JP2002208575A - Semiconductor grinding device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は半導体研磨装置に関
し、特に研磨パッドに半導体ウェハを接触させて研磨を
行なう半導体研磨装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor polishing apparatus, and more particularly to a semiconductor polishing apparatus for polishing a semiconductor wafer by bringing a semiconductor wafer into contact with a polishing pad.
【０００２】[0002]
【従来の技術】近年、超大規模集積回路等の集積度が向
上してきており、そのための微細加工技術の開発・研究
が進められている。2. Description of the Related Art In recent years, the degree of integration of ultra-large-scale integrated circuits and the like has been improved, and development and research on microfabrication techniques for that purpose have been advanced.
【０００３】集積回路は露光・成膜・拡散・エッチング
等の繰り返しにより加工される。このような繰り返しに
よりシリコン・ウェハ上には段差が生じ、段差は工程毎
に大きくなっていく。このため、加工の度に生じる表面
の段差が微細加工において大きな問題となっており、こ
の解決のために、広範囲の平坦化が可能な技術が求めら
れていた。An integrated circuit is processed by repeating exposure, film formation, diffusion, etching, and the like. Due to such repetition, steps are formed on the silicon wafer, and the steps increase with each process. For this reason, the step on the surface that occurs each time processing is a serious problem in microfabrication, and a technology that enables flattening over a wide range has been demanded for solving this problem.
【０００４】このような平坦化の要求を満たすための技
術の１つとしてケミカルメカニカルポリッシング（Chem
ical Mechanical Polishing；以下、ＣＭＰとする）技
術がある。ＣＭＰ技術では、機械的な研磨と化学反応と
によりシリコン・ウェハ上に生じている凹凸を平坦化し
ていく。このＣＭＰ技術を用いた半導体研磨装置につい
て説明する。図５は、従来の半導体研磨装置の上面図で
あり、図６は、従来の半導体研磨装置の断面図である。
ＣＭＰ技術では、ポリシング・プレート２０に研磨パッ
ド３０を貼り付ける。次に、キャリア４０にウェハ（図
示せず）をはめ込み、キャリア４０内のウェハ研磨面が
下になるように半導体研磨装置に取り付ける。研磨時に
スラリー５０より研磨剤を流し込み、ポリシング・プレ
ート２０とキャリア４０とを逆方向に回転させ、キャリ
ア４０を研磨パッド３０に押し付け、ウェハと研磨パッ
ド３０を接触させることによりウェハの研磨を行なう。
研磨時の研磨パッド３０には、研磨剤の研磨粒子や被研
磨物の研磨屑が付着しており、研磨時にウェハに研磨傷
（以下、スクラッチとする）が生じる要因となる。これ
らを除去するため、研磨パッド３０を研磨時、又は研磨
前後にコンディショニング（ドレッシング）を行なう。
ドレッシングでは、ドレッサ７０を回転させ、パッド・
コンディショナ６０によって研磨パッド３０に押し付け
ることにより、研磨パッド３０の洗浄及び目立てを行な
う。One of the techniques for satisfying such a flattening requirement is chemical mechanical polishing (Chem).
ical Mechanical Polishing (hereinafter referred to as CMP) technology. In the CMP technique, unevenness generated on a silicon wafer is flattened by mechanical polishing and a chemical reaction. A semiconductor polishing apparatus using the CMP technique will be described. FIG. 5 is a top view of a conventional semiconductor polishing apparatus, and FIG. 6 is a cross-sectional view of the conventional semiconductor polishing apparatus.
In the CMP technique, a polishing pad 30 is attached to a polishing plate 20. Next, a wafer (not shown) is fitted into the carrier 40 and attached to a semiconductor polishing apparatus so that the wafer polishing surface in the carrier 40 faces down. During polishing, a polishing agent is poured from the slurry 50, the polishing plate 20 and the carrier 40 are rotated in opposite directions, the carrier 40 is pressed against the polishing pad 30, and the wafer is polished by bringing the wafer into contact with the polishing pad 30.
The polishing pad 30 at the time of polishing has abrasive particles of the abrasive and polishing debris of the object to be polished adhered thereto, which causes polishing scratches (hereinafter referred to as scratches) on the wafer during polishing. To remove these, conditioning (dressing) is performed at the time of polishing the polishing pad 30 or before and after polishing.
In the dressing, the dresser 70 is rotated and the pad
The polishing pad 30 is cleaned and dressed by being pressed against the polishing pad 30 by the conditioner 60.
【０００５】ドレッサ７０による研磨パッド３０の洗浄
について説明する。図７は、従来の半導体研磨装置のド
レッサ部を拡大した断面図である。上記説明のように、
ドレッサ７１はディスク構造をしており、その外周部分
にダイヤモンドが設置されたリング７２が設けられてい
る。ダイヤモンド砥粒は優れたドレッシング材料であ
り、半導体ウェハの研磨を行なう研磨パッド３０のドレ
ッシング材料として一般的に用いられている。ダイヤモ
ンド砥粒は、リング７２の研磨パッド３０と接する面に
設置されており、ドレッサ７１の回転に伴ってダイヤモ
ンド砥粒に接する研磨パッド３０の研磨面を研削してド
レッシングする。研磨パッド３０の研削量が少ない場
合、研磨パッド３０表面のクリーニング能力が低くな
り、研磨パッド３０上に残留する研磨屑やドライ・スラ
リー等を除去できず、これが原因となりウェハ表面にス
クラッチを発生させる。一方、研磨パッド３０表面の研
削量が多くなると、研磨パッド３０へ与えるダメージが
大きくなり、研磨パッド３０の寿命を縮めることにな
る。The cleaning of the polishing pad 30 by the dresser 70 will be described. FIG. 7 is an enlarged sectional view of a dresser portion of a conventional semiconductor polishing apparatus. As explained above,
The dresser 71 has a disk structure, and is provided with a ring 72 on which diamond is placed on the outer periphery. Diamond abrasive is an excellent dressing material, and is generally used as a dressing material for the polishing pad 30 for polishing a semiconductor wafer. The diamond abrasive grains are provided on the surface of the ring 72 that is in contact with the polishing pad 30. The rotation of the dresser 71 grinds and dresses the polishing surface of the polishing pad 30 that is in contact with the diamond abrasive grains. When the grinding amount of the polishing pad 30 is small, the cleaning ability of the surface of the polishing pad 30 becomes low, and it is not possible to remove polishing debris, dry slurry, and the like remaining on the polishing pad 30. This causes scratches on the wafer surface. . On the other hand, if the amount of grinding on the surface of the polishing pad 30 increases, damage to the polishing pad 30 increases, and the life of the polishing pad 30 is shortened.
【０００６】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかし、ＣＭＰ技術を
用いた従来の半導体研磨装置では、ドレッシングにおい
て適正なパッド研削量に制御することが難しいという問
題がある。However, in the conventional semiconductor polishing apparatus using the CMP technique, there is a problem that it is difficult to control an appropriate pad grinding amount in dressing.
【０００７】上記説明のように、スクラッチを抑制させ
るためには、ある程度のパッドの研削量が必要になる
が、パッドのクリーニング効果以上に無駄なパッドの研
削は必要ない。As described above, in order to suppress scratches, a certain amount of pad grinding is required, but there is no need to use more unnecessary pad grinding than the pad cleaning effect.
【０００８】パッドの研削量は、設備的にダイヤモンド
ドレッサへの押し圧を制御することにより調整すること
ができるが、これには限界がある。例えば、パッドの研
削量を上げるため、無理な押し圧とするとダイヤモンド
の破砕や欠落が発生し、これらがスクラッチの要因にな
ってしまうという問題がある。一方、押し圧を低圧化す
ると、処理中にパッドが回転することに伴って、ディス
クが不安定な状態となってしまうという問題がある。そ
うなるとパッドを均一に切削することができずに研磨分
布が崩れたり、ダイヤモンドに局所的なダメージが加わ
ったりする可能性もある。さらに、パッド表面のクリー
ニング能力が低下し、スクラッチの要因となってしまう
ことも懸念される。[0008] The amount of grinding of the pad can be adjusted by controlling the pressing pressure on the diamond dresser with equipment, but there is a limit to this. For example, if an excessive pressing pressure is applied to increase the amount of grinding of the pad, the diamond may be crushed or chipped, which may cause a scratch. On the other hand, when the pressing pressure is reduced, there is a problem in that the disk becomes unstable due to the rotation of the pad during the processing. In such a case, the pad cannot be cut uniformly, so that the polishing distribution may be broken or the diamond may be locally damaged. Further, there is a concern that the cleaning ability of the pad surface is reduced, which may cause a scratch.
【０００９】また、ディスク構造のドレッサの外周部に
相当するリングは、その形状によりリングに押し圧が集
中するようになる。このため、パッドに追従しやすく、
パッドの研削量が上がってしまうという特性がある。こ
のため、従来のディスク構造では、押し圧を調整するこ
とによりパッドの研削量を制御することは難しい。Further, a pressing pressure is concentrated on the ring corresponding to the outer peripheral portion of the dresser having a disk structure due to its shape. For this reason, it is easy to follow the pad,
There is a characteristic that the amount of pad grinding increases. For this reason, in the conventional disk structure, it is difficult to control the amount of pad grinding by adjusting the pressing pressure.
【００１０】本発明はこのような点に鑑みてなされたも
のであり、パッドの研削量を適切に制御することが可能
な半導体研磨装置を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of the above points, and an object of the present invention is to provide a semiconductor polishing apparatus capable of appropriately controlling a grinding amount of a pad.
【００１１】[0011]
【課題を解決するための手段】本発明では上記課題を解
決するために、研磨パッドに半導体ウェハを接触させて
研磨を行なう半導体研磨装置において、前記研磨パッド
をドレッシングするドレッサの前記研磨パッドと接する
面に前記研磨パッドを研削するダイヤモンド薄層が形成
された微細な凹凸を有する作用部と、前記研磨パッドと
接する面であって前記作用部の近傍に配置される前記ダ
イヤモンド薄層が形成されないダミー部と、を有するこ
とを特徴とする半導体研磨装置、が提供される。According to the present invention, in order to solve the above-mentioned problems, in a semiconductor polishing apparatus for polishing a semiconductor wafer by bringing the semiconductor wafer into contact with the polishing pad, a dresser for dressing the polishing pad is in contact with the polishing pad. A working portion having fine irregularities on a surface of which a diamond thin layer for grinding the polishing pad is formed, and a dummy on the surface in contact with the polishing pad and not being formed with the diamond thin layer disposed in the vicinity of the working portion; And a semiconductor polishing apparatus, comprising:
【００１２】このような構成の半導体研磨装置では、研
磨パッドのドレッシング工程に用いるドレッサの研磨パ
ッドと接する面側に微細な凹凸を有する作用部を設け、
その先端にダイヤモンド薄層を形成する。また、作用部
の近傍にダイヤモンド薄層が形成されないダミー部を設
ける。作用部及びダミー部は、ドレッサの台座に設けら
れており、研磨パッドと接する面側に突起している。ド
レッシング工程では、作用部とダミー部とが設けられた
面とは反対側のドレッサ面から研磨パッド方向に向かっ
て、ドレッサが押し圧を受ける。このとき受ける押し圧
力は、作用部とダミー部に分散されて双方にかかる。ま
た、作用部のダイヤモンド薄層が研磨パッドと接するこ
とによって研磨パッドの研削が行なわれる。[0012] In the semiconductor polishing apparatus having such a configuration, a working portion having fine unevenness is provided on a surface side of the dresser used in the dressing step of the polishing pad which is in contact with the polishing pad,
A thin diamond layer is formed at the tip. In addition, a dummy portion where no diamond thin layer is formed is provided in the vicinity of the action portion. The action portion and the dummy portion are provided on a pedestal of the dresser, and protrude on a surface contacting the polishing pad. In the dressing step, the dresser receives a pressing pressure from the dresser surface opposite to the surface on which the action portion and the dummy portion are provided toward the polishing pad. The pressing force received at this time is distributed to the acting portion and the dummy portion and acts on both. Further, the polishing pad is ground by the thin diamond layer of the working portion being in contact with the polishing pad.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照して説明する。図１は、本発明の一実施の形態で
ある半導体研磨装置のダイヤモンドドレッサの概略構造
図である。（ａ）はダイヤモンドドレッサを研磨パッド
方向から見た平面図であり、（ｂ）はダイヤモンドドレ
ッサのＡ−Ａ’方向の断面図である。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic structural view of a diamond dresser of a semiconductor polishing apparatus according to one embodiment of the present invention. (A) is a plan view of the diamond dresser viewed from the polishing pad direction, and (b) is a cross-sectional view of the diamond dresser in the AA ′ direction.
【００１４】本発明に係る半導体研磨装置のダイヤモン
ドドレッサ（以下、ドレッサとする）１０は、ディスク
型の形状をしたドレッサ台座１１上に、ダイヤモンド薄
層が設けられた作用部であるダイヤモンドリング１２が
最外周に配置され、ダミー部であるダミーリング１３が
その内側に配置されている。A diamond dresser (hereinafter, referred to as a dresser) 10 of a semiconductor polishing apparatus according to the present invention comprises a diamond ring 12 which is an action portion having a thin diamond layer provided on a disk-shaped dresser pedestal 11. The dummy ring 13 which is arranged at the outermost periphery and is a dummy portion is arranged inside the dummy ring 13.
【００１５】ドレッサ台座１１は、ディスク形状をして
おり、半導体研磨装置に組み込まれたときに研磨パッド
が貼りつけられたポリシング・プレートと対向する面に
ダイヤモンドリング１２とダミーリング１３とが設けら
れている。実験の結果、研磨パッドの研削量が高いディ
スク形状とすることで、スクラッチの程度が良くなると
いうデータが得られている。ドレッシング工程では、ポ
リシング・プレートの回転方向と逆方向に回転するとと
もに、パッド・コンディショナによってダイヤモンドリ
ング１２とダミーリング１３とが設けられた面とは逆方
向から研磨パッド方向に向けて押し圧力を受ける。これ
により、ダイヤモンドリング１２とダミーリング１３と
が、研磨パッドに接するようになる。The dresser pedestal 11 has a disk shape, and is provided with a diamond ring 12 and a dummy ring 13 on a surface facing a polishing plate to which a polishing pad is attached when assembled in a semiconductor polishing apparatus. ing. As a result of the experiment, data has been obtained that the degree of scratching is improved by using a disk shape in which the grinding amount of the polishing pad is high. In the dressing step, while rotating in the direction opposite to the direction of rotation of the polishing plate, the pad conditioner applies a pressing force in the direction opposite to the surface on which the diamond ring 12 and the dummy ring 13 are provided toward the polishing pad. receive. Thereby, the diamond ring 12 and the dummy ring 13 come into contact with the polishing pad.
【００１６】ダイヤモンドリング１２は、ディスク形状
のドレッサ台座１１の最外周に配置され、研磨パッドと
対向する側に凸部を有するとともに、その先端は微細な
凹凸を有するリングである。凹凸形状の先端には、研磨
パッドを研削するためのダイヤモンド薄層が形成されて
いる。The diamond ring 12 is arranged on the outermost periphery of the disk-shaped dresser pedestal 11, has a convex portion on the side facing the polishing pad, and has a tip with fine irregularities. A diamond thin layer for grinding the polishing pad is formed at the tip of the uneven shape.
【００１７】ダミーリング１３は、ディスク形状のドレ
ッサ台座１１に配置されたダイヤモンドリング１２の内
側に設けられ、研磨パッドと対向する側に凸部を有する
リングである。リング形状とすることで圧力が分散しや
すくなり、研磨パッドに対して余計な負荷をかけない。
また、その先端は、ダイヤモンドリング１２と同様に、
微細な凹凸を有する。ダイヤモンドリング１２とダミー
リング１３の高さの関係は、適用プロセスの安定性とス
クラッチの値に応じて任意に設定する。例えば、通常は
同じ高さとして、研磨パッドの研削量をさらに抑制させ
るのであれば、ダイヤモンドリング１２とダミーリング
１３との高さの関係を、ダミーリング１３＞ダイヤモン
ドリング１２とする。また、適用プロセスに応じて、研
磨パッドの研削量を上昇させたいのであれば、ダイヤモ
ンドリング１２とダミーリング１３との高さの関係を、
ダミーリング１３＜ダイヤモンドリング１２とする。The dummy ring 13 is provided inside the diamond ring 12 disposed on the disk-shaped dresser pedestal 11, and is a ring having a convex portion on the side facing the polishing pad. With the ring shape, the pressure is easily dispersed, and no extra load is applied to the polishing pad.
Also, the tip is similar to the diamond ring 12,
It has fine irregularities. The relationship between the height of the diamond ring 12 and the height of the dummy ring 13 is arbitrarily set according to the stability of the application process and the value of the scratch. For example, if the grinding height of the polishing pad is to be further suppressed by setting the same height, the relationship between the height of the diamond ring 12 and the height of the dummy ring 13 is set to be “dummy ring 13> diamond ring 12”. Further, if it is desired to increase the grinding amount of the polishing pad according to the application process, the relationship between the height of the diamond ring 12 and the height of the dummy ring 13 is determined as follows.
It is assumed that the dummy ring 13 <the diamond ring 12.
【００１８】このような構成のダイヤモンドドレッサを
有する半導体研磨装置の動作について説明する。図２
は、本発明の一実施の形態である半導体研磨装置のドレ
ッシング工程における動作を示した断面図である。図１
と同じものには同じ番号を付し、説明は省略する。The operation of a semiconductor polishing apparatus having a diamond dresser having such a configuration will be described. FIG.
FIG. 3 is a cross-sectional view showing an operation in a dressing step of the semiconductor polishing apparatus according to one embodiment of the present invention. FIG.
The same components as those described above are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted.
【００１９】ドレッシング工程では、研磨パッド３０と
対向して配置されたドレッサ１０を研磨パッド３０と逆
方向に回転させ、パッド・コンディショナによって研磨
パッド３０に押し付けることにより、研磨パッド３０の
洗浄及び目立てを行なう。ドレッサ台座１１のダイヤモ
ンドリング１２及びダミーリング１３を有しない面に
は、研磨パッド３０方向に向かってパッド・コンディシ
ョナからの押し圧力がかかる。押し圧力により、ダイヤ
モンドリング１２及びダミーリング１３は、研磨パッド
３０に押し付けられる。このとき、ダイヤモンドリング
１２にかかる押し圧力は、ダミーリング１３により分散
されるため、ダイヤモンドリング１２の研磨パッド３０
への食い込みが抑制される。研磨パッド３０及びドレッ
サ１０とは逆方向に回転しており、ダイヤモンドリング
１２先端に設けられたダイヤモンド薄層のダイヤモンド
砥粒により、研磨パッド３０のドレッシングが行なわれ
る。ダイヤモンドリング１２の研磨パッド３０への食い
込みは、ダミーリング１３により抑制されているため、
研磨パッド３０が必要以上に研削されることがない。In the dressing step, the dresser 10 arranged opposite to the polishing pad 30 is rotated in the opposite direction to the polishing pad 30 and pressed against the polishing pad 30 by a pad conditioner to clean and dress the polishing pad 30. Perform A pressing force from the pad conditioner is applied to the surface of the dresser pedestal 11 that does not have the diamond ring 12 and the dummy ring 13 toward the polishing pad 30. The diamond ring 12 and the dummy ring 13 are pressed against the polishing pad 30 by the pressing pressure. At this time, since the pressing pressure applied to the diamond ring 12 is dispersed by the dummy ring 13, the polishing pad 30 of the diamond ring 12
Engagement into the body is suppressed. The polishing pad 30 is rotated in a direction opposite to that of the polishing pad 30 and the dresser 10, and the polishing pad 30 is dressed by diamond abrasive grains of a thin diamond layer provided at the tip of the diamond ring 12. Since the cutting of the diamond ring 12 into the polishing pad 30 is suppressed by the dummy ring 13,
The polishing pad 30 is not unnecessarily ground.
【００２０】また、研磨パッド３０の研削量は、適用す
るプロセスの安定性、及びスクラッチの発生量等に応じ
て、ダイヤモンドリング１２とダミーリング１３との高
さの関係を調整することによっても制御することができ
る。例えば、研磨パッド３０の研削量をさらに抑制させ
るのであれば、ダミーリング１３の高さをダイヤモンド
リング１２より高くし、ダイヤモンドリング１２先端と
研磨パッド３０との接触を少なくする。また、研磨パッ
ド３０の研削量を上昇させたいのであれば、ダイヤモン
ドリング１２の高さをダミーリング１３より高くし、ダ
イヤモンドリング１２先端と研磨パッド３０との接触を
多くする。高さの関係は、適用プロセスに合わせて、適
宜設定される。このように高さの関係を調整し、研磨パ
ッド３０の切削量を制御することもできるため、従来の
押し圧の調整のみによって切削量を制御する場合と異な
り、プロセスを不安定にすることがない。The grinding amount of the polishing pad 30 is also controlled by adjusting the relationship between the height of the diamond ring 12 and the height of the dummy ring 13 in accordance with the stability of the applied process and the amount of scratches generated. can do. For example, if the grinding amount of the polishing pad 30 is to be further suppressed, the height of the dummy ring 13 is made higher than that of the diamond ring 12 so that the contact between the tip of the diamond ring 12 and the polishing pad 30 is reduced. If it is desired to increase the grinding amount of the polishing pad 30, the height of the diamond ring 12 is made higher than that of the dummy ring 13, so that the contact between the tip of the diamond ring 12 and the polishing pad 30 is increased. The height relationship is set as appropriate in accordance with the application process. Since the height relationship can be adjusted to control the cutting amount of the polishing pad 30 in this manner, unlike the conventional case where the cutting amount is controlled only by adjusting the pressing pressure, the process can be made unstable. Absent.
【００２１】次に、ダイヤモンドリング１２及びダミー
リング１３の先端部の形状について説明する。図３は、
本発明の一実施の形態である半導体研磨装置のリング部
を拡大した断面図である。図では、ダイヤモンドリング
１２及びダミーリング１３は、多角形状に形成されてい
る。スクラッチを考慮すると、ダイヤモンドの破砕、及
び欠落を防止しなければならないため、ダイヤモンドと
研磨パッド３０との接触面積を少なくし、破砕するダイ
ヤモンドの絶対数を減らす必要がある。このため、ダイ
ヤモンドリング１２の形状を多角形状とし、ダイヤモン
ドと研磨パッド３０との接触面積を減らす。また、ダミ
ーリング１３も同様に、研磨パッド３０との接触面積を
少なくする必要があることから、同様の多角形状をとる
ことが望ましい。なお、ダイヤモンドリング１２及びダ
ミーリング１３をＲ形状としても同様の効果を得ること
ができる。Next, the shapes of the tips of the diamond ring 12 and the dummy ring 13 will be described. FIG.
It is sectional drawing to which the ring part of the semiconductor polishing apparatus which is one Embodiment of this invention was expanded. In the figure, the diamond ring 12 and the dummy ring 13 are formed in a polygonal shape. In consideration of the scratch, it is necessary to prevent the diamond from being crushed or dropped, so it is necessary to reduce the contact area between the diamond and the polishing pad 30 and to reduce the absolute number of diamonds to be crushed. For this reason, the shape of the diamond ring 12 is made polygonal, and the contact area between the diamond and the polishing pad 30 is reduced. Similarly, since it is necessary to reduce the contact area of the dummy ring 13 with the polishing pad 30, it is desirable that the dummy ring 13 has the same polygonal shape. The same effect can be obtained even if the diamond ring 12 and the dummy ring 13 are formed in an R shape.
【００２２】上記の説明ではダミーリング１３の形状を
リングとしたが、ダミーリング１３の目的はダイヤモン
ドリング１２にかかる押し圧力を分散させることにある
ため、これが達成できればその形状はどのようなもので
あってもよい。ただし、作用部であるダイヤモンドリン
グ１２がリング状の形状である場合、押し圧力を分散す
るダミー部の形状は、リング状またはダイヤモンドリン
グ１２の内側の円周上に離散的に配置される形状が望ま
しいと思われる。図４は、本発明の他の実施の形態であ
る半導体研磨装置のダイヤモンドドレッサの概略構造図
である。図１と同じものには同じ番号を付し、説明は省
略する。（ａ）はダイヤモンドドレッサをパッド方向か
ら見た平面図であり、（ｂ）はダイヤモンドドレッサの
Ｂ−Ｂ’方向の断面図である。In the above description, the shape of the dummy ring 13 is a ring. However, since the purpose of the dummy ring 13 is to disperse the pressing force applied to the diamond ring 12, any shape can be attained if this can be achieved. There may be. However, when the diamond ring 12 serving as the acting portion has a ring shape, the shape of the dummy portion for dispersing the pressing force is a ring shape or a shape discretely arranged on the inner circumference of the diamond ring 12. Seems desirable. FIG. 4 is a schematic structural view of a diamond dresser of a semiconductor polishing apparatus according to another embodiment of the present invention. The same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and description thereof is omitted. (A) is a plan view of the diamond dresser viewed from the pad direction, and (b) is a cross-sectional view of the diamond dresser in the BB ′ direction.
【００２３】ダイヤモンドリング１２は、上記説明と同
様、ドレッサ１０の最外周に設置されている。この実施
の形態では、ダミー部１４は、ダイヤモンドリング１２
と同方向に突起する複数の凸部が、ダイヤモンドリング
１２の内側の円周上に沿って配置されている。また、図
４（ｂ）のＢ−Ｂ’方向の断面図からわかるように、ダ
ミー部１４は、ダイヤモンドリング１２と同様の多角形
状またはＲ形状の凸型であり、ダイヤモンドリング１２
にかかる押し圧力を分散させることができる。ダイヤモ
ンドリング１２とダミー部１４との高さの関係は、上記
説明のダイヤモンドリング１２とダミーリング１３の高
さの関係と同様である。このように、ダミー部１４も、
ダミーリング１３と同様の効果を得ることができる。The diamond ring 12 is provided on the outermost periphery of the dresser 10 as described above. In this embodiment, the dummy portion 14 is formed of the diamond ring 12.
A plurality of protrusions protruding in the same direction as above are arranged along the inner circumference of the diamond ring 12. As can be seen from the cross-sectional view taken along the line BB ′ of FIG. 4B, the dummy portion 14 is a polygonal or R-shaped convex shape similar to the diamond ring 12, and
Can be dispersed. The height relationship between the diamond ring 12 and the dummy portion 14 is the same as the height relationship between the diamond ring 12 and the dummy ring 13 described above. Thus, the dummy part 14 also
The same effect as the dummy ring 13 can be obtained.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明したように本発明では、ドレッ
サは、研磨パッドと接する面側に、微細な凹凸を有しダ
イヤモンド薄層が形成された作用部と、ダイヤモンド薄
層が形成されないダミー部とを有する。ドレッシング工
程では、作用部とダミー部とは反対側から研磨パッド方
向に向かって、ドレッサが押し圧を受ける。このとき受
ける押し圧力は、作用部とダミー部に分散されて双方に
かかり、作用部のダイヤモンド薄層が研磨パッドと接す
ることによって研磨パッドの研削が行なわれる。As described above, according to the present invention, the dresser has a working portion having fine irregularities on which a diamond thin layer is formed and a dummy portion on which a diamond thin layer is not formed on the surface in contact with the polishing pad. And In the dressing step, the dresser receives a pressing pressure from the opposite side of the acting portion and the dummy portion toward the polishing pad. The pressing force received at this time is distributed to the action portion and the dummy portion and applied to both, and the polishing pad is ground when the diamond thin layer of the action portion contacts the polishing pad.
【００２５】このように、作用部にかかる押し圧力がダ
ミー部によって軽減されるため、研磨パッドの研削量を
適切に制御することが可能となる。As described above, since the pressing force applied to the working portion is reduced by the dummy portion, the amount of grinding of the polishing pad can be appropriately controlled.
【図１】本発明の一実施の形態である半導体研磨装置の
ダイヤモンドドレッサの概略構造図である。FIG. 1 is a schematic structural view of a diamond dresser of a semiconductor polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の一実施の形態である半導体研磨装置の
ドレッシング工程における動作を示した断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing an operation in a dressing step of the semiconductor polishing apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図３】本発明の一実施の形態である半導体研磨装置の
リング部を拡大した断面図である。FIG. 3 is an enlarged sectional view of a ring portion of the semiconductor polishing apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図４】本発明の他の実施の形態である半導体研磨装置
のダイヤモンドドレッサの概略構造図である。FIG. 4 is a schematic structural view of a diamond dresser of a semiconductor polishing apparatus according to another embodiment of the present invention.
【図５】従来の半導体研磨装置の上面図である。FIG. 5 is a top view of a conventional semiconductor polishing apparatus.
【図６】従来の半導体研磨装置の断面図である。FIG. 6 is a sectional view of a conventional semiconductor polishing apparatus.
【図７】従来の半導体研磨装置のドレッサ部を拡大した
断面図である。FIG. 7 is an enlarged sectional view of a dresser portion of a conventional semiconductor polishing apparatus.
１０…ドレッサ、１１…ドレッサ台座、１２…ダイヤモ
ンドリング、１３…ダミーリング、３０…研磨パッド10 dresser, 11 dresser pedestal, 12 diamond ring, 13 dummy ring, 30 polishing pad
Claims (3)
研磨を行なう半導体研磨装置において、 前記研磨パッドをドレッシングするドレッサの前記研磨
パッドと接する面に前記研磨パッドを研削するダイヤモ
ンド薄層が形成された微細な凹凸を有する作用部と、 前記研磨パッドと接する面であって前記作用部の近傍に
配置される前記ダイヤモンド薄層が形成されないダミー
部と、 を有することを特徴とする半導体研磨装置。1. A semiconductor polishing apparatus for polishing by bringing a semiconductor wafer into contact with a polishing pad, wherein a diamond thin layer for grinding the polishing pad is formed on a surface of a dresser for dressing the polishing pad, the surface being in contact with the polishing pad. A semiconductor polishing apparatus, comprising: a working portion having fine irregularities; and a dummy portion, which is in contact with the polishing pad and is located near the working portion and on which the thin diamond layer is not formed, is provided.
するディスク型ドレッサであって、 前記作用部は、前記ディスク型ドレッサの外周部に配置
されるリング状の形状であり、 前記ダミー部は、前記作用部より内側に配置されるリン
グ状の形状であることを特徴とする請求項１記載の半導
体研磨装置。2. The dresser is a disk-type dresser having a disk-type shape, wherein the action portion has a ring-like shape disposed on an outer peripheral portion of the disk-type dresser; 2. The semiconductor polishing apparatus according to claim 1, wherein the semiconductor polishing apparatus has a ring shape disposed inside the action section.
は、多角形状またはＲ形状であることを特徴とする請求
項１記載の半導体研磨装置。3. The semiconductor polishing apparatus according to claim 1, wherein the shape of the tip of the action portion and the dummy portion is a polygonal shape or an R shape.
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