JPH09252433A - 撮像表示装置および撮像表示システム - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 撮影した撮像をその場ですぐに見ることがで
きる、撮像装置と表示装置が一体化した携帯型の撮像表
示装置を提供する。 【解決手段】 本発明の撮像表示装置は、基板と、この
基板の一方の面に形成された、光電変換素子アレイを有
する撮像手段と、基板のもう一方の面に形成された、光
電変換素子とそれぞれ１：１に接続された表示素子を有
する表示手段とを具備する。Ｘ線が蛍光体１６に当たっ
て生ずるフォトンは光電変換素子１４により電荷とな
り、撮像画素電極１３に蓄積される。この電荷を電荷電
圧変換手段１２により液晶駆動電圧として液晶層２１を
挟持する表示画素電極１８に印加して撮像を表示する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は撮像装置と表示装置
とが一体化した撮像表示装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】光電変換素子を用いた撮像装置はビデオ
カメラ、デジタルカメラなどに幅広く用いられている。
また、医療用Ｘ線診断装置に従来の銀塩フィルムにかわ
って用いられている。近年、医療分野において治療を迅
速的確に行う目的で患者の医療データをデータベース化
する方向に進んでいる。これは患者は複数の医療機関を
利用することが一般的であり、この様な場合他の医療機
関のデータがないと的確な治療行為が行えない可能性が
あるためである。一例として他の医療機関で投与された
薬剤との副作用の心配がある。他の医療機関で投与した
薬剤を考慮した上で適切な治療を行うことが必要とな
る。

【０００３】Ｘ線撮影の画像データについてもデータベ
ース化の要求があり、Ｘ線撮影画像のディジタル化が望
まれている。医療用Ｘ線診断装置では従来銀塩フィルム
を使用して撮影してきたが、これをディジタル化するた
めには撮影したフィルムを現像した後、再度スキャナ等
で走査する必要があり手間と時間がかかっていた。最近
は１インチ程度のＣＣＤカメラを使用し、直接画像をデ
ィジタル化する方式が実現されている。しかし例えば人
間の肺の撮影をする場合２０ｃｍ×３０ｃｍ程度の領域
を撮影するため、光を集光するための光学装置が必要で
あり、装置の大型化が問題になっている。

【０００４】これら２方式の問題を解決する方式として
ａ−ＳｉＴＦＴ（アモルファスシリコン薄膜トランジス
タ）などの薄膜トランジスタを用いた撮像装置が提案さ
れている。

【０００５】図１１はこのような薄膜トランジスタを用
いた従来の撮像装置の構成を概略的に示す図である。図
１１に示した撮像装置において、（１、１）番地の画素
である画素ｅ１，１はａ−ＳｉＴＦＴ１４４、光電変換
膜１４０および画素容量１４２で構成されている。そし
て、このような構成の画素ｅは横２０００×縦２０００
個のアレイ状（以下ＴＦＴアレイと呼ぶ）に形成されて
いる。ｅ２０００，２０００は（２０００、２０００）
番地の画素を示している。光電変換膜１４０には、電源
１４８によってバイアス電圧が印加される。ａ−ＳｉＴ
ＦＴ１４４は信号線１１８と走査線１１３に接続してお
り、走査線駆動回路１５２によってオン・オフが制御さ
れる。信号線１１８の終端は切り替えスイッチ１４６を
通して信号検出用の増幅器１５４に接続している。画素
に光が入射すると光電変換膜（フォトダイオード）１４
０に電流が流れ、この光電変換膜と画素容量１４２によ
り構成される光電変換回路に電荷が蓄積される。走査線
駆動回路１５２で走査線１１３を駆動し、１つの走査線
１１３に接続している全てのＴＦＴをオンにすると、光
電変換回路に蓄積された電荷は信号線１１８を通って増
幅器１５４側に転送される。切り替えスイッチ１４６で
１画素ごとに電荷を増幅器１５４に入力し、ＣＲＴ、液
晶表示装置等の表示装置に表示できるような点順次信号
に変換する。画素に入射する光の量によって電荷量が異
なり、増幅器１５４の出力振幅は変化する。

【０００６】図１１に示した撮像装置の方式では増幅器
１５４の出力信号をＡ／Ｄ変換することで直接ディジタ
ル画像にすることができる。

【０００７】このような撮像装置は薄型、大画面でディ
ジタル出力が容易となるが、実際に画像を見るためには
撮像装置の他にＸ線源はもちろんのこと信号処理回路や
モニタが別途必要となる。Ｘ線撮影は専用の撮影室で撮
影するのが一般的であるが、この他にも救急医療などで
病棟を回って撮影することも行われている。しかし病棟
を回っての撮影では装置が大型で運搬が困難であり、カ
セッテと呼ばれる携帯型の撮像装置が用いられている。
携帯型のカセッテは例えば保持部材（ホルダ）に複数枚
の銀塩フィルムが収納されており、手で持ち運び可能で
あり、被写体のどこにでも配置できるものである。

【０００８】カセッテは上述のように運搬可能であり自
由に配置可能であるが、その場で撮影した画像を確認す
ることが出来ないという問題がある。現像装置等が設置
されている場所までカセッテを持っていき、現像するこ
とではじめて画像を確認できる。したがって撮影条件に
不備があっても現像するまで確認できず、必要な情報を
得るのに非常に時間がかかった。これは、特に救急医療
などにおいては致命的な欠点である。

【０００９】また銀塩フィルムの代わりに例えば光電変
換素子と薄膜トランジスタとを組み合わせた撮像装置を
用いたとしても、画像を見るためには信号処理回路やモ
ニタが必要となってしまう。したがって、モニターを持
ち運ぶか、モニターがあるところまで行かなくてはなら
ないため携帯型撮像装置の意味をなさず、実用的ではな
いという問題があった。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点を解決するためになされたものである。すなわち本
発明は撮影した撮像をその場でただちに見ることができ
る、撮像装置と表示装置が一体化した携帯型の撮像表示
装置を提供することを目的とする。

【００１１】また本発明は撮像と表示画像が１：１に対
応した信頼度の高い撮像表示装置を提供することを目的
とする。

【００１２】また、本発明は特に医療現場において、撮
影から診断までの時間を大幅に短縮する撮像表示装置を
提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明は上記の問題点を
解決する、１単位の撮像素子と表示素子が１：１に対応
して一体化した撮像表示装置である。

【００１４】本発明の撮像表示装置は、基板と、この基
板の一方の面に形成された、光電変換素子アレイを有す
る撮像手段と、前記基板のもう一方の面に形成された、
１単位の光電変換素子とそれぞれ１：１に接続された表
示素子を有する表示手段とを具備したことを特徴とす
る。

【００１５】１単位の撮像素子を複数個の素撮像素子で
構成し、この１単位の撮像素子と表示素子とを１：１に
接続するようにしてもよい。

【００１６】また本発明の撮像表示装置は、基板と、こ
の基板の一方の面にマトリクス状に形成された、入射光
を検出して電荷を蓄積する撮像素子と、前記基板のもう
一方の面に前記撮像素子と１：１に接続して形成された
前記撮像を表示する表示素子とを具備したことを特徴と
する。

【００１７】また本発明の撮像表示装置は、基板と、こ
の基板の一方の面にマトリクス状に形成された光電変換
素子と、前記基板のもう一方の面に形成され、光電変換
素子と１：１に接続した表示画素電極と、画素電極との
間に液晶層を挟持して表示画素を形成する対向電極と、
光電変換素子と表示画素電極との間に配設された光電変
換素子に生じた電荷を電圧に変換して前記画素電極に印
加する電荷電圧変換手段とを具備したことを特徴とす
る。

【００１８】また本発明の撮像表示装置は、第１の絶縁
性基板と、第１の絶縁性基板上に形成された、撮像画素
領域を形成する光電変換素子と、この光電変換素子に接
続された第１の画素電極とを有する撮像手段と、第１の
絶縁性基板の前記光電変換素子が形成された面と反対側
の面に形成された第２の絶縁性基板と、第２の絶縁性基
板上に第１の画素電極と１：１に対応して形成された第
２の画素電極と、この第２の画素電極との間に液晶層を
挟持して表示画素領域を形成する対向電極とを有する表
示手段と、第１の画素電極と第２の画素電極との間に配
設された、第１の画素電極に蓄積した電荷を電圧に変換
して第２の画素電極に印加する電荷電圧変換手段とを具
備したことを特徴とする。

【００１９】電荷電圧変換手段はソースフォロア回路を
用いるようにしてもよい。

【００２０】本発明の撮像表示システムは、可搬なＸ線
照射装置と、このＸ線照射装置から照射されるＸ線によ
り被検者のレントゲン像を得る、基板の一方の面に形成
された光電変換素子アレイを有する撮像手段と、基板の
もう一方の面に形成された前記光電変換素子とそれぞれ
１：１に接続された表示素子を有する表示手段とからな
る撮像表示装置とを具備したことを特徴とする。

【００２１】また本発明の撮像表示装置は、光電変換膜
を積層した画素電極を複数配列し、前記画素電極間に配
置された信号線と、前記画素電極間に配置された走査線
と、前記画素電極と信号線との間に配置され前記走査線
によりオン・オフする薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）で構
成され、各画素に入射する光量に比例した電化を蓄積す
る撮像手段と、走査線を駆動する走査線駆動手段と、各
画素電極に蓄積された電荷を電圧に変化させる電荷電圧
変換手段と、この電荷電圧変換装置の出力する電圧によ
り光の反射率もしくは透過率が変化する液晶表示手段か
らなり、撮像手段と前記電荷電圧変換手段と前記液晶表
示手段とは積層構造であることを特徴とする。

【００２２】具体的な構造の１例としては、電荷電圧変
換手段の上部および下部にそれぞれ画素電極を有する構
成であって、絶縁性透明基板（例えばポリイミド）上に
薄膜トランジスタを形成し、この薄膜トランジスタのソ
ース・ドレイン電極の一方の電極は絶縁性透明基板の反
対の面に形成された第１の画素電極と接続し、第１の画
素電極１の下部にはＩ−Ｉ−ＰもしくはＮ−Ｉ−Ｐ型の
ａ−Ｓｉフォトダイオードと透明電極（例えばＩＴＯ）
と蛍光体が形成されており、一方薄膜トランジスタのソ
ース・ドレイン電極のもう一方の電極は別の絶縁性透明
基板（例えばポリイミド）を介して前記画素電極とは別
の第２の画素電極と接続し、この第２の画素電極２の上
には絶縁性透明基板（例えばガラス基板）と対向電極が
形成されており、第２の画素電極と前記対向電極の間に
は液晶を封止するようにしてもよい。

【００２３】すなわち本発明は撮像装置と表示装置とが
一体化した撮像表示装置であって、撮像装置を構成する
１単位の撮像画素と、表示装置を構成する表示素子とが
１：１に対応したものである。表示面に形成する例えば
液晶表示装置の画素などの表示素子アレイと、撮像面に
形成する例えば蛍光体乃至は光電変換素子などの撮像画
素アレイとはそれぞれ１：１に接続されている。したが
って、撮像面に形成される画像情報は、そのまま表示面
に表示され、信号処理などを行う必要はない。撮像画素
と表示画素の画素サイズを同じにすれば、等身大の画像
が表示される。また、撮像面に形成される画像を拡大し
て表示面または外部に接続された表示装置に表示するよ
うにしてもよい。表示画素と１：１に接続する１単位の
撮像画素を、複数の素撮像画素から形成するようにすれ
ば、拡大しても解像度が落ちることはない。

【００２４】例えば図１１に例示した撮像装置では、
（１、１）番地の撮像画素ｅ１，１から（２０００、２
０００）番地の撮像画素ｅ２０００，２０００までの撮
像画素ｅがアレイ状に形成されているが、本発明の撮像
表示装置では、このような撮像面の裏面に（１、１）番
地の表示画素ｐ１，１から（２０００、２０００）番地
の撮像画素ｐ２０００，２０００までの表示画素ｐがア
レイ状に形成されているものである。

【００２５】撮像素子は、例えば撮像画素電極上に、フ
ォトダイオードなどの光電変換素子と、ＩＴＯなどの透
明電極と、蛍光体などの波長変換素子とを積層して形成
するようにすればよい。

【００２６】また、表示素子の１例としては、表示画素
電極と１：１接続した表示画素電極上に、ＩＴＯなどの
対向電極を配置し、表示画素電極と対向電極との間に液
晶相を挟持すれば、撮像面に形成された像を表示する液
晶表示装置が形成される。

【００２７】撮像画素電極に蓄積された電荷を、表示画
素電極に電圧として印加するには、例えば撮像画素電極
と表示画素電極との間に薄膜トランジスタなどの非線形
スイッチング素子を設けるようにすればよい。薄膜トラ
ンジスタのソース・ドレイン電極を撮像画素電極と表示
画素電極に接続し、ゲート電極により薄膜トランジスタ
を駆動すればよい。

【００２８】また、撮像画素電極に撮像画素電極と表示
画素電極との間に薄膜トランジスタなどの非線形スイッ
チング素子からなるソースフォロア回路を設けるように
してもよい。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下で本発明の詳細を図に基づい
て説明する。

【００３０】（実施例１）図１は本発明の撮像表示装置
の構成の１例を概略的に示す図であり、撮像面側を示し
ている。図２は図１の撮像表示装置の裏面すなわち表示
面側を示す図である。

【００３１】図３は本発明の撮像表示装置の構成例を模
式的に示すブロック図である。

【００３２】ここでは、Ｘ線を検出する撮像部と、液晶
表示装置とが一体化した撮像表示装置を例にとって説明
する。

【００３３】この撮像表示装置１は撮像部２、表示部
７、駆動部３、電源部４とにより構成されている。撮像
部２、駆動部３、電源部４は筐体５内に一体化しており
持ち運びを可能としている。表示部７は液晶層を光変調
層とした液晶表示装置となっている。

【００３４】撮像部２と表示部７は一体化されている。
すなわち、入射するＸ線の量に比例して電荷を蓄積する
Ｘ線検出部６を有する撮像部２と、蓄積された電荷量に
応じて透過率もしくは反射率が変化する表示部７の一体
化構造となっている。撮像部２と表示部７にはそれぞれ
複数（例えば１０００×１０００画素）の画素があり、
Ｘ線検出部６の画素と表示部７の画素は１対１に対応し
ている。撮像部２の各画素は入射したＸ線量に比例した
電荷を蓄積し、電荷電圧変換回路８によって電荷量に応
じた電圧を出力し表示部７の画素に供給する。表示部７
は画素に与えられた電圧によって光変調層の透過率もし
くは反射率を変化させることにより、Ｘ線検出部６で検
出したＸ線を画像表示する。

【００３５】したがって、従来の銀塩フィルムのように
現像することなしに、即座にその場で画像を得ることが
できる。また撮像部２の画素と、表示部７の画素は１対
１に対応しているため特別な集光装置は必要とせず薄型
化、軽量化に適した構造である。

【００３６】駆動部３はＸ線検出部６および表示部７の
駆動タイミングを調整するタイミング回路９で構成され
る。タイミング回路９はＸ線を照射してから表示部７に
画像を表示するまでに必要な信号、例えば電荷電圧変換
タイミング信号や液晶表示用走査線駆動信号などを発生
し、撮像部２と表示部７に供給する。

【００３７】電源部４は撮像部２、表示部７、駆動部３
に電源を供給する。電源部には電池を用いるようにすれ
ば、携帯が容易であり、コンセントがない場所でも撮像
表示を行うことができる。また、雑音も低減され、より
鮮明な画質の撮像を得ることができる。

【００３８】図４は、駆動部３に、撮像表示装置が取り
込んだ画像を外部回路へ出力する出力回路１０を設けた
本発明の撮像表示装置の機能を模式的に示すブロック図
である。

【００３９】この出力回路１０は電荷電圧変換回路８か
らの出力をΑ／Ｄ変換しディジタルデータにして出力す
る。このような構成によれば、コンピュータなどの撮像
表示装置外部にに画像を保存することができる。また、
画像の処理やデータベース化が容易になる。

【００４０】図５は本発明の撮像表示装置の構造の１例
を概略的に示す断面図であり、撮像部２と表示部７とが
一体化した撮像表示部の構造を示している。

【００４１】例えばポリイミド、ガラスなどの透明絶縁
性基板１１上に薄膜トランジスタ１２が形成されてい
る。そしてこの薄膜トランジスタ１２のソース・ドレイ
ン電極の一方の電極は、透明絶縁性基板１１の反対の面
に形成された撮像画素電極１３と接続している。薄膜ト
ランジスタ１２は、例えばａ−Ｓｉ（非晶質シリコン）
半導体膜により形成するようにしてもよいし、ｐ−Ｓｉ
（多結晶シリコン）半導体膜、μ−Ｓｉ（微結晶シリコ
ン）半導体膜で形成するようにしてもよい。また、逆ス
タガー型でも、スタガー型でもよい。さらに、例えばＭ
ＩＭ素子などの薄膜トランジスタ以外の非線形スイッチ
ング素子を用いるようにしてもよい。

【００４２】撮像画素電極１３の下部には、例えばＩ−
Ｉ−Ｐ構造もしくはＮ−Ｉ−Ｐ構造のａ−Ｓｉ半導体膜
からなるフォトダイオード１４と、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕ
ｍＴｉｎ Ｏｘｉｄｅ）などの透明電極１５、波長変換
素子である蛍光体１６が形成されている。

【００４３】一方、薄膜トランジスタ１２のもう一方の
電極は、薄膜トランジスタ１２上に形成された、例えば
ポリイミド、ＳｉＯ2 などからなる別の透明絶縁性基板
１７を介して、この透明絶縁性基板１７上に形成された
表示画素電極１８と接続している。表示画素電極１８上
には例えばガラスなどの透明絶縁性基板１９と、この透
明絶縁性基板１９の液晶挟持面に形成されたＩＴＯなど
からなる対向電極２０が形成されている。そして、表示
画素電極１８と対向電極２０との間には光変調層である
液晶層２１が封止されている。

【００４４】図５に示した撮像表示装置の構造では、透
明絶縁性基板１１の薄膜トランジスタ１２と反対側に形
成された、撮像画素電極１３、フォトダイオード１４、
透明電極１５、蛍光体１６がＸ線検出部６を構成してい
る。また、透明絶縁性基板１７の薄膜トランジスタ１２
と反対側に形成された表示画素電極１８、液晶２１、対
向電極２０、透明絶縁性基板１９が表示部７を構成して
いる。そして、薄膜トランジスタ１２が電荷電圧変換回
路８に対応している。

【００４５】フォトダイオード１４には２つの電極、す
なわち撮像画素電極１３と透明電極１５によって逆バイ
アスが印加されている（例えば撮像画素電極１３が０
Ｖ、透明電極１５が−５Ｖ）。したがってフォトダイオ
ード１４は高抵抗であり電流は流れない。

【００４６】撮像表示装置１の撮像面２にＸ線などの電
磁波が照射されると、Ｘ線は蛍光体１６（例えばＧＯＳ
（Ｇｄ₂ Ｏ₂ Ｓ：Ｔｂ）、ＣｓＩ（ＣｓＩ：Ｔｌ））に
より可視光（例えば５５０ｎｍの緑色光）に変換され、
フォトダイオード１４に入射する。このときフォトダイ
オード１４には電流が流れ、撮像画素電極１３には電荷
が蓄積される。例えば１画素に１００００個のフォトン
（波長５５０ｎｍの光で約２３０００ｅＶに相当する）
が照射された場合、撮像画素電極１３に蓄積される電荷
量Ｑは、 Ｑ＝１．６×１０^-19 ×１００００＝１．６×１０^-15 ［Ｃ］ となる。

【００４７】Ｘ線などの電磁波の照射が終了した後、す
なわち撮像画素電極１３への電荷の蓄積が完了した後、
薄膜トランジスタ１２によって電荷量に比例した電圧
を、表示画素電極１８へ出力する。図６は蓄積された電
荷と出力される電圧との関係の１例を示す図である。

【００４８】薄膜トランジスタ１２の出力電圧は表示部
７側の表示画素電極１８に印加される。このため表示画
素電極１８と対向電極２０との間に電界が生じ、液晶２
１の配向ないし相状態が制御され、光の透過率もしくは
反射率が変化して画像が表示される。このように本発明
の撮像表示装置では、撮像を、信号処理を行わずに表示
面に表示することができる。したがって、装置の構成が
単純化でき、軽量化が可能で携帯用途にも好適である。
また、コストを低減することができる。

【００４９】図５に例示した構造では、Ｘ線検出部６と
表示部７と電荷電圧変換回路８で構成されているが、こ
れらの部分は同一のプロセスで製造できる利点がある。

【００５０】本発明の撮像表示装置の構造は図５に例示
したものに限らず、一方の面に撮像手段が形成され、他
方の面に表示手段が形成され、撮像手段を構成する撮像
素子と表示手段を構成する表示素子とが１：１に対応し
て配設され、接続されていればよい。図７は本発明の撮
像表示装置の構造の別の１例を概略的に示す図である。

【００５１】図８は、本発明の撮像表示装置の電荷電圧
変換回路８、すなわち薄膜トランジスタ１２として示し
た部分の構成の１例を示す図である。図８に例示した電
荷電圧変換回路８は以下のように動作する。

【００５２】この電荷電圧変換回路８は３個の薄膜トラ
ンジスタから構成されている。薄膜トランジスタ２２と
薄膜トランジスタ２３は、ソースフォロア回路を構成し
ている。薄膜トランジスタ２４は蓄積した電荷を放電す
るためのリセットスイッチである。薄膜トランジスタ２
２のゲート電極ｇ１には一定のオン電圧Ｖg1が供給され
ている。またソース電極ｓ１には固定電圧Ｖs1が供給さ
れている。このとき薄膜トランジスタ２２のドレイン・
ソース間電流Ｉds1 は一定であるが、当然薄膜トランジ
スタ２３のドレイン・ソース間電流Ｉds2 はＩds1 と等
しくなる。

【００５３】さて、Ｘ線検出部６の撮像画素電極１３に
電荷が蓄積され、撮像画素電極１３の電極電位が変化す
ると、薄膜トランジスタ２３のゲート電圧Ｖg2が変動す
る。このとき、Ｉds1 とＩds2 が等しくなるように、す
なわち、 （Ｖg1−Ｖs1）＝（Ｖg2−Ｖd1−s2） となるようにソースフォロアの出力電圧Ｖd1−s2が変化
する。したがってソースフォロア出力を表示部７の表示
画素電極１８に接続すれば、撮像画素電極１３に蓄積さ
れた電荷によって表示画素電極１８を電圧駆動すること
ができる。

【００５４】薄膜トランジスタ２４はリセットスイッチ
であり、撮像画素電極１３に蓄積された電荷を放電させ
る。出力回路に外部記憶手段を接続すれば、Ｘ線を照射
している最中に周期的にリセットすることで動画を撮影
することもできる。

【００５５】薄膜トランジスタ２２のソース電極ｓ１と
ゲート電極ｇ１には共通の電圧を供給するようにしても
よい（図９参照）。

【００５６】なお、図８では撮像画素電極１３と液晶表
示用表示画素電極１８にソースフォロア用薄膜トランジ
スタ２２、２３とリセット用薄膜トランジスタ２４が１
セットの場合について説明したが、ソースフォロア回路
は１信号線に１個でもかまわない。

【００５７】薄膜トランジスタ２２、２３、２４を構成
する半導体膜は非晶質シリコンでもよいし多結晶シリコ
ンでも、微結晶シリコンでもよい。また薄膜トランジス
タは逆スタガ型でもトップゲート型でもよい。

【００５８】（実施例２）図１０は本発明の撮像表示装
置の使用例を模式的に示す図である。

【００５９】移動可能なＸ線照射装置５１と本発明の撮
像表示装置５２を用いて患者５３のレントゲン像を撮影
している。５４はＸ線源である。Ｘ線照射終了と同時
に、現像を要せず、モニターも用いずに、直ちにその場
で画像を見ることができる。適切な撮像が得られなかっ
た場合でも、直ちに撮りなおすことができる。また、救
急車などにＸ線照射装置５１を備えれば、病院外でも撮
像を見ることができる。したがって、例えば救命救急医
療などにおいて適切な診断が下されるまでの時間を大幅
に短縮することができる。

【００６０】

【発明の効果】以上説明したように本発明の撮像表示装
置によれば、撮影した撮像をその場でただちに見ること
ができる。また本発明の撮像表示装置はモニターがない
場所でも画像を見ることができる。また、携帯すること
もできる。

【００６１】また本発明の撮像表示装置は撮像と表示画
像が１：１に対応した信頼度の高い撮像を得ることがで
きる。

【００６２】さらに本発明の撮像表示装置は、信号処理
装置が不要であり、構造が単純で、小型化、薄型化に適
しており、消費電力も少ない。したがって、携帯に好適
であり、コストも安くできる。

【００６３】本発明の撮像表示装置は、薄型大画面化が
可能で、可搬性が高い。さらにその場で画像を見ること
が出来るため、撮影が不十分な場合などにはすぐに再撮
影ができ、撮影作業の効率を大きく向上することができ
る。特に医療現場において、撮影から診断までに要する
時間を大幅に短縮することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の撮像表示装置の構成の１例を概略的に
示す図（撮像面）。

【図２】本発明の撮像表示装置の構成の１例を概略的に
示す図（表示面）。

【図３】本発明の撮像表示装置の構成の１例を模式的に
示すブロック図。

【図４】本発明の撮像表示装置の構成の別の１例を模式
的に示すブロック図。

【図５】本発明の撮像表示装置の構造の１例を概略的に
示す断面図。

【図６】電荷電圧変換回路における蓄積電荷と出力電圧
との関係を示す図。

【図７】本発明の撮像表示装置の構造の別の１例を概略
的に示す断面図。

【図８】本発明の撮像表示装置の電荷電圧変換回路の１
例を示す図。

【図９】本発明の撮像表示装置の電荷電圧変換回路の別
の１例を示す図。

【図１０】本発明の撮像表示装置の使用例を模式的に示
す図

【図１１】従来の撮像装置の構成を概略的に示す図。

【符号の説明】

１……撮像表示装置、２……撮像部、３……駆動部、４
……電源部、５……筐体 ６……Ｘ線検出部、７……液晶表示部、８……電荷電圧
変換回路 ９……タイミング回路、１０……出力回路 １１、１７、１９……透明絶縁性基板 １２、２２、２３、２４……薄膜トランジスタ、１３、
１８………画素電極 １４……フォトダイオード、１５……透明電極、１６…
…蛍光体 ２０……対向電極、２１……液晶層 ５１……Ｘ線照射装置、５２……撮像表示装置、５３…
…被検者 ５４……Ｘ線源

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 基板と、 この基板の一方の面に形成された、光電変換素子アレイ
   を有する撮像手段と、 前記基板のもう一方の面に形成された、１単位の前記光
   電変換素子とそれぞれ１：１に接続された表示素子を有
   する表示手段とを具備したことを特徴とする撮像表示装
   置。
2. 【請求項２】 基板と、 この基板の一方の面にマトリクス状に形成された光電変
   換素子と、 前記基板のもう一方の面に形成され、前記光電変換素子
   と１：１に接続した画素電極と、 前記画素電極との間に液晶層を挟持して表示画素を形成
   する対向電極と、 前記光電変換素子に生じた電荷を電圧に変換して前記画
   素電極に印加する電荷電圧変換手段とを具備したことを
   特徴とする撮像表示装置。
3. 【請求項３】 第１の絶縁性基板と、 第１の絶縁性基板上に形成された、撮像画素領域を形成
   する光電変換素子と、この光電変換素子に接続された第
   １の画素電極とを有する撮像手段と、 第１の絶縁性基板の前記光電変換素子が形成された面と
   反対側の面に形成された第２の絶縁性基板と、 第２の絶縁性基板上に第１の画素電極と１：１に対応し
   て形成された第２の画素電極と、この第２の画素電極と
   の間に液晶層を挟持して表示画素領域を形成する対向電
   極とを有する表示手段と、 第１の画素電極と第２の画素電極との間に配設された、
   第１の画素電極に蓄積した電荷を電圧に変換して第２の
   画素電極に印加する電荷電圧変換手段とを具備したこと
   を特徴とする撮像表示装置。
4. 【請求項４】 前記電荷電圧変換手段はソースフォロア
   回路であることを特徴とする請求項２乃至３のいずれか
   に記載の撮像表示装置。
5. 【請求項５】 可搬なＸ線照射装置と、 このＸ線照射装置から照射されるＸ線により被検者のレ
   ントゲン像を得る、基板の一方の面に形成された光電変
   換素子アレイを有する撮像手段と、基板のもう一方の面
   に形成された前記光電変換素子とそれぞれ１：１に接続
   された表示素子を有する表示手段とからなる撮像表示装
   置とを具備したことを特徴とする撮像表示システム。