JPH09254020A - Polishing device - Google Patents

Polishing device

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JPH09254020A
JPH09254020A JP9054096A JP9054096A JPH09254020A JP H09254020 A JPH09254020 A JP H09254020A JP 9054096 A JP9054096 A JP 9054096A JP 9054096 A JP9054096 A JP 9054096A JP H09254020 A JPH09254020 A JP H09254020A
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polishing
wafer
holding
dressing
tool
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克典 田中
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  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce an occupied area of a dresser and obtain stable polishing performance, in a polishing device polishing a semiconductor wafer or the like. SOLUTION: A dressing tool of grinding tool 36 or the like for dressing a polishing cloth 12a secured onto a surface 12 is provided around a wafer 16 in a tool wafer holding part 30 dressing of the polishing cloth 12a is performed in parallel to polishing of the wafer 16. As for the dressing tool, a tool of different kind may be provided so as arrange a brush around, for instance, the grinding tool 36. The wafer 16 and the dressing tool may be mutually independently rotated and driven, a dressing tool of different kind may be mutually independently rotated and driven. Further, the holding part 30 may be swiveled.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウエハ等
の被研磨物を研磨する研磨装置に関し、特にウエハ保持
部においてウエハのまわりにドレッシングツールを設け
たことによりドレッサの占有面積を減らすと共に安定し
た研磨性能が得られるようにしたものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a polishing apparatus for polishing an object to be polished such as a semiconductor wafer, and in particular, a dressing tool is provided around the wafer in a wafer holder to reduce the area occupied by the dresser and to stabilize the dresser. The polishing performance is obtained.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、半導体ウエハの表面に形成した層
間絶縁膜を平坦化するなどの目的でウエハに研磨処理を
施す手段としては、回転する定盤上に固着した研磨布に
ウエハを圧接して研磨を行なう研磨装置が知られてい
る。
2. Description of the Related Art Conventionally, as means for polishing a wafer for the purpose of flattening an interlayer insulating film formed on the surface of a semiconductor wafer, the wafer is pressed against a polishing cloth fixed on a rotating surface plate. There is known a polishing device that performs polishing by polishing.

【0003】この種の研磨装置にあっては、ウエハの処
理枚数が多くなるにつれて研磨剤や研磨屑などによって
研磨布に目詰まりが生ずる。また、ウエハの回転やウエ
ハ側からの荷重により研磨布が変形したり、すり減った
りする。この結果、研磨速度の低下といった研磨性能の
劣化やウエハの損傷又は汚染等が起こる。
In this type of polishing apparatus, as the number of processed wafers increases, the polishing cloth is clogged with the polishing agent or polishing debris. Further, the polishing cloth may be deformed or worn by the rotation of the wafer or the load from the wafer side. As a result, deterioration of polishing performance such as a decrease in polishing rate and damage or contamination of the wafer occur.

【0004】このような事態に対処するため、目詰まり
した研磨布を再生するドレッシング機能を研磨装置に付
加することが知られている(例えば、特開平4−364
730号公報、特開平7−254578号公報等参
照)。
In order to deal with such a situation, it is known to add a dressing function to a polishing device to regenerate a clogged polishing cloth (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 4-364).
730, JP-A-7-254578, etc.).

【0005】図10〜17は、ドレッシング機能を有す
る研磨装置を用いる従来の研磨処理の一例を示すもので
ある。研磨装置の本体10には、盤面に研磨布が固着さ
れた定盤12が設けられると共に定盤12の近傍にウエ
ハ受け14が設けられている。また、本体10には、図
17に示すようにドレッサ保持部22に保持されたドレ
ッサ24が移動自在に設けられているが、図10〜16
では簡単のため図示を省略した。ドレッサ24のドレッ
シングツールとしては、ワイヤブラシ、樹脂ブラシ、ダ
イアモンド電着プレート等のうちの1種類のものが用い
られる。
10 to 17 show an example of a conventional polishing process using a polishing apparatus having a dressing function. The main body 10 of the polishing apparatus is provided with a surface plate 12 having a polishing cloth adhered to the surface thereof, and a wafer receiver 14 near the surface plate 12. Further, as shown in FIG. 17, a dresser 24 held by a dresser holding portion 22 is movably provided on the main body 10, but FIGS.
The illustration is omitted for simplicity. As a dressing tool for the dresser 24, one of a wire brush, a resin brush, a diamond electrodeposition plate and the like is used.

【0006】ウエハ保持部18は、図18に示すように
真空吸着等によりガイド26の内側にウエハ16を保持
して移動可能なもので、ウエハ16を定盤12上の研磨
布に圧接した状態で回転軸28を介して回転駆動される
ようになっている。
As shown in FIG. 18, the wafer holding portion 18 holds the wafer 16 inside the guide 26 by vacuum suction or the like and is movable, and the wafer 16 is pressed against the polishing cloth on the surface plate 12. It is adapted to be rotationally driven via the rotary shaft 28.

【0007】図10の工程では、ウエハ受け14に処理
すべきウエハ16が載置される。そして、図11の工程
では、ウエハ保持部18でウエハ16を吸着・保持す
る。
In the process of FIG. 10, the wafer 16 to be processed is placed on the wafer receiver 14. Then, in the process of FIG. 11, the wafer holding unit 18 sucks and holds the wafer 16.

【0008】次に、図12の工程では、ウエハ保持部1
8をウエハ保持状態のまま定盤12の中央部まで移動さ
せる。そして、図13の工程では、ウエハ保持部18を
降下させ、ウエハ16を回転する定盤12上の研磨布に
圧接する。滴下ノズル20から定盤12上に研磨剤を供
給しながら保持・圧接状態にあるウエハ16を回転させ
て研磨を行なう。
Next, in the process of FIG. 12, the wafer holder 1
8 is moved to the central portion of the surface plate 12 while holding the wafer. Then, in the process of FIG. 13, the wafer holding unit 18 is lowered and the wafer 16 is pressed against the polishing cloth on the rotating surface plate 12. While the polishing agent is being supplied onto the surface plate 12 from the dripping nozzle 20, the wafer 16 in the holding / pressure contact state is rotated to perform polishing.

【0009】研磨が終ると、図14の工程でウエハ保持
部18によりウエハ16を定盤12から上昇させる。そ
して、図15の工程では、ウエハ保持部18をウエハ保
持状態のままウエハ受け14まで移動させ、ウエハ受け
14上でウエハ16をウエハ保持部18から吸着解除及
び水圧付加等により外す。
After the polishing is completed, the wafer 16 is lifted from the surface plate 12 by the wafer holder 18 in the process shown in FIG. Then, in the process of FIG. 15, the wafer holding unit 18 is moved to the wafer receiver 14 in a wafer holding state, and the wafer 16 is removed from the wafer holding unit 18 on the wafer receiver 14 by suction release and application of water pressure.

【0010】次に、図16の工程では、ウエハ保持部1
8を初期位置に戻す。そして、図17の工程では、ドレ
ッサ保持部22によりドレッサ24を定盤12上に移動
させた後、ドレッサ24のドレッシングツールを回転す
る定盤12上の研磨布に圧接して回転させながらドレッ
シングを行なう。この場合、図示しない配管から純水等
の洗浄液を供給して研磨布を洗浄することもできる。
Next, in the process of FIG. 16, the wafer holding unit 1
Return 8 to the initial position. Then, in the process of FIG. 17, after the dresser 24 is moved onto the surface plate 12 by the dresser holding portion 22, the dressing tool of the dresser 24 is pressed against the polishing cloth on the rotating surface plate 12 to rotate the dressing dressing. To do. In this case, the polishing cloth can be washed by supplying a cleaning liquid such as pure water from a pipe (not shown).

【0011】ドレッシングが終ると、図10の工程に戻
り、次のウエハの研磨処理を上記したと同様に行なう。
なお、ドレッシングは、1枚のウエハの研磨終了毎に行
なうのではなく、複数枚のウエハの研磨終了毎に行なう
こともある。
When the dressing is completed, the process returns to the step shown in FIG. 10 and the polishing process for the next wafer is performed in the same manner as described above.
Note that the dressing may be performed every time the polishing of a plurality of wafers is completed, instead of every time when the polishing of one wafer is completed.

【0012】[0012]

【発明が解決しようとする課題】上記した従来のドレッ
シング手段によると、ドレッサ24がウエハ保持部18
とは独立に設けられ、独立に回転駆動されるようになっ
ているので、定盤12上でのドレッサ24の占有面積が
大きく、ウエハ保持部18を複数設けるのが困難である
と共に、ドレッサ24のための保持、回転、移動等の機
構が必要であり、構成が複雑となる不都合があった。
According to the above-mentioned conventional dressing means, the dresser 24 is mounted on the wafer holding portion 18.
Since they are provided independently of each other and are driven and rotated independently, the area occupied by the dresser 24 on the surface plate 12 is large, and it is difficult to provide a plurality of wafer holding portions 18, and the dresser 24 is also provided. Therefore, a mechanism for holding, rotating, moving, etc. is required, and the structure becomes complicated.

【0013】また、上記した従来のドレッシング手段で
は、研磨処理とは別にドレッシング処理を行なうので、
研磨性能が安定しないと共にスループットが低下する不
都合もあった。
Further, in the above-mentioned conventional dressing means, since the dressing process is performed separately from the polishing process,
The polishing performance is not stable and the throughput is lowered.

【0014】一般に、ドレッシングには次の(イ)〜
(ニ)のような性能が要求される。
Generally, the following (a)-
Performance such as (d) is required.

【0015】(イ)研磨布の目詰まりした部分の掻き出
しあるいは研削(研削性) (ロ)研磨布上の異物除去(表面洗浄性) (ハ)弾性質の研磨布などでの永久変形(押し込み性) (ニ)繊維質の研磨布などでの毛羽揃え(軌跡揃え) 従来、種々のドレッシングツールが提案されている。し
かし、現状では1種類のドレッシングツールで(イ)〜
(ニ)の性能要求をすべて満たすものは存在しない。従
って、上記した従来のドレッシング手段では、いずれか
の性能が不満足となる不都合があった。
(A) Scraping out or grinding the clogged portion of the polishing cloth (grinding property) (b) Removing foreign matter on the polishing cloth (surface cleaning property) (c) Permanent deformation (pushing in) with an elastic polishing cloth, etc. Properties) (d) fluff alignment (trajectory alignment) with a fibrous polishing cloth, etc. Conventionally, various dressing tools have been proposed. However, at present, one type of dressing tool
There is no product that satisfies all the performance requirements of (d). Therefore, the conventional dressing means described above has a disadvantage that any one of the performances is unsatisfactory.

【0016】例えば、研削性の大きいダイアモンド電着
プレートをドレッシングツールとして用いたものでは、
研磨布切削屑や脱落ダイアモンド粒が研磨布上に残存
し、ウエハに対し損傷や汚染などの悪影響を与える。ま
た、洗浄性のないドレッシングツールを用いたもので
は、ドレッサで汚染した研磨剤が被研磨物に供給され
る。
For example, in the case where a diamond electrodeposition plate having a large grindability is used as a dressing tool,
Polishing cloth cutting debris and fallen diamond grains remain on the polishing cloth, and adversely affect the wafer such as damage and contamination. Further, in the case of using a dressing tool having no cleaning property, the abrasive contaminated by the dresser is supplied to the object to be polished.

【0017】この発明の目的は、ドレッサの占有面積を
減らすと共に安定した研磨性能を得ることができる新規
な研磨装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a novel polishing apparatus capable of reducing the area occupied by the dresser and obtaining stable polishing performance.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】この発明に係る研磨装置
は、盤面に研磨布が固着された定盤であって、回転駆動
されるものと、被研磨物を保持する保持部を有する保持
手段であって、前記定盤の回転中に保持に係る被研磨物
を回転させながら前記研磨布に圧接するように前記保持
部を制御するものとを備えた研磨装置であって、前記保
持部において前記被研磨物を保持する個所のまわりにド
レッシングツールを設け、研磨に並行してドレッシング
を行なう構成にしたことを特徴とするものである。
A polishing apparatus according to the present invention is a surface plate having a polishing cloth adhered to a plate surface, which is rotationally driven, and holding means having a holding portion for holding an object to be polished. The polishing apparatus is provided with: controlling the holding unit so as to press-contact the polishing cloth while rotating an object to be held during rotation of the surface plate, wherein the holding unit is It is characterized in that a dressing tool is provided around a portion for holding the object to be polished, and the dressing is performed in parallel with the polishing.

【0019】この発明の構成によれば、被研磨物として
ウエハを保持する保持部においてウエハを保持する個所
のまわりにドレッシングツールを設けたので、ウエハ保
持部とは独立にドレッサを設けるのに比べて定盤上での
ドレッサの占有面積を減らすことができ、ドレッシング
ツールのための保持、回転、移動等の機構をウエハ保持
部と共有することができる。従って、構成を簡略化する
ことができ、定盤上に複数のウエハ保持部を設けるのが
容易となる。
According to the structure of the present invention, since the dressing tool is provided around the portion for holding the wafer in the holding portion for holding the wafer as the object to be polished, the dresser is provided independently of the wafer holding portion. Therefore, the area occupied by the dresser on the surface plate can be reduced, and the mechanism for holding, rotating, moving, etc. for the dressing tool can be shared with the wafer holding unit. Therefore, the structure can be simplified, and it becomes easy to provide a plurality of wafer holding portions on the surface plate.

【0020】また、ウエハの研磨に並行して研磨布のド
レッシングが行なわれるので、安定した研磨性能が得ら
れると共にスループットの向上が可能となる。
Since the polishing cloth is dressed in parallel with the polishing of the wafer, stable polishing performance can be obtained and throughput can be improved.

【0021】[0021]

【発明の実施の形態】図1は、この発明に係る研磨装置
を示すもので、図2には、図1の装置によるウエハ研磨
の様子を示す。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 shows a polishing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 shows a state of wafer polishing by the apparatus shown in FIG.

【0022】本体10には、図2に示すように盤面に研
磨布12aが固着された定盤12が設けられている。定
盤12は、図示しないモータ等により回転駆動される。
本体10において、定盤12の近傍には、被研磨物とし
てのウエハを載置するためのウエハ受け14が設けられ
ている。
As shown in FIG. 2, the main body 10 is provided with a surface plate 12 having a polishing cloth 12a fixed to the surface thereof. The surface plate 12 is rotationally driven by a motor or the like (not shown).
A wafer receiver 14 for mounting a wafer as an object to be polished is provided near the surface plate 12 in the main body 10.

【0023】ツール・ウエハ保持部30は、図10〜1
8に関して前述したと同様に真空吸着等によりガイド3
4の内側にウエハ16を保持して移動可能なもので、図
2に示すようにウエハ16を定盤12に圧接した状態で
回転軸38を介して回転駆動されるようになっている。
The tool / wafer holder 30 is shown in FIGS.
As described above with reference to 8, the guide 3 is attached by vacuum suction or the like.
4, the wafer 16 is held and movable inside, and as shown in FIG. 2, the wafer 16 is rotationally driven via a rotary shaft 38 in a state where the wafer 16 is pressed against the surface plate 12.

【0024】ツール・ウエハ保持部30において、ウエ
ハ16を保持する個所のまわり(ガイド34の外側)に
は、研削具36がリング状に設けられている。研削具3
6としては、ダイアモンド電着プレート等を用いること
ができる。研削具36の代りに、目的に応じてブラシ、
セラミックプレート等の他のドレッシングツールを設け
てもよい。
In the tool / wafer holding unit 30, a grinding tool 36 is provided in a ring shape around the portion holding the wafer 16 (outside the guide 34). Grinding tool 3
As 6, a diamond electrodeposition plate or the like can be used. Instead of the grinding tool 36, a brush according to the purpose,
Other dressing tools such as ceramic plates may be provided.

【0025】ツール・ウエハ保持部30において、ガイ
ド34と研削具36との間の部分には、保持部30の上
面に開口するリング状の溝Sが設けられると共に、溝S
に連通して保持部30の底面まで貫通する多数の孔Rが
リング状に設けられている。滴下ノズル40から供給さ
れる研磨剤Pは、研削具36等のドレッシングツールに
妨げられることなく溝S及び孔Rを介してウエハ16に
供給されるので、安定した研磨が可能になる。
In the tool / wafer holding portion 30, a ring-shaped groove S opening to the upper surface of the holding portion 30 is provided in a portion between the guide 34 and the grinding tool 36, and the groove S is provided.
A large number of holes R that communicate with each other and penetrate to the bottom surface of the holding portion 30 are provided in a ring shape. The polishing agent P supplied from the dropping nozzle 40 is supplied to the wafer 16 through the groove S and the hole R without being hindered by the dressing tool such as the grinding tool 36, so that stable polishing can be performed.

【0026】本体10には、定盤12を取囲んで下方に
延長するように排出部32が設けられている。研削屑
は、遠心力で外に向かい、定盤12から排出部32に落
下し、除去される。また、使用済みの研磨剤も排出部3
2を介して排出される。
The main body 10 is provided with a discharge portion 32 that surrounds the surface plate 12 and extends downward. The grinding dust is directed outward by centrifugal force, falls from the surface plate 12 to the discharge portion 32, and is removed. In addition, the used polishing agent is also used for the discharging section 3.
It is discharged via 2.

【0027】研磨処理に際しては、図10〜13で述べ
たと同様にしてツール・ウエハ保持部30でウエハ受け
14から定盤12上にウエハ16を移した後、保持部3
0でウエハ16を保持した状態でウエハ16を回転させ
ながら定盤12上の研磨布12aにウエハ16を圧接し
て研磨を行なう。研磨中は、図2に示すように滴下ノズ
ル40から溝S及び孔Rを介してウエハ16及び研磨布
12aに研磨剤Pを供給する。また、研磨中は、研削具
36が回転しつつ研磨布12aに圧接されるので、研磨
布12aに対しては研削性のドレッシング処理が施され
る。
In the polishing process, the tool / wafer holder 30 transfers the wafer 16 from the wafer receiver 14 onto the surface plate 12 in the same manner as described with reference to FIGS.
While holding the wafer 16 at 0, while rotating the wafer 16, the wafer 16 is pressed against the polishing cloth 12a on the surface plate 12 to perform polishing. During polishing, as shown in FIG. 2, the polishing agent P is supplied from the dropping nozzle 40 to the wafer 16 and the polishing cloth 12a through the groove S and the hole R. Further, during the polishing, the grinding tool 36 is rotated and brought into pressure contact with the polishing cloth 12a, so that the polishing cloth 12a is subjected to a dressing treatment with grindability.

【0028】研磨が終了したときは、図14〜16で述
べたと同様にウエハ16をウエハ受け14に戻すと共に
ツール・ウエハ保持部30からウエハ16を外し、保持
部30を初期位置に戻す。
When the polishing is completed, the wafer 16 is returned to the wafer receiver 14 and the wafer 16 is removed from the tool / wafer holding unit 30 and the holding unit 30 is returned to the initial position as described with reference to FIGS.

【0029】上記した研磨装置によれば、図17に示し
た従来装置に比べて定盤12上でのドレッサの占有面積
が低減される。また、ドレッサの保持、回転、移動等の
機構をウエハ保持部と共有する構成にしたので、構成が
簡単である。さらに、ウエハ研磨と同時に研磨布のドレ
ッシングが行なわれるので、安定した研磨性能が得られ
ると共に、図17に示したような独立のドレッシング工
程が不要となり、スループットが向上する。
According to the above polishing apparatus, the area occupied by the dresser on the surface plate 12 is reduced as compared with the conventional apparatus shown in FIG. Further, since the mechanism for holding, rotating, moving, etc. of the dresser is shared with the wafer holder, the structure is simple. Further, since the polishing cloth is dressed simultaneously with the polishing of the wafer, stable polishing performance can be obtained, and the independent dressing step as shown in FIG. 17 is not required, thus improving the throughput.

【0030】図3は、ツール・ウエハ保持部の変形例を
示すもので、図2と同様の部分には同様の符号を付して
詳細な説明を省略する。
FIG. 3 shows a modified example of the tool / wafer holding portion. Similar parts to those in FIG. 2 are designated by similar reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0031】図3のツール・ウエハ保持部30の特徴と
するところは、保持部30の底面において研削具36と
孔Rとの間の部分にブラシ37をリング状に設けたこと
である。この構成は、外側の研削具36で研磨布12a
の目詰まり部の研削を行なうと共に内側のブラシ37で
研削屑がウエハ16に行かないように外側に掻き出すこ
とを意図したものである。
A feature of the tool / wafer holding unit 30 of FIG. 3 is that a brush 37 is provided in a ring shape at a portion between the grinding tool 36 and the hole R on the bottom surface of the holding unit 30. In this structure, the outer polishing tool 36 is used to polish the polishing cloth 12a.
It is intended to grind the clogged portion of No. 1 and to scrape the grinding dust to the outside by the inner brush 37 so that the grinding dust does not reach the wafer 16.

【0032】ブラシ37の内側に溝S及び孔Rを設けた
ので、研削具36及びブラシ37に妨げられることなく
滴下ノズル40から溝S及び孔Rを介してウエハ16に
研磨剤Pを供給することができる。
Since the groove S and the hole R are provided inside the brush 37, the polishing agent P is supplied from the dropping nozzle 40 to the wafer 16 through the groove S and the hole R without being hindered by the grinding tool 36 and the brush 37. be able to.

【0033】図3の例では、異種のドレッシングツール
として研削性のもの(研削具36)と表面洗浄性のもの
(ブラシ37)とを組合せたが、研削性のものと押し込
み性のもの(例えばアルミナセラミックプレート)との
組合せ、押し込み性のものと表面洗浄性のものとの組合
せ等であってもよく、目的に応じて選択すればよい。
In the example shown in FIG. 3, different types of dressing tools are used, which are grindable (grinding tool 36) and surface cleaning (brush 37), but grindable and pushable (for example, It may be a combination with an alumina ceramic plate), a combination of a pushable type and a surface cleaning type, etc., and may be selected according to the purpose.

【0034】図4は、この発明の更に他の実施形態に係
るツール・ウエハ保持部を示すもので、図2と同様の部
分には同様の符号を付して詳細な説明を省略する。
FIG. 4 shows a tool / wafer holding portion according to still another embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG. 2 are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.

【0035】図4のツール・ウエハ保持部30の特徴と
するところは、研削具36を設けたツール保持部30b
を、ウエハ16を保持するウエハ保持部30aとは独立
に回転駆動する構成にしたことである。すなわち、研削
具36は、ウエハ保持部30aを覆うように設けられた
ツール保持部30bの底面に固着されると共に、保持部
30bは、保持部30aを回転駆動する回転軸38aの
外側に同軸的に配置された回転軸38bを介して回転駆
動される。保持部30bには、保持部30aに設けた溝
Sに対応して溝Sbがリング状に設けられており、滴下
ノズル40から溝Sb,S及び孔Rを介してウエハ16
に研磨剤Pを供給することができる。
A feature of the tool / wafer holder 30 of FIG. 4 is that the tool holder 30b provided with a grinder 36 is provided.
Is configured to be rotationally driven independently of the wafer holding unit 30a that holds the wafer 16. That is, the grinding tool 36 is fixed to the bottom surface of the tool holding portion 30b provided so as to cover the wafer holding portion 30a, and the holding portion 30b is coaxial with the outside of the rotary shaft 38a that rotationally drives the holding portion 30a. It is rotationally driven via a rotary shaft 38b arranged at. The holding portion 30b is provided with a groove Sb in a ring shape corresponding to the groove S provided on the holding portion 30a, and the wafer 16 is provided from the dropping nozzle 40 through the grooves Sb, S and the hole R.
The polishing agent P can be supplied to.

【0036】図4の構成によれば、研削具36に最適の
回転速度でドレッシングを行なうことができる。図4の
例は、図2の構成においてドレッシングツールをウエハ
保持部とは独立に回転駆動する構成にしたものである
が、図3の構成においても、図4に示したと同様にして
異種のドレッシングツール(36,37)をウエハ保持
部とは独立に回転駆動する構成にすることができる。
According to the configuration of FIG. 4, the grinding tool 36 can be dressed at an optimum rotation speed. In the example of FIG. 4, the dressing tool is rotationally driven independently of the wafer holding unit in the configuration of FIG. 2, but in the configuration of FIG. The tools (36, 37) can be rotationally driven independently of the wafer holder.

【0037】図5は、ツール・ウエハ保持部の変形例を
示すもので、図3,4と同様の部分には同様の符号を付
して詳細な説明を省略する。
FIG. 5 shows a modification of the tool / wafer holding portion. The same parts as those in FIGS. 3 and 4 are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.

【0038】図5のツール・ウエハ保持部30の特徴と
するところは、異種のドレッシングツールを互いに独立
に回転駆動する構成にしたことである。すなわち、ブラ
シ37は、ウエハ保持部30aにおいて孔Rの外側にリ
ング状に設けられ、回転軸38aにより保持部30aと
共に回転駆動され、研削具36は、図4で述べたと同様
にして回転軸38bによりツール保持部30bと共に回
転駆動される。
A feature of the tool / wafer holding unit 30 of FIG. 5 is that different kinds of dressing tools are rotationally driven independently of each other. That is, the brush 37 is provided in a ring shape on the outside of the hole R in the wafer holder 30a, and is rotationally driven together with the holder 30a by the rotary shaft 38a, and the grinding tool 36 is rotated in the same manner as described in FIG. Are driven to rotate together with the tool holder 30b.

【0039】図5の構成によれば、研削具36に最適の
回転速度でドレッシングを行なうことができる。また、
図5の構成においては、ブラシ37を研削具36及びウ
エハ保持部30aとは独立に回転駆動する構成にしても
よい。このようにすると、ブラシ37に最適の回転速度
でドレッシングを行なうことができる。
According to the configuration of FIG. 5, the grinding tool 36 can be dressed at an optimum rotation speed. Also,
In the configuration of FIG. 5, the brush 37 may be driven to rotate independently of the grinding tool 36 and the wafer holder 30a. In this way, the brush 37 can be dressed at an optimum rotation speed.

【0040】図6は、この発明の更に他の実施形態に係
る研磨装置を示すもので、図1と同様の部分には同様の
符号を付して詳細な説明を省略する。
FIG. 6 shows a polishing apparatus according to still another embodiment of the present invention. The same parts as those in FIG. 1 are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted.

【0041】図6の装置の特徴とするところは、ツール
・ウエハ保持部30を回転させつつ揺動させる構成にし
たことである。一例として、本体10の上部には、可動
部31を支持し、案内する支持・案内部材33を設ける
と共に可動部31にツール・ウエハ保持部30を取付
け、図示しないシリンダ等の駆動手段により可動部31
を矢印A,A’方向に往復的に駆動する。ツール・ウエ
ハ保持部30としては、図2〜5に関して前述したいず
れの形式のものを用いてもよい。
A feature of the apparatus shown in FIG. 6 is that the tool / wafer holding unit 30 is rotated and rocked. As an example, a support / guide member 33 that supports and guides the movable portion 31 is provided on the upper portion of the main body 10, the tool / wafer holding portion 30 is attached to the movable portion 31, and the movable portion is driven by a driving means such as a cylinder (not shown). 31
Is reciprocally driven in the directions of arrows A and A '. The tool / wafer holder 30 may be of any type described above with reference to FIGS.

【0042】図6の構成によれば、定盤12の盤面内に
おけるドレッシングの均一性を図1のものに比べて一層
向上させることができる。また、図1のものに比べて研
磨効率も向上する。
According to the structure of FIG. 6, the dressing uniformity in the platen surface of the surface plate 12 can be further improved as compared with that of FIG. Further, the polishing efficiency is also improved as compared with that of FIG.

【0043】図7は、この発明の更に他の実施形態に係
る研磨・ドレッシング部を示すものである。図7の実施
形態の特徴とするところは、矢印K方向に回転駆動され
る定盤12の上に3つのツール・ウエハ保持部30A〜
30Cを配置すると共に、これらの保持部30A〜30
Cをそれぞれ回転軸38A〜38Cを介して矢印方向に
回転駆動する構成にしたことである。保持部30A〜3
0Cとしては、図2〜5に関して前述したいずれの形式
のものを用いてもよい。
FIG. 7 shows a polishing / dressing portion according to still another embodiment of the present invention. The feature of the embodiment shown in FIG. 7 lies in that three tool / wafer holding units 30A to 30A
30C is arranged, and these holding portions 30A to 30 are arranged.
The configuration is such that C is rotationally driven in the direction of the arrow via the rotary shafts 38A to 38C, respectively. Holding parts 30A to 3
As 0C, any of the formats described above with reference to FIGS. 2 to 5 may be used.

【0044】図7の構成によれば、スループットが図2
のものに比べて約3倍向上する。ツール・ウエハ保持部
の設置数は、3に限らず、任意の複数とすることができ
る。
According to the configuration of FIG. 7, the throughput is as shown in FIG.
Approximately 3 times better than the ones. The number of tool / wafer holders to be installed is not limited to three, but may be any desired number.

【0045】図8は、研磨・ドレッシング部の変形例を
示すもので、図7と同様の部分には同様の符号を付して
詳細な説明を省略する。この例では、回転軸38A、3
8B、38Cをそれぞれ矢印a,a’方向、b,b’方
向、c,c’方向に独立に揺動することによりツール・
ウエハ保持部30A、30B、30Cを互いに独立して
揺動させる構成にしたものである。
FIG. 8 shows a modification of the polishing / dressing portion. The same parts as those in FIG. 7 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted. In this example, the rotary shafts 38A, 3
By independently swinging 8B and 38C in the directions of arrows a, a ', b, b'and c, c', respectively,
The wafer holders 30A, 30B, and 30C are configured to swing independently of each other.

【0046】図9は、研磨・ドレッシング部の他の変形
例を示すもので、図7と同様の部分には同様の符号を付
して詳細な説明を省略する。この例では、回転軸38A
〜38Cを連結する連結部42を設け、連結部42を矢
印S,S’方向に揺動することによりツール・ウエハ保
持部30A〜30Cを互いに連動して揺動させる構成に
したものである。
FIG. 9 shows another modification of the polishing / dressing portion. The same parts as those in FIG. 7 are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted. In this example, the rotary shaft 38A
38A to 38C are provided, and the tool / wafer holders 30A to 30C are interlocked with each other by swinging the connecting portion 42 in the directions of arrows S and S '.

【0047】図8,9の構成によれば、スループットが
向上する効果が得られる他、図6で述べた研磨・ドレッ
シング部と同様にドレッシングの均一性が向上すると共
に研磨効率が向上する効果が得られる。
According to the configurations of FIGS. 8 and 9, in addition to the effect of improving the throughput, the effect of improving the uniformity of dressing and improving the polishing efficiency as in the polishing / dressing portion described in FIG. can get.

【0048】この発明は、上記した実施形態に限定され
るものではなく、種々の改変形態で実施可能なものであ
る。例えば、図4又は図5に示した実施形態では、研削
具36に連結された回転軸38bを上下動自在とし、適
時に研削具36を降下させて研削性のドレッシングを付
加するようにしてもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be implemented in various modified forms. For example, in the embodiment shown in FIG. 4 or 5, the rotating shaft 38b connected to the grinding tool 36 can be moved up and down, and the grinding tool 36 can be lowered at any time to add a dressing having grindability. Good.

【0049】[0049]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、ウエ
ハ保持部においてウエハのまわりにドレッシングツール
を設け、研磨に並行してドレッシングを行なうようにし
たので、(a)ドレッサの占有面積の低減、(b)ドレ
ッシング機構の簡略化、(c)研磨性能の安定化、
(d)スループットの向上等の効果が得られる。
As described above, according to the present invention, since the dressing tool is provided around the wafer in the wafer holding portion and the dressing is performed in parallel with the polishing, (a) the area occupied by the dresser is reduced. Reduction, (b) simplification of dressing mechanism, (c) stabilization of polishing performance,
(D) The effect of improving the throughput can be obtained.

【0050】また、ツール・ウエハ保持部を回転させつ
つ揺動させる構成にすると、ドレッシングの均一性が向
上すると共に研磨効率が向上する効果も得られる。
Further, when the tool / wafer holder is swung while being rotated, the dressing uniformity is improved and the polishing efficiency is improved.

【0051】さらに、ウエハ保持部とドレッシングツー
ルとを互いに独立に回転駆動したり、ウエハ保持部及び
1種類のドレッシングツールと他種類のドレッシングツ
ールとを互いに独立に回転駆動したりすると、きめ細か
なドレッシング制御が可能になる効果も得られる。
Further, if the wafer holder and the dressing tool are driven to rotate independently of each other, or if the wafer holder and the dressing tool of one type and the dressing tool of another kind are driven to rotate independently of each other, fine dressing is achieved. The effect of being able to control is also obtained.

【0052】さらに、1つの定盤に対して複数のウエハ
保持部を設け、各ウエハ保持部毎にドレッシングツール
を設けて研磨に並行するドレッシングを行なうようにす
ると、スループットの大幅な向上が可能になる効果も得
られる。
Further, if a plurality of wafer holders are provided for one surface plate and a dressing tool is provided for each wafer holder to perform dressing in parallel with polishing, the throughput can be greatly improved. You can also get the effect.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 この発明に係る研磨装置を示す斜視図であ
る。
FIG. 1 is a perspective view showing a polishing apparatus according to the present invention.

【図2】 図1の装置のツール・ウエハ保持部を示す断
面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view showing a tool / wafer holding portion of the apparatus of FIG.

【図3】 ツール・ウエハ保持部の変形例を示す断面図
である。
FIG. 3 is a sectional view showing a modification of the tool / wafer holding unit.

【図4】 この発明の他の実施形態に係るツール・ウエ
ハ保持部を示す断面図である。
FIG. 4 is a sectional view showing a tool / wafer holder according to another embodiment of the present invention.

【図5】 ツール・ウエハ保持部の変形例を示す断面図
である。
FIG. 5 is a cross-sectional view showing a modified example of the tool / wafer holding unit.

【図6】 この発明の更に他の実施形態に係る研磨装置
を示す斜視図である。
FIG. 6 is a perspective view showing a polishing apparatus according to still another embodiment of the present invention.

【図7】 この発明の更に他の実施形態に係る研磨・ド
レッシング部を示す斜視図である。
FIG. 7 is a perspective view showing a polishing / dressing portion according to still another embodiment of the present invention.

【図8】 研磨・ドレッシング部の変形例を示す斜視図
である。
FIG. 8 is a perspective view showing a modified example of a polishing / dressing portion.

【図9】 研磨・ドレッシング部の他の変形例を示す斜
視図である。
FIG. 9 is a perspective view showing another modification of the polishing / dressing portion.

【図10】 従来の研磨処理におけるウエハ載置工程を
示す側面図である。
FIG. 10 is a side view showing a wafer placing step in a conventional polishing process.

【図11】 図10の工程に続くウエハ保持工程を示す
側面図である。
11 is a side view showing a wafer holding step following the step of FIG.

【図12】 図11の工程に続くウエハ移動工程を示す
側面図である。
12 is a side view showing a wafer moving process following the process of FIG. 11. FIG.

【図13】 図12の工程に続くウエハ降下及びウエハ
研磨工程を示す側面図である。
FIG. 13 is a side view showing a wafer lowering and wafer polishing step subsequent to the step of FIG.

【図14】 図13の工程に続くウエハ上昇工程を示す
側面図である。
FIG. 14 is a side view showing a wafer raising process following the process of FIG.

【図15】 図14の工程に続くウエハ移動及びウエハ
外し工程を示す側面図である。
FIG. 15 is a side view showing a wafer moving process and a wafer removing process following the process of FIG.

【図16】 図15の工程に続くウエハ保持部戻し工程
を示す側面図である。
16 is a side view showing a wafer holding part returning process following the process of FIG.

【図17】 図16の工程に続く研磨布ドレッシング工
程を示す側面図である。
FIG. 17 is a side view showing a polishing cloth dressing step that follows the step of FIG.

【図18】 従来のウエハ保持部を示す断面図である。 〔図面の簡単な説明〕 10:本体、12:定盤、12a:研磨布、14:ウエ
ハ受け、16:ウエハ、30,30A〜30C:ツール
・ウエハ保持部、32:排出部、34:ガイド、36:
研削具、37:ブラシ、38,38A〜38C,38
a,38b:回転軸、40:滴下ノズル。
FIG. 18 is a sectional view showing a conventional wafer holder. [Brief Description of Drawings] 10: body, 12: surface plate, 12a: polishing cloth, 14: wafer receiver, 16: wafer, 30, 30A to 30C: tool / wafer holding unit, 32: discharge unit, 34: guide , 36:
Grinding tool, 37: Brush, 38, 38A to 38C, 38
a, 38b: rotating shaft, 40: dropping nozzle.

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】盤面に研磨布が固着された定盤であって、
回転駆動されるものと、 被研磨物を保持する保持部を有する保持手段であって、
前記定盤の回転中に保持に係る被研磨物を回転させなが
ら前記研磨布に圧接するように前記保持部を制御するも
のとを備えた研磨装置であって、 前記保持部において前記被研磨物を保持する個所のまわ
りにドレッシングツールを設け、研磨に並行してドレッ
シングを行なう構成にしたことを特徴とする研磨装置。
1. A surface plate having a polishing cloth adhered to the plate surface,
And a holding means having a holding portion for holding an object to be polished, which is rotationally driven,
A polishing apparatus comprising: a device for controlling the holding part so as to press-contact the polishing cloth while rotating the object to be held during rotation of the surface plate, wherein the object to be polished in the holding part. The polishing apparatus is characterized in that a dressing tool is provided around a portion for holding, and dressing is performed in parallel with polishing.
【請求項2】 前記保持手段は、前記保持部を回転させ
つつ揺動させる構成になっている請求項1記載の研磨装
置。
2. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the holding unit is configured to swing while rotating the holding unit.
【請求項3】 前記保持部において前記ドレッシングツ
ールを設けた個所のまわりに前記ドレッシングツールと
は種類を異にする他のドレッシングツールを設けた請求
項1又は2記載の研磨装置。
3. The polishing apparatus according to claim 1, wherein another dressing tool of a different type from the dressing tool is provided around a portion of the holding section where the dressing tool is provided.
【請求項4】 前記保持部は、前記ウエハと前記ドレッ
シングツールとを互いに独立に回転駆動する構成になっ
ている請求項1〜3のいずれかに記載の研磨装置。
4. The polishing apparatus according to claim 1, wherein the holding unit is configured to rotate and drive the wafer and the dressing tool independently of each other.
【請求項5】 前記保持部において前記ドレッシングツ
ールを設けた個所のまわりに前記ドレッシングツールと
は種類を異にする他のドレッシングツールを設け、これ
らの異種のドレッシングツールを互いに独立に回転駆動
する構成にした請求項1又は2記載の研磨装置。
5. A configuration in which another dressing tool of a type different from that of the dressing tool is provided around a portion of the holding portion where the dressing tool is provided, and these different kinds of dressing tools are rotationally driven independently of each other. The polishing apparatus according to claim 1 or 2.
【請求項6】盤面に研磨布が固着された定盤であって、
回転駆動されるものと、 各々被研磨物を保持する複数の保持部を有する保持手段
であって、前記定盤の回転中に保持に係る被研磨物を回
転させながら前記研磨布に圧接するように各保持部を制
御するものとを備えた研磨装置であって、 前記各保持部毎に被研磨物を保持する個所のまわりにド
レッシングツールを設け、研磨に並行してドレッシング
を行なう構成にしたことを特徴とする研磨装置。
6. A surface plate having a polishing cloth adhered to the plate surface,
One that is rotationally driven and another holding unit that has a plurality of holding portions that respectively hold an object to be polished, and presses the polishing cloth while rotating the object to be held while the platen is rotating. A polishing apparatus having a control unit for each holding unit, wherein a dressing tool is provided around a portion for holding the object to be polished for each holding unit, and dressing is performed in parallel with polishing. A polishing device characterized by the above.
【請求項7】 前記保持手段は、前記各保持部を回転さ
せつつ前記複数の保持部を互いに独立して又は連動して
揺動させる構成になっている請求項6記載の研磨装置。
7. The polishing apparatus according to claim 6, wherein the holding unit is configured to swing the plurality of holding units independently or in conjunction with each other while rotating the respective holding units.
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