JP2001102517A - Circuit device - Google Patents

Circuit device

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JP2001102517A
JP2001102517A JP27997399A JP27997399A JP2001102517A JP 2001102517 A JP2001102517 A JP 2001102517A JP 27997399 A JP27997399 A JP 27997399A JP 27997399 A JP27997399 A JP 27997399A JP 2001102517 A JP2001102517 A JP 2001102517A
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JP
Japan
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layer
insulating resin
wiring
resin layer
layers
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JP27997399A
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Japanese (ja)
Inventor
Katsuhiro Yoneyama
勝廣 米山
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Original Assignee
Sony Corp
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Publication date
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161Disposition
    • H01L2224/16151Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
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    • H01L2224/451Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144Gold (Au) as principal constituent
    • HELECTRICITY
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    • H01L2924/19Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
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    • H01L2924/19101Disposition of discrete passive components
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  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a circuit device wherein a power-source and a ground are supplied to an electronic component housed inside an insulating resin layer with a short wiring distance, for improved electrical, characteristics. SOLUTION: A bare chip 10 is incorporated in insulating resin layers 31 and 32 built up on both surfaces of a multilayer substrate 30, respectively, with wiring layers 40 and 41 on both sides of the bare chip 10 as ground layer, while wiring layers 36 and 39 as power-source line.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は回路装置に係り、と
くに2層以上の配線層を有する多層回路基板を用いた回
路装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a circuit device, and more particularly to a circuit device using a multilayer circuit board having two or more wiring layers.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来の多層回路基板を用いた回路装置の
構成は、一般に基板内層部に電源層とグランド層とを配
して、スルーホールやバイアホールによって基板表層部
の電子部品の電極と電気的に接続を行なうようにしてい
た。とくにビルドアップ構造の配線基板においては、表
層部の配線層を部品取付けパッドと配線処理のために使
用することが多かった。
2. Description of the Related Art In a conventional circuit device using a multilayer circuit board, a power supply layer and a ground layer are generally arranged in an inner layer of the board, and through-holes and via holes are used to connect electrodes of electronic components on a surface layer of the board. The connection was made electrically. In particular, in the case of a wiring board having a build-up structure, the wiring layer on the surface layer is often used for component mounting pads and wiring processing.

【0003】図6はこのような従来の多層回路基板を用
いた回路装置の一例を示している。ここでは3層の絶縁
層60によって4層に配線層61、62、63、64を
形成し、しかもそれらの上下にそれぞれ絶縁樹脂層65
を形成するとともに、これらの絶縁樹脂層65の外表面
に配線層66を形成している。
FIG. 6 shows an example of a circuit device using such a conventional multilayer circuit board. Here, the wiring layers 61, 62, 63, and 64 are formed in four layers by the three insulating layers 60, and the insulating resin layers 65 are respectively formed above and below them.
And a wiring layer 66 is formed on the outer surface of the insulating resin layer 65.

【0004】このような構造の多層基板において、絶縁
層60あるいは絶縁樹脂層65を貫通するようにスルー
ホール67やバイアホール68を形成し、これらの層間
接続手段によって配線層61〜64、および66を互い
に電気的に接続するようにしている。そして絶縁樹脂層
65の外表面側であって配線層66の上にベアチップ6
9や能動素子あるいは受動素子から成る電子部品70を
マウントするようにしている。
In a multilayer substrate having such a structure, a through hole 67 and a via hole 68 are formed so as to penetrate the insulating layer 60 or the insulating resin layer 65, and wiring layers 61 to 64 and 66 are formed by these interlayer connecting means. Are electrically connected to each other. The bare chip 6 is placed on the wiring layer 66 on the outer surface side of the insulating resin layer 65.
9 and an electronic component 70 composed of an active element or a passive element.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】このように従来の多層
回路基板を用いた回路装置においては、外側のビルドア
ップ層65の表面にベアチップ69をマウントするよう
にしていた。これはベアチップ実装を行なう部位に微細
配線を形成することが必要だからである。また従来はと
くに内側配線層61〜64によって電源ラインやグラン
ド層を形成し、これらの配線層61〜64をスルーホー
ル67やバイアホール68によって表層部の電子部品6
9、70の電極と接続していた。
As described above, in the conventional circuit device using the multilayer circuit board, the bare chip 69 is mounted on the surface of the outer build-up layer 65. This is because it is necessary to form fine wiring at a portion where the bare chip is to be mounted. Conventionally, power supply lines and ground layers are formed particularly by the inner wiring layers 61 to 64, and these wiring layers 61 to 64 are formed by through holes 67 and via holes 68.
9, 70 electrodes.

【0006】従ってこのような配線構造によると、内層
の電源ラインまたはグランド層からスルーホール67や
バイアホール68を介して配線が施されることになり、
配線長が長くなる傾向にある。これは長い配線によるイ
ンダクタンス成分とリアクタンス成分の増加につなが
り、回路の電気的特性を劣化させることになり、あるい
はまた不要なノイズを外部に出すようになり、機器外に
もその影響を与えることになる。
Therefore, according to such a wiring structure, wiring is performed from the power supply line or the ground layer in the inner layer through the through hole 67 or the via hole 68.
The wiring length tends to be long. This leads to an increase in inductance component and reactance component due to long wiring, deteriorating the electrical characteristics of the circuit, or causing unnecessary noise to be emitted to the outside, which also affects the outside of the device. Become.

【0007】このようなことから、電源ラインやグラン
ド層を強化すべく貫通スルーホール67を多く設けて電
源ラインやグランド層を内層部と配線長が同じくなるよ
うに工夫する等の対策を採っていた。ここでインピーダ
ンスを同じくするために相当数のスルーホールを形成す
る必要が生ずることになる。
For this reason, measures have been taken such as providing a large number of through-holes 67 so as to strengthen the power supply line and the ground layer so that the power supply line and the ground layer have the same wiring length as the inner layer portion. Was. Here, it becomes necessary to form a considerable number of through holes in order to make the impedance the same.

【0008】すなわち従来の回路装置によれば、電源ラ
インやグランド層の配線は、内層部に形成された部位に
対して配線抵抗の分だけ電位的に差を有しており、これ
が回路特性の悪化や、表層部での電源ラインやグランド
層の配線を引回すことによるインピーダンスの上昇によ
り、不要輻射等の弊害を招いていた。とくにLSI等の
ベアチップを基板内に埋設するような構造を採用する場
合には、上記のような弊害に伴う懸念が深まることにな
る。
That is, according to the conventional circuit device, the power supply line and the wiring of the ground layer have a potential difference from the portion formed in the inner layer portion by the wiring resistance, which is a characteristic of the circuit. Deterioration and an increase in impedance due to routing of a power supply line and a wiring of a ground layer in a surface layer portion have caused adverse effects such as unnecessary radiation. In particular, when a structure in which a bare chip such as an LSI is buried in a substrate is employed, the concern associated with the above-described adverse effects deepens.

【0009】本発明はこのような問題点に鑑みてなされ
たものであって、内部に埋設された電子部品に対して短
い配線距離で電源ラインやグランドの供給が可能にな
り、電気的特性が向上する回路装置を提供することを目
的とする。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such a problem, and enables a power supply line and a ground to be supplied to an electronic component embedded therein with a short wiring distance, and the electrical characteristics are improved. It is an object of the present invention to provide an improved circuit device.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本願の一発明は、2層以
上の配線層を有する多層回路基板を用いた回路装置にお
いて、前記多層回路基板の表面にさらに絶縁樹脂層を形
成するとともに、該絶縁樹脂層の内部に電子部品を埋設
し、前記絶縁樹脂層の表面に配線層を形成し、該配線層
を前記多層回路基板の配線層と層間接続手段を介して電
気的に接続し、しかも前記絶縁樹脂層の内部に埋設され
ている電子部品の両側の配線層を電源ラインおよびグラ
ンド層としたことを特徴とする回路装置に関するもので
ある。
According to one aspect of the present invention, in a circuit device using a multilayer circuit board having two or more wiring layers, an insulating resin layer is further formed on the surface of the multilayer circuit board. An electronic component is buried inside the insulating resin layer, a wiring layer is formed on the surface of the insulating resin layer, and the wiring layer is electrically connected to the wiring layer of the multilayer circuit board via interlayer connection means, and The present invention relates to a circuit device, wherein wiring layers on both sides of an electronic component embedded inside the insulating resin layer are used as a power supply line and a ground layer.

【0011】ここで絶縁樹脂層を構成する材料が多層回
路基板を構成する絶縁材料よりも誘電率が高いことが好
ましい。また絶縁樹脂層を複数段に形成し、何れかの絶
縁樹脂層に電子部品を埋設してよい。また絶縁樹脂層の
外側であって外表面に形成されている配線層をグランド
層とし、これによってシールド効果をもたせるようにし
てよい。
Here, it is preferable that the material forming the insulating resin layer has a higher dielectric constant than the insulating material forming the multilayer circuit board. Alternatively, the insulating resin layer may be formed in a plurality of stages, and the electronic component may be embedded in any of the insulating resin layers. Further, a wiring layer formed on the outer surface outside the insulating resin layer may be used as a ground layer, thereby providing a shielding effect.

【0012】本願の別の発明は、2層以上の配線層を有
する多層回路基板を用いた回路装置において、多層回路
基板の表面にさらに絶縁樹脂層を形成するとともに、該
絶縁樹脂層の内部に集積回路のベアチップを埋設し、前
記絶縁樹脂層の表面に配線層を形成し、該配線層を前記
回路基板の配線層と層間接続手段を介して電気的に接続
し、前記配線層が形成されている絶縁樹脂層の表面に能
動素子または受動素子をマウントしたことを特徴とする
回路装置に関するものである。
According to another aspect of the present invention, in a circuit device using a multilayer circuit board having two or more wiring layers, an insulating resin layer is further formed on the surface of the multilayer circuit board, and the insulating resin layer is formed inside the insulating resin layer. A bare chip of an integrated circuit is buried, a wiring layer is formed on a surface of the insulating resin layer, and the wiring layer is electrically connected to a wiring layer of the circuit board via interlayer connection means, whereby the wiring layer is formed. And an active element or a passive element mounted on the surface of the insulating resin layer.

【0013】[0013]

【作用】上記一発明によれば、多層回路基板の表面にさ
らに設けられた絶縁樹脂層から成るビルドアップ層の内
部に電子部品が埋設されるようになり、このような電子
部品がその両側の電源ラインおよびグランドラインに直
接あるいは層間接続手段を介して接続されるようにな
る。
According to the present invention, electronic components are embedded in a build-up layer made of an insulating resin layer further provided on the surface of a multilayer circuit board, and such electronic components are placed on both sides thereof. It is connected to the power supply line and the ground line directly or through the interlayer connection means.

【0014】本願の上記別の発明によれば、多層回路基
板の外表面に形成されている絶縁樹脂層から成るビルド
アップ層の内部に集積回路のベアチップが埋設されると
ともに、絶縁樹脂層の表面であって配線層が形成されて
いる部分に能動素子あるいは受動素子がマウントされ、
これらによって電子回路が形成される。
According to another aspect of the present invention, a bare chip of an integrated circuit is embedded in a build-up layer formed of an insulating resin layer formed on an outer surface of a multilayer circuit board, and a surface of the insulating resin layer is formed. An active element or a passive element is mounted on a portion where the wiring layer is formed,
These form an electronic circuit.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】本発明の好ましい実施の形態は、
多層基板の両面に絶縁樹脂層を形成してその内部にLS
I等の電子部品を埋設するようにした回路装置の構造に
関するものである。とくに2層以上の電気配線層を有す
る多層基板の上にさらに絶縁樹脂層を形成してその内部
に電子部品を収納し、絶縁樹脂層の上に配線層を形成し
て多層基板の内部の配線層と電気的接続を行なう構造の
回路基板であって、電子部品を挟む配線層を電源ライン
またはグランド層を有する配線としたものである。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
An insulating resin layer is formed on both sides of a multilayer substrate, and LS
The present invention relates to a structure of a circuit device in which electronic components such as I are embedded. In particular, an insulating resin layer is further formed on a multilayer substrate having two or more electric wiring layers, electronic components are accommodated therein, and a wiring layer is formed on the insulating resin layer to form a wiring inside the multilayer substrate. A circuit board having a structure for making electrical connection with a layer, wherein a wiring layer sandwiching an electronic component is a wiring having a power supply line or a ground layer.

【0016】ここで絶縁樹脂層は多層基板を構成してい
る絶縁材料に対して高誘電率の材料を用いることが好ま
しい。また上記のような配線基板において絶縁樹脂層を
複数段に形成し、その何れかの内部に電子部品を収納し
てよい。また上記の配線構造において最外層をグランド
層としてシールド効果をもたせるようにすることが好ま
しい。
Here, the insulating resin layer is preferably made of a material having a higher dielectric constant than the insulating material constituting the multilayer substrate. Further, the insulating resin layer may be formed in a plurality of stages on the wiring board as described above, and the electronic component may be accommodated in any of the layers. Further, in the above wiring structure, it is preferable to use the outermost layer as a ground layer so as to have a shielding effect.

【0017】このような構造の回路装置によれば、絶縁
樹脂層の内部に収納された電子部品に対して短い配線距
離で電源ラインおよびグランドの供給が可能になり、電
気特性が向上する。また基板内部に多数の入出力ピンを
もつ電子部品を収納した場合に、基板表面と内蔵した電
子部品間の接続にバイアホールを用いるが、電源ライン
およびグランドを近くの配線層に配置することによっ
て、形成するバイアホールの個数を少なくできる。また
このような配線構造とすることによって、外部からのノ
イズや内部からの不要輻射を外表面に形成されるグラン
ド層のシールド効果によって軽減することが可能にな
る。
According to the circuit device having such a structure, the power supply line and the ground can be supplied to the electronic components housed in the insulating resin layer with a short wiring distance, and the electric characteristics are improved. Also, when electronic components with a large number of input / output pins are stored inside the board, via holes are used to connect the board surface and the built-in electronic components.However, by arranging the power supply line and ground in a nearby wiring layer, The number of via holes to be formed can be reduced. With such a wiring structure, noise from the outside and unnecessary radiation from the inside can be reduced by the shielding effect of the ground layer formed on the outer surface.

【0018】[0018]

【実施例】以下本発明を図示の一実施例によって説明す
る。図1はLSIのベアチップ10を示している。通常
半導体チップは、セラミックや樹脂材料等から成るパッ
ケージによって包囲されるとともに、外部接続用のリー
ドフレームを備えるのが通常である。半導体チップの電
極と外部のリードフレームとは、金属導体であるAuを
主とし、Al、Cu等のワイヤで接続されている形態が
主である。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. FIG. 1 shows a bare chip 10 of an LSI. Normally, a semiconductor chip is usually surrounded by a package made of a ceramic, a resin material or the like, and is usually provided with a lead frame for external connection. The electrode of the semiconductor chip and the external lead frame are mainly made of Au which is a metal conductor, and are mainly connected by wires such as Al and Cu.

【0019】近年電子機器の小型軽量化や薄型化の要求
にそって、半導体チップを直に回路基板に実装してこれ
に答えようとする動きが顕著である。これをベアチップ
実装と称する。図1に示す形態もこのような半導体チッ
プ10を直接回路基板に実装し得る形態としている。
In recent years, with the demand for smaller, lighter and thinner electronic devices, there has been a remarkable movement to directly mount semiconductor chips on circuit boards and respond to the demands. This is called bare chip mounting. The embodiment shown in FIG. 1 is also an embodiment in which such a semiconductor chip 10 can be directly mounted on a circuit board.

【0020】半導体チップ10を直に配線基板に実装す
る形態としては、半導体と実装する配線基板間にインタ
ーポーザと呼ばれる配線基板を介して配線する方法と、
半導体チップを配線基板に直に実装する方法とがある。
また半導体チップとインターポーザを含む基板との接続
方法としては、バンプ、すなわち突起電極を形成して直
に、あるいはまた異方性導電膜や導電性接着剤等の接続
材料を介して接続する方法と、パッケージ型LSIの形
成に用いるワイヤボンディングの手法を用いる方法に大
別される。最近はバンプを形成して接続する方法がより
省スペースでの実装が可能なことから、高密度化や小型
軽量薄型化が要求される回路に採用される傾向が多い。
The semiconductor chip 10 can be directly mounted on a wiring board by a method of wiring between a semiconductor and a wiring board to be mounted via a wiring board called an interposer;
There is a method of directly mounting a semiconductor chip on a wiring board.
In addition, as a method of connecting the semiconductor chip and the substrate including the interposer, there are a method of forming the bump, that is, a projecting electrode, and a method of connecting directly or through a connecting material such as an anisotropic conductive film or a conductive adhesive. And a method using a wire bonding technique used for forming a package type LSI. In recent years, since the method of forming and connecting bumps can be mounted in a smaller space, they are often used in circuits that require high density, small size, light weight and thinness.

【0021】図1に示すようなバンプ11は半田による
蒸着やスパッタ蒸着、印刷形成方法、Au、Au−Pd
等の電解・無電解にメッキによる形成方法、スタッドバ
ンプと称されるAuを主とするAlやCu等の材料、す
なわち細いワイヤを熱や超音波を用いてLSIの電極部
と接続して切断することによって所定の形状のバンプを
形成する方法等によって形成される。また上記の方法の
内の2つを組合わせる方法も採用される。
The bumps 11 as shown in FIG. 1 are formed by vapor deposition or sputter vapor deposition using solder, a printing method, Au, Au-Pd.
Method of forming by electroless and electroless plating, such as a material called Al and Cu mainly composed of Au called a stud bump, that is, a thin wire is connected to an LSI electrode portion using heat or ultrasonic waves and cut. Thus, a bump having a predetermined shape is formed. Further, a method of combining two of the above methods is also employed.

【0022】またバンプ11の形成場所は、LSIのチ
ップ10の表面にワイヤボンディング用として形成され
た電極をそのまま使用する場合と、再配線処理を行なっ
てエリアパッドを形成し、そこにバンプを形成するもの
とに大別される。本実施例はその何れの形態のベアチッ
プ実装をも許容するものであるが、何れの形態にせよベ
アチップ10の厚さ方向になるべく薄く実装できる形態
を採用することがより好ましい。
The bumps 11 may be formed on the surface of the LSI chip 10 using the electrodes formed for wire bonding as it is, or by performing rewiring to form area pads and forming bumps there. It is roughly divided into those that do. Although the present embodiment allows any type of bare chip mounting, in any case, it is more preferable to adopt a type that can be mounted as thin as possible in the thickness direction of the bare chip 10.

【0023】図2はとくにベアチップ10上に形成され
るバンプ11の部分を拡大して示したものである。バン
プ11は半田材料やメッキ材料で形成される。ここで半
導体ウエハ上に形成されたIC回路10の最表面に電極
15を形成し、SiO2 やSiNx 等のパシベーション
膜を形成し、その所定の位置に開口17を形成する。そ
して通常はセラミックやモールド樹脂の中に収納される
がここでは、ベアチップ実装のためにこの状態の半導体
ウエハの表面を保護するためのポリイミド等の耐熱性樹
脂膜をスピンコート法等により塗布形成し、これをアル
ミニウム電極部15の部分を開口した後、図示してある
密着金属層18や拡散防止金属層19を形成する。
FIG. 2 is an enlarged view of a portion of the bump 11 formed on the bare chip 10. The bump 11 is formed of a solder material or a plating material. Here, an electrode 15 is formed on the outermost surface of the IC circuit 10 formed on the semiconductor wafer, a passivation film such as SiO 2 or SiN x is formed, and an opening 17 is formed at a predetermined position. Usually, it is stored in ceramic or mold resin, but here, a heat-resistant resin film such as polyimide for protecting the surface of the semiconductor wafer in this state for bare chip mounting is applied by spin coating or the like. After the aluminum electrode portion 15 is opened, an adhesion metal layer 18 and a diffusion prevention metal layer 19 are formed as shown.

【0024】密着金属層18はアルミニウム電極15と
の確実な接続をとるための層である。また拡散防止金属
膜19は、熱拡散による影響を半導体チップ10に及さ
ないためのバリア層である。図2においては示していな
いがさらに形成されるバンプ材料によっては、この上に
接続上望ましい金属層を形成する場合がある。例として
は半田バンプ/Cu/W、Pt、Niのバリアメタル層
/Ni、Ti、Cr、Ni密着用膜/Al電極の構成等
が知られる。
The adhesion metal layer 18 is a layer for ensuring connection with the aluminum electrode 15. The diffusion prevention metal film 19 is a barrier layer for preventing the influence of thermal diffusion on the semiconductor chip 10. Although not shown in FIG. 2, depending on the bump material to be further formed, a metal layer desirable for connection may be formed thereon. As an example, the configuration of a solder bump / Cu / W, a barrier metal layer of Pt, Ni / Ni, Ti, Cr, Ni adhesion film / Al electrode, and the like are known.

【0025】保護樹脂膜を開口した電極部15に上記の
密着金属層18や拡散防止金属層19を蒸着、スパッタ
蒸着法、CVD等のドライシステムで形成する他、メッ
キ法によって形成する方法がある。メッキ法による方法
は、電解、無電解を問わず使用できる材料に制限を生ず
る。とくにバリアメタル層に用いる金属材料ではその制
限が多い。以上の膜形成が完了した後に、クリーム状の
半田を印刷して熱処理することによって、球状のバンプ
11が図2に示すように形成される。
The adhesion metal layer 18 and the diffusion preventing metal layer 19 are formed on the electrode portion 15 having the protective resin film opened by a dry system such as vapor deposition, sputter vapor deposition, CVD, or plating. . The plating method places restrictions on materials that can be used irrespective of electrolysis or electroless. In particular, the metal material used for the barrier metal layer has many restrictions. After the above-described film formation is completed, cream-shaped solder is printed and heat-treated, whereby spherical bumps 11 are formed as shown in FIG.

【0026】半田材料を用いてバンプを形成する方法
は、この他にPbやSnを適当に蒸着法によりSi基板
電極面に滞積させてフラックス等を塗布して加熱処理す
ることにより先のPbとSnを溶融して半田となし、表
面張力の作用によって球状にするものである。
Another method of forming a bump using a solder material is to deposit Pb or Sn on an electrode surface of a Si substrate by an appropriate vapor deposition method, apply a flux or the like, and perform a heat treatment. And Sn are melted to form solder, and are made spherical by the action of surface tension.

【0027】メッキ法によるバンプの形成は、メッキ液
を用いて電解および無電解法によって電極部にAu、C
u、Ni等を滞積して形成する方法である。一般にメッ
キ法は、バンプの高さが20〜40μm程度であって低
く、パッドピッチも半田のそれに比較して狭いものに対
応が可能になる。これに対して半田バンプは、基板の電
極側に用意された電極との間にクリーム状半田を再塗布
してバンプと溶融結合する構造をとることが多く、半田
ブリッジ、すなわち電極間ショートを懸念してパッドピ
ッチを広くしなければならない。また接合部を保護する
ために基板とベアチップ間に樹脂を充填する必要がある
ことから、バンプ高さを高くする必要がある。
The formation of the bumps by plating is performed by plating the electrodes with Au, C by electrolysis and electroless methods using a plating solution.
This is a method in which u, Ni, and the like are accumulated and formed. In general, the plating method has a bump height of about 20 to 40 μm, which is low, and the pad pitch can be narrower than that of solder. On the other hand, solder bumps often have a structure in which creamy solder is re-applied between the electrodes prepared on the electrode side of the board and melt-bonded to the bumps. The pad pitch must be widened. Further, since it is necessary to fill a resin between the substrate and the bare chip in order to protect the joint, it is necessary to increase the bump height.

【0028】図3は別のバンプ、すなわちスタッドバン
プ23をベアチップ10の電極15の部分に形成した構
成を示している。図2の半田およびメッキ法によるバン
プの形成と比較して、半導体ウエハの状態やチップ単体
10の状態でバンプが形成できることと、図2に示す構
成と比較してウエハの状態での金属膜、すなわち密着金
属層18や拡散防止金属層19を付加する必要がなく、
また比較的小さなピッチに対応できる等の特徴がある。
FIG. 3 shows a structure in which another bump, that is, a stud bump 23 is formed on the electrode 15 of the bare chip 10. The bumps can be formed in the state of the semiconductor wafer or the chip 10 as compared with the formation of the bumps by the soldering and plating method of FIG. 2, and the metal film in the state of the wafer as compared with the configuration shown in FIG. That is, there is no need to add the adhesion metal layer 18 or the diffusion prevention metal layer 19,
In addition, there is a feature that a relatively small pitch can be handled.

【0029】このようなバンプ23の材料としては、主
に直径が20〜60μm程度のAuワイヤが使用され
る。原理的には通常のパッケージICの製造においてア
ルミニウム電極から成るパッドとリードフレームとをワ
イヤで接続する技術の応用である。すなわち通常ワイヤ
配線は、熱圧着法、超音波法、またはその併用で行なわ
れる。この方法を用いて形成する手段としては、通常ア
ルミ電極に接続する条件で接続し、その面に垂直に移動
してワイヤの切断を行ない、所定のバンプ高さを確保す
ることにより切断面を潰して平にするレベリングを行な
うことによって形成される。なおこの方法がベアチップ
10のパッド毎に行なわれる。
As a material of such a bump 23, an Au wire having a diameter of about 20 to 60 μm is mainly used. In principle, this is an application of a technique of connecting a pad made of an aluminum electrode and a lead frame with a wire in the manufacture of a normal package IC. That is, wire wiring is usually performed by a thermocompression bonding method, an ultrasonic method, or a combination thereof. As a means of forming using this method, the connection is usually made under the condition of connecting to the aluminum electrode, the wire is cut perpendicularly to the surface, and the cut surface is crushed by securing a predetermined bump height. It is formed by performing leveling. This method is performed for each pad of the bare chip 10.

【0030】このようなバンプ23を有するベアチップ
10の実装方法は、異方性導電膜、Agペースト、クリ
ーム半田、導電性接着剤等を介在する方法によって基板
と接続される。
In the mounting method of the bare chip 10 having such bumps 23, the bare chip 10 is connected to the substrate by a method of interposing an anisotropic conductive film, Ag paste, cream solder, conductive adhesive or the like.

【0031】図2あるいは図3に示すバンプ11、23
を形成したベアチップ10は、とくにチップの部分の厚
さが400〜600μm程度であるが、近年の薄型化の
要求により50μm程度に研磨されたチップも存在す
る。本実施例は、実用上チップ10の厚みを100μm
とし、バンプ10の高さを30μm程度とした寸法のも
のを多層基板の表面に実装するものである。
The bumps 11 and 23 shown in FIG.
The bare chip 10 on which the pattern is formed has a thickness of about 400 to 600 μm especially at the chip portion, but there is also a chip polished to about 50 μm due to a recent demand for a thinner chip. In the present embodiment, the thickness of the chip 10 is set to 100 μm
A bump having a height of about 30 μm is mounted on the surface of the multilayer substrate.

【0032】図4は図1に示すベアチップ10の実装状
態を概念的に示すものである。すなわち図4において3
0は配線層が2層以上ある多層基板を示している。多層
基板30は有機材料基板またはセラミック等の無機材料
から成る基板であってよい。そしてこのような多層基板
30の上面および下面にそれぞれベアチップ10から成
るLSIが実装される。LSI10は絶縁樹脂層31、
32によって埋設される。絶縁樹脂層31、32は多層
基板30の表裏にそれぞれ樹脂材料をスピンコート、ス
クリーン印刷等の方法によって塗布して硬化させること
により形成される。なお絶縁樹脂層31、32は、硬化
収縮による応力を低減した材料、または部品実装時の熱
に耐え得る耐熱性を有した材料であることは言うまでも
ない。そしてこのような材料の特性として、誘電率また
はtanδ等を変え得る材料とすることが望ましい。
FIG. 4 conceptually shows a mounting state of the bare chip 10 shown in FIG. That is, in FIG.
0 indicates a multilayer substrate having two or more wiring layers. The multilayer substrate 30 may be an organic material substrate or a substrate made of an inorganic material such as ceramic. Then, an LSI composed of the bare chip 10 is mounted on the upper surface and the lower surface of such a multilayer substrate 30, respectively. The LSI 10 has an insulating resin layer 31,
32 buried. The insulating resin layers 31 and 32 are formed by applying and curing a resin material on the front and back of the multilayer substrate 30 by a method such as spin coating or screen printing. Needless to say, the insulating resin layers 31 and 32 are made of a material having reduced stress due to curing shrinkage or a material having heat resistance enough to withstand heat during component mounting. As a characteristic of such a material, a material that can change a dielectric constant, tan δ, or the like is desirable.

【0033】絶縁樹脂層31、32に埋設されるチップ
10は図1〜図3に示したものであってよく、多層基板
30の両面に形成された絶縁樹脂層31、32内にそれ
ぞれ内蔵収納される。内蔵方法としては、多層基板30
にベアチップ10を半田、異方性導電膜、導電性接着剤
等によってLSI側に形成されたバンプに対応して多層
基板30側に用意された電極に接続される。
The chips 10 buried in the insulating resin layers 31 and 32 may be those shown in FIGS. 1 to 3 and are respectively housed in the insulating resin layers 31 and 32 formed on both surfaces of the multilayer substrate 30. Is done. As a built-in method, the multilayer substrate 30
The bare chip 10 is connected to electrodes provided on the multilayer substrate 30 corresponding to the bumps formed on the LSI side by solder, anisotropic conductive film, conductive adhesive or the like.

【0034】図5は図4に示す多層基板30の構造をよ
り正確に示したものであって、ここでは多層基板30が
3層の絶縁層35から形成されるとともに、これらの絶
縁層35間および絶縁層35の表面に上から順に配線層
36、37、38、39が形成される。また多層基板3
0の上下の部分に形成されている絶縁樹脂層31、32
の外表面にはさらに配線層40、41が形成される。そ
してこれらの配線層36〜39はバイアホール43やス
ルーホール44を介して互いに接続される。また絶縁樹
脂層31にはそれらを厚さ方向に貫通するバイアホール
45が形成される。そして絶縁樹脂層31、32に埋設
されているベアチップ10のバンプ11は配線層36、
39に接続される。また絶縁樹脂層31、32の表面に
マウントされる能動素子や受動素子から成る電子部品4
7、48は配線層40、41の上に絶縁層49を介して
形成されている配線層50に接続される。
FIG. 5 shows the structure of the multilayer substrate 30 shown in FIG. 4 more precisely. In this example, the multilayer substrate 30 is formed from three insulating layers 35, and between these insulating layers 35. In addition, wiring layers 36, 37, 38, and 39 are sequentially formed on the surface of the insulating layer 35 from the top. In addition, the multilayer substrate 3
Insulating resin layers 31 and 32 formed on the upper and lower portions of
Are further formed on the outer surface of the substrate. These wiring layers 36 to 39 are connected to each other via via holes 43 and through holes 44. In the insulating resin layer 31, a via hole 45 penetrating them in the thickness direction is formed. The bumps 11 of the bare chip 10 embedded in the insulating resin layers 31 and 32 are
39. Also, an electronic component 4 composed of active elements and passive elements mounted on the surfaces of the insulating resin layers 31 and 32.
7 and 48 are connected to a wiring layer 50 formed on the wiring layers 40 and 41 via an insulating layer 49.

【0035】図5に示される多層構造は、4層基板の両
側にそれぞれ配線層40、41、50を形成した基板で
ある。このような基板をビルドアップ基板と称し、ベア
チップ実装あるいは高密度実装に用いられる基板であ
る。なおビルドアップ層31、32、49は、ここでは
2層ずつ形成されているが、これらの絶縁樹脂層31、
32から成るビルドアップ層を2層に限らず、1層ある
いは3層以上形成するようにしてもよい。
The multilayer structure shown in FIG. 5 is a substrate in which wiring layers 40, 41, 50 are formed on both sides of a four-layer substrate. Such a substrate is called a build-up substrate and is a substrate used for bare chip mounting or high-density mounting. Although the build-up layers 31, 32, and 49 are formed here two by two, these insulating resin layers 31,
The number of build-up layers composed of 32 is not limited to two, but may be one, or three or more.

【0036】図5に示すように、本実施例の特徴は、多
層基板30の両側にベアチップ10の厚さよりも厚い絶
縁樹脂層31、32を形成し、その中にベアチップ10
を埋設するようにしている。ここで従来ビルドアップ層
の絶縁体の厚みは50〜80μmになっている。ここで
厚みを増すと微細配線とバイアホールの形成が難しくな
る。本実施例においては多層基板30の両面に形成する
絶縁樹脂層31、32を200μm程度とし、その中に
ベアチップ10を実装するとともに、レーザーやパウダ
ービームを利用してバイアホールを形成するようにして
いる。
As shown in FIG. 5, this embodiment is characterized in that insulating resin layers 31 and 32 thicker than the thickness of the bare chip 10 are formed on both sides of the multilayer substrate 30 and the bare chip 10 is formed therein.
Is to be buried. Here, the thickness of the insulator of the conventional build-up layer is 50 to 80 μm. Here, if the thickness is increased, it becomes difficult to form fine wiring and via holes. In this embodiment, the insulating resin layers 31 and 32 formed on both surfaces of the multilayer substrate 30 have a thickness of about 200 μm, the bare chip 10 is mounted therein, and a via hole is formed by using a laser or a powder beam. I have.

【0037】ここで電源ラインやグランド層を図6に示
す従来の多層基板と同様に内層部に形成すると、ベアチ
ップ10への電源やグランドの供給のための配線長を短
くすることができない。また図5の配線層40を電源ラ
インとし、配線層41をグランド層とすると、電源およ
びグランドの供給がスルーホール44およびバイアホー
ル45を介して供給することになり、絶縁樹脂層31、
32の厚さが厚くなる分だけ配線長が長くなって不利に
なる。これによって回路特性の悪化あるいは不要輻射を
招くことが懸念される。
Here, if the power supply line and the ground layer are formed in the inner layer like the conventional multilayer substrate shown in FIG. 6, the wiring length for supplying the power and the ground to the bare chip 10 cannot be shortened. When the wiring layer 40 in FIG. 5 is a power supply line and the wiring layer 41 is a ground layer, power and ground are supplied through the through holes 44 and the via holes 45, and the insulating resin layer 31,
As the thickness of the wiring 32 increases, the wiring length becomes longer, which is disadvantageous. This may cause deterioration of circuit characteristics or unnecessary radiation.

【0038】従ってLSIのベアチップ10を内蔵する
絶縁樹脂層31、32の両側にそれぞれ形成された配線
層36、39および40、41をそれぞれ電源ラインお
よびグランド層とすることによってこの懸念をなくすこ
とが可能になる。配線層40、41をグランド層とし、
配線層36、39を電源ラインとすることによって、ベ
アチップ10に対する電源およびグランドのラインを近
接して形成することが可能になり、しかも絶縁樹脂層3
1、32に形成するバイアホール45の数も少なくな
る。配線層40、41の外表面上に直接あるいはさらに
絶縁層49を介して配線層50を形成し、電子部品4
7、48を配置することも可能であって、そのことを考
慮すればこの効果は非常に大きくなる。
Therefore, this concern can be eliminated by using the wiring layers 36, 39 and 40, 41 formed on both sides of the insulating resin layers 31, 32 containing the bare chip 10 of the LSI as power supply lines and ground layers, respectively. Will be possible. The wiring layers 40 and 41 are ground layers,
By using the power supply lines for the wiring layers 36 and 39, power and ground lines for the bare chip 10 can be formed close to each other.
The number of via holes 45 formed in the first and the second 32 also decreases. A wiring layer 50 is formed directly on the outer surfaces of the wiring layers 40 and 41 or further through an insulating layer 49 to form an electronic component 4.
It is also possible to arrange 7, 48, and taking this into account, the effect becomes very large.

【0039】[0039]

【発明の効果】本願の一発明は、2層以上の配線層を有
する多層回路基板を用いた回路装置において、多層回路
基板の表面にさらに絶縁樹脂層を形成するとともに、該
絶縁樹脂層の内部に電子部品を埋設し、絶縁樹脂層の表
面に配線層を形成し、該配線層を多層回路基板の配線層
と層間接続手段を介して電気的に接続し、しかも絶縁樹
脂層の内部に埋設されている電子部品の両側の配線層を
電源ラインおよびグランド層としたものである。
According to one aspect of the present invention, in a circuit device using a multilayer circuit board having two or more wiring layers, an insulating resin layer is further formed on the surface of the multilayer circuit board, and the inside of the insulating resin layer is formed. Embed an electronic component, form a wiring layer on the surface of the insulating resin layer, electrically connect the wiring layer to the wiring layer of the multilayer circuit board via interlayer connection means, and bury the wiring layer inside the insulating resin layer. The wiring layers on both sides of the electronic component are used as power supply lines and ground layers.

【0040】従ってこのような回路装置によれば、多層
回路基板の表面に形成されている絶縁樹脂層の内部に電
子部品が埋設されるとともに、このような電子部品が両
側の電源ラインおよびグランド層と接続されるようにな
り、電源ラインおよびグランド層に対する配線の長さを
短くすることが可能になり、電気的特性に優れた回路装
置が提供される。
Therefore, according to such a circuit device, the electronic component is embedded in the insulating resin layer formed on the surface of the multilayer circuit board, and the electronic component is provided on both sides of the power supply line and the ground layer. Connected to the power supply line and the ground layer, so that the length of the wiring for the power supply line and the ground layer can be reduced, and a circuit device having excellent electrical characteristics can be provided.

【0041】本願の別の発明は、2層以上の配線層を有
する多層回路基板を用いた回路装置において、多層回路
基板の表面にさらに絶縁樹脂層を形成するとともに、該
絶縁樹脂層の内部に集積回路のベアチップを埋設し、絶
縁樹脂層の表面に配線層を形成し、該配線層を回路基板
の配線層と層間接続手段を介して電気的に接続し、配線
層が形成されている絶縁樹脂層の表面に能動素子または
受動素子をマウントしたものである。
Another invention of the present application is a circuit device using a multilayer circuit board having two or more wiring layers, wherein an insulating resin layer is further formed on the surface of the multilayer circuit board, and the insulating resin layer is formed inside the insulating resin layer. A bare chip of an integrated circuit is buried, a wiring layer is formed on a surface of an insulating resin layer, and the wiring layer is electrically connected to a wiring layer of a circuit board through an interlayer connection means, and the insulating layer on which the wiring layer is formed is formed. An active element or a passive element is mounted on the surface of a resin layer.

【0042】従ってこのような構成によれば、多層基板
の外表面に形成されている絶縁樹脂層の内部に集積回路
のベアチップが埋設されるとともに、絶縁樹脂層の表面
に能動素子または受動素子がマウントされ、これらが互
いに層間接続手段によって接続されて回路装置が形成さ
れるようになる。
Therefore, according to this structure, the bare chip of the integrated circuit is embedded in the insulating resin layer formed on the outer surface of the multilayer substrate, and the active element or the passive element is mounted on the surface of the insulating resin layer. They are mounted and connected to each other by interlayer connection means to form a circuit device.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】ベアチップの断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a bare chip.

【図2】同ベアチップに形成されるバンプの拡大断面図
である。
FIG. 2 is an enlarged sectional view of a bump formed on the bare chip.

【図3】別のバンプの拡大縦断面図である。FIG. 3 is an enlarged vertical sectional view of another bump.

【図4】ベアチップを内蔵する絶縁樹脂層と多層基板の
縦断面図である。
FIG. 4 is a vertical sectional view of an insulating resin layer containing a bare chip and a multilayer substrate.

【図5】多層基板の内部構造を示す縦断面図である。FIG. 5 is a longitudinal sectional view showing the internal structure of the multilayer substrate.

【図6】従来の回路装置の縦断面図である。FIG. 6 is a longitudinal sectional view of a conventional circuit device.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10‥‥ベアチップ、11‥‥バンプ、15‥‥電極、
16‥‥パシベーション膜、17‥‥開口、18‥‥密
着金属層、19‥‥拡散防止金属層、23‥‥スタッド
バンプ、30‥‥多層基板、31、32‥‥絶縁樹脂
層、35‥‥絶縁層、36‥‥配線層、37〜39‥‥
配線層、40、41‥‥配線層、43‥‥バイアホー
ル、44‥‥スルーホール、45‥‥バイアホール、4
7、48‥‥電子部品、49‥‥絶縁層、50‥‥配線
層、60‥‥絶縁層、61〜64‥‥配線層、65‥‥
絶縁樹脂層、66‥‥配線層、67‥‥スルーホール、
68‥‥バイアホール、69‥‥ベアチップ、70‥‥
電子部品
10 ‥‥ bare chip, 11 ‥‥ bump, 15 ‥‥ electrode,
16 passivation film, 17 opening, 18 adhesion metal layer, 19 diffusion prevention metal layer, 23 stud bump, 30 multilayer substrate, 31, 32 insulation resin layer, 35 Insulation layer, 36 ‥‥ wiring layer, 37-39 ‥‥
Wiring layer, 40, 41 wiring layer, 43 via hole, 44 through hole, 45 via hole, 4
7, 48 ‥‥ electronic component, 49 ‥‥ insulation layer, 50 ‥‥ wiring layer, 60 ‥‥ insulation layer, 611〜64 ‥‥ wiring layer, 65 ‥‥
Insulating resin layer, 66 ‥‥ wiring layer, 67 ‥‥ through hole,
68 ‥‥ Via Hole, 69 ‥‥ Bare Chip, 70 ‥‥
Electronic components

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】2層以上の配線層を有する多層回路基板を
用いた回路装置において、 前記多層回路基板の表面にさらに絶縁樹脂層を形成する
とともに、該絶縁樹脂層の内部に電子部品を埋設し、 前記絶縁樹脂層の表面に配線層を形成し、該配線層を前
記多層回路基板の配線層と層間接続手段を介して電気的
に接続し、 しかも前記絶縁樹脂層の内部に埋設されている電子部品
の両側の配線層を電源ラインおよびグランド層としたこ
とを特徴とする回路装置。
1. A circuit device using a multilayer circuit board having two or more wiring layers, wherein an insulating resin layer is further formed on the surface of the multilayer circuit board, and an electronic component is embedded inside the insulating resin layer. Forming a wiring layer on the surface of the insulating resin layer, electrically connecting the wiring layer to the wiring layer of the multilayer circuit board via interlayer connection means, and burying the wiring layer inside the insulating resin layer; Wherein the wiring layers on both sides of the electronic component are a power supply line and a ground layer.
【請求項2】絶縁樹脂層を構成する材料が多層回路基板
を構成する絶縁材料よりも誘電率が高いことを特徴とす
る請求項1に記載の回路装置。
2. The circuit device according to claim 1, wherein a material forming the insulating resin layer has a higher dielectric constant than an insulating material forming the multilayer circuit board.
【請求項3】絶縁樹脂層を複数段に形成し、何れかの絶
縁樹脂層に電子部品を埋設したことを特徴とする請求項
1に記載の回路装置。
3. The circuit device according to claim 1, wherein the insulating resin layer is formed in a plurality of stages, and an electronic component is embedded in any of the insulating resin layers.
【請求項4】絶縁樹脂層の外側であって外表面に形成さ
れている配線層をグランド層としたことを特徴とする請
求項1に記載の回路装置。
4. The circuit device according to claim 1, wherein the wiring layer formed on the outer surface outside the insulating resin layer is a ground layer.
【請求項5】2層以上の配線層を有する多層回路基板を
用いた回路装置において、 多層回路基板の表面にさらに絶縁樹脂層を形成するとと
もに、該絶縁樹脂層の内部に集積回路のベアチップを埋
設し、 前記絶縁樹脂層の表面に配線層を形成し、該配線層を前
記回路基板の配線層と層間接続手段を介して電気的に接
続し、 前記配線層が形成されている絶縁樹脂層の表面に能動素
子または受動素子をマウントしたことを特徴とする回路
装置。
5. A circuit device using a multilayer circuit board having two or more wiring layers, wherein an insulating resin layer is further formed on the surface of the multilayer circuit board, and a bare chip of an integrated circuit is provided inside the insulating resin layer. A wiring layer is formed on the surface of the insulating resin layer, and the wiring layer is electrically connected to a wiring layer of the circuit board via interlayer connection means; and the insulating resin layer on which the wiring layer is formed. A circuit device, wherein an active element or a passive element is mounted on a surface of the device.
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