JPH09265005A - Mirror for excimer laser - Google Patents

Mirror for excimer laser

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JPH09265005A
JPH09265005A JP8072749A JP7274996A JPH09265005A JP H09265005 A JPH09265005 A JP H09265005A JP 8072749 A JP8072749 A JP 8072749A JP 7274996 A JP7274996 A JP 7274996A JP H09265005 A JPH09265005 A JP H09265005A
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JP
Japan
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film
excimer laser
refractive index
mirror
laser mirror
Prior art date
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Application number
JP8072749A
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Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Shirai
健 白井
Junji Amihoshi
順治 網干
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Nikon Corp
Original Assignee
Nikon Corp
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Publication date
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Priority to US08/828,220 priority patent/US5850309A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a mirror which exhibits high reflectivity to an excimer laser, is small in the change in the reflectivity by an incident angle between S polarized light and P polarized light and has a good adhesion property and laser resistance. SOLUTION: This mirror is constituted by successively laminating alternate layers 14 of dielectric films 12, metallic films 13, high-refractive index layers and low-refractive index layers on a substrate 11. The film constitution of the alternate layers is n1 L(n1 H.n2 L).n1 H.n1 L.n2 H (n3 L.n3 H)<j> .n3 L.n2 H. The relations of the optical film thickness are 2n1 L.d1 L=n1 H.d1 H-=n2 L.d2 L, 2n2 H.d2 H=n3 L.d3 L= n3 H.d3 H, n1 L.d1 L>n2 H.d2 H, where n1 L to n3 L denote the refractive indices of the low-refractive index layers; n1 H to n3 H denote the refractive indices of the high-refractive index layers; i, j denote 1, 2, 3...; n1 L.d1 L., n1 H.d1 H, n2 L.d2 L, n2 H.d2 H, n3 L.d3 L, n3 H.d3 H respectively denote the optical film thicknesses of the film constitution n1 L, n1 H, n2 L, n2 H, n3 L, n3 H.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、紫外領域において広帯
域、高反射率であって、角度依存性の少ない反射特性を
有し、強耐レーザー性及び基板と反射膜との良好な密着
性を示すエキシマレーザー用ミラーに関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention has a wide band in the ultraviolet region, a high reflectance, a reflection characteristic with little angle dependence, a strong laser resistance and a good adhesion between a substrate and a reflection film. The present invention relates to the excimer laser mirror shown.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来のエキシマレーザー用ミラーとして
は、3種類の構造のものが知られている。第1の例とし
て、図5に示す様な構造のものが知られている。これは
ガラス等の基板11上に、金属膜としてAl膜13を成膜し、
その上に金属Al膜の酸化等の劣化を防ぐ保護膜として誘
電体膜15をコートした構造となっている。図6はこのエ
キシマレーザー用ミラーの分光反射特性を示し、図7は
レーザー波長がλ=193.4nmにおける入射角度特性を示
す。このエキシマレーザー用ミラーは、λ=193.4nmでは
入射角がθ=0〜40°程度まで一様な反射率を示すが、せ
いぜい90%程度の反射率しか示さない。また、金属Al膜
はエキシマレーザー光を吸収しやすいため、耐エキシマ
性も低いものであった。
2. Description of the Related Art As conventional excimer laser mirrors, three types of structures are known. As a first example, a structure shown in FIG. 5 is known. This is an Al film 13 formed as a metal film on a substrate 11 such as glass,
A dielectric film 15 is coated on the metal Al film as a protective film for preventing deterioration such as oxidation of the metal Al film. FIG. 6 shows the spectral reflection characteristics of this excimer laser mirror, and FIG. 7 shows the incident angle characteristics when the laser wavelength is λ = 193.4 nm. This excimer laser mirror shows a uniform reflectance at an incident angle of θ = 0 to 40 ° at λ = 193.4 nm, but exhibits a reflectance of about 90% at most. Further, since the metal Al film easily absorbs the excimer laser light, the excimer resistance was low.

【0003】さらに、基板と金属Al膜との密着性が低
く、金属Al膜上には保護膜が一層形成されているだけな
ので、剥離しやすいという問題があった。第2の例とし
て、図8に示す様な構造のものが知られている。これ
は、ガラス等の基板11上に光学的膜厚がλ/4(λ:設計
中心波長)の高屈折率誘電体層および光学膜厚がλ/4の
低屈折率誘電体の交互層14を積層させた構造となってい
る。
Further, since the adhesion between the substrate and the metal Al film is low and only one protective film is formed on the metal Al film, there is a problem that it is easily peeled off. As a second example, a structure shown in FIG. 8 is known. This is an alternating layer 14 of a high-refractive-index dielectric layer having an optical film thickness of λ / 4 (λ: design center wavelength) and a low-refractive-index dielectric film having an optical film thickness of λ / 4 on a substrate 11 such as glass. It has a laminated structure.

【0004】この誘電体高反射膜は、各誘電体層の膜厚
を変化させることによって、λ=160〜300nmの範囲で95%
以上の反射帯域約20nmを任意に設定できる。図9はこの
エキシマレーザー用ミラーの分光反射特性を示し、図1
0はレーザー波長λ=193.4nmにおける入射角度特性を示
す。このエキシマレーザー用ミラーは95%以上の高反射
帯域が約20nmと狭く、レーザー波長λ=193.4nmにおい
て、入射角度がθ=20°より大きくなると反射率が大き
く低下してしまうという問題があった。このため波長範
囲が20nm以上での使用や入射角がθ=±20°以上での使
用には適さないものであった。
This dielectric high-reflectance film is 95% in the range of λ = 160 to 300 nm by changing the film thickness of each dielectric layer.
The reflection band above about 20 nm can be set arbitrarily. FIG. 9 shows the spectral reflection characteristics of this excimer laser mirror.
0 indicates the incident angle characteristic at the laser wavelength λ = 193.4 nm. This excimer laser mirror has a problem that the high reflection band of 95% or more is narrow at about 20 nm, and at the laser wavelength λ = 193.4 nm, the reflectance greatly decreases when the incident angle becomes larger than θ = 20 °. . Therefore, it was not suitable for use in the wavelength range of 20 nm or more and for incident angles of θ = ± 20 ° or more.

【0005】そこで、高反射帯域を広げるために考えら
れた、第3の例として、図11に示す様なものが知られ
ている。これは、ガラス等の基板11上に中心波長の異な
る2種の上記誘電体高反射膜14、14'を順次積層させた
構造となっている。図12はこのエキシマレーザー用ミ
ラーの分光反射特性を示し、図13はレーザー波長λ=1
93.4nmにおける入射角度特性を示す。このエキシマレー
ザー用ミラーは180nm〜210nmの波長範囲で90%以上の反
射率を示すが、反射帯域中心付近(約200nm)で反射率
が一時的に低下するという特性がでている。また、レー
ザー波長λ=193.4nmにおいて、入射角度がθ=20°〜30
°付近で反射率が一時的に低下し、入射角度がθ=40°
より大きくなると反射率が大きく低下する特性が出やす
いという問題があった。一時的に反射率が低下する原因
は、波長及び入射角度によるP成分、S成分の反射率の
違いによるものである。
Therefore, as shown in FIG. 11, as a third example, which is considered to widen the high reflection band, is known. This has a structure in which two types of dielectric high reflection films 14 and 14 'having different center wavelengths are sequentially laminated on a substrate 11 such as glass. FIG. 12 shows the spectral reflection characteristics of this excimer laser mirror, and FIG. 13 shows the laser wavelength λ = 1.
The incident angle characteristics at 93.4 nm are shown. This excimer laser mirror shows a reflectance of 90% or more in the wavelength range of 180 nm to 210 nm, but the reflectance is temporarily reduced near the center of the reflection band (about 200 nm). In addition, at the laser wavelength λ = 193.4 nm, the incident angle is θ = 20 ° to 30 °.
The reflectance is temporarily reduced near ° and the incident angle is θ = 40 °
There has been a problem in that the larger the value is, the more easily the characteristic that the reflectance is significantly decreased. The cause of the temporary decrease in reflectance is due to the difference in reflectance between the P component and the S component depending on the wavelength and the incident angle.

【0006】さらに、このエキシマレーザー用ミラー
は、膜層数が多いので、膜吸収、散乱、膜応力等の影響
を受けやすく、そのために反射率に限界があったり、膜
剥離しやすいという問題もあった。さらに、層数が多い
ために製造コストも高くなるという問題もあった。
Further, since this excimer laser mirror has a large number of film layers, it is easily affected by film absorption, scattering, film stress, etc., which causes a problem that the reflectance is limited and the film is easily peeled off. there were. Further, there is also a problem that the manufacturing cost is increased due to the large number of layers.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】上記の様な従来の技術
においては、λ=160〜300nmの波長範囲で任意の約40nm
の波長範囲のエキシマレーザーに対して95%以上の高反
射率を示し、S偏光及びP偏光間で、入射角度による反
射率の変化が小さく、密着性、耐レーザー性の良好なエ
キシマレーザー用ミラーを製造するのは困難であった。
SUMMARY OF THE INVENTION In the prior art as described above, a wavelength range of λ = 160 to 300 nm is set to an arbitrary value of about 40 nm.
High reflectivity of 95% or more for excimer lasers in the wavelength range of, excimer laser mirror with good adhesion and laser resistance, with little change in reflectivity between S-polarized light and P-polarized light depending on the incident angle. Was difficult to manufacture.

【0008】本発明はこの様な従来の問題点に対してな
されたもので、λ=160〜300nmの範囲で任意の約40nmの
波長範囲のエキシマレーザーに対して95%以上の高反射
率を示し、S偏光及びP偏光間で入射角度による反射率
の変化が小さく、密着性、耐レーザー性の良好なエキシ
マレーザー用ミラーを提供することを目的としている。
The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and has a high reflectance of 95% or more for an excimer laser having an arbitrary wavelength range of about 40 nm in the range of λ = 160 to 300 nm. It is an object of the present invention to provide an excimer laser mirror that has a small change in reflectance between S-polarized light and P-polarized light depending on the incident angle, and has excellent adhesion and laser resistance.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明は、第一に「少な
くとも、基板上に、誘電体膜、金属膜、高屈折率層及び
低屈折率層の交互層を順次積層してなるエキシマレーザ
ー用ミラーであって、前記交互層の膜構成がn1L(n1H
・n2Li・n1H・n1L・n2H(n3L・n3Hj・n3L
2Hであり、かつ光学的膜厚の関係が、 2n1L・d1L=n1H・d1H=n2L・d2L 2n2H・d2H=n3L・d3L=n3H・d3H1L・d1L>n2H・d2H であることを特徴とするエキシマレーザー用ミラー。
SUMMARY OF THE INVENTION The first aspect of the present invention is to provide an "excimer laser in which at least a dielectric film, a metal film, a high refractive index layer and a low refractive index layer are alternately laminated on a substrate. And a film structure of the alternating layers is n 1L (n 1H
・ N 2L ) i・ n 1H・ n 1L・ n 2H (n 3L・ n 3H ) j・ n 3L
n 2H and the relationship of the optical film thickness is 2n 1L · d 1L = n 1H · d 1H = n 2L · d 2L 2n 2H · d 2H = n 3L · d 3L = n 3H · d 3H n 1L・ A mirror for an excimer laser, characterized in that d 1L > n 2H・ d 2H .

【0010】但し、n1L、n2L、n3Lは低屈折率層の屈
折率、n1H、n2H、n3Hは高屈折率層の屈折率、i,j
=1,2,3・・・、n1L・d1L、n1H・d1H、n2L
2L、n2H・d2H、n3L・d3L、n3H・d3Hはそれぞ
れ、膜構成n1L、n1H、n2L、n2H、n3L、n3Hの光学
的膜厚である(請求項1)」を提供する。また、本発明
は第二に「前記n1L・d1Lが0.12〜0.15λであり、前記
1H・d1H及び前記n2L・d2Lが0.24〜0.30λであり、
前記 n2H・d2Hが0.10〜0.12λであり、前記n3L・d
3L及び前記n3H・d3Hが0.20〜0.24λであることを特徴
とする請求項1記載のエキシマレーザー用ミラー。
However, n 1L , n 2L and n 3L are the refractive index of the low refractive index layer, n 1H , n 2H and n 3H are the refractive index of the high refractive index layer and i, j
= 1, 2, 3 ..., n 1L · d 1L , n 1H · d 1H , n 2L ·
d 2L , n 2H · d 2H , n 3L · d 3L and n 3H · d 3H are the optical film thicknesses of the film constitutions n 1L , n 1H , n 2L , n 2H , n 3L and n 3H , respectively ( Claim 1) "is provided. In addition, the present invention secondly states that "the n 1L · d 1L is 0.12 to 0.15λ, the n 1H · d 1H and the n 2L · d 2L are 0.24 to 0.30λ,
N 2H · d 2H is 0.10 to 0.12λ, and n 3L · d is
3. The excimer laser mirror according to claim 1, wherein 3L and n 3H · d 3H are 0.20 to 0.24λ.

【0011】但し、λは設計中心波長である(請求項
2)」を提供する。
Where λ is the design center wavelength (claim 2).

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る実施形態とし
てのエキシマレーザー用ミラーを図面を参照しながら説
明する。図1には、第1の実施形態のエキシマレーザー
用ミラーが示されている。本発明に係るエキシマレーザ
ー用ミラーは、基板11上に、誘電体膜12、金属膜1
1、高屈折率層及び低屈折率層の交互層からなる第1の
中央層を狭持した一対の低屈折率層及び高屈折率層及び
低屈折率層の交互層からなる第2の中央層を狭持した一
対の高屈折率層14とを順次積層した構成である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An excimer laser mirror according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows an excimer laser mirror according to the first embodiment. The excimer laser mirror according to the present invention comprises a substrate 11, a dielectric film 12, and a metal film 1.
1. A pair of low refractive index layers sandwiching a first central layer composed of alternating layers of high refractive index layers and low refractive index layers, and a second central layer composed of alternating layers of high refractive index layers and low refractive index layers This is a configuration in which a pair of high refractive index layers 14 sandwiching the layers are sequentially laminated.

【0013】基板と金属膜との間に設ける誘電体膜は、
基板と金属膜の密着性を向上する物質であればすべての
ものが用いられる。。高屈折率物質として、フッ化ネオ
ジウム(NdF3),フッ化ランタニウム(LaF3),フ
ッ化ガドリニウム(GdF3),フッ化ディスプロシウム
(DyF3),酸化アルミニウム(Al23),フッ化鉛
(PbF2)及びそれらの混合物質等、低屈折率物質と
して、フッ化マグネシウム(MgF2),フッ化アルミニ
ウム(AlF3),フッ化ナトリウム(NaF),フッ化
リチウム(LiF),フッ化カルシウム(CaF2),フ
ッ化バリウム(BaF2),フッ化ストロンチウム(Sr
2)及びそれらの混合物質等を使用することができ
る。
The dielectric film provided between the substrate and the metal film is
Any substance can be used as long as it is a substance that improves the adhesion between the substrate and the metal film. . High refractive index materials such as neodymium fluoride (NdF 3 ), lanthanum fluoride (LaF 3 ), gadolinium fluoride (GdF 3 ), dysprosium fluoride (DyF 3 ), aluminum oxide (Al 2 O 3 ), fluorine As low-refractive-index substances such as lead fluoride (PbF 2 ) and mixed substances thereof, magnesium fluoride (MgF 2 ), aluminum fluoride (AlF 3 ), sodium fluoride (NaF), lithium fluoride (LiF), fluorine Calcium fluoride (CaF 2 ), barium fluoride (BaF 2 ), strontium fluoride (Sr
F 2 ) and mixed substances thereof can be used.

【0014】また、基板としては、各種ガラスや結晶材
料である蛍石、フッ化マグネシウム等を使用することが
できる。エキシマレーザーの吸収を抑え、広い高反射帯
域を得るには、光学的膜厚がn 1L・d>n2H・dである
ことが好ましい。交互層の膜構成のうち、n1L(n1H
2Li・n1H・n1L部分は、約200〜220nmの波長を反
射し、n2H(n3L・n3Hj・n3L・n2H部分は、約180
〜200nmの波長を反射する。
As the substrate, various kinds of glass and crystal materials are used.
It is possible to use fluorite, magnesium fluoride, etc.
it can. Wide high reflection band by suppressing absorption of excimer laser
To obtain the area, the optical thickness is n 1L・ D> n2H・ It is d
Is preferred. N in the film structure of the alternating layers1L(N1H
n2L)i・ N1H・ N1LThe part has a wavelength of about 200-220 nm.
Shooting, n2H(N3L・ N3H)j・ N3L・ N2HThe part is about 180
Reflects wavelengths of ~ 200 nm.

【0015】基板11は精密に研磨された石英ガラスであ
り、誘電体膜12は光学的膜厚がλ/2(λ=193.4nm)のフ
ッ化マグネシウム(MgF2)膜である。誘電体膜は光学的膜
厚がλ/2(λ=193.4nm)のフッ化マグネシウム(MgF2)膜
に限られず、基板と金属膜の密着性を向上させるのに十
分な誘電体膜又は金属膜及びそれらの厚さがあればよ
い。
The substrate 11 is quartz glass that has been precisely polished, and the dielectric film 12 is a magnesium fluoride (MgF 2 ) film having an optical film thickness of λ / 2 (λ = 193.4 nm). The dielectric film is not limited to a magnesium fluoride (MgF 2 ) film with an optical film thickness of λ / 2 (λ = 193.4 nm), and a dielectric film or metal film sufficient to improve the adhesion between the substrate and the metal film is used. It suffices if there are films and their thickness.

【0016】この膜は真空蒸着法、スパッタリング法な
どにより基板11に形成される。金属膜13は膜厚1500
Å程度の金属Al膜である。誘電体多層膜14は、以下に示
すような構成である。 MgF2(0.12〜0.15λ)/ [NdF3(0.24〜0.30λ)/MgF2(0.24〜0.30λ)]9/NdF3(0.24
〜0.30λ) MgF2(0.12〜0.15λ)/ NdF3(0.10〜0.12λ)/ [MgF2(0.20〜0.24λ)/NdF3(0.20〜0.24λ)]9/MgF2(0.20
〜0.24λ) NdF3(0.10〜0.12λ) 通常、基板に金属Al膜を成膜する場合、金属Al膜の酸化
を防止するため、無加熱で成膜し、金属Al膜上に形成す
る保護膜も無加熱で成膜する。
This film is formed on the substrate 11 by a vacuum deposition method, a sputtering method or the like. The metal film 13 has a thickness of 1500
It is a metal Al film of about Å. The dielectric multilayer film 14 has the following structure. MgF 2 (0.12-0.15λ) / [NdF 3 (0.24-0.30λ) / MgF 2 (0.24-0.30λ)] 9 / NdF 3 (0.24
~ 0.30λ) MgF 2 (0.12 ~ 0.15λ) / NdF 3 (0.10 ~ 0.12λ) / [MgF 2 (0.20 ~ 0.24λ) / NdF 3 (0.20 ~ 0.24λ)] 9 / MgF 2 (0.20
~ 0.24λ) NdF 3 (0.10 ~ 0.12λ) Normally, when forming a metal Al film on a substrate, it is formed without heating to prevent oxidation of the metal Al film, and the protection is formed on the metal Al film. The film is also formed without heating.

【0017】また、誘電体多層膜を成膜する場合、膜強
度を強くするためには、加熱により成膜する。無加熱で
成膜された金属Al膜上に加熱により誘電体多層膜を成膜
すると、基板の加熱中に金属Al膜の酸化がおこり、誘電
体多層膜と金属Al膜との密着性が低下する。
When the dielectric multilayer film is formed, the film is formed by heating in order to increase the film strength. When a dielectric multilayer film is formed by heating on a metal Al film that has been formed without heating, the metal Al film is oxidized during heating of the substrate, and the adhesion between the dielectric multilayer film and the metal Al film decreases. To do.

【0018】従って、本発明のエキシマレーザー用ミラ
ーについては、基板を加熱しながら金属Al膜を成膜し、
成膜終了後直ちに、誘電体多層膜の成膜を開始すること
が好ましい。これによって、金属Al膜の時間経過による
酸化を少なくすることができる。さらに、保護膜とし
て、最上層に光学的膜厚がλ/2の整数倍の低屈折率層
を形成してもよい。
Therefore, in the excimer laser mirror of the present invention, a metal Al film is formed while heating the substrate,
It is preferable to start the formation of the dielectric multilayer film immediately after the completion of the film formation. This can reduce the oxidation of the metal Al film over time. Further, as the protective film, a low refractive index layer having an optical film thickness that is an integral multiple of λ / 2 may be formed on the uppermost layer.

【0019】図2は、第1の実施の形態のエキシマレー
ザー用ミラーにおけるθ=0°の分光反射特性である。こ
の分光反射特性からλ=175〜215nmの約40nmの反射帯域
において、95%以上の反射率を有することがわかる。図
3は、第1の実施の形態のエキシマレーザー用ミラーに
おけるλ=193.4nmでの入射角度特性である。これから入
射角度がθ=0〜45°の範囲では、反射率のS偏光及びP
偏光成分のいずれも95%以上維持できていることがわか
る。このような入射角度特性をしめすため、使用入射角
が斜入射の場合、反射率のS偏光及びP偏光成分の差が
小さいエキシマレーザー用ミラーができる。このこと
は、本発明のエキシマレーザー用ミラーを反射光学系に
使用した場合、反射して結像された像の明暗のムラが小
さくなる効果が得られることを意味している。
FIG. 2 shows the spectral reflection characteristic of θ = 0 ° in the excimer laser mirror of the first embodiment. From this spectral reflection characteristic, it can be seen that the reflectance is 95% or more in the reflection band of about 40 nm where λ = 175 to 215 nm. FIG. 3 shows an incident angle characteristic at λ = 193.4 nm in the excimer laser mirror according to the first embodiment. From this, in the case where the incident angle is in the range of θ = 0 to 45 °, S-polarized light and P
It can be seen that each of the polarization components can be maintained at 95% or more. In order to show such an incident angle characteristic, an excimer laser mirror having a small difference between the S-polarized component and the P-polarized component of the reflectance can be obtained when the incident angle used is oblique incidence. This means that when the excimer laser mirror of the present invention is used in a reflection optical system, the effect of reducing unevenness in brightness and darkness of an image formed by reflection is obtained.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上説明した通り、本発明のエキシマレ
ーザー用ミラーは、λ=175〜215nmの約40nmの反射帯域
において、95%以上の反射率を有し、λ=193.4nmにおい
て、入射角度がθ=0〜45°の範囲では、反射率のS偏光
及びP偏光成分いずれも95%以上を維持することができ
る。
As described above, the excimer laser mirror of the present invention has a reflectance of 95% or more in the reflection band of about 40 nm of λ = 175 to 215 nm, and the incident angle at λ = 193.4 nm. In the range of θ = 0 to 45 °, both the S-polarized component and the P-polarized component of the reflectance can be maintained at 95% or more.

【0021】また、基板と金属Al膜の間に誘電体膜又は
金属膜を形成することにより、基板と金属Al膜との密着
性を高め、膜の剥離を起きにくくすることができる。本
発明のエキシマレーザー用ミラーを紫外光およびエキシ
マーレーザーを使用して作動する装置の光学素子として
使用すれば、さらなる高性能化が期待できる。また、基
板が凹面鏡などの様な曲率を持ったものでも同様の効果
が得られるため、従来レンズのみ使用されてきた光学系
に応用すれば、高性能化及びレンズ枚数の減少という効
果も期待できる。特に、本発明のエキシマレーザー用ミ
ラーを使用することによって結像された像は、反射光の
偏光成分の差による結像ムラを小さく抑えることができ
る。
Further, by forming a dielectric film or a metal film between the substrate and the metal Al film, the adhesion between the substrate and the metal Al film can be enhanced and the film peeling can be made less likely to occur. If the mirror for excimer laser of the present invention is used as an optical element of a device that operates using ultraviolet light and excimer laser, further improvement in performance can be expected. The same effect can be obtained even if the substrate has a curvature such as a concave mirror. Therefore, if it is applied to an optical system where only conventional lenses have been used, the effects of higher performance and reduction in the number of lenses can be expected. . In particular, in the image formed by using the mirror for excimer laser of the present invention, unevenness in image formation due to a difference in polarization component of reflected light can be suppressed.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明における第1の実施の形態のエキシマレ
ーザー用ミラーの断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view of an excimer laser mirror according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明における第1の実施の形態のエキシマレ
ーザー用ミラーの反射特性図である。
FIG. 2 is a reflection characteristic diagram of the excimer laser mirror according to the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明における第1の実施の形態のエキシマレ
ーザー用ミラーのλ=193.4nmでの入射角度特性図であ
る。
FIG. 3 is an incident angle characteristic diagram at λ = 193.4 nm of the excimer laser mirror according to the first embodiment of the present invention.

【図4】本発明における基板が凹面のエキシマレーザー
用ミラーの断面図である。
FIG. 4 is a cross-sectional view of an excimer laser mirror having a concave substrate in the present invention.

【図5】従来の第1の例としてのエキシマレーザー用ミ
ラーの断面図である。
FIG. 5 is a sectional view of a conventional excimer laser mirror as a first example.

【図6】従来の第1の例としてのエキシマレーザー用ミ
ラーの反射特性図である。
FIG. 6 is a reflection characteristic diagram of a conventional excimer laser mirror as a first example.

【図7】従来の第1の例としてのエキシマレーザー用ミ
ラーのλ=193.4nmにおける入射角度特性図である。
FIG. 7 is an incident angle characteristic diagram at λ = 193.4 nm of a conventional excimer laser mirror as a first example.

【図8】従来の第2の例としてのエキシマレーザー用ミ
ラーの断面図である。
FIG. 8 is a cross-sectional view of a conventional excimer laser mirror as a second example.

【図9】従来の第2の例としてのエキシマレーザー用ミ
ラーの反射特性図である。
FIG. 9 is a reflection characteristic diagram of a conventional excimer laser mirror as a second example.

【図10】従来の第2の例としてのエキシマレーザー用
ミラーのλ=193.4nmにおける入射角度特性図である。
FIG. 10 is an incident angle characteristic diagram at λ = 193.4 nm of a conventional excimer laser mirror as a second example.

【図11】従来の第3の例としてのエキシマレーザー用
ミラーの断面図である。
FIG. 11 is a sectional view of a conventional excimer laser mirror as a third example.

【図12】従来の第3の例としてのエキシマレーザー用
ミラーの反射特性図である。
FIG. 12 is a reflection characteristic diagram of a conventional excimer laser mirror as a third example.

【図13】従来の第3の例としてのエキシマレーザー用
ミラーのλ=193.4nmにおける入射角度特性図である。
FIG. 13 is an incident angle characteristic diagram at λ = 193.4 nm of an excimer laser mirror as a third conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11、11'…基板 12、15…保護誘電体膜 13…金属Al膜 14、14'…誘電体多層膜。 11, 11 '... Substrate 12, 15 ... Protective dielectric film 13 ... Metal Al film 14, 14' ... Dielectric multilayer film.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも、基板上に、誘電体膜、金属
膜、高屈折率層及び低屈折率層の交互層を順次積層して
なるエキシマレーザー用ミラーであって、 前記交互層の膜構成がn1L(n1H・n2Li・n1H・n
1L・n2H(n3L・n3Hj・n3L・n2Hであり、かつ光
学的膜厚の関係が、 2n1L・d1L=n1H・d1H=n2L・d2L 2n2H・d2H=n3L・d3L=n3H・d3H1L・d1L>n2H・d2H であることを特徴とするエキシマレーザー用ミラー。但
し、n1L、n2L、n3Lは低屈折率層の屈折率、n1H、n
2H、n3Hは高屈折率層の屈折率、i,j=1,2,3・
・・、n1L・d1L、n1H・d1H、n2L・d2L、n2H・d
2H、n3L・d3L、n3H・d3Hはそれぞれ、膜構成n1L
1H、n2L、n2H、n3L、n3Hの光学的膜厚である。
1. An excimer laser mirror in which at least a dielectric film, a metal film, an alternating layer of a high refractive index layer and a low refractive index layer are sequentially laminated on a substrate, wherein the alternating layer has a film structure. Is n 1L (n 1H・ n 2L ) i・ n 1H・ n
1L・ n 2H (n 3L・ n 3H ) j・ n 3L・ n 2H , and the relationship of optical film thickness is 2n 1L・ d 1L = n 1H・ d 1H = n 2L・ d 2L 2n 2H・An excimer laser mirror characterized in that d 2H = n 3L · d 3L = n 3H · d 3H n 1L · d 1L > n 2H · d 2H . Where n 1L , n 2L and n 3L are the refractive index of the low refractive index layer, n 1H and n
2H and n 3H are the refractive indices of the high refractive index layer, i, j = 1, 2, 3 ·
··, n 1L · d 1L, n 1H · d 1H, n 2L · d 2L, n 2H · d
2H , n 3L · d 3L , n 3H · d 3H are the film constitutions n 1L ,
The optical film thicknesses of n 1H , n 2L , n 2H , n 3L , and n 3H .
【請求項2】 前記n1L・d1Lが0.12〜0.15λであり、
前記n1H・d1H及び前記n2L・d2Lが0.24〜0.30λであ
り、前記 n2H・d2Hが0.10〜0.12λであり、前記n3L
・d3L及び前記n3H・d3Hが0.20〜0.24λであることを
特徴とする請求項1記載のエキシマレーザー用ミラー。
但し、λは設計中心波長である。
2. The n 1L · d 1L is 0.12 to 0.15λ,
The n 1H · d 1H and the n 2L · d 2L are 0.24 to 0.30λ, the n 2H · d 2H is 0.10 to 0.12λ, and the n 3L is
The excimer laser mirror according to claim 1, wherein d 3L and n 3H d 3H are 0.20 to 0.24λ.
However, λ is the design center wavelength.
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