JPH09260790A - 多モード発振する半導体レーザを含む光源装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】戻り光による出力波長や出力強度の変動が少な
い光源装置ないし光送信装置である。 【解決手段】複数の縦モードが同時に発振する半導体レ
ーザ１と、半導体レーザ１の発振波長範囲よりも狭いパ
スバンドを有し、外部からの作用により透過中にパスバ
ンドを変化できる光バンドパスフィルタ２と、外部から
の信号７、８に応じて半導体レーザ１および光バンドパ
スフィルタ２を駆動する回路３、４、５を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、波長多重通信シス
テム等に用いられる光源装置ないし光送信装置などに関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】波長多重通信は、１つの伝送路内に独立
した多数のチャンネルを持つことができる。波長多重通
信は、フレーム同期等の時間軸上での多重化が不要な
為、各チャンネルの伝送速度を一致させる必要がなく、
ネットワークの柔軟性が求められるマルチメディア通信
にも適している。

【０００３】波長多重通信システムの一例として、各端
局が波長可変な１組の光送信器と光受信器を持つシステ
ムがある。送信する端局は、光送信器の波長可変光源の
波長を通信に使われていない波長（波長多重通信の“チ
ャンネル”）に合わせる。一方、受信する端局は、受信
する波長に、光受信器の光バンドパスフィルタ（光フィ
ルタ）の透過スペクトルの中心波長（光フィルタの波
長）を一致させて受信する。システムで利用できる波長
範囲は、光送信器及び光受信器の波長可変範囲から決ま
る。また、チャンネルの波長間隔（チャンネル間隔）は
光受信器の光フィルタの透過スペクトルの幅から決ま
る。

【０００４】波長可変光源としては、波長可変半導体レ
ーザ（半導体レーザをＬＤと呼ぶ）を用いることができ
る。波長可変幅を広げる為の研究が進められているが、
現時点で実用レベルのものは、多電極のＤＢＲ（distri
buted Bragg reflector）型やＤＦＢ（distrbuted feed
back）型のもので、波長可変幅は数ｎｍである。一例と
しては、電子情報通信学会の刊行物ＯＱＥ８９−１１６
“三電極長共振器λ／４シフトＭＱＷ−ＤＦＢレーザ”
記載のものが挙げられる。一方、波長可変フィルタとし
ては、ファブリペロ共振器型のものを用いることができ
る。波長可変幅は数１０ｎｍ、スペクトル幅は０．１ｎ
ｍ程度のものが実用レベルになっている。一例として
は、刊行物ＥＣＯＣ ’９０−６０５，”A field-wort
hy, high-performance, Fabry-Perot filter”記載のも
のを挙げることができる。チャンネル間隔を狭くするこ
とにより、同じ波長可変幅で多くのチャンネルを取るこ
とができる。

【０００５】ＬＤ、光フィルタの波長のドリフトによる
変動幅以下の間隔にする為には、制御によりドリフトの
影響を抑えなければならない。ドリフトの影響を抑える
為には、波長を絶対的、あるいは相対的に安定させるこ
とが必要である。しかし、波長の絶対的な基準の設定は
簡易ではない。また、ＬＡＮのように光送信器が離れた
場所にある通信システム内では相対的に安定化すること
も難しい。

【０００６】これを解決するものとして、本出願人の先
の出願に記載の方法がある。この方式は各光送信器の波
長を、送信を早く開始した順に長波長側（あるいは短波
長側）に一定間隔で配置するもので、絶対的或は相対的
な波長基準を必要としない。すなわち、光送信器の波長
の近傍を光フィルタ（光送信器内にある）で掃引し、隣
接チャンネルとの波長間隔を維持する。以下、従来例と
してその概要を説明する。

【０００７】図９は波長制御方式を適用する光送信器を
用いた光通信システムの一例の構成図である。端局数ｎ
のスター型のネットワークである。図示するように、端
局４−１−１〜ｎ、光ノード４−２−１〜ｎ、ｎ×ｎス
ターカプラ４−３、光ファイバ４−４−１〜ｎ、４−５
−１〜ｎで構成する。また、光ノード４−２−１〜ｎ
は、光送信器４−６、光受信器４−７、光分岐器４−８
で構成する。端局４−１−１〜ｎは各々光ノード４−２
−１〜ｎによりネットワークに接続する。各光ノード４
−２−１〜ｎは送信用の光ファイバ４−４−１〜ｎと受
信用の光ファイバ４−５−１〜ｎでｎ×ｎスターカプラ
４−３と接続する。光送信器４−６からの送信光は送信
用の光ファイバ４−４−１〜ｎでｎ×ｎスターカプラ４
−３へ送る。ｎ×ｎスターカプラ４−３は、その送信光
を均等に各受信用光ファイバ４−５−１〜ｎに分配し各
光ノード４−２−１〜ｎに送る。受信用の４−５−１〜
ｎからの入射光を光分岐器４−８で２つに分け、光受信
器４−７と光送信器４−６に入力する。この構成によ
り、自局の送信光は他局の送信光と一緒に光送信器４−
６の光フィルタに入射する。

【０００８】図１０は従来の波長制御方式を適用する光
送信器の構成図である。図示するように、波長制御系２
−１、ＬＤ２−２、光フィルタ２−３、ＬＤ駆動回路２
−４、光フィルタ駆動回路２−５、受光素子２−６、増
幅器２−７、識別器２−８、光変調器２−９により構成
する。波長制御系２−１は、識別器２−８の出力信号を
元に、ＬＤ駆動回路２−４、光フィルタ制御回路２−５
を制御し、チューニング動作を行なう。チューニングの
開始等は端局４−１から制御される。波長制御系２−１
は、演算処理回路、記憶素子、Ａ／Ｄ変換器、Ｄ／Ａ変
換器等で構成する。記憶素子は、チューニング動作で必
要なパラメータ、動作手順を記憶している。

【０００９】ＬＤ２−２、光フィルタ２−３は上述の素
子を用いる。光フィルタ２−３の透過スペクトルの裾幅
（仮にピークから１０ｄＢ下がった値の幅とする。以
下、λｆｂと呼ぶ）はチャンネル間隔Δλを決める主要
因である。λｆｂはチャンネル間隔Δλ以下の適当な値
に設定する。また、光フィルタ２−３の波長可変範囲は
システム内の全てのＬＤの波長可変範囲より大きい。

【００１０】光変調器２−９はＬＤ２−２の出力光を送
信信号で強度変調する。ＬＤ２−２に注入する電流で直
接変調した場合、０．１ｎｍ程度の波長変動が生じる
為、この例では光変調器２−９による外部強度変調方式
を採用する。

【００１１】ＬＤ駆動回路２−４は、波長制御系２−１
からのＬＤ制御電圧（以下、Ｖｅ（図１０、図１１では
Ｖｌ（ｌａｓｅｒのエル）と記す）と記す）に対応した
波長になるようにＬＤ２−２を駆動（電流を注入）す
る。上記の三電極長共振器λ／４シフトＭＱＷ−ＤＦＢ
レーザを用いる場合は、その出力は３つになる。Ｖｅの
変化量とＬＤ２−２の波長の変化量は比例する。チャン
ネル間隔Δλに対応するＶｅの変化量をΔＶｅとする。
ＬＤ２−２の波長可変範囲の最短波長に対応するＶｅを
Ｖｅｍｉｎ、最長波長に対応するＶｅをＶｅｍａｘとす
る。また、波長制御時のＶｅのステップＶｅｓはΔλ、
λｆｂ等をもとに設定する。ステップＶｅｓは、チャン
ネル間隔Δλに対応するＶｅの変化量ΔＶｅの数から２
０分の１の値が適当である。

【００１２】光フィルタ駆動回路２−５は、波長制御系
２−１からの光フィルタ制御電圧（以下、Ｖｆと記す）
に対応した波長になるように光フィルタ２−３を駆動す
る。Ｖｆの変化量と光フィルタ２−３の波長の変化量は
比例する。チャンネル間隔Δλに対応するＶｆの変化量
をΔＶｆとする。光フィルタ２−３の波長可変範囲の最
短波長に対応するＶｆをＶｆｍｉｎ、最長波長に対応す
るＶｆをＶｆｍａｘとする。また、波長制御時のＶｆの
ステップＶｆｓはＶｅｓに対応する値にする。ここで対
応するとは、ＶｅをＶｅｓ変化させたときのＬＤ２−２
の波長の変化量とＶｆをＶｆｓ変化させたときの光フィ
ルタ２−３の波長の変化量が等しいということである。

【００１３】識別器２−８のしきい値は、伝送路から光
フィルタ２−３に入射する各チャンネルの波長と光フィ
ルタ２−３の波長が一致したときの増幅器２−８の出力
以下の値（例えば半値）に設定する。入力信号がしきい
値以上の場合はＨ、そうでない場合はＬ（Ｈはデジタル
信号の１、Ｌはデジタル信号の０を示す）を出力する。

【００１４】図１１は従来の波長制御方式の動作の説明
図である。“動作１”から“動作２”まであり、各動作
におけるＬＤ、光フィルタの波長の位置関係を示してい
る。図中、λｎ’（ｎ＝１〜４）は、動作を説明する光
送信器がチュ−ニングを開始するときに送信を行なって
いる各光送信器の波長である。λ１は動作を説明する光
送信器のＬＤ２−２の波長である。λｆｓ１は光フィル
タ２−３の掃引開始波長、λｆｓ２は光フィルタ２−３
の掃引終了波長である。

【００１５】この波長制御方式では、ＬＤ２−２（自局
あるいは他局）と光フィルタ２−３の波長が一致したと
きの制御電圧Ｖｅ、Ｖｆにより波長を相対的に関係付
け、波長を制御してチャンネル間隔Δλを一定に保つ。
波長制御系２−１に記憶されているΔＶｅ、ΔＶｆはチ
ャンネル間隔Δλに対して誤差を持っている。このた
め、波長の相対的な関係付けのための波長掃引の範囲
は、両側とも、その誤差を許容できるように大きくす
る。この方式では波長制御の基準となっているのはＶｆ
である。以下の説明では、チャンネル間隔Δλに対応す
るＶｆの変化量ΔＶｆの拡大値をｄＶｆとする。ｄＶｆ
としてはΔＶｆの数から１０分の１が適当である。

【００１６】チュ−ニングは、波長制御系２−１がＶｅ
およびＶｆと識別器２−８の出力（ＨあるいはＬか）を
もとに行なう。他局あるいは自局のＬＤ２−２の波長と
光フィルタの波長２−３が一致した場合のみ、識別器２
−８の出力はＨになる。波長制御系２−１はＬＤ２−２
あるいは光フィルタ２−３の波長を掃引した時に識別器
２−８の出力がＨになる制御電圧（ＬＤの場合はＶｅ、
光フィルタの場合はＶｆ）を記憶する。但し、光フィル
タの透過スペクトル幅より波長の掃引ステップ（ＬＤの
制御電圧の掃引ステップはＶｅｓ、光フィルタの制御電
圧の掃引ステップはＶｆｓ）を小さくした場合は、Ｈと
なる制御電圧が連続する場合があるが、その場合はそれ
らの電圧の平均をとる。

【００１７】チューニング動作について図１１を用いて
説明する。“動作１”について。ＶｅをＶｅｍｉｎとし
ＬＤ２−２を最短波長で発振させ、ＶｆをＶｆｍｉｎか
らＶｆｍｉｎ＋２ΔＶｆ＋ｄＶｆまで掃引する（波長で
はλｆｍｉｎ（図１１ではλｆｓ１と示す）からλｆｍ
ｉｎ＋２Δλ＋ｄλ（図１１ではλｆｓ２と示す）に相
当する）。この動作によりＬＤ２−２の波長と空きチャ
ンネルの有無が分かる。掃引時に識別器２−８の出力が
ＨになったＶｆはＬＤ２−２の波長に対応する。このＶ
ｆの値をＶｆｍとして記憶する。識別器２−８の出力が
一旦Ｌになった後再びＨになった場合は空きチャンネル
無しと判断し、チューニング動作を中止する。そうでな
い場合は、空きチャンネルありと判断し、“動作２”を
行なう。

【００１８】“動作２”について。Ｖｅｍ（Ｖｆｍに対
応する）を前の動作での値として、Ｖｅ＝Ｖｅｍとし、
ＶｆをＶｆｍ−ｄＶｆからＶｆｍ＋ΔＶｆ＋ｄＶｆまで
掃引する（波長ではλｆｍ−ｄλからλｆｍ＋Δλ＋ｄ
λに相当する）。掃引中に識別器２−８の出力が最初に
ＨになったＶｆをＶｆｍｌ、その後一旦Ｌになり再びＨ
になったＶｆをＶｆｍ２として記憶する（但し、再びＨ
にならなかった場合にはＶｆｍ２＝Ｖｆｍｌ＋ΔＶｆ＋
ｄＶｆとする）。そして、 ｜Ｖｆｍ２−Ｖｆｍ１−ΔＶｆ｜≦Ｖｆｓの場合：Ｖｅ
ｍ＝Ｖｅｍ Ｖｆｍ２−Ｖｆｍ１−ΔＶｆ＜−Ｖｆｓの場合：Ｖｅｍ
＝Ｖｅｍ−Ｖｅｓ Ｖｆｍ２−Ｖｆｍ１−ΔＶｆ＞Ｖｆｓの場合：Ｖｅｍ＝
Ｖｅｍ＋Ｖｅｓ とし、この”動作２”を繰り返す。この動作により、動
作説明している光送信器のＬＤ２−２の波長λ１は長波
長側にシフトしていき、長波長側の隣接チャンネル（図
７ではλ４’）とΔλのチャンネル間隔を誤差範囲内で
維持する。

【００１９】ある端局の送信が終了し、その波長の光が
なくなると、その短波長側にある波長の長波長側のチャ
ンネル間隔は２Δλになるが、上記の動作により、長波
長側にシフトし、チャンネル間隔は再びΔλになる。こ
うして定常状態では波長は長波長側からΔλのチャンネ
ル間隔で並ぶ。図１１中、（ｂ）の（１）はシフト開始
時、（２）はシフトが終了してΔλが維持されている状
態を示している。尚、この動作を繰り返している途中、
Ｖｅｍ≧Ｖｅｍａｘとなった場合（この端局が送信を開
始する前に送信している端局がない場合）には、チュー
ニング動作を終了し、Ｖｅ＝Ｖｅｍａｘの状態を維持す
る。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例のシステムでは、線幅の狭い半導体レーザ（例え
ば、分布帰還型半導体レーザ）を光源に用いて波長多重
度を増やしていた。線幅の狭い半導体レーザ（分布帰還
型半導体レーザや分布反射型半導体レーザ）は、戻り光
によりその挙動が不安定となる為に、光源と光伝送路
（光ファイバ）との間に光アイソレータを設け、戻り光
が光源に戻ることを阻止しなければならなかった。ま
た、或る波長範囲の光を得る為に光源である半導体レー
ザの温度を一定の範囲に維持する必要があり、その為に
温度制御装置（例えば、電子冷却素子などを用いたも
の）が必要となっていた。以上から、光アイソレータや
温度制御装置の導入によって光送信装置の構成が複雑に
なり、更に光送信装置は消費電力の大きなものとなって
いた。

【００２１】従って、本出願に係わる第１の発明の目的
は、戻り光による出力波長や出力強度の変動が少ない光
源装置ないし光送信装置を提供することである（主に請
求項１、２に対応する）。

【００２２】また、本出願に係わる第２の発明の目的
は、使用可能な波長範囲を広げたり、あるいは周囲温度
が変化しても同じ波長が使用できるようにすることであ
る（主に請求項３、４に対応する）。

【００２３】また、本出願に係わる第３の発明の目的
は、第１、第２の発明の目的に加えて出力光強度を安定
させることである（主に請求項５に対応する）。

【００２４】また、本出願に係わる第４の発明の目的
は、第１、第２の発明の目的に加えて出力光強度を増加
させることである（主に請求項６に対応する）。

【００２５】また、本出願に係わる第５の発明の目的
は、本発明の光源装置を含む光送信装置を用いた光伝送
システムを提供することである（主に請求項７、８に対
応する）。

【００２６】

【課題を解決する為の手段及び作用】上記課題を解決す
る為に、本発明では、戻り光に強い多モード発振する半
導体レーザを光源に用い、光バンドパスフィルタを用い
て半導体レーザの出力光の一部の波長の光を取り出し、
光バンドパスフィルタの透過中心波長を変化させる光源
装置ないし波長多重用の光送信装置を提供する。

【００２７】詳細には、上記目的を達成する為、本出願
に係わる第１の発明は、多モード発振している半導体レ
ーザと、半導体レーザの多モードがある波長範囲より狭
いパスバンドの光バンドパスフィルタを組み合わせて所
望の波長の光を出力する構成を特徴とする。即ち、第１
の発明の光源装置は、複数の縦モードが同時に発振する
半導体レーザと、該半導体レーザの発振波長範囲よりも
狭い透過波長スペクトルの半値全幅を有し、外部からの
作用により透過中心波長を変化することができる光バン
ドパスフィルタと、外部からの信号に応じて該半導体レ
ーザおよび該光バンドパスフィルタを駆動する回路とを
有していることを特徴とする。更に前記半導体レーザの
出力光の一部または全部を前記光バンドパスフィルタへ
入射させ、該光バンドフィルタからの出射光を外部の光
伝送路へ結合する為の光学的結合手段を有してもよい。
上記構成において、多モード発振している半導体レーザ
は戻り光により発振が乱れにくいので、従来の構成で用
いられていた戻り光を除去する手段（例えばアイソレー
タ）を必要としない構成の光源装置ないし光送信装置を
構成できる。

【００２８】また、本出願に係わる第２の発明は、複数
個の多モード発振する半導体レーザであって各半導体レ
ーザの多モードスペクトルの範囲が異なるものを用いる
ことを特徴とする。即ち、第２の発明の光源装置は、複
数の縦モードが同時に発振する半導体レーザを複数個有
し、該複数個の半導体レーザの発振スペクトル範囲が異
なり、該複数個の半導体レーザの出力光を合流する合流
素子、該合流素子からの出力光の一部の波長範囲の光を
透過する光バンドパスフィルタ、外部からの信号に応じ
て該複数の半導体レーザおよび該光バンドパスフィルタ
を駆動する回路を有していることを特徴とする。更に複
数の縦モードが同時に発振する前記半導体レーザからの
出力光を前記合流素子へ結合させ該合流素子からの出力
光を前記光バンドパスフィルタへ結合させ、該光バンド
パスフィルタからの出力光を外部の光伝送路へ結合する
為の光学的結合手段を有してもよい。上記構成におい
て、１つの光源でカバーできる波長範囲より広い波長範
囲をカバーすることが可能となる。また、１つの半導体
レーザと同じ波長範囲を用いる場合、この構成により、
たとえ１つの半導体レーザの温度が変化して波長範囲が
ずれても、他の半導体レーザが使用波長範囲をカバー出
来るので、使用可能な波長範囲を変えなくて済むという
特徴がある。

【００２９】また、本出願に係わる第３の発明は、光変
調器を用いることにより、半導体レーザを直接変調しな
くて済むようにしたことを特徴とする。即ち、第３の発
明の光源装置は、更に光変調器を有し、前記光バンドパ
スフィルタ又は前記半導体レーザからの出射光を該光変
調器へ入射させ該光変調器又は該光バンドパスフィルタ
からの出射光を外部の光伝送路へ結合する為の光学的結
合手段を有し、該半導体レーザ及び該光バンドパスフィ
ルタおよび該光変調器を外部からの信号に応じて駆動す
る回路を有していることを特徴とする。この構成によ
り、多モード発振している半導体レーザを信号の変調で
乱さなくて済むので、安定した送信を行なうことができ
る。

【００３０】また、本出願に係わる第４の発明は、光増
幅器を用いることにより、出力光強度を大きくしたこと
を特徴とする。即ち、第４の発明の光源装置は、更に光
増幅器を有し、前記光バンドパスフィルタ又は前記半導
体レーザからの出射光を該光増幅器へ入射させ該光増幅
器又は該光バンドパスフィルタからの出射光を外部の光
伝送路へ結合する為の光学的結合手段を有し、該半導体
レーザ及び該光バンドパスフィルタおよび該光増幅器を
外部からの信号に応じて駆動する回路を有していること
を特徴とする。

【００３１】また、本出願に係わる第５の発明は、上記
の光源装置ないし送信器を用いた光送信装置を含むこと
を特徴とする光伝送システムである。この送信器が複数
の異なる波長の光信号を送出することができて、波長多
重型のネットワ−クを構成することもできる。

【００３２】

【発明の実施の形態】実施例１ 図１は本発明の特徴を最も良く表わす図面である。同図
において、１は半導体レーザ、２は光バンドパスフィル
タ、３は制御回路、４は半導体レーザ１の駆動回路、５
は光バンドパスフィルタ２の駆動回路、６はこれらから
成る光送信器、７は信号、８は波長信号である。半導体
レーザ１は、その発振特性が図５に示したように多モー
ド発振しているもの（マルチバイブレーションレーザ）
を用いている。この多モードのスペクトルの半値幅は約
２０ｎｍであった。また、光バンドパスフィルタ２は、
透過波長の半値幅が約２ｎｍのものを使用した。例え
ば、光バンドパスフィルタ２として、ピエゾ圧電素子で
透過波長を変化させることが可能なエタロン型フィルタ
を用いた。

【００３３】図１の構成において、制御回路３は、駆動
回路４及び５を用いて、信号７と波長信号８に基づいて
半導体レーザ１の駆動と変調および光バンドパスフィル
タ２の透過中心波長の設定を行なう。また、半導体レー
ザ１の出力光は、適当な光学部品（図には示していな
い）を用いて光バンドパスフィルタ２へ入射させ、光バ
ンドパスフィルタ２からの出射光は、やはり適当な光学
部品を用いて光伝送路である光ファイバへ結合される。
図２は、従来例の説明で用いた図１０に相当する図であ
り、図１０で示したＬＤ駆動回路２−４、ＬＤ２−２、
光変調器２−９の部分を光送信器６として示してある。

【００３４】次に本実施例を、図９乃至図１１で説明し
たシステムに用いた場合の動作について述べる。全構成
については従来例の所で記述したので、ここでは光送信
器６の部分についてだけ動作説明する。制御回路３はフ
ィルタ用駆動回路５を制御して、光バンドパスフィルタ
２の透過中心波長を所望の初期値に設定して待機する。
更に、制御回路３は、信号７が入力されると半導体レー
ザ用駆動回路４を制御して半導体レーザ１を変調する。

【００３５】次に、識別器２−８等から成る光検出系
（図２参照）より得られた信号を基に制御系２−１より
送出される波長信号８に従って、制御回路３はフィルタ
用駆動回路５を制御し、光バンドパスフィルタ２の透過
中心波長を変化させる。これは上記従来例システムにお
いてＬＤ２−２の発振波長を変化させるのに相当する。
こうして、定常状態では、光バンドパスフィルタ２から
の波長は長波長側からΔλのチャンネル間隔で並ぶ。図
６は、定常状態に至る前の光伝送路中での各チャンネル
の光の波長を示す。

【００３６】実施例２ 図３に本発明の他の実施例を示した。同図において、図
１と同一部材は同一番号で示した。すなわち、半導体レ
ーザ１、光バンドパスフィルタ２、制御回路３、半導体
レーザ用駆動回路４、フィルタ用駆動回路５、変調器用
駆動回路９、光変調器１０、信号７、波長信号８であ
る。本構成で新規な部分は、１０の光変調器、９の光変
調器用駆動回路である。

【００３７】光バンドパスフィルタ２の動作は実施例１
と同様である。信号７を受けた制御回路３は、半導体レ
ーザ用駆動回路４を制御し半導体レーザ１を駆動し、変
調器用駆動回路９を制御し光変調器１０を駆動して信号
７に応じた光信号を得る。この際、半導体レーザ１は常
に発光させておき、信号７に応じて光変調器１０で変調
するだけでよい。光バンドパスフィルタ２と光変調器１
０の位置は交換してもよい。

【００３８】実施例３ 図４に本発明の他の実施例を示した。同図において、図
１と同一部材は同一番号で示した。本構成で新規な部分
は、１２の光増幅器と１１の駆動回路である。基本的動
作は実施例１と同じであるので、ここでは省略する。光
増幅器１２（制御回路３が駆動回路１１を制御して、駆
動されている）は、半導体レーザ１の出力光の一部（光
バンドパスフィルタ２を透過した光）の強度を強くする
為に用いられる。

【００３９】半導体レーザ１は常に発光させておき、信
号７に応じて光増幅器１２で変調する様にしてもよい。
また、光バンドパスフィルタ２と光増幅器１２の位置は
交換してもよい。

【００４０】実施例４ 図７に本発明の第４の実施例を示した。同図において図
１と同一部材は同一番号で示した。本構成で新規な部分
は、合流素子１３と、もう１つの半導体レーザ１５およ
びその駆動回路１４である。半導体レーザ１と１５は図
８に示すようにその発光スペクトルが約１５ｎｍずれて
いる。半導体レーザ１と１５の出力光は合流素子１３で
合流され、見掛け上、発光スペクトル幅が広い光源のよ
うに振る舞う。

【００４１】本構成の基本的な動作は実施例１と同じで
ある。すなわち、信号７を受けた制御回路３は、半導体
レーザ用駆動回路４と１４を制御し半導体レーザ１と１
５を駆動し、変調光出力を得る。また、波長信号８に応
じて制御回路３は、フィルタ用駆動回路５を制御し、光
バンドパスフィルタ２の透過中心波長を制御する。図７
では、２つの半導体レーザに２つの駆動回路を個別に用
いたが、１つの駆動回路で２つの半導体レーザを駆動す
る構成でもよい。また、出力が必要な波長の光を出力可
能な半導体レーザを選択して駆動することも可能であ
る。すなわち、信号７を受けた制御回路３は、波長信号
８に応じた半導体レーザ（この実施例の場合１か１５）
の一方を駆動し変調することにより、半導体レーザを駆
動する電流を低減することができる。この場合、制御回
路３は複数の半導体レーザの発光可能な波長範囲を把握
しておく必要がある。

【００４２】上記で説明したように、本発明は、波長多
重通信に用いる光送信器として使用できるが、波長多重
通信の方法は上記従来例に述べたものに限らず、他の波
長多重通信の方法にも適用できる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように、本出願に係わる第
１の発明によれば、戻り光により出力光の波長や強度の
変動の少ない光源ないし光送信装置を提供できる。本出
願に係わる第２の発明によれば、使用可能な波長範囲を
広げる効果あるいは周囲の温度変化が生じても一定の波
長範囲の光を用いることが可能な効果がある。本出願に
係わる第３の発明によれば、第１又は第２の発明の効果
に加えて、出力光強度を安定したものを提供できる。本
出願に係わる第４の発明によれば、第１又は第２の発明
の効果に加えて、出力光強度を増加させる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の光送信器の第１実施例の構成を示すブ
ロック図である。

【図２】本発明の光送信器の第１実施例を含む光送信装
置の構成を示すブロック図である。

【図３】本発明の光送信器の第２実施例の構成を示すブ
ロック図である。

【図４】本発明の光送信器の第３実施例の構成を示すブ
ロック図である。

【図５】本発明の第１実施例で用いた半導体レーザの発
振スペクトルを示す図である。

【図６】本発明の第１〜第３実施例を用いた波長多重シ
ステムの光伝送路中での光の波長を示す図である。

【図７】本発明の光送信器の第４実施例の構成を示すブ
ロック図である。

【図８】本発明の第４実施例の合流素子１３後の光スペ
クトルを示す図である。

【図９】従来例のところで説明した光通信システムの構
成例を示す図である。

【図１０】従来例のところで説明した光通信システムで
使用された光送信器の構成を示す図である。

【図１１】従来例のところで説明した光通信システムの
波長制御方式の動作を説明する図である。

【符号の説明】

１、１５ 多モード発振する半導体レーザ ２、２−３ 光バンドパスフィルタ ２−１ 制御系 ２−６ 受光素子 ２−７ 増幅器 ２−８ 識別器 ３ 制御回路 ４、１４ 半導体レーザ用駆動回路 ５、２−５ 光フィルタ用駆動回路 ６ 光送信器 ７ 信号 ８ 波長信号 ９ 変調器用駆動回路 １０ 光変調器 １１ 増幅器用駆動回路 １２ 光増幅器 １３ 合流素子 ３２、４２ 第２歪量子井戸部 ４０ 反射防止膜 ５１ 位相制御層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０４Ｂ 10/02

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】複数の縦モードが同時に発振する半導体レ
   ーザと、該半導体レーザの発振波長範囲よりも狭い透過
   波長スペクトルの半値全幅を有し、外部からの作用によ
   り透過中心波長を変化することができる光バンドパスフ
   ィルタと、外部からの信号に応じて該半導体レーザおよ
   び該光バンドパスフィルタを駆動する回路とを有してい
   ることを特徴とする光源装置。
2. 【請求項２】更に前記半導体レーザの出力光の一部また
   は全部を前記光バンドパスフィルタへ入射させ、該光バ
   ンドフィルタからの出射光を外部の光伝送路へ結合する
   為の光学的結合手段を有していることを特徴とする請求
   項１記載の光源装置。
3. 【請求項３】複数の縦モードが同時に発振する半導体レ
   ーザを複数個有し、該複数個の半導体レーザの発振スペ
   クトル範囲が異なり、該複数個の半導体レーザの出力光
   を合流する合流素子、該合流素子からの出力光の一部の
   波長範囲の光を透過する光バンドパスフィルタ、外部か
   らの信号に応じて該複数の半導体レーザおよび該光バン
   ドパスフィルタを駆動する回路を有していることを特徴
   とする光源装置。
4. 【請求項４】更に複数の縦モードが同時に発振する前記
   半導体レーザからの出力光を前記合流素子へ結合させ該
   合流素子からの出力光を前記光バンドパスフィルタへ結
   合させ、該光バンドパスフィルタからの出力光を外部の
   光伝送路へ結合する為の光学的結合手段を有しているこ
   とを特徴とする請求項３記載の光源装置。
5. 【請求項５】更に光変調器を有し、前記光バンドパスフ
   ィルタ又は前記半導体レーザからの出射光を該光変調器
   へ入射させ該光変調器又は該光バンドパスフィルタから
   の出射光を外部の光伝送路へ結合する為の光学的結合手
   段を有し、該半導体レーザ及び該光バンドパスフィルタ
   および該光変調器を外部からの信号に応じて駆動する回
   路を有していることを特徴とする請求項１または３記載
   の光源装置。
6. 【請求項６】更に光増幅器を有し、前記光バンドパスフ
   ィルタ又は前記半導体レーザからの出射光を該光増幅器
   へ入射させ該光増幅器又は該光バンドパスフィルタから
   の出射光を外部の光伝送路へ結合する為の光学的結合手
   段を有し、該半導体レーザ及び該光バンドパスフィルタ
   および該光増幅器を外部からの信号に応じて駆動する回
   路を有していることを特徴とする請求項１または３記載
   の光源装置。
7. 【請求項７】 請求項１乃至６の何れかに記載の光源装
   置を光送信器として含むことを特徴とする光伝送システ
   ム。
8. 【請求項８】 前記送信器が複数の異なる波長の光信号
   を送出することができて波長多重型のネットワ−クを構
   成することを特徴とする請求項７記載の光伝送システ
   ム。