JPH09274121A - Optical semiconductor device and its production - Google Patents

Optical semiconductor device and its production

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Publication number
JPH09274121A
JPH09274121A JP8106235A JP10623596A JPH09274121A JP H09274121 A JPH09274121 A JP H09274121A JP 8106235 A JP8106235 A JP 8106235A JP 10623596 A JP10623596 A JP 10623596A JP H09274121 A JPH09274121 A JP H09274121A
Authority
JP
Japan
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package
optical element
optical
semiconductor device
optical waveguide
Prior art date
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Pending
Application number
JP8106235A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Fumio Miyagawa
文雄 宮川
Tsutomu Higuchi
努 樋口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinko Electric Industries Co Ltd
Original Assignee
Shinko Electric Industries Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Shinko Electric Industries Co Ltd filed Critical Shinko Electric Industries Co Ltd
Priority to JP8106235A priority Critical patent/JPH09274121A/en
Publication of JPH09274121A publication Critical patent/JPH09274121A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an optical semiconductor device which allows easy production and has versatility. SOLUTION: A substrate 40 mounted with an optical element 20, a coupling means 80 for light transmittably coupling this optical element 20 and an external optical waveguide and a semiconductor chip 30 for driving the optical element is housed in a package 90 in the state where its side edge is fitted and detained into a recessed part 94 on the inner side of the side wall of a package 90. The coupling means 80 is inserted into a window 100 of the side wall of the package 90 to expose the external optical waveguide juncture 82 of the coupling means 80 to the outer side of the window 100. The electrodes of the optical element 20 and the semiconductor chip 30 are electrically connected to the inner end of leads 120 for connecting the external electronic circuits disposed on the side wall of the package 90. The apertures 92, 96 of the package 70 are closed by a cap 130. The optical element 20 and the semiconductor chip 30 for driving the optical element form the built-in optical semiconductor device.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LED(レーザダ
イオード)、PD(フォトダイオード)等の光素子と該
光素子ドライブ用の半導体チップとが内蔵された光用半
導体装置と、該装置の製造方法とに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical semiconductor device having a built-in optical element such as an LED (laser diode) or PD (photodiode) and a semiconductor chip for driving the optical element, and manufacturing of the device. With respect to the method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の光用半導体装置は、一般に、図1
0に示したように、金属製のメタルパッケージ10内
に、光素子20と該光素子ドライブ用の半導体チップ3
0とが搭載された基板40が収容されている。
2. Description of the Related Art A conventional optical semiconductor device is generally shown in FIG.
As shown in FIG. 0, in the metal package 10 made of metal, the optical element 20 and the semiconductor chip 3 for driving the optical element 3 are provided.
A substrate 40 on which 0 and 0 are mounted is accommodated.

【0003】メタルパッケージ10の前部の側壁には、
筒状の窓12が設けられている。窓12には、光ファイ
バ等の光導波路(図示せず)が挿通されて、該光導波路
の内端が、メタルパッケージ10内に挿入されている。
On the front side wall of the metal package 10,
A cylindrical window 12 is provided. An optical waveguide (not shown) such as an optical fiber is inserted through the window 12, and the inner end of the optical waveguide is inserted into the metal package 10.

【0004】メタルパッケージ10内に挿入された光導
波路の内端と光素子20との光軸は、光導波路の内端と
光素子20との間を光を伝達可能なように、同一直線上
に配置されている。
The optical axes of the inner end of the optical waveguide and the optical element 20 inserted in the metal package 10 are on the same straight line so that light can be transmitted between the inner end of the optical waveguide and the optical element 20. It is located in.

【0005】メタルパッケージ10の左右の側壁には、
外部電子回路接続用の複数本のリード50が、メタルパ
ッケージ10の側壁を貫通して、メタルパッケージ10
の内外に亙って所定ピッチで並べて備えられている。リ
ード50は、メタルパッケージ10の側壁に開口された
透孔14内に挿通されて、該透孔にガラス60を介して
気密に封着されている。リード50の内端には、光素子
20と半導体チップ30の電極が、ワイヤ70を介して
電気的に接続されている。
On the left and right side walls of the metal package 10,
A plurality of leads 50 for connecting an external electronic circuit penetrate the side wall of the metal package 10 to form the metal package 10.
They are arranged inside and outside of the car at a predetermined pitch. The lead 50 is inserted into the through hole 14 formed in the side wall of the metal package 10 and hermetically sealed in the through hole via the glass 60. The electrodes of the optical element 20 and the semiconductor chip 30 are electrically connected to the inner ends of the leads 50 via wires 70.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記光
用半導体装置においては、メタルパッケージ10内に挿
入した光導波路の内端と光素子20との光軸を同一直線
上に配置する作業に、メタルパッケージ10の側壁が邪
魔をして、困難を極めた。
However, in the above-described optical semiconductor device, the metal end of the optical waveguide inserted into the metal package 10 and the optical axis of the optical element 20 are arranged on the same straight line. The side wall of the package 10 got in the way, making it extremely difficult.

【0007】また、メタルパッケージ10が、その左右
の側壁にリード50がガラス60を介して封着されて、
その前部の側壁に筒状の窓12が備えられた、複雑な構
造をしていて、そのメタルパッケージ10の製造に多大
な手数と時間を要した。
Further, the metal package 10 has the leads 50 sealed on the left and right side walls thereof via the glass 60,
It had a complicated structure in which the cylindrical window 12 was provided on the side wall of the front part thereof, and it took a great deal of labor and time to manufacture the metal package 10.

【0008】本発明は、このような課題を解消可能な、
光用半導体装置と、該装置を製造するための光用半導体
装置の製造方法とを提供しようとするものである。
The present invention can solve such problems.
An optical semiconductor device and an optical semiconductor device manufacturing method for manufacturing the optical semiconductor device are provided.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明の第1の光用半導体装置は、光素子と、該光
素子と外部光導波路との間を光を伝達可能に結合する結
合手段と、前記光素子ドライブ用の半導体チップとが搭
載された基板が、パッケージ内に収容されて、前記基板
の側縁がパッケージの側壁内側に設けられた凹部に嵌
入、係止され、前記結合手段がパッケージ側壁に設けら
れた窓に挿通されて、該窓の外側に結合手段の外部光導
波路接続部が露出され、前記光素子と半導体チップの電
極が前記パッケージの側壁を貫通してパッケージの内外
に亙って設けられた外部電子回路接続用のリードの内端
に電気的に接続され、前記パッケージの開口部がキャッ
プで封じられたことを特徴としている。
In order to achieve the above object, the first optical semiconductor device of the present invention comprises an optical element and a coupling between the optical element and an external optical waveguide so that light can be transmitted. A board on which the coupling means for connecting and the semiconductor chip for the optical element drive are mounted is accommodated in a package, and the side edge of the board is fitted and locked in a recess provided inside the side wall of the package. The coupling means is inserted into a window provided on the side wall of the package, the external optical waveguide connecting portion of the coupling means is exposed outside the window, and the electrodes of the optical element and the semiconductor chip pass through the side wall of the package. It is characterized in that it is electrically connected to an inner end of a lead for connecting an external electronic circuit provided inside and outside the package, and an opening of the package is sealed with a cap.

【0010】本発明の第1の光用半導体装置の製造方法
は、次の工程を含むことを特徴としている。 a.光素子と、該光素子と外部光導波路との間を光を伝
達可能に結合する結合手段と、前記光素子ドライブ用の
半導体チップとを、基板に搭載する工程。 b.前記光素子と、結合手段と、半導体チップとを搭載
した基板を、パッケージ内に収容して、前記基板の側縁
をパッケージの側壁内側に設けられた凹部に嵌入、係止
させ、前記結合手段をパッケージ側壁に設けられた窓に
挿通して、該窓の外側に前記結合手段の外部光導波路接
続部を露出させる工程。 c.前記光素子と半導体チップの電極を前記パッケージ
の側壁を貫通してパッケージの内外に亙って設けられた
外部電子回路接続用のリードの内端に電気的に接続する
工程。 d.前記パッケージの開口部をキャップで封ずる工程。
A first optical semiconductor device manufacturing method of the present invention is characterized by including the following steps. a. A step of mounting an optical element, a coupling means for coupling light between the optical element and an external optical waveguide so that light can be transmitted, and a semiconductor chip for driving the optical element on a substrate. b. A substrate on which the optical element, the coupling means, and the semiconductor chip are mounted is housed in a package, and a side edge of the substrate is fitted and locked in a concave portion provided inside a side wall of the package. Through a window provided on the package side wall to expose the external optical waveguide connection portion of the coupling means to the outside of the window. c. A step of electrically connecting the electrodes of the optical element and the semiconductor chip to inner ends of leads for connecting external electronic circuits, which penetrate through sidewalls of the package and are provided inside and outside the package. d. The step of sealing the opening of the package with a cap.

【0011】本発明の第2の光用半導体装置は、光素子
と外部光導波路の内端との光軸が同一直線上に配置され
て、該光素子と、外部光導波路の内端と、前記光素子ド
ライブ用の半導体チップとが搭載された基板が、パッケ
ージ内に収容されて、前記基板の側縁がパッケージの側
壁内側に設けられた凹部に嵌入、係止され、前記外部光
導波路が、パッケージ側壁に設けられた窓を通して、パ
ッケージ外部に延出され、前記光素子と半導体チップの
電極が前記パッケージの側壁を貫通してパッケージの内
外に亙って設けられた外部電子回路接続用のリードの内
端に電気的に接続され、前記パッケージの開口部がキャ
ップで封じられたことを特徴としている。
In a second optical semiconductor device of the present invention, the optical axes of the optical element and the inner end of the outer optical waveguide are arranged on the same straight line, and the optical element, the inner end of the outer optical waveguide, and A substrate on which the semiconductor chip for the optical element drive is mounted is accommodated in a package, and a side edge of the substrate is fitted and locked in a recess provided inside a side wall of the package, and the external optical waveguide is , An external electronic circuit connection extending outside the package through a window provided in the package side wall, and the electrodes of the optical element and the semiconductor chip penetrating the side wall of the package and provided inside and outside the package. It is characterized in that it is electrically connected to the inner ends of the leads and the opening of the package is sealed with a cap.

【0012】本発明の第2の光用半導体装置の製造方法
は、次の工程を含むことを特徴としている。 a.光素子と外部光導波路の内端との光軸を同一直線上
に配置させて、該光素子と、外部光導波路の内端と、前
記光素子ドライブ用の半導体チップとを基板に搭載する
工程。 b.前記光素子と、外部光導波路の内端と、半導体チッ
プとを搭載した基板を、パッケージ内に収容して、前記
基板の側縁を前記パッケージの側壁内側に設けられた凹
部に嵌入、係止させ、前記外部光導波路を、前記パッケ
ージ側壁に設けられた窓を通して、パッケージ外部に延
出させる工程。 c.前記光素子と半導体チップの電極を前記パッケージ
の側壁を貫通してパッケージの内外に亙って設けられた
外部電子回路接続用のリードの内端に電気的に接続する
工程。 d.前記パッケージの開口部をキャップで封ずる工程。
A second optical semiconductor device manufacturing method of the present invention is characterized by including the following steps. a. A step of arranging the optical axes of the optical element and the inner end of the external optical waveguide on the same straight line, and mounting the optical element, the inner end of the external optical waveguide, and the semiconductor chip for driving the optical element on a substrate. . b. A substrate on which the optical element, an inner end of an external optical waveguide, and a semiconductor chip are mounted is housed in a package, and a side edge of the substrate is fitted and locked in a recess provided inside a side wall of the package. And a step of extending the external optical waveguide to the outside of the package through a window provided on the side wall of the package. c. A step of electrically connecting the electrodes of the optical element and the semiconductor chip to inner ends of leads for connecting external electronic circuits, which penetrate through sidewalls of the package and are provided inside and outside the package. d. The step of sealing the opening of the package with a cap.

【0013】これらの第1又は第2の光用半導体装置と
第1又は第2の光用半導体装置の製造方法においては、
パッケージ内に収容する前の、広く開放された空間に置
かれた基板に、光素子と、結合手段又は外部光導波路の
内端と、半導体チップとを、パッケージの側壁に邪魔さ
れずに、自動搭載装置等を用いて、搭載できる。
In the first or second optical semiconductor device and the method for manufacturing the first or second optical semiconductor device,
The optical element, the inner end of the coupling means or the external optical waveguide, and the semiconductor chip are automatically placed on the substrate placed in a wide open space before being accommodated in the package without being disturbed by the side wall of the package. It can be mounted using a mounting device.

【0014】また、広く開放された空間に置かれた基板
に光素子と外部光導波路の内端とを搭載する際に、同時
に、外部光導波路の内端と光素子との光軸を同一直線上
に配置する作業を、パッケージの側壁に邪魔されずに、
容易かつ的確に行える。
Further, when the optical element and the inner end of the external optical waveguide are mounted on the substrate placed in a wide open space, the optical axes of the inner end of the external optical waveguide and the optical element are aligned at the same time. The work of placing on the line is not disturbed by the side wall of the package,
Easy and accurate.

【0015】本発明の第1又は第2の光用半導体装置に
おいては、光素子が、シリコン製のPLCを介して、基
板に搭載され、光素子の上方周囲にシリコン製のキャッ
プが被冠された構造とすることを好適としている。
In the first or second optical semiconductor device of the present invention, the optical element is mounted on the substrate through the PLC made of silicon, and the cap made of silicon is capped around the upper portion of the optical element. It is preferable that the structure has a different structure.

【0016】本発明の第1又は第2の光用半導体装置の
製造方法においては、光素子を、シリコン製のPLCを
介して、基板に搭載し、光素子の上方周囲にシリコン製
のキャップを被冠する工程を含むことを好適としてい
る。
In the first or second method for manufacturing an optical semiconductor device of the present invention, an optical element is mounted on a substrate through a PLC made of silicon, and a cap made of silicon is provided around the optical element. It is preferable to include the step of crowning.

【0017】これらの第1又は第2の光用半導体装置と
第1又は第2の光用半導体装置の製造方法により形成し
た第1又は第2の光用半導体装置においては、光素子の
周囲を気密性の高いシリコン製のPLCとキャップとで
気密に囲むことができる。そして、光素子に塵埃や湿気
が付着するのを防ぐことができる。
In the first or second optical semiconductor device and the first or second optical semiconductor device formed by the method for manufacturing the first or second optical semiconductor device, the periphery of the optical element is formed. It can be airtightly surrounded by a highly airtight silicon PLC and a cap. Then, it is possible to prevent dust and moisture from adhering to the optical element.

【0018】本発明の第1又は第2の光用半導体装置に
おいては、パッケージの開口部がキャップで封じられる
のに代えて、光素子と、結合手段の一部又は外部光導波
路の内端と、半導体チップとが収容されたパッケージ内
空間が、絶縁材で封じられた構造とすることを好適とし
ている。
In the first or second optical semiconductor device of the present invention, instead of sealing the opening of the package with a cap, the optical element and a part of the coupling means or the inner end of the external optical waveguide are used. It is preferable that the space inside the package in which the semiconductor chip is housed is sealed with an insulating material.

【0019】本発明の第1又は第2の光用半導体装置の
製造方法においては、パッケージの開口部をキャップで
封ずる工程に代えて、光素子と、結合手段の一部又は外
部光導波路の内端と、半導体チップとを収容したパッケ
ージ内空間を、絶縁材で封ずる工程を含むことを好適と
している。
In the first or second optical semiconductor device manufacturing method of the present invention, instead of the step of sealing the opening of the package with a cap, the optical element and a part of the coupling means or the external optical waveguide are formed. It is preferable to include a step of sealing an inner space and a package inner space accommodating the semiconductor chip with an insulating material.

【0020】これらの第1又は第2の光用半導体装置と
第1又は第2の光用半導体装置の製造方法により形成し
た第1又は第2の光用半導体装置においては、光素子や
結合手段の一部又は外部光導波路の内端を、絶縁材内部
に気密に封止できる。そして、パッケージ内に収容され
た光素子や結合手段の一部又は外部光導波路の内端に塵
埃や湿気が付着するのを防ぐことができる。
In the first or second optical semiconductor device and the first or second optical semiconductor device formed by the method for manufacturing the first or second optical semiconductor device, an optical element or coupling means is provided. A part or the inner end of the external optical waveguide can be hermetically sealed inside the insulating material. Then, it is possible to prevent dust or moisture from adhering to a part of the optical element or the coupling means housed in the package or the inner end of the outer optical waveguide.

【0021】本発明の第1又は第2の光用半導体装置に
おいては、窓と該窓に挿通された結合手段又は外部光導
波路との間の隙間が、コーキング材で封じられた構造と
することを好適としている。
In the first or second optical semiconductor device of the present invention, the gap between the window and the coupling means inserted in the window or the external optical waveguide is sealed with a caulking material. Is preferred.

【0022】本発明の第1又は第2の光用半導体装置の
製造方法においては、窓と該窓に挿通した結合手段又は
外部光導波路との間の隙間を、コーキング材で封ずる工
程を含むことを好適としている。
In the first or second method for manufacturing an optical semiconductor device of the present invention, a step of sealing the gap between the window and the coupling means inserted in the window or the external optical waveguide with a caulking material is included. That is preferable.

【0023】これらの第1又は第2の光用半導体装置と
第1又は第2の光用半導体装置の製造方法により形成し
た第1又は第2の光用半導体装置においては、窓と該窓
に挿通された結合手段又は外部光導波路との間の隙間を
通して、パッケージ内空間に塵埃や湿気が侵入するのを
防ぐことができる。そして、パッケージ内空間に収容さ
れた光素子や結合手段の一部又は外部光導波路の内端に
塵埃や湿気が付着するのを防ぐことができる。
In the first or second optical semiconductor device and the first or second optical semiconductor device formed by the method for manufacturing the first or second optical semiconductor device, the window and the window are It is possible to prevent dust and moisture from entering the space inside the package through the gap between the inserted coupling means or the external optical waveguide. Then, it is possible to prevent dust or moisture from adhering to a part of the optical element or the coupling means housed in the package internal space or the inner end of the external optical waveguide.

【0024】[0024]

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
に従い説明する。図1と図2は本発明の第1の光用半導
体装置の好適な実施の形態を示し、図1はその正面断面
図、図2はその側面断面図である。以下に、この第1の
光用半導体装置を説明する。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Next, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. 1 and 2 show a preferred embodiment of a first optical semiconductor device of the present invention, FIG. 1 is a front sectional view thereof, and FIG. 2 is a side sectional view thereof. The first optical semiconductor device will be described below.

【0025】この第1の光用半導体装置では、光素子2
0と、該光素子と外部光導波路との間を光を伝達可能に
結合する光導波路80aとフェルール80b等からなる
結合手段80と、光素子20ドライブ用の半導体チップ
30とが、基板40に搭載されている。基板40は、平
板状をしていて、高熱放散性の銅等の金属で形成されて
いる。
In this first optical semiconductor device, the optical element 2 is used.
0, a coupling means 80 including an optical waveguide 80a and a ferrule 80b for coupling light between the optical element and an external optical waveguide, and a semiconductor chip 30 for driving the optical element 20 on a substrate 40. It is installed. The substrate 40 has a flat plate shape and is made of a metal such as copper having a high heat dissipation property.

【0026】光素子20は、シリコン製のPLC(プレ
ーナーライトウェーブサーキットの略であって、光素子
20を結合する光導波路及び光素子20の電極を電気的
に接続する配線回路が形成された基板)170を介し
て、基板40表面に搭載されている。
The optical element 20 is an abbreviation for a PLC (planar light wave circuit) made of silicon, and a substrate on which an optical waveguide for connecting the optical element 20 and a wiring circuit for electrically connecting the electrodes of the optical element 20 are formed. ) 170, and is mounted on the surface of the substrate 40.

【0027】光素子20は、PLC170に形成された
結合手段80の一部を構成する光導波路80aの内端
に、両者の間を光を伝達可能なように、結合されてい
る。光素子20の電極は、ワイヤを介して、PLC17
0に形成された配線回路(図示せず)に電気的に接続さ
れている。光素子20の上方周囲には、シリコン製のキ
ャップ180が被冠されている。そして、光素子20の
周囲が、PLC170とキャップ180とで気密に囲ま
れていて、光素子20に塵埃や湿気が付着するのが防止
されている。
The optical element 20 is coupled to the inner end of an optical waveguide 80a forming a part of the coupling means 80 formed in the PLC 170 so that light can be transmitted between them. The electrodes of the optical element 20 are connected to the PLC 17 via wires.
It is electrically connected to the wiring circuit (not shown) formed in 0. A cap 180 made of silicon is capped on the upper periphery of the optical element 20. The periphery of the optical element 20 is airtightly surrounded by the PLC 170 and the cap 180 to prevent dust and moisture from adhering to the optical element 20.

【0028】90は、パッケージであって、液晶ポリマ
ー、熱硬化樹脂等の絶縁材で形成されている。パッケー
ジ90は、平行に起立する左右側壁90a、90bと、
該左右側壁の前端を繋ぐ前端側壁90cとから形成され
ている。パッケージの左右側壁90a、90bの内側下
部には、基板40の左右側縁を嵌入、係止する、断面コ
の字状をした凹部94が、側壁90a、90bを縦断し
て、設けられている。
A package 90 is made of an insulating material such as liquid crystal polymer or thermosetting resin. The package 90 includes left and right side walls 90a and 90b standing in parallel,
It is formed of a front end side wall 90c connecting the front ends of the left and right side walls. At the inner lower portions of the left and right side walls 90a and 90b of the package, recesses 94 having a U-shaped cross section for fitting and locking the left and right side edges of the substrate 40 are provided by vertically cutting the side walls 90a and 90b. .

【0029】光素子20と、半導体チップ30と、結合
手段80とが搭載された基板40は、パッケージ後端の
開口部92を通して、パッケージ90内に収容されてい
る。基板40の左右側縁は、パッケージ90の左右側壁
90a、90bの内側下部に設けられた凹部94に嵌
入、係止されている。
The substrate 40 on which the optical element 20, the semiconductor chip 30, and the coupling means 80 are mounted is accommodated in the package 90 through the opening 92 at the rear end of the package. The left and right side edges of the substrate 40 are fitted and locked in the recesses 94 provided in the inner lower portions of the left and right side walls 90a and 90b of the package 90.

【0030】パッケージ90の前端側壁90cには、筒
状の窓100が設けられている。そして、その窓100
に、基板40に搭載された結合手段80が挿通されて、
該結合手段の外部光導波路接続部82が窓100の外側
に露出されている。そして、その結合手段の外部光導波
路接続部82に、外部光導波路を、両者の間を光を伝達
可能なように、結合できるように構成されている。
A cylindrical window 100 is provided on the front end side wall 90c of the package 90. And that window 100
The coupling means 80 mounted on the substrate 40 is inserted into
The external optical waveguide connection portion 82 of the coupling means is exposed to the outside of the window 100. The external optical waveguide connecting portion 82 of the coupling means is configured so that the external optical waveguide can be coupled so that light can be transmitted between them.

【0031】パッケージの左右側壁90a、90bに
は、図2に示したように、外部電子回路接続用の複数本
のリード120が、パッケージの側壁90a、90bを
貫通して、パッケージ90の内外に亙って所定ピッチで
並べて設けられている。具体的には、細帯状のめっき層
からなるリード120が、プラスチック表面にめっきを
施すめっき法を用いて、パッケージの側壁90a、90
bの中途部を貫通して、液晶ポリマー、熱硬化樹脂等の
絶縁材からなるパッケージの下部側壁98の外側周囲面
に、連続して形成されている。
As shown in FIG. 2, on the left and right side walls 90a and 90b of the package, a plurality of leads 120 for connecting an external electronic circuit are passed through the side walls 90a and 90b of the package, and inside and outside the package 90. They are arranged side by side at a predetermined pitch. Specifically, the leads 120 made of a strip-shaped plating layer are used to form side walls 90a, 90 of the package by using a plating method for plating the plastic surface.
It is continuously formed on the outer peripheral surface of the lower side wall 98 of the package made of an insulating material such as a liquid crystal polymer or a thermosetting resin so as to penetrate the middle part of b.

【0032】このリード120を、パッケージの下部側
壁98の外側周囲面に形成する際には、内側に凹部94
が形成された下部側壁98を、射出成形法等を用いて形
成して、その下部側壁98の外側周囲面に、銅めっき等
のめっき層からなるリード120を細帯状に形成してい
る。次いで、その下部側壁98の上端に、液晶ポリマ
ー、熱硬化樹脂等の絶縁材からなるパッケージの側壁9
0a、90bの上部側壁を、射出成形法等を用いて一連
に形成している。
When the lead 120 is formed on the outer peripheral surface of the lower side wall 98 of the package, the recess 94 is formed inside.
The lower side wall 98 formed with is formed by an injection molding method or the like, and leads 120 made of a plating layer such as copper plating are formed in a strip shape on the outer peripheral surface of the lower side wall 98. Next, on the upper end of the lower side wall 98, the side wall 9 of the package made of an insulating material such as liquid crystal polymer or thermosetting resin is used.
The upper side walls of 0a and 90b are formed in series using an injection molding method or the like.

【0033】パッケージ90内中途部に突出した下部側
壁98の上端面部分に形成されたリード120の内端に
は、パッケージ90内に収容された基板40に搭載され
た光素子20と半導体チップ30の電極が、ワイヤ(図
示せず)を介して、電気的に接続されている。具体的に
は、光素子20の電極が電気的に接続されたPLC17
0に形成された配線回路の端子部が、ワイヤを介して、
リード120の内端に電気的に接続されたり、半導体チ
ップ30の電極が、ワイヤを介して、リード120の内
端に電気的に接続されたりしている。
The optical element 20 and the semiconductor chip 30 mounted on the substrate 40 housed in the package 90 are provided at the inner ends of the leads 120 formed on the upper end surface portions of the lower side walls 98 protruding in the middle of the package 90. Are electrically connected to each other via wires (not shown). Specifically, the PLC 17 in which the electrodes of the optical element 20 are electrically connected
The terminal portion of the wiring circuit formed in 0, through the wire,
It is electrically connected to the inner end of the lead 120, or the electrode of the semiconductor chip 30 is electrically connected to the inner end of the lead 120 via a wire.

【0034】パッケージ90下端に露出した下部側壁9
8の下端面部分に形成されたリード120の外端は、光
用半導体装置実装用のボード表面に形成された接続端子
にはんだ付け接続できるように構成されている。
Lower side wall 9 exposed at the lower end of the package 90
The outer ends of the leads 120 formed on the lower end surface portion of 8 are configured so that they can be soldered to connection terminals formed on the surface of a board for mounting an optical semiconductor device.

【0035】パッケージ90の上端の開口部96とその
後端の開口部92とは、図1に示したように、L字帯状
をしたキャップ130で連続して封じられている。そし
て、光素子20と、半導体チップ30と、結合手段80
の一部とが、パッケージの側壁90a、90b、90c
と、キャップ130と、基板40とで囲まれたパッケー
ジ90内空間に封入されている。
The opening 96 at the upper end and the opening 92 at the rear end of the package 90 are continuously sealed by an L-shaped band-shaped cap 130, as shown in FIG. Then, the optical element 20, the semiconductor chip 30, and the coupling means 80
Is a part of the package side walls 90a, 90b, 90c
And is enclosed in the space inside the package 90 surrounded by the cap 130 and the substrate 40.

【0036】図1と図2に示した第1の光用半導体装置
は、以上のように構成されている。
The first optical semiconductor device shown in FIGS. 1 and 2 is configured as described above.

【0037】次に、この第1の光用半導体装置の製造方
法であって、本発明の第1の光用半導体装置の製造方法
の好適な実施の形態を説明する。
Next, a preferred embodiment of the first method for manufacturing an optical semiconductor device, which is the first method for manufacturing an optical semiconductor device according to the present invention, will be described.

【0038】この第1の光用半導体装置の製造方法で
は、図3に示したように、光素子20と、該光素子と外
部光導波路(図示せず)との間を光を伝達可能に結合す
る光導波路80aとフェルール80b等からなる結合手
段80と、光素子20ドライブ用の半導体チップ30と
を、高熱放散性の金属製の基板40に、自動搭載装置等
を用いて、搭載している。
In the first method for manufacturing a semiconductor device for optical use, as shown in FIG. 3, light can be transmitted between the optical element 20 and the optical element and an external optical waveguide (not shown). The coupling means 80 including the optical waveguide 80a and the ferrule 80b to be coupled, and the semiconductor chip 30 for driving the optical element 20 are mounted on the metal substrate 40 having high heat dissipation using an automatic mounting device or the like. There is.

【0039】光素子20は、前述PLC170を介し
て、基板40表面に搭載している。光素子20は、PL
C170に形成された結合手段80の一部を構成する光
導波路80aの内端に、両者の間を光を伝達可能なよう
に、結合している。光素子20の電極は、ワイヤを介し
て、PLC170に形成された配線回路(図示せず)に
電気的に接続している。光素子20の上方周囲には、シ
リコン製のキャップ180を被冠している。そして、光
素子20の周囲を、PLC170とキャップ180とで
気密に囲んでいて、光素子20に塵埃や湿気が付着する
のを防いでいる。
The optical element 20 is mounted on the surface of the substrate 40 via the PLC 170. The optical element 20 is PL
The light is coupled to the inner end of the optical waveguide 80a forming a part of the coupling means 80 formed in C170 so that light can be transmitted between them. The electrode of the optical element 20 is electrically connected to a wiring circuit (not shown) formed in the PLC 170 via a wire. A cap 180 made of silicon is capped on the upper periphery of the optical element 20. The PLC 170 and the cap 180 hermetically surround the optical element 20 to prevent dust and moisture from adhering to the optical element 20.

【0040】次いで、図1と図2に示したように、光素
子20と、半導体チップ30と、結合手段80とを搭載
した基板40を、パッケージ後端の開口部92を通し
て、パッケージ90内に収容している。そして、基板4
0の左右側縁をパッケージの左右側壁90a、90bの
内側下部に設けられた凹部94に嵌入、係止させてい
る。
Next, as shown in FIGS. 1 and 2, the substrate 40 on which the optical element 20, the semiconductor chip 30, and the coupling means 80 are mounted is inserted into the package 90 through the opening 92 at the rear end of the package. It is housed. And the substrate 4
The left and right side edges of 0 are fitted and locked in the recesses 94 provided in the inner lower portions of the left and right side walls 90a and 90b of the package.

【0041】光素子20と、半導体チップ30と、結合
手段80とを搭載した基板40をパッケージ90内に収
容する際には、同時に、基板40に搭載した結合手段8
0を、パッケージの側壁90cに設けられた窓100に
挿通している。そして、結合手段の外部光導波路接続部
82を、窓100の外側に露出させている。
When the substrate 40 on which the optical element 20, the semiconductor chip 30, and the coupling means 80 are mounted is accommodated in the package 90, at the same time, the coupling means 8 mounted on the substrate 40 is mounted.
0 is inserted into the window 100 provided on the side wall 90c of the package. Then, the external optical waveguide connection portion 82 of the coupling means is exposed to the outside of the window 100.

【0042】次いで、パッケージ90内に収容した基板
40に搭載した光素子20と半導体チップ30の電極
を、その近くのパッケージ90内中途部に突出した下部
側壁98の上端面部分に形成されたリード120の内端
に、ワイヤ(図示せず)を介して、電気的に接続してい
る。具体的には、光素子20の電極が電気的に接続され
たPLC170に形成された配線回路の端子部を、ワイ
ヤを介して、リード120の内端に電気的に接続した
り、半導体チップ30の電極を、ワイヤを介して、リー
ド120の内端に電気的に接続したりしている。
Next, the electrodes of the optical element 20 and the semiconductor chip 30 mounted on the substrate 40 housed in the package 90 are formed on the upper surface of the lower side wall 98 projecting in the middle of the package 90 near the leads. The inner end of 120 is electrically connected via a wire (not shown). Specifically, the terminal portion of the wiring circuit formed on the PLC 170 to which the electrode of the optical element 20 is electrically connected is electrically connected to the inner end of the lead 120 via the wire, or the semiconductor chip 30. The electrode is electrically connected to the inner end of the lead 120 via a wire.

【0043】その後、パッケージ90の上端の開口部9
6とその後端の開口部92とを、図1に示したように、
L字帯状をしたキャップ130で連続して封じている。
そして、光素子20と、半導体チップ30と、結合手段
80の一部とを、パッケージの側壁90a、90b、9
0cと、キャップ130と、基板40とで囲まれた空間
内に封入している。
After that, the opening 9 at the upper end of the package 90 is formed.
6, and the opening 92 at the rear end thereof, as shown in FIG.
The L-shaped cap 130 continuously seals.
The optical element 20, the semiconductor chip 30, and a part of the coupling means 80 are connected to the side walls 90a, 90b, 9 of the package.
0c, the cap 130, and the substrate 40 are enclosed in the space.

【0044】図1に示した第1の光用半導体装置は、以
上の工程を踏んで、形成している。
The first optical semiconductor device shown in FIG. 1 is formed by the above steps.

【0045】図4は本発明の第2の光用半導体装置の好
適な実施の形態を示し、詳しくはその正面断面図であ
る。以下に、この第2の光用半導体装置を説明する。
FIG. 4 shows a preferred embodiment of the second optical semiconductor device of the present invention, more specifically, a front sectional view thereof. The second optical semiconductor device will be described below.

【0046】この第2の光用半導体装置では、結合手段
80に代えて、外部光導波路の内端142と光素子20
とが、該外部光導波路の内端142と光素子20との間
を光を伝達可能なように、該外部光導波路の内端142
と光素子20との光軸が同一直線上に配置されて、基板
40に搭載されている。具体的には、光素子20の光軸
と、PLC170に形成された外部光導波路の内端14
2の光軸とが、同一直線上に配置されて、光素子20
が、PLC170を介して、基板40表面に搭載されて
いる。外部光導波路の内端142近くの光導波路140
部分の周囲には、筒状のガイド144が被冠されてい
る。そして、そのガイド144を介して、外部光導波路
の内端142近くの光導波路140部分が基板40表面
に搭載されている。
In this second optical semiconductor device, the inner end 142 of the external optical waveguide and the optical element 20 are replaced with the coupling means 80.
So that light can be transmitted between the inner end 142 of the outer optical waveguide and the optical element 20.
The optical axes of the optical element 20 and the optical element 20 are arranged on the same straight line and mounted on the substrate 40. Specifically, the optical axis of the optical element 20 and the inner end 14 of the external optical waveguide formed in the PLC 170 are used.
The two optical axes are arranged on the same straight line, and the optical element 20
Are mounted on the surface of the substrate 40 via the PLC 170. The optical waveguide 140 near the inner end 142 of the external optical waveguide
A tubular guide 144 is crowned around the portion. The portion of the optical waveguide 140 near the inner end 142 of the external optical waveguide is mounted on the surface of the substrate 40 via the guide 144.

【0047】外部光導波路140は、パッケージの側壁
90cに設けられた筒状の窓100を通して、パッケー
ジ90外部に延出されている。具体的には、ガイド14
4が被冠された外部光導波路140部分が窓100に挿
通されて、外部光導波路140がパッケージ90外部に
延出されている。
The external optical waveguide 140 extends to the outside of the package 90 through the cylindrical window 100 provided on the side wall 90c of the package. Specifically, the guide 14
The portion of the external optical waveguide 140 which is capped with 4 is inserted into the window 100, and the external optical waveguide 140 is extended to the outside of the package 90.

【0048】その他は、前述図1に示した第1の光用半
導体装置と同様に構成されている。
Others are the same as those of the first optical semiconductor device shown in FIG.

【0049】次に、この第2の光用半導体装置の製造方
法であって、本発明の第2の光用半導体装置の製造方法
の好適な実施の形態を説明する。
Next, a preferred embodiment of the second method for manufacturing an optical semiconductor device, which is the second method for manufacturing an optical semiconductor device according to the present invention, will be described.

【0050】この第2の光用半導体装置の製造方法で
は、図5に示したように、結合手段80に代えて、外部
光導波路の内端142と光素子20とを、該外部光導波
路の内端142と光素子20との間を光を伝達可能なよ
うに、該外部光導波路の内端142と光素子20との光
軸を同一直線上に配置させて、基板40に搭載してい
る。具体的には、光素子20の光軸と、PLC170に
形成された外部光導波路の内端142の光軸とを、同一
直線上に配置させて、光素子20を、PLC170を介
して、基板40表面に搭載している。外部光導波路の内
端142近くの外部光導波路140部分の周囲には、筒
状のガイド144を被冠している。そして、そのガイド
144を介して、外部光導波路の内端142近くの外部
光導波路140部分を基板40表面に搭載している。
In the second method for manufacturing a semiconductor device for optical use, as shown in FIG. 5, instead of the coupling means 80, the inner end 142 of the external optical waveguide and the optical element 20 are replaced with each other. The optical axes of the inner end 142 and the optical element 20 of the outer optical waveguide are arranged on the same straight line so that light can be transmitted between the inner end 142 and the optical element 20, and the optical waveguide is mounted on the substrate 40. There is. Specifically, the optical axis of the optical element 20 and the optical axis of the inner end 142 of the external optical waveguide formed in the PLC 170 are arranged on the same straight line, and the optical element 20 is placed on the substrate via the PLC 170. It is mounted on 40 surfaces. A cylindrical guide 144 is provided around the outer optical waveguide 140 portion near the inner end 142 of the outer optical waveguide. Then, the portion of the external optical waveguide 140 near the inner end 142 of the external optical waveguide is mounted on the surface of the substrate 40 via the guide 144.

【0051】光素子20と、外部光導波路の内端142
と、半導体チップ30とを搭載した基板40をパッケー
ジ90内に収容する際には、図4に示したように、結合
手段80に代えて、ガイド144を被冠した外部光導波
路140部分を、パッケージの側壁90cに設けられた
窓100に挿通している。そして、外部光導波路140
を、パッケージ90外部に延出させている。
The optical element 20 and the inner end 142 of the external optical waveguide.
When housing the substrate 40 on which the semiconductor chip 30 is mounted in the package 90, as shown in FIG. 4, instead of the coupling means 80, the portion of the external optical waveguide 140 covered with the guide 144 is It is inserted through the window 100 provided on the side wall 90c of the package. Then, the external optical waveguide 140
Are extended to the outside of the package 90.

【0052】その他は、前述第1の光用半導体装置の製
造方法と同様な工程を踏んで、図4に示した第2の光用
半導体装置を形成している。
Other than that, the second optical semiconductor device shown in FIG. 4 is formed by following the same steps as the manufacturing method of the first optical semiconductor device.

【0053】図6と図7は本発明の第1と第2の光用半
導体装置の他の好適な実施の形態を示し、詳しくはそれ
らの正面断面図である。以下に、これらの第1又は第2
の光用半導体装置を説明する。
FIG. 6 and FIG. 7 show other preferred embodiments of the first and second optical semiconductor devices of the present invention, and are their front sectional views in detail. Below, these first or second
The semiconductor device for light will be described.

【0054】図の第1と第2の光用半導体装置では、パ
ッケージ90の上端とその後端の開口部96、92がキ
ャップ130で封じられる代わりに、光素子20と、結
合手段80又は外部光導波路の内端142と、半導体チ
ップ30とが収容された、パッケージの側壁90a、9
0b、90cと、基板40とで囲まれたパッケージ90
内空間が、樹脂等の絶縁材150で隙間なく封じられて
いる。そして、光素子20と、半導体チップ30と、結
合手段80の一部又は外部光導波路の内端142とが、
絶縁材150内部に気密に封入されている。
In the first and second optical semiconductor devices shown in the figures, the optical element 20 and the coupling means 80 or the external light guide are used instead of the openings 96 and 92 at the upper end and the rear end of the package 90 being sealed with the cap 130. Side walls 90a, 9 of the package in which the inner end 142 of the waveguide and the semiconductor chip 30 are housed
Package 90 surrounded by 0b and 90c and substrate 40
The inner space is tightly sealed with an insulating material 150 such as resin. Then, the optical element 20, the semiconductor chip 30, a part of the coupling means 80 or the inner end 142 of the external optical waveguide are
It is hermetically sealed inside the insulating material 150.

【0055】その他は、前述図1に示した第1の光用半
導体装置、前述図4に示した第2の光用半導体装置と同
様に構成されている。
Others are the same as those of the first optical semiconductor device shown in FIG. 1 and the second optical semiconductor device shown in FIG.

【0056】次に、これらの第1と第2の光用半導体装
置の製造方法であって、本発明の第1と第2の光用半導
体装置の製造方法の他の好適な実施の形態を説明する。
Next, another preferred embodiment of the first and second optical semiconductor device manufacturing methods, which are the first and second optical semiconductor device manufacturing methods of the present invention, will be described. explain.

【0057】この第1と第2の光用半導体装置の製造方
法では、図6と図7に示したように、パッケージ90の
上端とその後端の開口部96、92をキャップ130で
封ずる工程に代えて、光素子20と、半導体チップ30
と、結合手段80の一部又は外部光導波路の内端142
とを収容した、パッケージの側壁90a、90b、90
cと、基板40とで囲まれたパッケージ90内空間に、
樹脂等の絶縁材150を充填して、そのパッケージ90
内空間を絶縁材150で隙間なく封じている。そして、
光素子20と、半導体チップ30と、結合手段80の一
部又は外部光導波路の内端142とを、絶縁材150内
部に気密に封入している。
In the first and second optical semiconductor device manufacturing methods, as shown in FIGS. 6 and 7, the upper and rear openings 96 and 92 of the package 90 are sealed with the cap 130. Instead of the optical element 20, the semiconductor chip 30
And a part of the coupling means 80 or the inner end 142 of the outer optical waveguide.
And side walls 90a, 90b, 90 of the package containing
In the space inside the package 90 surrounded by c and the substrate 40,
The package 90 is filled with an insulating material 150 such as resin.
The inner space is tightly sealed with the insulating material 150. And
The optical element 20, the semiconductor chip 30, and a part of the coupling means 80 or the inner end 142 of the outer optical waveguide are hermetically sealed inside the insulating material 150.

【0058】その他は、前述第1と第2の光用半導体装
置の製造方法と同様な工程を踏んで、図6と図7に示し
た第1と第2の光用半導体装置を形成している。
Other than that, the first and second optical semiconductor devices shown in FIGS. 6 and 7 are formed by performing the same steps as the manufacturing method of the first and second optical semiconductor devices. There is.

【0059】なお、図1に示した第1の光用半導体装置
又は図4に示した第2の光用半導体装置においては、窓
100と該窓に挿通された結合手段80又はガイド14
4が被冠された外部光導波路140部分との間の隙間
を、コーキング材160で封じた構造とすると良い。そ
して、それらの隙間を通して、パッケージ90内に塵埃
や湿気が侵入するのを防ぐと良い。そして、パッケージ
90内に収容された光素子20や結合手段80の一部や
外部光導波路の内端142に塵埃や湿気が付着して、そ
れらが動作不良を起こすのを防ぐと良い。
Incidentally, in the first optical semiconductor device shown in FIG. 1 or the second optical semiconductor device shown in FIG. 4, the window 100 and the coupling means 80 or the guide 14 inserted through the window 100.
It is preferable that the gap between the outer optical waveguide 140 and the outer optical waveguide 140 is sealed with a caulking material 160. Then, it is preferable to prevent dust and moisture from entering the package 90 through the gaps. Then, it is preferable to prevent dust and moisture from adhering to a part of the optical element 20 and the coupling means 80 housed in the package 90 or the inner end 142 of the external optical waveguide and causing them to malfunction.

【0060】また、前述第1又は第2の光用半導体装置
の製造方法においても、窓100と該窓に挿通した結合
手段80又はガイド144が被冠された外部光導波路1
40部分との間の隙間を、コーキング材160で封ずる
工程を含ませると良い。そして、それらの隙間を通し
て、パッケージ90内に塵埃や湿気が侵入して、パッケ
ージ90内に収容した光素子20や結合手段80の一部
や外部光導波路の内端142に塵埃や湿気が付着するの
を防止できるようにすると良い。
Also in the above-described first or second method for manufacturing a semiconductor device for optical use, the window 100 and the coupling means 80 inserted through the window or the external optical waveguide 1 having the guide 144 is capped.
It is advisable to include a step of sealing the gap between the 40 part and the caulking material 160. Then, dust or moisture enters the package 90 through these gaps, and dust or moisture adheres to the optical element 20 housed in the package 90, a part of the coupling means 80, or the inner end 142 of the external optical waveguide. It is good to be able to prevent.

【0061】また、前述第1又は第2の光用半導体装置
と前述第1又は第2の光用半導体装置の製造方法におい
ては、光素子20や外部光導波路の内端142近くの外
部光導波路140部分を、PLC170やガイド144
を介さずに、基板40表面に直接に搭載しても良い。ま
た、外部光導波路の内端142近くの外部光導波路14
0部分は、その周囲をガイド144で覆わずに、その外
部光導波路140部分をそのままパッケージの窓100
に挿通しても良い。また、光素子20が塵埃や湿気に強
い構造のものの場合には、光素子20の上方周囲にキャ
ップ180を被冠せずとも良く、そのようにしても、前
述第1又は第2の光用半導体装置とほぼ同様な作用を持
つ光用半導体装置を提供したり形成したりできる。
Further, in the first or second optical semiconductor device and the method for manufacturing the first or second optical semiconductor device, the external optical waveguide near the optical element 20 or the inner end 142 of the external optical waveguide is used. 140 parts of the PLC 170 and the guide 144
It may be directly mounted on the surface of the substrate 40 without the interposition. In addition, the external optical waveguide 14 near the inner end 142 of the external optical waveguide
The 0 portion is not covered with the guide 144, and the outer optical waveguide 140 portion is directly used as the window 100 of the package.
You may insert it in. Further, when the optical element 20 has a structure that is resistant to dust and moisture, it is not necessary to cover the cap 180 on the upper periphery of the optical element 20, and even in such a case, the first or second light It is possible to provide or form an optical semiconductor device having an action substantially similar to that of the semiconductor device.

【0062】また、図6と図7に示した第1と第2の光
用半導体装置又は該装置を製造するための前述第1と第
2の光用半導体装置の製造方法においては、図8に示し
たように、リード120が、パッケージの側壁90a、
90bの中途部を貫通して、パッケージの側壁90a、
90b上部の外側周囲面に連続して細帯状に形成された
パッケージ90を用いても良い。
In addition, in the first and second optical semiconductor devices shown in FIGS. 6 and 7 or in the method of manufacturing the first and second optical semiconductor devices described above for manufacturing the device, FIG. As shown in FIG.
A side wall 90a of the package penetrates through the middle portion of 90b,
It is also possible to use a package 90 formed in a strip shape continuously on the outer peripheral surface of the upper portion of 90b.

【0063】又は、図9に示したように、リード120
が、塑性変形可能な金属で形成されて、該リード120
が、パッケージの側壁90a、90bの中途部を貫通し
て、パッケージ90の内外に亙って設けられ、パッケー
ジ90の外方に延設されたリード120の外端が、上方
に向けてガルウィング(GULL―WING)状に折曲
されたパッケージ90を用いても良い。
Alternatively, as shown in FIG.
Are formed of a plastically deformable metal, and the lead 120 is
Is provided over the inside and outside of the package 90 by penetrating the middle portions of the side walls 90a and 90b of the package, and the outer ends of the leads 120 extending outward of the package 90 have a gull wing ( It is also possible to use a package 90 bent in a GALL-WING shape.

【0064】そして、パッケージの側壁90a、90b
の上端面部分に形成されたリード120の外端、又はパ
ッケージ90の外方に延設されて上方にガルウィング状
に折曲されたリード120の外端を、光用半導体装置実
装用のボード表面に形成された接続端子にはんだ付け接
続できるようにしても良い。そして、基板40を、ボー
ド上方に向けて、光用半導体装置をボードに表面実装で
きるようにしても良い。そして、ボード上方を向く基板
40表面に、基板40の放熱性を高めるための放熱フィ
ン(図示せず)を付設できるようにしても良い。
Then, the side walls 90a, 90b of the package
The outer end of the lead 120 formed on the upper end surface portion of the lead 120 or the outer end of the lead 120 extended outward of the package 90 and bent upward in a gull wing shape is used as a board surface for mounting an optical semiconductor device. You may make it possible to make a soldering connection to the connection terminal formed in. Then, the substrate 40 may be directed upward of the board so that the optical semiconductor device can be surface-mounted on the board. A heat radiation fin (not shown) for enhancing the heat radiation performance of the substrate 40 may be attached to the surface of the substrate 40 facing the upper side of the board.

【0065】また、図9に示した第1と第2の光用半導
体装置又は該装置を製造するための前述第1と第2の光
用半導体装置の製造方法においては、パッケージ90内
空間を、絶縁材150で封ずる代わりに、図1に示した
ように、パッケージの開口部92、96を、L字帯状を
したキャップ130で連続して封じても良い。
Further, in the first and second optical semiconductor devices shown in FIG. 9 or the above-mentioned first and second optical semiconductor device manufacturing methods for manufacturing the device, the space inside the package 90 is Instead of sealing with the insulating material 150, as shown in FIG. 1, the opening portions 92 and 96 of the package may be continuously sealed with an L-shaped cap 130.

【0066】[0066]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の第1又は
第2の光用半導体装置と本発明の第1又は第2の光用半
導体装置の製造方法によれば、基板を広く開放された空
間内に置いて、該基板に光素子と、結合手段又は外部光
導波路の内端と、半導体チップとを搭載する作業を、パ
ッケージの側壁に邪魔されずに、自動搭載装置等を用い
て、容易かつ迅速に行える。
As described above, according to the first or second optical semiconductor device of the present invention and the manufacturing method of the first or second optical semiconductor device of the present invention, the substrate is widely opened. In an empty space, the work of mounting the optical element, the coupling means or the inner end of the external optical waveguide, and the semiconductor chip on the substrate is performed by using an automatic mounting device or the like without being disturbed by the side wall of the package. Easy and quick to do.

【0067】また、広く開放された空間内に置いた基板
に光素子と、外部光導波路の内端と、半導体チップとを
搭載する際に、同時に、光素子と外部光導波路の内端と
の光軸を同一直線上に配置する作業を、パッケージの側
壁に邪魔されずに、容易かつ的確に行える。
When the optical element, the inner end of the external optical waveguide, and the semiconductor chip are mounted on the substrate placed in a wide open space, the optical element and the inner end of the external optical waveguide are simultaneously formed. The work of arranging the optical axes on the same straight line can be performed easily and accurately without being disturbed by the side wall of the package.

【0068】また、構造が複雑でその製造に多大な手数
と時間を要するメタルパッケージを用いる必要がなくな
って、汎用性のある安価な光用半導体装置を提供したり
形成したりできる。
Further, since it is not necessary to use a metal package which has a complicated structure and requires a great deal of labor and time for its manufacture, it is possible to provide or form a versatile and inexpensive optical semiconductor device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の光用半導体装置の正面断面図で
ある。
FIG. 1 is a front sectional view of a first optical semiconductor device of the present invention.

【図2】本発明の第1の光用半導体装置の側面断面図で
ある。
FIG. 2 is a side sectional view of a first optical semiconductor device of the present invention.

【図3】本発明の第1の光用半導体装置の製造方法の説
明図である。
FIG. 3 is an explanatory diagram of the first method for manufacturing an optical semiconductor device of the present invention.

【図4】本発明の第2の光用半導体装置の正面断面図で
ある。
FIG. 4 is a front sectional view of a second optical semiconductor device of the present invention.

【図5】本発明の第2の光用半導体装置の製造方法の説
明図である。
FIG. 5 is an explanatory diagram of a second method for manufacturing an optical semiconductor device of the present invention.

【図6】本発明の第1の光用半導体装置の正面断面図で
ある。
FIG. 6 is a front sectional view of a first optical semiconductor device of the present invention.

【図7】本発明の第2の光用半導体装置の正面断面図で
ある。
FIG. 7 is a front sectional view of a second optical semiconductor device of the present invention.

【図8】本発明の第1又は第2の光用半導体装置の側面
断面図である。
FIG. 8 is a side sectional view of the first or second optical semiconductor device of the present invention.

【図9】本発明の第1又は第2の光用半導体装置の側面
断面図である。
FIG. 9 is a side sectional view of the first or second optical semiconductor device of the present invention.

【図10】従来の光用半導体装置の構造を示す斜視図で
ある。
FIG. 10 is a perspective view showing a structure of a conventional optical semiconductor device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 メタルパッケージ 12 窓 14 透孔 20 光素子 30 半導体チップ 40 基板 50 リード 60 ガラス 80 結合手段 82 結合手段の外部光導波路接続部 90 パッケージ 90a、90b、90c パッケージの側壁 92、96 パッケージの開口部 94 凹部 98 パッケージの下部側壁 100 窓 120 リード 130 キャップ 140 外部光導波路 142 外部光導波路の内端 144 ガイド 150 絶縁材 160 コーキング材 170 PLC 180 キャップ 10 Metal Package 12 Window 14 Through Hole 20 Optical Element 30 Semiconductor Chip 40 Substrate 50 Lead 60 Glass 80 Coupling Means 82 External Optical Waveguide Connection of Coupling Means 90 Packages 90a, 90b, 90c Side Walls 92, 96 Package Openings 94 Recesses 98 Lower side wall of package 100 Window 120 Lead 130 Cap 140 External optical waveguide 142 Inner end of external optical waveguide 144 Guide 150 Insulating material 160 Caulking material 170 PLC 180 Cap

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成8年6月12日[Submission date] June 12, 1996

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0001[Correction target item name] 0001

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LD(レーザダイ
オード)、PD(フォトダイオード)等の光素子と該光
素子ドライブ用の半導体チップとが内蔵された光用半導
体装置と、該装置の製造方法とに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical semiconductor device in which an optical element such as an LD (laser diode) or a PD (photodiode) and a semiconductor chip for driving the optical element are built in, and manufacturing of the device. With respect to the method.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光素子と、該光素子と外部光導波路との
間を光を伝達可能に結合する結合手段と、前記光素子ド
ライブ用の半導体チップとが搭載された基板が、パッケ
ージ内に収容されて、前記基板の側縁がパッケージの側
壁内側に設けられた凹部に嵌入、係止され、前記結合手
段がパッケージ側壁に設けられた窓に挿通されて、該窓
の外側に前記結合手段の外部光導波路接続部が露出さ
れ、前記光素子と半導体チップの電極が前記パッケージ
の側壁を貫通してパッケージの内外に亙って設けられた
外部電子回路接続用のリードの内端に電気的に接続さ
れ、前記パッケージの開口部がキャップで封じられたこ
とを特徴とする光用半導体装置。
1. A substrate on which an optical element, a coupling means for coupling light between the optical element and an external optical waveguide so as to transmit light, and a semiconductor chip for driving the optical element are mounted in a package. The housing is accommodated, the side edge of the substrate is fitted and locked in a recess provided inside the side wall of the package, the coupling means is inserted into a window provided in the package side wall, and the coupling means is provided outside the window. Of the external optical waveguide connecting portion is exposed, and the electrodes of the optical element and the semiconductor chip are electrically connected to the inner end of the lead for external electronic circuit connection which is provided inside and outside the package by penetrating the side wall of the package. And an opening portion of the package is sealed with a cap.
【請求項2】 次の工程を含むことを特徴とする光用半
導体装置の製造方法。 a.光素子と、該光素子と外部光導波路との間を光を伝
達可能に結合する結合手段と、前記光素子ドライブ用の
半導体チップとを、基板に搭載する工程。 b.前記光素子と、結合手段と、半導体チップとを搭載
した基板を、パッケージ内に収容して、前記基板の側縁
をパッケージの側壁内側に設けられた凹部に嵌入、係止
させ、前記結合手段をパッケージ側壁に設けられた窓に
挿通して、該窓の外側に前記結合手段の外部光導波路接
続部を露出させる工程。 c.前記光素子と半導体チップの電極を前記パッケージ
の側壁を貫通してパッケージの内外に亙って設けられた
外部電子回路接続用のリードの内端に電気的に接続する
工程。 d.前記パッケージの開口部をキャップで封ずる工程。
2. A method for manufacturing an optical semiconductor device, which includes the following steps. a. A step of mounting an optical element, a coupling means for coupling light between the optical element and an external optical waveguide so that light can be transmitted, and a semiconductor chip for driving the optical element on a substrate. b. A substrate on which the optical element, the coupling means, and the semiconductor chip are mounted is housed in a package, and a side edge of the substrate is fitted and locked in a concave portion provided inside a side wall of the package. Through a window provided on the package side wall to expose the external optical waveguide connection portion of the coupling means to the outside of the window. c. A step of electrically connecting the electrodes of the optical element and the semiconductor chip to inner ends of leads for connecting external electronic circuits, which penetrate through sidewalls of the package and are provided inside and outside the package. d. The step of sealing the opening of the package with a cap.
【請求項3】 光素子と外部光導波路の内端との光軸が
同一直線上に配置されて、該光素子と、外部光導波路の
内端と、前記光素子ドライブ用の半導体チップとが搭載
された基板が、パッケージ内に収容されて、前記基板の
側縁がパッケージの側壁内側に設けられた凹部に嵌入、
係止され、前記外部光導波路が、パッケージ側壁に設け
られた窓を通して、パッケージ外部に延出され、前記光
素子と半導体チップの電極が前記パッケージの側壁を貫
通してパッケージの内外に亙って設けられた外部電子回
路接続用のリードの内端に電気的に接続され、前記パッ
ケージの開口部がキャップで封じられたことを特徴とす
る光用半導体装置。
3. The optical element and the inner end of the outer optical waveguide are arranged on the same straight line so that the optical element, the inner end of the outer optical waveguide and the semiconductor chip for driving the optical element are The mounted board is accommodated in a package, and the side edge of the board is fitted into a recess provided inside the side wall of the package,
The external optical waveguide is locked and extends to the outside of the package through a window provided in the side wall of the package, and the electrodes of the optical element and the semiconductor chip penetrate the side wall of the package to extend inside and outside the package. An optical semiconductor device, characterized in that it is electrically connected to an inner end of a lead for connecting an external electronic circuit provided and an opening of the package is sealed with a cap.
【請求項4】 次の工程を含むことを特徴とする光用半
導体装置の製造方法。 a.光素子と外部光導波路の内端との光軸を同一直線上
に配置させて、該光素子と、外部光導波路の内端と、前
記光素子ドライブ用の半導体チップとを基板に搭載する
工程。 b.前記光素子と、外部光導波路の内端と、半導体チッ
プとを搭載した基板を、パッケージ内に収容して、前記
基板の側縁を前記パッケージの側壁内側に設けられた凹
部に嵌入、係止させ、前記外部光導波路を、前記パッケ
ージ側壁に設けられた窓を通して、パッケージ外部に延
出させる工程。 c.前記光素子と半導体チップの電極を前記パッケージ
の側壁を貫通してパッケージの内外に亙って設けられた
外部電子回路接続用のリードの内端に電気的に接続する
工程。 d.前記パッケージの開口部をキャップで封ずる工程。
4. A method of manufacturing an optical semiconductor device, which comprises the following steps. a. A step of arranging the optical axes of the optical element and the inner end of the external optical waveguide on the same straight line, and mounting the optical element, the inner end of the external optical waveguide, and the semiconductor chip for driving the optical element on a substrate. . b. A substrate on which the optical element, an inner end of an external optical waveguide, and a semiconductor chip are mounted is housed in a package, and a side edge of the substrate is fitted and locked in a recess provided inside a side wall of the package. And a step of extending the external optical waveguide to the outside of the package through a window provided on the side wall of the package. c. A step of electrically connecting the electrodes of the optical element and the semiconductor chip to inner ends of leads for connecting external electronic circuits, which penetrate through sidewalls of the package and are provided inside and outside the package. d. The step of sealing the opening of the package with a cap.
【請求項5】 光素子が、シリコン製のPLCを介し
て、基板に搭載され、光素子の上方周囲にシリコン製の
キャップが被冠された請求項1又は3記載の光用半導体
装置。
5. The optical semiconductor device according to claim 1, wherein the optical element is mounted on a substrate via a PLC made of silicon, and a cap made of silicon is capped around the upper portion of the optical element.
【請求項6】 光素子を、シリコン製のPLCを介し
て、基板に搭載し、光素子の上方周囲にシリコン製のキ
ャップを被冠する工程を含んだ請求項2又は4記載の光
用半導体装置の製造方法。
6. The optical semiconductor according to claim 2, further comprising a step of mounting an optical element on a substrate via a PLC made of silicon and capping a cap made of silicon on an upper periphery of the optical element. Device manufacturing method.
【請求項7】 パッケージの開口部がキャップで封じら
れるのに代えて、光素子と、結合手段の一部又は外部光
導波路の内端と、半導体チップとが収容されたパッケー
ジ内空間が、絶縁材で封じられた請求項1又は3記載の
光用半導体装置。
7. The package inner space, in which the optical element, a part of the coupling means or the inner end of the external optical waveguide, and the semiconductor chip are accommodated, instead of the opening of the package being sealed with a cap, is insulated. The optical semiconductor device according to claim 1, which is sealed with a material.
【請求項8】 パッケージの開口部をキャップで封ずる
工程に代えて、光素子と、結合手段の一部又は外部光導
波路の内端と、半導体チップとを収容したパッケージ内
空間を、絶縁材で封ずる工程を含んだ請求項2又は4記
載の光用半導体装置の製造方法。
8. A package inner space accommodating an optical element, a part of a coupling means or an inner end of an external optical waveguide, and a semiconductor chip is replaced with an insulating material instead of the step of sealing the opening of the package with a cap. 5. The method for manufacturing an optical semiconductor device according to claim 2, further comprising a step of sealing with.
【請求項9】 窓と該窓に挿通された結合手段又は外部
光導波路との間の隙間が、コーキング材で封じられた請
求項1又は3記載の光用半導体装置。
9. The optical semiconductor device according to claim 1, wherein a gap between the window and the coupling means or the external optical waveguide inserted through the window is sealed with a caulking material.
【請求項10】 窓と該窓に挿通した結合手段又は外部
光導波路との間の隙間を、コーキング材で封ずる工程を
含んだ請求項2又は4記載の光用半導体装置の製造方
法。
10. The method for manufacturing an optical semiconductor device according to claim 2, further comprising the step of sealing a gap between the window and the coupling means inserted through the window or the external optical waveguide with a caulking material.
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