JPH09258265A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JPH09258265A
JPH09258265A JP6354396A JP6354396A JPH09258265A JP H09258265 A JPH09258265 A JP H09258265A JP 6354396 A JP6354396 A JP 6354396A JP 6354396 A JP6354396 A JP 6354396A JP H09258265 A JPH09258265 A JP H09258265A
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liquid crystal
display device
crystal display
insulating film
formed
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JP6354396A
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Inventor
Yoshiharu Kataoka
Hirohiko Nishiki
義晴 片岡
博彦 錦
Original Assignee
Sharp Corp
シャープ株式会社
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid crystal display device in which noise signals generated among respective wirings are reduced and an approximately parallel and horizontal electric field with respect to the substrate surface is uniformly applied to a liquid crystal layer.
SOLUTION: A gate wiring, a data wiring 2 and a TFT are formed on an insulating film 7 formed on an insulating substrate 6a of the TFT side. On top of them, an inter-layer insulating film 10 having a top surface and tilted surfaces is provided son as to have a prescribed thickness. An opposing electrode and a second drain electrode, which is electrically connected to an electrode of the TFT through a contact hole 11 formed on the film 10, are formed. Thus, an approximately parallel signal electric field with respect to the substrate 6a is applied to the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer by the opposing electrode an the second drain electrode and as a result, the angle of visual of visual field is increased.
COPYRIGHT: (C)1997,JPO

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置などに用いられるアクティブマトリクス基板に関する。 The present invention relates to relates to an active matrix substrate used for a liquid crystal display device.

【0002】 [0002]

【従来の技術】ガラス等の絶縁性基板上に薄膜トランジスタ(以下、TFTと記す)をマトリクス状に形成し、 BACKGROUND ART TFT on an insulating substrate such as glass (hereinafter, referred to as a TFT) is formed in a matrix,
これをスイッチング素子として用いるアクティブマトリクス型の液晶表示装置は、高画質のフラットパネルディスプレイとして期待されている。 Active matrix liquid crystal display device used as a switching element is expected as a high-quality flat panel display.

【0003】しかし液晶表示装置には、視野角が狭いという問題点がある。 [0003] However, in the liquid crystal display device, the viewing angle there is a problem that narrow. その欠点を克服するため、例えば特開平7−36058号公報に開示されているように、液晶層に印加する電界を基板面に対して平行にかける方式の液晶表示装置が開発されている。 To overcome the shortcomings, for example, as disclosed in JP-A-7-36058, a liquid crystal display device using a method for applying an electric field to be applied to the liquid crystal layer in parallel to the substrate surface it has been developed. 以下、液晶層に印加する電界を基板面に対して平行にかける方式の液晶表示装置を横電界型液晶表示装置と記し、これに対して基板面に垂直に電界を印加する方式の液晶表示装置を縦電界型液晶表示装置と記す。 Hereinafter, describing the liquid crystal display device using a method for applying an electric field to be applied to the liquid crystal layer in parallel to the substrate surface and the transverse electric field type liquid crystal display device, a liquid crystal display apparatus of a type for applying an electric field perpendicular to the substrate surface with respect thereto a referred to as a vertical electric field type liquid crystal display device.

【0004】図5は、上記公報に開示されている横電界型液晶表示装置の構成を示す図であり、TFT基板の1 [0004] Figure 5 is a diagram showing a configuration of a transverse electric field type liquid crystal display device disclosed in the above publication, the TFT substrate 1
画素分に相当する。 Corresponding to the pixels. (a)は上から見た図、(b)は図5(a)におけるB−B'線に沿った断面図である。 (A) is a top view of, (b) is a sectional view taken along the line B-B 'in FIG. 5 (a). 図5に示すように、基板6a上に対向電極5が設けられ、 As shown in FIG. 5, the counter electrode 5 is provided on the substrate 6a,
続いて絶縁膜7がその上に設けられる。 Then the insulating film 7 is provided thereon. 絶縁膜7の上に、ゲート配線1およびデータ配線2が形成され、ゲート配線1上にTFT8が設けられる。 On the insulating film 7 is the gate line 1 and the data line 2 is formed, TFT 8 is provided on the gate line 1. TFT8のソース電極はデータ配線2に接続される。 The source electrode of TFT8 is connected to the data line 2. ドレイン電極4は図5(a)に示すように、ゲート配線1およびデータ配線2で囲まれる領域まで延伸されており、ゲート配線1に平行にのびる一対の部分と、この一対の部分を接続する、データ配線2に平行な部分とから構成される。 A drain electrode 4, as shown in FIG. 5 (a), has been extended to a region surrounded by the gate line 1 and the data line 2 connects the pair of portions extending in parallel to the gate line 1, the pair of partial , composed of a portion parallel to the data line 2. 図5 Figure 5
(b)に示すように形成されたTFT基板上に図6に示すように配向膜14を形成し、基板6b上に配向膜13 An alignment film 14 as shown in FIG. 6 is formed in the formed TFT substrate (b), the orientation on the substrate 6b film 13
を形成したものと貼り合わせ、両基板間に液晶層9を形成すれば、横電界型液晶表示装置が完成する。 Bonded to those forming, by forming the liquid crystal layer 9 between the substrates, the transverse electric field type liquid crystal display device is completed.

【0005】縦電界型液晶表示装置においては、視角によってコントラストが低下したり、表示が反転するという現象は、液晶層を透過してくる光と液晶分子の長軸方向とのなす角度が視角方向によって変わり、複屈折異方性が現れることに起因する。 [0005] In the vertical electric field type liquid crystal display device, or the contrast decreases depending on the viewing angle, the phenomenon that the display is reversed, the angle viewing angle direction of the long axis direction of the light and the liquid crystal molecules come through the liquid crystal layer It depends, due to the birefringence anisotropy appears. これに対して、横電界型液晶表示装置では、図6に示すように、基板6a、6bに対して平行な電界をドレイン電極4と対向電極5との間に信号電界15として印加して、液晶層9内の液晶分子を基板6a、6bに対して平行な面内で回転させ、それにより透過率を制御する。 In contrast, in the horizontal electric field type liquid crystal display device, as shown in FIG. 6, the substrate 6a, is applied as a signal electric field 15 between the drain electrode 4 and the counter electrode 5 a parallel electric field to 6b, substrate 6a of the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer 9, is rotated in a plane parallel with respect to 6b, thereby controlling the transmittance. このため、液晶分子の長軸方向と透過光のなす角度は視角方向によっては変わらない。 Therefore, the angle of the major axis and the transmitted light of the liquid crystal molecules is not changed depending on the viewing angle direction. したがって、コントラストは視角方向には依存せず、広視野角化を実現することができる。 Thus, the contrast does not depend on the viewing angle direction, it is possible to realize a wide viewing angle.

【0006】 [0006]

【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の横電界型液晶表示装置では、図5(a)に示すように対向電極5がTFT基板に配設されている。 [SUMMARY OF THE INVENTION] However, in the conventional IPS type liquid crystal display device, the counter electrode 5 as shown in FIG. 5 (a) is disposed on the TFT substrate. このため、縦電界型液晶表示装置と比べると配線構造が複雑であり、開口率が低く、十分な輝度を得ることができないという問題点があった。 Thus, a wiring structure compared to the vertical electric field type liquid crystal display device is complicated, the aperture ratio is low, there is a problem that it is impossible to obtain a sufficient luminance.

【0007】しかも、図6に示すように、複雑な配線構造のせいでドレイン電極4と対向電極5との間に印加される信号電界15以外にも、各配線間、例えばデータ配線2とドレイン電極4との間等には雑音電界16が生じ、表示に悪影響を及ぼしていた。 [0007] Moreover, as shown in FIG. 6, a complex other than a signal field 15 applied between the drain electrode 4 and the counter electrode 5 due to wiring structure, between the wires, for example, data lines 2 and the drain noise field 16 is generated between such an electrode 4, it had an adverse effect on the display.

【0008】また、従来の横電界型液晶表示装置では、 Further, in the conventional IPS type liquid crystal display device,
数千オングストロームの厚さの電極で10μmほどの厚みの液晶層9全体に電界をかけているために、図6に示すように、液晶層9に印加される電界は基板に対して完全に平行にはならない。 To that applying an electric field across the liquid crystal layer 9 having a thickness of about 10μm in thickness of the electrode thousands angstroms, as shown in FIG. 6, the electric field applied to the liquid crystal layer 9 is completely parallel to the substrate It should not be in. このため、液晶層9に電界を印加すると、液晶分子は基板6a、6bに対して平行な状態からずれて、液晶分子と基板との間にいくらかの傾きができてしまい、その傾きのせいで、原理的にはなくなるはずの視野角依存性を残す原因となっていた。 Therefore, when an electric field is applied to the liquid crystal layer 9, the liquid crystal molecules are shifted from parallel to the substrate 6a, 6b, will be able to some inclination between the liquid crystal molecules and the substrate, because of the slope , it has been a cause to leave the viewing angle dependence of should not in principle.

【0009】本発明はこのような現状に鑑みてなされたものであり、十分な開口率を得ると同時に、各配線間からの雑音信号を軽減し、ほぼ完全に基板面に対して平行な横電界を均一に液晶層に印加することのできる液晶表示装置を提供することを目的とする。 [0009] The present invention has been made in view of such circumstances, and at the same time obtain a sufficient aperture ratio, reduce noise signals from among the lines, the horizontal parallel to the almost complete substrate surface and to provide a liquid crystal display device capable of applying a uniform liquid crystal layer an electric field.

【0010】 [0010]

【課題を解決するための手段】本発明の液晶表示装置は、一対の絶縁性基板と該一対の絶縁性基板に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置であって、一方の絶縁性基板上には、マトリクス状に配置されているスイッチング素子と、該スイッチング素子に接続された第一および第二の配線と、該第一および第二の配線を覆うように配置された、上面および傾斜面を有する層間絶縁膜と、 The liquid crystal display device of the present invention, in order to solve the problem] is a liquid crystal display device having a liquid crystal layer between a pair of insulating substrates and the pair of insulating substrates, one of the insulating substrate the upper, a switching element are arranged in a matrix, and the first and second wiring connected to the switching element, which is arranged to cover the first and second wiring, the upper surface and inclined an interlayer insulating film having a surface,
該液晶層に電界を印加するための第一および第二の電極であって、一方が該スイッチング素子と電気的に接続されている第一および第二の電極とが形成されており、該第一および第二の電極は該層間絶縁膜の該上面および傾斜面を覆うように形成されており、それにより該絶縁性基板に対して実質的に平行に該電界を該液晶層に印加し、そのことにより上記目的を達成する。 A first and second electrodes for applying an electric field to the liquid crystal layer, one of which is formed with first and second electrodes are electrically connected to said switching element, said first and second electrodes are formed to cover the upper surface and the inclined surface of the interlayer insulating film, thereby substantially parallel to the electric field applied to the liquid crystal layer with respect to the insulative substrate, its possible by achieving the above object.

【0011】前記層間絶縁膜の材料は樹脂であってもよい。 [0011] Materials of the interlayer insulating film may be a resin.

【0012】前記樹脂は感光性アクリル樹脂であってもよい。 [0012] The resin may be a photosensitive acrylic resin.

【0013】前記層間絶縁膜の厚さは、1〜10μmであってもよい。 [0013] The thickness of the interlayer insulating film may be 1 to 10 [mu] m.

【0014】前記第一および第二の電極の他方は、前記層間絶縁膜を介して、前記第二の配線を覆っていてもよい。 [0014] the other of said first and second electrode via the interlayer insulating film may cover the second wiring.

【0015】前記層間絶縁膜の厚さは、前記液晶層の厚さの30%〜100%であってもよい。 [0015] The thickness of the interlayer insulating film may be 30% to 100% of the thickness of the liquid crystal layer.

【0016】前記層間絶縁膜の前記上面および傾斜面を覆うように形成された前記第一および第二の電極を、前記一対の絶縁性基板の間のスペーサとして用いてもよい。 [0016] the upper surface and the formed so as to cover the inclined surface first and second electrode of the interlayer insulating film may be used as a spacer between the pair of insulating substrates.

【0017】 [0017]

【発明の実施の形態】以下、本発明の液晶表示装置を図面を参照しながら説明する。 DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, with reference to the drawings of the liquid crystal display device of the present invention. なお、図面を通して、同じ構成要素には同じ参照符号を付している。 Incidentally, throughout the drawings are denoted by the same reference numerals to the same components.

【0018】図3は本発明の液晶表示装置の構成を示す図であり、TFT側基板の1画素分に相当する。 [0018] Figure 3 is a diagram showing a configuration of a liquid crystal display device of the present invention, corresponding to one pixel of the TFT-side substrate. (a) (A)
は上から見た図、(b)は図3(a)のA−A'線に沿った断面図である。 View from above, a sectional view taken along the line A-A 'in (b) FIG. 3 (a).

【0019】本発明の液晶表示装置は、上述した従来の横電界型液晶表示装置とは異なり、図3(a)、(b) The liquid crystal display device of the present invention, unlike the conventional transverse electric field type liquid crystal display device described above, FIG. 3 (a), (b)
に示すように、絶縁膜7の上にゲート配線1、データ配線2、および第一ドレイン電極4aを含むTFT8を形成し、その上に層間絶縁膜10を介して、液晶層に電界を印加するための第二ドレイン電極4bおよび対向電極5を設けている。 As shown in, the gate line 1 on the insulating film 7, to form a data line 2 TFT 8 which and a first drain electrode 4a,, through the interlayer insulating film 10 thereon, applying an electric field to the liquid crystal layer It is provided with a second drain electrode 4b and the counter electrode 5 for. 基板6a上の層間絶縁膜10は、第二ドレイン電極4bおよび対向電極5が形成されるべき部分に、基板6aに対して傾斜した面を有するように形成されており、第二ドレイン電極4bおよび対向電極5 Interlayer insulating film 10 on the substrate 6a is a second drain electrode 4b and parts to the counter electrode 5 is formed, it is formed to have a surface inclined relative to the substrate 6a, and the second drain electrode 4b counter electrode 5
は、層間絶縁膜10の上面および傾斜面を覆うように形成されている。 It is formed so as to cover the upper surface and the inclined surface of the interlayer insulating film 10. また、第二ドレイン電極4bは、層間絶縁膜10に設けられたコンタクトホール11aを介して第一ドレイン電極4aに電気的に接続されている。 The second drain electrode 4b is electrically connected to the first drain electrode 4a through the contact hole 11a formed in the interlayer insulating film 10.

【0020】図3(a)、(b)に示す構造のTFT基板は、以下のようにして形成される。 The TFT substrate having the structure shown in FIG. 3 (a), (b) is formed as follows.

【0021】まず、図1(a)、(b)に示すように、 [0021] First, as shown in FIG. 1 (a), (b),
絶縁性基板6a上に、Ta等からなるゲート配線1を形成した後、SiNx等からなる絶縁膜7を形成し、その上にデータ配線2およびTFT8等を従来と同様のプロセスで形成する。 On an insulating substrate 6a, after forming the gate line 1 made of Ta or the like, an insulating film 7 made of SiNx or the like, thereon the data lines 2 and TFT8 like form similar to the conventional process. 絶縁性基板6aとしてはガラス基板を用いることができ、またゲート配線1およびデータ配線2としてはTa等を用いることができる。 As the insulating substrate 6a can be used a glass substrate, also it can be used such as Ta as the gate line 1 and the data line 2. TFT8は、 TFT8 ​​is,
ゲート配線1の一部分をゲート電極、データ配線2の突起部2aをソース電極とし、データ配線2と同じ膜から形成された導電片4aをドレイン電極としている。 The gate electrode portion of the gate line 1, the protrusions 2a of the data line 2 and the source electrode, and the drain electrode of conducting pieces 4a formed from the same film as the data lines 2. また、データ配線2および導電片4a(第一ドレイン電極)を形成する際に同時に、導電片12がゲート配線1 Further, simultaneously with the formation of the data line 2 and the conductive piece 4a (first drain electrode), the conductive strip 12 is a gate wiring 1
と重なる位置に形成される。 It is formed on the overlapped position. この導電片12は補助容量を形成する電極として機能する。 The conductive piece 12 functions as an electrode for forming the storage capacitance.

【0022】次に、その一部がデータ配線2の上方に位置するように、層間絶縁膜10を形成する。 Next, a portion thereof so as to be located above the data line 2, an interlayer insulating film 10. 層間絶縁膜10には、図2(a)、(b)に示すように、第一ドレイン電極4aと第二ドレイン電極4bとの電気的接触、 The interlayer insulating film 10, FIG. 2 (a), the (b), the electrical contact with the first drain electrode 4a and the second drain electrode 4b,
および補助容量電極12と第二ドレイン電極4bとの電気的接触をとるために、コンタクトホール11a、11 And to take the auxiliary capacitance electrode 12 electrical contact with the second drain electrode 4b, the contact holes 11a, 11
bを形成する必要がある。 It is necessary to form a b. そこで、本発明の液晶表示装置では、数μmの厚さで形成するのが容易であること、 Therefore, it in the liquid crystal display device of the present invention are easy to form in a thickness of several [mu] m,
しかも誘電率が窒化シリコンの半分以下であるために、 Moreover because the dielectric constant is less than half of the silicon nitride,
配線を層間絶縁膜を介して重畳させたときに配線間に形成される寄生容量が小さいこと等から、樹脂を層間絶縁膜の材料として用いる。 Wires from such that the parasitic capacitance is small, which is formed between the wirings when superposed via an interlayer insulating film, a resin as a material of the interlayer insulating film. 特に、樹脂の中でも感光性アクリル樹脂を層間絶縁膜として用いる場合には、液状の樹脂材料をスピン塗布法により基板6aに塗布した後、フォトリソ工程にて露光し、アルカリ性溶液による現像を行うことによりパターニングすることによりコンタクトホールを形成することができ、層間絶縁膜の成膜とパターニングを同時に行うことができるという長所がある。 In particular, in the case of using a photosensitive acrylic resin among the resin as an interlayer insulating film, after application to the substrate 6a by the liquid resin material spin coating, exposed in photolithographic process, by carrying out development with an alkaline solution it is possible to form a contact hole by patterning, there is an advantage that it is possible to perform film formation and patterning of the interlayer insulating film at the same time.

【0023】上述したようにして層間絶縁膜10を形成した後、第二ドレイン電極4bおよび対向電極5を図3 [0023] After forming the interlayer insulating film 10 in the manner described above, FIG. 3 a second drain electrode 4b and the counter electrode 5
(b)に示すように、層間絶縁膜10の上面および傾斜面を覆うように形成する。 (B), the formed so as to cover the upper surface and the inclined surface of the interlayer insulating film 10. 第二ドレイン電極4bおよび対向電極5の材料としてはTa等が用いられ得る。 As a material of the second drain electrode 4b and the counter electrode 5 may be used is Ta or the like. 対向電極5は、図3(b)に示すようにデータ配線2の上方に位置する層間絶縁膜10を覆うように形成される。 Counter electrode 5 is formed to cover the interlayer insulating film 10 located above the data line 2 as shown in FIG. 3 (b). したがって、対向電極5はデータ配線2に完全に重なることになる。 Accordingly, the counter electrode 5 will be completely overlap the data line 2.

【0024】このようにして形成されたTFT側基板の表面に配向膜14を形成し、ラビング処理を施す。 [0024] In this manner an alignment film 14 is formed on the formed TFT side surface of the substrate, a rubbing process. また絶縁性基板6bの表面にも配向膜13を形成し、同様にラビング処理を施す。 Also to form an alignment film 13 on the surface of an insulating substrate 6b, similarly rubbed. この際、液晶分子の長軸方向が第二ドレイン電極4bおよび対向電極5と45度の角度をなして配向するようにラビング方向を決める。 In this case, determining the rubbing direction as the long axis direction of the liquid crystal molecules are oriented at an angle of the second drain electrode 4b and the counter electrode 5 and 45 degrees. その後、 after that,
両基板を貼り合わせ、両基板間に液晶材料を封入することにより液晶層9を形成すると、液晶表示装置が完成する。 Bonding the two substrates, to form a liquid crystal layer 9 by a liquid crystal material is sealed between two substrates, a liquid crystal display device is completed. なお、絶縁性基板6bの表面には、配向膜13の形成に先立って、カラーフィルターを形成してもよい。 Note that the surface of the insulating substrate 6b, prior to the formation of the orientation film 13, may be provided with a color filter.

【0025】以上のようにして形成された図3(a)、 The above Figure is formed as 3 (a),
(b)に示す構造のTFT側基板を有する液晶表示装置では、従来の横電界型液晶表示装置とは異なり、第二ドレイン電極4bおよび対向電極5を液晶層9の深さ方向に対して大きく形成することができる。 In the liquid crystal display device having the TFT side substrate of the structure shown in (b) is different from a conventional transverse electric field type liquid crystal display device, increase the second drain electrode 4b and the counter electrode 5 with respect to the depth direction of the liquid crystal layer 9 it can be formed. このため、層間絶縁膜10の厚さを適切に設定することにより、図4に示すように基板6aに対してほぼ完全に平行な電界を液晶分子に印加することができる。 Therefore, by appropriately setting the thickness of the interlayer insulating film 10, it can be applied to almost perfectly parallel electric field to the liquid crystal molecules to the substrate 6a as shown in FIG. 本願発明者らの実験によれば、層間絶縁膜10の厚さ(上面までの高さ)を、 According to the experiments of the present inventors, the thickness of the interlayer insulating film 10 (to the upper surface height),
液晶層9の厚さの30%〜100%、好ましくは60% 30% to 100% of the thickness of the liquid crystal layer 9, preferably 60%
〜100%とすれば、基板に対してほぼ完全に平行な電界を液晶分子に印加することができることが確認されている。 If 100%, it has been confirmed that an almost perfectly parallel electric field can be applied to the liquid crystal molecules to the substrate. 典型的な液晶表示装置では、液晶層9の厚さ、すなわち基板6aと基板6bとの間隔は3μm〜10μm In a typical liquid crystal display device, the thickness of the liquid crystal layer 9, i.e. the distance between the substrate 6a and the substrate 6b 3Myuemu~10myuemu
の範囲とされるので、それを考慮すると層間絶縁膜10 Because it is in the range, consider it and the interlayer insulating film 10
の厚さは1μm〜10μm、好ましくは2μm〜6μm The thickness of 1 m to 10 m, preferably 2μm~6μm
に設定すればよい。 It may be set to. これにより、従来の横電界型液晶表示装置よりもさらに広い視野角を持つ液晶表示装置を得ることができる。 Thus, it is possible to obtain a liquid crystal display device having a wider viewing angle than a conventional transverse electric field type liquid crystal display device.

【0026】また、層間絶縁膜10を介してデータ配線2に対向電極5を重ねることにより、従来の横電界型液晶表示装置よりも開口率を高くすることができる。 Further, by superimposing the counter electrode 5 to the data line 2 via the interlayer insulating film 10, it is possible to increase the aperture ratio than conventional transverse electric field type liquid crystal display device. しかも、データ配線2は対向電極5によって完全に覆われてしまうので、図6に示すように従来の横電界型液晶表示装置で問題であった、データ配線がドレイン電極に及ぼす雑音電界の影響をほぼ完全に削減することができる。 Moreover, since the data line 2 would be completely covered by the counter electrode 5, which is a problem in the conventional IPS type liquid crystal display device as shown in FIG. 6, the effect of noise field data wiring on the drain electrode it is possible to almost completely reduced.

【0027】さらに、本発明の液晶表示装置においては、液晶層を挟持する一対の基板のいずれにも透明電極を設ける必要がない。 Furthermore, in the liquid crystal display device of the present invention, there is no need to provide any transparent even electrode of the pair of substrates sandwiching the liquid crystal layer. したがって、縦電界型液晶表示装置には必要不可欠であった透明電極を形成する工程を削減することができる。 Thus, the vertical electric field type liquid crystal display device can be reduced a step of forming a transparent electrode was indispensable.

【0028】また、本発明においては対向基板上に対向電極などの導電膜が形成されていないので、上述したようにブロック状に形成された層間絶縁膜10の上面および傾斜面を覆うように形成された対向電極5および第二ドレイン電極4bを、図7に示すようにTFT側基板と対向基板との間の間隔を保持するためのスペーサとして用いることもできる。 Further, since the conductive film such as the counter electrode on the counter substrate is not formed in the present invention, formed so as to cover the upper surface and the inclined surface of the interlayer insulating film 10 formed in a block shape as described above the counter electrode 5 and the second drain electrode 4b which is can be used as a spacer for maintaining a gap between the TFT side substrate and the counter substrate, as shown in FIG.

【0029】なお、本実施形態では、Cs on Gate方式の液晶表示装置を例として本発明を説明したが、Cs on Co [0029] In the present embodiment has described the present invention the liquid crystal display device of Cs on Gate scheme as an example, Cs on Co
mmon方式の液晶表示装置に本発明を適用した場合にも同様の効果を得ることができる。 Even in the case of applying the present invention to a liquid crystal display device of mmon type it is possible to obtain the same effect.

【0030】 [0030]

【発明の効果】以上説明したように、本発明の液晶表示装置では、層間絶縁膜の上面および傾斜面を完全に覆うように、液晶層に電界を印加するための電極を形成している。 As described in the foregoing, in the liquid crystal display device of the present invention, so as to completely cover the upper surface and the inclined surface of the interlayer insulating film to form an electrode for applying an electric field to the liquid crystal layer. このため、液晶層中の液晶分子に基板面に対してほぼ完全に平行に電界を印加することができる。 Therefore, it is possible to apply an electric field almost perfectly parallel to the substrate surface to the liquid crystal molecules in the liquid crystal layer. さらに、電界印加用の電極の一方、つまり対向電極をデータ配線を完全に覆うように形成しているので、開口率を上げることができると同時に、データ配線と電界印加用の電極との間の雑音電界が表示に影響を及ぼすのを防ぐことができる。 Further, one electrode for applying an electric field that is because it forms a counter electrode so as to completely cover the data line, and at the same time it is possible to increase the aperture ratio, between the electrodes of the data lines and the electric field application noise electric field can be prevented from affecting the display. したがって、本発明によれば、従来よりも高開口率でしかも広視野角の横電界型液晶表示装置を実現することができる。 Therefore, according to the present invention, it is possible to realize a horizontal electric field type liquid crystal display having a high aperture ratio, yet wide viewing angle than the conventional. これにより、低消費電力で、高輝度、しかも広視野角の液晶表示装置を製造することが可能になる。 Thus, with low power consumption, it is possible to manufacture a liquid crystal display device of high luminance, yet wide viewing angle.

【0031】さらに、対向基板上には対向電極等の導電膜が形成されていないので、層間絶縁膜の厚さを適切に設定することにより、層間絶縁膜とその上面および傾斜面に形成した電極とをスペーサとして用いることもできる。 Furthermore, since on the counter substrate no conductive film such as the counter electrode is formed, by appropriately setting the thickness of the interlayer insulating film, electrodes formed on the interlayer insulating film and the upper surface and the inclined surface it is also possible to use the door as a spacer.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】 本発明の液晶表示装置のTFT側基板(アクティブマトリクス基板)の作製方法を説明する図であり、(a)は平面図、(b)はA−A'線に沿った断面図である。 Figure 1 is a view illustrating a method for manufacturing a TFT-side substrate (active matrix substrate) of a liquid crystal display device of the present invention, (a) is a plan view, (b) is a sectional view taken along the line A-A ' it is.

【図2】 本発明の液晶表示装置のTFT側基板(アクティブマトリクス基板)の作製方法を説明する図であり、(a)は平面図、(b)はA−A'線に沿った断面図である。 Figure 2 is a view illustrating a method for manufacturing a TFT-side substrate (active matrix substrate) of a liquid crystal display device of the present invention, (a) is a plan view, (b) is a sectional view taken along the line A-A ' it is.

【図3】 本発明の液晶表示装置のTFT側基板(アクティブマトリクス基板)の構成を示す図であり、(a) TFT-side substrate of the liquid crystal display device of the present invention; FIG is a diagram showing the structure of (active matrix substrate), (a)
は平面図、(b)はA−A'線に沿った断面図である。 Is a plan view, (b) is a sectional view taken along the line A-A '.

【図4】 本発明の液晶表示装置において液晶層に印加される電界を示す図である。 In the liquid crystal display device of the present invention; FIG is a diagram showing the electric field applied to the liquid crystal layer.

【図5】 従来の横電界型液晶表示装置のTFT側基板の構成を示す図であり、(a)は平面図、(b)はB− [Figure 5] is a diagram showing a TFT-side substrate structure of a conventional IPS type liquid crystal display device, (a) shows the plan view, (b) B-
B'線に沿った断面図である。 It is a sectional view taken along the B 'line.

【図6】 従来の横電界型液晶表示装置において液晶層に印加される電界を示す図である。 In Figure 6 a conventional transverse electric field type liquid crystal display device is a diagram showing the electric field applied to the liquid crystal layer.

【図7】 本発明の液晶表示装置のTFT側基板の改変例の構成を示す平面図である。 7 is a plan view showing a configuration of a modification of the TFT-side substrate of the liquid crystal display device of the present invention.

【符号の説明】 DESCRIPTION OF SYMBOLS

1 ゲート配線 2 データ配線 4a 第一ドレイン電極 4b 第二ドレイン電極 5 対向電極 6a、6b 絶縁性基板 7 ゲート絶縁膜 8 TFT 9 液晶層 10 層間絶縁膜 11a、11b コンタクトホール 12 補助容量電極 13、14 配向膜 15 信号電界 16 雑音電界 First gate line 2 data lines 4a first drain electrode 4b second drain electrode 5 opposing electrodes 6a, 6b insulating substrate 7 gate insulating film 8 TFT 9 liquid crystal layer 10 interlayer insulating film 11a, 11b contact hole 12 auxiliary capacitance electrode 13 and 14 the alignment film 15 signal field 16 noise electric field

Claims (7)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 一対の絶縁性基板と該一対の絶縁性基板に挟持された液晶層とを有する液晶表示装置であって、 1. A liquid crystal display device having a pair of insulating substrates and a liquid crystal layer sandwiched the pair of insulating substrates,
    一方の絶縁性基板上には、 マトリクス状に配置されているスイッチング素子と、 該スイッチング素子に接続された第一および第二の配線と、 該第一および第二の配線を覆うように配置された、上面および傾斜面を有する層間絶縁膜と、 該液晶層に電界を印加するための第一および第二の電極であって、一方が該スイッチング素子と電気的に接続されている第一および第二の電極と、が形成されており、 該第一および第二の電極は該層間絶縁膜の該上面および傾斜面を覆うように形成されており、それにより該絶縁性基板に対して実質的に平行に該電界を該液晶層に印加する、液晶表示装置。 On one of the insulating substrate, a switching element are arranged in a matrix, and the first and second wiring connected to the switching element, is arranged so as to cover the first and second wiring and, an interlayer insulating film having an upper surface and the inclined surface, a first and second electrodes for applying an electric field to the liquid crystal layer, the first and one of which is electrically connected to the said switching device and a second electrode, is formed, the first and second electrodes are formed to cover the upper surface and the inclined surface of the interlayer insulating film, substantially thereby against the insulative substrate manner parallel to apply the electric field to the liquid crystal layer, the liquid crystal display device.
  2. 【請求項2】 前記層間絶縁膜の材料は樹脂である、請求項1に記載の液晶表示装置。 Wherein the material of the interlayer insulating film is a resin, a liquid crystal display device according to claim 1.
  3. 【請求項3】 前記樹脂は感光性アクリル樹脂である、 Wherein the resin is a photosensitive acrylic resin,
    請求項2に記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to claim 2.
  4. 【請求項4】 前記層間絶縁膜の厚さは、1〜10μm 4. A thickness of the interlayer insulating film, 1 to 10 [mu] m
    である、請求項1から3のいずれか1つに記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to a any one of claims 1 to 3 in.
  5. 【請求項5】 前記第一および第二の電極の他方は、前記層間絶縁膜を介して、前記第二の配線を覆っている、 Other wherein said first and second electrode via the interlayer insulating film covers the second wiring,
    請求項1から4のいずれか1つに記載の液晶表示装置。 The liquid crystal display device according to any one of claims 1 4.
  6. 【請求項6】 前記層間絶縁膜の厚さは、前記液晶層の厚さの30%〜100%である、請求項1、2、3および5のいずれか1つに記載の液晶表示装置。 6. A thickness of the interlayer insulating film, the 30% to 100% of the thickness of the liquid crystal layer, the liquid crystal display device according to any one of claims 1, 2, 3 and 5.
  7. 【請求項7】 前記層間絶縁膜の前記上面および傾斜面を覆うように形成された前記第一および第二の電極を、 7. the upper surface and an inclined surface is formed to cover the first and second electrodes of the interlayer insulating film,
    前記一対の絶縁性基板の間のスペーサとして用いた、請求項1から6のいずれか1つに記載の液晶表示装置。 A pair of used as a spacer between the insulating substrate, a liquid crystal display device according to any one of claims 1 to 6.
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