JPH09266234A - Tape carrier manufacturing method - Google Patents
Tape carrier manufacturing methodInfo
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- JPH09266234A JPH09266234A JP8292968A JP29296896A JPH09266234A JP H09266234 A JPH09266234 A JP H09266234A JP 8292968 A JP8292968 A JP 8292968A JP 29296896 A JP29296896 A JP 29296896A JP H09266234 A JPH09266234 A JP H09266234A
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- tape carrier
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】この発明は、半導体装置、特
にＴＡＢ（Tape Automated Bonding) 法により製造され
る半導体装置等に用いられるテープキャリヤーの製法に
関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a tape carrier used for a semiconductor device, particularly a semiconductor device manufactured by a TAB (Tape Automated Bonding) method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、電子機器の高密度実装による小形
・薄型化の動きが加速されて来ており、実装方式も、従
来のピンスルーホール実装から表面実装へと転換されつ
つある。そして、実装方式において今後主流となってい
くのが、上記ＴＡＢ法であり、これに用いられているテ
ープキャリヤーの需要も今後大幅に増大していくことが
考えられる。2. Description of the Related Art In recent years, there has been an accelerating trend toward miniaturization and thinning due to high-density mounting of electronic equipment, and the mounting method is being switched from the conventional pin through hole mounting to surface mounting. The TAB method will become the mainstream in the mounting method in the future, and it is considered that the demand for the tape carrier used in the TAB method will greatly increase in the future.
【０００３】上記テープキャリヤーを構造から分類する
と、一層，二層，三層タイプの３種類に分類できる。一
層タイプのものは、銅あるいはアルミニウムといった金
属単体からなるものである。また、二層タイプのもの
は、銅層とポリイミド樹脂層の二層からなるものであ
り、三層タイプのものは、銅層とポリイミド樹脂層とを
接着剤層を介して貼着したものである。現在、テープキ
ャリヤーの主流は、三層タイプのものである。しかし、
この三層タイプのものは、接着剤層にエポキシ系材料を
使用しているため、この接着剤層でテープキャリヤー自
体の耐熱性が決定されてしまい、ポリイミド樹脂本来の
耐熱性を発揮し得ないという難点がある。このような欠
点を克服するものが、銅層とポリイミド樹脂層とを直接
一体化した二層タイプのテープキャリヤーである。The above-mentioned tape carriers can be classified into three types, that is, a one-layer type, a two-layer type and a three-layer type. The one-layer type is made of a simple metal such as copper or aluminum. Further, the two-layer type is composed of two layers of a copper layer and a polyimide resin layer, and the three-layer type is a copper layer and a polyimide resin layer adhered via an adhesive layer. is there. At present, the mainstream of tape carriers is of the three-layer type. But,
Since this three-layer type uses an epoxy-based material for the adhesive layer, the heat resistance of the tape carrier itself is determined by this adhesive layer, and the original heat resistance of the polyimide resin cannot be exhibited. There is a drawback. What overcomes such drawbacks is a two-layer type tape carrier in which a copper layer and a polyimide resin layer are directly integrated.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】このような二層タイプ
のテープキャリヤーは、銅層等の金属層をエッチング等
により、パターニングする以外に、ポリイミド樹脂層に
もデバイス孔あるいはスプロケット孔を設ける必要があ
る。このデバイス孔ないしはスプロケット孔を形成する
方法として、現在主流となっている三層タイプの場合に
は、銅層とポリイミド樹脂層とをラミネートする前に、
ポリイミド樹脂層にパンチング等によりデバイス孔を作
ることが行われている。これに対して、二層タイプのテ
ープキャリヤーでは、パターン塗工等が用いられる。こ
の方法は、銅層上にポリイミドないしはポリイミド前駆
体溶液をパターン塗工した後、加熱硬化するものである
が、この方法では、樹脂流れ等により精度を出すことが
困難な上、開孔部におけるエッジ部分の切れを出すこと
が困難である。そのため、通常、よく使用される方法
が、銅層とポリイミド樹脂層とを一体化した後、ポリイ
ミド樹脂層をエッチングするという方法である。In such a two-layer type tape carrier, it is necessary to form a device hole or a sprocket hole in the polyimide resin layer in addition to patterning a metal layer such as a copper layer by etching or the like. is there. As a method of forming the device hole or the sprocket hole, in the case of a three-layer type which is currently mainstream, before laminating the copper layer and the polyimide resin layer,
A device hole is formed in the polyimide resin layer by punching or the like. On the other hand, in the two-layer type tape carrier, pattern coating or the like is used. This method is a method of pattern-coating a polyimide or a polyimide precursor solution on a copper layer, followed by heating and curing, but with this method, it is difficult to obtain accuracy due to resin flow, etc. It is difficult to cut the edges. Therefore, a commonly used method is a method of etching the polyimide resin layer after integrating the copper layer and the polyimide resin layer.
【０００５】通常、ポリイミド樹脂層のエッチングに
は、ウエットエッチング法が用いられる。ウエットエッ
チング法としては、溶媒を除去した段階のポリイミド前
駆体ないしは、半硬化状態のポリイミド前駆体に対し
て、市販ポリイミドエッチング溶液または、アルカリ溶
液を用いてエッチングする方法がある。ところが、この
方法では、エッチングスピードが遅く、またポリイミド
前駆体と銅等の金属層との線膨脹率の差によりテープキ
ャリヤー全体が大きくカールするため、作業性が著しく
低下するという難点がある。ウエットエッチングの他の
方法として上記ポリイミド前駆体を完全硬化させてポリ
イミド樹脂とした後、アルカリ，ヒドラジン等でエッチ
ングする方法がある。この場合には、ポリイミド前駆体
がポリイミド樹脂化しているため、全体のカールが生じ
ず、カールによる作業性低下の問題は、生じない。しか
し、上記ポリイミド樹脂は、極めて耐薬品性に優れてい
るため、ほとんどエッチングすることが不可能であり、
実用に供することはできない。このようにウエットエッ
チング法は、作業性，コストの点で非常に問題が多い。Generally, a wet etching method is used for etching the polyimide resin layer. As the wet etching method, there is a method of etching a polyimide precursor in a stage where the solvent is removed or a polyimide precursor in a semi-cured state using a commercially available polyimide etching solution or an alkaline solution. However, this method has a problem that the etching speed is slow and the tape carrier as a whole is greatly curled due to the difference in the coefficient of linear expansion between the polyimide precursor and the metal layer such as copper. As another method of wet etching, there is a method of completely curing the above polyimide precursor to form a polyimide resin, and then etching with a alkali, hydrazine or the like. In this case, since the polyimide precursor is made into a polyimide resin, curling does not occur as a whole, and the problem of workability deterioration due to curling does not occur. However, the above polyimide resin is extremely excellent in chemical resistance, so almost impossible to etch,
It cannot be put to practical use. As described above, the wet etching method has many problems in terms of workability and cost.
【０００６】他方、上記ウエットエッチング法に対し
て、ドライエッチング法としてスパッタリングを応用す
る方法ある。しかしながら、この方法は、装置が大掛か
りになり、コストアップを招く上、連続生産できないと
いった生産性，作業性の点で多くの問題を有している。On the other hand, there is a method in which sputtering is applied as a dry etching method to the above wet etching method. However, this method has many problems in terms of productivity and workability such that the apparatus becomes large-scaled, the cost is increased, and continuous production cannot be performed.
【０００７】このように、従来のポリイミド樹脂層のエ
ッチング方法は、いずれも問題を有しており、作業性，
生産性に優れた方法は、得られていないのが実情であ
る。したがって、特性の面でははるかに優れているにも
かかわらず、二層タイプのテープキャリヤーは、未だ汎
用されていず、耐熱性等の特性が劣るにもかかわらず、
ポリイミド樹脂層に対するエッチングの必要のない三層
タイプのテープキャリヤーが主流をなしている。As described above, all of the conventional methods for etching a polyimide resin layer have problems, and workability,
The reality is that a method with excellent productivity has not been obtained. Therefore, despite being far superior in terms of characteristics, the double-layer type tape carrier has not yet been widely used and has poor characteristics such as heat resistance,
The mainstream is a three-layer type tape carrier which does not require etching for the polyimide resin layer.
【０００８】この発明はこのような事情に鑑みなされた
ものであり、種々の付属処理を必要とせず、短時間にか
つ連続的・効果的にポリイミド樹脂層に対するエッチン
グを施すことにより、耐熱性，可撓性等の諸特性に優れ
たテープキャリヤーを製造し得る方法の提供をその目的
とする。The present invention has been made in view of the above circumstances, and it is possible to continuously and effectively perform etching on a polyimide resin layer in a short time without the need for various auxiliary treatments to obtain heat resistance, It is an object of the present invention to provide a method capable of producing a tape carrier excellent in various characteristics such as flexibility.
【０００９】[0009]
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、この発明のテープキャリヤーの製法は、金属導体層
とポリイミド樹脂層とが一体化されているテープキャリ
ヤー本体を準備し、そのテープキャリヤー本体のポリイ
ミド樹脂層に対してエッチングを施しテープキャリヤー
を製造する方法であって、上記エッチングを発振波長が
４００ｎｍ以下の紫外領域にあるレーザーを用いたレー
ザーエッチングにより行うという構成をとる。In order to achieve the above object, a method of manufacturing a tape carrier according to the present invention is to prepare a tape carrier main body in which a metal conductor layer and a polyimide resin layer are integrated and prepare the tape carrier. A method of manufacturing a tape carrier by etching a polyimide resin layer of a main body, wherein the etching is performed by laser etching using a laser having an oscillation wavelength of 400 nm or less in an ultraviolet region.
【００１０】すなわち、この発明は、レーザー加工に使
用されている通常のレーザーではなく、発振波長が４０
０ｎｍ以下の紫外領域にある特殊なレーザーを用い、ポ
リイミド樹脂層をエッチングすることにより、熱衝撃を
与えることなくポリイミド樹脂層を適正にエッチングす
ることができ、しかもレーザーが金属導体層に到達して
も金属導体層を破損することがなくなる。That is, according to the present invention, the lasing wavelength is 40, not the usual laser used for laser processing.
By etching the polyimide resin layer with a special laser in the ultraviolet region of 0 nm or less, the polyimide resin layer can be appropriately etched without giving a thermal shock, and the laser reaches the metal conductor layer. Also does not damage the metal conductor layer.
【００１１】[0011]
【発明の実施の形態】つぎに、この発明の実施の形態に
ついて説明する。Next, an embodiment of the present invention will be described.
【００１２】この発明は、金属導体層とポリイミド樹脂
層とが一体化されてなるテープキャリヤー本体のポリイ
ミド樹脂層に対して発振波長が４００ｎｍ以下の紫外領
域にあるレーザーを照射しエッチングするものである。According to the present invention, the polyimide resin layer of the tape carrier body in which the metal conductor layer and the polyimide resin layer are integrated is irradiated with a laser having an oscillation wavelength of 400 nm or less in the ultraviolet region and etched. .
【００１３】上記テープキャリヤー本体に使用する金属
導体層の構成材料としては、銅，アルミニウム，金，
銀，鉄ないしはこれらの合金またはこれらをメッキして
なるものがあげられる。上記テープキャリヤー本体は、
上記材料からなる金属導体層上へ、ポリイミド樹脂溶液
あるいはポリイミド前駆体溶液を流延塗布して形成した
り、またはポリイミド樹脂層上に銅を蒸着あるいは電着
して形成した二層タイプのものがあげられる。また、熱
可塑性ポリイミド樹脂を上記金属導体層に対してラミネ
ートしたものがあげられる。さらに、熱可塑性ポリイミ
ド樹脂を接着剤として使用し、金属導体層とポリイミド
樹脂層とを張り合わせたものも用いられる。なお、上記
ポリイミド樹脂層を構成するポリイミド樹脂ないしはポ
リイミド前駆体としては、従来公知のポリイミド樹脂な
いしはポリイミド前駆体が用いられる。The constituent material of the metal conductor layer used in the tape carrier body is copper, aluminum, gold,
Examples thereof include silver, iron, alloys thereof, or those obtained by plating these. The tape carrier body is
On the metal conductor layer made of the above material, a polyimide resin solution or a polyimide precursor solution is cast and formed, or a two-layer type is formed by depositing or electrodepositing copper on the polyimide resin layer. can give. Further, a laminate of a thermoplastic polyimide resin on the metal conductor layer may be used. Furthermore, a thermoplastic polyimide resin is used as an adhesive, and a metal conductor layer and a polyimide resin layer are laminated together. A conventionally known polyimide resin or polyimide precursor is used as the polyimide resin or polyimide precursor forming the polyimide resin layer.
【００１４】上記のような、テープキャリヤー本体のポ
リイミド樹脂層に対して照射するレーザーは、発振波長
４００ｎｍ以下の紫外領域のものである。この領域に発
振波長を持つレーザーとしては、ＫｒＦ，ＸｅＦ，Ｘｅ
Ｃｌ等の媒体を使用するエキシマレーザーがあげられ
る。ＹＡＧレーザー，ガラスレーザー，ルビーレーザー
といった固体レーザーは、その発振波長（あるいは基本
波）が赤外領域にあるが、これらの光をＫＤＰ（第二リ
ン酸カリウム）結晶のような、いわゆる非線型光学結晶
に照射することにより、基本波の波長より短い波長のレ
ーザー光（高次高調波）を取り出すことができ、これを
この発明に使用することができる。たとえば、基本波が
１．０６μｍであるＹＡＧレーザーの第４高調波は２６
６ｎｍである。The laser applied to the polyimide resin layer of the tape carrier body as described above is in the ultraviolet region having an oscillation wavelength of 400 nm or less. Lasers having an oscillation wavelength in this region include KrF, XeF, and Xe.
An excimer laser using a medium such as Cl can be used. Solid-state lasers such as YAG lasers, glass lasers, and ruby lasers have oscillation wavelengths (or fundamental waves) in the infrared region, but these lights can be converted into so-called nonlinear optics such as KDP (dipotassium phosphate) crystals. By irradiating the crystal, it is possible to take out a laser beam (higher harmonic) having a wavelength shorter than the wavelength of the fundamental wave, and this can be used in the present invention. For example, the fourth harmonic of a YAG laser whose fundamental wave is 1.06 μm is 26
It is 6 nm.
【００１５】このように可視赤外レーザーであっても、
波長が４００ｎｍ以下の高次高調波にすることにより使
用することができる。これらのレーザーの出力は、エッ
チング効率を考慮すると１０ｍＪ／ｃｍ2 ・pulse 以上
であることが好ましいが、それ以下であっても差し支え
はない。Thus, even with a visible infrared laser,
It can be used by setting a higher harmonic having a wavelength of 400 nm or less. The output of these lasers is preferably 10 mJ / cm 2 · pulse or more in consideration of etching efficiency, but may be less than 10 mJ / cm 2 · pulse.
【００１６】この発明は、上記のような特殊なレーザー
を用いることにより、テープキャリヤー本体のポリイミ
ド樹脂層に対して適正にエッチングを施すことができる
ようになる。これは、つぎのような理由によるものと考
えることができる。すなわち、一般に、レーザー加工に
使用されるレーザーとしては、炭酸ガスレーザー，ＹＡ
Ｇレーザー（基本波）がよく用いられる。これらのレー
ザーの波長はいずれも赤外領域であり、これをポリイミ
ド樹脂層に照射した場合、そこで生ずる反応は熱反応で
ある。そして、そこで発生する熱により、ポリイミド樹
脂層はダメージをうけ、エッチング部分の端面は非常に
粗く凹凸になってしまう。さらに、ポリイミド樹脂層が
エッチングされてその下側の銅等の金属層が露出し、こ
こにレーザーが当たると金属層がダメージを受けてしま
うという問題もある。According to the present invention, by using the special laser as described above, the polyimide resin layer of the tape carrier body can be properly etched. This can be considered to be due to the following reasons. That is, in general, lasers used for laser processing include carbon dioxide gas laser, YA
G laser (fundamental wave) is often used. The wavelengths of these lasers are all in the infrared region, and when the polyimide resin layer is irradiated with this laser, the reaction that occurs therein is a thermal reaction. Then, due to the heat generated there, the polyimide resin layer is damaged, and the end face of the etched portion becomes very rough and uneven. Further, the polyimide resin layer is etched to expose a metal layer such as copper under the polyimide resin layer, and when the laser hits the metal layer, the metal layer is damaged.
【００１７】一方、この発明にて使用される波長４００
ｎｍ以下のレーザーを照射した場合、そこで生ずる反応
は光化学反応である。すなわち、この波長領域では、エ
ネルギーレベルが分子の結合エネルギーと同等あるいは
高くなってくるため、レーザーのように強力な光が照射
されると、分子は一瞬にして原子状態にまで分解され
る。このため、エッチング部分の端面は熱的なダメージ
もなく、平滑なものになる。さらに、ポリイミド樹脂層
は４００ｎｍ以下の光を強く吸収するため、光の吸収効
率が非常に大きく、上記反応効率が大幅に増大するた
め、エッチングスピードのアップにも効果がある。ま
た、ポリイミド樹脂層がエッチングされて金属層が露出
し、その上にレーザーを照射した場合でも金属層の吸収
が小さいため、金属層がダメージを受けることはほとん
どない。したがって、エッチングに際してレーザーの制
御操作が容易になる。On the other hand, the wavelength 400 used in the present invention
When irradiated with a laser having a wavelength of nm or less, the reaction that occurs therein is a photochemical reaction. That is, in this wavelength region, the energy level becomes equal to or higher than the binding energy of the molecule, and therefore when irradiated with intense light such as a laser, the molecule is instantly decomposed into an atomic state. Therefore, the end face of the etched portion is smooth without thermal damage. Further, the polyimide resin layer strongly absorbs light having a wavelength of 400 nm or less, so that the light absorption efficiency is very large and the reaction efficiency is greatly increased, which is also effective in increasing the etching speed. Further, even if the metal layer is exposed by etching the polyimide resin layer and the laser is irradiated on it, the metal layer is hardly absorbed, so that the metal layer is hardly damaged. Therefore, the control operation of the laser during etching becomes easy.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上のように、この発明は、金属導体層
とポリイミド樹脂層とが一体化されているテープキャリ
ヤーのポリイミド樹脂層に対して発振波長が４００ｎｍ
以下の紫外領域にある特殊なレーザーを照射し、エッチ
ングを行うため、これまでの方法ではなしえないエッチ
ング効果が得られるようになる。また、そのエッチング
に際して作業性，生産性の大幅な向上が実現でき、それ
によって耐熱性，可撓性等の諸特性に優れたテープキャ
リヤーを容易に製造することができるようになる。As described above, according to the present invention, the oscillation wavelength is 400 nm with respect to the polyimide resin layer of the tape carrier in which the metal conductor layer and the polyimide resin layer are integrated.
Since the etching is performed by irradiating the following special laser in the ultraviolet region, the etching effect which cannot be achieved by the conventional methods can be obtained. Further, during the etching, workability and productivity can be greatly improved, and thereby a tape carrier having excellent characteristics such as heat resistance and flexibility can be easily manufactured.
【００１９】つぎに、実施例にもとづき説明する。Next, a description will be given based on examples.
【００２０】[0020]
【実施例１】図１〜図４は、この発明のテープキャリヤ
ーの製造状態説明図である。すなわち、図１は、厚み３
５μｍの銅箔２上に厚み５０μｍのポリイミド樹脂層１
を直接形成した二層タイプのテープキャリヤー本体５を
示している。この実施例では、上記テープキャリヤー本
体５のポリイミド樹脂層１の上に、図２に示すように、
マスク材３を載置し、その状態で繰り返し周波数１００
Ｈｚ，パワー密度７０ｍＪ／ｃｍ2 のＡｒＦエキシマレ
ーザーを１０秒間照射した。その結果、マスク材３に被
覆されていないポリイミド樹脂の部分は、完全に除去さ
れたが、その下側の銅箔２には、なんのダメージもみら
れなかった。この状態を図３に示す。また、エッジ部分
をＳＥＭを用いて観察したところ、凹凸もなく平滑なエ
ッチングであることが認められた。つぎに、図４に示す
ようにマスク材３を除去し、フォトリソグラフィーによ
り銅層に対してパターニングを行うことにより、目的と
するテープキャリヤーを得た。[Embodiment 1] FIGS. 1 to 4 are views for explaining a manufacturing state of a tape carrier of the present invention. That is, FIG.
50 μm thick polyimide resin layer 1 on 5 μm copper foil 2
It shows a two-layer type tape carrier body 5 in which the tape is directly formed. In this embodiment, on the polyimide resin layer 1 of the tape carrier body 5, as shown in FIG.
The mask material 3 is placed, and in that state, the repetition frequency 100
IrF excimer laser having a frequency of Hz and a power density of 70 mJ / cm 2 was irradiated for 10 seconds. As a result, the portion of the polyimide resin not covered with the mask material 3 was completely removed, but the copper foil 2 below it was not damaged at all. This state is shown in FIG. Further, when the edge portion was observed by using SEM, it was confirmed that the etching was smooth without unevenness. Next, as shown in FIG. 4, the mask material 3 was removed, and the copper layer was patterned by photolithography to obtain a target tape carrier.
【００２１】[0021]
【実施例２】レーザー照射を、波長１．０６μｍ、くり
返し周波数１０ＨｚのＹＡＧレーザー基本波をＫＤＰ結
晶に照射して波長５３２ｎｍの第２高調波を取り出し、
さらにこれをＫＤＰ結晶に照射することによりパワー密
度３０ｍＪ／ｃｍ2 である波長２６６ｎｍの第４高調波
を取り出しこれを用いることにより行った。それ以外
は、上記実施例１と同様にして同様なテープキャリヤー
を得た。[Example 2] Laser irradiation was performed to irradiate a KDP crystal with a YAG laser fundamental wave having a wavelength of 1.06 μm and a repetition frequency of 10 Hz to extract a second harmonic wave having a wavelength of 532 nm.
Further, by irradiating this with a KDP crystal, a fourth harmonic having a power density of 30 mJ / cm 2 and a wavelength of 266 nm was extracted and used. A similar tape carrier was obtained in the same manner as in Example 1 except above.
【００２２】[0022]
【比較例１】実施例１で用いたと同様のテープキャリヤ
ー本体を用い、これのポリイミド樹脂層の上にウエット
エッチング用のマスク材を装着し、その状態でヒドラジ
ン水溶液を用いてポリイミド樹脂のエッチングを試み
た。しかし、ポリイミド樹脂層はなんの変化も生じず、
エッチングすることは、不可能であった。Comparative Example 1 The same tape carrier body as used in Example 1 was used, a mask material for wet etching was mounted on the polyimide resin layer, and in that state, the polyimide resin was etched using a hydrazine aqueous solution. I tried. However, the polyimide resin layer does not change at all,
It was impossible to etch.
【００２３】[0023]
【比較例２】レーザーとして、１５０ｍＪ／ｃｍ2 ，繰
り返し周波数２０ＨｚのＹＡＧレーザー基本波（１．０
６μｍ）を照射したところ、このレーザーは、赤外領域
にあるため、ポリイミド樹脂のエッジ部分およびその下
側の銅箔がダメージを受け、所望のエッチング状態を得
ることができなかった。[Comparative Example 2] As a laser, a YAG laser fundamental wave (1.0 m / cm 2 and repetition frequency 20 Hz) (1.0
6 μm), the laser was in the infrared region, so that the edge portion of the polyimide resin and the copper foil below it were damaged, and the desired etching state could not be obtained.
【図１】この発明の一実施例の製造状態を示す説明断面
図である。FIG. 1 is an explanatory sectional view showing a manufacturing state of an embodiment of the present invention.
【図２】この発明の一実施例の製造状態を示す説明断面
図である。FIG. 2 is an explanatory sectional view showing a manufacturing state of one embodiment of the present invention.
【図３】この発明の一実施例の製造状態を示す説明断面
図である。FIG. 3 is an explanatory sectional view showing a manufacturing state of one embodiment of the present invention.
【図４】この発明の一実施例の製造状態を示す説明断面
図である。FIG. 4 is an explanatory sectional view showing a manufacturing state of an embodiment of the present invention.
１ ポリイミド樹脂層 ５ テープキャリヤー本体 1 Polyimide resin layer 5 Tape carrier body
Claims (1)
化されているテープキャリヤー本体を準備し、そのテー
プキャリヤー本体のポリイミド樹脂層に対してエッチン
グを施しテープキャリヤーを製造する方法であって、上
記エッチングを発振波長が４００ｎｍ以下の紫外領域に
あるレーザーを用いたレーザーエッチングにより行うこ
とを特徴とするテープキャリヤーの製法。1. A method for producing a tape carrier by preparing a tape carrier body in which a metal conductor layer and a polyimide resin layer are integrated, and etching the polyimide resin layer of the tape carrier body. A method for producing a tape carrier, characterized in that the above etching is performed by laser etching using a laser having an oscillation wavelength of 400 nm or less in an ultraviolet region.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8292968A JPH09266234A (en) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | Tape carrier manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8292968A JPH09266234A (en) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | Tape carrier manufacturing method |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63219263A Division JPH07109836B2 (en) | 1988-08-31 | 1988-08-31 | How to make a tape carrier |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266234A true JPH09266234A (en) | 1997-10-07 |
Family
ID=17788764
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8292968A Pending JPH09266234A (en) | 1996-11-05 | 1996-11-05 | Tape carrier manufacturing method |
Country Status (1)
| Country | Link |
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