JPH09258116A - Variable wavelength filter - Google Patents

Variable wavelength filter

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JPH09258116A
JPH09258116A JP6829496A JP6829496A JPH09258116A JP H09258116 A JPH09258116 A JP H09258116A JP 6829496 A JP6829496 A JP 6829496A JP 6829496 A JP6829496 A JP 6829496A JP H09258116 A JPH09258116 A JP H09258116A
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JP
Japan
Prior art keywords
transparent
film
etalon
tunable filter
piezoelectric film
Prior art date
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Pending
Application number
JP6829496A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Shigeo Yago
栄郎 矢後
Yoshihiko Watanabe
嘉彦 渡邊
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Yazaki Corp
Original Assignee
Yazaki Corp
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Publication date
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Publication of JPH09258116A publication Critical patent/JPH09258116A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To facilitate the manufacture of a variable wavelength filter and to reduce the cost by laminating a transparent piezoelectric film, a reflection film and a transparent electrode and constituting an etalon with the oppositely arranged reflection film. SOLUTION: A wavelength filter 1 is constituted so that the reflection film 4 by a dielectric multilayer film is formed on a glass plate 5 as a transparent substrate, and the transparent electrode 4 is formed on the grown reflection film 4, and thereafter, the transparent piezoelectric film 2 is formed on the grown transparent electrode 3, and further, the transparent electrode 3, the reflection film 4 are laminated and formed successively on the transparent piezoelectric film 2, and the transparent electrodes 3 oppositely arranged upward/downward the transparent piezoelectric film 2 is short-circuited through a variable voltage device 6. The formed wavelength filter 1 constitutes the etalon with the oppositely arranged reflection films 4, and controls the resonator length D of the etalon with the film thickness change of the transparent piezoelectric film 2 by an applied voltage between the transparent electrodes 3. Then, incident light L1 repeats reflection between the reflection films 4 after it is made incident in the etalon, and only a resonant wavelength corresponding to the resonator length D is emitted as transmission light L2 .

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ファブリー・ペロ
共振器の原理に基づく波長可変フィルタに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a tunable filter based on the principle of Fabry-Perot resonator.

【0002】[0002]

【従来の技術】この種のフィルタとして、従来図7に示
す波長可変フィルタ100がある。この波長可変フィル
タ100は、ファブリー・ペロ共振器の原理に基づき、
ピエゾ素子を用いてエタロンの共振器長を制御してい
る。
2. Description of the Related Art As a filter of this type, there is a wavelength tunable filter 100 shown in FIG. This tunable filter 100 is based on the principle of Fabry-Perot resonator,
A piezo element is used to control the resonator length of the etalon.

【0003】すなわち、波長可変フィルタ100は、相
対向する透明ガラス基板101,101と、この透明ガ
ラス基板101,101の各対向面に形成した反射膜1
02と、透明ガラス基板101,101内に介在するピ
エゾ素子103とからなり、2個の反射膜102,10
2がエタロンを構成しており、このエタロンの共振器長
Dを、ピエゾ素子103を駆動させて制御している。
That is, the wavelength tunable filter 100 comprises transparent glass substrates 101, 101 facing each other, and a reflecting film 1 formed on each facing surface of the transparent glass substrates 101, 101.
02 and a piezo element 103 interposed in the transparent glass substrate 101, 101.
Reference numeral 2 constitutes an etalon, and the resonator length D of this etalon is controlled by driving the piezo element 103.

【0004】この波長可変フィルタ100によれば、入
射光L1 は2個の反射膜102,102間で反射を繰り
返し共振波長λの透過光L2 を得ることができる。この
ときの透過光L2 の波長λは式(1) で表される。
According to the wavelength tunable filter 100, the incident light L 1 is repeatedly reflected between the two reflecting films 102, 102 to obtain the transmitted light L 2 having the resonance wavelength λ. The wavelength λ of the transmitted light L 2 at this time is represented by the equation (1).

【0005】λ=2nD/m (1) この(1) 式でnは反射膜102,102間の光媒体10
4の屈折率、mは自然数であり、nDは光学的共振器長
を示す。
Λ = 2 nD / m (1) In the equation (1), n is the optical medium 10 between the reflection films 102 and 102.
The refractive index of 4, m is a natural number, and nD is the optical resonator length.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
波長可変フィルタ100は、対向する透明ガラス基板1
01,101を高度に平行度を保って設ける必要があ
り、かつこの作業を手作業で行っているので製造が困難
で、ひいてはコスト高を招くという課題を有している。
However, in the conventional wavelength tunable filter 100, the transparent glass substrate 1 facing each other is used.
It is necessary to provide 01 and 101 with a high degree of parallelism, and since this work is performed manually, there is a problem that manufacturing is difficult and eventually cost is increased.

【0007】その上、従来の波長可変フィルタ100で
は、ピエゾ素子103を薄くすることが困難で、共振器
長D及び光学的共振器長nDが大きくなるので、必要な
共振波長λを得るためには式(1) の自然数mが大きくな
る。このため図6に示す透過光の波長λの光学的共振器
長nD依存性を示す特性直線の勾配は小さくなり、従来
の波長可変フィルタ100は特性直線a,b、又はcを
奏して、波長選択巾が狭くなり、性能の低下を招くとい
う課題をも有している。
In addition, in the conventional tunable filter 100, it is difficult to make the piezo element 103 thin, and the resonator length D and the optical resonator length nD become large. Therefore, in order to obtain the necessary resonance wavelength λ. Increases the natural number m in equation (1). Therefore, the slope of the characteristic straight line showing the optical resonator length nD dependence of the wavelength λ of the transmitted light shown in FIG. 6 becomes small, and the conventional tunable filter 100 exhibits the characteristic straight line a, b, or c, and There is also a problem that the selection width becomes narrow and the performance is deteriorated.

【0008】本発明は、前記した課題を解決すべくなさ
れたものであり、その目的は製造容易でコストの低減化
が可能であると共に波長選択巾が広く性能の向上した波
長可変フィルタを提供するにある。
The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object thereof is to provide a wavelength tunable filter which is easy to manufacture, can be reduced in cost, and has a wide wavelength selection range and improved performance. It is in.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】前記した目的を達成する
ため請求項1記載の発明は、ファブリー・ペロ共振器か
らなる波長可変フィルタであって、透明圧電膜の両側に
積層されて対向配置された反射膜及び透明電極を有し、
前記対向配置された反射膜でエタロンを構成すると共
に、このエタロンの共振器長を前記対向配置された透明
電極の印加電圧による前記透明圧電膜の膜厚変化で制御
するようにしたことを特徴としている。
In order to achieve the above-mentioned object, the invention according to claim 1 is a wavelength tunable filter comprising a Fabry-Perot resonator, which is laminated on both sides of a transparent piezoelectric film and arranged to face each other. Having a reflective film and a transparent electrode,
It is characterized in that the etalon is composed of the reflection films arranged to face each other, and the resonator length of the etalon is controlled by the change in film thickness of the transparent piezoelectric film depending on the voltage applied to the transparent electrodes arranged to face the etalon. There is.

【0010】このため請求項1記載の発明では、透明圧
電膜の膜厚が印加電圧に比例して変化し、この膜厚の変
化でエタロンの共振器長及び光学的共振器長が変化し、
この共振器長の変化範囲内で透過光の波長を選択でき
る。
Therefore, in the invention according to claim 1, the film thickness of the transparent piezoelectric film changes in proportion to the applied voltage, and the resonator length of the etalon and the optical resonator length change due to the change of the film thickness.
The wavelength of the transmitted light can be selected within this range in which the cavity length changes.

【0011】また請求項1記載の発明では、透明圧電
膜、反射膜、及び透明電極を積層し、対向配置された前
記反射膜でエタロンを構成したので、該エタロンは各層
の成長した膜形成により高精度のエタロン構造を有して
形成されると共に、手作業で組立てる必要がないので製
造容易で量産にも適している。
In the invention according to claim 1, since the transparent piezoelectric film, the reflective film, and the transparent electrode are laminated, and the etalon is composed of the reflective films arranged to face each other, the etalon is formed by the growth of each layer. It is formed with a high precision etalon structure, and because it does not require manual assembly, it is easy to manufacture and suitable for mass production.

【0012】さらに、請求項1記載の発明では、エタロ
ンを膜の積層体で構成したので、エタロンの共振器長を
小さく設計することができ、これによりエタロンの波長
選択巾が広くなる。
Further, according to the first aspect of the invention, since the etalon is composed of a laminated body of films, the resonator length of the etalon can be designed to be small, which widens the wavelength selection width of the etalon.

【0013】また、請求項2記載の発明は、請求項1記
載の波長可変フィルタであって、前記透明圧電膜、反射
膜、及び透明電極が、一個の透明基板上に積層されて形
成されていることを特徴としている。
According to a second aspect of the invention, there is provided the wavelength tunable filter according to the first aspect, wherein the transparent piezoelectric film, the reflective film, and the transparent electrode are laminated on a single transparent substrate. It is characterized by being.

【0014】このため請求項2記載の発明では、一個の
透明基板上に、透明圧電膜、反射膜、及び透明電極を、
所望の順序に従って順次積層形成することにより所望の
エタロンを容易に製造することができる。
Therefore, in the second aspect of the invention, the transparent piezoelectric film, the reflective film, and the transparent electrode are provided on one transparent substrate.
A desired etalon can be easily manufactured by sequentially forming layers in a desired order.

【0015】また、請求項3記載の発明は、請求項2記
載の波長可変フィルタであって、前記透明電極が、積層
部分から前記透明基板上に延設された接続部を有して形
成されていることを特徴としている。
According to a third aspect of the invention, there is provided the wavelength tunable filter according to the second aspect, wherein the transparent electrode is formed with a connecting portion extending from the laminated portion onto the transparent substrate. It is characterized by

【0016】このため請求項3記載の発明では、透明電
極の接続部を積層部分外に設けたので、容易に電極を取
り出すことができる。
Therefore, in the third aspect of the invention, since the connecting portion of the transparent electrode is provided outside the laminated portion, the electrode can be easily taken out.

【0017】さらに、請求項4記載の発明は、請求項1
乃至3のいずれか1項記載の波長可変フィルタであっ
て、前記透明圧電膜、反射膜、及び透明電極からなる積
層部分の最外層の露出部分に保護膜を形成したことを特
徴としている。
Further, the invention according to claim 4 is the same as claim 1.
4. The wavelength tunable filter according to any one of items 1 to 3, wherein a protective film is formed on an exposed portion of an outermost layer of a laminated portion including the transparent piezoelectric film, the reflective film, and the transparent electrode.

【0018】このため請求項4記載の発明では、保護膜
で露出部分を被覆することにより、取扱いが容易となる
と共に、外的環境変化に対する耐性が向上する。
Therefore, in the invention described in claim 4, by covering the exposed portion with the protective film, the handling becomes easy and the resistance to external environmental change is improved.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
基づいて具体的に説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Embodiments of the present invention will be specifically described below with reference to the drawings.

【0020】図1は、本発明の第1実施形態としての、
ファブリー・ペロ共振器からなる波長可変フィルタ1を
示す。この波長可変フィルタ1は、透明圧電膜2の両側
に積層されて対向配置された反射膜4及び透明電極3を
有し、対向配置された反射膜4,4でエタロンを構成す
ると共に、このエタロンの共振器長Dを、対向配置され
た透明電極3,3間の印加電圧による透明圧電膜2の膜
厚変化で制御するようにして大略構成されている。
FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention.
1 shows a wavelength tunable filter 1 including a Fabry-Perot resonator. The wavelength tunable filter 1 has a reflective film 4 and a transparent electrode 3 which are laminated on both sides of a transparent piezoelectric film 2 and face each other, and the reflective films 4 and 4 face each other to form an etalon. The resonator length D is controlled by the change in the film thickness of the transparent piezoelectric film 2 due to the applied voltage between the transparent electrodes 3 and 3 arranged to face each other.

【0021】具体的には、波長フィルタ1は、透明基板
としてのガラス板5の上に誘電体多層膜による反射膜4
を形成し、この成長した反射膜4上に、例えばインジウ
ムチンオキサイド膜(ITO膜)からなる透明電極3を
形成し、その後この成長した透明電極3上に、例えばチ
タン酸バリウム膜(BaTiO3 膜)からなる透明圧電
膜2を形成し、更にこの成長した透明圧電膜2上に、前
記した同じ透明電極3、反射膜4を順次積層形成し、か
つ透明圧電膜2の上下に対向配置された透明電極3,3
を可変電圧器6を介して短絡して構成されている。
Specifically, the wavelength filter 1 includes a reflection film 4 formed of a dielectric multilayer film on a glass plate 5 as a transparent substrate.
Then, a transparent electrode 3 made of, for example, an indium tin oxide film (ITO film) is formed on the grown reflective film 4, and then, for example, a barium titanate film (BaTiO 3 film) is formed on the grown transparent electrode 3. ) Is formed on the transparent piezoelectric film 2, and the same transparent electrode 3 and the reflective film 4 are sequentially formed on the grown transparent piezoelectric film 2 and are arranged above and below the transparent piezoelectric film 2 so as to face each other. Transparent electrodes 3,3
Are short-circuited via the variable voltage device 6.

【0022】このとき波長フィルタ1は、好ましくは最
外層(図上最上層)に位置する反射膜4上に、例えば二
酸化硅素膜(SiO2 膜)からなる保護膜7を形成して
構成される。
At this time, the wavelength filter 1 is preferably formed by forming a protective film 7 made of, for example, a silicon dioxide film (SiO 2 film) on the reflective film 4 located in the outermost layer (uppermost layer in the figure). .

【0023】このように形成された波長フィルタ1は、
対向配置された反射膜4,4でエタロンを構成すると共
に、このエタロンの共振器長Dを透明電極3,3間の印
加電圧による透明圧電膜2の膜厚変化で制御するように
なっている。そして入射光L1 はエタロン内に入射した
後反射膜4,4間で反射を繰り返し、共振器長Dに対応
する共振波長λのみが透過光L2 として出射する。
The wavelength filter 1 thus formed is
The reflection films 4 and 4 arranged to face each other constitute an etalon, and the resonator length D of the etalon is controlled by the change in film thickness of the transparent piezoelectric film 2 due to the applied voltage between the transparent electrodes 3 and 3. . Then, the incident light L 1 is incident on the etalon and then repeatedly reflected between the reflection films 4 and 4, and only the resonance wavelength λ corresponding to the resonator length D is emitted as the transmitted light L 2 .

【0024】共振器長Dは、透明電極3,3間に電圧を
印加すると透明圧電膜2の膜厚が伸縮することにより変
化する。このときの共振器長Dの印加電圧依存性は図2
に示すように共振器長Dの変化量と印加電圧とが正比例
関係にある。すなわち、共振器長Dは電圧を印加するこ
とにより長くなり、このときの長くなる割合(変化量)
は印加電圧が高くなるにつれて直線的に増大する。
The resonator length D changes as the film thickness of the transparent piezoelectric film 2 expands and contracts when a voltage is applied between the transparent electrodes 3 and 3. The dependency of the resonator length D on the applied voltage at this time is shown in FIG.
As shown in, the amount of change in the resonator length D and the applied voltage are in direct proportion. That is, the resonator length D is lengthened by applying a voltage, and the lengthening ratio (change amount) at this time
Increases linearly as the applied voltage increases.

【0025】また、透過光L2 の波長λは前述した式
(1) λ=2nD/mで表される。但し、nは透明圧電膜
2の膜厚及び屈折率をそれぞれD1 及びn1 とし、透明
電極3の膜厚及び屈折率をそれぞれD2 及びn2 とした
ときn=D1 1 +2D2 2となる。
Further, the wavelength λ of the transmitted light L 2 is calculated by the above equation.
(1) Represented by λ = 2nD / m. However, n is n = D 1 n 1 + 2D 2 when the film thickness and refractive index of the transparent piezoelectric film 2 are D 1 and n 1, and the film thickness and refractive index of the transparent electrode 3 are D 2 and n 2 , respectively. It becomes n 2 .

【0026】そしてこの波長可変フィルタ1は、式(1)
から図6に示す透過光L2 の波長λの光学的共振器長依
存性が得られる。このとき波長可変フィルタ1は、膜の
積層体として構成されているので、共振器長Dを小さく
設計することができる。例えば透明圧電膜の厚さ1μ
m、透明電極の厚さ1μm、及び反射膜の厚さ2μmと
なるように設計することができる。
The wavelength tunable filter 1 has the formula (1)
Thus, the optical resonator length dependence of the wavelength λ of the transmitted light L 2 shown in FIG. 6 is obtained. At this time, since the wavelength tunable filter 1 is configured as a laminated body of films, the resonator length D can be designed to be small. For example, the thickness of the transparent piezoelectric film is 1μ
m, the thickness of the transparent electrode is 1 μm, and the thickness of the reflective film is 2 μm.

【0027】このため波長可変フィルタ1は、共振器長
Dを小さくすることによって、従来品と同じ共振波長λ
を得るための式(1) 中の自然数mの値を小さくすること
ができる。すなわち、波長可変フィルタ1は、例えば図
6中m≦3の特性となって波長選択巾A,B、又はCが
得られることになり、光学的共振器長nDを同じ長さd
だけ変えた場合、特性a,b、又はcの従来品に比べ波
長選択巾が広くなる。
Therefore, the wavelength tunable filter 1 has the same resonance wavelength λ as the conventional product by reducing the resonator length D.
The value of the natural number m in equation (1) for obtaining can be reduced. That is, in the tunable filter 1, for example, the characteristic of m ≦ 3 in FIG. 6 is obtained and the wavelength selection width A, B, or C is obtained, and the optical resonator length nD is set to the same length d.
If only changed, the wavelength selection width becomes wider than that of the conventional product having the characteristics a, b, or c.

【0028】例えば、積層体の各層の膜厚を前記したよ
うに設計し、かつ透明圧電膜2がBaTiO3 膜の場
合、印加電圧±100Vに対して共振器長Dが±20n
m伸縮し(図2参照)、BaTiO3 膜の屈折率が約
2,3なので光学的共振器長nDは±40nm(=d
(図6参照))伸縮することになり、式(1)の自然数
mの値が2の場合±50nm(=A(図6参照))程度
の範囲で共振波長λを選択することができる。
For example, when the thickness of each layer of the laminated body is designed as described above and the transparent piezoelectric film 2 is a BaTiO 3 film, the resonator length D is ± 20 n for an applied voltage of ± 100 V.
The optical resonator length nD is ± 40 nm (= d) because it expands and contracts by m (see FIG. 2) and the refractive index of the BaTiO 3 film is about 2 and 3.
(See FIG. 6) As a result, the resonance wavelength λ can be selected within a range of about ± 50 nm (= A (see FIG. 6)) when the value of the natural number m in the formula (1) is 2.

【0029】このように波長可変フィルタ1は、波長選
択巾が広く性能の向上したものとなっている。
As described above, the wavelength tunable filter 1 has a wide wavelength selection range and improved performance.

【0030】またこの波長可変フィルタ1は、一個のガ
ラス板5上に透明圧電膜2、反射膜4、及び透明電極3
を積層し、対向配置された反射膜4,4でエタロンを構
成したので、該エタロンは各層の成長した膜形成により
高精度のエタロン構造を有して形成されると共に、手作
業で組立てる必要がないので製造容易で量産にも適して
おり、ひいてはコスト低減化をも達成できる。
The wavelength tunable filter 1 includes a transparent piezoelectric film 2, a reflective film 4, and a transparent electrode 3 on one glass plate 5.
Since the etalon is composed of the reflective films 4 and 4 that are laminated and opposed to each other, the etalon is formed to have a highly precise etalon structure by forming the grown film of each layer, and it is necessary to assemble by hand. Since it is not present, it is easy to manufacture, suitable for mass production, and eventually cost reduction can be achieved.

【0031】さらにこの波長可変フィルタ1は、最外層
の反射膜4の露出部分を保護膜7で被覆したので、取扱
いが容易となると共に、水、酸、アルカリ等による外的
環境変化に対する耐性が向上し、好適に実装できるもの
となっている。
Further, in this wavelength tunable filter 1, since the exposed portion of the outermost reflection film 4 is covered with the protective film 7, it is easy to handle and has resistance to external environmental changes due to water, acid, alkali and the like. It has been improved and can be suitably mounted.

【0032】図3は、本発明の第2実施形態としての波
長可変フィルタ10を示す。
FIG. 3 shows a tunable filter 10 as a second embodiment of the present invention.

【0033】この波長可変フィルタ10は、透明電極3
が積層部分からガラス板5上に延設された接続部3aを
有して形成されている点が相違し、積層部分は前述した
波長可変フィルタ1と同様に構成されている。
This wavelength tunable filter 10 includes a transparent electrode 3
Is formed to have a connecting portion 3a extending from the laminated portion onto the glass plate 5, and the laminated portion has the same configuration as the wavelength tunable filter 1 described above.

【0034】このため波長可変フィルタ10は、波長可
変フィルタ1と同様な作用効果を奏するばかりでなく、
透明電極3の電極の取り出しが容易となり、製造が一層
容易なものとなっている。
Therefore, the wavelength tunable filter 10 not only exhibits the same function and effect as the wavelength tunable filter 1, but also
The electrode of the transparent electrode 3 can be easily taken out, and the manufacturing is further facilitated.

【0035】図4は、本発明の第3実施形態としての波
長可変フィルタ20を示す。
FIG. 4 shows a wavelength tunable filter 20 as a third embodiment of the present invention.

【0036】この波長可変フィルタ20は、積層部分の
積層構造が相違し、他の構造は波長可変フィルタ1と同
様になっている。
The wavelength tunable filter 20 is different from the wavelength tunable filter 1 in the laminated structure of the laminated portion, and the other structures are the same.

【0037】すなわち、波長可変フィルタ20の積層部
分は、中央の透明圧電膜2の両側に反射膜4,4が形成
され、この反射膜4,4の更に外側に透明電極3,3が
形成され、かつこの両透明電極3,3の内一方の透明電
極がガラス板5上に形成され、他方の透明電極3上には
保護膜7が形成されて全体構成されている。
That is, in the laminated portion of the wavelength tunable filter 20, the reflection films 4 and 4 are formed on both sides of the transparent piezoelectric film 2 in the center, and the transparent electrodes 3 and 3 are formed further outside the reflection films 4 and 4. Further, one of the transparent electrodes 3 and 3 is formed on the glass plate 5, and the protective film 7 is formed on the other transparent electrode 3 to constitute the entire structure.

【0038】この波長可変フィルタ20の透過光L2
波長λは、式(1) λ=2nD/mで表わされるが、この
ときのnは透明圧電膜2の屈折率である。
The wavelength λ of the transmitted light L 2 of the wavelength tunable filter 20 is represented by the equation (1) λ = 2nD / m, where n is the refractive index of the transparent piezoelectric film 2.

【0039】また、図5は、本発明の第4実施形態とし
ての波長可変フィルタ30を示す。
Further, FIG. 5 shows a wavelength tunable filter 30 as a fourth embodiment of the present invention.

【0040】この波長可変フィルタ30は、前述した波
長可変フィルタ20の波長可変フィルタ10に対応する
変化例で、透明電極3が、積層部分からガラス板5上に
延設された接続部3aを有して形成されている。
This wavelength tunable filter 30 is a variation example corresponding to the wavelength tunable filter 10 of the above-mentioned wavelength tunable filter 20, in which the transparent electrode 3 has a connecting portion 3a extending from the laminated portion onto the glass plate 5. Is formed.

【0041】これら波長可変フィルタ20及び30は、
それぞれ前述した波長可変フィルタ1及び10に対応し
た作用効果を奏する。
The wavelength tunable filters 20 and 30 are
The function and effect corresponding to the wavelength tunable filters 1 and 10 described above are produced, respectively.

【0042】[0042]

【発明の効果】以上詳細に説明したように本発明によれ
ば次の効果を奏する。
As described in detail above, the present invention has the following effects.

【0043】すなわち、請求項1記載の発明によれば、 透明圧電膜、反射膜、及び透明電極を積層し、対向配
置された前記反射膜でエタロンを構成したので、該エタ
ロンは各層の成長した膜形成により高精度のエタロン構
造を有して形成されると共に、手作業で組立てる必要が
ないので製造容易で量産にも適していること、及び エタロンを膜の積層体で構成したので、エタロンの共
振器長を小さく設計することができ、これによりエタロ
ンの波長選択巾が広くなること、により、製造容易でコ
ストの低減化が可能であると共に、波長選択巾が広く性
能の向上した波長可変フィルタを提供することができ
る。
That is, according to the first aspect of the invention, since the transparent piezoelectric film, the reflective film, and the transparent electrode are laminated, and the etalon is composed of the reflective films which are arranged facing each other, the etalon is grown in each layer. The etalon is formed with a high-precision etalon structure by film formation, and because it does not require manual assembly, it is easy to manufacture and suitable for mass production. The cavity length can be designed to be small, which widens the wavelength selection width of the etalon, which makes it easy to manufacture and reduce the cost, and also has a wide wavelength selection width and improved performance. Can be provided.

【0044】また請求項2記載の発明によれば、一個の
透明基板上に、透明圧電膜、反射膜、及び透明電極を、
所望の順序に従って順次積層形成することにより所望の
エタロンを製造することができ、製造が一層容易なもの
となっている。
According to the second aspect of the invention, the transparent piezoelectric film, the reflective film, and the transparent electrode are provided on one transparent substrate.
A desired etalon can be manufactured by sequentially laminating and forming in accordance with a desired order, and the manufacturing is further facilitated.

【0045】また請求項3記載の発明によれば、透明電
極の接続部を積層部分外に設けたので、容易に電極を取
り出すことができ、製造が一層容易なものとなってい
る。
Further, according to the third aspect of the invention, since the connecting portion of the transparent electrode is provided outside the laminated portion, the electrode can be easily taken out and the manufacturing is further facilitated.

【0046】さらに請求項4記載の発明によれば、保護
膜で露出部分を被覆することにより、取扱いが容易とな
ると共に、外的環境変化に対する耐性が向上し、この結
果好適に実装できる波長可変フィルタを提供することが
できる。
Further, according to the invention described in claim 4, by covering the exposed portion with the protective film, the handling becomes easy and the resistance to the external environment change is improved. A filter can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施形態としての波長可変フィル
タの断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a wavelength tunable filter according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の波長可変フィルタの共振器長の変化量の
印加電圧依存性を示すグラフである。
FIG. 2 is a graph showing the applied voltage dependence of the amount of change in the resonator length of the wavelength tunable filter of FIG.

【図3】本発明の第2実施形態としての波長可変フィル
タの断面図である。
FIG. 3 is a sectional view of a wavelength tunable filter as a second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3実施形態としての波長可変フィル
タの断面図である。
FIG. 4 is a sectional view of a wavelength tunable filter as a third embodiment of the present invention.

【図5】本発明の第4実施形態としての波長可変フィル
タの断面図である。
FIG. 5 is a sectional view of a wavelength tunable filter according to a fourth embodiment of the present invention.

【図6】波長可変フィルタを透過した透過光の波長の光
学的共振器長依存性を示すグラフである。
FIG. 6 is a graph showing the optical resonator length dependence of the wavelength of transmitted light that has passed through the wavelength tunable filter.

【図7】従来の波長可変フィルタの概念説明図である。FIG. 7 is a conceptual explanatory view of a conventional wavelength tunable filter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1,10,20,30 波長可変フィルタ 2 透明圧電膜 3 透明電極 3a 接続部(透明電極の) 4 反射膜 5 ガラス板(透明基板) 7 保護膜 D 共振器長 1, 10, 20, 30 Wavelength tunable filter 2 Transparent piezoelectric film 3 Transparent electrode 3a Connection part (transparent electrode) 4 Reflective film 5 Glass plate (transparent substrate) 7 Protective film D Resonator length

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成9年2月14日[Submission date] February 14, 1997

【手続補正1】[Procedure amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0028[Correction target item name] 0028

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction contents]

【0028】例えば、積層体の各層の膜厚を前記したよ
うに設計し、かつ透明圧電膜2がBaTiO3 膜の場
合、印加電圧±100Vに対して共振器長Dが±20n
m伸縮し(図2参照)、BaTiO3 膜の屈折率が約
2.3なので光学的共振器長nDは±40nm(=d
(図6参照))伸縮することになり、式(1)の自然数
mの値が2の場合±50nm(=A(図6参照))程度
の範囲で共振波長λを選択することができる。
For example, when the thickness of each layer of the laminated body is designed as described above and the transparent piezoelectric film 2 is a BaTiO 3 film, the resonator length D is ± 20 n for an applied voltage of ± 100 V.
The optical resonator length nD is ± 40 nm (= d) because the BaTiO 3 film has a refractive index of about 2.3.
(See FIG. 6) As a result, the resonance wavelength λ can be selected within a range of about ± 50 nm (= A (see FIG. 6)) when the value of the natural number m in the formula (1) is 2.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ファブリー・ペロ共振器からなる波長可
変フィルタであって、 透明圧電膜の両側に積層されて対向配置された反射膜及
び透明電極を有し、前記対向配置された反射膜でエタロ
ンを構成すると共に、このエタロンの共振器長を前記対
向配置された透明電極の印加電圧による前記透明圧電膜
の膜厚変化で制御するようにしたことを特徴とする波長
可変フィルタ。
1. A wavelength tunable filter comprising a Fabry-Perot resonator, comprising a reflective film and a transparent electrode laminated on both sides of a transparent piezoelectric film so as to be opposed to each other, and the etalon is made up of the opposed reflective film. And the resonator length of the etalon is controlled by changing the film thickness of the transparent piezoelectric film depending on the voltage applied to the transparent electrodes arranged opposite to each other.
【請求項2】 請求項1記載の波長可変フィルタであっ
て、 前記透明圧電膜、反射膜、及び透明電極が、一個の透明
基板上に積層されて形成されていることを特徴とする波
長可変フィルタ。
2. The variable wavelength filter according to claim 1, wherein the transparent piezoelectric film, the reflective film, and the transparent electrode are laminated and formed on a single transparent substrate. filter.
【請求項3】 請求項2記載の波長可変フィルタであっ
て、 前記透明電極が、積層部分から前記透明基板上に延設さ
れた接続部を有して形成されていることを特徴とする波
長可変フィルタ。
3. The wavelength tunable filter according to claim 2, wherein the transparent electrode is formed with a connecting portion extending from the laminated portion onto the transparent substrate. Variable filter.
【請求項4】 請求項1乃至3のいずれか1項記載の波
長可変フィルタであって、 前記透明圧電膜、反射膜、及び透明電極からなる積層部
分の最外層の露出部分に保護膜を形成したことを特徴と
する波長可変フィルタ。
4. The wavelength tunable filter according to claim 1, wherein a protective film is formed on an exposed portion of an outermost layer of a laminated portion including the transparent piezoelectric film, a reflective film, and a transparent electrode. A tunable filter characterized in that
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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