JPH09266146A - Apparatus and method for fabricating semiconductor - Google Patents

Apparatus and method for fabricating semiconductor

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Publication number
JPH09266146A
JPH09266146A JP8099326A JP9932696A JPH09266146A JP H09266146 A JPH09266146 A JP H09266146A JP 8099326 A JP8099326 A JP 8099326A JP 9932696 A JP9932696 A JP 9932696A JP H09266146 A JPH09266146 A JP H09266146A
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JP
Japan
Prior art keywords
wafer
lot
exposure
exposure operation
standby position
Prior art date
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Pending
Application number
JP8099326A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshihisa Fujima
俊央 藤間
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Nikon Corp filed Critical Nikon Corp
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Publication of JPH09266146A publication Critical patent/JPH09266146A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/70733Handling masks and workpieces, e.g. exchange of workpiece or mask, transport of workpiece or mask
    • G03F7/7075Handling workpieces outside exposure position, e.g. SMIF box

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To perform a stand-by processing for a next lot wafer easily with a simplified construction irrespective of an exposure operation parameter of the next lot, by forcing a wafer of the next lot to stand ready at an arbitrary standby position instructed by a user when an exposure processing is applied to a wafer of a present lot. SOLUTION: A wafer 3 after it is exposed to light on a wafer stage 2 is carried out by an arm 13 of a longitudinal slider 8, is then delivered to an arm 10 of a lateral slider 7, and is accommodated in a carrier 6. Herein, an inline delivery unit 14 is provided on one end of the lateral slider 7. The wafer 3 before the exposure and the wafer 3 after the exposure are delivered by the inline delivery unit 14 between the unit 14 and an inline apparatus 15 in which a coater and a developer are accommodated. Hereby, even if the wafer lot is exchanged manually, the exposure processing to the wafer 3 of the next lot is achieved after the exposure processing to the wafer 3 of the present lot is completed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は半導体製造装置及び
半導体製造方法に関し、特に連続ロツト処理を行う際に
適用して好適なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method, and is particularly suitable for application in a continuous lot process.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体製造装置においては、キヤ
リア内に保管されているウエハを所定の搬送手段によつ
て取り出してウエハステージ上に搬送し、光源からの光
束をレチクルを介して照射することにより所望のパター
ンをそのウエハ上に露光するようになされている。その
際、半導体製造装置においては、所定数のウエハをロツ
トとして定義し、そのロツト単位で搬送から露光までの
一連の処理を行うようになされている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing apparatus, a wafer stored in a carrier is taken out by a predetermined transfer means and transferred onto a wafer stage, and a light beam from a light source is irradiated through a reticle. Is used to expose a desired pattern on the wafer. At that time, in a semiconductor manufacturing apparatus, a predetermined number of wafers are defined as a lot, and a series of processes from transfer to exposure is performed in each lot.

【0003】ところでこのようにロツト単位で処理を行
う場合、全体としての処理時間を短縮する上ではロツト
間の処理時間、いわゆるロツト間隙時間を短くすること
が望ましい。そのためそのロツト間隙時間を短くする方
法として、従来、種々の方法が提案されている。その方
法として例えば特開平5-55103 号に開示されているよう
な方法がある。この方法では、現ロツトについての露光
処理を行つている最中に次ロツトについての露光動作パ
ラメータ(各種露光条件や露光時のウエハの向き等)を
設定し、その露光動作パラメータに応じて次ロツトの待
機位置を決定し、次ロツトのウエハをその決定した待機
位置まで搬送して待機させる。これによりこの方法で
は、ロツト間の間隙時間を短くし、全体としての処理時
間を短くすることができるようになつている。
By the way, when processing is performed in units of lots, it is desirable to shorten the processing time between the lots, that is, the so-called lot clearance time, in order to shorten the overall processing time. Therefore, various methods have been conventionally proposed as methods for shortening the slot clearance time. As such a method, for example, there is a method disclosed in JP-A-5-55103. In this method, exposure operation parameters (various exposure conditions, wafer orientation during exposure, etc.) for the next lot are set while the exposure process for the current lot is being performed, and the next lot is set according to the exposure operation parameter. The standby position is determined, and the wafer on the next lot is transferred to the determined standby position and made to stand by. As a result, in this method, the gap time between the lots can be shortened and the processing time as a whole can be shortened.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで上述のような
方法では、次ロツトの露光動作パラメータを設定しさえ
すれば次ロツトのウエハを待機させてロツト間隙時間を
短くし得るといつた利点があるが、その反面、次ロツト
の露光動作パラメータが準備できなければ次ロツトのウ
エハを待機処理することができないといつた不都合があ
る。また上述のような方法では、次ロツトの露光動作パ
ラメータに応じて自動的に待機位置を決定し得るといつ
た利点もあるが、その分、装置のソフトウエア及び構成
が複雑になり、小規模のシステムを希望するユーザにと
つては必ずしも要求を満足し得ないところがある。
By the way, in the above-mentioned method, there is always an advantage in that if the exposure operation parameter of the next lot is set, the wafer of the next lot can be put on standby and the lot gap time can be shortened. However, on the other hand, if the exposure operation parameters of the next lot cannot be prepared, it is inconvenient if the wafer of the next lot cannot be standby-processed. Further, in the method as described above, there is an advantage that the standby position can be automatically determined according to the exposure operation parameter of the next lot, but the software and the configuration of the apparatus are complicated by that amount, and the small scale is required. There are some places where users who want to use this system cannot always meet the requirements.

【0005】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、次ロツトの露光動作パラメータに係わらず、簡易な
構成で容易に次ロツトウエハの待機処理を行い、連続ロ
ツト処理時のロツト間隙時間を短くして全体の処理時間
を短くし得る半導体製造装置及び半導体製造方法を提案
しようとするものである。
The present invention has been made in consideration of the above points, and the stand-by process of the next lot wafer can be easily performed with a simple structure regardless of the exposure operation parameter of the next lot, and the lot gap time during the continuous lot process. It is intended to propose a semiconductor manufacturing apparatus and a semiconductor manufacturing method which can shorten the overall processing time by shortening the processing time.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、現ロツトのウエハに対して露光処
理を行つているときに次ロツトのウエハをユーザが指定
した任意の待機位置に待機させるようにした。このよう
にすることにより、従来のように次ロツトの露光動作パ
ラメータが無くても次ロツトウエハの待機処理を行うこ
とができる。
In order to solve such a problem, according to the present invention, while the wafer of the current lot is being exposed, the wafer of the next lot is waited at an arbitrary waiting position designated by the user. I was allowed to. By doing so, the standby process for the next lot wafer can be performed without the exposure operation parameter for the next lot as in the conventional case.

【0007】また本発明においては、次ロツトについて
の露光動作パラメータが現ロツトと同じ場合には、待機
位置として露光動作の直前位置を指定し、次ロツトのウ
エハを該待機位置に待機させるようにした。露光動作パ
ラメータが現ロツトと同じ場合には、露光動作の直前位
置に次ロツトのウエハを待機させることができるため、
このようにすることにより次ロツトの待機位置を最適に
してロツト間隙時間を最適に短くすることができる。
Further, in the present invention, when the exposure operation parameter for the next lot is the same as the current lot, the position immediately before the exposure operation is designated as the standby position, and the wafer of the next lot is made to stand by at the standby position. did. If the exposure operation parameter is the same as the current lot, the wafer of the next lot can be made to stand by at the position immediately before the exposure operation.
By doing so, the standby position of the next lot can be optimized and the lot clearance time can be shortened optimally.

【0008】また本発明においては、次ロツトについて
の露光動作パラメータが現ロツトと変わる場合には、待
機位置として露光動作パラメータの影響を受けない位置
を指定し、次ロツトのウエハを該待機位置に待機させる
ようにした。露光動作パラメータが現ロツトと変わる場
合には、露光動作パラメータの影響を受けない位置であ
れば待機させることができるため、このようにすること
により待機位置を最適にしてロツト間隙時間を最適に短
くすることができる。
Further, in the present invention, when the exposure operation parameter for the next lot is different from the current lot, a position not affected by the exposure operation parameter is designated as the standby position, and the wafer of the next lot is set as the standby position. I made it wait. When the exposure operation parameter is different from the current lot, it is possible to stand by at a position that is not affected by the exposure operation parameter. By doing this, the standby position is optimized and the lot gap time is shortened optimally. can do.

【0009】また本発明においては、次ロツトのウエハ
を装置内部に搬入するか否かを現ロツトについての露光
動作パラメータで指定し得るようにすると共に、搬入す
る場合の次ロツトのウエハの待機位置を任意に指定し得
るようにし、現ロツトのウエハに対して露光処理を行つ
ているときに現ロツトの露光動作パラメータに従つて次
ロツトのウエハをその待機位置に搬入するようにした。
このようにすることにより、従来のように次ロツトの露
光動作パラメータが無くても次ロツトウエハの待機処理
を行うことができる。
Further, according to the present invention, whether or not the wafer of the next lot is carried into the apparatus can be designated by the exposure operation parameter for the current lot, and the standby position of the wafer of the next lot when carrying in the wafer. Can be arbitrarily designated, and the wafer of the next lot is carried into the standby position according to the exposure operation parameter of the current lot while the wafer of the current lot is being exposed.
By doing so, the standby process for the next lot wafer can be performed without the exposure operation parameter for the next lot as in the conventional case.

【0010】[0010]

【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0011】図1において、1は全体として本発明を適
用した半導体製造装置を示し、ウエハステージ2上に露
光対称のウエハ3を搬送し、そのウエハステージ2上に
おいて所定の光束をレチクルを介してウエハ3に照射す
ることによりウエハ3上に所望のパターンを露光するよ
うになされている。
In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a semiconductor manufacturing apparatus to which the present invention is applied as a whole, which conveys an exposure-symmetrical wafer 3 onto a wafer stage 2 on which a predetermined light beam is passed through a reticle. By irradiating the wafer 3, a desired pattern is exposed on the wafer 3.

【0012】この半導体製造装置1においては、ウエハ
3はウエハローダ系4によつてキヤリア5からウエハス
テージ2上に搬送される。その際、ウエハ3の外周部に
設けられた切欠き部(所謂オリエンテーシヨンフラツト
部)がウエハステージ2に対して所定の位置関係になる
ように搬送される。また露光が終了したウエハ3は同じ
くウエハローダ系4によつてウエハステージ2から搬出
され、キヤリア6に搬送される。
In the semiconductor manufacturing apparatus 1, the wafer 3 is transferred from the carrier 5 onto the wafer stage 2 by the wafer loader system 4. At that time, the notch (so-called orientation flat) provided on the outer peripheral portion of the wafer 3 is conveyed so as to have a predetermined positional relationship with the wafer stage 2. The exposed wafer 3 is also unloaded from the wafer stage 2 by the wafer loader system 4 and is transported to the carrier 6.

【0013】このようにしてウエハ3を搬送するウエハ
ローダ系4は、大きく分けて図中X軸方向に沿つてウエ
ハ3を搬送する横スライダ7と図中Y軸方向に沿つてウ
エハ3を搬送する縦スライダ8の2つの搬送系によつて
構成されている。まず横スライダ7には図中X軸方向に
自由に摺動し得る2つのアーム9、10が設けられてい
る。このアーム9及び10は、それぞれX軸方向に移動
するX軸移動部9A、10Aと、そのX軸移動部9A、
10Aに設けられたY軸方向に進退自在のアーム部9
B、10Bとによつて構成されている。2つのアーム9
及び10のうちアーム9はキヤリア5からウエハ3を取
り出し、そのウエハ3をウエハ仮置き台11まで搬送す
るための所謂ロードアームであり、アーム10は縦スラ
イダ8から受け取つた露光済のウエハ3をキヤリア6に
格納する所謂アンロードアームである。
The wafer loader system 4 for transporting the wafer 3 in this manner is roughly divided into a horizontal slider 7 for transporting the wafer 3 along the X-axis direction in the figure and a wafer 3 for transporting along the Y-axis direction in the figure. The vertical slider 8 is composed of two transport systems. First, the lateral slider 7 is provided with two arms 9 and 10 that can freely slide in the X-axis direction in the figure. The arms 9 and 10 respectively include X-axis moving portions 9A and 10A that move in the X-axis direction and the X-axis moving portions 9A and 10A.
Arm part 9 provided on 10A and movable back and forth in the Y-axis direction
B and 10B. Two arms 9
Among them, the arm 9 is a so-called load arm for taking out the wafer 3 from the carrier 5 and carrying the wafer 3 to the temporary wafer placing base 11. The arm 10 receives the exposed wafer 3 received from the vertical slider 8. This is a so-called unload arm that is stored in the carrier 6.

【0014】一方、縦スライダ8には図中Y軸方向に自
由に摺動し得る2つのアーム12、13が設けられてい
る。このアーム12及び13は、それぞれY軸方向に移
動するY軸移動部12A、13Aと、そのY軸移動部1
2A、13Aに設けられたアーム部12B、13Bとに
よつて構成されている。2つのアーム12及び13のう
ちアーム12はウエハ3をウエハ仮置き台11からウエ
ハステージ2まで搬送するための所謂ロードアームであ
り、アーム13は露光済のウエハ3をウエハステージ2
から搬出し、横スライダ7のアーム10に受け渡すため
の所謂アンロードアームである。
On the other hand, the vertical slider 8 is provided with two arms 12 and 13 which can freely slide in the Y-axis direction in the figure. The arms 12 and 13 include Y-axis moving portions 12A and 13A that move in the Y-axis direction, and the Y-axis moving portion 1 thereof.
It is configured by the arm portions 12B and 13B provided on 2A and 13A. Of the two arms 12 and 13, the arm 12 is a so-called load arm for transferring the wafer 3 from the temporary wafer holder 11 to the wafer stage 2, and the arm 13 transfers the exposed wafer 3 to the wafer stage 2.
It is a so-called unloading arm for carrying out from the and delivering to the arm 10 of the lateral slider 7.

【0015】因みに、横スライダ7に設けられたアーム
9及び10のアーム部9B及び10Bや縦スライダ8に
設けられたアーム12及び13のアーム部12B及び1
3Bには真空吸着機構(図示せず)が設けられており、
ウエハ搬送時、この真空吸着機構によつてウエハ3を真
空吸着することによりウエハ3を確実に保持して搬送す
るようになされている。
Incidentally, the arm portions 9B and 10B of the arms 9 and 10 provided on the horizontal slider 7 and the arm portions 12B and 1 of the arms 12 and 13 provided on the vertical slider 8.
3B is provided with a vacuum suction mechanism (not shown),
At the time of transferring the wafer, the wafer 3 is securely held by the vacuum suction mechanism by the vacuum suction mechanism so as to be transported.

【0016】上述したようにキヤリア5から取り出され
た露光前のウエハ3は横スライダ7のアーム9によつて
ウエハ仮置き台11に載置されるが、ウエハ仮置き台1
1上においては次のような処理が行われる。すなわち第
1には、ウエハ3を回転させることによつてウエハ外周
部に設けられた切欠き部が所定方向を向くように方向合
わせが行われると共に、ウエハステージ2上で行う正確
な位置決めに備えておおよその位置決めが行われる(す
なわちプリアライメント処理が行われる)。また第2に
は、ウエハステージ2上で行う本露光に備えてウエハ3
の周縁部分を露光するいわゆる周辺露光処理が行われ
る。
The wafer 3 before exposure, which is taken out from the carrier 5 as described above, is placed on the temporary wafer placing table 11 by the arm 9 of the lateral slider 7.
The above-mentioned processing is performed on the first example. That is, first, by rotating the wafer 3, alignment is performed so that the cutout portion provided on the outer peripheral portion of the wafer faces a predetermined direction, and at the same time, preparation is made for accurate positioning performed on the wafer stage 2. Approximate positioning is performed (that is, pre-alignment processing is performed). Secondly, the wafer 3 is prepared for the main exposure performed on the wafer stage 2.
A so-called peripheral exposure process is performed to expose the peripheral portion of the.

【0017】具体的に言えば、ウエハ仮置き台11には
ウエハ3を回転させることができるターンテーブル(図
示せず)とウエハ3のプリアライメントを行うことがで
きる位置決め機構(図示せず)が設けられており、これ
らのターンテーブルや位置決め機構を動作させることに
より上述のようなウエハ方向合わせとプリアライメント
を行えるようになされている。またウエハ仮置き台11
の上方には、ウエハ3に塗布されたフオトレジストと感
光する所定の光束が導かれており、この光束を使用して
上述ような周辺露光処理が行えるようになされている。
Specifically, the temporary wafer holder 11 has a turntable (not shown) capable of rotating the wafer 3 and a positioning mechanism (not shown) capable of pre-aligning the wafer 3. The above-mentioned wafer alignment and pre-alignment can be performed by operating these turntables and positioning mechanisms. In addition, the wafer temporary placing table 11
A predetermined light beam that is exposed to the photoresist applied to the wafer 3 is introduced above the substrate, and the peripheral exposure process as described above can be performed using this light beam.

【0018】このようにしてウエハ仮置き台11におい
て本露光の前処理が行われたウエハ3は、縦スライダ8
のアーム12によつてウエハステージ2上に搬送され、
ここでウエハ3に塗布されたフオトレジストと感光する
所定の光束をレチクルを介して照射することにより所望
のパターンが露光される。露光が終了したウエハ3は縦
スライダ8のアーム13によつて搬出された後、横スラ
イダ7のアーム10に受け渡され、キヤリア6に格納さ
れる。
The wafer 3 which has been pre-processed for the main exposure on the temporary wafer placing table 11 in this way has the vertical slider 8
Is transferred onto the wafer stage 2 by the arm 12 of
Here, a desired pattern is exposed by irradiating a predetermined light flux that is exposed to the photoresist applied to the wafer 3 through the reticle. The exposed wafer 3 is unloaded by the arm 13 of the vertical slider 8 and then transferred to the arm 10 of the horizontal slider 7 and stored in the carrier 6.

【0019】ところで図1に示されるように、横スライ
ダ7の一端にはインライン受渡しユニツト14が設けら
れており、このインライン受渡しユニツト14により、
コータ装置(ウエハに対してフオトレジストの塗布を行
う装置)やデイベロツパー装置(露光したウエハを現像
する装置)を収納したインライン装置15との間で露光
前のウエハ3や露光後のウエハ3を受渡しできるように
なされている。これによりこの半導体製造装置1におい
ては、人手によつてウエハロツトの入れ換えを行わなく
とも、現ロツトのウエハ3の露光処理が終了した後、次
ロツトのウエハ3の露光処理を行うことができるように
なつている。
By the way, as shown in FIG. 1, an in-line delivery unit 14 is provided at one end of the horizontal slider 7, and this in-line delivery unit 14 allows
Handing the pre-exposure wafer 3 and the post-exposure wafer 3 to and from the in-line device 15 that accommodates a coater device (apparatus for applying photoresist to the wafer) and a developer device (apparatus for developing the exposed wafer). It is made possible. As a result, in this semiconductor manufacturing apparatus 1, the exposure process of the wafer 3 of the next lot can be performed after the exposure process of the wafer 3 of the current lot is completed without manually exchanging the wafer lot. I'm running.

【0020】また図1に示されるように、この半導体製
造装置1においては、各部の動作を制御する制御部16
が設けられている。この制御部16はキーボード17か
らユーザによつて入力された露光動作パラメータ(各種
露光条件やウエハの向き等)に基づいて各部の動作を制
御し、露光動作パラメータに適合した露光処理を行う。
なお、制御部16には表示手段としてCRT(Cathode-
Ray Tube)18が接続されており、キーボード17から
入力された露光動作パラメータや半導体製造装置1の各
種動作状態を表示し得るようになされている。
Further, as shown in FIG. 1, in the semiconductor manufacturing apparatus 1, a control unit 16 for controlling the operation of each unit.
Is provided. The control unit 16 controls the operation of each unit based on the exposure operation parameters (various exposure conditions, wafer orientation, etc.) input from the keyboard 17 by the user, and performs the exposure process suitable for the exposure operation parameters.
The control unit 16 has a CRT (Cathode-
A ray tube) 18 is connected to the display device so that the exposure operation parameters input from the keyboard 17 and various operation states of the semiconductor manufacturing apparatus 1 can be displayed.

【0021】ところで「従来の技術」の項で説明したよ
うに、露光処理をロツト単位で連続的に行う場合、全体
としての処理時間を短くする上ではロツト間隙時間を短
くすることが望ましい。このためこの半導体製造装置1
においては、現ロツトの露光動作パラメータをキーボー
ド17から入力する際、次ロツトウエハ3を装置内部に
搬入するか否かを設定し得るようになされている。また
その際、次ロツトウエハ3を装置内部に搬入すると設定
した場合には、その待機位置として横スライダ7又は縦
スライダ8を指定し得るようになされている。
By the way, as described in the section "Prior Art", when the exposure process is continuously performed in units of lots, it is desirable to shorten the lot gap time in order to shorten the processing time as a whole. Therefore, this semiconductor manufacturing apparatus 1
In the above, when inputting the exposure operation parameter of the current lot from the keyboard 17, it is possible to set whether or not the next lot wafer 3 is carried into the apparatus. At that time, if it is set that the next lot wafer 3 is loaded into the apparatus, the horizontal slider 7 or the vertical slider 8 can be designated as the standby position.

【0022】このようにして次ロツトウエハ3の搬入が
指定されると、制御部16はその指示に応じ、現ロツト
のウエハ3に対して露光処理を行つているとき、次ロツ
トウエハ3を装置内部に搬入し、指定された待機位置に
その次ロツトウエハ3を待機させる。これによりこの半
導体製造装置1では、現ロツトの露光処理に引き続いて
次ロツトの露光処理を行うことができ、ロツト間隙時間
を短くして全体としての処理時間を短くすることができ
る。
When the carry-in of the next lot wafer 3 is designated in this way, the control unit 16 responds to the instruction, and when the wafer 3 of the current lot is being exposed, the next lot wafer 3 is placed inside the apparatus. The loaded wafer 3 is loaded and the next wafer 3 is waited at the designated waiting position. As a result, in the semiconductor manufacturing apparatus 1, the exposure process of the next lot can be performed subsequent to the exposure process of the current lot, and the lot gap time can be shortened to shorten the processing time as a whole.

【0023】因みに、このようなことによつてロツト間
隙時間を短くし得る理由としては、一般に半導体製造工
程のメモリライン等ではロツト毎にウエハ3の向きや露
光条件等が異なることが少なく、現ロツトの露光動作パ
ラメータを次ロツトにも適用できることが比較的多いと
いつた背景があるからである。このため半導体製造装置
1においては、現ロツトの露光動作パラメータにおいて
次ロツトウエハ3の装置内部への搬入を設定し得るよう
にし、ロツト間隙時間を短くできるようにしている。
By the way, the reason why the lot clearance time can be shortened by such a thing is that the orientation of the wafer 3 and the exposure conditions are not so different from one lot to another in a memory line in a semiconductor manufacturing process. This is because there is a background that the exposure operation parameter of the lot can be applied to the next lot relatively often. Therefore, in the semiconductor manufacturing apparatus 1, the loading operation of the next lot wafer 3 into the apparatus can be set by the exposure operation parameter of the current lot, and the lot gap time can be shortened.

【0024】現ロツトの露光動作パラメータを次ロツト
にも適用できる場合が多いと説明したものの、稀にはロ
ツト間で露光動作パラメータが変わる場合もある。その
ため半導体製造装置1においては、次ロツトウエハ3を
装置内部に搬入すると設定した場合に、搬入したウエハ
3の待機位置として横スライダ7又は縦スライダ8を任
意に設定し得るようになされている。
Although it has been explained that the exposure operation parameter of the current lot can be applied to the next lot in many cases, in rare cases, the exposure operation parameter may change between the lots. Therefore, in the semiconductor manufacturing apparatus 1, when the next lot wafer 3 is set to be loaded into the apparatus, the horizontal slider 7 or the vertical slider 8 can be arbitrarily set as the standby position of the loaded wafer 3.

【0025】この場合、ロツト間で露光動作パラメータ
が同じであれば、ウエハ仮置き台11において行う本露
光の前処理も同じであるため縦スライダ8を設定すれば
良い。これにより現ロツトのウエハ3と次ロツトのウエ
ハ3との間を最も近づけてロツト間隙時間を最も短くす
ることができる。またロツト間で露光動作パラメータが
変わる場合には、ウエハ仮置き台11において行う本露
光の前処理も変わるため、露光動作パラメータが影響し
ない横スライダ7を設定すれば良い。これにより露光動
作パラメータが影響しない範囲で最もロツト間を近づけ
ることができ、ロツト間隙時間をその範囲内で最も短く
することができる。
In this case, if the exposure operation parameters are the same between the lots, the pretreatment of the main exposure performed on the temporary wafer placing table 11 is also the same, so the vertical slider 8 may be set. As a result, the wafer 3 of the current lot and the wafer 3 of the next lot can be brought closest to each other to minimize the lot gap time. Further, when the exposure operation parameter changes between the lots, the pretreatment of the main exposure performed on the temporary wafer placing table 11 also changes, so that the horizontal slider 7 that does not affect the exposure operation parameter may be set. As a result, the lots can be brought closest to each other within the range where the exposure operation parameter does not affect, and the lot gap time can be minimized within the range.

【0026】ここでこの半導体製造装置1における次ロ
ツトウエハの待機処理について、図2に示すフローチヤ
ートを用いて説明する。まずステツプSP1から入つた
ステツプSP2において、現ロツトの最終ウエハ3がウ
エハステージ2上に搬送され、最終ウエハ3の露光処理
が開始されると、現ロツトについてはステツプSP3に
進んで露光処理を行い、次ロツトについてはステツプS
P5に進んで待機処理を行うか否かを判定する(すなわ
ち上述したように次ロツトウエハ3の装置内部への搬入
がユーザによつて設定されているか否かを判定する)。
Now, the standby process of the next lot wafer in the semiconductor manufacturing apparatus 1 will be described with reference to the flow chart shown in FIG. First, in step SP2 entered from step SP1, when the final wafer 3 of the current lot is transferred onto the wafer stage 2 and the exposure process of the final wafer 3 is started, the process proceeds to step SP3 for the current lot to perform the exposure process. , Step S for the next lot
It proceeds to P5 and determines whether or not the standby process is to be performed (that is, it is determined whether the loading of the next lot wafer 3 into the apparatus is set by the user as described above).

【0027】現ロツトについては、ステツプSP3にお
ける露光処理が終了すれば続くステツプSP4に進んで
処理を終了する。一方、次ロツトについては、ステツプ
SP5における判定の結果、待機処理が設定されていな
ければステツプSP10に進んで次ロツトウエハの待機
処理を終了し、待機処理が設定されていれば次ロツトウ
エハの待機処理であるステツプSP6〜SP9に進む。
For the current lot, if the exposure process in step SP3 is completed, the process proceeds to the next step SP4 and the process is completed. On the other hand, for the next lot, if the result of the determination in step SP5 is that the standby process is not set, the process proceeds to step SP10 to end the standby process for the next lot wafer, and if the standby process is set, the standby process for the next lot wafer is performed. Proceed to a certain step SP6 to SP9.

【0028】まずステツプSP6では、次ロツトウエハ
3の装置内部への搬入を開始する。次のステツプSP7
では、次ロツトウエハ3の待機位置として横スライダ7
と縦スライダ8のどちらが設定されているか判定する。
その結果、縦スライダ8が設定されている場合には、ス
テツプSP8に進み、プリアライメント処理(ウエハの
方向合わせも含む)や周辺露光処理を行う。すなわち次
ロツトウエハ3を横スライダ7のアーム9によつてウエ
ハ仮置き台11に搬送し、ここで現ロツトの露光動作パ
ラメータに従つて次ロツトウエハ3にプリアライメント
処理や周辺露光処理等の本露光の前処理を行う。この処
理が終了すると、次のステツプSP9に進み、設定され
ているウエハ待機位置である縦スライダ8において次ロ
ツトウエハ3を待機させる。すなわちウエハ仮置き台1
1にある次ロツトウエハ3を縦スライダ8のアーム12
によつて搬出すると共にウエハステージ2の直前位置ま
で搬送し、そこで待機させる。
First, at step SP6, loading of the next lot wafer 3 into the apparatus is started. Next step SP7
Then, the horizontal slider 7 is used as a standby position for the next lot wafer 3.
And which of the vertical sliders 8 is set is determined.
As a result, if the vertical slider 8 is set, the process proceeds to step SP8, where pre-alignment processing (including wafer direction alignment) and peripheral exposure processing are performed. That is, the next lot wafer 3 is transferred to the temporary wafer placing table 11 by the arm 9 of the lateral slider 7, and the next lot wafer 3 is subjected to the main exposure such as the pre-alignment process and the peripheral exposure process according to the exposure operation parameter of the current lot. Perform pre-processing. When this process is completed, the process proceeds to the next step SP9, and the next slider wafer 3 is made to stand by at the vertical slider 8 which is the set wafer waiting position. That is, the temporary wafer holder 1
The next lot wafer 3 in FIG.
Then, the wafer is carried out to the position immediately before the wafer stage 2 and is made to stand by there.

【0029】一方、ステツプSP7における判定の結
果、横スライダ7が設定されている場合には、ステツプ
SP9に進み、設定されているウエハ待機位置である横
スライダ7において次ロツトウエハ3を待機させる。こ
の場合には、現ロツトと次ロツトとの間で露光動作パラ
メータが変わるため次ロツトに現ロツトの露光動作パラ
メータを適用してプリアライメント処理や周辺露光処理
を行うことができない。このため露光動作パラメータの
影響を受けない横スライダ7が待機位置として設定さ
れ、その待機位置に従つて次ロツトウエハ3を待機させ
る。具体的には、横スライダ7のアーム9に次ロツトウ
エハ3を載置し、ウエハ仮置き台11の直前位置まで搬
送し、そこで待機させる。このようにしてステツプSP
9において次ロツトウエハ3を待機させると、次のステ
ツプSP10に進んで次ロツトウエハの待機処理を終了
する。
On the other hand, if the result of determination in step SP7 is that the horizontal slider 7 has been set, the operation proceeds to step SP9, and the next lot wafer 3 is made to wait at the horizontal slider 7 which is the set wafer standby position. In this case, since the exposure operation parameter changes between the current and next lots, the exposure operation parameter of the current lot cannot be applied to the next lot to perform the pre-alignment process and the peripheral exposure process. Therefore, the horizontal slider 7 which is not affected by the exposure operation parameter is set as the standby position, and the next lot wafer 3 is made to stand by according to the standby position. Specifically, the next lot wafer 3 is placed on the arm 9 of the lateral slider 7, is transported to the position immediately before the temporary wafer placing table 11, and is made to stand by there. In this way step SP
When the next lot wafer 3 is made to stand by in step 9, the process proceeds to the next step SP10 and the waiting process for the next lot wafer is completed.

【0030】以上の構成において、この半導体製造装置
1においては、現ロツトウエハ3の露光動作パラメータ
を設定するときに次ロツトウエハ3の装置内部への搬入
を行うか否かを設定し得るようにしていると共に、搬入
を設定した場合には次ロツトウエハ3の待機位置として
横スライダ7又は縦スライダ8を設定し得るようにして
いる。ユーザによつて次ロツトウエハ3の搬入が設定さ
れると、制御部16がこの設定を受けて現ロツトの最終
ウエハ3を露光処理しているときに次ロツトウエハ3を
装置内部に搬入する。また制御部16は設定されている
待機位置に応じて次ロツトウエハ3をその待機位置まで
搬送し、そこで待機させる。
In the above-described structure, in the semiconductor manufacturing apparatus 1, whether or not the next lot wafer 3 is carried into the apparatus can be set when the exposure operation parameter of the current lot wafer 3 is set. At the same time, when the carry-in is set, the horizontal slider 7 or the vertical slider 8 can be set as the standby position of the next lot wafer 3. When the loading of the next lot wafer 3 is set by the user, the controller 16 receives this setting and loads the next lot wafer 3 into the apparatus while the final wafer 3 of the current lot is being exposed. Further, the control unit 16 carries the next lot wafer 3 to the standby position according to the set standby position, and makes it stand by there.

【0031】例えば現ロツトと次ロツトとの間で露光動
作パラメータが同じである場合には、現ロツトの露光動
作パラメータに従つて次ロツトウエハ3にプリアライメ
ント処理や周辺露光といつた本露光の前処理を行うこと
ができるため、待機位置としては縦スライダ8が設定さ
れる。制御部16はこの設定を受けて搬入した次ロツト
ウエハ3を横スライダ7のアーム9によつてウエハ仮置
き台11に搬送し、ここで上述したような本露光の前処
理を行つた後、その次ロツトウエハ3を縦スライダ8の
アーム12によつてウエハステージ2の直前位置まで搬
送する。これにより次ロツトのウエハ3と現ロツトのウ
エハ3の間を最も近づけてロツト間隙時間を最も短くす
ることができ、全体としての処理時間を短くすることが
できる。
For example, when the exposure operation parameters are the same between the current and next lots, the pre-alignment process and the peripheral exposure and the main exposure are performed on the next lot wafer 3 according to the exposure operation parameters of the current lot. Since the processing can be performed, the vertical slider 8 is set as the standby position. The control unit 16 transfers the next lot wafer 3 loaded in response to this setting to the temporary wafer placing base 11 by the arm 9 of the lateral slider 7 and after performing the pre-exposure pretreatment as described above. The next lot wafer 3 is transferred by the arm 12 of the vertical slider 8 to the position immediately before the wafer stage 2. As a result, the wafer 3 of the next lot and the wafer 3 of the current lot can be brought closest to each other to minimize the lot gap time, and the processing time as a whole can be shortened.

【0032】また現ロツトと次ロツトとの間で露光動作
パラメータが変わる場合には、現ロツトの露光動作パラ
メータに従つて上述のような本露光の前処理を行うこと
ができないため、待機位置としては露光動作パラメータ
の影響を受けない横スライダ7が設定される。制御部1
6はこの設定を受けて搬入した次ロツトウエハ3を横ス
ライダ7のアーム9に載せ、ウエハ仮置き台11の直前
位置まで搬送し、そこで待機させる。これにより露光動
作パラメータの影響を受けない範囲で次ロツトのウエハ
3を現ロツトのウエハ3に最も近づけてロツト間隙時間
をその範囲内で最も短くすることができ、全体としての
処理時間を短くすることができる。
When the exposure operation parameter is changed between the current and next lots, the above-mentioned pre-exposure preprocessing cannot be performed according to the exposure operation parameter of the current lot, so that the standby position is set. Is set to the horizontal slider 7 which is not affected by the exposure operation parameter. Control unit 1
In step 6, the next lot wafer 3 loaded in response to this setting is placed on the arm 9 of the lateral slider 7 and is transported to a position immediately before the temporary wafer placing base 11 where it stands by. As a result, the wafer 3 of the next lot can be brought closest to the wafer 3 of the current lot within the range not affected by the exposure operation parameter, and the lot clearance time can be shortened within that range, thereby shortening the processing time as a whole. be able to.

【0033】このようにしてこの半導体製造装置1にお
いては、現ロツトウエハ3の露光動作パラメータを設定
するときに次ロツトウエハ3の装置内部への搬入を設定
し得るようすると共に、搬入を設定した場合には次ロツ
トウエハ3の待機位置として横スライダ7又は縦スライ
ダ8を設定し得るようにしたことにより、現ロツトと次
ロツトとのロツト間隙時間を短くすることができ、全体
としての処理時間を短くすることができる。
In this way, in the semiconductor manufacturing apparatus 1, when the exposure operation parameter of the current lot wafer 3 is set, it is possible to set the loading of the next lot wafer 3 into the apparatus, and when the loading is set. Since the horizontal slider 7 or the vertical slider 8 can be set as the standby position for the next lot wafer 3, the lot gap time between the current lot and the next lot can be shortened, and the processing time as a whole can be shortened. be able to.

【0034】因みに、この場合には、ユーザの判断によ
つて次ロツトウエハ3を搬入するか否かを設定すると共
に、待機位置を設定するようにしたことにより、従来の
ように次ロツトウエハに関する露光動作パラメータが無
くても次ロツトウエハの待機処理を容易に行うことがで
きる。またこの場合には、次ロツトウエハ3を搬入して
待機処理を行うか否かをユーザの判断に委ねたため、装
置のソフトウエア及び構成を簡易にすることができ、小
規模のシステムを希望するユーザにとつて満足し得るシ
ステムを提供することができる。
Incidentally, in this case, whether or not the next lot wafer 3 is carried in is set by the user's judgment and the standby position is set, so that the exposure operation for the next lot wafer is performed as in the conventional case. Even if there is no parameter, the standby process of the next lot wafer can be easily performed. Further, in this case, since it is left to the user to decide whether or not to carry in the next lot wafer 3 and perform the standby process, the software and configuration of the apparatus can be simplified, and a user who desires a small-scale system. It is possible to provide a satisfactory system.

【0035】以上の構成によれば、現ロツトウエハ3の
露光動作パラメータを設定するときに次ロツトウエハ3
を装置内部に搬入するか否かを設定し得るようにしたこ
とにより、次ロツトウエハ3の露光動作パラメータに係
わらず、簡易な構成でロツト間隙時間を短くして全体と
しての処理時間を短くすることができる。かくするにつ
き次ロツトの露光動作パラメータに係わらず、簡易な構
成で容易に次ロツトウエハの待機処理を行い、連続ロツ
ト処理時のロツト間隙時間を短くして全体の処理時間を
短くし得る半導体製造装置を実現し得る。
According to the above configuration, when the exposure operation parameter of the current lot wafer 3 is set, the next lot wafer 3 is set.
Whether or not the wafer is carried into the apparatus can be set, so that the lot gap time can be shortened and the overall processing time can be shortened with a simple configuration regardless of the exposure operation parameter of the next lot wafer 3. You can Therefore, regardless of the exposure operation parameter of the next lot, the standby process of the next lot wafer can be easily performed with a simple structure, and the lot gap time during the continuous lot process can be shortened to shorten the entire process time. Can be realized.

【0036】なお上述の実施例においては、制御部16
によりユーザが指定した待機位置に次ロツトのウエハ3
を待機させた場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、現ロツトの最終ウエハ3に対して露光処理を行つ
ているときに次ロツトのウエハ3をユーザが指定した任
意の待機位置に待機させる待機処理手段を設けるように
すれば上述の場合と同様の効果を得ることができる。
In the above embodiment, the control unit 16
The next wafer 3 at the standby position specified by the user
However, the present invention is not limited to this, and the wafer 3 of the next lot is placed at an arbitrary waiting position designated by the user while the final wafer 3 of the current lot is being exposed. If the standby processing means for waiting is provided, the same effect as the above case can be obtained.

【0037】また上述の実施例においては、現ロツトと
次ロツトの露光動作パラメータが同じ場合の待機位置と
して縦スライダ8を設定し得るようにした場合について
述べたが、本発明はこれに限らず、待機位置としてウエ
ハ仮置き台11を設定し、ウエハ仮置き台11において
本露光の前処理を行つた後、そこで待機させるようにし
ても良い。要は、待機位置として本露光動作の直前位置
を設定し得るようにすれば上述の場合と同様の効果を得
ることができる。
In the above embodiment, the vertical slider 8 can be set as the standby position when the exposure operation parameters of the current and next lots are the same, but the present invention is not limited to this. Alternatively, the temporary wafer placing table 11 may be set as the standby position, and after the pre-treatment of the main exposure is performed on the temporary wafer placing table 11, the wafer temporary placing table 11 may be made to wait there. In short, if the standby position can be set to the position immediately before the main exposure operation, the same effect as in the above case can be obtained.

【0038】また上述の実施例においては、現ロツトと
次ロツトの露光動作パラメータが変わる場合の待機位置
として横スライダ7を設定し得るようにした場合につい
て述べたが、本発明はこれに限らず、待機位置としてイ
ンライン受渡しユニツト14やウエハ仮置き台11(但
し、ウエハ仮置き台11の場合には、載置するだけでプ
リアライメント処理や周辺露光処理を行わない)を設定
するようにしても良い。要は、露光動作パラメータの影
響を受けない位置を設定し得るようにすれば上述の場合
と同様の効果を得ることができる。
In the above embodiment, the case where the horizontal slider 7 can be set as the standby position when the exposure operation parameter of the current lot and the next lot changes is described, but the present invention is not limited to this. Even if the in-line delivery unit 14 and the temporary wafer placing table 11 (however, in the case of the temporary wafer placing table 11 are mounted, the pre-alignment processing and the peripheral exposure processing are not performed) may be set as the standby position. good. In short, if the position that is not affected by the exposure operation parameter can be set, the same effect as the above case can be obtained.

【0039】[0039]

【発明の効果】上述のように本発明によれば、現ロツト
のウエハに対して露光処理を行つているときに次ロツト
のウエハをユーザが指定した任意の待機位置に待機させ
る待機処理手段を設けるようにしたことにより、従来の
ように次ロツトの露光動作パラメータが無くても次ロツ
トウエハの待機処理を行うことができ、連続ロツト処理
時のロツト間隙時間を短くして全体としての処理時間を
短くすることができる。
As described above, according to the present invention, the standby processing means for holding the wafer of the next lot at an arbitrary standby position designated by the user when the wafer of the current lot is being exposed. By providing this, the standby process of the next lot wafer can be performed without the exposure operation parameter of the next lot as in the conventional case, and the lot gap time in the continuous lot process can be shortened to reduce the overall process time. Can be shortened.

【0040】また本発明によれば、次ロツトのウエハを
装置内部に搬入するか否かを現ロツトについての露光動
作パラメータで指定し得るようにしたことにより、従来
のように次ロツトの露光動作パラメータが無くても次ロ
ツトウエハの待機処理を行うことができ、連続ロツト処
理時のロツト間隙時間を短くして全体としての処理時間
を短くすることができる。
Further, according to the present invention, whether or not the wafer of the next lot is carried into the apparatus can be specified by the exposure operation parameter of the current lot, so that the exposure operation of the next lot can be performed as in the conventional case. The standby process of the next lot wafer can be performed without parameters, and the lot gap time in the continuous lot process can be shortened to shorten the overall process time.

【0041】かくするにつき次ロツトの露光動作パラメ
ータに係わらず、簡易な構成で容易に次ロツトウエハの
待機処理を行い、連続ロツト処理時のロツト間隙時間を
短くして全体の処理時間を短くし得る半導体製造装置を
実現し得る。
In this way, regardless of the exposure operation parameter of the next lot, the standby process of the next lot wafer can be easily performed with a simple structure, and the lot gap time in the continuous lot process can be shortened to shorten the entire process time. A semiconductor manufacturing apparatus can be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例による半導体製造装置の構成
を示すブロツク図である。
FIG. 1 is a block diagram showing the configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】その半導体製造装置における次ロツトウエハの
待機処理の説明に供するフローチヤートである。
FIG. 2 is a flow chart used for explaining a standby process of a next lot wafer in the semiconductor manufacturing apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……半導体製造装置、2……ウエハステージ、3……
ウエハ、4……ウエハローダ系、5、6……キヤリア、
7……横スライダ、8……縦スライダ、9、10、1
2、13……アーム、11……ウエハ仮置き台、14…
…インライン受渡しユニツト、16……制御部。
1 ... Semiconductor manufacturing equipment, 2 ... Wafer stage, 3 ...
Wafer, 4 ... Wafer loader system, 5, 6 ... Carrier,
7 ... Horizontal slider, 8 ... Vertical slider, 9, 10, 1
2, 13 ... Arm, 11 ... Wafer temporary holder, 14 ...
… Inline delivery unit, 16 …… Control unit.

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】ウエハに対してロツト単位で連続的に露光
処理を行う半導体製造装置において、 現ロツトのウエハに対して露光処理を行つているときに
次ロツトのウエハをユーザが指定した任意の待機位置に
待機させる待機処理手段を具えることを特徴とする半導
体製造装置。
1. A semiconductor manufacturing apparatus for performing continuous exposure processing on a wafer in units of lots, wherein any wafer designated by the user is selected while the wafer of the current lot is being exposed. A semiconductor manufacturing apparatus comprising: standby processing means for making a standby at a standby position.
【請求項2】次ロツトについての露光動作パラメータが
現ロツトと同じ場合には、待機位置として露光動作の直
前位置を指定し、前記待機処理手段は該待機位置に対し
て次ロツトのウエハを待機させることを特徴とする請求
項1に記載の半導体製造装置。
2. When the exposure operation parameter for the next lot is the same as the current lot, the position immediately before the exposure operation is designated as the standby position, and the standby processing means waits for the wafer of the next lot with respect to the standby position. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein:
【請求項3】次ロツトについての露光動作パラメータが
現ロツトと変わる場合には、待機位置として露光動作パ
ラメータの影響を受けない位置を指定し、前記待機処理
手段は該待機位置に対して次ロツトのウエハを待機させ
ることを特徴とする請求項1に記載の半導体製造装置。
3. When the exposure operation parameter for the next lot is different from the current lot, a position which is not affected by the exposure operation parameter is designated as a standby position, and the standby processing means sets the next position for the standby position. 2. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 1, wherein the wafer of FIG.
【請求項4】ウエハに対してロツト単位で連続的に露光
処理を行う半導体製造装置において、 次ロツトのウエハを装置内部に搬入するか否かを現ロツ
トについての露光動作パラメータで指定し得るようにし
たことを特徴とする半導体製造装置。
4. A semiconductor manufacturing apparatus for continuously performing exposure processing on a wafer in units of lots so that whether or not a wafer of the next lot is carried into the apparatus can be specified by an exposure operation parameter for the current lot. A semiconductor manufacturing apparatus characterized in that
【請求項5】搬入する場合の次ロツトのウエハの待機位
置を任意に指定し得るようにしたことを特徴とする請求
項4に記載の半導体製造装置。
5. The semiconductor manufacturing apparatus according to claim 4, wherein the standby position of the next lot of wafers to be carried in can be arbitrarily designated.
【請求項6】現ロツトのウエハに対して露光処理を行つ
ているときに前記現ロツトの露光動作パラメータに従つ
て次ロツトのウエハを前記待機位置に搬入することを特
徴とする請求項5に記載の半導体製造装置。
6. The wafer of the next lot is carried into the standby position according to the exposure operation parameter of the current lot while the wafer of the current lot is being exposed. The semiconductor manufacturing apparatus described.
【請求項7】ウエハに対してロツト単位で連続的に露光
処理を行う半導体製造方法において、 現ロツトのウエハに対して露光処理を行つているときに
次ロツトのウエハをユーザが指定した任意の待機位置に
待機させることを特徴とする半導体製造方法。
7. A semiconductor manufacturing method for continuously performing exposure processing on a wafer in units of lots, wherein any wafer designated by the user is selected while the wafer of the current lot is being exposed. A method for manufacturing a semiconductor, characterized in that the semiconductor device is made to stand by at a standby position.
【請求項8】次ロツトについての露光動作パラメータが
現ロツトと同じ場合には、待機位置として露光動作の直
前位置を指定し、次ロツトのウエハを該待機位置に待機
させることを特徴とする請求項7に記載の半導体製造方
法。
8. When the exposure operation parameter for the next lot is the same as the current lot, the position immediately before the exposure operation is designated as the standby position and the wafer of the next lot is made to stand by at the standby position. Item 7. The semiconductor manufacturing method according to Item 7.
【請求項9】次ロツトについての露光動作パラメータが
現ロツトと変わる場合には、待機位置として露光動作パ
ラメータの影響を受けない位置を指定し、次ロツトのウ
エハを該待機位置に待機させることを特徴とする請求項
7に記載の半導体製造方法。
9. When the exposure operation parameter for the next lot is different from the current lot, a position not affected by the exposure operation parameter is designated as the standby position, and the wafer of the next lot is made to stand by at the standby position. The semiconductor manufacturing method according to claim 7, which is characterized in that.
【請求項10】ウエハに対してロツト単位で連続的に露
光処理を行う半導体製造方法において、 次ロツトのウエハを装置内部に搬入するか否かを現ロツ
トについての露光動作パラメータで指定し得るようにす
ると共に、搬入する場合の次ロツトのウエハの待機位置
を任意に指定し得るようにし、現ロツトのウエハに対し
て露光処理を行つているときに前記現ロツトの露光動作
パラメータに従つて次ロツトのウエハを前記待機位置に
搬入することを特徴とする半導体製造方法。
10. A semiconductor manufacturing method in which a wafer is continuously subjected to exposure processing in units of lots so that whether or not a wafer in the next lot is carried into the apparatus can be specified by an exposure operation parameter for the current lot. In addition, the standby position of the wafer of the next lot at the time of loading can be arbitrarily designated, and when the wafer of the current lot is exposed, the next operation is performed according to the exposure operation parameter of the current lot. A semiconductor manufacturing method, wherein a wafer of a lot is carried into the standby position.
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WO2000002239A1 (en) * 1998-07-03 2000-01-13 Nikon Corporation Exposure system, method of manufacture thereof, method of wafer transfer, device and method of manufacture device
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