選定し、当該選定したデ
ータベースに基づいて各部動作を制御する制御手段を設
けるようにしたことにより、各種制御パラメータの変更
及び追加を容易に行い得るようにすることができ、かく
して性能変更及び機能追加を容易に行い得る半導体製造
装置を実現できる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置に関
し、例えば縮小投影露光装置に適用して好適なものであ
る。
し、例えば縮小投影露光装置に適用して好適なものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば縮小投影露光装置において
は、外部から露光時間や露光条件等の各種制御パラメー
タが入力された場合、プログラム内に直接記録された各
制御パラメータの詳細情報を参照しながら入力された値
（各種制御パラメータ）の種類及び範囲等をチエツク
し、合格した場合にその値に基づいて投影露光処理を行
うようになされていた。
は、外部から露光時間や露光条件等の各種制御パラメー
タが入力された場合、プログラム内に直接記録された各
制御パラメータの詳細情報を参照しながら入力された値
（各種制御パラメータ）の種類及び範囲等をチエツク
し、合格した場合にその値に基づいて投影露光処理を行
うようになされていた。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところがこのように構
成された従来の縮小投影露光装置では、上述のように各
種制御パラメータの詳細情報がプログラム内に直接記録
されているため、制御パラメータの種類及び範囲等の変
更や追加があつた場合にプログラムを直接変更し直す必
要があつた。
成された従来の縮小投影露光装置では、上述のように各
種制御パラメータの詳細情報がプログラム内に直接記録
されているため、制御パラメータの種類及び範囲等の変
更や追加があつた場合にプログラムを直接変更し直す必
要があつた。
【０００４】このような場合、プログラムの直接変更は
煩雑かつ多くの労力を必要とし、またバグを発生させ易
い。このため従来の縮小投影露光装置においては、各種
制御パラメータの種類及び範囲等の変更や追加を必要と
する性能変更や機能追加などを容易には行い難い問題が
あつた。
煩雑かつ多くの労力を必要とし、またバグを発生させ易
い。このため従来の縮小投影露光装置においては、各種
制御パラメータの種類及び範囲等の変更や追加を必要と
する性能変更や機能追加などを容易には行い難い問題が
あつた。
【０００５】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、性能変更及び機能追加を容易に行い得る半導体製造
装置を提案しようとするものである。
で、性能変更及び機能追加を容易に行い得る半導体製造
装置を提案しようとするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、各種制御パラメータからなるデー
タベースＤＢ１、ＤＢ２を複数形成し、当該複数のデー
タベースＤＢ１、ＤＢ２のなかから１つのデータベース
ＤＢ１、ＤＢ２を条件に応じて選定し、当該選定したデ
ータベースＤＢ１、ＤＢ２に基づいて各部動作を制御す
る制御手段４０を設けるようにした。
め本発明においては、各種制御パラメータからなるデー
タベースＤＢ１、ＤＢ２を複数形成し、当該複数のデー
タベースＤＢ１、ＤＢ２のなかから１つのデータベース
ＤＢ１、ＤＢ２を条件に応じて選定し、当該選定したデ
ータベースＤＢ１、ＤＢ２に基づいて各部動作を制御す
る制御手段４０を設けるようにした。
【０００７】この場合各種制御パラメータをデータベー
ス化するようにしたことにより、各種制御パラメータの
変更及び追加を容易に行い得るようにすることができ
る。またこのようなデータベースＤＢ１、ＤＢ２を複数
形成し、これら複数のデータベースＤＢ１、ＤＢ２のな
かから条件に応じて１つのデータベースＤＢ１、ＤＢ２
を選定し、当該選定したデータベースＤＢ１、ＤＢ２に
基づいて各部動作を制御するようにしたことにより、各
種制御パラメータを各条件ごとに好適な値に設定し得る
ようにすることができる。
ス化するようにしたことにより、各種制御パラメータの
変更及び追加を容易に行い得るようにすることができ
る。またこのようなデータベースＤＢ１、ＤＢ２を複数
形成し、これら複数のデータベースＤＢ１、ＤＢ２のな
かから条件に応じて１つのデータベースＤＢ１、ＤＢ２
を選定し、当該選定したデータベースＤＢ１、ＤＢ２に
基づいて各部動作を制御するようにしたことにより、各
種制御パラメータを各条件ごとに好適な値に設定し得る
ようにすることができる。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
施例を詳述する。
【０００９】（１）実施例による縮小投影露光装置の構
成 図１において、１は全体として本発明を適用した縮小投
影露光装置を示し、照明光学系２から発射された露光光
Ｌ１をレチクルホルダ３に保持されたレチクルＲに照射
すると共に、当該露光光Ｌ１がレチクルＲを通過するこ
とにより得られるレチクルパターンＰＡのパターン像を
投影光学系４を介してウエハホルダ５上に載置されたウ
エハＷの露光面Ｗexp に縮小投影することにより、当該
ウエハＷの露光面Ｗexp をレチクルパターンに応じて露
光し得るようになされている。
成 図１において、１は全体として本発明を適用した縮小投
影露光装置を示し、照明光学系２から発射された露光光
Ｌ１をレチクルホルダ３に保持されたレチクルＲに照射
すると共に、当該露光光Ｌ１がレチクルＲを通過するこ
とにより得られるレチクルパターンＰＡのパターン像を
投影光学系４を介してウエハホルダ５上に載置されたウ
エハＷの露光面Ｗexp に縮小投影することにより、当該
ウエハＷの露光面Ｗexp をレチクルパターンに応じて露
光し得るようになされている。
【００１０】実際上この縮小投影露光装置１において
は、照明光学系２の光源（例えば水銀ランプ）１０から
発射された露光光Ｌ１を楕円鏡１１により１度集束した
後、ミラー１２及びインプツトレンズ１３を順次介して
フライアイレンズ１４に入射させ、当該フライアイレン
ズ１４において強度分布を均一化した後、フライアイレ
ンズ１４の後側焦点面上に回転自在に配置された回転板
１５に入射させる。
は、照明光学系２の光源（例えば水銀ランプ）１０から
発射された露光光Ｌ１を楕円鏡１１により１度集束した
後、ミラー１２及びインプツトレンズ１３を順次介して
フライアイレンズ１４に入射させ、当該フライアイレン
ズ１４において強度分布を均一化した後、フライアイレ
ンズ１４の後側焦点面上に回転自在に配置された回転板
１５に入射させる。
【００１１】この場合回転板１５には互いに異なる複数
の開口絞り１５Ａが設けられており、かくしてフライア
イレンズ１４から出射した露光光Ｌ１をこれら開口絞り
１５Ａのうち、フライアイレンズ１４と対向するように
セツトされた１つの開口絞り１５Ａを通して回転板１５
を通過させ、この後アウトプツトレンズ１６、視野絞り
１７、リレーレンズ１８及びコンデンサレンズ１９を順
次介して平行光束に変換した後、ミラー２０を介してレ
チクルＲに入射させる。
の開口絞り１５Ａが設けられており、かくしてフライア
イレンズ１４から出射した露光光Ｌ１をこれら開口絞り
１５Ａのうち、フライアイレンズ１４と対向するように
セツトされた１つの開口絞り１５Ａを通して回転板１５
を通過させ、この後アウトプツトレンズ１６、視野絞り
１７、リレーレンズ１８及びコンデンサレンズ１９を順
次介して平行光束に変換した後、ミラー２０を介してレ
チクルＲに入射させる。
【００１２】この露光光Ｌ１がレチクルＲのパターン面
を通過することにより得られるレチクルパターンＰＡの
投影光Ｌ２は、この後投影光学系４の瞳面Ｐ１に集光さ
れた後、ウエハステージ５上に載置されたウエハＷの露
光面Ｗexp に結像投影される。これによりこの縮小投影
露光装置１においては、ウエハＷの露光面Ｗexp をレチ
クルパターンＰＡに応じて露光し得るようになされてい
る。
を通過することにより得られるレチクルパターンＰＡの
投影光Ｌ２は、この後投影光学系４の瞳面Ｐ１に集光さ
れた後、ウエハステージ５上に載置されたウエハＷの露
光面Ｗexp に結像投影される。これによりこの縮小投影
露光装置１においては、ウエハＷの露光面Ｗexp をレチ
クルパターンＰＡに応じて露光し得るようになされてい
る。
【００１３】このため図１からも明らかなように、楕円
鏡１１により集光される露光光Ｌ１の集光位置近傍に
は、モータ３０により回転自在に保持されるようにして
遮光板３１が配置されており、かくして１シヨツト分の
露光時間経過後、モータ３０を駆動させて遮光板３１の
一部を露光光Ｌ１の光路上に移動させることによりウエ
ハＷの露光面Ｗexp に対する露光を停止し得るようにな
されている。
鏡１１により集光される露光光Ｌ１の集光位置近傍に
は、モータ３０により回転自在に保持されるようにして
遮光板３１が配置されており、かくして１シヨツト分の
露光時間経過後、モータ３０を駆動させて遮光板３１の
一部を露光光Ｌ１の光路上に移動させることによりウエ
ハＷの露光面Ｗexp に対する露光を停止し得るようにな
されている。
【００１４】またウエハステージ５においては、駆動モ
ータ３２の駆動出力に基づいて、載置されたウエハＷを
Ｘ方向（矢印ｘ）及びＹ方向（矢印ｙ）に自在に移動さ
せ得るようになされ、かくしてウエハＷの露光面Ｗexp
をステツプアンドリピート方式で全面に亘つて露光し得
るようになされている。
ータ３２の駆動出力に基づいて、載置されたウエハＷを
Ｘ方向（矢印ｘ）及びＹ方向（矢印ｙ）に自在に移動さ
せ得るようになされ、かくしてウエハＷの露光面Ｗexp
をステツプアンドリピート方式で全面に亘つて露光し得
るようになされている。
【００１５】ここで実際上この縮小投影露光装置１の場
合、上述のようにモータ３０及び駆動モータ３２を駆動
制御する駆動制御手段としてマイクロコンピユータ構成
の制御部４０が設けられている。
合、上述のようにモータ３０及び駆動モータ３２を駆動
制御する駆動制御手段としてマイクロコンピユータ構成
の制御部４０が設けられている。
【００１６】この場合制御部４０においては、図２に示
すように、予め入力された制御プログラムＰＧとは別
に、予め設定入力された露光条件（露光時間、アライメ
ントセンサの指定開口絞り１５Ａの指定等）や、ウエハ
搬送条件（ウエハキヤリア指定、ウエハ枚数指定等）及
びレチクル搬送条件（レチクルスロツト指定等）等に関
する各種制御パラメータからなる第１のデータベースＤ
Ｂ１を図示しない所定の記憶手段内に有している。
すように、予め入力された制御プログラムＰＧとは別
に、予め設定入力された露光条件（露光時間、アライメ
ントセンサの指定開口絞り１５Ａの指定等）や、ウエハ
搬送条件（ウエハキヤリア指定、ウエハ枚数指定等）及
びレチクル搬送条件（レチクルスロツト指定等）等に関
する各種制御パラメータからなる第１のデータベースＤ
Ｂ１を図示しない所定の記憶手段内に有している。
【００１７】また制御部４０は、例えばキーボード等で
なる入力部４１を介してオペレータによりオンライン制
御モードの実行指示が入力されると、制御プログラムＰ
Ｇに従つて第１のデータベースＤＢ１を参照しながら必
要に応じてレチクルホルダ３の駆動部４２、モータ３０
及び駆動モータ３２等の各部動作の動力源に制御信号Ｓ
１〜Ｓ３を送出することにより、これら各動力源を駆動
制御するようになされている。
なる入力部４１を介してオペレータによりオンライン制
御モードの実行指示が入力されると、制御プログラムＰ
Ｇに従つて第１のデータベースＤＢ１を参照しながら必
要に応じてレチクルホルダ３の駆動部４２、モータ３０
及び駆動モータ３２等の各部動作の動力源に制御信号Ｓ
１〜Ｓ３を送出することにより、これら各動力源を駆動
制御するようになされている。
【００１８】これにより制御部４０は、第１のベータベ
ースＤＢ１内の各種制御パラメータに基づいて各部動作
を制御し得、かくして第１のデータベースＤＢ１内の各
種制御パラメータに応じた条件（露光条件、ウエハ搬送
条件及びレチクル搬送条件等）でウエハＷを露光し得る
ようになされている。
ースＤＢ１内の各種制御パラメータに基づいて各部動作
を制御し得、かくして第１のデータベースＤＢ１内の各
種制御パラメータに応じた条件（露光条件、ウエハ搬送
条件及びレチクル搬送条件等）でウエハＷを露光し得る
ようになされている。
【００１９】これに加え制御部４０においては、オペレ
ータにより入力部４１（図１）を介して入力された各種
制御パラメータに基づいて第１のデータベースＤＢ１と
は別に第２のデータベースＤＢ２を形成し、これを所定
の記憶手段内に記憶すると共に、必要時、これをモニタ
４３（図１）に表示させるようになされている。
ータにより入力部４１（図１）を介して入力された各種
制御パラメータに基づいて第１のデータベースＤＢ１と
は別に第２のデータベースＤＢ２を形成し、これを所定
の記憶手段内に記憶すると共に、必要時、これをモニタ
４３（図１）に表示させるようになされている。
【００２０】また制御部４０は、この後入力部４１（図
１）を介してオペレータからオフライン制御モードの実
行指示が入力されると、制御プログラムＰＧに従つて第
２のデータベースＤＢ２に含まれる制御パラメータの値
が予め規定された範囲内に入つているか否かを判定（入
力された制御パラメータの正当性を判定）し、肯定結果
を得た場合にその制御パラメータを参照しながら必要に
応じて駆動部４２、モータ３０、駆動モータ３２等の各
動力源に制御信号Ｓ１〜Ｓ３を送出することにより、こ
れらをそれぞれ駆動制御するようになされている。
１）を介してオペレータからオフライン制御モードの実
行指示が入力されると、制御プログラムＰＧに従つて第
２のデータベースＤＢ２に含まれる制御パラメータの値
が予め規定された範囲内に入つているか否かを判定（入
力された制御パラメータの正当性を判定）し、肯定結果
を得た場合にその制御パラメータを参照しながら必要に
応じて駆動部４２、モータ３０、駆動モータ３２等の各
動力源に制御信号Ｓ１〜Ｓ３を送出することにより、こ
れらをそれぞれ駆動制御するようになされている。
【００２１】これにより制御部４０は、第２のベータベ
ースＤＢ２内の各種制御パラメータに基づいて各部動作
を制御し得、かくして第２のデータベースＤＢ２内の各
種制御パラメータに応じた条件（露光条件、ウエハ搬送
条件及びレチクル搬送条件等）でウエハＷを露光し得る
ようになされている。
ースＤＢ２内の各種制御パラメータに基づいて各部動作
を制御し得、かくして第２のデータベースＤＢ２内の各
種制御パラメータに応じた条件（露光条件、ウエハ搬送
条件及びレチクル搬送条件等）でウエハＷを露光し得る
ようになされている。
【００２２】この実施例の場合、第１のデータベースＤ
Ｂ１内に格納された各種制御パラメータの設定許容範囲
はそれぞれこの縮小投影露光装置１のほぼスペツク限界
近くの値に選定されているのに対して、オペレータによ
り設定し得る各種制御パラメータ（すなわち第２のデー
タベースＤＢ２を形成する各種制御パラメータ）の設定
許容範囲は第１のデータベースＤＢ１内に格納された各
種制御パラメータの設定許容範囲よりも狭く設定されて
いる。
Ｂ１内に格納された各種制御パラメータの設定許容範囲
はそれぞれこの縮小投影露光装置１のほぼスペツク限界
近くの値に選定されているのに対して、オペレータによ
り設定し得る各種制御パラメータ（すなわち第２のデー
タベースＤＢ２を形成する各種制御パラメータ）の設定
許容範囲は第１のデータベースＤＢ１内に格納された各
種制御パラメータの設定許容範囲よりも狭く設定されて
いる。
【００２３】これによりこの縮小投影露光装置１におい
ては、オフライン制御モード時において、各種制御パラ
メータを入力したオペレータの熟練度等に関わりなく、
常にほぼ一定の条件で露光処理を行い得るようになされ
ている。
ては、オフライン制御モード時において、各種制御パラ
メータを入力したオペレータの熟練度等に関わりなく、
常にほぼ一定の条件で露光処理を行い得るようになされ
ている。
【００２４】（２）実施例の動作及び効果 以上の構成において、この縮小投影露光装置１の制御部
４０は、予め設定された各種制御パラメータに基づいて
第１のデータベースＤＢ１を形成すると共に、オペレー
タにより入力された各種制御パラメータに基づいて第２
のデータベースＤＢ２を形成し、オンライン制御モード
が選択された場合には第１のデータベースＤＢ１に基づ
いて各部動作を制御する一方、オフライン制御モードが
選択された場合には第２のデータベースＤＢ２に基づい
て各部動作を制御する。
４０は、予め設定された各種制御パラメータに基づいて
第１のデータベースＤＢ１を形成すると共に、オペレー
タにより入力された各種制御パラメータに基づいて第２
のデータベースＤＢ２を形成し、オンライン制御モード
が選択された場合には第１のデータベースＤＢ１に基づ
いて各部動作を制御する一方、オフライン制御モードが
選択された場合には第２のデータベースＤＢ２に基づい
て各部動作を制御する。
【００２５】従つてこの縮小投影露光装置１では、各種
制御パラメータがデータベース化されているため、各種
制御パラメータが制御プログラム内に格納されている場
合に比べてその変更及び追加を容易に行うことができ
る。
制御パラメータがデータベース化されているため、各種
制御パラメータが制御プログラム内に格納されている場
合に比べてその変更及び追加を容易に行うことができ
る。
【００２６】またこの縮小投影露光装置１では、上述の
ように参照するデータベースＤＢ１、ＤＢ２を制御モー
ドに応じて切り替えるようになされているため、各種制
御パラメータを各制御モードごとに最も好適な値に設定
することができる。
ように参照するデータベースＤＢ１、ＤＢ２を制御モー
ドに応じて切り替えるようになされているため、各種制
御パラメータを各制御モードごとに最も好適な値に設定
することができる。
【００２７】さらにこの縮小投影露光装置１では、オペ
レータにより入力された各種制御パラメータに基づいて
第２のデータベースＤＢ２を形成し、オフライン制御モ
ード時には当該第２のデータベースＤＢ２内の各種制御
パラメータの正当性を順次判定しながら参照するように
なされているため、オペレータによる各種制御パラメー
タの誤入力を確実にチエツクすることができ、その分装
置１の誤動作を確実に防止することができる。
レータにより入力された各種制御パラメータに基づいて
第２のデータベースＤＢ２を形成し、オフライン制御モ
ード時には当該第２のデータベースＤＢ２内の各種制御
パラメータの正当性を順次判定しながら参照するように
なされているため、オペレータによる各種制御パラメー
タの誤入力を確実にチエツクすることができ、その分装
置１の誤動作を確実に防止することができる。
【００２８】以上の構成によれば、予め設定された各種
制御パラメータに基づいて第１のデータベースＤＢ１を
形成すると共に、オペレータにより入力された各種制御
パラメータに基づいて第２のデータベースＤＢ２を形成
し、オンライン制御モードが選択された場合には第１の
データベースＤＢ１に基づいて各部動作を制御する一
方、オフライン制御モードが選択された場合には第２の
データベースＤＢ２に基づいて各部動作を制御するよう
に制御部４０を形成するようにしたことにより、各種制
御パラメータの変更及び追加を容易にすることができ、
かくして性能変更及び機能追加を容易に行い得る縮小投
影露光装置を実現できる。
制御パラメータに基づいて第１のデータベースＤＢ１を
形成すると共に、オペレータにより入力された各種制御
パラメータに基づいて第２のデータベースＤＢ２を形成
し、オンライン制御モードが選択された場合には第１の
データベースＤＢ１に基づいて各部動作を制御する一
方、オフライン制御モードが選択された場合には第２の
データベースＤＢ２に基づいて各部動作を制御するよう
に制御部４０を形成するようにしたことにより、各種制
御パラメータの変更及び追加を容易にすることができ、
かくして性能変更及び機能追加を容易に行い得る縮小投
影露光装置を実現できる。
【００２９】（３）他の実施例 なお上述の実施例においては、本発明を縮小投影露光装
置１に適用するようにした場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、この他種々の半導体製造装置に適用
して好適なものである。
置１に適用するようにした場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、この他種々の半導体製造装置に適用
して好適なものである。
【００３０】また上述の実施例においては、与えられた
各種制御パラメータに基づいてデータベースを２つだけ
形成するようにした場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、各制御モードに応じてデータベースを３つ
以上形成し、指定された制御モードに応じて対応するデ
ータベースを参照して各部動作を制御するように制御部
を構成するようにしても良い。
各種制御パラメータに基づいてデータベースを２つだけ
形成するようにした場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、各制御モードに応じてデータベースを３つ
以上形成し、指定された制御モードに応じて対応するデ
ータベースを参照して各部動作を制御するように制御部
を構成するようにしても良い。
【００３１】さらに上述の実施例においては、制御部４
０が指定された制御モードに応じて参照するデータベー
スＤＢ１、ＤＢ２を切り替えるようにした場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、制御部４０が参照す
るデータベースＤＢ１、ＤＢ２を制御モード以外の条件
に基づいて切り替えるようにしても良い。
０が指定された制御モードに応じて参照するデータベー
スＤＢ１、ＤＢ２を切り替えるようにした場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、制御部４０が参照す
るデータベースＤＢ１、ＤＢ２を制御モード以外の条件
に基づいて切り替えるようにしても良い。
【００３２】さらに上述の実施例においては、第１のデ
ータベースＤＢ１内の各種制御パラメータの設定許容範
囲をこの縮小投影露光装置のスペツク限界近くに設定す
るようにした場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、ユーザの所望する範囲内に設定するようにしても
良い。
ータベースＤＢ１内の各種制御パラメータの設定許容範
囲をこの縮小投影露光装置のスペツク限界近くに設定す
るようにした場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、ユーザの所望する範囲内に設定するようにしても
良い。
【００３３】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、各種制御
パラメータからなるデータベースを複数形成し、当該複
数のデータベースのなかから１つのデータベースを条件
に応じて選定し、当該選定したデータベースに基づいて
各部動作を制御する制御手段を設けるようにしたことに
より、各種制御パラメータの変更及び追加を容易に行い
得るようにすることができ、かくして性能変更及び機能
追加を容易に行い得る半導体製造装置を実現できる。
パラメータからなるデータベースを複数形成し、当該複
数のデータベースのなかから１つのデータベースを条件
に応じて選定し、当該選定したデータベースに基づいて
各部動作を制御する制御手段を設けるようにしたことに
より、各種制御パラメータの変更及び追加を容易に行い
得るようにすることができ、かくして性能変更及び機能
追加を容易に行い得る半導体製造装置を実現できる。
【図１】本発明を適用した縮小投影露光装置の構成を示
す略線図である。
す略線図である。
【図２】制御部の構成の説明に供する略線図である。
１……縮小投影露光装置、３０……モータ、３２……駆
動モータ、４０……制御部、４１……入力部、４２……
駆動部、４３……モニタ、Ｓ１〜Ｓ３……制御信号、Ｄ
Ｂ１、ＤＢ２……データベース、ＰＧ……制御プログラ
ム。
動モータ、４０……制御部、４１……入力部、４２……
駆動部、４３……モニタ、Ｓ１〜Ｓ３……制御信号、Ｄ
Ｂ１、ＤＢ２……データベース、ＰＧ……制御プログラ
ム。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６Ｄ
Claims (3)
- 【請求項１】各種制御パラメータからなる異なるデータ
ベースを複数形成し、当該複数のデータベースのなかか
ら１つの前記データベースを条件に応じて選定し、当該
選定した前記データベースに基づいて各部動作を制御す
る制御手段を具えることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】前記条件は、制御モードでなり、 前記制御手段は、 予め入力された第１の前記各種制御パラメータに基づい
て第１の前記データベースを形成すると共に、外部から
入力された第２の前記各種制御パラメータに基づいて第
２の前記データベースを形成し、指定された前記制御モ
ードに対応する前記第１又は第２のデータベースに基づ
いて前記各部動作を制御することを特徴とする請求項１
に記載の半導体製造装置。 - 【請求項３】前記第２の各種制御パラメータの設定許容
範囲が前記第１の各種制御パラメータの設定許容範囲よ
りも狭く選定されたことを特徴とする請求項１に記載の
半導体製造装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8106214A JPH09275065A (ja) | 1996-04-02 | 1996-04-02 | 半導体製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8106214A JPH09275065A (ja) | 1996-04-02 | 1996-04-02 | 半導体製造装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09275065A true JPH09275065A (ja) | 1997-10-21 |
Family
ID=14427911
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8106214A Pending JPH09275065A (ja) | 1996-04-02 | 1996-04-02 | 半導体製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09275065A (ja) |
-
1996
- 1996-04-02 JP JP8106214A patent/JPH09275065A/ja active Pending
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Legal Events
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| A977 | Report on retrieval |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A521 | Written amendment |
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