JPH09260426A - Mounting board, mounting method and semiconductor device - Google Patents

Mounting board, mounting method and semiconductor device

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JPH09260426A
JPH09260426A JP9006496A JP9006496A JPH09260426A JP H09260426 A JPH09260426 A JP H09260426A JP 9006496 A JP9006496 A JP 9006496A JP 9006496 A JP9006496 A JP 9006496A JP H09260426 A JPH09260426 A JP H09260426A
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JP
Japan
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electronic component
wiring board
circuit surface
circuit
recess
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JP9006496A
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Japanese (ja)
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Akihiko Okuhora
明彦 奥洞
Takashi Akasaka
貴志 赤坂
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Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
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    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
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    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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    • H01L2924/15151Shape the die mounting substrate comprising an aperture, e.g. for underfilling, outgassing, window type wire connections
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    • H01L2924/1531Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
    • H01L2924/15311Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface being a ball array, e.g. BGA

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To maintain the high-speed and high-frequency characteristics of electronic parts to obtain their high-density mountings, in relation to mounting boards, mounting methods and semiconductor devices. SOLUTION: There is formed a circuit board 20 having on its one surface a recessed portion 21B with a single step-surface or a plurality of step-surfaces and having on the respective step-surfaces of the recessed portion 21B and/or on its one surface a single land or a plurality of lands 24 provided oppositely to the electrodes disposed on the circuit-surface of an electronic part mounted on it. Then, joining the electrodes of the electronic part to the opposite lands 24 thereto of the circuit board 20 via bumps 25, an insulation resin is filled subsequently into the gap between the respective step-surfaces of the recessed portion 21B of the circuit board 20 or its one surface and the circuit-surface of the electronic part of form hollow portions between the respective step-surfaces of the recessed portion 21B of the circuit board 20 and the predetermined regions of the respective opposite circuit-surfaces thereto of the electronic part and to seal the electronic part. As a result the designed values of both wiring patterns and the constants of the characteristic impedance of passive elements, etc., which are formed on the circuit-surface of the electronic part can be maintained.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【目次】以下の順序で本発明を説明する。 発明の属する技術分野 従来の技術(図7) 発明が解決しようとする課題(図8及び図9) 課題を解決するための手段(図1〜図6) 発明の実施の形態 (1)第1実施例(図1) (2)第2実施例(図2) (3)他の実施例(図3〜図6) 発明の効果[Table of Contents] The present invention will be described in the following order. TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION Conventional Technology (FIG. 7) Problem to be Solved by the Invention (FIGS. 8 and 9) Means for Solving the Problem (FIGS. 1 to 6) Embodiment of the Invention (1) First Embodiment (FIG. 1) (2) Second embodiment (FIG. 2) (3) Other embodiment (FIGS. 3 to 6)

【0002】[0002]

【発明の属する技術分野】本発明は実装基板、実装方法
及び半導体装置に関し、例えば多層配線基板の一面にベ
アチツプが実装されてなる実装基板及び当該ベアチツプ
の実装方法、さらには多層配線基板の一面にベアチツプ
が実装されてなる半導体装置に適用して好適なものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a mounting board, a mounting method, and a semiconductor device. For example, a mounting board in which a bare chip is mounted on one surface of a multilayer wiring board, a mounting method for the bare chip, and further, one surface of the multilayer wiring board. It is suitable for application to a semiconductor device in which a bare chip is mounted.

【0003】[0003]

【従来の技術】近年、情報通信機器においては、セルラ
電話、総合デイジタル通信サービス網(ISDN:Inte
grated Services Digital Network )及びパーソナルコ
ンピユータ(PC)等における情報通信(ネツトワー
ク)技術の進展により高周波通信回路や高速シリアルイ
ンターフエイス回路等のような回路ブロツクの搭載が図
られている。
2. Description of the Related Art In recent years, in information communication equipment, cellular telephones and integrated digital communication service networks (ISDN: Inte
With the progress of information communication (network) technology in grated Services Digital Network) and personal computers (PCs), circuit blocks such as high frequency communication circuits and high speed serial interface circuits are being mounted.

【0004】この回路ブロツクにおいては、半導体チツ
プの高密度実装により小型化及びコンパクト化が望まれ
ていると共に、当該半導体チツプに対する高速動作及び
ノイズ等を考慮した実装方法が望まれている。このた
め、このような要望を実現する高密度実装技術として、
マルチチツプモジユール(MCM:Multichip Module)
やフリツプチツプ実装等のベアチツプ実装が注目されて
いる。
In this circuit block, miniaturization and compactness are desired by high-density mounting of semiconductor chips, and a mounting method considering high-speed operation and noise for the semiconductor chips is desired. Therefore, as a high-density mounting technology that realizes such demands,
Multi Chip Module (MCM: Multichip Module)
Attention is being paid to bare chip mounting such as flip chip mounting and flip chip mounting.

【0005】通常、ベアチツプを用いたフリツプチツプ
実装においては、当該ベアチツプの回路面に形成された
複数の電極(以下、これをパツドと呼ぶ)上にそれぞれ
はんだ等でなるバンプを形成し、この後ベアチツプの回
路面と多層配線基板でなる主配線基板(以下、これをマ
ザーボードと呼ぶ)の一面とを対向させてベアチツプの
各バンプをそれぞれマザーボードの一面に設けられた対
応するランドに接合させることにより当該マザーボード
の一面にベアチツプを実装し得るようになされている。
Usually, in flip-chip mounting using a bare chip, bumps made of solder or the like are formed on a plurality of electrodes (hereinafter referred to as pads) formed on the circuit surface of the bare chip, and then the bare chip is formed. The bumps of the bare chip are bonded to the corresponding lands provided on the one surface of the mother board by facing the circuit surface of the above and one surface of the main wiring board (hereinafter, referred to as a mother board) composed of the multilayer wiring board. The bare chip can be mounted on one surface of the motherboard.

【0006】この場合このフリツプチツプ実装において
は、ワイヤボンデイグ等の手法を用いてマザーボードの
一面にベアチツプを実装した場合に比べて、ベアチツプ
の各パツドとそれぞれマザーボードの対応するランドと
を接合する接合部(バンプ)の長さを短くし得ることに
より、バンプにおけるインダクタンス及び容量を低減さ
せることができ、かくしてベアチツプの高速特性及び高
周波特性を向上し得るようになされている。
In this case, in this flip chip mounting, as compared with the case where the bare chip is mounted on one surface of the motherboard by using a method such as wire bonding, a bonding portion (bump) for bonding each pad of the bare chip and the corresponding land of the motherboard. By shortening the length of (1), the inductance and capacitance in the bump can be reduced, and thus the high speed characteristics and high frequency characteristics of the bare chip can be improved.

【0007】なおベアチツプが実装されるマザーボード
としては、通常、ガラスエポキシ又はガラスポリイミド
等の有機基板と所定の配線パターンとが順次積層形成さ
れてなる多層配線基板、アルミナ又はムライト等のセラ
ミツク基板と所定の配線パターンとが順次積層形成され
てなる多層配線基板又はシリコン基板の一面に銅等でな
る所定の配線パターン層及びポリイミド層が順次積層形
成されてなる多層配線基板等が用いられる。
The mother board on which the bare chip is mounted is usually a multilayer wiring board formed by sequentially laminating an organic substrate such as glass epoxy or glass polyimide and a predetermined wiring pattern, and a ceramic substrate such as alumina or mullite. There is used a multi-layer wiring substrate in which the wiring pattern of 1) is sequentially laminated, or a multi-layer wiring substrate in which a predetermined wiring pattern layer made of copper or the like and a polyimide layer are sequentially laminated on one surface of a silicon substrate.

【0008】ここで、フリツプチツプ実装によつてマザ
ーボードの一面にベアチツプが実装された実装基板の一
例を図7に示す。この実装基板1においては、ベアチツ
プ2の回路面2Aの最外周に沿つて所定ピツチに複数設
けられたパツド3と、これら各パツド3に対応させてマ
ザーボード4の一面4Aに設けられたランド5とが例え
ば高融点はんだでなるバンプ6を介して接合されること
により、当該マザーボード4の一面4Aにベアチツプ2
が実装される。
Here, FIG. 7 shows an example of a mounting board in which a bare chip is mounted on one surface of a motherboard by flip chip mounting. In this mounting board 1, a plurality of pads 3 are provided on a predetermined pitch along the outermost periphery of the circuit surface 2A of the bare chip 2, and lands 5 provided on one surface 4A of the mother board 4 corresponding to these pads 3. Are bonded to each other via bumps 6 made of high melting point solder, so that the bare chip 2 is attached to one surface 4A of the mother board 4.
Is implemented.

【0009】この場合、まずベアチツプ2においては回
路面2Aに設けられた各パツド3が例えばアルミニウム
でなり、これら各パツド3上には例えばチタン、白金、
金でなる金属皮膜層が順次積層形成されてこれら各金属
皮膜層からなるBLM(BallLimiting Metal )膜層7
が形成されている。また各BLM膜層7上にはそれぞれ
バンプ6が形成されており、当該BLM膜層7はバンプ
6のパツド3への相互拡散を防止し得るようになされて
いる。
In this case, first, in the bare chip 2, each pad 3 provided on the circuit surface 2A is made of, for example, aluminum, and on each pad 3, for example, titanium, platinum,
A BLM (Ball Limiting Metal) film layer 7 formed by sequentially laminating metal film layers made of gold
Are formed. Further, the bumps 6 are formed on the respective BLM film layers 7, and the BLM film layers 7 can prevent mutual diffusion of the bumps 6 into the pad 3.

【0010】一方、マザーボード4においては、セラミ
ツク基板層8と銅等でなる所定の配線パターン層9とが
交互に積層形成されてなり、当該マザーボード4の一面
4Aの各ランド5上には、それぞれ例えば共晶はんだで
なるはんだプリコート層10が積層形成されている。
On the other hand, in the mother board 4, ceramic board layers 8 and predetermined wiring pattern layers 9 made of copper or the like are alternately laminated, and each land 5 on one surface 4A of the mother board 4 is respectively formed. For example, a solder precoat layer 10 made of eutectic solder is laminated.

【0011】これによりこの実装基板1においては、リ
フロー時、高融点はんだは溶融せず、かつ共晶はんだが
溶融する程度の温度ではんだプリコート層10がリフロ
ーされ、これにより溶融されたはんだプリコート層10
が各バンプ6に溶着される。この場合、マザーボード4
の一面4Aに実装されたベアチツプ2においては各バン
プ6の形状が実装前とほぼ同じ形状に保たれることによ
り、当該マザーボード4の一面4Aに対するベアチツプ
2の高さ精度を維持し得るようになされている。
As a result, in the mounting substrate 1, the solder precoat layer 10 is reflowed at a temperature at which the high melting point solder does not melt and the eutectic solder melts during reflow, and the melted solder precoat layer 10
Are welded to each bump 6. In this case, motherboard 4
In the bare chip 2 mounted on the one surface 4A of the motherboard 4, the shape of each bump 6 is kept substantially the same as that before mounting, so that the height accuracy of the bare chip 2 with respect to the one surface 4A of the motherboard 4 can be maintained. ing.

【0012】ところで、このようにマザーボード4の一
面4Aに実装されたベアチツプ2を動作させると当該ベ
アチツプ2は発熱する。ところがマザーボード4とベア
チツプ2との熱膨張係数が異なるため、これら熱膨張係
数の違いに起因して各バンプ6に応力が集中して各バン
プ6を破損させる場合がある。従つて、通常このような
実装基板1においては、マザーボード4の一面4Aにベ
アチツプ2が実装された後、当該マザーボード4の一面
4Aとベアチツプ2の回路面2Aとの間の隙間に所定の
絶縁性樹脂11が充填され、これによりベアチツプ2が
封止されている。
By the way, when the bear chip 2 mounted on the one surface 4A of the mother board 4 is operated, the bear chip 2 generates heat. However, since the mother board 4 and the bare chip 2 have different thermal expansion coefficients, stress may be concentrated on the bumps 6 due to the difference in the thermal expansion coefficients, and the bumps 6 may be damaged. Therefore, in such a mounting board 1, usually, after the bare chip 2 is mounted on the one surface 4A of the mother board 4, a predetermined insulating property is provided in the gap between the one surface 4A of the mother board 4 and the circuit surface 2A of the bare chip 2. The resin 11 is filled, and the bare chip 2 is sealed thereby.

【0013】この場合、絶縁性樹脂11は、バンプ6を
埋め込むようになされており、マザーボード4とベアチ
ツプ2との熱膨張係数の違いに起因してバンプ6に生じ
る応力集中を緩和させ、当該バンプ6の破損を防止し得
ると共に、ベアチツプ2の回路面2Aを覆い、当該回路
面2Aを外気に含まれる不純物や水分から保護し得るよ
うになされている。
In this case, the insulating resin 11 is designed to embed the bumps 6, and alleviates the stress concentration generated in the bumps 6 due to the difference in the thermal expansion coefficient between the mother board 4 and the bare chip 2, and the bumps 6 concerned. The damage of 6 can be prevented, the circuit surface 2A of the bare chip 2 can be covered, and the circuit surface 2A can be protected from impurities and moisture contained in the outside air.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】ところで図8に示すよ
うに、各種ベアチツプ2のなかでも特に高周波素子等に
おいては、シリコン又はガリウム砒素等の化合物半導体
でなる半導体基板15上に金、アルミニウム又は銅等で
なるグランド層16及び所定の第1の比誘電率を有する
絶縁膜層17が順次積層形成され、当該絶縁膜層17上
には金、アルミニウム又は銅等でなる所定の配線パター
ン18が形成されて構成されている。この場合このよう
な高周波素子等においては、第1の絶縁膜層17と対向
する側が空気中に露出された状態において第1の絶縁膜
層17の厚さh、配線パターン18の厚さd及び配線パ
ターン18の幅wに基づいて予め配線パターン18が所
定の特性インピーダンス値を有するように設計されてお
り、このようにして所定の高速特性及び高周波特性を有
するように設計されている。
By the way, as shown in FIG. 8, among various types of bare chips 2, particularly in a high frequency element or the like, gold, aluminum or copper is formed on a semiconductor substrate 15 made of a compound semiconductor such as silicon or gallium arsenide. And the like, and an insulating film layer 17 having a predetermined first relative permittivity are sequentially laminated, and a predetermined wiring pattern 18 made of gold, aluminum, copper or the like is formed on the insulating film layer 17. Is configured. In this case, in such a high-frequency element, the thickness h of the first insulating film layer 17, the thickness d of the wiring pattern 18, and the thickness d of the wiring pattern 18 in the state where the side facing the first insulating film layer 17 is exposed to the air. The wiring pattern 18 is designed in advance so as to have a predetermined characteristic impedance value based on the width w of the wiring pattern 18, and thus is designed to have a predetermined high speed characteristic and high frequency characteristic.

【0015】ところが上述した実装基板1においては、
ベアチツプ2の回路面2Aに空気の比誘電率とは異なる
第2の比誘電率を有する絶縁性樹脂11が形成されるこ
とにより、当該回路面2Aに形成されている配線パター
ン18の容量が増加する等して特性インピーダンスが設
計値と異なる値になり、ベアチツプ2の高速特性及び高
周波特性を損なう問題があつた。
However, in the mounting board 1 described above,
By forming the insulating resin 11 having the second relative dielectric constant different from the relative dielectric constant of air on the circuit surface 2A of the bare chip 2, the capacitance of the wiring pattern 18 formed on the circuit surface 2A is increased. As a result, the characteristic impedance becomes a value different from the designed value, and there is a problem that the high speed characteristics and high frequency characteristics of the bare chip 2 are impaired.

【0016】ここで、例えばベアチツプ2の配線パター
ン18上に 5、10、15、20〔μm 〕程度の厚みを有する
樹脂層19が形成された際のこの配線パターン18にお
けるインピーダンス値の変化の様子を図9に示す。まず
特性点群Aは配線パターン18の幅wを10〔μm 〕程度
とした場合のインピーダンス値の変化の様子を示し、特
性点群Bは配線パターン18の幅wを20〔μm 〕程度と
した場合のインピーダンス値の変化の様子を示す。また
特性点群Cは配線パターン18の幅wを40〔μm 〕程度
として場合のインピーダンス値の変化の様子を示す。
Here, for example, when the resin layer 19 having a thickness of about 5, 10, 15, 20 [μm] is formed on the wiring pattern 18 of the bare chip 2, a change in impedance value of the wiring pattern 18 is formed. Is shown in FIG. First, the characteristic point group A shows how the impedance value changes when the width w of the wiring pattern 18 is set to about 10 [μm], and the characteristic point group B sets the width w of the wiring pattern 18 to about 20 [μm]. The change of the impedance value in the case is shown. Characteristic point group C shows how the impedance value changes when the width w of the wiring pattern 18 is set to about 40 [μm].

【0017】この場合、図9からも明らかなように、1
0、20及び40〔μm 〕程度の幅wを有する配線パターン
18がそれぞれ空気中に露出された状態において90
〔Ω〕、70〔Ω〕及び50〔Ω〕程度のインピーダンス値
を有するように設計されているのに対して、これら各配
線パターン18上に樹脂層19が形成され、さらにこの
樹脂層19の厚さが 5、10、15、20〔μm 〕程度と増加
することによりこれら各配線パターン18のインピーダ
ンス値は低下する。すなわちこれはマザーボード4の一
面4Aに実装されたベアチツプ2を絶縁性樹脂11によ
つて封止することにより当該ベアチツプ2の回路面2A
に形成された配線パターン18のインピーダンス値が設
計値に対して異なる値になることを表している。
In this case, as is clear from FIG.
The wiring pattern 18 having a width w of about 0, 20 and 40 [μm] is 90 when exposed to the air.
While it is designed to have impedance values of about [Ω], 70 [Ω], and 50 [Ω], a resin layer 19 is formed on each of these wiring patterns 18, and the resin layer 19 As the thickness increases to about 5, 10, 15, 20 [μm], the impedance value of each wiring pattern 18 decreases. That is, this is because the circuit board 2A of the bare chip 2 is formed by sealing the bare chip 2 mounted on the one surface 4A of the mother board 4 with the insulating resin 11.
This means that the impedance value of the wiring pattern 18 formed on the wiring has a different value from the design value.

【0018】このため、特にMMIC(Monolithic Mic
rowave Integrated Circuit )や所定の高速デイジタル
IC等のマイクロストリツプ(Microstrip)線路又はコ
ープレーナ(Coplanor)線路においては、絶縁性樹脂1
1によつて覆われて各伝送線路のインピーダンス値が設
計値と異なる値になつた場合、インピーダンスマツチン
グを損ない、ゲイン(Gain)特性を悪化させる問題があ
つた。これに加え、これらMMICや高速デイジタルI
Cにおいては、予め回路面に形成されている渦巻き状の
インダクタ等の受動素子の定数に変化を生じると共に、
浮遊容量が増加して誘電ロスを生じると共に負荷特性が
悪化することにより高速特性及び高周波特性が悪化する
問題があつた。
Therefore, in particular, MMIC (Monolithic Mic)
In a microstrip line or a coplanar line such as a rowave integrated circuit) or a predetermined high-speed digital IC, insulating resin 1 is used.
When the impedance value of each transmission line is covered with 1 and becomes a value different from the design value, there is a problem that impedance matching is impaired and gain characteristics are deteriorated. In addition to these, these MMICs and high-speed digital I
In C, the constant of a passive element such as a spiral inductor formed in advance on the circuit surface is changed, and
There is a problem that high-speed characteristics and high-frequency characteristics are deteriorated because stray capacitance is increased to cause dielectric loss and load characteristics are deteriorated.

【0019】またベアチツプ2の回路面2Aに形成され
たFET(Field Effect Transistor )においては、ノ
イズ特性がゲート容量に依存している。ところがFET
の上部に絶縁性樹脂11が形成された場合には、この絶
縁性樹脂11がノイズ特性の悪化の原因となり、ゲート
容量を増加させてノイズ特性を変化させる問題があつ
た。
Further, in the FET (Field Effect Transistor) formed on the circuit surface 2A of the bare chip 2, the noise characteristic depends on the gate capacitance. However, FET
When the insulating resin 11 is formed on the upper part of the above, the insulating resin 11 causes deterioration of the noise characteristic, and there is a problem that the gate capacitance is increased and the noise characteristic is changed.

【0020】またマザーボード4の一面4Aに実装され
る電子部品として、表面音波の振動に基づいて特性を得
る弾性表面波(SAW:Surfaace Achoustic Wave )フ
イルタ等のフイルタチツプにおいては、絶縁性樹脂11
によつて回路面が覆われることにより表面音波の振動を
得難くなり、特性が大幅に変化する問題があつた。この
ため、このようなフイルタチツプをマザーボード4に実
装する場合には、例えばセラミツク基板及び所定の配線
パターンからなる多層配線基板に設けられた凹部内にフ
イルタチツプを実装し、この後多層配線基板の凹部を塞
ぐようにメタル等でなるシーリングキヤツプによつてシ
ーリングすることにより半導体装置を形成し、当該半導
体装置をマザーボード4の一面4Aに実装する方法が考
えられる。ところがこの方法では、シーリングキヤツプ
を用いて多層配線基板の凹部をシーリングするシーリン
グ工程が必要となり、フイルタチツプの実装工程が煩雑
になる。さらにはフイルタチツプが搭載された実装基板
1のコストが増大する問題があつた。
In addition, as an electronic component mounted on the one surface 4A of the mother board 4, in a filter such as a surface acoustic wave (SAW) filter which obtains characteristics based on the vibration of surface acoustic waves, an insulating resin 11 is used.
As a result, the circuit surface is covered, so that it becomes difficult to obtain the vibration of the surface acoustic wave, and there is a problem that the characteristics are significantly changed. For this reason, when mounting such a filter on the mother board 4, for example, the filter is mounted in the recess provided in the multilayer wiring board including the ceramic board and a predetermined wiring pattern, and then the recess of the multilayer wiring board is mounted. A method is conceivable in which a semiconductor device is formed by sealing with a sealing cap made of metal or the like so as to close it, and the semiconductor device is mounted on one surface 4A of the motherboard 4. However, this method requires a sealing step of sealing the concave portion of the multilayer wiring board by using a sealing cap, which complicates the mounting step of the filter chip. Further, there is a problem that the cost of the mounting board 1 on which the filter chip is mounted increases.

【0021】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、電子部品の高速特性及び高周波特性を維持して高密
度実装し得る実装基板、実装方法及び半導体装置を提案
しようとするものである。
The present invention has been made in consideration of the above points, and is intended to propose a mounting substrate, a mounting method, and a semiconductor device which can be mounted at high density while maintaining high-speed characteristics and high-frequency characteristics of electronic components. is there.

【0022】[0022]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、回路面に単数又は複数の電極が設
けられた電子部品と、一面に単数又は複数の段差面を有
する凹部を有し、当該凹部の各段差面上及び又は一面上
に電子部品の各電極に対応させて単数又は複数のランド
が設けられた配線基板と、電子部品の各電極をそれぞれ
配線基板の対応するランドに接合するバンプと、配線基
板の凹部の各段差面又は配線基板の一面と、各段差面又
は一面とそれぞれ対応する電子部品の回路面との間の隙
間に充填され、配線基板の凹部の各段差面とそれぞれ対
向する電子部品の回路面の所定領域との間に中空部を形
成して電子部品を封止する絶縁性樹脂とを設けるように
する。
In order to solve the above problems, the present invention has an electronic component having a circuit surface on which a single or a plurality of electrodes are provided, and a recess having a single or a plurality of step surfaces on one surface. , A wiring board on which one or more lands are provided on each step surface and / or one surface of the recess corresponding to each electrode of the electronic component, and each electrode of the electronic component is bonded to the corresponding land of the wiring substrate. The bumps, the step surfaces of the concave portion of the wiring board or one surface of the wiring board, and the gaps between the step surfaces or the circuit surfaces of the electronic components respectively corresponding to the bump surfaces, and the step surfaces of the concave portions of the wiring board. An insulating resin for sealing the electronic component is formed by forming a hollow portion between each of them and a predetermined area of the circuit surface of the electronic component facing each other.

【0023】また本発明においては、回路面に単数又は
複数の電極が設けられた電子部品と、一面に単数又は複
数の段差面を有する凹部を有し、当該凹部の各段差面上
及び又は一面上に電子部品の各電極に対応させて単数又
は複数のランドが設けられた配線基板と、電子部品の各
電極をそれぞれ配線基板の対応するランドに接合すると
共に、電子部品及び配線基板を一体に保持する、電子部
品の回路面とほぼ同じ形状でなり、かつ当該回路面の所
定領域に応じた開口を有する異方性導電膜とを設けるよ
うにする。
Further, according to the present invention, an electronic component having a circuit surface on which a single or a plurality of electrodes are provided and a recess having a single or a plurality of step surfaces on one surface are provided on each step surface and / or one surface of the recess. A wiring board on which one or more lands are provided corresponding to each electrode of the electronic component, and each electrode of the electronic component is bonded to the corresponding land of the wiring substrate, and the electronic component and the wiring board are integrated. An anisotropic conductive film having a shape substantially the same as the circuit surface of the electronic component to be held and having an opening corresponding to a predetermined region of the circuit surface is provided.

【0024】さらに本発明においては、一面に単数又は
複数の段差面を有する凹部を有し、当該凹部の各段差面
上及び又は一面上に実装する電子部品の回路面に設けら
れた電極に対応させて単数又は複数のランドが設けられ
た配線基板を形成する第1の工程と、電子部品の電極と
配線基板の対応するランドとをバンプを介して接合する
第2の工程と、配線基板の凹部の各段差面又は配線基板
の一面と、各段差面又は一面とそれぞれ対応する電子部
品の回路面との間の隙間に絶縁性樹脂を充填することに
より配線基板の凹部の各段差面とそれぞれ対向する電子
部品の回路面の所定領域との間に中空部を形成して電子
部品を封止する第3の工程とを設けるようにする。
Further, in the present invention, there is provided a concave portion having one or a plurality of step surfaces on one surface, and the concave portion corresponds to the electrode provided on each step surface and / or the circuit surface of the electronic component mounted on the one surface. A first step of forming a wiring board provided with a single or a plurality of lands, and a second step of joining electrodes of an electronic component and corresponding lands of the wiring board via bumps; By filling an insulating resin in a gap between each step surface of the concave portion or one surface of the wiring board and each step surface or one surface of the circuit surface of the corresponding electronic component, each step surface of the concave portion of the wiring board is respectively filled. A third step of forming a hollow portion between the opposing electronic component and a predetermined region of the circuit surface to seal the electronic component is provided.

【0025】さらに本発明においては、一面に単数又は
複数の段差面を有する凹部を有し、当該凹部の各段差面
上及び又は一面上に実装する電子部品の回路面に設けら
れた電極に対応させて単数又は複数のランドが設けられ
た配線基板を形成する第1の工程と、電子部品の電極と
配線基板の対応するランドとを、電子部品の回路面とほ
ぼ同じ形状でなり、かつ当該回路面の所定領域に応じた
開口を有する異方性導電膜を介して接合すると共に、当
該異方性導電膜を介して電子部品及び配線基板を一体に
保持する第2の工程とを設けるようにする。
Further, in the present invention, there is provided a concave portion having one or a plurality of step surfaces on one surface, and it corresponds to an electrode provided on each step surface of the concave portion and / or a circuit surface of an electronic component mounted on the one surface. The first step of forming a wiring board provided with a single or a plurality of lands, and the electrode of the electronic component and the corresponding land of the wiring board have substantially the same shape as the circuit surface of the electronic component, and And a second step of joining together through an anisotropic conductive film having an opening corresponding to a predetermined region of the circuit surface and holding the electronic component and the wiring board together through the anisotropic conductive film. To

【0026】一面に単数又は複数の段差面を有する凹部
を有し、当該凹部の各段差面上及び又は一面上に実装す
る電子部品の回路面に設けられた電極に対応させて単数
又は複数のランドが設けられた配線基板を形成し、次い
で電子部品の電極と配線基板の対応するランドとをバン
プを介して接合し、続いて配線基板の凹部の各段差面又
は配線基板の一面と、各段差面又は一面とそれぞれ対応
する電子部品の回路面との間の隙間に絶縁性樹脂を充填
することにより配線基板の凹部の各段差面とそれぞれ対
向する電子部品の回路面の所定領域との間に中空部を形
成して電子部品を封止するようにしたことにより、電子
部品の回路面に形成された配線パターン及び受動素子を
外気から遮断して中空部に露出させることができるの
で、当該電子部品の回路面のこれら配線パターン及び受
動素子の特性インピーダンス等の定数を設計値のまま維
持することができる。
A recess having a single or a plurality of step surfaces is provided on one surface, and a single or a plurality of electrodes are provided corresponding to each step surface of the recess and / or an electrode provided on a circuit surface of an electronic component mounted on the one surface. A wiring board provided with lands is formed, and then the electrodes of the electronic component and the corresponding lands of the wiring board are joined via bumps, and then each step surface of the concave portion of the wiring board or one surface of the wiring board and each By filling an insulating resin in the gap between the step surface or one surface and the circuit surface of the corresponding electronic component, between the step surface of the concave portion of the wiring board and a predetermined area of the circuit surface of the electronic component facing each other. By forming the hollow portion in the to seal the electronic component, it is possible to shield the wiring pattern and the passive element formed on the circuit surface of the electronic component from the outside air and expose the hollow portion in the hollow portion. Of electronic components The constant characteristic impedance, etc. of the wiring pattern and the passive elements of the road surface can be maintained at the design value.

【0027】一面に単数又は複数の段差面を有する凹部
を有し、当該凹部の各段差面上及び又は一面上に実装す
る電子部品の回路面に設けられた電極に対応させて単数
又は複数のランドが設けられた配線基板を形成し、次い
で電子部品の電極と配線基板の対応するランドとを、電
子部品の回路面とほぼ同じ形状でなり、かつ当該回路面
の所定領域に応じた開口を有する異方性導電膜を介して
接合すると共に、当該異方性導電膜を介して電子部品及
び配線基板を一体に保持するようにしたことにより、電
子部品の回路面に形成された配線パターン及び受動素子
を外気からほぼ確実に遮断して中空部に露出させること
ができるので、当該電子部品の回路面のこれら配線パタ
ーン及び受動素子の特性インピーダンス等の定数を設計
値のまま維持することができる。
A recess having a single or a plurality of step surfaces is provided on one surface, and a single or a plurality of electrodes are provided corresponding to each step surface of the recess and / or an electrode provided on a circuit surface of an electronic component mounted on the one surface. A wiring board provided with lands is formed, and then the electrodes of the electronic component and the corresponding lands of the wiring board are made to have an almost same shape as the circuit surface of the electronic component, and an opening corresponding to a predetermined area of the circuit surface is formed. The wiring pattern formed on the circuit surface of the electronic component and the electronic component and the wiring board are integrally held together through the anisotropic conductive film that the electronic component and the wiring board have. Since the passive element can be almost certainly shielded from the outside air and exposed in the hollow portion, constants such as the wiring pattern on the circuit surface of the electronic component and the characteristic impedance of the passive element are maintained at the designed values. Door can be.

【0028】[0028]

【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施例を詳述する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0029】(1)第1実施例 図1において、20は全体として第1実施例による実装
基板を示し、一面21Aに凹部21Bを有するマザーボ
ード21の当該一面21Aに、凹部21Bを塞ぐように
ベアチツプ22が当該ベアチツプ22の回路面22Aの
最外周に沿つて複数設けられたパツド23とそれぞれマ
ザーボード21の一面21Aに対応させて設けられたラ
ンド24とを高融点はんだでなるバンプ25を介して接
合されて実装されている。またベアチツプ22の回路面
22Aとマザーボード21の一面21Aとの間の隙間に
は、当該マザーボード21の凹部21Bと対向するベア
チツプ22の回路面22Aの所定領域との間に中空部2
6を有し、かつ各バンプ25を埋め込むように絶縁性樹
脂27が充填されており、これによりベアチツプ22が
封止されている。
(1) First Embodiment In FIG. 1, reference numeral 20 denotes a mounting substrate according to the first embodiment as a whole, and a bare chip is formed on the one surface 21A of a mother board 21 having a recess 21B on one surface 21A so as to close the recess 21B. A plurality of pads 23 are provided along the outermost periphery of the circuit surface 22A of the bare chip 22 and lands 24 provided corresponding to the one surface 21A of the mother board 21 through bumps 25 made of high melting point solder. Has been implemented. In addition, in the gap between the circuit surface 22A of the bare chip 22 and the one surface 21A of the motherboard 21, a hollow portion 2 is provided between the concave portion 21B of the motherboard 21 and a predetermined area of the circuit surface 22A of the bare chip 22 that faces the concave portion 21B.
6 and is filled with an insulating resin 27 so as to embed each bump 25, whereby the bare chip 22 is sealed.

【0030】この場合マザーボード21においては、セ
ラミツク基板層30と所定の配線パターン層31とが交
互に積層形成されてなり、一面21Aに設けられた各ラ
ンド24上にはそれぞれ共晶はんだでなるはんだプリコ
ート層32が形成されている。このはんだプリコート層
32にはバンプ25が溶着されて接合されている。
In this case, in the mother board 21, the ceramic substrate layers 30 and the predetermined wiring pattern layers 31 are alternately laminated, and the lands 24 provided on the one surface 21A are each made of eutectic solder. The precoat layer 32 is formed. The bumps 25 are welded and joined to the solder precoat layer 32.

【0031】ここで各バンプ25においては、マザーボ
ード21の一面21Aとベアチツプ22の回路面22A
との間の距離(すなわち、マザーボード21の一面21
Aに対するベアチツプ22の高さ)が所定の設計値とな
るように予め形状及び大きさが選定されており、当該バ
ンプ25が予め選定された形状及び大きさを保持した状
態でマザーボード21のはんだプリコート層32に接合
される。これにより、マザーボード21の一面21Aに
対するベアチツプ22の高さにおける信頼性を確保し得
るようになされている。
Here, in each bump 25, one surface 21A of the mother board 21 and the circuit surface 22A of the bare chip 22.
Distance (ie, one side 21 of the motherboard 21)
The shape and size are selected in advance so that the height of the bare chip 22 with respect to A is a predetermined design value, and the solder pre-coating of the motherboard 21 is performed with the bumps 25 having the shape and size selected in advance. Bonded to layer 32. As a result, the reliability of the height of the bare chip 22 with respect to the one surface 21A of the motherboard 21 can be ensured.

【0032】またベアチツプ22においては、回路面2
2Aの各パツド23が例えばアルミニウムでなり、これ
ら各パツド23上にはそれぞれBLM膜層33が形成さ
れている。これら各BLM膜層33上には、それぞれバ
ンプ25が形成されており、このBLM膜層33はバン
プ25(高融点はんだ)のパツド(アルミニウム)23
への相互拡散を防止し得るようになされている。
In the bare chip 22, the circuit surface 2
Each pad 23 of 2A is made of aluminum, for example, and a BLM film layer 33 is formed on each pad 23. Bumps 25 are formed on the respective BLM film layers 33, and the BLM film layers 33 are formed by pads (aluminum) 23 of the bumps 25 (high melting point solder).
It is designed to prevent mutual diffusion to the.

【0033】さらにこのベアチツプ22においては、中
空部26と接する回路面22Aの所定領域が絶縁性樹脂
27によつて実装基板20の周辺の外気から遮断され、
当該回路面22Aの所定領域が外気に含まれる不純物及
び水分から保護されている。これに加え、このベアチツ
プ22においては回路面22Aの所定領域に形成された
図示しない配線パターン及び受動素子が中空部26に露
出されており、これら配線パターン及び受動素子の特性
インピーダンス等の定数を設計値のまま維持し得るよう
になされている。
Further, in this bare chip 22, a predetermined area of the circuit surface 22A which is in contact with the hollow portion 26 is shielded from the outside air around the mounting substrate 20 by the insulating resin 27,
A predetermined area of the circuit surface 22A is protected from impurities and moisture contained in the outside air. In addition to this, in the bare chip 22, the wiring pattern and passive elements (not shown) formed in a predetermined area of the circuit surface 22A are exposed in the hollow portion 26, and constants such as characteristic impedance of these wiring patterns and passive elements are designed. It is designed so that the value can be maintained.

【0034】ここで、実際上この実装基板20において
は、以下に示す手順によつてマザーボード21の一面2
1Aにベアチツプ22を実装することができる。すなわ
ち、まずメツキ法及び蒸着法等の手法によつてベアチツ
プ22の回路面22Aの各パツド23上に例えばチタ
ン、白金、金でなる各金属皮膜層を順次積層形成してこ
れら金属皮膜層からなるBLM膜層33を積層形成す
る。
Here, in practice, in this mounting board 20, one surface 2 of the mother board 21 is processed by the following procedure.
The bare chip 22 can be mounted on 1A. That is, first, metal coating layers made of, for example, titanium, platinum, and gold are sequentially laminated on each pad 23 of the circuit surface 22A of the bare chip 22 by a method such as a plating method and a vapor deposition method to form these metal coating layers. The BLM film layer 33 is laminated.

【0035】次いで、ベアチツプ22の回路面22Aに
フオトレジスト膜を積層形成し、当該フオトレジスト膜
を各BLM膜層33に応じて露光した後、現像してこれ
ら各BLM膜層33を露出させる。次いでメツキ法又は
蒸着法等の手法によつてフオトレジスト膜上に高融点は
んだを構成する錫及び鉛でなるバンプ材料を積層形成
し、この後ベアチツプ22の回路面22Aからフオトレ
ジスト膜を剥離することにより、各BLM膜層33上に
それぞれバンプ材料を積層形成する。次いで各BLM膜
層33上のバンプ材料にフラツクスを塗布し、この後こ
れら各バンプ材料を所定の温度でリフローして溶融させ
ることによりこれら各BLM膜層33上にそれぞれ高融
点はんだでなるバンプ25を形成する。
Next, a photoresist film is laminated on the circuit surface 22A of the bare chip 22, the photoresist film is exposed in accordance with each BLM film layer 33, and then developed to expose each BLM film layer 33. Next, a bump material made of tin and lead forming a high melting point solder is laminated on the photoresist film by a method such as a plating method or a vapor deposition method, and then the photoresist film is peeled from the circuit surface 22A of the bare chip 22. As a result, a bump material is laminated on each BLM film layer 33. Next, a flux is applied to the bump material on each BLM film layer 33, and then each of these bump materials is reflowed and melted at a predetermined temperature to thereby form a bump 25 made of a high melting point solder on each BLM film layer 33. To form.

【0036】続いてセラミツク基板層30と配線パター
ン層31とを交互に積層形成し、最上層のセラミツク基
板層30の所定位置に凹部21Bを形成すると共に、こ
の最上層のセラミツク基板層30における一面の凹部2
1Bの開口21Cの周辺部にベアチツプ22の各パツド
23にそれぞれ対応させてランド24を形成してマザー
ボード21を形成する。この後このマザーボード21の
一面21Aに各ランド24にそれぞれ対応させて開口が
形成されたメタルマスクを載上する。
Subsequently, the ceramic substrate layer 30 and the wiring pattern layer 31 are alternately laminated to form a concave portion 21B at a predetermined position of the uppermost ceramic substrate layer 30, and one surface of the uppermost ceramic substrate layer 30 is formed. Recess 2
A land 24 is formed in the peripheral portion of the opening 21C of 1B so as to correspond to each pad 23 of the bare chip 22 to form the mother board 21. Thereafter, a metal mask having openings formed on the one surface 21A of the mother board 21 corresponding to the respective lands 24 is mounted.

【0037】次いで印刷法によつてメタルマスク上に所
定の粘性を有する共晶はんだを滴下し、当該メタルマス
クの上面をスキージを移動させることにより各開口を介
してそれぞれランド24上に共晶はんだを印刷する。続
いてマザーボード21の一面21Aからメタルマスクを
取り除き、この後各ランド24上の共晶はんだを所定の
温度でリフローすることによりこれら各ランド24上に
はんだプリコート層32を積層形成する。
Next, a eutectic solder having a predetermined viscosity is dropped on the metal mask by a printing method, and a squeegee is moved on the upper surface of the metal mask to form the eutectic solder on each land 24 through each opening. To print. Subsequently, the metal mask is removed from the one surface 21A of the mother board 21, and then the eutectic solder on each land 24 is reflowed at a predetermined temperature to form a solder precoat layer 32 on each land 24.

【0038】次いでマザーボード21の一面21Aに各
ランド24を覆うようにフラツクスを塗布する。続いて
所定の実装装置を用いてマザーボード21の一面21A
とベアチツプ22の回路面22Aとを対向させ、この後
ベアチツプ22の各パツド23上に形成された各バンプ
25をそれぞれマザーボード21の対応するランド24
に当接させて位置決めする。
Next, a flux is applied to one surface 21A of the mother board 21 so as to cover each land 24. Then, using a predetermined mounting device, one surface 21A of the motherboard 21
And the circuit surface 22A of the bare chip 22 are opposed to each other, and then the bumps 25 formed on the pads 23 of the bare chip 22 are connected to the corresponding lands 24 of the motherboard 21, respectively.
And position it.

【0039】次いで所定の加熱装置を用いてマザーボー
ド21とベアチツプ22とを、高融点はんだ(バンプ2
5)は溶融せず、かつ共晶はんだ(はんだプリコート層
32)が溶融する所定の温度でリフローし、これにより
溶融された各はんだプリコート層32をそれぞれ対応す
るバンプ25に溶着させる。これによりベアチツプ22
の各パツド23とそれぞれマザーボード21の対応する
ランド24とをバンプ25を介して物理的及び電気的に
接合する。この後所定の洗浄液を用いてマザーボード2
1の一面21A及びベアチツプ22の回路面22Aに付
着した余分なフラツクスを洗浄する。
Then, using a predetermined heating device, the mother board 21 and the bare chip 22 are connected to each other with high melting point solder (bump 2
5) does not melt, and reflows at a predetermined temperature at which the eutectic solder (solder precoat layer 32) melts, thereby melting each solder precoat layer 32 to the corresponding bump 25. As a result, the bare chip 22
The pads 23 and the corresponding lands 24 of the mother board 21 are physically and electrically joined via the bumps 25. After this, a predetermined cleaning liquid is used to remove the motherboard 2
The extra flax adhering to the one surface 21A of 1 and the circuit surface 22A of the bare chip 22 is cleaned.

【0040】続いてベアチツプ22の回路面22Aとマ
ザーボード21の一面21Aとの間の隙間に所定の粘性
を有する絶縁性樹脂27を充填する。この場合絶縁性樹
脂27は、毛細管現象によつてマザーボード21の凹部
21Bの開口21Cから当該凹部21B内には充填され
ず、各バンプ25を埋め込むようにこれら各バンプ25
の周辺部にのみ充填される。この後ベアチツプ22の回
路面22Aとマザーボード21の一面21Aとの間の隙
間の絶縁性樹脂27を加熱して硬化させる。これにより
ベアチツプ22の回路面22Aの所定領域が中空部26
に露出され、かつ絶縁性樹脂27によつてベアチツプ2
2が封止された状態で当該ベアチツプ22をマザーボー
ド21の一面21Aに実装することができる。
Subsequently, the gap between the circuit surface 22A of the bare chip 22 and the one surface 21A of the mother board 21 is filled with an insulating resin 27 having a predetermined viscosity. In this case, the insulating resin 27 is not filled into the concave portion 21B from the opening 21C of the concave portion 21B of the mother board 21 due to the capillary phenomenon, and the bumps 25 are embedded so that the bumps 25 are embedded.
It is filled only in the peripheral area. After that, the insulating resin 27 in the gap between the circuit surface 22A of the bare chip 22 and the one surface 21A of the mother board 21 is heated and cured. As a result, the predetermined area of the circuit surface 22A of the bare chip 22 is formed in the hollow portion 26.
Exposed by the insulating resin 27 and exposed to the bare chip 2
The bare chip 22 can be mounted on the one surface 21 </ b> A of the mother board 21 in a state where 2 is sealed.

【0041】以上の構成において、まずベアチツプ22
の回路面22Aの各パツド23上にそれぞれBLM膜層
33を積層形成し、この後これら各BLM膜層33上に
それぞれバンプ25を形成する。次いで一面21Aに凹
部21Bを有するマザーボード21を形成し、当該マザ
ーボード21の一面21Aに形成された各ランド24上
にはんだプリコート層32を積層形成する。続いてマザ
ーボード21の一面21Aにフラツクスを塗布し、この
後ベアチツプ22の各パツド23上のバンプ25をマザ
ーボード21の対応するランド24にそれぞれ当接させ
て位置決めする。
In the above structure, the bare chip 22 is first
A BLM film layer 33 is laminated on each pad 23 of the circuit surface 22A, and then a bump 25 is formed on each BLM film layer 33. Next, the mother board 21 having the concave portion 21B on the one surface 21A is formed, and the solder precoat layer 32 is laminated and formed on each land 24 formed on the one surface 21A of the mother board 21. Subsequently, a flux is applied to the one surface 21A of the mother board 21, and then the bumps 25 on the pads 23 of the bare chip 22 are brought into contact with the corresponding lands 24 of the mother board 21 to be positioned.

【0042】次いでマザーボード21の各はんだプリコ
ート層32をリフローして対応するバンプ25に溶着さ
せ、これによりベアチツプ22の各パツド23とそれぞ
れマザーボード21の対応するランド24とをバンプ2
5を介して接合する。この後マザーボード21の一面2
1A及びベアチツプ22の回路面22Aを洗浄して余分
なフラツクスを洗浄する。続いてマザーボード21の一
面21Aとベアチツプ22の回路面22Aとの間の隙間
に絶縁性樹脂27を充填し、この後この絶縁性樹脂27
を硬化させてベアチツプ22を封止する。これによりマ
ザーボード21の一面21Aにベアチツプ22を実装す
ることができる。
Next, the solder precoat layers 32 of the mother board 21 are reflowed and welded to the corresponding bumps 25, whereby the pads 23 of the bare chip 22 and the corresponding lands 24 of the mother board 21 are bumped.
Join through 5. After this, one side 2 of the motherboard 21
1A and the circuit surface 22A of the bare chip 22 are washed to wash excess flux. Subsequently, the insulating resin 27 is filled in the gap between the one surface 21A of the mother board 21 and the circuit surface 22A of the bare chip 22.
Is cured to seal the bare chip 22. Thereby, the bare chip 22 can be mounted on the one surface 21A of the motherboard 21.

【0043】従つて、この実装方法においては、凹部2
1Bが形成されたマザーボード21の一面21Aに当該
凹部21Bを塞ぐようにベアチツプ22を実装した後、
これらベアチツプ22の回路面22Aとマザーボード2
1の一面21Aとの間の隙間に絶縁性樹脂27を充填し
てマザーボード21の凹部21Bとベアチツプ22の回
路面22Aの所定領域との間に中空部26を形成するよ
うにしたことにより、ベアチツプ22の回路面22Aの
所定領域を外気から遮断させた状態で中空部26に露出
させることができるので、当該ベアチツプ22の回路面
22Aの所定領域に形成された配線パターン及び受動素
子を空気中に露出させた状態において設計した場合と同
様の状態にすることができ、かくして配線パターン及び
受動素子の特性インピーダンス等の定数を設計値のまま
維持することができる。
Therefore, in this mounting method, the recess 2 is formed.
After mounting the bare chip 22 on the one surface 21A of the mother board 21 on which 1B is formed so as to close the concave portion 21B,
The circuit surface 22A of these bare chips 22 and the motherboard 2
The gap between the first surface 21A and the first surface 21A is filled with the insulating resin 27 to form the hollow portion 26 between the concave portion 21B of the mother board 21 and the predetermined area of the circuit surface 22A of the bare chip 22. Since the predetermined area of the circuit surface 22A of 22 can be exposed to the hollow portion 26 in a state of being shielded from the outside air, the wiring pattern and the passive element formed in the predetermined area of the circuit surface 22A of the bare chip 22 can be exposed to the air. The exposed state can be the same as in the case of designing, and thus the constants such as the wiring pattern and the characteristic impedance of the passive element can be maintained at the designed values.

【0044】この場合このような実装方法によつてマザ
ーボード21の一面21Aにベアチツプ22が実装され
た実装基板20においては、マザーボード21の凹部2
1Bと対向するベアチツプ22の回路面22Aの所定領
域との間に中空部26を有するように当該ベアチツプ2
2の回路面22Aとマザーボード21の一面21Aとの
間の隙間に充填された絶縁性樹脂27によつて当該ベア
チツプ22を封止するようにしたことにより、ベアチツ
プ22の回路面22Aの所定領域に形成された配線パタ
ーン及び受動素子を外気から遮断させた状態で中空部2
6に露出させることができるので、これら配線パターン
及び受動素子の特性インピーダンス等の定数の設計値を
維持することができる。これに加え、ベアチツプ22の
回路面22Aの所定領域を外気に含まれる不純物及び水
分から保護するようにしたことにより、ベアチツプ22
の信頼性を大幅に向上させることができる。
In this case, in the mounting board 20 in which the bare chip 22 is mounted on the one surface 21A of the mother board 21 by such a mounting method, the recess 2 of the mother board 21 is formed.
1B so as to have a hollow portion 26 between a predetermined area of the circuit surface 22A of the bear chip 22 facing the 1B.
Since the bare chip 22 is sealed by the insulating resin 27 filled in the gap between the second circuit surface 22A and the one surface 21A of the motherboard 21, a predetermined area of the circuit surface 22A of the bare chip 22 is formed. Hollow part 2 with the formed wiring pattern and passive elements shielded from the outside air
Since it can be exposed at 6, the design values of constants such as the characteristic impedance of these wiring patterns and passive elements can be maintained. In addition to this, by protecting a predetermined area of the circuit surface 22A of the bare chip 22 from impurities and moisture contained in the outside air, the bare chip 22 is formed.
Can be significantly improved.

【0045】さらにこの実装基板20においては、絶縁
性樹脂27によつて各バンプ25を埋め込むようにして
ベアチツプ22を封止するようにしたことにより、実装
されたベアチツプ22を動作させて発熱した場合、マザ
ーボード21とベアチツプ22との熱膨張係数の違いに
起因して各バンプ25に生じる応力集中を緩和させるこ
とができるので各バンプ25の破損を防止することがで
き、かくしてベアチツプ22の寿命を大幅に向上させる
ことができる。
Further, in the mounting board 20, when the bumps 25 are filled with the insulating resin 27 so as to seal the bare chips 22, the mounted bare chips 22 are operated to generate heat. Since the stress concentration generated in each bump 25 due to the difference in thermal expansion coefficient between the mother board 21 and the bare chip 22 can be relieved, the damage of each bump 25 can be prevented, and thus the life of the bare chip 22 can be greatly extended. Can be improved.

【0046】以上の構成によれば、マザーボード21の
一面21Aに凹部21Bを塞ぐようにベアチツプ22を
実装し、この後このマザーボード21の一面21Aとベ
アチツプ22の回路面22Aとの間の隙間に絶縁性樹脂
27を充填してベアチツプ22を封止するようにしたこ
とにより、ベアチツプ22の回路面22Aの所定領域に
形成された配線パターン及び受動素子を中空部26に露
出させることができるので、当該回路面22Aのこれら
配線パターン及び受動素子の特性インピーダンス等の定
数を設計値のまま維持することができ、かくして電子部
品の高速特性及び高周波特性を維持して高密度実装し得
る実装基板及び実装方法を実現することができる。
According to the above construction, the bare chip 22 is mounted on the one surface 21A of the mother board 21 so as to close the concave portion 21B, and thereafter, the insulating is provided in the gap between the one surface 21A of the mother board 21 and the circuit surface 22A of the bare chip 22. By filling the conductive resin 27 to seal the bare chip 22, the wiring pattern and the passive element formed in the predetermined region of the circuit surface 22A of the bare chip 22 can be exposed in the hollow portion 26. A mounting board and a mounting method capable of maintaining constants such as the characteristic impedances of the wiring pattern and the passive element of the circuit surface 22A as designed values and thus maintaining high-speed characteristics and high-frequency characteristics of the electronic component for high-density mounting Can be realized.

【0047】(2)第2実施例 図2において、40は全体として第2実施例による半導
体装置を示し、一面41Aに第1の凹部41Bを有する
と共に当該第1の凹部41Bの底面41Cに複数の第2
の凹部41D(例えば2つ)を有する多層配線基板41
の当該第1の凹部41Bの底面41Cに、各第2の凹部
41Dをそれぞれ塞ぐようにベアチツプ42が当該ベア
チツプ42の回路面42Aに複数設けられたパツド43
とそれぞれ多層配線基板41の底面41Cに対応させて
設けられたランド44とを高融点はんだでなるバンプ4
5を介して接合させて実装されている。
(2) Second Embodiment In FIG. 2, reference numeral 40 denotes a semiconductor device according to the second embodiment as a whole, which has a first recess 41B on one surface 41A and a plurality of bottom surfaces 41C of the first recess 41B. Second
Multilayer wiring board 41 having concave portions 41D (for example, two)
Pad 43 in which a plurality of bare chips 42 are provided on the circuit surface 42A of the bare chip 42 on the bottom surface 41C of the first concave part 41B so as to close each of the second concave parts 41D.
And the lands 44 provided respectively corresponding to the bottom surface 41C of the multilayer wiring board 41 with the bumps 4 made of high melting point solder.
It is mounted by joining via 5.

【0048】またこの半導体装置40においては、各第
2の凹部41Dとそれぞれ対応するベアチツプ42の回
路面42Aとの間の隙間に、これら各第2の凹部41D
とそれぞれ対向するベアチツプ42の回路面42Aの所
定領域との間にそれぞれ中空部46を有するように第1
の絶縁性樹脂47が充填されて各ベアチツプ42が封止
され、さらに各ベアチツプ42をオーバコートするよう
に多層配線基板41の第1の凹部41B内に第2の絶縁
性樹脂48が充填されている。
In the semiconductor device 40, the second recesses 41D are formed in the gaps between the second recesses 41D and the corresponding circuit surfaces 42A of the bare chip 42.
The first hollow portion 46 and the predetermined portion of the circuit surface 42A of the bare chip 42 facing each other.
Of the insulating resin 47 to seal each of the bare chips 42, and further to fill each of the bare chips 42 with the second insulating resin 48 in the first recess 41B of the multilayer wiring board 41. There is.

【0049】この場合ベアチツプ42においては、回路
面42Aの所定領域に形成された図示しない配線パター
ン及び受動素子が中空部46に露出されており、これに
よりこれら配線パターン及び受動素子の特性インピーダ
ンス等の定数の設計値を維持し得るようになされてい
る。またベアチツプ42においては、第2の絶縁性樹脂
48によつてオーバコードすることにより、各ベアチツ
プ42を機械的及び電気的に保護し得るようになされて
いる。
In this case, in the bare chip 42, the wiring pattern and passive elements (not shown) formed in a predetermined area of the circuit surface 42A are exposed in the hollow portion 46, so that the characteristic impedance of these wiring patterns and passive elements, etc. It is designed to maintain the constant design value. Further, in the bare chips 42, each of the bare chips 42 can be mechanically and electrically protected by overcoding with the second insulating resin 48.

【0050】多層配線基板41においては、セラミツク
基板層50と所定の配線パターン層51とが交互に積層
形成されてなり、各配線パターン層51間において対応
する配線パターン同士がビア52を介して接合されてい
る。また多層配線基板41の他面41Eには最外周に沿
つて複数の外部接続用電極53が設けられており、これ
ら各外部接続用電極53とそれぞれ対応するランド44
とが各配線パターン層51の配線パターン及びビア53
を介して電気的に接合されている。
In the multilayer wiring board 41, the ceramic substrate layers 50 and the predetermined wiring pattern layers 51 are alternately laminated, and the corresponding wiring patterns between the wiring pattern layers 51 are bonded to each other via the vias 52. Has been done. A plurality of external connection electrodes 53 are provided along the outermost circumference on the other surface 41E of the multilayer wiring board 41, and the lands 44 corresponding to the external connection electrodes 53 are provided.
And the wiring pattern of each wiring pattern layer 51 and the via 53.
Are electrically connected to each other.

【0051】さらに多層配線基板41の第1の凹部41
Bの底面41Cに設けられた各ランド44上にはそれぞ
れ共晶はんだでなるはんだプリコート層54が形成され
ており、これら各はんだプリコート層54にはバンプ4
5が溶着されて接合されている。またベアチツプ42に
おいては、回路面42Aのアルミニウムでなる各パツド
43上にそれぞれBLM膜層55が形成されており、こ
れら各BLM膜層55にそれぞれバンプ45が接合され
ている。
Further, the first recess 41 of the multilayer wiring board 41 is provided.
A solder precoat layer 54 made of eutectic solder is formed on each land 44 provided on the bottom surface 41C of B. The bump 4 is formed on each solder precoat layer 54.
5 are welded and joined. In the bare chip 42, the BLM film layers 55 are formed on the pads 43 made of aluminum on the circuit surface 42A, and the bumps 45 are bonded to the BLM film layers 55.

【0052】これにより半導体装置40では、多層配線
基板41の各外部接続用電極53をそれぞれ図示しない
マザーボードの対応するランドに接合して当該マザーボ
ードに実装することができると共に、この状態において
半導体装置40に実装された各ベアチツプ42が外部接
続用電極53及び配線パターン層51を介してマザーボ
ードから信号を入力し、又は信号を出力し得るようにな
されている。
As a result, in the semiconductor device 40, the external connection electrodes 53 of the multilayer wiring board 41 can be bonded to the corresponding lands of the motherboard (not shown) and mounted on the motherboard, and in this state, the semiconductor device 40 can be mounted. Each of the bare chips 42 mounted on is capable of inputting a signal from the mother board or outputting a signal via the external connection electrode 53 and the wiring pattern layer 51.

【0053】以上の構成において、この半導体装置40
においては、ベアチツプ42の回路面42Aに形成され
た配線パターン及び受動素子を中空部46に露出させる
ようにしたことにより、これら配線パターン及び受動素
子が空気中に露出された状態を想定して設計された配線
パターン及び受動素子の特性インピーダンス等の定数を
設計値のまま維持することができる。
With the above structure, the semiconductor device 40
In the above, since the wiring pattern and the passive element formed on the circuit surface 42A of the bare chip 42 are exposed in the hollow portion 46, the wiring pattern and the passive element are designed on the assumption that they are exposed to the air. It is possible to maintain constants such as the designed wiring pattern and the characteristic impedance of the passive element as designed values.

【0054】以上の構成によれば、多層配線基板41の
各第2の凹部41Dをそれぞれ塞ぐようにベアチツプ4
2を実装すると共に、当該多層配線基板41の底面41
Cとベアチツプ42の回路面42Aとの間の隙間に、各
第2の凹部41Dと対向するベアチツプ42の回路面4
2Aの所定領域との間に中空部46を有するように第1
の絶縁性樹脂47を充填するようにしたことにより、各
ベアチツプ42の回路面42Aの所定領域に形成された
配線パターン及び受動素子を中空部46に露出させるこ
とができるので、当該回路面42Aの配線パターン及び
受動素子の特性インピーダンス等の定数を設計値のまま
維持することができ、かくして電子部品の高速特性及び
高周波特性を維持して高密度実装し得る半導体装置を実
現することができる。
According to the above structure, the bare chip 4 is formed so as to close each second recess 41D of the multilayer wiring board 41.
2 is mounted, and the bottom surface 41 of the multilayer wiring board 41 is mounted.
In the gap between C and the circuit surface 42A of the bare chip 42, the circuit surface 4 of the bare chip 42 facing each second recess 41D.
First to have a hollow portion 46 between the predetermined area of 2A
Since the wiring pattern and the passive element formed in the predetermined area of the circuit surface 42A of each bare chip 42 can be exposed in the hollow portion 46 by filling the insulating resin 47 of FIG. It is possible to maintain constants such as the characteristic impedance of the wiring pattern and the passive element as designed values, and thus it is possible to realize a semiconductor device capable of high-density mounting while maintaining high-speed characteristics and high-frequency characteristics of electronic components.

【0055】(3)他の実施例 なお上述の第1実施例においては、ベアチツプ22の回
路面22Aとマザーボード21の一面21Aとの間の隙
間に充填された絶縁性樹脂27によつて当該ベアチツプ
22を封止するようにした場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、図1との対応部分に同一符号を付し
て示す図3に示すように、実装基板60においては絶縁
性樹脂27によつてベアチツプ22を封止した後、デイ
スペンサ等を用いてベアチツプ22の裏面22B側にエ
ポキシ樹脂等のように種々の樹脂材61を滴下して加熱
硬化させることによりベアチツプ22をオーバコートす
るようにしても良い。これによりベアチツプ22を機械
的及び電気的に保護することができる。
(3) Other Embodiments In the above-described first embodiment, the insulating resin 27 filled in the gap between the circuit surface 22A of the bare chip 22 and the one surface 21A of the motherboard 21 is used for the bare chip. Although the case where 22 is sealed has been described, the present invention is not limited to this, and as shown in FIG. 3 in which parts corresponding to those in FIG. After the bare chip 22 is sealed with the resin 27, various resin materials 61 such as epoxy resin are dropped on the back surface 22B side of the bare chip 22 by using a dispenser or the like, and the bare chip 22 is overcoated by heat curing. It may be done. Thereby, the bare chip 22 can be protected mechanically and electrically.

【0056】また上述の第1及び第2実施例において
は、ベアチツプ22及び42の回路面21A及び41A
とマザーボード21の一面21A及び多層配線基板41
の底面41Cとの間の隙間に絶縁性樹脂27及び第1の
絶縁性樹脂47を充填するようにした場合について述べ
たが、本発明はこれに限らず、マザーボード21の一面
21A及び多層配線基板41の底面41Cの各ランド2
4及び44上に異方性導電膜(ACF:Anisotropic Co
nductive Film )や導電性ペースト等のこの他種々の導
電性部材を積層形成すると共に、高融点はんだでなるバ
ンプ25及び45に変えて金等のこの他種々の導電性金
属でなるバンプを用いることにより、これら導電性部材
とバンプとを介してベアチツプ22及び42の各パツド
23及び43とそれぞれマザーボード21及び多層配線
基板41の対応するランド24及び44とを接合するよ
うにしても良い。
Further, in the above-described first and second embodiments, the circuit surfaces 21A and 41A of the bare chips 22 and 42 are used.
And one surface 21A of the motherboard 21 and the multilayer wiring board 41
The case in which the insulating resin 27 and the first insulating resin 47 are filled in the gap between the bottom surface 41C of the above is described, but the present invention is not limited to this, and the one surface 21A of the motherboard 21 and the multilayer wiring board. Each land 2 on the bottom surface 41C of 41
Anisotropic conductive film (ACF: Anisotropic Co) on 4 and 44
Numerous other conductive members such as nductive film) and conductive paste are laminated, and bumps 25 and 45 made of high melting point solder are used instead of bumps made of other conductive metal such as gold. Therefore, the pads 23 and 43 of the bare chips 22 and 42 and the corresponding lands 24 and 44 of the mother board 21 and the multilayer wiring board 41 may be bonded to each other through the conductive members and the bumps.

【0057】ここで例えば図1との対応部分に同一符号
を付して示す図4は、金でなるバンプ65と異方性導電
膜66とを用いてマザーボード21の一面21Aにベア
チツプ22が実装された実装基板67を示す。すなわ
ち、ベアチツプ22の回路面22Aに設けられた各パツ
ド23上に、それぞれパツド23(アルミニウム)と金
との相互拡散を防止し得るチタンナイトライド(TiN )
等の金属皮膜層からなるバリアメタル(Barrier Metal
)層68を積層形成し、このバリアメタル層68上に
バンプ65を形成する。
Here, for example, in FIG. 4 in which parts corresponding to those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals, the bare chip 22 is mounted on the one surface 21A of the motherboard 21 by using the bumps 65 made of gold and the anisotropic conductive film 66. The mounted mounting board 67 is shown. That is, on each pad 23 provided on the circuit surface 22A of the bare chip 22, titanium nitride (TiN) capable of preventing mutual diffusion of the pad 23 (aluminum) and gold, respectively.
Barrier Metal consisting of a metal film layer such as
) Layer 68 is laminated, and bumps 65 are formed on the barrier metal layer 68.

【0058】またマザーボード21の一面21Aに、ベ
アチツプ22の回路面22Aとほぼ同じ形状でなり、か
つ凹部21Bに応じた開口を有する異方性導電膜66を
各ランド24を覆うように積層形成する。この後バンプ
65と異方性導電膜66とを加熱圧着して接合させると
共に、当該ベアチツプ22及びマザーボード21を一体
に保持させることにより、ベアチツプ22をマザーボー
ド21の一面21Aに実装することができる。この場合
も第1及び第2実施例と同様の効果を得ることができ
る。
An anisotropic conductive film 66 having the same shape as the circuit surface 22A of the bare chip 22 and having an opening corresponding to the recess 21B is laminated on the one surface 21A of the mother board 21 so as to cover each land 24. . Thereafter, the bumps 65 and the anisotropic conductive film 66 are heated and pressure-bonded to each other, and the bare chip 22 and the mother board 21 are held integrally, so that the bare chip 22 can be mounted on the one surface 21A of the mother board 21. Also in this case, the same effects as those of the first and second embodiments can be obtained.

【0059】ところで上述した実装基板67において
は、マザーボード21の一面21Aにベアチツプ22を
実装する場合、当該マザーボード21の凹部21Bに応
じて異方性導電膜66を打ち抜いて開口を形成する工程
が必要となる。しかしながら異方性導電膜66を用いる
ことによりフラツクス等の活性材を必要とせずにベアチ
トツプ22を実装することができ、当該フラツクスの塗
布工程及びフラツクスの洗浄工程を除くことができる。
これに加えベアチツプ22の回路面22Aとマザーボー
ド21の一面21Aとの間の隙間に絶縁性樹脂27を充
填する工程及び当該絶縁性樹脂27を加熱硬化させる工
程を除くことができる。かくしてこの場合、第1実施例
の実装方法に比べて工程を大幅に簡略化することができ
る。
In the mounting board 67 described above, when the bare chip 22 is mounted on the one surface 21A of the motherboard 21, a step of punching the anisotropic conductive film 66 in accordance with the recess 21B of the motherboard 21 to form an opening is required. Becomes However, by using the anisotropic conductive film 66, the bare chip 22 can be mounted without requiring an active material such as a flux, and the step of applying the flux and the step of cleaning the flux can be omitted.
In addition to this, a step of filling the gap between the circuit surface 22A of the bare chip 22 and the one surface 21A of the mother board 21 with the insulating resin 27 and a step of heating and hardening the insulating resin 27 can be omitted. Thus, in this case, the process can be greatly simplified as compared with the mounting method of the first embodiment.

【0060】さらに上述の第1及び第2実施例において
は、マザーボード21の一面21A及び多層配線基板4
1の底面41Cにベアチツプ22及び42を実装するよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、マザーボード21の一面21A及び多層配線基板4
1の底面41Cに複数種類のベアチツプ22及び42の
形状及び大きさに応じた複数の段差面を有する凹部を設
け、各ベアチツプ22及び42を積層配置するように各
段差面上、一面21A上及び底面41C上にそれぞれベ
アチツプ22及び42を実装するようにしても良い。こ
れによりマザーボード21及び多層配線基板41の所定
面積に対して実装し得るベアチツプ22及び42を増加
させることができ、かくして電子部品の高速特性及び高
周波特性を維持してより高密度実装し得る実装基板、実
装方法及び半導体装置を実現することができる。
Further, in the above-described first and second embodiments, one surface 21A of the mother board 21 and the multilayer wiring board 4 are
The case where the bare chips 22 and 42 are mounted on the bottom surface 41C of the first embodiment has been described, but the present invention is not limited to this, and the one surface 21A of the motherboard 21 and the multilayer wiring board 4 are described.
A concave portion having a plurality of step surfaces corresponding to the shapes and sizes of the plurality of types of the bare chips 22 and 42 is provided on the bottom surface 41C of the one, and the step surfaces, the one surface 21A, and the one surface 21A and The bare chips 22 and 42 may be mounted on the bottom surface 41C, respectively. As a result, the number of bare chips 22 and 42 that can be mounted on a predetermined area of the mother board 21 and the multilayer wiring board 41 can be increased, and thus, a mounting board that can maintain high-speed characteristics and high-frequency characteristics of electronic components and can be mounted at a higher density The mounting method and the semiconductor device can be realized.

【0061】ここで例えば図5に示すように、実装基板
70においては、マザーボード71が複数の段差面71
A及び71Bを有する凹部71Cを有し、この凹部71
Cにおいては段差面71Aとマザーボード71の一面7
1Dとによつて区切られる直方体形状でなる空間領域7
2の形状及び大きさが実装対象のベアチツプ73の形状
及び大きさに応じて選定されている。またこの凹部71
Cでは、底面となる段差面71Bがベアチツプ73の回
路面73Aよりも一周り小さい形状及び大きさに選定さ
れている。さらに段差面71A上にはベアチツプ73の
回路面73Aに複数設けられたパツド74に対応させて
複数のランド75が設けられ、これら各ランド75上に
は共晶はんだでなるはんだプリコート層76が積層形成
されている。ベアチツプ73の回路面73Aの各パツド
74上には、それぞれBLM膜層77が積層形成され、
当該BLM膜層77上には高融点はんだでなるバンプ7
8が形成されている。
Here, for example, as shown in FIG. 5, in the mounting substrate 70, the mother board 71 has a plurality of step surfaces 71.
It has a recess 71C having A and 71B, and this recess 71
In C, the step surface 71A and the one surface 7 of the motherboard 71
Spatial region 7 having a rectangular parallelepiped shape separated by 1D
The shape and size of No. 2 are selected according to the shape and size of the bare chip 73 to be mounted. Also, this recess 71
In C, the step surface 71B serving as the bottom surface is selected to have a shape and size slightly smaller than the circuit surface 73A of the bare chip 73. Further, a plurality of lands 75 are provided on the step surface 71A corresponding to a plurality of pads 74 provided on the circuit surface 73A of the bare chip 73, and a solder precoat layer 76 made of eutectic solder is laminated on each of the lands 75. Has been formed. A BLM film layer 77 is laminated on each pad 74 on the circuit surface 73A of the bare chip 73,
Bumps 7 made of high melting point solder are formed on the BLM film layer 77.
8 are formed.

【0062】これによりこの実装基板70においては、
マザーボード71の凹部71Cにベアチツプ73を落と
し込むようにして当該ベアチツプ73の各パツド74と
それぞれ段差面71A上の対応するランド75とをバン
プ78を介して接合すると共に、マザーボード71の凹
部71Cの段差面71Bとベアチツプ73の回路面73
Aとの間に中空部79を有するように、当該凹部71C
に絶縁性樹脂80を充填することにより当該ベアチツプ
73を封止する。かくしてこの実装基板70において
は、マザーボード71の厚みを比較的薄くすることがで
きるので、第1実施例の実装基板20に比べてさらにベ
アチツプ73を高密度実装することができる。
As a result, in this mounting substrate 70,
The pads 74 of the bare chip 73 and the corresponding lands 75 on the step surface 71A are joined via the bumps 78 so that the bare chip 73 is dropped into the recess 71C of the motherboard 71, and the step surface of the recess 71C of the motherboard 71 is joined. 71B and circuit surface 73 of the bare chip 73
The concave portion 71C so as to have a hollow portion 79 between the concave portion 71C and
The bare chip 73 is sealed by filling it with the insulating resin 80. Thus, in this mounting board 70, the thickness of the mother board 71 can be made relatively thin, so that the bare chips 73 can be mounted at a higher density than the mounting board 20 of the first embodiment.

【0063】さらに上述の第1及び第2実施例において
は、マザーボード21及び多層配線基板41を構成する
絶縁基板層としてセラミツク基板層30及び50を用い
るようにした場合について述べたが、本発明はこれに限
らず、ガラスエポキシ基板等のように一般的な多層配線
基板に用いられるこの他種々の絶縁基板層を用いるよう
にしても良い。
Further, in the above-mentioned first and second embodiments, the case where the ceramic substrate layers 30 and 50 are used as the insulating substrate layers constituting the mother board 21 and the multilayer wiring substrate 41 has been described. The present invention is not limited to this, and various other insulating substrate layers used for general multi-layer wiring substrates such as a glass epoxy substrate may be used.

【0064】さらに上述の第1及び第2実施例において
は、マザーボード21及び多層配線基板41に実装され
る電子部品としてベアチツプ22及び42を実装するよ
うにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、フイルタチツプ等のようにこの他種々の電子部品を
実装するようにしても良い。この場合実装基板20及び
半導体装置40においては、フイルタチツプの回路面を
中空部に露出させることができるので、当該フイルタチ
ツプの特性を変化させずに容易に実装することができ
る。
Further, in the above-mentioned first and second embodiments, the case where the bare chips 22 and 42 are mounted as the electronic components mounted on the mother board 21 and the multilayer wiring board 41 has been described. Not limited to this, various other electronic components such as a filter chip may be mounted. In this case, in the mounting substrate 20 and the semiconductor device 40, since the circuit surface of the filter chip can be exposed in the hollow portion, it can be easily mounted without changing the characteristics of the filter chip.

【0065】ここで例えばフイルタチツプが多層配線基
板41の底面41Cに実装されてなる半導体装置におい
ては、フイルタチツプの回路面を外気から遮断させた状
態で中空部46に露出させることができるので、従来フ
イルタチツプが実装される半導体装置に必要とされると
考えられたシーリングキヤツプを必要とせず、これによ
り多層配線基板の凹部をシーリングキヤツプを用いてシ
ールするシーリング工程を必要とせずに実装工程を簡略
かしてフイルタチツプを実装することができる。かくし
てフイルタチツプが実装された実装基板のコストを低減
させることができる。
Here, in a semiconductor device in which, for example, a filter chip is mounted on the bottom surface 41C of the multilayer wiring board 41, the circuit surface of the filter chip can be exposed to the hollow portion 46 in a state of being shielded from the outside air, so that the conventional filter chip can be exposed. Does not require a sealing cap that is considered to be required for the semiconductor device to be mounted, which simplifies the mounting process without the need for a sealing process to seal the concave portion of the multilayer wiring board using the sealing cap. You can implement a filter chip. Thus, the cost of the mounting board on which the filter chip is mounted can be reduced.

【0066】さらに上述の第2実施例においては、本発
明を一面41Aに第1の凹部41Bを有すると共に当該
第1の凹部41Bの底面41Cに複数の第2の凹部41
Dを有する多層配線基板41の当該第1の凹部41Bの
底面41Cにベアチツプ42が実装された半導体装置4
0に適用するようにした場合について述べたが、本発明
はこれに限らず、この他種々のパツケージ構造でなる半
導体装置に適用するようにしても良い。
Further, in the above-mentioned second embodiment, the present invention has a first recess 41B on one surface 41A and a plurality of second recesses 41 on the bottom surface 41C of the first recess 41B.
Semiconductor device 4 in which bare chip 42 is mounted on bottom surface 41C of first recess 41B of multilayer wiring board 41 having D
However, the present invention is not limited to this and may be applied to semiconductor devices having various other package structures.

【0067】ここで例えば図6において、ボールグリツ
ドアレイ(BGA:Ball Grid Array)に適用した半導体
装置85について説明する。すなわち一面86Aに複数
の凹部86Bを有する多層配線基板86の当該一面86
Aに、各凹部86Bをそれぞれ塞ぐようにベアチツプ8
7が当該ベアチツプ87の回路面87Aに複数設けられ
たパツド88とそれぞれ多層配線基板86の一面86A
に対応させて設けられたランド89とを例えばバリアメ
タル層90、金等の導電性金属でなるバンプ91及び異
方性導電膜92を介して接合されて実装されている。
A semiconductor device 85 applied to a ball grid array (BGA) will now be described with reference to FIG. 6, for example. That is, the one surface 86 of the multilayer wiring board 86 having the plurality of concave portions 86B on the one surface 86A.
In A, the bare chip 8 is formed so as to cover each recess 86B.
A plurality of pads 88 are provided on the circuit surface 87A of the bare chip 87 and one surface 86A of the multilayer wiring board 86.
The land 89 provided corresponding to the above is bonded and mounted via, for example, a barrier metal layer 90, a bump 91 made of a conductive metal such as gold, and an anisotropic conductive film 92.

【0068】この場合異方性導電膜92は、ベアチツプ
87の回路面87Aとほぼ同じ形状でなり、かつ多層配
線基板86の凹部86Bに応じた開口を有し、多層配線
基板86の一面86Aに各ランド89を覆うように積層
形成されている。これにより多層配線基板86の各凹部
86Bとそれぞれ対向するベアチツプ87の回路面87
Aの所定領域との間には、外気から遮断された中空部9
3が形成され、各ベアチツプ87の回路面87Aに形成
された図示しない配線パターン及び受動素子の特性イン
ピーダンス等の定数の設計値を維持し得るようになされ
ている。
In this case, the anisotropic conductive film 92 has substantially the same shape as the circuit surface 87A of the bare chip 87 and has an opening corresponding to the concave portion 86B of the multilayer wiring board 86, and is formed on the one surface 86A of the multilayer wiring board 86. It is laminated so as to cover each land 89. As a result, the circuit surface 87 of the bare chip 87 facing the respective concave portions 86B of the multilayer wiring board 86 is formed.
A hollow portion 9 which is shielded from the outside air is provided between the predetermined area A and the predetermined area A.
3 are formed so that constant design values such as the characteristic impedance of the wiring pattern and passive elements (not shown) formed on the circuit surface 87A of each bear 87 can be maintained.

【0069】また多層配線基板86の他面86Cには図
示しない複数の外部接続用電極が格子状に設けられてお
り、これら各外部接続用電極上にはそれぞれボール電極
94が設けられている。さらに多層配線基板86におい
ては、例えばセラミツク基板層95と所定の配線パター
ン層96とが交互に積層形成されてなり、各配線パター
ン層96間における対応する配線パターン同士及び当該
配線パターンと対応する外部接続用電極及びランド89
とがビア97を介して電気的に接合されている。
On the other surface 86C of the multilayer wiring board 86, a plurality of external connection electrodes (not shown) are provided in a grid pattern, and ball electrodes 94 are provided on each of these external connection electrodes. Further, in the multilayer wiring board 86, for example, the ceramic substrate layers 95 and the predetermined wiring pattern layers 96 are alternately laminated and formed, and the corresponding wiring patterns between the wiring pattern layers 96 and the external portions corresponding to the wiring patterns are formed. Connection electrode and land 89
And are electrically connected via the via 97.

【0070】これにより半導体装置85では、多層配線
基板86の各ボール電極94をそれぞれ図示しないマザ
ーボードの対応するランドに接合して当該マザーボード
に実装することができると共に、この状態において半導
体装置85に実装された各ベアチツプ87がボール電極
94及び配線パターン層96を介してマザーボードから
信号を入力し、又は信号を出力し得るようになされてい
る。かくしてこの場合も第2実施例と同様の効果を得る
ことができる。
As a result, in the semiconductor device 85, each ball electrode 94 of the multilayer wiring board 86 can be bonded to the corresponding land of the motherboard (not shown) and mounted on the motherboard, and in this state, mounted on the semiconductor device 85. Each of the formed bear chips 87 can input or output a signal from the mother board via the ball electrode 94 and the wiring pattern layer 96. Thus, also in this case, the same effect as that of the second embodiment can be obtained.

【0071】[0071]

【発明の効果】上述のように本発明によれば、一面に単
数又は複数の段差面を有する凹部を有し、当該凹部の各
段差面上及び又は一面上に実装する電子部品の回路面に
設けられた電極に対応させて単数又は複数のランドが設
けられた配線基板を形成し、次いで電子部品の電極と配
線基板の対応するランドとをバンプを介して接合し、続
いて配線基板の凹部の各段差面又は配線基板の一面と、
各段差面又は一面とそれぞれ対応する電子部品の回路面
との間の隙間に絶縁性樹脂を充填することにより配線基
板の凹部の各段差面とそれぞれ対向する電子部品の回路
面の所定領域との間に中空部を形成して電子部品を封止
するようにしたことにより、電子部品の回路面に形成さ
れた配線パターン及び受動素子を外気から遮断して中空
部に露出させることができるので、当該電子部品の回路
面のこれら配線パターン及び受動素子の特性インピーダ
ンス等の定数を設計値のまま維持することができ、かく
して電子部品の高速特性及び高周波特性を維持して高密
度実装し得る実装基板、実装方法及び半導体装置を実現
することができる。
As described above, according to the present invention, a recess having a single or a plurality of step surfaces is formed on one surface, and the step surface of the recess and / or the circuit surface of the electronic component mounted on the one surface are mounted. A wiring board provided with a single or a plurality of lands corresponding to the provided electrodes is formed, and then the electrodes of the electronic component and the corresponding lands of the wiring board are bonded via bumps, and subsequently, the recesses of the wiring board are formed. Each step surface or one surface of the wiring board,
By filling the gap between each step surface or one surface and the circuit surface of the corresponding electronic component with an insulating resin, the step surface of the concave portion of the wiring board and a predetermined area of the circuit surface of the electronic component facing each other are formed. By forming a hollow portion between and sealing the electronic component, it is possible to shield the wiring pattern and the passive element formed on the circuit surface of the electronic component from the outside air and expose the hollow portion in the hollow portion. It is possible to maintain constants such as the characteristic impedance of these wiring patterns and passive elements on the circuit surface of the electronic component as designed values, thus enabling high-density mounting while maintaining high-speed characteristics and high-frequency characteristics of the electronic component. The mounting method and the semiconductor device can be realized.

【0072】また上述のように本発明によれば、一面に
単数又は複数の段差面を有する凹部を有し、当該凹部の
各段差面上及び又は一面上に実装する電子部品の回路面
に設けられた電極に対応させて単数又は複数のランドが
設けられた配線基板を形成し、次いで電子部品の電極と
配線基板の対応するランドとを、電子部品の回路面とほ
ぼ同じ形状でなり、かつ当該回路面の所定領域に応じた
開口を有する異方性導電膜を介して接合すると共に、当
該異方性導電膜を介して電子部品及び配線基板を一体に
保持するようにしたことにより、電子部品の回路面に形
成された配線パターン及び受動素子を外気から遮断して
中空部に露出させることができるので、当該電子部品の
回路面のこれら配線パターン及び受動素子の特性インピ
ーダンス等の定数を設計値のまま維持することができ、
かくして電子部品の高速特性及び高周波特性を維持して
高密度実装し得る実装基板、実装方法及び半導体装置を
実現することができる。
As described above, according to the present invention, the concave portion having one or a plurality of step surfaces is formed on one surface, and the concave portion is provided on each step surface of the concave portion and / or on the circuit surface of the electronic component mounted on the one surface. A wiring board provided with a single or a plurality of lands corresponding to the formed electrodes, and then the electrodes of the electronic component and the corresponding lands of the wiring substrate have substantially the same shape as the circuit surface of the electronic component, and The electronic component and the wiring board are integrally held together through the anisotropic conductive film having an opening corresponding to a predetermined region of the circuit surface, and the electronic component and the wiring board are integrally held by the anisotropic conductive film. Since the wiring pattern and passive elements formed on the circuit surface of the component can be exposed to the air by being shielded from the outside air, constants such as the characteristic impedance of the wiring pattern and the passive element on the circuit surface of the electronic component can be exposed. It can be maintained at the design value,
Thus, it is possible to realize a mounting substrate, a mounting method, and a semiconductor device that can be mounted at high density while maintaining high-speed characteristics and high-frequency characteristics of electronic components.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例による実装基板の構成を
示す略線的断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a mounting board according to a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第2の実施励による半導体装置の全体
構成を示す略線的断面図である。
FIG. 2 is a schematic cross-sectional view showing the overall structure of a semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.

【図3】他の実施例によるベアチツプがオーバコートさ
れた実装基板の構成を示す略線的断面図である。
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing a structure of a mounting substrate on which a bare chip is overcoated according to another embodiment.

【図4】他の実施例による異方性導電膜とを用いた実装
基板の構成を示す略線的断面図である。
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing the structure of a mounting board using an anisotropic conductive film according to another embodiment.

【図5】他の実施例によるマザーボードの凹部にベアチ
ツプを埋め込むように実装した実装基板の構成を示す略
線的断面図である。
FIG. 5 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a mounting board mounted so that a bare chip is embedded in a concave portion of a motherboard according to another embodiment.

【図6】他の実施例による半導体装置の全体構成を示す
略線的断面図である。
FIG. 6 is a schematic cross-sectional view showing the overall configuration of a semiconductor device according to another embodiment.

【図7】従来の実装基板の構成を示す略線的断面図であ
る。
FIG. 7 is a schematic cross-sectional view showing a configuration of a conventional mounting board.

【図8】ベアチツプの配線パターンの構成例を示す略線
的断面図である。
FIG. 8 is a schematic cross-sectional view showing a configuration example of a wiring pattern of a bare chip.

【図9】ベアチツプの回路面に形成された配線パターン
上に樹脂層が形成された場合のこの配線パターンのイン
ピーダンス値の変化の様子を示すグラフである。
FIG. 9 is a graph showing how the impedance value of the wiring pattern changes when a resin layer is formed on the wiring pattern formed on the circuit surface of the bare chip.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、20、60、67、70……実装基板、2、22、
42、73、87……ベアチツプ、3、23、43、7
4、88……パツド、4、21、41、71……マザー
ボード、5、24、44、79……ランド、6、25、
45、65、78、91……バンプ、11、27……絶
縁性樹脂、26、46、79、93……中空部、40、
85……半導体装置、47……第1の絶縁性樹脂、48
……第2の絶縁性樹脂、61……樹脂材、66、92…
…異方性導電膜、21B、71C、86B……凹部、4
1B……第1の凹部、41D……第2の凹部。
1, 20, 60, 67, 70 ... Mounting board, 2, 22,
42, 73, 87 ... Bear chips, 3, 23, 43, 7
4,88 ... Pad, 4,21,41,71 ... Motherboard, 5,24,44,79 ... Land, 6,25,
45, 65, 78, 91 ... Bumps, 11, 27 ... Insulating resin, 26, 46, 79, 93 ... Hollow part, 40,
85: Semiconductor device, 47: First insulating resin, 48
...... Second insulating resin, 61 ...... Resin material, 66, 92 ...
... anisotropic conductive film, 21B, 71C, 86B ...
1B ... 1st recessed part, 41D ... 2nd recessed part.

Claims (12)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】回路面に単数又は複数の電極が設けられた
電子部品と、 一面に単数又は複数の段差面を有する凹部を有し、当該
凹部の各上記段差面上及び又は上記一面上に上記電子部
品の各上記電極に対応させて単数又は複数のランドが設
けられた配線基板と、 上記電子部品の各上記電極をそれぞれ上記配線基板の対
応する上記ランドに接合するバンプと、 上記配線基板の上記凹部の各上記段差面又は上記配線基
板の上記一面と、各上記段差面又は上記一面とそれぞれ
対応する上記電子部品の上記回路面との間の隙間に充填
され、上記配線基板の上記凹部の各上記段差面とそれぞ
れ対向する上記電子部品の上記回路面の所定領域との間
に中空部を形成して上記電子部品を封止する絶縁性樹脂
とを具えることを特徴とする実装基板。
1. An electronic component having a circuit surface on which a single or a plurality of electrodes are provided, and a concave portion having a single or a plurality of step surfaces on one surface, and on each of the step surfaces and / or on the one surface of the concave portion. A wiring board provided with a single or a plurality of lands corresponding to the respective electrodes of the electronic component, a bump for bonding the respective electrodes of the electronic component to the corresponding lands of the wiring board, and the wiring board Filled in a gap between each of the step surfaces of the recess or the one surface of the wiring board and each of the step surfaces or the circuit surface of the electronic component corresponding to the one surface, respectively, and the recess of the wiring board. A mounting board, which comprises an insulating resin which forms a hollow portion between each of the step surfaces and a predetermined region of the circuit surface of the electronic component, which faces each other, and seals the electronic component. .
【請求項2】上記電子部品の上記回路面と対向する面側
を被覆する絶縁性樹脂を具えることを特徴とする請求項
1に記載の実装基板。
2. The mounting board according to claim 1, further comprising an insulating resin that covers a surface side of the electronic component facing the circuit surface.
【請求項3】回路面に単数又は複数の電極が設けられた
電子部品と、 一面に単数又は複数の段差面を有する凹部を有し、当該
凹部の各上記段差面上及び又は上記一面上に上記電子部
品の各上記電極に対応させて単数又は複数のランドが設
けられた配線基板と、 上記電子部品の各上記電極をそれぞれ上記配線基板の対
応する上記ランドに接合すると共に、上記電子部品及び
上記配線基板を一体に保持する、上記電子部品の上記回
路面とほぼ同じ形状でなり、かつ当該回路面の所定領域
に応じた開口を有する異方性導電膜とを具えることを特
徴とする実装基板。
3. An electronic component having a circuit surface provided with a single or a plurality of electrodes, and a recess having one or a plurality of step surfaces on one surface thereof, and on each of the step surfaces and / or on the one surface of the recess. A wiring board provided with a single or a plurality of lands corresponding to each of the electrodes of the electronic component, and each of the electrodes of the electronic component are bonded to the corresponding land of the wiring substrate, and the electronic component and An anisotropic conductive film that holds the wiring board integrally and has substantially the same shape as the circuit surface of the electronic component and has an opening corresponding to a predetermined region of the circuit surface. Mounting board.
【請求項4】上記電子部品の上記回路面と対向する面側
を被覆する絶縁性樹脂を具えることを特徴とする請求項
3に記載の実装基板。
4. The mounting board according to claim 3, further comprising an insulating resin covering a surface side of the electronic component facing the circuit surface.
【請求項5】一面に単数又は複数の段差面を有する凹部
を有し、当該凹部の各上記段差面上及び又は上記一面上
に実装する電子部品の回路面に設けられた電極に対応さ
せて単数又は複数のランドが設けられた配線基板を形成
する第1の工程と、 上記電子部品の上記電極と、上記配線基板の対応する上
記ランドとをバンプを介して接合する第2の工程と、 上記配線基板の上記凹部の各上記段差面又は上記配線基
板の上記一面と、各上記段差面又は上記一面とそれぞれ
対応する上記電子部品の上記回路面との間の隙間に絶縁
性樹脂を充填することにより上記配線基板の上記凹部の
各上記段差面とそれぞれ対向する上記電子部品の上記回
路面の所定領域との間に中空部を形成して上記電子部品
を封止する第3の工程とを具えることを特徴とする実装
方法。
5. A concave portion having one or a plurality of step surfaces on one surface thereof, and corresponding to electrodes provided on each of the step surfaces of the concave portion and / or a circuit surface of an electronic component mounted on the one surface. A first step of forming a wiring board provided with a single or a plurality of lands; a second step of joining the electrodes of the electronic component and the corresponding lands of the wiring board via bumps; An insulating resin is filled in a gap between each of the step surfaces of the concave portion of the wiring board or the one surface of the wiring board and the circuit surface of the electronic component corresponding to each of the step surfaces or the one surface. A third step of sealing the electronic component by forming a hollow between the stepped surface of the recess of the wiring board and a predetermined region of the circuit surface of the electronic component that faces each other. Fruit characterized by having Method.
【請求項6】上記電子部品の上記回路面と対向する面側
から絶縁性樹脂を滴下して、当該絶縁性樹脂を上記電子
部品に被覆する第4の工程を具えることを特徴とする請
求項5に記載の実装方法。
6. The method according to claim 4, further comprising a fourth step of dropping an insulating resin from the surface of the electronic component facing the circuit surface to cover the electronic component with the insulating resin. The mounting method according to Item 5.
【請求項7】一面に単数又は複数の段差面を有する凹部
を有し、当該凹部の各上記段差面上及び又は上記一面上
に実装する電子部品の回路面に設けられた電極に対応さ
せて単数又は複数のランドが設けられた配線基板を形成
する第1の工程と、 上記電子部品の上記電極と、上記配線基板の対応する上
記ランドとを、上記電子部品の上記回路面とほぼ同じ形
状でなり、かつ当該回路面の所定領域に応じた開口を有
する異方性導電膜を介して接合すると共に、当該異方性
導電膜を介して上記電子部品及び上記配線基板を一体に
保持する第2の工程とを具えることを特徴とする実装方
法。
7. A recess having a single or a plurality of step surfaces on one surface thereof, and corresponding to electrodes provided on each of the step surfaces of the recess and / or on a circuit surface of an electronic component mounted on the one surface. The first step of forming a wiring board provided with a single or a plurality of lands, the electrodes of the electronic component, and the corresponding lands of the wiring board have substantially the same shape as the circuit surface of the electronic component. And joining via an anisotropic conductive film having an opening corresponding to a predetermined region of the circuit surface, and holding the electronic component and the wiring board integrally via the anisotropic conductive film. 2. A mounting method comprising the step 2).
【請求項8】上記電子部品の上記回路面と対向する面側
から絶縁性樹脂を滴下して、当該絶縁性樹脂を上記電子
部品に被覆する第3の工程を具えることを特徴とする請
求項7に記載の実装方法。
8. A third step of coating an insulating resin on the electronic component by dropping an insulating resin from the surface of the electronic component facing the circuit surface. The mounting method according to Item 7.
【請求項9】回路面に単数又は複数の電極が設けられた
電子部品と、 一面に単数又は複数の段差面を有する凹部を有し、当該
凹部の各上記段差面上及び又は上記一面上に上記電子部
品の各上記電極に対応させて単数又は複数のランドが設
けられた配線基板と、 上記電子部品の各上記電極をそれぞれ上記配線基板の対
応する上記ランドに接合するバンプと、 上記配線基板の上記凹部の各上記段差面又は上記配線基
板の上記一面と、各上記段差面又は上記一面とそれぞれ
対応する上記電子部品の上記回路面との間の隙間に充填
され、上記配線基板の上記凹部の各上記段差面とそれぞ
れ対向する上記電子部品の上記回路面の所定領域との間
に中空部を形成して上記電子部品を封止する絶縁性樹脂
とを具えることを特徴とする半導体装置。
9. An electronic component having a circuit surface provided with one or a plurality of electrodes, and a recess having one or a plurality of step surfaces on one surface, and on each of the step surfaces and / or on the one surface of the recess. A wiring board provided with a single or a plurality of lands corresponding to the respective electrodes of the electronic component, a bump for bonding the respective electrodes of the electronic component to the corresponding lands of the wiring board, and the wiring board Filled in a gap between each of the step surfaces of the recess or the one surface of the wiring board and each of the step surfaces or the circuit surface of the electronic component corresponding to the one surface, respectively, and the recess of the wiring board. A semiconductor device, comprising: an insulating resin that seals the electronic component by forming a hollow portion between each of the step surfaces and a predetermined region of the circuit surface of the electronic component that faces each other. .
【請求項10】上記電子部品の上記回路面と対向する面
側を被覆する絶縁性樹脂を具えることを特徴とする請求
項9に記載の半導体装置。
10. The semiconductor device according to claim 9, further comprising an insulating resin that covers a surface side of the electronic component facing the circuit surface.
【請求項11】回路面に単数又は複数の電極が設けられ
た電子部品と、 一面に単数又は複数の段差面を有する凹部を有し、当該
凹部の各上記段差面上及び又は上記一面上に上記電子部
品の各上記電極に対応させて単数又は複数のランドが設
けられた配線基板と、 上記電子部品の各上記電極をそれぞれ上記配線基板の対
応する上記ランドに接合すると共に、上記電子部品及び
上記配線基板を一体に保持する、上記電子部品の上記回
路面とほぼ同じ形状でなり、かつ当該回路面の所定領域
に応じた開口を有する異方性導電膜とを具えることを特
徴とする半導体装置。
11. An electronic component having a circuit surface on which a single or a plurality of electrodes are provided, and a recess having one or a plurality of step surfaces on one surface, and on each of the step surfaces of the recess and / or on the one surface. A wiring board provided with a single or a plurality of lands corresponding to each of the electrodes of the electronic component, and each of the electrodes of the electronic component are bonded to the corresponding land of the wiring substrate, and the electronic component and An anisotropic conductive film, which holds the wiring board integrally, has an almost same shape as the circuit surface of the electronic component, and has an opening corresponding to a predetermined region of the circuit surface. Semiconductor device.
【請求項12】上記電子部品の上記回路面と対向する面
側を被覆する絶縁性樹脂を具えることを特徴とする請求
項11に記載の半導体装置。
12. The semiconductor device according to claim 11, further comprising an insulating resin that covers a surface side of the electronic component facing the circuit surface.
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JP2007104458A (en) * 2005-10-06 2007-04-19 Ube Ind Ltd Thin-film piezo-resonator device and its manufacturing method

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